CN220255014U - 显示装置 - Google Patents
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- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 627
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims abstract description 91
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 81
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 45
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 39
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 37
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 37
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims abstract description 29
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 35
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 4
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 abstract description 11
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 abstract description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 53
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 35
- 239000010408 film Substances 0.000 description 35
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 32
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 20
- -1 region Substances 0.000 description 20
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 17
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 16
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 16
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 description 14
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 13
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 12
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 12
- 101100168695 Coffea arabica CS3 gene Proteins 0.000 description 9
- 101100168701 Coffea arabica CS4 gene Proteins 0.000 description 9
- 101100329510 Coffea canephora MTL2 gene Proteins 0.000 description 9
- 101150055479 MTL1 gene Proteins 0.000 description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 9
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 9
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 6
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 6
- UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 5
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 5
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 5
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 4
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 3
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 2
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JDVGNKIUXZQTFD-UHFFFAOYSA-N 2,2,3,3,3-pentafluoropropyl prop-2-enoate Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)COC(=O)C=C JDVGNKIUXZQTFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DBCAQXHNJOFNGC-UHFFFAOYSA-N 4-bromo-1,1,1-trifluorobutane Chemical compound FC(F)(F)CCCBr DBCAQXHNJOFNGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920008347 Cellulose acetate propionate Polymers 0.000 description 1
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N Oxozirconium Chemical compound [Zr]=O GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 1
- 229920002125 Sokalan® Polymers 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JYMITAMFTJDTAE-UHFFFAOYSA-N aluminum zinc oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Al+3].[Zn+2] JYMITAMFTJDTAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005674 electromagnetic induction Effects 0.000 description 1
- STVZJERGLQHEKB-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol dimethacrylate Substances CC(=C)C(=O)OCCOC(=O)C(C)=C STVZJERGLQHEKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LNMQRPPRQDGUDR-UHFFFAOYSA-N hexyl prop-2-enoate Chemical compound CCCCCCOC(=O)C=C LNMQRPPRQDGUDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N methyltrimethoxysilane Chemical compound CO[Si](C)(OC)OC BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 239000004584 polyacrylic acid Substances 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N tetramethyl orthosilicate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)OC LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) tin(4+) Chemical compound [O-2].[Zn+2].[Sn+4].[In+3] TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
