CN111987028A - 基片处理装置和基片处理方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供基片处理装置和基片处理方法。本发明的基片处理装置包括载置部、输送部、检测部和修正部。在载置部能够载置承载器，该承载器具有能够收纳多个基片的多个槽。输送部基于设定在载置部的基准收纳位置，对槽送入送出基片。检测部检测收纳于槽的基片的位置。修正部基于端口累积信息修正基准收纳位置，该端口存储信息中累积有以往载置于载置部的多个承载器中检测部的检测结果。本发明能够实现位置检测处理的高效化。

Description

基片处理装置和基片处理方法
技术领域
本发明涉及基片处理装置和基片处理方法。
背景技术
一直以来，作为处理半导体晶片和玻璃基片等基片的基片处理装置，已知有从收纳有多个基片的收纳盒将基片依次取出并输送至处理部，在处理部进行各基片的处理的装置。
在这种基片处理装置中，在从收纳盒取出基片之前，进行检测收纳盒内的基片的有无和收纳位置之类的基片的收纳状态的位置检测处理(mapping process)(参照专利文献1)。
现有专利文献
专利文献
专利文献1：日本特开平11-145244号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
本发明提供能够实现位置检测处理的高效化的技术。
用于解决技术问题的技术方案
本发明的一个方式的基片处理装置包括载置部、输送部、检测部和修正部。在载置部能够载置承载器，该承载器具有能够收纳多个基片的多个槽。输送部基于设定在载置部的基准收纳位置，对槽送入送出基片。检测部检测收纳于槽的基片的位置。修正部基于端口累积信息修正基准收纳位置，该端口存储信息中累积有以往载置于载置部的多个承载器中检测部的检测结果。
发明效果
依照本发明，能够实现位置检测处理的高效化。
附图说明
图1是表示实施方式的基片处理系统的结构的图。
图2是表示实施方式的处理单元的结构的图。
图3是表示基片处理系统的内部结构的一个例子的图。
图4是表示盖体开闭机构和基片检测部的结构的一个例子的图。
图5是表示盖体开闭机构和基片检测部的结构的一个例子的图。
图6是表示基片检测部的结构的一个例子的图。
图7是表示控制装置的结构的一个例子的框图。
图8是表示基准收纳位置信息的一个例子的图。
图9是将从以往载置于某个装载口的多个承载器检测到的第一槽位置按时间顺序进行绘制而得到的图表的一个例子。
图10是表示由修正部进行的修正处理的一个例子的图。
图11是表示某个承载器的第一槽位置的偏移量的随时间变化的一个例子的图。
附图标记说明
W 晶片
C 承载器
C1 盖体
P1～P4 装载口
1 基片处理系统
5 盖体开闭机构
7 基片检测部
11 承载器载置台
13 第一输送装置
16 处理单元
18 控制部
18a 开闭控制部
18b 位置检测控制部
18c 异常判断部
18d 输送控制部
18e 修正部
18f 劣化预测部
18g 通知部
19 存储部
19a 端口累积信息
19b 承载器异常累积信息
19c 承载器基片位置累积信息
19d 基准收纳位置信息
具体实施方式
以下，参照附图，对用于实施本发明的基片处理装置和基片处理方法的方式(以下，记作“实施方式”)进行详细说明。另外，本发明的基片处理装置和基片处理方法由该实施方式限定。此外，各实施方式能够在不使处理内容矛盾的范围内适当地进行组合。此外，在以下的各实施方式中对相同的部位标注相同的附图标记，省略重复的说明。
另外，在以下参照的各图中，为了使说明容易理解，有时给出规定彼此正交的X轴方向、Y轴方向和Z轴方向，令Z轴正方向为铅直向上的方向的直角坐标系。此外，有时将以铅直轴为旋转中心的旋转方向称为θ方向。
图1是表示实施方式的基片处理系统的结构的图。如图1所示，基片处理系统1包括送入送出站2和处理站3。送入送出站2与处理站3相邻设置。
送入送出站2包括承载器载置台11和输送部12。在承载器载置台11载置多个承载器C，该多个承载器C将多个基片(在本实施方式中为半导体晶片(以下称为晶片W))以水平状态收纳。
