CN111969017B - 显示面板及其制备方法 - Google Patents

显示面板及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN111969017B
CN111969017B CN202010850136.7A CN202010850136A CN111969017B CN 111969017 B CN111969017 B CN 111969017B CN 202010850136 A CN202010850136 A CN 202010850136A CN 111969017 B CN111969017 B CN 111969017B
Authority
CN
China
Prior art keywords
area
layer
display
light
transparent substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202010850136.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN111969017A (zh
Inventor
莫丹
赵欢
刘娜
李旭娜
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hefei Visionox Technology Co Ltd
Original Assignee
Hefei Visionox Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hefei Visionox Technology Co Ltd filed Critical Hefei Visionox Technology Co Ltd
Priority to CN202010850136.7A priority Critical patent/CN111969017B/zh
Publication of CN111969017A publication Critical patent/CN111969017A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN111969017B publication Critical patent/CN111969017B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/60OLEDs integrated with inorganic light-sensitive elements, e.g. with inorganic solar cells or inorganic photodiodes
    • H10K59/65OLEDs integrated with inorganic image sensors
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/805Electrodes
    • H10K50/82Cathodes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/805Electrodes
    • H10K50/82Cathodes
    • H10K50/828Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201Manufacture or treatment
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549Organic PV cells

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明提供了一种显示面板,所述显示面板被划分为显示区以及围绕所述显示区周围的非显示区,所述显示区内被划分出摄像头区域;所述显示面板包括:透明基板;位于所述透明基板的显示发光一侧的功能膜层;以及位于所述功能膜层的显示发光一侧的阴极层;其中,所述阴极层包括纳米多孔银区域,所述纳米多孔银区域在所述透明基板上的正投影覆盖所述摄像头区域在所述透明基板上的正投影,所述功能膜层包括透明区域,所述透明区域在所述透明基板上的正投影覆盖所述摄像头区域在所述透明基板上的正投影。利用透明基板和功能膜层的透明区域的透明性,以及纳米多孔银区域具有的高透性,形成一个高透通道,将摄像头区域设置在显示区内,提高屏占比。

Description

显示面板及其制备方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域,具体涉及一种显示面板及其制备方法。
背景技术
随着显示技术的发展,具有较大的屏占比其超窄的边框的显示面板备受关注。现有技术中,显示面板的顶部会预设水滴、刘海等形状的预留区域。该预留区域一般包括设置摄像头,听筒和部分走线,导致水滴或刘海显示屏的屏幕的占比与将摄像头区域完全放置于显示区内的屏占比相比较低。因此,为了满足市场需求,急需提高显示屏的屏占比,进而提高用户体验。
发明内容