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Abstract
提供了一种显示装置,所述显示装置包括:基底,包括显示区域和外围区域,外围区域包括与显示区域相邻地设置的弯曲区域;多个像素,布置在显示区域中;驱动电路,布置在外围区域中;障壁层,布置在弯曲区域中;输入检测层,设置在多个像素上;以及光学功能层,包括第一层和第二层,第一层设置在输入检测层上,第二层设置在第一层上,其中,第一层包括位于弯曲区域与驱动电路之间的至少一个谷。在根据公开的显示装置中,通过在显示面板的上部处布置第二层,中性平面升高到布线的上有机层,从而减小了在弯曲区域中集中在布线上的应力。
Description
本申请基于并要求于2022年7月20日在韩国知识产权局提交的第10-2022-0089880号韩国专利申请和于2022年11月24日在韩国知识产权局提交的第10-2022-0159495号韩国专利申请的优先权,该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
技术领域
一个或更多个实施例涉及一种显示装置,更具体地,涉及一种非显示区域的宽度减小并且整体厚度减小的显示装置。
背景技术
在显示装置之中,有机发光显示装置不仅由于宽视角和优异的对比度,而且还由于快响应速度而作为下一代装置受到关注。
通常,有机发光显示装置包括形成在基底上的薄膜晶体管和有机发光二极管。有机发光二极管是自发射装置。这种有机发光显示装置可以用作诸如移动电话的小型产品的显示器,或者用作诸如电视机的大型产品的显示器。
实用新型内容
本实用新型的目的是为了提供一种显示装置,其中非显示区域的宽度减小并且整体厚度被减小。然而,这些目的仅是示例,并且公开的范围不限于此。
另外的方面将部分地在下面的描述中阐述,并且部分地将从描述中明显,或者可以通过实践所呈现的公开的实施例来获知。
根据一个或更多个实施例,显示装置包括:基底,包括显示区域和外围区域,外围区域包括与显示区域相邻地设置的弯曲区域;显示元件,布置在显示区域中;驱动电路,布置在外围区域中;障壁层,布置在弯曲区域中;输入检测层,设置在显示元件上;以及光学功能层,包括第一层和第二层,第一层设置在输入检测层上,第二层设置在第一层上,其中,第一层包括位于弯曲区域与驱动电路之间的至少一个谷。
第一层在与显示元件对应的区域中包括第一开口,并且第二层具有与第一层不同的折射率。
第一层可以从显示区域延伸至外围区域,并且在与弯曲区域对应的区域中包括第二开口,并且第二层可以通过第二开口直接接触障壁层的顶表面。
至少一个谷可以包括彼此间隔开的第一谷和第二谷。
第二层可以延伸至外围区域,并且第二层的一端可以位于至少一个谷与弯曲区域之间。
第二层可以延伸至外围区域,并且第二层的一端可以位于至少一个谷中。
可以在与外围区域对应的区域中在第二层的上方进一步布置有遮光部分,并且弯曲区域的在第二层与遮光部分之间的空间可以为空的空间。
第二层的顶表面可以在显示区域和弯曲区域中是平坦的,并且第二层的厚度可以朝向第二层的端部逐渐减小。
显示装置还可以包括:保护膜,设置在基底的一个表面上,其中,保护膜可以在与弯曲区域对应的区域中包括开口区域。
第二层可以包括在与显示区域对应的区域中具有第一厚度的第一部分、在同保护膜的与显示区域相邻的第一边界部分对应的区域中具有第二厚度的第二部分、以及在同保护膜的与第一边界部分相对的第二边界部分对应的区域中具有第三厚度的第三部分,其中,第二部分的第二厚度可以大于第一部分的第一厚度和第三部分的第三厚度。
根据一个或更多个实施例,显示装置包括:基底,包括显示区域和外围区域,外围区域包括与显示区域相邻地设置的弯曲区域;显示元件,布置在显示区域中;驱动电路,布置在外围区域中;障壁层,布置在弯曲区域中;输入检测层,设置在显示元件上;以及光学功能层,包括第一层和第二层,第一层设置在输入检测层上并且在与显示元件对应的区域中包括第一开口,第二层设置在第一层上并且具有与第一层不同的折射率,其中,第一层包括位于弯曲区域与驱动电路之间的至少一个谷。
第一层可以从显示区域延伸至外围区域,并且在与弯曲区域对应的区域中包括第二开口,并且第二层可以通过第二开口直接接触障壁层的顶表面。
至少一个谷可以包括彼此间隔开的第一谷和第二谷。
弯曲区域可以围绕在第一方向上延伸的弯曲轴弯曲,并且至少一个谷可以在第一方向上延伸。
第二层可以延伸至外围区域,并且第二层的一端可以位于至少一个谷与弯曲区域之间。
第二层可以延伸至外围区域,并且第二层的一端可以位于至少一个谷中。
第二层可以具有0.2GPa至1.5GPa的模量。
第二层可以具有10%或更大的伸长率。
第二层可以具有90%或更大的透光率。
空气层可以设置在与弯曲区域对应的第二层上。
可以在与外围区域对应的区域中在第二层的上方进一步布置有遮光部分,并且弯曲区域的在第二层与遮光部分之间的空间可以为空的空间。
至少一个谷与驱动电路之间的间隔可以为100μm至400μm。
第二层的顶表面可以在显示区域和弯曲区域中是平坦的。
第二层的厚度可以朝向第二层的端部逐渐减小。
显示装置还可以包括:保护膜,设置在基底的一个表面上,其中,保护膜可以在与弯曲区域对应的区域中包括开口区域。
第二层可以包括在与显示区域对应的区域中具有第一厚度的第一部分、在同保护膜的与显示区域相邻的第一边界部分对应的区域中具有第二厚度的第二部分、以及同保护膜的与第一边界部分相对的第二边界部分对应的区域中具有第三厚度的第三部分,其中,第二部分的第二厚度可以大于第一部分的第一厚度。
第二部分的第二厚度可以大于第三部分的第三厚度。
第三部分的第三厚度可以大于第一部分的第一厚度并且小于第二部分的第二厚度。
第一部分的第一厚度可以为10μm至25μm,并且第二部分的第二厚度可以为20μm至40μm。
显示装置还可以包括:偏振层,在与显示区域对应的区域中设置在第二层上;以及窗层,设置在偏振层上。
显示装置还可以包括:无机绝缘层,设置在基底上并且在与弯曲区域对应的区域中包括开口部分,其中,障壁层可以布置为覆盖开口部分。
第二层可以包括约5%至约40%的双官能丙烯酸酯单体。
在与弯曲区域对应的第二层上可以进一步设置有弯曲保护层。
其它方面、特征和优点可以从以下附图、权利要求和公开的详细描述中变得清楚。
可以使用系统、方法、计算机程序或者系统、方法和计算机程序的任何组合来实践这些一般和特定方面。
在根据公开的显示装置中,通过在显示面板的上部处布置第二层,中性平面升高到布线的上有机层,从而减小了在弯曲区域中集中在布线上的应力。
附图说明
通过以下结合附图的描述,公开的特定实施例的以上和其它方面、特征和优点将更加明显,在附图中:
图1是示意性地示出根据实施例的显示装置的一部分的平面图;
图2A和图2B是沿着图1的线A-A'截取的显示装置的剖视图;
图3是示出根据实施例的显示装置的一部分的剖视图;
图4是根据实施例的可以包括在显示装置中的像素的等效电路图;
图5是示意性地示出图1的显示装置的显示面板的平面图;
图6是示意性地示出图5的显示面板的一部分的平面图;
图7是图6的部分B的放大图;
图8是显示装置的包括沿着图6的线C-C'截取的显示面板的剖面的一部分的剖视图;
图9A是包括弯曲的显示面板的显示装置的一部分的剖视图;
图9B是根据对比示例的显示装置的一部分的剖视图;
图10和图11是示意性地示出根据实施例的显示装置的一部分的剖视图;
图12至图14示出了图11的改进实施例;
图15和图16是示意性地示出根据实施例的显示装置的一部分的剖视图;
图17是示出在弯曲期间施加到弯曲区域中的布线的应变与第二层的模量之间的关系的曲线图;
图18是根据实施例的包括弯曲的显示面板的显示装置的一部分的剖视图;
图19是示意性地示出根据实施例的处于展开状态的显示面板的剖视图;以及
图20是示意性地示出根据实施例的处于展开状态的显示面板的一部分的平面图。
具体实施方式
现在将详细参照实施例,在附图中示出了实施例的示例,其中同样的附图标记始终表示同样的元件。在这方面,本实施例可以具有不同的形式,并且不应被解释为限于这里阐述的描述。因此,下面仅通过参照附图来描述实施例以解释本说明书的方面。如这里所使用的,术语“和/或”包括相关所列项中的一个或更多个的任何组合和所有组合。在整个公开中,表述“a、b和c中的至少一个(种/者)”表示仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、a、b和c全部或者其变型。
公开可以具有各种修改和各种实施例,在附图中示出了且在具体实施方式中详细描述了具体实施例。参照参考附图详细描述的实施例,公开的效果和特征以及实现其的方法将变得明显。然而,公开不限于下面描述的实施例,并且可以以各种形式实现。
在下文中,将参照附图详细描述实施例,并且在下面参照附图的描述中,同样的附图标记表示同样的元件,并且将省略其冗余描述。
在说明书中,术语“第一”和“第二”不以限制的意义使用,而是用于将一个组件与另一组件区分开。
在说明书中,以单数使用的表述包括复数的表述,除非其在上下文中具有明显不同的含义。