在承载器载置台11，以与输送部12相邻的方式并排地配置有多个装载口P1～P4，在多个装载口P1～P4分别载置1个承载器C。在各装载口P1～P4的上表面设置有多个(例如3个)销(未图示)，承载器C载置在上述多个销的上部。
输送部12与承载器载置台11相邻设置，在内部设有基片输送装置13和交接部14。基片输送装置13包括保持晶片W的晶片保持机构。此外，基片输送装置13能够在水平方向和铅直方向上移动并且以铅直轴为中心旋转，使用晶片保持机构在承载器C与交接部14之间进行晶片W的输送。
处理站3与输送部12相邻设置。处理站3包括输送部15和多个处理单元16。多个处理单元16并排地设置在输送部15的两侧。
输送部15在内部设有基片输送装置17。基片输送装置17包括保持晶片W的晶片保持机构。此外，基片输送装置17能够在水平方向和铅直方向上移动并且以铅直轴为中心旋转，使用晶片保持机构在交接部14与处理单元16之间进行晶片W的输送。
处理单元16对由基片输送装置17输送的晶片W进行规定的基片处理。
此外，基片处理系统1包括控制装置4。控制装置4例如是计算机，具有控制部18和存储部19。在存储部19保存控制基片处理系统1中执行的各种处理的程序。控制部18通过读取并执行存储于存储部19的程序来控制基片处理系统1的动作。
另外，上述程序也可以记录于计算机可读取的存储介质中，从该存储介质安装至控制装置4的存储部19。作为计算机可读取的存储介质，例如有硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、磁光盘(MO)、存储卡等。
在上述那样构成的基片处理系统1中，首先，送入送出站2的基片输送装置13从载置于承载器载置台11的承载器C取出晶片W，将取出的晶片W载置到交接部14。载置于交接部14的晶片W由处理站3的基片输送装置17从交接部14取出，并送入处理单元16。
送入处理单元16的晶片W在由处理单元16处理后，由基片输送装置17从处理单元16送出，并载置到交接部14。然后，载置于交接部14的已处理的晶片W由基片输送装置13送回承载器载置台11的承载器C。
接着，参照图2，说明处理单元16。图2是表示实施方式的处理单元16的结构的图。
如图2所示，处理单元16包括腔室20、基片保持机构30、处理流体供给部40和回收杯体50。
腔室20收纳基片保持机构30、处理流体供给部40和回收杯体50。在腔室20的顶部设置有FFU(Fan Filter Unit：风机过滤单元)21。FFU21在腔室20内形成下降流。
基片保持机构30包括保持部31、支柱部32和驱动部33。保持部31水平地保持晶片W。支柱部32是沿铅直方向延伸的部件，根端部由驱动部33可旋转地支承，在前端部水平地支承保持部31。驱动部33使支柱部32绕铅直轴旋转。该基片保持机构30通过使用驱动部33使支柱部32旋转来使由支柱部32支承的保持部31旋转，由此，使保持部31所保持的晶片W旋转。
处理流体供给部40对晶片W供给处理流体。处理流体供给部40与处理流体供给源70连接。
回收杯体50以包围保持部31的方式配置，收集因保持部31的旋转而从晶片W飞溅的处理液。在回收杯体50的底部形成有排液口51，由回收杯体50收集到的处理液从该排液口51向处理单元16的外部排出。此外，在回收杯体50的底部形成有将从FFU21供给的气体向处理单元16的外部排出的排气口52。
接着，参照图3～图6，说明基片处理系统1的内部结构。图3是表示基片处理系统1的内部结构的一个例子的图。图4和图5是表示盖体开闭机构和基片检测部的结构的一个例子的图。图6是表示基片检测部的结构的一个例子的图。
另外，图3和图4表示从Y轴的负方向透视基片处理系统1的简略的侧面示意图。此外，在以下的说明中，将基片输送装置13、17中，将基片输送装置13记作“第一输送装置13”，将基片输送装置17记作“第二输送装置17”。
首先，对送入送出站2的结构进行说明。如图3所示，送入送出站2的输送部12包括送入送出室12a和交接室12b。
送入送出室12a与承载器载置台11相邻设置，在内部配置有第一输送装置13、多个盖体开闭机构5和多个基片检测部7。多个盖体开闭机构5和多个基片检测部7与多个装载口P1～P4对应地设置。
第一输送装置13包括多个晶片保持部13a和移动机构13b。多个晶片保持部13a能够隔开间隔且多层地保持多个(此处为5个)晶片W。移动机构13b使多个晶片保持部13a沿在垂直方向上延伸的垂直导轨13c使升降。此外，移动机构13b使多个晶片保持部13a沿水平方向移动，绕铅直轴旋转。
接着，参照图4和图5，说明盖体开闭机构5的结构。如图4所示，在送入送出室12a的设置承载器载置台11一侧的壁面设置有晶片W的输送口12a1。盖体开闭机构5包括：从送入送出室12a侧堵塞输送口12a1的门部55；使门部55升降的升降部56；以及使门部55和升降部56沿水平方向(此处为X轴方向)移动的水平移动部57。
门部55例如具有绕水平轴旋转的门闩钥匙(latch key，未图示)，通过门闩钥匙插入设置于承载器C的盖体C1的锁孔(未图示)并旋转而与盖体C1卡合。在使盖体C1与门部55卡合后，盖体开闭机构5通过水平移动部57使门部55后退，之后，通过升降部56使门部55下降。由此，盖体C1从承载器C被拆下，送入送出室12a与承载器C连通。
接着，参照图4～图6，说明基片检测部7的结构。基片检测部7用于在从承载器C取出多个晶片W之前，检测承载器C内的晶片W的有无和收纳位置之类的基片的收纳状态的位置检测处理。
如图4和图5所示，基片检测部7包括升降机构71、旋转机构72、2个支承臂73、73、投光部74和受光部75。
升降机构71使旋转机构72升降。旋转机构72使2个支承臂73、73绕沿Y轴方向的水平轴旋转。投光部74设置在2个支承臂73、73中的一个支承臂的前端，受光部75设置在2个支承臂73、73中的另一个支承臂的前端。
如图4所示，在位置检测处理开始前，2个支承臂73、73为向上方伸出的姿态。另一方面，当位置检测处理开始时，旋转机构72使支承臂73、73旋转，由此，如图5所示，2个支承臂73、73成为向水平方向伸出的姿态。由此，成为设置于2个支承臂73、73的前端的投光部74和受光部75配置于承载器C的内部的状态。
如图6所示，承载器C在内部具有能够收纳多个晶片W的多个槽S。多个槽S在高度方向(铅直方向)上隔开间隔地多层配置。
投光部74和受光部75以在承载器C的开口部的左右两侧彼此相向的方式水平地配置。基片检测部7在从投光部74照射光的状态下，使用升降机构71使投光部74和受光部75沿铅直方向移动。具体而言，基片检测部7使投光部74和受光部75从比多个槽S中最下层的槽S(以下，记作“第一槽S1”)靠下方的位置向上方移动至比最上层的槽S靠上方的位置。
在投光部74与受光部75之间不存在晶片W的情况下，从投光部74照射的光被受光部75接收。另一方面，在投光部74与受光部75之间存在晶片W的情况下，从投光部74照射的光被晶片W遮挡，因此没有到达受光部75。由此，基片检测部7能够检测出收纳于承载器C的晶片W。
返回图3，对交接室12b的结构进行说明。如图3所示，交接室12b设置在送入送出室12a与处理站3之间，在内部配置多个(此处为2个)交接部14。2个交接部14在高度方向(Z轴方向)上并排地配置。各交接部14具有能够多层地载置多个晶片W的多个槽。
处理站3包括多个(此处为2个)输送部15。输送部15在高度方向(Z轴方向)上并排地配置。
在各输送部15配置有第二输送装置17。第二输送装置17包括第一晶片保持部17a、第二晶片保持部17b和移动机构17c。
第一晶片保持部17a和第二晶片保持部17b分别能够保持1个晶片W。例如，第一晶片保持部17a保持由处理单元16处理之前的晶片W，第二晶片保持部17b保持由处理单元16处理后的晶片W。
移动机构17c使第一晶片保持部17a和第二晶片保持部17b沿在水平方向(X轴方向)上延伸的水平导轨17d移动。此外，移动机构17c使第一晶片保持部17a和第二晶片保持部17b沿在垂直方向上延伸的垂直导轨17e升降。此外，移动机构17c使第一晶片保持部17a和第二晶片保持部17b沿与水平导轨17d的延伸方向正交的水平方向(Y轴方向)移动，并绕铅直轴旋转。
在基片处理系统1中，首先，使用盖体开闭机构5打开承载器C的盖体C1之后，进行使用基片检测部7的位置检测处理。
通过进行位置检测处理，获取例如执行日期和时间、执行定时、装载口P1～P4的识别信息(以下，记作“装载口ID”)、承载器C的识别信息(以下，记作“承载器ID”)之类的信息。执行日期和时间例如是执行位置检测处理的日期和时刻。执行定时是一连串基片处理中的位置检测处理的执行定时，例如有(由处理单元16进行的)处理前、处理前重试时、处理后、处理后重试时等。重试例如是指，在通过位置检测处理检测到异常的情况下，使用盖体开闭机构5进行承载器C的盖体C1暂时闭合后，再次打开盖体C1的动作。通过将承载器C的盖体C1暂时闭合，能够使晶片W被盖体C1按压而晶片W的位置和姿态回到正常的状态，在之后再次进行位置检测处理的情况下，能够消除当初检测到的异常。
此外，在位置检测处理中，获取例如槽数、晶片W的有无、晶片W的位置、晶片W的厚度、异常代码等信息。异常代码例如是表示晶片W的位置偏离和晶片W的厚度异常等由位置检测处理检测到的异常的类型的信息。对每个槽S获取晶片W的有无、晶片W的位置、晶片W的厚度。
在位置检测处理中没有检测到异常的情况下，第一输送装置13从承载器C一次性取出5个晶片W并载置到交接部14。此时，第一输送装置13基于按各装载口P1～P4设定的“基准收纳位置”进行晶片W的送出。
“基准收纳位置”是被识别为第一槽的高度位置的位置，该第一槽的高度位置是将符合槽的高度位置等特定规格的承载器载置到装载口P1～P4时的、以装载口P1～P4的上表面为基准的位置。该基准收纳位置由投光部74和受光部75的驱动位置规定。驱动位置是指升降机构71距投光部74和受光部75的原点位置的距离。基准收纳位置的设定使用符合上述规格的承载器或治具对各装载口P1～P4由人工进行，并存储在存储部19。
之后，第二输送装置17从交接部14取出1个晶片W并将其送入任意处理单元16。
接着，处理单元16对所送入的晶片W进行规定的处理。例如，处理单元16对晶片W执行供给药液的药液处理、对晶片W供给冲洗液的冲洗处理和使晶片W干燥的干燥处理。在本实施方式中，使由各处理单元16进行的处理的内容和处理时间相同。当由处理单元16进行的处理结束时，第二输送装置17将晶片W从处理单元16取出并载置到交接部14。之后，第一输送装置13从交接部14将5个晶片W一次性取出并收纳在承载器C。此时，第一输送装置13也基于基准收纳位置向承载器C送入多个晶片W。
另一方面，在位置检测处理中检测到异常的情况下，中止对收纳于检测到异常的承载器C的多个晶片W的处理，对上级装置等输出包含异常代码等信息的警报。
图7是表示控制装置4的结构的一个例子的框图。此外，图7仅表示控制装置4所具有的多个构成要素中的一部分。
如图7所示，控制装置4包括控制部18和存储部19。控制部18例如包括具有CPU(Central Processing Unit：中央处理器)、ROM(Read Only Memory：只读存储器)、RAM(Random Access Memory：随机存取存储器)、输入输出端口等的微型计算机和各种电路。控制部18包括多个处理部，该多个处理部通过使CPU将RAM作为工作区域使用来执行存储于ROM的程序而发挥作用。例如，控制部18包括开闭控制部18a、位置检测控制部18b、异常判断部18c、输送控制部18d、修正部18e、劣化预测部18f和通知部18g。此外，这些处理部也可以由ASIC(Application Specific Integrated Circuit：专用集成电路)、FPGA(FieldProgrammable Gate Array：现场可编程门阵列)等硬件构成其各自的一部分或全部。
存储部19例如通过RAM、闪存(Flash Memory)等半导体存储元件、或者硬盘、光盘等存储装置实现。该存储部19存储端口累积信息19a、承载器异常累积信息19b、承载器基片位置累积信息19c和基准收纳位置信息19d等。另外，这些信息也可以存储在外部的存储装置。
开闭控制部18a通过控制盖体开闭机构5来开闭承载器C的盖体C1。具体而言，开闭控制部18a在从承载器C取出未处理的晶片W的情况下，控制盖体开闭机构5，执行打开承载器C的盖体C1的开盖处理。此外，开闭控制部18a在承载器C收纳已处理的晶片W的情况下，在已处理的晶片W被收纳于承载器C后，控制盖体开闭机构5，执行闭合承载器C的盖体C1的阖盖处理。
在开盖处理中，开闭控制部18a控制水平移动部57使门部55后退后，控制升降部56使门部55下降。此外，在阖盖处理中，开闭控制部18a控制升降部56使门部55上升后，控制水平移动部57使门部55前进。
此外，开闭控制部18a通过控制盖体开闭机构5，执行将承载器C的盖体C1暂时闭合后再次打开盖体C1的重试处理。具体而言，开闭控制部18a在进行与上述的阖盖处理相同的处理而闭合盖体C1后，进行与上述的开盖处理相同的处理而再次打开盖体C1。
而且，开闭控制部18a在从以往进行的位置检测处理中判断为异常的概率高的承载器C取出晶片W的情况下，在进行上述的开盖处理之前，进行开闭盖体C1的事先重试处理。
在事先重试处理中，开闭控制部18a控制水平移动部57使门部55后退后，控制水平移动部57使门部55前进。这样，事先重试处理不用升降部56进行门部55的升降而对盖体C1进行开闭，因此与通常的重试处理相比能够缩短处理时间。关于成为事先重试处理的对象的承载器C的条件，在后文说明。
位置检测控制部18b控制基片检测部7进行位置检测处理。此外，位置检测控制部18b将通过位置检测处理得到的各种信息累积至存储部19，由此生成各种累积信息。例如，位置检测控制部18b生成作为累积信息的端口累积信息19a、承载器异常累积信息19b、承载器基片位置累积信息19c。
端口累积信息19a是按时间顺序累积以往载置于装载口P1～P4的多个承载器C中基片检测部7的检测结果的信息。位置检测控制部18b累积通过位置检测处理得到的各种信息中的第一槽S1的高度位置(载置于第一槽S1的晶片W的位置)的信息，由此生成端口累积信息19a。对各装载口P1～P4生成端口累积信息19a。
承载器异常累积信息19b是按各承载器C(按各承载器ID)累积异常判断部18c的判断结果的信息。例如，在承载器异常累积信息19b中包含在初次位置检测处理中由异常判断部18c判断为异常的概率(以下，记作“初始异常率”)。此外，在承载器异常累积信息19b中包含在重试处理后的位置检测处理中由异常判断部18c判断为异常的概率(以下，记作“重试后异常率”)。
上述的事先重试处理基于承载器异常累积信息19b执行。即，开闭控制部18a从存储部19获取与对应的承载器C的承载器ID相关联的承载器基片位置累积信息19c。然后，开闭控制部18a在所获取的承载器基片位置累积信息19c中包含的初始异常率超过阈值的情况下执行事先重试处理。
也可以为，开闭控制部18a在所获取的承载器基片位置累积信息19c中包含的初始异常率超过第一阈值且所获取的承载器基片位置累积信息19c中包含的重试后异常率不到第二阈值的情况下，执行事先重试处理。
这样，开闭控制部18a基于各承载器C的承载器异常累积信息19b，将承载器C载置于装载口P1～P4后，由基片检测部7进行检测处理之前，控制盖体开闭机构5使其进行开闭盖体C1的动作。事先重试处理与重试处理相比能够以更短时间完成，因此对被判断为异常的概率高的承载器C、通过重试处理消除异常的概率高的承载器C进行事先重试处理，由此能够提高处理量。
承载器基片位置累积信息19c是对各承载器C(各承载器ID)按时间顺序累积由基片检测部7检测到的第一槽S1的高度位置(以下，记作“第一槽位置”)的信息。
异常判断部18c基于位置检测处理的结果和基准收纳位置信息19d来判断承载器C的异常。图8是表示基准收纳位置信息19d的一个例子的图。
如图8所示，基准收纳位置信息19d是将装载口P1～P4的装载口ID(此处为“P1”～“P4”)与基准收纳位置相关联的信息。例如，装载口ID“P1”关联基准收纳位置“X1”，装载口ID“P2”关联基准收纳位置“X2”。这样，基准收纳位置对于各装载口P1～P4不同。
异常判断部18c从基准收纳位置信息19d获取对应的装载口P1～P4的基准收纳位置，计算以所获取的基准收纳位置为基准的各槽S的符合规格的高度位置。此外，异常判断部18c计算所算出的各槽S的符合规格的高度位置与由基片检测部7检测到的各晶片W的位置之差，作为各槽S的晶片W的偏移量。然后，异常判断部18c判断计算出的偏移量是否在以基准收纳位置为中心的阈值范围内，在超过阈值范围的情况下判断为承载器C的异常。
这样，异常判断部18c基于由基片检测部7检测到的晶片W的位置与基准收纳位置的比较，判断承载器C的异常。
输送控制部18d控制由第一输送装置13和第二输送装置17进行的晶片W的输送。具体而言，输送控制部18d从存储于存储部19的基准收纳位置信息19d获取与载置有承载器C的装载口P1～P4对应的基准收纳位置。然后，输送控制部18d基于所获取的基准收纳位置控制输送控制部18d，由此使输送控制部18d进行从承载器C送出晶片W的送出动作和向承载器C送入晶片W的送入动作。
修正部18e基于按各装载口P1～P4累积的端口累积信息19a，修正存储于存储部19的基准收纳位置。
图9是将从以往载置于某个装载口P1～P4的多个承载器C检测到的第一槽位置按时间顺序绘制而得到的图表的一个例子。此外，图10是表示由修正部18e进行的修正处理的一个例子的图。
如上所述，基准收纳位置是各槽的高度位置等符合规格的承载器载置于装载口P1～P4时的第一槽S1的高度位置。但是，实际使用的承载器C并不一定限定于符合规格的承载器。因此，如图9所示，即使使用可调节到符合规格的第一槽位置的夹具等进行了调节，也存在在位置检测处理中得到的实际的第一槽位置发生偏离的情况。
图9所示的图表表示检测到第一槽位置整体变高的情况。如上所述，异常判断部18c在第一槽位置的偏移量超过以基准收纳位置为中心的阈值范围(图9中±a的范围)的情况下判断为承载器C的异常。因此，在第一槽位置整体变高地偏离的情况下，例如在收纳于第一槽S1的晶片W向上方倾斜时等，容易判断为异常。
因此，修正部18e例如根据端口累积信息19a计算第一槽位置的偏移量的中值，以计算出的中值对基准收纳位置进行修正。例如，令计算出的中值为“+b”。在该情况下，修正部18e将存储于存储部19的端口累积信息19a中对应的装载口P1～P4的基准收纳位置(例如“X1”)加上“b”而得到的“X1+b”，作为新的基准收纳位置存储在存储部19。
这样，通过修正基准收纳位置，如图10所示，能够恰当地设定以基准收纳位置为中心的阈值范围。由此，能够降低由异常判断部18c判断为异常的频率。因此能够提高处理量。
此处给出了修正部18e根据端口累积信息19a计算偏移量的中值的情况的例子，不过也可以为修正部18e计算偏移量的平均值。此外，也可以为修正部18e使用回归分析方法，例如不限定于x和y这2个变量的差成为最小值的回归直线，计算与x轴平行时的y的值。
这样，修正部18e基于端口累积信息19a，计算在装载口P1～P4载置有承载器C的情况下由基片检测部7检测和预测的第一槽位置的预测值即可。
本发明的发明人发现，收纳于承载器C的晶片W容易向下倾斜。也可以根据该特性，修正部18e以计算出的预测值加上预先决定的修正值而得到值对基准收纳位置进行修正。由此，能够更恰当地修正基准收纳位置。
劣化预测部18f基于承载器基片位置累积信息19c预测承载器C的劣化。
图11是表示某个承载器C中的第一槽位置的偏移量的随时间变化的一个例子的图。如图11所示，承载器C由于反复使用而存在槽位置下降的趋势。作为其原因之一，例如能够举出由于树脂制的承载器C被反复载置到设置于装载口P1～P4的上表面的金属制的销，所以树脂制的承载器C的底面被削磨的原因。
劣化预测部18f根据承载器基片位置累积信息19c计算第一槽位置的偏移量的中值，判断计算出的中值是否不到阈值。然后，劣化预测部18f在偏移量的中值不到阈值的情况下判断为承载器C劣化。此处使用的阈值例如为由异常判断部18c进行的第一槽位置的异常判断中使用的阈值范围(上述的基准收纳位置±a的范围)内的值。即，劣化预测部18f在由异常判断部18c判断为第一槽位置异常之前，预测承载器C的劣化。
劣化预测部18f例如在每次对作为对象的承载器C进行位置检测处理时，即，在每次在承载器基片位置累积信息19c中累积第一槽位置时，计算第一槽位置的偏移量的中值。
通知部18g在由劣化预测部18f预测为劣化的承载器C再次被载置到装载口P1～P4之前，通知承载器C的劣化。例如，通知部18g使基片处理系统1具有的未图示的显示灯亮灯，或对上级装置输出包含该承载器C的承载器ID的劣化预测信息。此外，通知部18g还可以使基片处理系统1具有的未图示的显示部显示劣化预测信息。
由通知部18g进行通知的时刻为该承载器C再次被载置到装载口P1～P4之前即可，例如也可以在由劣化预测部18f预测到承载器C的劣化的时候通知。此外，通知部18g也可以于在将已处理的晶片W收纳在预测到劣化的承载器C并从装载口P1～P4送出之后，即一连串基片处理结束后，通知承载器C的劣化。
这样，通过预测并通知承载器C的劣化，能够预先防止使用被判断为异常的概率高的承载器C，因此，例如能够抑制由判断为异常而处理中断所导致的处理量的下降。
此外，此处给出了劣化预测部18f根据承载器基片位置累积信息19c计算偏移量的中值的情况的例子，不过也可以为劣化预测部18f计算偏移量的平均值。此外，也可以为劣化预测部18f使用回归分析方法，例如不限定于x和y这2个变量的差成为最小值的回归直线，计算与x轴平行时的y的值。
另外，此处，对基于第一槽位置的随时间变化来预测承载器C的劣化的情况的例子进行了说明，不过承载器C的劣化例如还能够基于各槽间的距离的随时间变化来预测。
(其它实施方式)
由于装载口P1～P4的高度是根据规格确定的，所以基片处理系统1具有的多个装载口P1～P4的高度能够被调节为相同的值。因此，也可以为控制部18计算多个装载口P1～P4的各基准收纳位置的平均值((X1+X2+X3+X4)/4)，将具有与计算出的平均值之差超过阈值的基准收纳位置的装载口P1～P4判断为调节不良。此外，也可以为控制部18将包含判断为调节不良的装载口P1～P4的装载口ID的调节不良信息输出到上级装置，或使基片处理系统1具有的未图示的显示部进行显示该信息。
如上所述，实施方式的基片处理装置(作为一个例子，处理单元16)包括载置部(作为一个例子，装载口P1～P4)、输送部(作为一个例子，第一输送装置13)、检测部(作为一个例子，基片检测部7)和修正部(作为一个例子，修正部18e)。在载置部载置承载器(作为一个例子，承载器C)，该承载器具有能够收纳多个基片(作为一个例子，晶片W)的多个槽(作为一个例子，槽S)。输送部基于设定在载置部的基准收纳位置，对槽送入送出基片。检测部检测收纳于槽的基片的位置。修正部基于累积有以往载置于载置部的多个承载器中检测部的检测结果的端口累积信息(作为一个例子，端口累积信息19a)，修正基准收纳位置。
通过修正基准收纳位置，例如使得以基准收纳位置为中心的阈值范围最优化，因此位置检测处理中被判断为异常的频率降低，随之进行重试处理后的再一次的位置检测处理的频率降低。因此，能够实现位置检测处理的高效化。
也可以为修正部基于端口累积信息，计算在载置部载置有承载器的情况下由检测部检测和预测的基片的位置的预测值(作为一个例子，第一槽位置与基准收纳位置的偏移量的中值)，基于该预测值修正基准收纳位置。由检测部检测的基片的位置的检测结果越多地累积在端口累积信息中，基片的位置的预测值的精度越高，越能够高精度地进行基于该预测值的基准收纳位置的修正。此外，在修正基准收纳位置后，还能够指定积存一定数量的端口累积信息的累积数量。
也可以为修正部使用计算出的预测值加上预先决定的修正值而得到的值，对基准收纳位置进行修正。收纳于承载器的基片容易向下倾斜。因此，通过预测值加上预先决定的修正值，能够更恰当地修正基准收纳位置。
也可以为，实施方式的基片处理系统还包括盖体开闭机构(作为一个例子，盖体开闭机构5)、异常判断部(作为一个例子，异常判断部18c)和开闭控制部(开闭控制部18a)。盖体开闭机构对载置于载置部的承载器的盖体(作为一个例子，盖体C1)进行开闭。异常判断部基于由检测部检测到的基片的位置与基准收纳位置的比较，判断承载器的异常。开闭控制部对每个承载器，基于累积有异常判断部的判断结果的承载器异常累积信息(作为一个例子，承载器异常累积信息19b)，在该承载器被载置到载置部之后，由检测部进行检测处理之前，控制盖体开闭机构使其进行开闭盖体的动作(作为一个例子，事先重试处理)。
由此，由于能够使进行重试处理后的再一次的位置检测处理的频率降低，因此能够实现位置检测处理的高效化。此外，事先重试处理与通常的重试处理不同，以不使盖体升降的方式开闭盖体，因此与通常的重试处理相比，能够以更短时间结束处理。
也可以为实施方式的基片处理系统还包括劣化预测部(作为一个例子，劣化预测部18f)和通知部(作为一个例子，通知部18g)。劣化预测部对每个承载器，基于累积有检测部的检测结果的承载器基片位置累积信息(作为一个例子，承载器基片位置累积信息19c)，预测该承载器的劣化。通知部在由劣化预测部预测为劣化的承载器再次被载置在载置部之前，通知该承载器的劣化。
这样，通过预测并通知承载器的劣化，能够预先防止使用被判断为异常的概率高的承载器，因此例如能够抑制由判断为异常而处理中断所导致的处理量的下降。此外，通过预先防止使用判断为异常的概率高的承载器，能够降低承载器被判断为异常的频率，降低进行重试处理后的再一次的位置检测处理的频率，因此能够实现位置检测处理的高效化。
也可以为，劣化预测部基于承载器基片位置累积信息，计算在载置部载置有承载器的情况下由检测部检测和预测的基片的位置的预测值，在该预测值不到劣化判断阈值的情况下，预测该承载器的劣化。由检测部检测的基片的位置的检测结果越多地累积在承载器基片位置累积信息中，基片的位置的预测值的精度越高，因此能够更高精度地预测承载器的劣化。
应当认为，本发明的实施方式在所有方面均为例示而并非限定性的。实际上，上述的实施方式能够以多种方式具体实现。此外，上述的实施方式在不超出所附的权利要求的范围及其主旨的情况下，能够以各种各样的方式省略、置换、变更。

Claims (7)

1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：
用于载置承载器的载置部，所述承载器具有能够收纳多个基片的多个槽；
输送部，其基于设定在所述载置部的基准收纳位置，对所述槽送入送出所述基片；
检测部，其检测收纳于所述槽的所述基片的位置；和
基于端口累积信息修正所述基准收纳位置的修正部，其中所述端口累积信息中累积有以往载置于所述载置部的多个所述承载器中所述检测部的检测结果。
2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
所述修正部基于所述端口累积信息，计算在所述载置部载置有所述承载器的情况下由所述检测部检测和预测的所述基片的位置的预测值，基于该预测值修正所述基准收纳位置。
3.如权利要求2所述的基片处理装置，其特征在于：
所述修正部使用计算出的所述预测值加上预先决定的修正值而得的值，对所述基准收纳位置进行修正。
4.如权利要求1～3中任一项所述的基片处理装置，其特征在于，还包括：
盖体开闭机构，其对载置于所述载置部的所述承载器的盖体进行开闭；
异常判断部，其基于由所述检测部检测到的所述基片的位置与所述基准收纳位置的比较，判断所述承载器的异常；以及
开闭控制部，其对每个所述承载器，基于累积有所述异常判断部的判断结果的承载器异常累积信息，在该承载器被载置到所述载置部之后，由所述检测部进行检测处理之前，控制所述盖体开闭机构使其进行开闭所述盖体的动作。
5.如权利要求1～3中任一项所述的基片处理装置，其特征在于，还包括：
劣化预测部，其对每个所述承载器，基于累积有所述检测部的检测结果的承载器基片位置累积信息，预测该承载器的劣化；和
通知部，其在由所述劣化预测部预测到劣化的所述承载器再次被载置在所述载置部之前，通知该承载器的劣化。
6.如权利要求5所述的基片处理装置，其特征在于：
所述劣化预测部基于所述承载器基片位置累积信息，计算在所述载置部载置有所述承载器的情况下由所述检测部检测和预测的所述基片的位置的预测值，在该预测值不到劣化判断阈值的情况下预测该承载器的劣化。
7.一种基片处理方法，其特征在于，包括：
将承载器载置在载置部的载置工序，其中所述承载器具有能够收纳多个基片的多个槽；
输送工序，其基于设定在所述载置部的基准收纳位置，对所述槽送入送出所述基片；
检测工序，其使用检测部检测收纳于所述槽的所述基片的位置；和
基于端口累积信息修正所述基准收纳位置的修正工序，其中所述端口累积信息中累积有以往载置于所述载置部的多个所述承载器中所述检测部的检测结果。
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