有鉴于此,本发明实施例提供了一种显示面板,以解决现有技术中水滴或刘海状的摄像头区域影响屏占比的技术问题。
根据本发明的一个方面,本发明一实施例提供的一种显示面板,所述显示面板被划分为显示区以及围绕所述显示区周围的非显示区,所述显示区内被划分出摄像头区域;所述显示面板包括:透明基板;位于所述透明基板的显示发光一侧的功能膜层;以及位于所述功能膜层的显示发光一侧的阴极层;其中,所述阴极层包括透光区域,所述透光区域的材料为纳米多孔银,所述透光区域在所述透明基板上的正投影覆盖所述摄像头区域在所述透明基板上的正投影,所述功能膜层包括透明区域,所述透明区域在所述透明基板上的正投影覆盖所述摄像头区域在所述透明基板上的正投影。
在一个实施例中,所述阴极层中透光区域之外区域的材料包括:AgMg2.7的单相固溶体、AgMg4.7的单相固溶体或AgMg3的单相固溶体中的至少一种。
在一个实施例中,所述纳米多孔银的形状呈网状或者絮状;所述纳米多孔银的孔的直径范围为20nm至100nm。
在一个实施例中,还包括:阻挡堤坝,所述阻挡堤坝设置于所述透明区域的边界处,所述阻挡堤坝的高度大于所述阴极层的厚度。
在一个实施例中,所述功能膜层包括:依次层叠的薄膜晶体管层、阳极层与显示发光层;其中,所述显示发光层包括:多个用于显示发光的像素单元;每一个所述像素单元包括:依次层叠的可选的空穴注入层、可选的空穴传输层、有机材料发光层、可选的电子传输层以及可选的电子注入层;优选地,,所述电子传输层的材料为掺杂银的芳环有机材料。
根据本发明的另一个方面,本发明一实施例提供的一种显示面板的制备方法,所述显示面板被划分为显示区以及围绕所述显示区周围的非显示区,所述显示区内被划分出摄像头区域;该方法包括:提供一透明基板;在所述透明基板的显示发光一侧制备功能膜层,所述功能膜层包括透明区域,所述透明区域在所述透明基板上的正投影覆盖所述摄像头区域在所述透明基板上的正投影;在所述功能膜层的显示发光一侧制备阴极层;以及在所述阴极层上制备透光区域,所述透光区域的材料为纳米多孔银,所述透光区域在所述透明基板上的正投影覆盖所述摄像头区域在所述透明基板上的正投影。
在一个实施例中,所述在透明基板的显示发光一侧制备功能膜层包括:在所述透明基板的显示发光一侧制备薄膜晶体管层,所述薄膜晶体管层包括第一镂空区域;在所述薄膜晶体管层的显示发光一侧制备阳极层,所述阳极层包括第二镂空区域;在所述阳极层的显示发光一侧制备显示发光层,所述显示发光层包括第三镂空区域;在所述第一镂空区域、所述第二镂空区域、所述第三镂空区域中填充透明光学胶,形成所述透明区域。
在一个实施例中,在所述功能膜层的显示发光一侧制备阴极层之前,还包括:
在所述透明区域的边界处制备阻挡堤坝,所述阻挡堤坝的高度大于所述阴极层的厚度。
在一个实施例中,所述在所述功能膜层的显示发光一侧制备阴极层,包括:在所述功能膜层的显示发光一侧蒸镀银镁单相固溶体形成所述阴极层;所述在所述阴极层上制备透光区域包括:制备抗刻蚀有机掩膜版,所述抗刻蚀有机掩膜版包括开口,所述开口与所述摄像头区域的形状相同,以及利用所述抗刻蚀有机掩膜版,通过脱合金化处理所述阴极层形成透光区域。
在一个实施例中,所述在所述阳极层的显示发光一侧制备显示发光层包括:在所述阳极层的非第三镂空区域处的显示发光一侧制备多个用于显示发光的像素单元;每一个所述像素单元包括:依次层叠的可选的空穴注入层、可选的空穴传输层、有机材料发光层、可选的电子传输层以及可选的电子注入层;优选地,制备所述电子传输层包括:制备掺杂银的电子传输层。
在一个优选的实施例中,制备所述掺杂银的电子传输层包括:在所述有机发光材料层沉积掺杂银的芳环有机材料,形成所述掺杂银的电子传输层。
本发明实施例提供的一种显示面板,通过在功能膜层上设置透明区域,该透明区域在透明基板上的正投影覆盖摄像头区域在透明基板上的正投影,通过在阴极层上设置透光区域,该透光区域的材料为纳米多孔银,该透光区域在透明基板上的正投影覆盖摄像头区域在透明基板上的正投影,利用透明基板和功能膜层的透明区域的透明性,以及与致密的阴极层相比由纳米多孔银构成的透光区域具有的高透性,形成一个高透通道,提高显示区内摄像头区域的透射率,使得在不影响摄像头各项使用功能的前提下,将摄像头区域设置在显示区内。通过将摄像头区域设置在显示区内,从而提高屏占比,为用户提供更好的体验感。
附图说明
图1所示为本发明一实施例提供的一种显示面板的结构示意图的俯视图。
图2所示为图1所示实施例提供的显示面板的剖视图。
图3所示为本发明一实施例提供的一种显示面板的结构示意图。
图4所示为本发明另一实施例提供的一种显示面板的结构示意图。
图5所示为图4所示实施例提供的显示面板中显示发光单元的结构示意图。
图6所示为本发明一实施例提供的一种显示面板的制备方法的流程图。
图7所示为本发明一实施例提供的一种显示面板的制备方法的流程图。
图8所示为本发明一实施例提供的一种显示面板的制备方法中制备一个像素单元的流程图。
具体实施方式