在说明书中,还将理解的是,这里使用的术语“包括”和/或“包含”表明存在所陈述的特征或组件,但不排除存在或添加一个或更多个其它特征或组件。
将理解的是,当层、区域或元件被称为“形成在”另一层、区域或元件“上”时,它可以直接或间接形成在所述另一层、区域或元件上。也就是说,例如,可以存在居间层、区域或元件。
当层、区域、组件等连接到另一层、区域、组件等时,所述层、区域、组件等可以直接连接到所述另一层、区域、组件,或者可以间接连接到所述另一层、区域、组件且在所述层、区域、组件等与所述另一层、区域、组件等之间具有居间层、区域、组件等。例如,在说明书中,当层、区域、组件等电连接到另一层、区域、组件等时,所述层、区域、组件等可以直接电连接到所述另一层、区域、组件,或者可以间接电连接到所述另一层、区域、组件且在所述层、区域、组件等与所述另一层、区域、组件等之间具有居间层、区域、组件等。
在说明书中,“A和/或B”表示仅A、仅B或者A和B两者。此外,“A和B中的至少一个(种/者)”表示仅A、仅B或者A和B两者。
在说明书中,x轴、y轴和z轴不限于正交坐标系上的三个轴,而是可以在包括三个轴的广义上来解释。例如,x轴、y轴和z轴可以彼此垂直,或者可以表示彼此不垂直的不同方向。
当可以不同地实现特定实施例时,可以与所描述的顺序不同地执行具体的工艺顺序。例如,两个连续描述的工艺可以基本上同时执行或者以与所描述的顺序相反的顺序执行。
图1是示意性地示出根据实施例的显示装置1的一部分的平面图。
参照图1,显示装置1包括显示区域DA和显示区域DA外部的外围区域NDA。包括显示元件的多个像素P布置在显示区域DA中,并且显示装置1可以通过使用从布置在显示区域DA中的多个像素P发射的光来提供图像。外围区域NDA是未布置有显示元件的一种非显示区域,显示区域DA可以被外围区域NDA整个地围绕。
在图1中,显示装置1包括平坦的显示表面,但是公开不限于此。根据另一实施例,显示装置1可以包括3维显示表面或弯曲的显示表面。
当显示装置1包括3维显示表面时,显示装置1可以包括在不同方向上延伸的多个显示区域,例如,可以包括多边形柱显示表面。根据另一实施例,当显示装置1包括弯曲的显示表面时,显示装置1可以以各种类型中的任何一种(诸如柔性、可折叠和可卷曲显示装置)来实现。
根据实施例,图1示出了可以用于移动电话终端的显示装置1。尽管未示出,但是移动电话终端还可以包括安装在主板上并且与显示装置1一起布置在支架/壳体中的电子模块、相机模块和电源模块。根据公开的显示装置1可以用于诸如平板计算机、车辆导航装置、游戏装置和智能手表的中小型电子装置以及诸如电视机和监视器的大型电子装置。
在图1中,显示装置1的显示区域DA是具有圆角的矩形,但是根据另一实施例,显示区域DA的形状可以是圆形或椭圆形或者诸如三角形或五边形的多边形。
在下文中,描述了包括有机发光二极管作为显示元件的有机发光显示装置作为根据实施例的显示装置1的示例,但是公开的显示装置不限于此。根据另一实施例,公开的显示装置1可以是无机发光显示器或无机EL显示器,或者可以是量子点发光显示器。例如,包括在显示装置1中的显示元件的发射层可以包括有机材料,包括无机材料,包括量子点,包括有机材料和量子点,或者包括无机材料和量子点。
图2A和图2B是沿着图1的线A-A'截取的显示装置1的剖视图,并且图3是示意性地示出根据实施例的显示装置1的一部分的剖视图。
简单示出了图2A、图2B和图3以描述构成显示装置1的功能面板和/或功能层的堆叠结构。
参照图2A,根据实施例的显示装置1可以包括显示层DU、输入检测层TU、光学功能层OU、偏振层PU和窗层WU。显示层DU、输入检测层TU、光学功能层OU、偏振层PU和窗层WU中的至少一些可以通过连续的工艺形成,并且它们中的至少一些可以通过粘合层彼此结合。在图2A中示出了光学透明粘合剂OCA作为粘合层的示例。下面描述的粘合层可以包括一般的粘合剂或胶粘剂。根据实施例,偏振层PU和窗层WU可以由其它组件代替或者可以省略。
根据实施例,输入检测层TU直接设置在显示层DU上。在本说明书中,当“B组件直接设置在A组件上”时,在A组件与B组件之间不存在单独的粘合层。在A组件形成之后,通过连续的工艺在由A组件提供的基体表面上形成B组件。
显示层DU以及直接设置在显示层DU上的输入检测层TU和光学功能层OU可以被定义为显示面板DP。根据实施例,如图2A中所示,光学透明粘合剂OCA可以布置在显示面板DP与偏振层PU之间以及偏振层PU与窗层WU之间。
根据另一实施例,显示面板DP可以包括如图2B中所示的抗反射层CU。抗反射层CU可以布置在输入检测层TU与光学功能层OU之间。抗反射层CU可以包括设置为与每个像素P的发射区域对应的滤色器以及设置为与像素P之间的非发射区域对应的遮光层。根据实施例,光学透明粘合剂OCA可以不布置在抗反射层CU与输入检测层TU之间,而抗反射层CU可以直接设置在输入检测层TU上。
显示层DU产生图像,并且输入检测层TU获得外部输入(例如,触摸事件)的坐标信息。尽管未单独示出,但是根据实施例的显示面板DP还可以包括设置在显示层DU的底表面上的保护层(例如,保护膜)。保护层和显示层DU可以通过粘合层彼此结合。
光学功能层OU可以增强光效率。光学功能层OU可以增强例如从有机发光二极管OLED发射的光的正面光效率和/或侧面可视性。
偏振层PU降低从窗层WU的顶部入射的外部光的反射率。根据实施例的偏振层PU可以包括延迟器和偏振器。延迟器可以是膜型或液晶涂覆型,并且可以包括λ/2延迟器和/或λ/4延迟器。偏振器也可以是膜型或液晶涂覆型。膜型可以包括伸长的合成树脂膜,并且液晶涂覆型可以包括以特定排列布置的液晶。延迟器和偏振器还可以包括保护膜。延迟器和偏振器或其保护膜可以被定义为偏振层PU的基体层。
在下文中,将参照图3详细描述显示层DU、输入检测层TU和光学功能层OU的结构。
参照图3,显示面板DP包括显示层DU、输入检测层TU和光学功能层OU。简单示出了显示层DU、输入检测层TU和光学功能层OU以描述显示面板DP的堆叠结构。此外,省略了可以设置在输入检测层TU上的图2A的偏振层PU和图2A的窗层WU。
在显示层DU中,电路层CL、有机发光二极管OLED和薄膜封装层TFE可以顺序地布置在基底100上。输入检测层TU可以直接设置在薄膜封装层TFE上。薄膜封装层TFE包括如下面描述的图10中的至少一个有机封装层320,因此可以进一步提供平坦的基体表面。因此,下面描述的输入检测层TU的组件即使在通过连续的工艺形成组件时也可以具有降低的缺陷百分比。
输入检测层TU可以具有多层结构。输入检测层TU包括检测电极、连接到检测电极的迹线以及至少一个绝缘层。例如,输入检测层TU可以以电容方式检测外部输入。在公开中,输入检测层TU的操作方法不受具体限制,并且根据实施例,输入检测层TU可以以电磁感应方式或以压力检测方式检测外部输入。
如图3中所示,根据实施例的输入检测层TU可以包括第一无机绝缘层410、第一导电层MTL1、第二无机绝缘层420和第二导电层MTL2。
例如,第一导电层MTL1和第二导电层MTL2中的每个可以具有单层结构或堆叠多层结构。单层结构的导电层可以包括金属层或透明导电层。金属层可以包括钼、银、钛、铜、铝或其合金。透明导电层可以包括透明导电氧化物(诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)或氧化铟锡锌(ITZO))。另外,透明导电层可以包括导电聚合物(诸如PEDOT)、金属纳米线或石墨烯。
多层结构的导电层可以包括金属层。金属层可以具有例如Ti/Al/Ti的3层结构。多层结构的导电层可以包括至少一个金属层和至少一个透明导电层。
第一导电层MTL1和第二导电层MTL2中的每个包括多个图案。在下文中,将理解的是,第一导电层MTL1包括第一导电图案,并且第二导电层MTL2包括第二导电图案。第一导电图案和第二导电图案可以形成检测电极。根据实施例,检测电极可以具有例如对用户不可见的网格形状。
第一无机绝缘层410和第二无机绝缘层420中的每个可以具有单层结构或多层结构。第一无机绝缘层410和第二无机绝缘层420中的每个可以包括无机材料或复合材料。例如,第一无机绝缘层410和第二无机绝缘层420中的至少一个可以包括无机层。无机层可以包括氧化铝、氧化钛、氧化硅、氮氧化硅、氧化锆和氧化铪中的至少一种。根据另一实施例,第一无机绝缘层410和/或第二无机绝缘层420可以由有机绝缘层代替。
光学功能层OU可以直接设置在输入检测层TU上。光学功能层OU可以包括第一层510和设置在第一层510上的第二层520。第一层510和第二层520可以包括有机绝缘材料并且具有不同的折射率。根据实施例,第二层520的折射率可以大于第一层510的折射率。
图4是根据实施例的可以包括在显示装置1中的像素P的等效电路图。
参照图4,每个像素P包括连接到扫描线SL和数据线DL的像素电路PC以及连接到像素电路PC的有机发光二极管OLED。
像素电路PC可以包括驱动薄膜晶体管Td、开关薄膜晶体管Ts和存储电容器Cst。开关薄膜晶体管Ts连接到扫描线SL和数据线DL,并且可以被构造为根据通过扫描线SL输入的扫描信号Sn将通过数据线DL输入的数据信号Dm传输到驱动薄膜晶体管Td。
存储电容器Cst连接到开关薄膜晶体管Ts和驱动电压线PL,并且被构造为存储同从开关薄膜晶体管Ts接收的电压与被供应到驱动电压线PL的驱动电压ELVDD之间的差对应的电压。