正如背景技术所述,现有技术中的水滴或刘海状的摄像头区域影响屏占比的技术问题。发明人研究发现,出现这种问题的原因在于:位于非显示区的水滴或刘海状的摄像头区域,与像素电路离得远,需要设置的电线长度较长,水滴或刘海状的摄像头区域为铺设电路预留电路辅助区域;并且水滴或刘海状的摄像头区域一般都与听筒集中在一个区域,需要为设置听筒预留听筒辅助区域;并且水滴或刘海状的摄像头区域是在显示面板的边部进行切割,为了防止切割引起裂屏,也要为切割预留破损消耗辅助区域。而将摄像头区域完全设置在显示区内,就可以将听筒设置在中框上,无需在摄像头区域预留听筒辅助区域;并且由于将摄像头区域完全设置在显示区,与像素电路离得近,需要设置的电线长度较短,为铺设电路预留的电路辅助区域也会变小;且不采用打通孔的方式将摄像头区域完全设置在显示区,无需预留打破损消耗区域。
因此,与在非显示区设置水滴或刘海状的摄像头区域相比,在显示区内部设置摄像头区域需要更小的辅助区域,需要的摄像头区域较小。将摄像头区域设置在显示区内可以提高屏占比。但在显示区域内设置摄像头区域,需要不影响摄像头各项使用功能例如指纹识别以及拍照等,那么就需要提高摄像头区域的透明度。OLED(Organic Light EmittingDiode,有机发光二级管)器件中透明基板为透明的,在所述透明基板的显示发光方向上的功能膜层,其在制备过程中就可以直接形成一个与摄像头区域对应的透明区域,以上膜层都是透明的,但是在功能膜层的显示发光方向上的阴极层由于受现有掩膜版以及蒸镀技术的限制,只能蒸镀一整面的银镁混合物。采用镁银混合物,而镁的透射率较低,且一整面的致密的银镁混合物的透射率也较低,因此需要提高阴极层中与摄像头对应的区域的透射度。
为了解决上述问题,发明人研究发现,通过在功能膜层上设置透明区域,该透明区域在透明基板上的正投影覆盖摄像头区域在透明基板上的正投影;通过在阴极层上设置透光区域,该透光在透明基板上的正投影覆盖摄像头区域在透明基板上的正投影,利用透明基板和功能膜层的透明区域的透明性,以及与致密的阴极层相比由纳米多孔银构成的透光区域具有的高透性,形成一个高透通道,提高显示区内摄像头区域的透射率,使得在不影响摄像头各项使用功能的前提下,将摄像头区域设置在显示区内。通过将摄像头区域设置在显示区内,从而提高屏占比,为用户提供更好的体验感。
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
图1所示为本发明一实施例提供的一种显示面板的结构示意图的俯视图。图2所示为图1所示实施例提供的显示面板的主视图。结合图1和图2所示,显示面板被划分为显示区1以及围绕显示区1周围的非显示区2,显示区1内被划分出摄像头区域11;显示面板包括:透明基板3;以及位于透明基板3显示发光一侧的功能膜层4;以及位于功能膜层4的显示发光一侧的阴极层5;其中,阴极层5包括透光区域51,透光区域51的材料为纳米多孔银,透光区域51在透明基板3上的正投影覆盖摄像头区域11在透明基板3上的正投影;功能膜层4包括透明区域41,透明区域41在透明基板3上的正投影覆盖摄像头区域11在透明基板3上的正投影。
本发明实施例中,通过在功能膜层4上设置透明区域41,该透明区域41在透明基板3上的正投影覆盖摄像头区域11在透明基板3上的正投影;通过在阴极层5上设置透光区域51,该透光区域51的材料为纳米多孔银,该透光区域51在透明基板3上的正投影覆盖摄像头区域11在透明基板3上的正投影,用透明基板3和功能膜层4的透明区域41的透明性,以及与致密的阴极层5相比,由纳米多孔银材料构成的透光区域51具有的高透性,形成一个高透通道,提高显示区1内摄像头区域11的透射率。使得在不影响摄像头各项使用功能的前提下,将摄像头区域11设置在显示区1内。通过将摄像头区域11设置在显示区1内,从而提高屏占比,为用户提供更好的体验感。
应当理解,在阴极层5的显示发光一侧还具有常规显示面板具有的封装层、偏光片层以及盖板等。由于装层、偏光片层以及盖板都是透明的,因此阴极层的显示发光一侧的其他膜层不会影响摄像头区域的透光。
应当理解,功能膜层4可以具有薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)层、阳极层、显示发光层。其中,显示发光层包括多个用于显示发光的像素单元,相邻两个像素单元被像素间隔区域彼此隔开,应当理解,像素间隔区域就是像素限定层。每一个像素单元具体结构可以是例如依次叠加的可选的空穴注入层(HIL)、可选的空穴传输层(HTL)、有机材料发光层(EML)、可选的电子传输层(ETL)以及可选的电子注入层(EIL)。阴极层5的活动电子与阳极层产生的空穴在像素单元内复合,激发有机材料发光层中的有机发光材料发光。本发明实施例对功能膜层的具体结构不做限定。本发明实施例对有机发光材料的具体种类不做限定。
应当理解,透光区域51是阴极层5的一部分,但由于透光区域的材料是纳米多孔银,透光区域51的透射性高于阴极层5的其他区域,透光区域51是根据摄像头区域11的位置,在阴极层5上对应的区域通过脱合金化处理形成的高透区域。
在一个实施例中,阴极层中透光区域之外区域的材料包括:AgMg2.7的单相固溶体、AgMg4.7的单相固溶体或AgMg3的单相固溶体中的至少一种。
阴极层5由蒸镀银镁AgMg单相固溶体制备而成,银镁单相固溶体包括:AgMg2.7的单相固溶体、AgMg4.7的单相固溶体或AgMg3的单相固溶体中的至少一种;其中AgMg2.7单相固溶体是控制Ag与Mg的原子比例为2.7形成的单相固溶体。透光区域51为通过脱合金化处理阴极层5形成的纳米多孔银(如图3所示,图3所示为本发明一实施例提供的一种显示面板的结构示意图)。
本发明实施例中,通过蒸镀制备银镁单相固溶体制备阴极层5,通过脱合金化处理阴极层5形成的纳米多孔银,构成透光区域51,提高显示区1内摄像头区域11的透射率。由于银镁单相固溶体形成的阴极层5中镁有更低的标准氢电极电位,通过脱合金化刻蚀掉阴极层5中的镁,剩下的银为纳米多孔状的,获得与摄像头区域11对应的透光区域51。由于低透过率的镁被刻蚀掉,而高透射率银被保留,以及纳米多孔具有的高密度孔径结构,使得由纳米多孔银构成的透光区域51具有高透射性,从而使得提高摄像头区域11透明度,既不影响摄像头各项使用功能,又能提高屏占比。
应当理解,脱合金化是将银镁单相固溶体通过酸刻蚀形成多孔纳米银,其中酸可以是醋酸、稀硝酸、稀硫酸以及氢氟酸等酸,只要可以实现将刻蚀掉阴极层5中的镁的同时将阴极层5中的银刻蚀成纳米多孔状即可,本发明实施例对酸的具体种类不做限定。还应当理解,酸溶液的浓度以及刻蚀时间需要根据刻蚀酸的种类、摄像头区域11的大小、以及阴极层5的厚度共同决定。例如:使用0.01mol/L-0.03mol/L的HF刻蚀13nm-20nm的阴极层,刻蚀4-18小时,可以获得直径为1-5mm的透光区域51。使用0.1mol/L-0.5mol/L的HNO3刻蚀13nm-20nm的阴极层,刻蚀4-18小时,可以获得直径为1-5mm的透光区域51。根据具体应用场景设计酸溶液的浓度以及刻蚀时间,本发明实施例对酸溶液的浓度以及刻蚀时间不做具体限定。
在一个进一步实施例中,在进行酸刻蚀的同时,还可以通过电位刻蚀辅助酸刻蚀以缩短刻蚀时间,同时提高刻蚀掉镁的准确率。
在一个实施例中,纳米多孔银的形状呈网状或者絮状;纳米多孔银的孔的直径范围为20nm至100nm。阴极层5中的镁被脱合金化刻蚀掉,经过脱合金化剩下的银为纳米多孔状,纳米多孔银的形状呈网状或者絮状,高密度孔径结构的纳米多孔银具有高透射性。将纳米多孔银的孔的直径范围设置在20nm-100nm,既不影响阴极层5提供电子,还能保证透光区域51的透射性。
图3所示为本发明一实施例提供的一种显示面板的结构示意图。如图3所示,还包括,阻挡堤坝8,阻挡堤坝8设置于透明区域41的边界处,且阻挡堤坝8的高度大于阴极层5的厚度。阻挡堤坝8用于在刻蚀阴极层5时阻挡刻蚀液。由于刻蚀阴极层5时,刻蚀液会渗入其他区域尤其是会渗入阴极层5的边缘处,阴极层5侧边被损坏会影响屏体可靠性。阻挡堤坝8的设置将阴极层5上的刻蚀范围控制在与摄像头区域11对应,防止刻蚀液渗入其他区域,制备透光区域51的同时还能保证屏体可靠性。
应当理解,阻挡堤坝8由耐刻蚀性材料制备,阻挡堤坝8只要可以具有耐酸性即可,本发明实施例对阻挡堤坝8的具体材料不做限定。阻挡堤坝8的制备可以是,在制备蒸镀阴极之前,利用带有与阻挡堤坝8形状相同的开口的掩膜版制备,也可以是在制备薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)层中的平坦化层与或钝化层时一体制备。
图4所示为本发明一实施例提供的一种显示面板的结构示意图。图5所示为图4所示实施例提供的显示面板中显示发光单元的结构示意图。结合图4与图5所示,功能膜层4包括:依次层叠的薄膜晶体管层9、阳极层6与显示发光层7;其中,显示发光层7包括:包括多个用于显示发光的像素单元71;每一个像素单元包括:依次层叠的可选的空穴注入层711、可选的空穴传输层712、有机材料发光层713、可选的电子传输层714以及可选的电子注入层715;优选地,电子传输层714的材料为掺杂银的芳环有机材料。
由于阴极层5的透光区域51的是经过脱合金化的,与未经过脱合金化的阴极层5相比,具有纳米孔银区域51的阴极层中银比例降低,银比例降低,电子的产生量会下降,银比例降低会影响电子注入量。由于进入有机材料发光层的电子总量由阴极产生的电子量以及电子注入层与电子传输层的传输能力共同决定,银比例降低,电子的产生量会下降,但在电子传输层714中掺杂银,可以提高电子注入能力,虽然电子产量降低,但电子传输能力提高,传输提高弥补电子产量下降,使进入有机材料发光层的电子总量基本保持恒定,不影响显示发光效果。
应当理解,在电子传输层714中掺杂银的方法可以是共沉积或者形成金属配合物的芳环有机材料。只要可以在电子传输层714中掺杂银即可,本发明实施例对电子传输层714中掺杂银的方法不做具体限定。
在一个实施例中,透光区域51的形状包括以下几种形状中的一种:圆形、椭圆形、正方形、矩形以及三角形。常规形状的设置利于工业化生产。
图6所示为本发明一实施例提供的一种显示面板的制备方法的流程图。本发明实施例提供的显示面板被划分为显示区以及围绕显示区周围的非显示区,显示区内被划分出摄像头区域;如图6所示,该制备方法包括下列步骤:
步骤601:提供透明基板;
步骤602:在透明基板的显示发光一侧制备功能膜层,功能膜层包括透明区域,透明区域在透明基板上的正投影覆盖摄像头区域在透明基板上的正投影。
步骤603:在功能膜层的显示发光一侧制备阴极层;
步骤604:在阴极层上制备透光区域,透光区域的材料为纳米多孔银,透光区域在透明基板上的正投影覆盖摄像头区域在透明基板上的正投影。