驱动薄膜晶体管Td连接到驱动电压线PL和存储电容器Cst,并且可以被构造为响应于存储在存储电容器Cst中的电压值来控制从驱动电压线PL流过有机发光二极管OLED的驱动电流Id。有机发光二极管OLED可以根据驱动电流Id发射特定亮度的光。
在图4中,像素电路PC包括两个薄膜晶体管和一个存储电容器,但是公开不限于此。根据另一实施例,像素电路PC可以包括七个薄膜晶体管和一个存储电容器。根据另一实施例,像素电路PC可以包括两个或更多个存储电容器。
图5是示意性地示出图1的显示装置1的显示面板DP的平面图,图6是示意性地示出图5的显示面板DP的一部分的平面图,图7是图6的部分B的放大图。
图5的显示面板DP可以处于弯曲之前的状态。
参照图5和图6,显示面板DP包括显示单元10、第一扫描驱动器20、第二扫描驱动器30、垫(pad,又称为“焊盘”或“焊垫”)区域40、驱动电路50、驱动电压供应线60和共电压供应线70。尽管未示出,但是还可以在第一扫描驱动器20的一侧处布置发射控制驱动器(未示出)。
基底100可以包括玻璃材料或者诸如金属或有机材料的材料。根据实施例,基底100可以包括柔性材料。例如,基底100可以包括聚合物树脂(诸如聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯或乙酸丙酸纤维素)。
显然,各种修改是可行的,例如,基底100可以具有包括均包括聚合物树脂的两个层以及布置在两个层之间并且包括诸如氧化硅、氮化硅或氮氧化硅的无机材料的阻挡层的多层结构。
基底100可以包括显示区域DA和围绕显示区域DA的外围区域NDA。外围区域NDA的一部分可以在显示区域DA的一侧上(例如,在-y方向上)延伸。垫区域40、驱动电路50、驱动电压供应线60和扇出布线FW可以布置在延伸的外围区域NDA中。弯曲区域BA可以设置在外围区域NDA的一部分中。例如,弯曲区域BA可以是外围区域NDA的延伸部分。弯曲区域BA可以弯曲使得延伸的外围区域NDA与显示区域DA部分地叠置,从而减小对用户可见的外围区域NDA的宽度。
像素P布置在显示区域DA中,并且连接到在第一方向(例如,x方向)上延伸的扫描线SL以及在与第一方向交叉的第二方向(例如,y方向)上延伸的数据线DL和驱动电压线PL。每个像素P发射例如红光、绿光、蓝光或白光,并且可以包括有机发光二极管OLED。
显示单元10被构造为通过从像素P发射的光提供特定图像,显示区域DA由其中设置有像素P的区域限定。显示单元10可以具有近似矩形形状,或者根据一些实施例,可以具有多边形形状、圆形形状、椭圆形形状或与其部分地对应的形状。根据实施例,显示单元10整体上具有矩形形状,其中,每个拐角可以包括弯曲的圆角部分。定位有这种显示单元10的基底100可以在外边缘的至少一些区域中包括弯曲边缘。
第一扫描驱动器20和第二扫描驱动器30布置在基底100的外围区域NDA中,并且被构造为产生扫描信号并且通过扫描线SL将该扫描信号传输到每个像素P。例如,第一扫描驱动器20可以布置在显示单元10的左侧处,并且第二扫描驱动器30可以布置在显示单元10的右侧处。在本实施例中,第一扫描驱动器20和第二扫描驱动器30布置在显示单元10的两侧处,但是根据另一实施例,扫描驱动器可以仅布置在显示单元10的一侧处。
垫区域40可以位于基底100的外围区域NDA中。垫41至垫44可以设置在垫区域40中。垫41至垫44可以连接到控制器90。垫区域40可以布置在基底100的一个端部处,并且通过绝缘层中的开口电连接到控制器90。控制器90可以设置在印刷电路板(例如,柔性印刷电路板(FPCB))上。
驱动电路50布置在基底100的外围区域NDA中,并且被构造为产生数据信号并且通过数据线DL将该数据信号传输到每个像素P。驱动电路50可以布置在显示单元10的一侧处,例如,可以布置在垫区域40与显示单元10之间。用于访问驱动电路50的垫位于基底100上,并且驱动电路50可以连接到数据线DL以将数据信号传输到显示面板DP。在图5中,驱动电路50设置在外围区域NDA中,但是根据另一实施例,驱动电路50可以设置在连接到垫区域40的FPCB上。
控制器90被构造为将从外部源接收的多个图像信号改变为多个图像数据信号,并且通过垫41将改变的图像数据信号传输到驱动电路50。此外,驱动电路50被构造为产生数据信号,并且产生的数据信号可以通过扇出布线FW被传输到显示区域DA。此外,控制器90可以被构造为在接收垂直同步信号、水平同步信号和时钟信号时产生用于控制第一扫描驱动器20和第二扫描驱动器30的操作的控制信号,并且通过垫43将该控制信号传输到第一扫描驱动器20和第二扫描驱动器30。控制器90被构造为分别通过垫42和垫44将驱动电压ELVDD和共电压ELVSS传输到驱动电压供应线60和共电压供应线70。
驱动电压供应线60布置在外围区域NDA中。例如,驱动电压供应线60可以布置在驱动电路50与显示单元10之间。驱动电压供应线60被构造为向像素P提供驱动电压ELVDD。驱动电压供应线60可以在第一方向(例如,x方向)上布置并且连接到多条驱动电压线PL。驱动电压供应线60的一部分可以在第二方向(例如,y方向)上延伸以连接到垫42。
共电压供应线70布置在外围区域NDA中,并且被构造为向像素P的有机发光二极管OLED的图10的对电极230提供共电压ELVSS。例如,共电压供应线70可以呈具有一个开口侧的环形形状,并且沿着基底100的除与垫区域40相邻设置的边缘之外的边缘延伸。
光学功能层OU可以布置在显示区域DA的上部处。光学功能层OU可以遍及显示区域DA的整个表面而形成,并且部分地延伸至外围区域NDA。基本上,光学功能层OU设置在上述图2A和图3的输入检测层TU上,并且可以增强显示区域DA中的像素P的光效率和侧面可视性。
如图3中所示,光学功能层OU可以包括具有不同折射率的第一层510和第二层520,并且在图5中示出了布置有第二层520的部分。
第二层520覆盖显示区域DA的整个表面,并且其一部分可以朝向外围区域NDA延伸。根据实施例,第二层520可以朝向外围区域NDA延伸以与基底100的弯曲区域BA叠置。第二层520可以覆盖弯曲区域BA并且在外围区域NDA之上延伸,但是可以不与驱动电路50叠置。第二层520的端部520e可以位于弯曲区域BA与驱动电路50之间。这里,当第二层520朝向外围区域NDA延伸时,第二层520的端部520e可以设置得尽可能地与驱动电路50相邻,以充分确保从弯曲区域BA延伸的宽度L。例如,弯曲区域BA与第二层520的端部520e之间的宽度L可以固定为约1mm或更大,例如,可以为约4mm至约5mm。
一起参照图7,如上所述,第二层520可以覆盖显示区域DA的整个表面,并且其一部分可以朝向外围区域NDA延伸,但是不与驱动电路50叠置。因此,至少一个谷V在第一层510中设置在驱动电路50与第二层520的端部520e之间,从而防止第二层520延伸至驱动电路50以覆盖驱动电路50。例如,谷V可以包括彼此间隔开的第一谷V1和第二谷V2。
谷V可以通过绝缘层来设置,例如,位于第二层520的下部处的第一层510被图案化。例如,谷V可以是第一层510的位于第二层520的下部处的去除部分。因此,第一层510的端部510e可以布置为比第二层520的端部520e邻近驱动电路50。
另一方面,参照图7,谷V和驱动电路50可以彼此间隔开特定间隔。例如,谷V与驱动电路50之间的间隔d可以为100μm至400μm,具体地,200μm至300μm。
图8是显示装置1的包括沿着图6的线C-C'截取的显示面板DP的剖面的一部分的剖视图,图9A是包括弯曲的显示面板DP的显示装置1的一部分的剖视图。图9B是用于描述对比示例的显示装置的一部分的剖视图。
参照图8,显示面板DP可以在外围区域NDA的一侧处包括弯曲区域BA。图8示出了显示面板DP弯曲之前的状态。
保护膜PF可以布置在显示面板DP的底表面上。保护膜PF可以通过粘合层粘附到显示面板DP的底表面(即,基底100)。保护膜PF可以设置为保护显示面板DP免受外部冲击或可能渗透过基底100的湿气或杂质的影响。保护膜PF比显示面板DP厚且柔性低,因此可以去除保护膜PF的与显示面板DP的弯曲区域BA对应的部分。保护膜PF可以在与弯曲区域BA对应的区域中包括开口区域PF-OP。因此,如将在图8中所描述的,保护膜PF不布置在弯曲区域BA中,因此显示面板DP可以容易地弯曲。
如上面参照图5所描述的,驱动电路50可以在显示面板DP上布置在外围区域NDA中,并且控制器90可以在外围区域NDA中连接到显示面板DP。
如上面参照图2A至图3所描述的,显示面板DP可以包括显示层DU、输入检测层TU和光学功能层OU。
光学功能层OU可以包括第一层510和第二层520。光学功能层OU可以位于显示面板DP的前表面上,并且可以不与驱动电路50叠置。换言之,光学功能层OU可以从显示区域DA延伸至外围区域NDA,但是不延伸为覆盖驱动电路50。
偏振层PU可以设置在光学功能层OU上。
参照图9A,显示面板DP可以在弯曲区域BA中弯曲。可以理解的是,图1中所示的显示装置1是图9A的结构在-z方向上的视图。如图9A中所示,显示面板DP的外围区域NDA的一部分在弯曲区域BA中弯曲,从而显著减小了对用户可见的非显示区域的面积。
另一方面,当显示面板DP弯曲时,应力会被施加到弯曲区域BA。如上面参照图5所描述的,布线(诸如扇出布线FW)设置在弯曲区域BA中,并且由于因施加到弯曲区域BA的应力引起的裂纹,布线可能在弯曲区域BA中断开。