本发明实施例中,通过在功能膜层上设置透明区域,该透明区域在透明基板上的正投影覆盖摄像头区域在透明基板上的正投影,通过在阴极层上制备透光区域,该透光区域的材料为纳米多孔银,该透光区域在透明基板上的正投影覆盖摄像头区域在透明基板上的正投影,利用透明基板和功能膜层的透明区域的透明性,致密的阴极层相比由纳米多孔银构成的透光区域具有的高透性,形成一个高透通道,提高显示区内摄像头区域的透射率。使得在不影响摄像头各项使用功能的前提下,将摄像头区域设置在显示区内。通过将摄像头区域设置在显示区内,从而提高屏占比,为用户提供更好的体验感。
图7所示为本发明一实施例提供的一种显示面板的制备方法的流程图。如图7所示,在透明基板的显示发光一侧制备功能膜层具体包括:
步骤6021:在透明基板的显示发光一侧制备薄膜晶体管层,薄膜晶体管层包括第一镂空区域;
步骤6022:在薄膜晶体管层的显示发光一侧制备阳极层,阳极层包括第二镂空区域;
步骤6023:在阳极层的显示发光一侧制备显示发光层,显示发光层包括第三镂空区域;
步骤6024:在第一镂空区域、第二镂空区域、第三镂空区域中填充透明光学胶,形成透明区域。
本发明实施例中,在制备薄膜晶体管层、阳极层、以及显示发光层时、分别预留出制备出第一镂空区域、第二镂空区域和第三镂空区域,最后通过填充透明光学胶,形成透明区域,该透明区域在透明基板上正投影覆盖摄像头区域在透明基板上正投影。使得透明基板与透光区域之间是透明的。
应当理解,薄膜晶体管层本身是一个多层结构,包括柔性衬底,金属层、平坦化层等,现有的制备工艺完全可以在制备薄膜晶体管层时预留出与摄像头区域对应的第一镂空区域。相似的,在制备阳极层时预留出与摄像头区域对应的第二镂空区域。显示发光层本身是一个多层结构,在制备显示发光层时也可以预留与摄像头区域对应的第三镂空区域。
如图7所示,在功能膜层的显示发光一侧制备阴极层之前,还包括:
步骤605:在透明区域的边界处制备阻挡堤坝,阻挡堤坝的高度大于阴极层的厚度。
阻挡堤坝的设置将阴极层上的刻蚀范围控制在与摄像头区域对应,防止刻蚀液渗入其他区域,制备透光区域的同时还能保证屏体可靠性。提高屏占比,还能保证显示效果。
应当理解,阻挡堤坝可以在制备功能膜层之后,利用具有与阻挡堤坝形状相同的开口的掩膜版来制备阻挡堤坝,阻挡堤坝也可以与功能膜层的平坦化层或钝化层一体制备。只要阻挡堤坝在透明区域的边界处,且阻挡堤坝的高度大于阴极层的厚度,本发明实施例对阻挡堤坝的具体制备方法不做限定。
如图7所示,在功能膜层的显示发光一侧制备阴极层具体包括:
步骤603A:在功能膜层的显示发光一侧蒸镀银镁单相固溶体形成阴极层;
在阴极层上制备透光区域具体包括:
步骤6041:制备抗刻蚀有机掩膜版,抗刻蚀有机掩膜版包括开口,开口与摄像头区域的形状相同;
步骤6042:利用抗刻蚀有机掩膜版,通过脱合金化处理阴极层形成透光区域。
通过蒸镀制备银镁单相固溶体制备阴极层,利用抗刻蚀有机掩膜版,通过脱合金化刻蚀掉阴极层中的镁,剩下的银为纳米多孔状的,获得与摄像头区域对应的透光区域。由于低透过率的镁被刻蚀掉而高透射率银被保留以及纳米多孔具有的高密度孔径结构,使得透光区域具有高透射性,从而使得提高摄像头区域透明度,既不影响摄像头各项使用功能,又能提高屏占比。
在一个实施例中,在阳极层的显示发光一侧制备显示发光层,显示发光层包括第三镂空区域,可具体包括:在阳极层的非第三镂空区域处的显示发光一侧制备多个用于显示发光的像素单元;图8所示为本发明一实施例提供的一种显示面板的制备方法中制备一个像素单元的流程图。如图8所示,包括:
步骤6061:制备空穴注入层;
步骤6062:制备空穴传输层;
步骤6063:制备有机材料发光层;
步骤6064:制备掺杂银的电子传输层;
步骤6065:制备电子注入层。
在一个进一步实施例中,制备掺杂银的电子传输层包括:在有机发光材料层上沉积掺杂银的芳环有机材料,形成掺杂银的电子传输层,掺杂银的电子传输层可以提高电子注入能力,传输能力的提高弥补刻蚀成透光区域引起的电子产量下降,使进入有机材料发光层的电子总量基本保持恒定,不影响显示发光效果。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换等,均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (11)

1.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板被划分为显示区以及围绕所述显示区周围的非显示区,所述显示区内被划分出摄像头区域;
所述显示面板包括:
透明基板;
位于所述透明基板的显示发光一侧的功能膜层;以及
位于所述功能膜层的显示发光一侧的阴极层;
其中,所述阴极层包括透光区域,所述透光区域的材料为纳米多孔银,所述透光区域在所述透明基板上的正投影覆盖所述摄像头区域在所述透明基板上的正投影,
所述功能膜层包括透明区域,所述透明区域在所述透明基板上的正投影覆盖所述摄像头区域在所述透明基板上的正投影;
其中,所述阴极层中透光区域之外区域的材料包括:AgMg2.7的单相固溶体、AgMg4.7的单相固溶体或AgMg3的单相固溶体中的至少一种,所述透光区域通过脱合金化处理银镁单相固溶体获得。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述纳米多孔银的形状呈网状或者絮状;所述纳米多孔银的孔的直径范围为20nm至100nm。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,还包括:
阻挡堤坝,所述阻挡堤坝设置于所述透明区域的边界处,所述阻挡堤坝的高度大于所述阴极层的厚度。
4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,
所述功能膜层包括:依次层叠的薄膜晶体管层、阳极层与显示发光层;
其中,所述显示发光层包括:多个用于显示发光的像素单元;
每一个所述像素单元包括:依次层叠的可选的空穴注入层、可选的空穴传输层、有机材料发光层、可选的电子传输层以及可选的电子注入层。
5.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述电子传输层的材料为掺杂银的芳环有机材料。
6.一种显示面板的制备方法,其特征在于,所述显示面板被划分为显示区以及围绕所述显示区周围的非显示区,所述显示区内被划分出摄像头区域;包括:
提供一透明基板;
在所述透明基板的显示发光一侧制备功能膜层,所述功能膜层包括透明区域,所述透明区域在所述透明基板上的正投影覆盖所述摄像头区域在所述透明基板上的正投影;
在所述功能膜层的显示发光一侧制备阴极层;以及
在所述阴极层上制备透光区域,所述透光区域的材料为纳米多孔银,所述透光区域在所述透明基板上的正投影覆盖所述摄像头区域在所述透明基板上的正投影;
其中,所述在所述功能膜层的显示发光一侧制备阴极层,包括:
在所述功能膜层的显示发光一侧蒸镀银镁单相固溶体形成所述阴极层;
其中,所述在所述阴极层上制备透光区域包括:
制备抗刻蚀有机掩膜版,所述抗刻蚀有机掩膜版包括开口,所述开口与所述摄像头区域的形状相同,以及
利用所述抗刻蚀有机掩膜版,通过脱合金化处理所述阴极层形成所述透光区域;
所述银镁单相固溶体包括:AgMg2.7的单相固溶体、AgMg4.7的单相固溶体或AgMg3的单相固溶体中的至少一种。
7.根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于,
所述在所述透明基板的显示发光一侧制备功能膜层包括:
在所述透明基板的显示发光一侧制备薄膜晶体管层,所述薄膜晶体管层包括第一镂空区域;
在所述薄膜晶体管层的显示发光一侧制备阳极层,所述阳极层包括第二镂空区域;
在所述阳极层的显示发光一侧制备显示发光层,所述显示发光层包括第三镂空区域;
在所述第一镂空区域、所述第二镂空区域、所述第三镂空区域中填充透明光学胶,形成所述透明区域。
8.根据权利要求6或7所述的制备方法,其特征在于,在所述功能膜层的显示发光一侧制备阴极层之前,还包括:
在所述透明区域的边界处制备阻挡堤坝,所述阻挡堤坝的高度大于所述阴极层的厚度。
9.根据权利要求7所述的制备方法,其特征在于,所述在所述阳极层的显示发光一侧制备显示发光层包括:
在所述阳极层的非第三镂空区域处的显示发光一侧制备多个用于显示发光的像素单元;每一个所述像素单元包括:依次层叠的可选的空穴注入层、可选的空穴传输层、有机材料发光层、电子传输层以及可选的电子注入层。
10.根据权利要求9所述的制备方法,其特征在于,制备所述电子传输层包括:制备掺杂银的电子传输层。
11.根据权利要求10所述的制备方法,其特征在于,制备所述掺杂银的电子传输层包括:在所述有机材料发光层上沉积掺杂银的芳环有机材料,形成所述掺杂银的电子传输层。
CN202010850136.7A 2020-08-21 2020-08-21 显示面板及其制备方法 Active CN111969017B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010850136.7A CN111969017B (zh) 2020-08-21 2020-08-21 显示面板及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010850136.7A CN111969017B (zh) 2020-08-21 2020-08-21 显示面板及其制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111969017A CN111969017A (zh) 2020-11-20
CN111969017B true CN111969017B (zh) 2023-05-26

Family

ID=73390580

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010850136.7A Active CN111969017B (zh) 2020-08-21 2020-08-21 显示面板及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN111969017B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112531127B (zh) * 2020-11-24 2023-05-30 上海和辉光电股份有限公司 一种有机电致发光显示面板及其制备方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102569757A (zh) * 2011-12-23 2012-07-11 西安交通大学 一种铜硅铝纳米多孔锂离子电池负极材料的制备方法