因此,在根据实施例的显示装置1中,通过在显示面板DP的上部处布置第二层520,中性平面升高到布线的上有机层,从而减小了在弯曲区域BA中集中在布线上的应力。
第二层520从显示区域DA延伸至外围区域NDA,并且可以完全覆盖弯曲区域BA。第二层520可以布置为不完全穿过位于驱动电路50与弯曲区域BA之间的谷V。第二层520的厚度在弯曲区域BA中逐渐减小,并且第二层520可以在谷V处或在谷V与弯曲区域BA之间的点处终止。
谷V可以是位于第二层520正下方的第一层510的去除部分。这将在下面参照图11详细描述。
窗层WU可以设置在偏振层PU上。偏振层PU不布置在弯曲区域BA中,并且大体上可以布置在显示区域DA中,并且其一部分可以朝向外围区域NDA延伸。窗层WU可以布置在与偏振层PU对应的区域中,并且大体上可以布置在显示区域DA中,并且其一部分可以朝向外围区域NDA延伸。
遮光部分BM可以在窗层WU的一侧处布置在外围区域NDA中。遮光部分BM可以设置为单独的组件,或者可以通过在窗层WU的一部分上涂覆遮光材料来提供。外围区域NDA是非显示区域,因此遮光部分BM可以布置在其上部处以防止不必要的区域对用户可见。当显示面板DP如图9A中所示弯曲时,谷V可以不与遮光部分BM叠置,并且可以与窗层WU叠置。
弯曲区域BA与遮光部分BM叠置,并且附加层或结构可以不布置在第二层520与遮光部分BM之间。例如,在第二层520与遮光部分BM之间可以保留空的空间,并且该空的空间可以处于真空状态或者可以是空气层。
另一方面,参照作为对比示例的图9B,材料层1000可以布置在弯曲区域BA中。材料层1000可以设置在图3的基底100上。材料层1000可以在弯曲区域BA中升高中性平面的位置,从而减小在弯曲区域BA中集中在布线上的应力。然而,材料层1000需要通过单独的工艺形成,并且具有足以升高中性平面的厚度,因此其厚度1000t与其它层相比相对厚,并且偏振层PU的容差裕度1000d需要是厚度1000t的大约两倍以形成材料层1000。因此,当形成材料层1000时,对用户可见的外围区域NDA的宽度增大。
在这方面,在根据实施例的显示装置1中,如图9A中所示,代替形成材料层1000,第二层520可以延伸直至弯曲区域BA以替代材料层1000的功能。当第二层520延伸至弯曲区域BA时,在无需单独的附加工艺的情况下就可以使中性平面升高,并且与材料层1000的厚度1000t和容差裕度1000d对应的宽度可以减小,因此用户可见的外围区域NDA可以有效地减小至少约200μm。
图10和图11是示意性地示出根据实施例的显示装置1的一部分的剖视图。
图10示出了显示区域DA的一部分和与显示区域DA相邻地设置的外围区域NDA的一部分,并且图11示出了外围区域NDA的包括弯曲区域BA的一部分。在下文中,将首先参照图10描述显示区域DA的结构。
缓冲层111可以设置在基底100上。缓冲层111可以防止杂质通过基底100被引入到布置在基底100上的各种器件。
包括薄膜晶体管TFT和存储电容器Cst的像素电路PC可以设置在缓冲层111上。薄膜晶体管TFT可以包括半导体层A、与半导体层A的沟道区叠置的栅电极G以及分别连接到半导体层A的源区和漏区的源电极S和漏电极D。栅极绝缘层112可以布置在半导体层A与栅电极G之间。第一层间绝缘层113和第二层间绝缘层115可以布置在栅电极G与源电极S之间以及栅电极G与漏电极D之间。
缓冲层111、栅极绝缘层112、第一层间绝缘层113和第二层间绝缘层115可以是无机材料层以形成无机绝缘层IIL。
存储电容器Cst可以与薄膜晶体管TFT叠置。存储电容器Cst可以包括彼此叠置的第一电容器极板CE1和第二电容器极板CE2。根据实施例,薄膜晶体管TFT的栅电极G可以是存储电容器Cst的第一电容器极板CE1。第一层间绝缘层113可以布置在第一电容器极板CE1与第二电容器极板CE2之间。
半导体层A可以包括沟道区以及掺杂有杂质的源区和漏区。根据实施例,半导体层A可以包括硅半导体材料。根据实施例,半导体层A可以包括多晶硅或非晶硅。根据实施例,半导体层A可以包括氧化物半导体材料。根据实施例,像素电路PC可以包括多个薄膜晶体管TFT,其中,多个薄膜晶体管TFT中的一些可以包括硅半导体材料,并且剩余的薄膜晶体管TFT可以包括氧化物半导体材料。当半导体层A包括氧化物半导体材料时,半导体层A可以包括例如选自由铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、锆(Zr)、铪(Hf)、钛(Ti)和锌(Zn)组成的组中的至少一种材料的氧化物。
栅极绝缘层112可以包括无机绝缘材料(诸如氧化硅、氮氧化硅或氮化硅),并且可以具有包括这样的材料的单层结构或多层结构。
栅电极G或第一电容器极板CE1可以包括低电阻导电材料(诸如钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)和/或钛(Ti)),并且可以具有包括这样的材料的单层结构或多层结构。
第一层间绝缘层113可以包括无机绝缘材料(诸如氧化硅、氮氧化硅或氮化硅),并且可以具有包括这样的材料的单层结构或多层结构。
第二电容器极板CE2可以包括铝(Al)、铬(Cr)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和/或铜(Cu),并且可以具有包括这样的材料的单层结构或多层结构。
第二层间绝缘层115可以包括无机绝缘材料(诸如氧化硅、氮氧化硅或氮化硅),并且可以具有包括这样的材料的单层结构或多层结构。
源电极S或漏电极D可以包括铝(Al)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和/或铜(Cu),并且可以具有包括这样的材料的单层结构或多层结构。例如,源电极S或漏电极D可以具有钛层/铝层/钛层的三层结构。
第一平坦化绝缘层117可以设置在布置在其下方的无机绝缘层IIL(例如,缓冲层111、栅极绝缘层112、第一层间绝缘层113、第二层间绝缘层115和其它材料层)上。第一平坦化绝缘层117可以包括有机绝缘材料(诸如丙烯酰、苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺或六甲基二硅氧烷(HMDSO))。
第二平坦化绝缘层118可以设置在第一平坦化绝缘层117上。第二平坦化绝缘层118可以包括有机绝缘材料(诸如丙烯酰、苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺或六甲基二硅氧烷(HMDSO))。接触金属120设置在第一平坦化绝缘层117上,并且薄膜晶体管TFT和像素电极210可以通过接触金属120彼此电连接。
作为显示元件的有机发光二极管OLED可以设置在第二平坦化绝缘层118上。有机发光二极管OLED包括像素电极210、中间层220和对电极230。
像素电极210可以设置在第二平坦化绝缘层118上。像素电极210可以包括包含银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、其化合物或其混合物的反射层。像素电极210可以包括包含这样的材料的反射层和在反射层上和/或下方的透明导电层。透明导电层可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)或氧化铝锌(AZO)。根据实施例,像素电极210可以具有顺序地堆叠的ITO层/Ag层/ITO层的三层结构。
像素限定层119可以包括使像素电极210的中心暴露的开口。像素限定层119可以覆盖像素电极210的边缘。像素限定层119可以包括有机绝缘材料(诸如苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺或六甲基二硅氧烷(HMDSO))。发射区域EA可以由像素限定层119中的开口限定,并且红光、绿光或蓝光可以通过发射区域EA发射。发射区域EA的面积或宽度可以限定可见像素P的面积或宽度。
间隔件121可以形成在像素限定层119上。间隔件121可以防止在形成下面描述的中间层220等的工艺期间由掩模引起的对间隔件121下方的层的损坏。根据实施例,间隔件121可以包括与像素限定层119相同的材料或不同的材料。例如,当间隔件121包括与像素限定层119相同的材料时,间隔件121和像素限定层119可以通过使用半色调掩模一体地形成。
中间层220包括与像素电极210叠置的发射层。发射层可以包括有机材料。发射层可以包括发射特定颜色的光的高分子量有机材料或低分子量有机材料。发射层可以通过使用如上所述的掩模的沉积工艺来形成。
第一功能层和第二功能层可以分别设置在发射层下方和/或上方。根据实施例,与针对每个像素P图案化和布置的发射层不同,第一功能层和第二功能层可以遍及显示区域DA的整个表面一体地设置。
第一功能层可以是单层或多层。例如,当第一功能层由聚合物材料形成时,第一功能层是具有单层结构的空穴传输层(HTL),并且可以包括聚-(3,4)-乙撑-二氧噻吩(PEDOT)或聚苯胺。当第一功能层由低分子量材料形成时,第一功能层可以包括空穴注入层(HIL)和HTL。
第二功能层可以是可选的。例如,当第一功能层和发射层由聚合物材料形成时,可以形成第二功能层。第二功能层可以是单层或多层。第二功能层可以包括电子传输层(ETL)和/或电子注入层(EIL)。
对电极230可以包括具有相对低逸出功的导电材料。例如,对电极230可以包括包含银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、镍(Ni)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)或其合金的(半)透明层。对电极230还可以包括设置在包括这样的材料的(半)透明层上的包括ITO、IZO、ZnO或In2O3的层。根据实施例,对电极230可以包括Ag和Mg。
顺序地堆叠的像素电极210、中间层220和对电极230的堆叠结构可以形成发光二极管(例如,有机发光二极管OLED)。有机发光二极管OLED可以通过薄膜封装层TFE密封。
薄膜封装层TFE可以包括第一无机封装层310和第二无机封装层330以及设置在第一无机封装层310与第二无机封装层330之间的有机封装层320。
第一无机封装层310和第二无机封装层330可以均包括至少一种无机绝缘材料。无机绝缘材料可以包括氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。第一无机封装层310和第二无机封装层330可以经由化学气相沉积方法形成。
有机封装层320可以包括聚合物类材料。聚合物类材料的示例可以包括丙烯酸树脂、环氧树脂、聚酰亚胺和聚乙烯。例如,有机封装层320可以包括丙烯酸树脂(诸如聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯酸等)。有机封装层320可以通过使单体固化或施用聚合物来形成。
薄膜封装层TFE可以布置为覆盖显示区域DA的全部并且通过朝向外围区域NDA延伸来覆盖外围区域NDA的一部分。薄膜封装层TFE可以延伸至驱动电压供应线60的外部区域。
输入检测层TU可以包括包含检测电极和/或迹线的第一导电层MTL1和第二导电层MTL2。第一无机绝缘层410可以布置在薄膜封装层TFE与第一导电层MTL1之间,并且第二无机绝缘层420可以布置在第一导电层MTL1与第二导电层MTL2之间。
第一导电层MTL1和第二导电层MTL2可以包括导电材料。导电材料可以包括Mo、Al、Cu或Ti,并且可以形成为包括这样的材料的多层或单层。根据一些实施例,第一导电层MTL1和第二导电层MTL2可以具有其中钛层、铝层和钛层(Ti/Al/Ti)顺序地堆叠的结构。
第一无机绝缘层410和第二无机绝缘层420可以包括无机绝缘材料和/或有机绝缘材料。无机绝缘材料可以包括氧化硅、氮氧化硅或氮化硅。有机绝缘材料可以包括丙烯酰类有机材料或酰亚胺类有机材料。
光学功能层OU可以设置在输入检测层TU上。光学功能层OU可以包括设置在第二无机绝缘层420上且覆盖第二导电层MTL2的第一层510以及设置在第一层510上的第二层520。第一层510和第二层520布置在显示区域DA中,并且可以在整体地覆盖显示区域DA的同时朝向外围区域NDA延伸。
第一层510可以包括与发射区域EA对应的开口图案510OP1。根据实施例,开口图案510OP1的宽度可以大于发射区域EA的宽度。开口图案510OP1位于像素P的光提取方向上,以增强从发射区域EA发射的光的直线度,从而增强光提取效率。
为了进一步增强光提取效率,可以在第一层510上进一步设置具有比第一层510的折射率大的折射率的第二层520。第一层510可以包括具有第一折射率的绝缘材料,并且第二层520可以包括具有第二折射率的绝缘材料。
第一层510的第一折射率可以在约1.3至约1.6的范围内。根据实施例,第一层510的第一折射率可以在约1.4至约1.55的范围内。第一层510可以包括例如丙烯酸(乙基)己酯、丙烯酸五氟丙酯、聚(乙二醇)二甲基丙烯酸酯或乙二醇二甲基丙烯酸酯。根据实施例,第一层510可以包括具有约1.5的折射率的丙烯酰类有机材料。另外,第一层510可以由形成薄膜封装层TFE的有机封装层320的材料形成。根据实施例,第一层510可以包括环氧类有机材料,在一些情况下,还可以包括光聚合物材料。
第二层520可以具有第二折射率。第二层520的第二折射率可以在约1.60至约1.85的范围内。第二层520可以包括例如聚二芳基硅氧烷、甲基三甲氧基硅烷或四甲氧基硅烷。根据实施例,第二层520可以包括具有约1.6的折射率的丙烯酰类有机材料和/或硅氧烷类有机材料。根据另一实施例,第二层520可以包括高折射率的分散颗粒。在第二层520中,可以分散金属氧化物颗粒(诸如氧化锌(ZnOX)、氧化钛(TiO2)、氧化锆(ZrO2)或钛酸钡(BaTiO3))。
第二层520布置在显示区域DA中以覆盖第一层510,并且可以在整体地覆盖显示区域DA的同时朝向外围区域NDA延伸。第二层520遍及显示区域DA的整个表面布置,因此第二层520可以具有至少特定的透光率。根据实施例,第二层520的透光率可以为至少90%、95%或98%。
这里,第二层520可以设置为平坦化层,该平坦化层在显示区域DA和外围区域NDA的从显示区域DA延伸的部分中具有近似平坦的顶表面。第二层520的平均厚度大于布置在第二层520的下面的层的厚度,因此第二层520的顶表面可以变平坦而不受设置在第二层520的下面的层的轮廓影响。当第二层520的顶表面近似平坦时,第二层520上的图9A的偏振层PU等可以容易地布置在显示区域DA中。
参照外围区域NDA,第一障壁PW1和第二障壁PW2可以布置在与显示区域DA相邻的外围区域NDA中。第一障壁PW1和第二障壁PW2可以布置为围绕显示区域DA。此外,第一障壁PW1和第二障壁PW2可以彼此间隔开。第一障壁PW1和第二障壁PW2可以防止薄膜封装层TFE的有机封装层320朝向基底100的边缘溢出。
有机封装层320可以接触覆盖第一障壁PW1的面对显示区域DA的内侧表面的第一无机封装层310。这里,有机封装层320直接接触第一无机封装层310。第一无机封装层310和第二无机封装层330设置在第一障壁PW1和第二障壁PW2上,并且可以朝向基底100的边缘延伸。
在图10中,显示装置1包括第一障壁PW1和第二障壁PW2,但是根据另一实施例,显示装置1可以仅包括第一障壁PW1,或者还可以包括与第二障壁PW2相邻的障壁。第一障壁PW1可以包括第二平坦化绝缘层118的一部分118P1、像素限定层119的一部分119P1和间隔件121的一部分121P1,并且第二障壁PW2可以包括第一平坦化绝缘层117的一部分117P2、第二平坦化绝缘层118的一部分118P2和像素限定层119的一部分119P2。根据另一实施例,第一障壁PW1和第二障壁PW2还可以包括其它层的部分,或者可以省略上述层中的一些。
共电压供应线70可以位于驱动电压供应线60外部。共电压供应线70可以与第一障壁PW1和第二障壁PW2叠置。共电压供应线70可以通过连接电极72电连接到有机发光二极管OLED的对电极230。根据实施例,共电压供应线70可以与驱动电压供应线60设置在同一层,并且可以包括与薄膜晶体管TFT的源电极S相同的材料,并且连接电极72可以包括与有机发光二极管OLED的像素电极210相同的材料。
光学功能层OU的第一层510和第二层520可以延伸至外围区域NDA并且与第一障壁PW1和第二障壁PW2叠置。第二层520的顶表面即使在第一障壁PW1和第二障壁PW2的上部上也可以是近似平坦的。
另一方面,参照图11,外围区域NDA的至少一部分可以包括弯曲区域BA。在下文中,将参照图10和图11描述外围区域NDA的结构。
弯曲区域BA可以与参照图10描述的第一障壁PW1和第二障壁PW2间隔开。
根据实施例,无机绝缘层IIL可以在与弯曲区域BA对应的区域中包括开口部分IIL-OP。换言之,可以去除与弯曲区域BA对应的区域中的无机绝缘层IIL。在图11中,完全去除与弯曲区域BA对应的区域中的无机绝缘层IIL,但是根据另一实施例,缓冲层111的一部分或全部可以保留而不被去除。如此,通过去除无机绝缘层IIL的位于弯曲区域BA中的部分或全部,可以防止设置在弯曲区域BA中的无机绝缘层IIL在弯曲期间破裂,或者可以防止产生的裂纹蔓延到连接布线CW。
障壁层PW3可以位于弯曲区域BA中。如上所述,当无机层位于弯曲区域BA中时,无机层可能破裂,因此障壁层PW3通常可以包括有机绝缘材料。根据实施例,障壁层PW3可以包括图10的第一平坦化绝缘层117的一部分117P3、图10的第二平坦化绝缘层118的一部分118P3、图10的像素限定层119的一部分119P3和图10的间隔件121的一部分121P3。
连接布线CW可以布置在弯曲区域BA中。连接布线CW可以是图5的扇出布线FW的一部分。扇出布线FW可以通过位于弯曲区域BA中的连接布线CW将数据信号传输到每个像素P。根据实施例,连接布线CW可以布置在作为第一平坦化绝缘层117的一部分117P3的第一有机层与作为第二平坦化绝缘层118的一部分118P3的第二有机层之间,并且在这种情况下,连接布线CW可以包括与图10的接触金属120相同的材料。根据另一实施例,连接布线CW可以包括与薄膜晶体管TFT的源电极S相同的材料。与布置在除弯曲区域BA之外的外围区域NDA中的扇出布线FW相比,构成连接布线CW的金属层可以具有优异的张力。根据实施例,布置在除弯曲区域BA之外的外围区域NDA中的扇出布线FW可以包括与薄膜晶体管TFT的栅电极G或存储电容器Cst的第二电容器极板CE2相同的材料。
与图11中所示的不同,薄膜封装层TFE的第一无机封装层310和第二无机封装层330可以延伸至障壁层PW3。根据实施例,第一无机封装层310的端部和第二无机封装层330的端部可以布置在障壁层PW3之上或位于障壁层PW3上。
驱动电路50可以位于基底100的外围区域NDA中。驱动电路50可以包括用于访问IC芯片等的垫PD。垫PD可以设置为包括第一导电层120P和第二导电层210P的双层。例如,第一导电层120P可以包括与接触金属120相同的材料,并且第二导电层210P可以包括与像素电极210相同的材料,但是公开不限于此。在图11中,垫PD完全暴露在无机绝缘层IIL上,但是根据一些实施例,垫PD的第一导电层120P和第二导电层210P的边缘可以被绝缘层覆盖并且通过绝缘层中的开口暴露。
另一方面,光学功能层OU可以在覆盖障壁层PW3的同时朝向外围区域NDA延伸。光学功能层OU可以布置到与位于外围区域NDA中的驱动电路50相邻的部分。
光学功能层OU的第一层510可以包括位于驱动电路50与弯曲区域BA之间的至少一个谷V。如图11中所示,至少一个谷V可以布置为与驱动电路50相邻。谷V和驱动电路50可以彼此间隔开特定间隔。例如,谷V与驱动电路50之间的间隔d可以为100μm至400μm(具体地,200μm至300μm)。
根据实施例,如图11中所示,谷V可以包括彼此间隔开的第一谷V1和第二谷V2,但是公开不必限于此。根据设计,谷V的数量可以是一个或三个或更多个。根据实施例,第一谷V1和第二谷V2的宽度W1和W2可以分别为约5μm至约30μm或约10μm至约20μm。例如,第一谷V1的宽度W1和第二谷V2的宽度W2可以相同。在一些情况下,第一谷V1的宽度W1和第二谷V2的宽度W2可以彼此不同。例如,第一谷V1的宽度W1可以大于第二谷V2的宽度W2。如此,当至少一个谷V设置在第一层510的端部处时,可以防止设置在第一层510上的第二层520在谷V之上朝向驱动电路50溢出。
第一层510可以包括在与弯曲区域BA对应的区域中的开口510OP2。开口510OP2可以设置在障壁层PW3上。障壁层PW3的顶表面(即,图10的间隔件121的所述部分121P3的顶表面)可以通过开口510OP2暴露。
第二层520可以设置在第一层510上。第一层510和第二层520可以定义为光学功能层OU。第二层520可以覆盖第一层510。参照图10和图11,第二层520不仅可以遍及显示区域DA布置,而且还可以遍及外围区域NDA的一部分布置。布置在显示区域DA中的第二层520具有与第一层510不同的折射率,从而增强从发光装置发射的光的光输出。
第二层520可以布置在外围区域NDA的一部分之上,并且覆盖弯曲区域BA。如图11中所示,第二层520可以布置为覆盖第一层510的形成在与弯曲区域BA对应的区域中的开口510OP2。第二层520可以填充第一层510的开口510OP2,并且可以直接接触障壁层PW3的通过开口510OP2暴露的顶表面。
如此,当第二层520布置为覆盖弯曲区域BA时,弯曲区域BA的中性平面向上移动,并且布置在与弯曲区域BA对应的区域中的层的模量被补偿,从而减轻被施加到弯曲区域BA的应力。通过将布置在显示区域DA中的第二层520延伸至外围区域NDA的一部分(包括弯曲区域BA)而无需单独的附加工艺,可以简化制造工艺并且可以降低制造成本。
根据实施例,第二层520可以具有0.2GPa至1.5GPa的模量。此外,根据实施例,第二层520可以具有10%或更大的伸长率。当第二层520具有0.02GPa至1.5GPa的模量和10%或更大的伸长率时,可以确保公开所需的机械性质,并且可以进一步促进弯曲区域BA中的应力减轻。为了确保这种机械性质,例如,第二层520可以包括约5%至约40%的双官能丙烯酸酯单体。
此外,如参照图10所描述的,第二层520也布置在显示区域DA中,因此,满足了基底100上的整个涂层的光学性质。例如,第二层520的透光率可以为至少90%、95%或98%。此外,第二层520可以包括具有0.2%或更小的雾度的材料。
第二层520可以通过例如喷墨方法或沉积方法形成,但是实施例不限于此。第二层520可以通过另一种公知的制造方法形成。
如图10和图11中所示,第二层520的顶表面520us在显示区域DA中近似平坦地设置,并且可以延伸至与显示区域DA相邻的外围区域NDA。第二层520的顶表面520us可以在与弯曲区域BA对应的区域中平坦地设置。设置在弯曲区域BA与谷V之间的第二层520的顶表面520us朝向谷V倾斜,因此,第二层520的厚度可以朝向第二层520的端部520e逐渐减小。
根据实施例,第二层520的端部520e在图11中的第一谷V1之前终止,但是公开不必限于此。基本上,谷V可以防止第二层520溢流到驱动电路50,因此第二层520不完全穿过与驱动电路50相邻地设置的第二谷V2就足够了。因此,根据其它实施例,第二层520的端部520e可以位于第一谷V1中(如图12中所示),第二层520的端部520e可以位于第一谷V1与第二谷V2之间(如图13中所示),或者第二层520的端部520e可以位于第二谷V2中(如图14中所示)。
如上所述,第二层520的顶表面520us可以在显示区域DA和外围区域NDA的包括弯曲区域BA的部分中近似平坦地设置。如图10和图11中所示,即使在第二层520的顶表面520us平坦的部分中,第二层520的底表面也可以沿着下面的层的轮廓形成,并且基于第二层520的顶表面520us平坦的部分,第二层520的平均厚度可以为约10μm至约30μm。
图15和图16是示意性地示出根据实施例的显示装置1的一部分的剖视图。
参照图15和图16,示出了显示面板DP和布置在显示面板DP的下面的保护膜PF的一部分。在图15中,显示面板DP的结构包括基底100、设置在基底100上的无机绝缘层IIL、设置在无机绝缘层IIL上的第一有机绝缘层OL1、第二有机绝缘层OL2、布置在第一有机绝缘层OL1与第二有机绝缘层OL2之间的布线层WL以及设置在第二有机绝缘层OL2上的第二层520。然而,这仅是为了便于描述,并且省略或简化了一些层。无机绝缘层IIL可以是参照图10描述的无机绝缘层IIL,并且第一有机绝缘层OL1和第二有机绝缘层OL2可以是参照图10描述的第一平坦化绝缘层117、第二平坦化绝缘层118和像素限定层119中的至少一个,可以是包括与这些相同的材料的层或结构,或者可以是单独设置的有机材料层。布线层WL可以是参照图5描述的扇出布线FW。
保护膜PF可以布置在显示面板DP的底表面上。保护膜PF比显示面板DP厚且柔性低,因此保护膜PF可以在与弯曲区域BA对应的区域中包括开口区域PF-OP。保护膜PF不布置在弯曲区域BA中,因此显示面板DP可以容易弯曲。
另一方面,参照图16,弯曲区域BA可以与无机绝缘层IIL的开口部分IIL-OP的宽度OPW1对应,并且保护膜PF的开口区域PF-OP的宽度OPW2可以与弯曲区域BA(即,无机绝缘层IIL的开口部分IIL-OP的宽度OPW1)相同。然而,实施例不限于此,保护膜PF的开口区域PF-OP的宽度OPW2可以大于无机绝缘层IIL的开口部分IIL-OP的宽度OPW1。
图16中所示的显示装置1处于弯曲之前的状态,并且位于显示面板DP的上层部分处的第二层520可以设置为在弯曲区域BA的边界部分处具有不同的厚度。这里,厚度可以表示第一部分520P1、第二部分520P2和第三部分520P3的平均厚度。
具体地,第二层520可以包括在与显示区域DA对应的区域中具有第一厚度t1的第一部分520P1、在同保护膜PF的与显示区域DA相邻的第一边界部分PE-E1对应的区域中具有第二厚度t2的第二部分520P2、以及在同与第一边界部分PE-E1相对定位的第二边界部分PE-E2对应的区域中具有第三厚度t3的第三部分520P3。根据实施例,第二部分520P2的第二厚度t2可以大于第一部分520P1的第一厚度t1。此外,根据实施例,第二部分520P2的第二厚度t2可以大于第三部分520P3的第三厚度t3。另一方面,第一部分520P1的第一厚度t1和第三部分520P3的第三厚度t3可以彼此相同或不同。例如,第三部分520P3的第三厚度t3可以大于第一部分520P1的第一厚度t1。
换言之,与第一部分520P1和第三部分520P3相比,第二层520的厚度在同保护膜PF的与显示区域DA相邻的第一边界部分PE-E1对应的第二部分520P2中可以相对大。这可能是因为当显示面板DP弯曲时,相对大的应力集中在保护膜PF的与显示区域DA相邻的第一边界部分PE-E1上。因此,通过将第二层520的同保护膜PF的与显示区域DA相邻的第一边界部分PE-E1对应的第二部分520P2的厚度形成得大于剩余部分,可以进一步升高对应部分的中性平面并且可以减轻应力集中。
例如,根据光学性质的效果,第一部分520P1的第一厚度t1可以控制为约10μm至约25μm。此外,第二部分520P2的第二厚度t2可以控制为约20μm至约40μm,以分散在显示面板DP的弯曲对准期间集中的应力。第三部分520P3的第三厚度t3可以控制为约10μm至约30μm,以减小非显示区域(所谓的无效空间)。
通过调节在喷墨工艺期间喷射的墨的密度(边缘补偿(EC)控制),不同地形成第二层520的第一部分520P1、第二部分520P2和第三部分520P3的厚度。
参照图17,即使当第二层520延伸至如上所述的根据实施例的显示装置1中的弯曲区域BA时,当弯曲区域BA弯曲时布置在弯曲区域BA中的布线的应变也满足足够的效果范围。
具体地,如参照图9B所描述的,在材料层1000施用到弯曲区域BA的对比示例中,在使弯曲区域BA弯曲的工艺期间开始弯曲区域BA的弯曲的初始对准和弯曲最终终止的主结合都满足作为缺陷参考应变的5.39%以下。相比之下,在第二层520施用到弯曲区域BA的实施例中,在弯曲最终终止的主结合的情况下,布置在弯曲区域BA中的布线的应变为约5%或更小,因此小于作为缺陷参考应变的5.39。具体地,在应力集中在布线上的初始对准中,当形成第二层520的材料的模量为240MPa或更大时,表现出等于或小于对比示例的布线应变。因此,即使在去除材料层1000并且设置第二层520的实施例中,也可以充分地分散集中在布置于弯曲区域BA中的布线上的应力。
另一方面,如参照图15和图16所描述的,通过区分第二层520的厚度,可以进一步减轻在图17中描述的弯曲期间集中在弯曲区域BA中的布线的应变。
具体地,在使弯曲区域BA弯曲的同时,相对大的应力集中在保护膜PF的与显示区域DA相邻的第一边界部分PE-E1上,因此第二层520的同保护膜PF的与显示区域DA相邻的第一边界部分PE-E1对应的第二部分520P2的厚度可以形成为大于剩余部分,从而进一步有效地减轻瞬时集中在第二部分520P2上的布线的应变。
图18至图20示出了根据实施例的显示装置1。图18是显示装置1的包括弯曲的显示面板DP的一部分的剖视图。图19是示意性地示出展开状态的显示面板DP的剖视图。图20是示意性地示出展开状态的显示面板DP的一部分的平面图。在图18至图20中,与图6至图9A中同样的附图标记表示同样的元件,因此省略了其冗余描述。
参照图18至图20,弯曲保护层600可以进一步布置在显示面板DP的弯曲区域BA中。弯曲保护层600可以设置在与弯曲区域BA对应的光学功能层OU的第二层520上。
在根据实施例的显示装置1中,可以通过经由布置在弯曲区域BA中的第二层520调节中性平面的位置来减小布置在弯曲区域BA中的布线的应力。此外,第二层520的边缘布置在弯曲区域BA与驱动电路50之间,因此在显示区域DA中可以看不到由第二层520的边缘引起的斑点。
弯曲保护层600可以设置在这种第二层520上以保护第二层520。可选地,弯曲保护层600可以与第二层520一起调节中性平面的位置。在本实施例中,第二层520主要调节中性平面的位置,并且弯曲保护层600的厚度可以小于图9B的现有材料层1000的厚度。
弯曲保护层600可以接触偏振层PU的端部。在图18中,弯曲保护层600仅布置在偏振层PU的侧表面处,但是公开不限于此。例如,弯曲保护层600可以覆盖偏振层PU的边缘的顶表面的一部分。
弯曲保护层600可以布置为从偏振层PU的端部整体地覆盖弯曲区域BA。弯曲保护层600在平面上的面积可以大于弯曲区域BA的面积。与第二层520不同,弯曲保护层600可以仅布置在外围区域NDA中。
弯曲保护层600的边缘可以设置在弯曲区域BA与驱动电路50之间。弯曲保护层600可以设置在第二层520的顶表面上以使第二层520的端部520e暴露。然而,公开不限于此。例如,弯曲保护层600可以覆盖第二层520的端部520e。
弯曲保护层600的厚度可以在接触偏振层PU的部分处最大,并且可以朝向显示面板DP的边缘减小。弯曲保护层600可以与弯曲区域BA对应地以基本上均匀的厚度来布置。弯曲区域BA中的弯曲保护层600的厚度600t可以为约40μm至约100μm。
弯曲保护层600可以包括丙烯酰类树脂或氨基甲酸乙酯类树脂。根据一些实施例,弯曲保护层600可以包括遮光材料。当弯曲保护层600包括遮光材料时,弯曲保护层600的光密度可以在1至5的范围内。光密度是表示材料吸收光的程度的值,并且当弯曲保护层600的光密度在1与5之间时,弯曲保护层600可以遮蔽下面的结构并且充分地吸收外部光。在这种情况下,弯曲保护层600可以与遮光部分BM一起用作显示装置1的黑矩阵。
根据上述实施例,可以实现其中非显示区域的宽度减小并且厚度整体减小的显示装置。显然,公开的范围不受这些效果的限制。
应当理解的是,这里描述的实施例应当仅在描述性意义上考虑,而不是为了限制的目的。每个实施例内的特征或方面的描述通常应被认为可用于其它实施例中的其它类似特征或方面。虽然已经参照附图描述了一个或更多个实施例,但是本领域普通技术人员将理解的是,在不脱离由权利要求限定的精神和范围的情况下,可以在其中进行形式和细节上的各种改变。
Claims (10)
1.一种显示装置,其特征在于,所述显示装置包括:
基底,包括显示区域和外围区域,所述外围区域包括与所述显示区域相邻地设置的弯曲区域;
显示元件,布置在所述显示区域中;
驱动电路,布置在所述外围区域中;
障壁层,布置在所述弯曲区域中;
输入检测层,设置在所述显示元件上;以及
光学功能层,包括第一层和第二层,所述第一层设置在所述输入检测层上,所述第二层设置在所述第一层上,
其中,所述第一层包括位于所述弯曲区域与所述驱动电路之间的至少一个谷。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述第一层在与所述显示元件对应的区域中包括第一开口,并且所述第二层具有与所述第一层不同的折射率。
3.根据权利要求1或2所述的显示装置,其特征在于,所述第一层从所述显示区域延伸至所述外围区域,并且在与所述弯曲区域对应的区域中包括第二开口,并且所述第二层通过所述第二开口直接接触所述障壁层的顶表面。
4.根据权利要求3所述的显示装置,其特征在于,所述至少一个谷包括彼此间隔开的第一谷和第二谷。
5.根据权利要求1或2所述的显示装置,其特征在于,所述第二层延伸至所述外围区域,并且所述第二层的一端位于所述至少一个谷与所述弯曲区域之间。
6.根据权利要求1或2所述的显示装置,其特征在于,所述第二层延伸至所述外围区域,并且所述第二层的一端位于所述至少一个谷中。
7.根据权利要求1或2所述的显示装置,其特征在于,在与所述外围区域对应的区域中在所述第二层的上方进一步布置有遮光部分,并且
所述弯曲区域的在所述第二层与所述遮光部分之间的空间为空的空间。
8.根据权利要求1或2所述的显示装置,其特征在于,所述第二层的顶表面在所述显示区域和所述弯曲区域中是平坦的,并且
所述第二层的厚度朝向所述第二层的端部逐渐减小。
9.根据权利要求1或2所述的显示装置,其特征在于,所述显示装置还包括:保护膜,设置在所述基底的一个表面上,
其中,所述保护膜在与所述弯曲区域对应的区域中包括开口区域。
10.根据权利要求9所述的显示装置,其特征在于,所述第二层包括在与所述显示区域对应的区域中具有第一厚度的第一部分、在同所述保护膜的与所述显示区域相邻的第一边界部分对应的区域中具有第二厚度的第二部分、以及在同所述保护膜的与所述第一边界部分相对的第二边界部分对应的区域中具有第三厚度的第三部分,并且
其中,所述第二部分的所述第二厚度大于所述第一部分的所述第一厚度和所述第三部分的所述第三厚度。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2022-0089880 | 2022-07-20 | ||
KR1020220159495A KR20240013010A (ko) | 2022-07-20 | 2022-11-24 | 디스플레이 장치 |
KR10-2022-0159495 | 2022-11-24 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN220255014U true CN220255014U (zh) | 2023-12-26 |
Family
ID=89264474
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202321275181.XU Active CN220255014U (zh) | 2022-07-20 | 2023-05-24 | 显示装置 |
CN202310595866.0A Pending CN117440705A (zh) | 2022-07-20 | 2023-05-24 | 显示装置 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202310595866.0A Pending CN117440705A (zh) | 2022-07-20 | 2023-05-24 | 显示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (2) | CN220255014U (zh) |
-
2023
- 2023-05-24 CN CN202321275181.XU patent/CN220255014U/zh active Active
- 2023-05-24 CN CN202310595866.0A patent/CN117440705A/zh active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN117440705A (zh) | 2024-01-23 |
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GR01 | Patent grant | ||
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