CN105671545A (zh) * 2016-01-26 2016-06-15 山东科技大学 一种高硬度单相高熵合金涂层及其制备方法和用途
CN106591890A (zh) * 2016-11-23 2017-04-26 昆明理工大学 一种基于低共熔熔剂原位沉积合金/去合金法制备微纳米多孔银的方法
CN110611048A (zh) * 2019-08-29 2019-12-24 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及其制备方法
CN110931538A (zh) * 2019-12-20 2020-03-27 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板及电子设备

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7939201B2 (en) * 2005-08-08 2011-05-10 A123 Systems, Inc. Nanoscale ion storage materials including co-existing phases or solid solutions
WO2012023177A1 (ja) * 2010-08-17 2012-02-23 パイオニア株式会社 有機発光素子
CN102191400B (zh) * 2011-05-06 2012-10-31 上海大学 稳恒磁场下纳米多孔金属的去合金化制备方法
WO2016084759A1 (ja) * 2014-11-28 2016-06-02 シャープ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置、照明装置および表示装置
CN104674045B (zh) * 2015-02-15 2017-03-08 北京航空航天大学 一种纳米多孔银合金材料及其制备方法
US20170125735A1 (en) * 2015-10-30 2017-05-04 National Taiwan University Electroluminescent device
CN107464885B (zh) * 2016-06-06 2019-01-18 清华大学 一种有机电致发光器件
CN107658332A (zh) * 2017-10-25 2018-02-02 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板、显示装置及制作方法
CN110164963B (zh) * 2018-02-12 2022-07-12 信利(惠州)智能显示有限公司 一种薄膜晶体管以及显示面板
CN109088010B (zh) * 2018-08-24 2020-08-28 云南大学 一种银镁合金电极和一种有机发光二极管
CN111490176B (zh) * 2019-01-28 2022-08-02 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及其制备方法、电子装置
CN111508993B (zh) * 2019-01-31 2022-10-04 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种oled显示面板及其制作方法
CN111509136B (zh) * 2019-01-31 2021-12-28 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板
CN110010665A (zh) * 2019-03-27 2019-07-12 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板
CN109994047B (zh) * 2019-04-08 2021-10-12 京东方科技集团股份有限公司 全面屏显示面板及其制作方法和全面屏显示装置
CN110212107A (zh) * 2019-05-16 2019-09-06 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示屏及电子装置
CN110265439A (zh) * 2019-06-06 2019-09-20 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 有机发光二极管显示面板及电子设备
CN110518034B (zh) * 2019-07-24 2021-02-26 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示屏及其制作方法、oled显示装置
CN110544433A (zh) * 2019-08-29 2019-12-06 合肥维信诺科技有限公司 显示基板、显示面板以及显示装置
CN110783482B (zh) * 2019-08-30 2022-04-08 昆山国显光电有限公司 显示面板及其制作方法、显示屏及显示装置
CN210156380U (zh) * 2019-09-19 2020-03-17 上海和辉光电有限公司 一种显示面板及显示装置
CN110783486A (zh) * 2019-10-10 2020-02-11 复旦大学 一种适用于屏下摄像头的显示面板
CN110767736A (zh) * 2019-11-06 2020-02-07 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置
CN111129085A (zh) * 2019-12-12 2020-05-08 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及其显示装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102569757A (zh) * 2011-12-23 2012-07-11 西安交通大学 一种铜硅铝纳米多孔锂离子电池负极材料的制备方法
CN105671545A (zh) * 2016-01-26 2016-06-15 山东科技大学 一种高硬度单相高熵合金涂层及其制备方法和用途
CN106591890A (zh) * 2016-11-23 2017-04-26 昆明理工大学 一种基于低共熔熔剂原位沉积合金/去合金法制备微纳米多孔银的方法
CN110611048A (zh) * 2019-08-29 2019-12-24 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及其制备方法
CN110931538A (zh) * 2019-12-20 2020-03-27 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板及电子设备

Also Published As

Publication number Publication date
CN111969017A (zh) 2020-11-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110048005B (zh) 一种oled显示器件及其制备方法
CN109671858B (zh) 一种显示屏的制作方法
CN110416269B (zh) 一种显示面板和显示面板的制作方法
JP5646547B2 (ja) 有機発光素子の製造方法およびこれによって製造された有機発光素子
CN110767836B (zh) 半导体结构、显示面板及其制备方法和显示终端
JP5080726B2 (ja) 有機elディスプレイおよびその製造方法
WO2019218623A1 (zh) 阵列基板及制作方法、显示面板及制作方法、显示装置
CN106856203B (zh) 一种顶发射显示发光器件及其制备方法
JP2013054863A (ja) 有機el表示装置、有機el表示装置の製造方法および電子機器
JP2005340202A (ja) 有機elディスプレイおよびその製造方法
CN112670332A (zh) 像素单元及其制作方法和显示装置
US11309519B2 (en) Display panel, manufacturing method thereof, and display apparatus
WO2007129874A1 (en) Fabrication method for organic electronic device and organic electronic device fabricated by the same method
CN110212117A (zh) 一种显示基板及其制备方法、显示装置
US20210343990A1 (en) Display panel and manufacturing thereof
CN111969017B (zh) 显示面板及其制备方法
US20180315948A1 (en) Organic light-emitting diode component and manufacturing method, display panel and display device
TW201419518A (zh) 有機發光裝置及其製造方法
KR101676764B1 (ko) 유기발광 소자 및 이의 제조방법
WO2010067861A1 (ja) 有機電界発光素子、表示装置および照明装置
JP2002164169A (ja) 電界発光素子の陰極電極の形成方法
JP2002198182A (ja) 有機el素子
KR20030014062A (ko) 유기 el 소자의 격벽 제조방법
CN111146266B (zh) 一种柔性显示面板及其制备方法
KR20080010034A (ko) 유기발광소자 및 그의 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant