CN111836820A

CN111836820A - 金属络合物

Info

Publication number: CN111836820A
Application number: CN201980018357.3A
Authority: CN
Inventors: 菲利普·施特塞尔; 克里斯蒂安·埃伦赖希; 阿明·奥赫
Original assignee: Merck Patent GmbH
Current assignee: UDC Ireland Ltd
Priority date: 2018-03-19
Filing date: 2019-03-18
Publication date: 2020-10-27
Anticipated expiration: 2039-03-18
Also published as: CN117534715A; TWI828664B; CN111836820B; US20210111345A1; TW202003535A; WO2019179909A1; JP2021518404A; EP3768692B1; KR20200132941A; US11917903B2; EP3768692A1

Abstract

本发明涉及双核、三核和四核金属络合物，并且涉及包含这些金属络合物的电子器件，特别是有机电致发光器件。

Description

金属络合物

本发明涉及适用作有机电致发光器件和有机传感器中的发光体的金属络合物。

根据现有技术，用于磷光有机电致发光器件(OLED)中的三重态发光体特别是具有芳族配体的双-和三-邻位金属化铱络合物以及双-邻位金属化铂络合物，其中这些配体通过带负电的碳原子和不带电的氮原子或通过带负电的碳原子和不带电的卡宾碳原子与金属结合。此类络合物的实例为三(苯基吡啶基)铱(III)及其衍生物，其中所用配体为例如1-或3-苯基异喹啉、2-苯基喹啉或苯基卡宾。在此情况下，铱络合物通常具有远超过1μs左右的很长的发光寿命。然而，为了用于OLED中，期望短的发光寿命，以能够以低的滚降特性在高亮度下操作OLED。仍然还需要改进效率，特别是红色发光磷光发光体的效率。在常规的发红色磷光发光体的情况下，由于三重态能级T₁低，光致发光量子产率通常远低于理论上可能的值，因为在低T₁的情况下，非辐射通道起更大作用，特别是当络合物具有高的发光寿命时。在此需要通过提高辐射水平来进行改进，这又可以通过降低光致发光寿命来实现。

可以通过使用例如WO 2016/124304中所述的多足配体来实现铱络合物稳定性的改进。在铂络合物的情况下，可以通过使用例如WO 2005/042550中所述的四齿配体来实现改进。根据配体结构，这些络合物显示红色、橙色、黄色、绿色或蓝色发光。此外，在具有多足或四齿配体的络合物的情况下，在用于有机电致发光器件的情况下，仍需要在性质方面，特别是在针对激发态的发光寿命和/或效率以及电压和/或寿命方面进行改进。

尚未令人满意地解决的技术问题仍然是提供在光谱的红外区域中有效发光的有机或有机金属化合物，并且同样地，在深红色发光化合物的情况下仍需要进一步改进。特别地，在光谱的红外区域中发光的化合物对于用于传感器，例如用于指纹传感器或虹膜传感器，是有意义的。对于IR虹膜传感器，用IR光照亮眼睛，并且用IR摄像机检测眼睛反射的IR光的特性图案。用于此目的的光源可以是在光谱的红外区域中发光的有机电致发光器件，因此出于此目的需要提供红外发光体。

因此，本发明解决的问题是提供适用作用于OLED中和传感器中的发光体的新型金属络合物。一个特定的目的为提供如下发光体，其在发光寿命、效率、工作电压和/或寿命方面表现出改进的性质。解决的另一个问题是提供在光谱的深红色或红外区域中发光的发光体。

已经惊讶地发现，与相应的单核络合物相比，下述双核、三核和四核铱/铂络合物显示光物理性质的改进，因此当用于有机电致发光器件中时也产生改进的性质。更特别地，本发明的化合物具有改进的光致发光量子产率和显著减少的发光寿命。较短的发光寿命使得有机电致发光器件的滚降特性改进。此外，络合物显示定向发光，因此其发光具有改进的效率。此外，这些络合物在光谱的深红色或红外区域中发光，因此特别地，还可获得表现出高效率红外发光的络合物。本发明提供了这些络合物以及包含这些络合物的有机电致发光器件和传感器。

本发明提供一种下式(1)的化合物：

其中所用符号和标记如下：

D在每种情况下相同或不同，并且为C或N；

X在每种情况下相同或不同，并且为CR或N；

L¹、L²在每种情况下相同或不同，并且为二齿亚配体；

V¹为根据n的选择，将一个或多个中心亚配体彼此接合和与L¹接合的三价基团；

V²为将中心亚配体和L²彼此接合的二价基团或单键；

n为1、2或3；

m在每种情况下相同或不同，并且为0或1，其中当m＝1时，相应的V²基团所键合的原子X为C，条件是在每个铂亚络合物中，至少一个m＝1；

R在每种情况下相同或不同，并且为H，D，F，Cl，Br，I，N(R¹)₂，CN，NO₂，OR¹，SR¹，COOR¹，C(＝O)N(R¹)₂，Si(R¹)₃，B(OR¹)₂，C(＝O)R¹，P(＝O)(R¹)₂，S(＝O)R¹，S(＝O)₂R¹，OSO₂R¹，具有1至20个碳原子的直链的烷基基团或具有2至20个碳原子的烯基或炔基基团或具有3至20个碳原子的支链或环状的烷基基团，其中在每种情况下所述烷基、烯基或炔基基团可以被一个或多个R¹基团取代，其中一个或多个非相邻CH₂基团可以被Si(R¹)₂、C＝O、NR¹、O、S或CONR¹代替，或具有5至40个芳族环原子并且在每种情况下可以被一个或多个R¹基团取代的芳族或杂芳族环系；同时，两个R基团还可以一起形成环系；

R¹在每种情况下相同或不同，并且为H，D，F，Cl，Br，I，N(R²)₂，CN，NO₂，OR²，SR²，Si(R²)₃，B(OR²)₂，COOR²，C(＝O)R²，P(＝O)(R²)₂，S(＝O)R²，S(＝O)₂R²，OSO₂R²，具有1至20个碳原子的直链的烷基基团或具有2至20个碳原子的烯基或炔基基团或具有3至20个碳原子的支链或环状的烷基基团，其中在每种情况下所述烷基、烯基或炔基基团可以被一个或多个R²基团取代，其中一个或多个非相邻CH₂基团可以被Si(R²)₂、C＝O、NR²、O、S或CONR²代替，或芳族或杂芳族环系，所述芳族或杂芳族环系具有5至40个芳族环原子并且在每种情况下可以被一个或多个R²基团取代；同时，两个或更多个R¹基团可以一起形成环系；

R²在每种情况下相同或不同，并且为H，D，F或具有1至20个碳原子的脂族、芳族或杂芳族有机基团、特别是烃基基团，其中一个或多个氢原子还可以被F代替。

当两个R或R¹基团一起形成环系时，所述环系可以为单环或多环的，并且为脂族、杂脂族、芳族或杂芳族的。在此情况下，一起形成环系的这些基团可以相邻，意思是这些基团与同一个碳原子键合或与彼此直接键合的碳原子键合，或这些基团可以彼此远离。优选为在与彼此直接键合的碳原子键合或与同一个碳原子键合的基团中进行此种环形成。

在本说明书的上下文中，两个或更多个基团可以一起形成环的措词应被理解为特别指两个基团通过化学键彼此接合，在形式上消除两个氢原子。这通过以下方案说明：

然而，另外，上文提及的措辞还应理解为是指，如果两个基团之一为氢，则第二个基团与氢原子所键合的位置结合，从而形成环。这将通过以下方案说明：

芳族环系的形成将通过以下方案说明：

本发明上下文中的芳基基团含有6至40个碳原子；本发明上下文中的杂芳基基团含有2至40个碳原子和至少一个杂原子，条件是碳原子和杂原子的总和至少为5。杂原子优选选自N、O和/或S。芳基基团或杂芳基基团在本文中应理解为是指简单的芳族环，即苯；或简单的杂芳族环，例如吡啶、嘧啶、噻吩等；或稠合的芳基或杂芳基基团，例如萘、蒽、菲、喹啉、异喹啉等。

本发明上下文中的芳族环系在环系中含有6至40个碳原子。本发明上下文中的杂芳族环系在环系中含有1至40个碳原子和至少一个杂原子，条件是碳原子和杂原子的总和至少为5。杂原子优选选自N、O和/或S。本发明上下文中的芳族或杂芳族环系应理解为是指以下体系，其不必仅含有芳基或杂芳基基团，而是其中多个芳基或杂芳基基团还可以间隔有非芳族单元(优选少于除H以外的原子的10％)，例如碳、氮或氧原子或羰基基团。因此，例如，诸如9,9'-螺二芴、9,9-二芳基芴、三芳基胺、二芳基醚和茋等的体系也被认为是本发明上下文中的芳族环系，并且其中两个或更多个芳基基团间隔有例如直链或环状的烷基基团或甲硅烷基基团的体系也是如此。另外，其中两个或更多个芳基或杂芳基基团彼此直接键合的体系，例如联苯、三联苯、四联苯或联吡啶也应该被认为是芳族或杂芳族环系。优选的芳族或杂芳族环系为芳基或杂芳基基团和其中两个或更多个芳基或杂芳基基团彼此直接键合的体系，以及芴和螺二芴基团。

本发明上下文中的环状烷基基团应理解为是指单环、二环或多环基团。

在本发明的上下文中，其中个别氢原子或CH₂基团还可以被上文提及的基团代替的C₁至C₂₀烷基基团，应理解为是指例如甲基、乙基、正丙基、异丙基、环丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、环丁基、2-甲基丁基、正戊基、仲戊基、叔戊基、2-戊基、新戊基、环戊基、正己基、仲己基、叔己基、2-己基、3-己基、新己基、环己基、1-甲基环戊基、2-甲基戊基、正庚基、2-庚基、3-庚基、4-庚基、环庚基、1-甲基环己基、正辛基、2-乙基己基、环辛基、1-二环[2.2.2]辛基、2-二环[2.2.2]辛基、2-(2,6-二甲基)辛基、3-(3,7-二甲基)辛基、金刚烷基、三氟甲基、五氟乙基、2,2,2-三氟乙基、1,1-二甲基-正己-1-基、1,1-二甲基-正庚-1-基、1,1-二甲基-正辛-1-基、1,1-二甲基-正癸-1-基、1,1-二甲基-正十二烷-1-基、1,1-二甲基-正十四烷-1-基、1,1-二甲基-正十六烷-1-基、1,1-二甲基-正十八烷-1-基、1,1-二乙基-正己-1-基、1,1-二乙基-正庚-1-基、1,1-二乙基-正辛-1-基、1,1-二乙基-正癸-1-基、1,1-二乙基-正十二烷-1-基、1,1-二乙基-正十四烷-1-基、1,1-二乙基-正十六烷-1-基、1,1-二乙基-正十八烷-1-基、1-(正丙基)环己-1-基、1-(正丁基)环己-1-基、1-(正己基)环己-1-基、1-(正辛基)环己-1-基和1-(正癸基)环己-1-基基团。烯基基团应理解为是指例如乙烯基、丙烯基、丁烯基、戊烯基、环戊烯基、己烯基、环己烯基、庚烯基、环庚烯基、辛烯基、环辛烯基或环辛二烯基。炔基基团应理解为是指例如乙炔基、丙炔基、丁炔基、戊炔基、己炔基、庚炔基或辛炔基。如对于OR¹或OR²所存在的C₁至C₂₀烷氧基基团应理解为是指例如甲氧基、三氟甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、正丁氧基、异丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基或2-甲基丁氧基。

具有5-40个芳族环原子且在每种情况下还可以被上文提及的基团取代并且可以通过任何期望位置与芳族或杂芳族体系接合的芳族或杂芳族环系，应理解为是指例如衍生自以下物质的基团：苯、萘、蒽、苯并蒽、菲、苯并菲、芘、苣、苝、荧蒽、苯并荧蒽、并四苯、并五苯、苯并芘、联苯、联二苯叉、三联苯、联三苯叉、芴、螺二芴、二氢菲、二氢芘、四氢芘、顺式-或反式-茚并芴、顺式-或反式-单苯并茚并芴、顺式-或反式-二苯并茚并芴、三聚茚、异三聚茚、螺三聚茚、螺异三聚茚、呋喃、苯并呋喃、异苯并呋喃、二苯并呋喃、噻吩、苯并噻吩、异苯并噻吩、二苯并噻吩、吡咯、吲哚、异吲哚、咔唑、吲哚并咔唑、茚并咔唑、吡啶、喹啉、异喹啉、吖啶、菲啶、苯并-5,6-喹啉、苯并-6,7-喹啉、苯并-7,8-喹啉、吩噻嗪、吩

嗪、吡唑、吲唑、咪唑、苯并咪唑、萘并咪唑、菲并咪唑、吡啶并咪唑、吡嗪并咪唑、喹喔啉并咪唑、

唑、苯并

唑、萘并

唑、蒽并

唑、菲并

唑、异

唑、1,2-噻唑、1,3-噻唑、苯并噻唑、哒嗪、苯并哒嗪、嘧啶、苯并嘧啶、喹喔啉、1,5-二氮杂蒽、2,7-二氮杂芘、2,3-二氮杂芘、1,6-二氮杂芘、1,8-二氮杂芘、4,5-二氮杂芘、4,5,9,10-四氮杂苝、吡嗪、吩嗪、吩

嗪、吩噻嗪、荧红环、萘啶、氮杂咔唑、苯并咔啉、菲咯啉、1,2,3-三唑、1,2,4-三唑、苯并三唑、1,2,3-

二唑、1,2,4-

二唑、1,2,5-

二唑、1,3,4-

二唑、1,2,3-噻二唑、1,2,4-噻二唑、1,2,5-噻二唑、1,3,4-噻二唑、1,3,5-三嗪、1,2,4-三嗪、1,2,3-三嗪、四唑、1,2,4,5-四嗪、1,2,3,4-四嗪、1,2,3,5-四嗪、嘌呤、蝶啶、吲哚嗪和苯并噻二唑。

用于本申请上下文中的L¹或L²的表述“二齿亚配体”是指如果V¹或V²基团不存在，则此单元将为二齿配体。然而，由于从该二齿配体形式上夺取氢原子以及与V¹或V²接合，所以它不再是单独的配体，而是因此产生的更高级多齿配体的一部分，所以将术语“亚配体”用于所述配体。

术语“中心亚配体”在上文和随后的描述中使用。根据本发明，此被理解为是指式(1)化合物内同时与Ir和Pt配位的任何亚配体。

为了进一步说明本发明化合物，显示了两种简单的式(1)结构，并在下文中详细阐明：

在这些结构中，与铱和铂配位的中心亚配体为2-苯基嘧啶基团。桥连中心亚配体与两个亚配体L¹的V¹基团为1,3,5-三苯基苯基团。桥连中心亚配体与亚配体L²的V²基团为C(CH₃)₂。两个亚配体L¹也与V¹基团键合，并且在上文描绘的结构中的这些亚配体各自为苯基吡啶。一个亚配体L²也与V²基团键合，并且在上文描绘的结构中的此亚配体为苯基吡啶。标记n为1，意味着该结构仅含有一个铂原子。在两个结构中的每一个中，一个标记m＝1，并且另一个标记m＝0，其中，在第一个结构中，V²基团与V¹基团键合同一个环，并且在第二个结构中，V¹和V²基团与中心亚配体的两个不同的环键合。因此，在上文描绘的结构中，铱与两个苯基吡啶亚配体和一个苯基嘧啶亚配体配位，并且铂与一个苯基吡啶亚配体和一个苯基嘧啶亚配体配位。在本文中，苯基嘧啶的苯基基团和嘧啶基团均与铱和铂配位。

配体与铱或铂的键可以为配位键或共价键，或者所述键的共价部分可以根据配体而变化。当在本申请中称配体或亚配体与铱或铂配位或结合时，在本申请的上下文中，这是指配体或亚配体与金属的任何种类的键，而与键的共价分数无关。

本发明化合物优选不带电，意思是其为电中性的。这是通过亚配体的电荷补偿了金属原子的电荷实现的。因此，优选的是，+III氧化态的铱原子与总共具有三个负电荷的三个二齿亚配体配位，并且+II氧化态的铂原子与总共具有两个负电荷的两个二齿亚配体配位，其中同时与Ir和Pt配位的中心亚配体优选具有两个负电荷。在本文中，当亚配体L¹和L²中的每一个为单阴离子时为优选的。替代地，例如，与Ir和Pt配位的中心亚配体可以通过两个不带电的氮原子与Pt配位，并且L²通过两个阴离子性碳原子与Pt配位。同样地，例如，与Ir和Pt配位的中心亚配体可以通过两个阴离子性碳原子与Pt配位，并且L²通过两个不带电的氮原子与Pt配位。

当n＝1时，本发明化合物为具有一个铱原子和一个铂原子的双核化合物。当n＝2时，本发明化合物为具有一个铱原子和两个铂原子的三核化合物。当n＝3时，本发明化合物为具有一个铱原子和三个铂原子的四核化合物。在本发明的一个优选实施方式中，n＝1。

在本发明的一个优选实施方式中，式(1)化合物选自下式(1')的化合物，

其中，当m＝0时，R基团与相应的V²所键合的碳原子键合，D邻位的R基团在每种情况下相同或不同，并且选自H、D(氘)、F、CH₃和CD₃，且优选为H，并且所用其他符号和标记具有上文详述的定义。

在式(1)的一个优选实施方式中，Ir通过中心亚配体的一个碳原子和一个氮原子配位。在式(1)的一个更优选实施方式中，Pt通过中心亚配体的一个碳原子和一个氮原子或通过中心亚配体的两个碳原子配位。因此，式(1)化合物优选具有下式(1a)至(1f)之一的结构：

其中所用符号和标记具有上文所给的定义。因为式(1e)和(1f)中的中心亚配体通过两个阴离子性碳原子与Pt配位，所以优选的是，这些结构中的亚配体L²通过两个不带电的原子，特别是通过两个不带电的氮原子与Pt配位。

更优选地，Ir和Pt都通过中心亚配体的一个碳原子和一个氮原子配位，因此优选实施方式为式(1a)至(1d)的结构。

在一个优选实施方式中，一个标记m＝1，并且另一个标记m＝0，因此本发明化合物优选每个铂亚络合物具有刚好一个V²基团。另外，在仅具有一个V²基团的化合物中，当此基团在中心亚配体上与通过碳与Ir配位的芳基或杂芳基基团键合时为优选的。因此，优选的化合物为下式(1a-1)至(1f-1)的化合物：

其中所用符号和标记具有上文所给的定义。

在本发明的一个优选实施方式中，式(1a)至(1f)中的X为CR，因此所述结构优选选自式(1a-2)至(1f-2)的化合物

特别优选为下式(1a-3)至(1f-3)的化合物：

其中所用符号和标记具有上文所给的定义。D邻位的R基团在每种情况下优选相同或不同，并且选自H、D(氘)、F、CH₃和CD₃，并且最优选为H。

以下是对V¹基团的优选实施方式的描述。如上所述，V¹为如下的三价基团，当n＝1时它将中心亚配体与两个亚配体L¹彼此接合，或当n＝2时它将两个中心亚配体与亚配体L¹彼此接合，或当n＝3时它将三个中心亚配体彼此接合。

在本发明的一个优选实施方式中，V¹选自下式(2)和(3)的基团：

其中虚线键表示与中心亚配体或与一个或多个亚配体L¹连接的键，R具有上文所给的定义，并且所用的其他符号如下：

A在每种情况下相同或不同，并且为-CR＝CR-、-C(＝O)-NR'-、-C(＝O)-O-、-CR₂-CR₂-、-CR₂-O-或下式(4)的基团：

其中虚线键表示中心亚配体或亚配体L¹与此结构连接的键的位置，并且*表示式(4)单元与中心环状基团，即明确包括在式(2)或(3)中的基团的连接的位置；

X¹在每种情况下相同或不同，并且为CR或N；

X²在每种情况下相同或不同，并且为CR或N，或两个相邻X²基团一起为NR、O或S，因此形成五元环，并且其余的X²在每种情况下相同或不同，并且为CR或N；或当环中的X³基团之一为N时，两个相邻X²基团一起为CR或N，因此形成五元环；条件是不超过两个相邻的X²基团为N；

X³在每种情况下为C，或一个X³基团为N并且同一个环中的其他X³基团为C；条件是当环中的X³基团之一为N时两个相邻的X²基团一起为CR或N；

A¹在每种情况下相同或不同，并且为C(R)₂或O；

A²在每种情况下相同或不同，并且为CR、P(＝O)、B或SiR，条件是当A²＝P(＝O)、B或SiR时，符号A¹为O并且与此A²键合的符号A不为-C(＝O)-NR'-或-C(＝O)-O-；

R'在每种情况下相同或不同，并且为H，D，具有1至20个碳原子的直链的烷基基团或具有3至20个碳原子的支链或环状的烷基基团，其中在每种情况下所述烷基基团可以被一个或多个R¹基团取代，并且其中一个或多个非相邻CH₂基团可以被Si(R¹)₂代替，或具有5至40个芳族环原子并且在每种情况下可以被一个或多个R¹基团取代的芳族或杂芳族环系。

当式(3)中的A²为CR时，特别是当所有A²为CR时，特别是当另外，0、1、2或3个，特别是3个A¹为CR₂时，A²上的R基团可以根据构型处于不同的位置。在本文中，优选为小的R基团，诸如H或D。优选它们全部远离金属(顶端型)或全部向内指向金属(内嵌型)。在下文中通过一个实例对此进行说明，其中A基团各自为邻苯亚基基团。

为了清楚起见，未显示与Ir或Pt配位的第三亚配体，而仅用虚线键指示。因此优选为可以呈现两种构型中的至少一种的络合物。这些络合物是其中所有三个亚配体均平伏排列在中心环上的络合物。

式(2)基团的合适实施方式是下式(5)至(8)的结构，并且式(3)基团的合适实施方式是下式(9)至(13)的结构：

其中符号具有上文所给的定义。

式(2)、(3)和(5)至(13)中的优选R基团如下：

R在每种情况下相同或不同，并且为H，D，F，CN，OR¹，具有1至10个碳原子的直链的烷基基团或具有2至10个碳原子的烯基基团或具有3至10个碳原子的支链或环状的烷基基团，所述基团中的每一个可以被一个或多个R¹基团取代，或具有5至24个芳族环原子并且在每种情况下可以被一个或多个R¹基团取代的芳族或杂芳族环系；

R¹在每种情况下相同或不同，并且为H，D，F，CN，OR²，具有1至10个碳原子的直链的烷基基团或具有2至10个碳原子的烯基基团或具有3至10个碳原子的支链或环状的烷基基团，所述基团中的每一个可以被一个或多个R²基团取代，或具有5至24个芳族环原子并且在每种情况下可以被一个或多个R²基团取代的芳族或杂芳族环系；同时，两个或更多个相邻R¹基团可以一起形成环系；

R²在每种情况下相同或不同，并且为H，D，F或具有1至20个碳原子的脂族、芳族或杂芳族有机基团，其中一个或多个氢原子还可以被F代替。

式(2)、(3)和(5)至(13)中的特别优选R基团如下：

R在每种情况下相同或不同，并且为H，D，F，CN，具有1至4个碳原子的直链的烷基基团或具有3至6个碳原子的支链或环状的烷基基团，所述烷基基团中的每一个可以被一个或多个R¹基团取代，或具有6至12个芳族环原子并且在每种情况下可以被一个或多个R¹基团取代的芳族或杂芳族环系；

R¹在每种情况下相同或不同，并且为H，D，F，CN，具有1至4个碳原子的直链的烷基基团或具有3至6个碳原子的支链或环状的烷基基团，所述烷基基团中的每一个可以被一个或多个R²基团取代，或具有6至12个芳族环原子并且在每种情况下可以被一个或多个R²基团取代的芳族或杂芳族环系；同时，两个或更多个相邻R¹基团可以一起形成环系；

R²在每种情况下相同或不同，并且为H、D、F或具有1至12个碳原子的脂族或芳族烃基基团。

在本发明的一个优选实施方式中，式(2)基团中的所有X¹基团均为CR，因此式(2)的中心三价环为苯。更优选地，所有X¹基团为CH或CD，特别是CH。在本发明的一个更优选实施方式中，所有X¹基团均为氮原子，因此式(2)的中心三价环为三嗪。因此，式(2)的优选实施方式为上文描绘的式(5)和(6)的结构。更优选地，式(5)的结构为下式(5')的结构：

其中符号具有上文所给的定义。

在本发明的一个更优选实施方式中，式(3)基团中的所有A²基团均为CR。更优选地，所有A²基团均为CH。因此，式(3)的优选实施方式为上文描绘的式(9)的结构。更优选地，式(9)的结构为下式(9')或(9”)的结构：

其中符号具有上文所给的定义并且R优选为H。

如上文已经描述的，这些结构中的R基团还可以彼此形成环系。例如，通过由式(9')中的R基团形成环，可以形成金刚烷桥头，如以下两个式所示：

下面描述在式(2)和(3)以及(5)至(13)的结构中出现的优选的A基团。A基团在每种情况下可以相同或不同，并且可以是烯基基团、酰胺基团、酯基团、烷亚基基团、甲亚基醚基团或式(4)的邻位键合的芳亚基或杂芳亚基基团。当A为烯基基团时，其为顺式键合的烯基基团。在不对称的A基团的情况下，基团的任何取向都是可行的。例如，当A＝-C(＝O)-O-时，碳原子或羰基基团可以与中心亚配体或与亚配体L¹结合。当A＝-N(R¹)-C(＝O)-时，该情况类似地适用。

在本发明的一个优选实施方式中，A基团在每种情况下相同或不同，优选相同，并且选自-CR₂-CR₂-、-C(＝O)-O-、-C(＝O)-NR'-或式(4)的基团。更优选地，所有A基团均相同，并且具有相同的取代。式(2)或(3)内的A基团的优选组合以及优选实施方式为：

当A为-C(＝O)-NR'-时，R'在每种情况下优选相同或不同，并且为具有1至10个碳原子的直链的烷基基团或具有3至10个碳原子的支链或环状的烷基基团，或具有6至24个芳族环原子并且在每种情况下可以被一个或多个R¹基团取代的芳族或杂芳族环系。更优选地，R'在每种情况下相同或不同，并且为具有1至5个碳原子的直链的烷基基团或具有3至6个碳原子的支链或环状的烷基基团，或具有6至12个芳族环原子并且在每种情况下可以被一个或多个R¹基团取代、但优选未取代的芳族或杂芳族环系。

式(4)基团的优选实施方式如下所述。式(4)基团可以表示杂芳族五元环或者芳族或杂芳族六元环。在本发明的一个优选实施方式中，式(4)基团在芳族或杂芳族杂芳族单元中含有不超过两个杂原子，更优选不超过一个杂原子。这并非意味着与此基团键合的任何取代基不能也含有杂原子。另外，该定义并非意味着由取代基形成的环不会产生稠合的芳族或杂芳族结构，例如萘、苯并咪唑等。

当式(4)中的两个X³基团均为碳原子时，式(4)基团的优选实施方式为下式(14)至(30)的结构，并且当一个X³基团为碳原子并且同一个环中的另一个X³基团为氮原子时，式(4)基团的优选实施方式为下式(31)至(38)的结构：

其中符号具有上文所给的定义。

特别优选为上文描绘的式(14)至(18)的六元芳族环和杂芳族环。非常特别优选为邻苯亚基，即上文提及的式(14)的基团。

同时，相邻R取代基还可以一起形成环系，使得可以形成稠合的结构，包括稠合的芳基和杂芳基基团，例如萘、喹啉、苯并咪唑、咔唑、二苯并呋喃或二苯并噻吩。下文在上文提及的式(14)基团中示意性显示了此种环形成，此种环形成可以例如得到下式(14a)至(14j)的基团：

其中符号具有上文所给的定义。

通常，稠合的基团可以在式(4)单元中的任何位置上稠合，如式(14a)至(14c)中的稠合苯并基团所示。因此，在式(14d)至(14j)中，在式(4)单元上稠合的基团还可以在式(4)单元中的其他位置上稠合。

优选的式(2)基团为式(5)基团，并且优选的式(3)基团为式(9)基团。式(5)基团可以更优选地由下式(5a)至(5x)表示，并且式(9)基团可以更优选地由下式(9a)至(9x)表示：

其中符号具有上文所给的定义。优选地，X²在每种情况下相同或不同，并且为CR，特别是CH。

在其中两个A基团相同并且第三个A基团不同于前两个A基团的上文描绘的结构中，当n＝1时，当相同A基团均与L¹结合并且不同于前两个A基团的A基团与中心亚配体结合时为优选的。另外，当n＝2时，两个相同A基团均与中心亚配体结合并且不同于前两个A基团的A基团与L¹结合时为优选的。

式(2)基团的一个特别优选实施方式为下式(5a”)的基团：

其中符号具有上文所给的定义。

更优选地，上文提及的式中的R基团相同或不同，并且为H、D或具有1至4个碳原子的烷基基团。最优选地，R＝H。因此，非常特别优选为下式(5a”')的结构：

其中符号具有上文所给的定义。

其他合适的桥头V¹为下式(V¹-a)的结构：

其中A和R具有上文所给的定义，并且V为CR、N、SiR、P或P＝O，优选CR或N。在此情况下，甲亚基基团上明确显示的取代基R优选为H。

以下是对V²基团的优选实施方式的描述。如上文所述，V²为将中心亚配体与亚配体L²彼此接合的二价基团或单键。

在本发明的一个优选实施方式中，V²为二价基团。此优选选自CR₂、NR、O、S、Se、-CR₂-CR₂-、-CR₂-O-、-CR＝CR-或具有5或6个芳族环原子并且可以被一个或多个R基团取代的邻位键合的芳亚基或杂芳亚基基团。当V²为邻位键合的芳亚基或杂芳亚基基团时，优选实施方式为上文作为式(4)结构的优选实施方式阐述的基团。

当一个标记m＝1并且另一个标记m＝0时，优选的是，当m＝1时相应的V²基团选自NR、CR₂、O和S，更优选NR、CR₂和O。

当两个标记m＝1时，优选的是，当V²基团之一选自CR₂、NR、O或S，更优选CR₂或NR，并且另一个V²基团选自-CR₂-CR₂-、-CR₂-O-、-CR＝CR-或具有5或6个芳族环原子并且可以被一个或多个R基团取代的邻位键合的芳亚基或杂芳亚基基团。

当V²为CR₂、-CR₂-CR₂-、-CR₂-O-或-CR＝CR-基团时，优选的R基团在每种情况下相同或不同，并且选自H，具有1至10个碳原子并且还可以被一个或多个R¹基团取代的烷基基团，或具有5至13个芳族环原子并且可以被一个或多个R¹基团取代的芳族或杂芳族环系。在本文中，与同一个碳原子或两个相邻碳原子结合的多个R基团还可以彼此形成环系。更优选地，这些R基团在每种情况下相同或不同，并且选自H，具有1至5个碳原子的烷基基团，和具有5至10个芳族环原子并且可以被一个或多个R¹基团取代的芳族或杂芳族环系。在本文中，与同一个碳原子或两个相邻碳原子结合的多个R基团还可以彼此形成环系。

当V²为NR基团时，优选的R基团选自具有1至10个碳原子并且还可以被一个或多个R¹基团取代的烷基基团，或具有5至24个芳族环原子并且可以被一个或多个R¹基团取代的芳族或杂芳族环系。更优选地，这些R基团选自具有5至13个芳族环原子、更优选具有6至10个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，所述芳族或杂芳族环系在每种情况下可以被一个或多个R¹基团取代。

下文为二齿亚配体L¹和L²的描述。亚配体L¹和L²可以相同或不同。在本文中，当在含有两个亚配体L¹的化合物中，这些亚配体相同并且具有相同的取代时为优选的。在本发明的一个优选实施方式中，二齿亚配体L¹为单阴离子。在本发明的一个更优选实施方式中，二齿亚配体L²为单阴离子或不带电。

在本发明的一个更优选实施方式中，二齿亚配体L¹和L²的配位原子在每种情况下相同或不同，并且选自C、N、P、O、S和/或B，更优选C、N和/或O并且最优选C和/或N。二齿亚配体L¹优选各自具有一个碳原子和一个氮原子或两个碳原子或两个氮原子或两个氧原子或一个氧原子和一个氮原子作为配位原子。另外，二齿亚配体L²优选各自具有一个碳原子和一个氮原子或两个氮原子作为配位原子。在此情况下，亚配体L¹和L²中的每一个的配位原子可以相同，或其可以不同。优选地，二齿亚配体L¹中的至少一个具有一个碳原子和一个氮原子或两个碳原子作为配位原子，特别是一个碳原子和一个氮原子。更优选地，所有二齿亚配体L¹和L²均具有一个碳原子和一个氮原子或两个碳原子作为配位原子，特别是一个碳原子和一个氮原子。因此，特别优选为如下金属络合物，其中所有亚配体被邻位金属化，即与Ir或Pt形成金属环，在该金属络合物中存在至少一个金属-碳键。

优选的是，由铱或铂和二齿亚配体L¹或L²形成的金属环为五元环，特别是当配位原子为C和N、N和N、或N和O时是更优选的。当配位原子为O时，六元金属环也可以为优选的。下文对此进行了示意性显示：

其中M为Ir或Pt，N为配位氮原子，C为配位碳原子并且O表示配位氧原子，并且所示碳原子为二齿亚配体L¹或L²的原子。

在本发明的一个优选实施方式中，L²和二齿亚配体L¹中的至少一个以及更优选所有二齿亚配体L¹在每种情况下相同或不同，并且选自下式(L-1)、(L-2)和(L-3)的结构：

其中虚线键表示亚配体L¹与V¹连接的键或亚配体L²与V²连接的键，并且所用的其他符号如下：

CyC在每种情况下相同或不同，并且为取代或未取代的芳基或杂芳基基团，所述芳基或杂芳基基团具有5至14个芳族环原子，并且通过碳原子与M配位并通过共价键与CyD键合；

CyD在每种情况下相同或不同，并且为取代或未取代的杂芳基基团，所述杂芳基基团具有5至14个芳族环原子，并且通过氮原子或通过卡宾碳原子与M配位并通过共价键与CyC键合；

同时，两个或更多个任选的取代基可以一起形成环系；另外，任选的基团优选选自上文提及的R基团。

同时，式(L-1)和(L-2)亚配体中的CyD优选通过不带电的氮原子或通过卡宾碳原子，特别是通过不带电的氮原子配位。更优选地，式(L-3)配体中的两个CyD基团之一通过不带电的氮原子配位，并且两个CyD基团中的另一个通过阴离子性氮原子配位，或两个CyD基团均通过不带电的氮原子配位。更优选地，式(L-1)和(L-2)亚配体中的CyC通过阴离子性碳原子配位。

当两个或更多个取代基，特别是两个或更多个R基团一起形成环系时，环系可以由与直接相邻碳原子键合的取代基形成。另外，式(L-1)和(L-2)中CyC和CyD上的取代基或式(L-3)中两个CyD基团上的取代基还可以一起形成环，因此CyC和CyD或两个CyD基团还可以一起形成单个稠合的芳基或杂芳基基团作为二齿配体。

在本发明的一个优选实施方式中，CyC为具有6至13个芳族环原子，更优选具有6至10个芳族环原子，最优选具有6个芳族环原子的芳基或杂芳基基团，特别是苯基，所述芳基或杂芳基基团通过碳原子与金属配位，可以被一个或多个R基团取代并且通过共价键与CyD键合。

CyC基团的优选实施方式为下式(CyC-1)至(CyC-20)的结构：

其中在每种情况下CyC与CyD中由#指示的位置结合并且在由*指示的位置处与金属配位，R具有上文所给的定义并且所用的其他符号如下：

X在每种情况下相同或不同，并且为CR或N，条件是每个环不超过两个符号为N；

W为NR、O或S；

条件是，当亚配体L¹通过CyC与V¹键合时，一个符号X为C并且V¹与此碳原子键合，另外，条件是当亚配体L²通过CyC与V²键合时，一个符号X为C并且V²与此碳原子键合。当亚配体L¹通过CyC基团与V¹键合时，所述键合优选通过上文描绘的式中标记有“o”的位置进行，因此在此情况下，标记有“o”的符号X优选为C。上文描绘的不含标记有“o”的任何符号X的L¹的结构优选不与V¹直接键合，因为此种与桥连基连接的键由于空间原因是不利的。当亚配体L²通过CyC基团与V²键合时，所述键合优选通过与Pt配位的邻位进行。

优选地，CyC中总共不超过两个符号X为N，更优选CyC中不超过一个符号X为N，并且最优选所有符号X为CR，条件是当CyC与V¹或V²键合时，一个符号X为C并且V¹或V²与此碳原子键合。

特别优选的CyC基团为下式(CyC-1a)至(CyC-20a)的基团：

其中符号具有上文所给的定义，条件是当亚配体L¹通过CyC与V¹键合时，一个R基团不存在，并且V¹与相应的碳原子键合，另外，条件是当亚配体L²通过CyC与V²键合时，一个R基团不存在，并且V²与相应的碳原子键合。当亚配体L¹通过CyC基团与V¹键合时，所述键合优选通过上文描绘的式中标记有“o”的位置进行，因此在此情况下，标记有“o”的位置中的R基团优选不存在。上文描绘的不含标记为“o”的任何碳原子的L¹的结构优选不与V¹直接键合，因为此种与桥连基连接的键由于空间原因是不利的。当亚配体L²通过CyC与V²键合时，所述键合优选通过与Pt配位的邻位进行。

(CyC-1)至(CyC-20)基团中的优选基团为(CyC-1)、(CyC-3)、(CyC-8)、(CyC-10)、(CyC-12)、(CyC-13)和(CyC-16)基团，并且特别优选为(CyC-1a)、(CyC-3a)、(CyC-8a)、(CyC-10a)、(CyC-12a)、(CyC-13a)和(CyC-16a)基团。

在本发明的另一个优选实施方式中，CyD为具有5至13个芳族环原子，更优选具有6至10个芳族环原子的杂芳基基团，所述杂芳基基团通过不带电的氮原子或通过卡宾碳原子与金属配位，并且可以被一个或多个R基团取代并通过共价键与CyC键合。

CyD基团的优选实施方式为下式(CyD-1)至(CyD-14)的结构：

其中在每种情况下CyD基团与CyC中由#指示的位置结合且在由*指示的位置处与金属配位，并且其中X、W和R具有上文所给的定义，条件是当亚配体L¹通过CyD与V¹键合时，一个符号X为C且V¹与此碳原子键合，另外，条件是当亚配体L²通过CyD与V²键合时，一个符号X为C且V²与此碳原子键合。当亚配体L¹通过CyD基团与V¹键合时，所述键合优选通过上文描绘的式中标记有“o”的位置进行，因此在此情况下，标记有“o”的符号X优选为C。上文描绘的不含标记有“o”的任何符号X的L¹的结构优选不与V¹直接键合，因为此种与桥连基连接的键由于空间原因是不利的。当亚配体L²通过CyD与V²键合时，所述键合优选通过与Pt配位的邻位进行。

在此情况下，(CyD-1)至(CyD-4)、(CyD-7)至(CyD-10)、(CyD-13)和(CyD-14)基团通过不带电的氮原子与金属配位，(CyD-5)和(CyD-6)基团通过卡宾碳原子配位，并且(CyD-11)和(CyD-12)基团通过阴离子性氮原子配位。

优选地，CyD中总共不超过两个符号X为N，更优选CyD中不超过一个符号X为N，并且特别优选所有符号X为CR，条件是当CyD与V¹或V²键合时，一个符号X为C并且V¹或V²与此碳原子键合。

特别优选的CyD基团为下式(CyD-1a)至(CyD-14b)的基团：

其中所用符号具有上文所给的定义，并且当CyD与V¹或V²键合时，一个R基团不存在，并且V¹或V²与相应碳原子键合。当亚配体L¹通过CyD基团与V¹键合时，所述键合优选通过上文描绘的式中标记有“o”的位置进行，因此在此情况下，相应R基团优选不存在。上文描绘的不含标记有“o”的任何碳原子的L¹的结构优选不与V¹直接键合，因为此种与桥连基连接的键由于空间原因是不利的。当亚配体L²通过CyD基团与V²键合时，所述键合优选通过与Pt配位的邻位进行。

(CyD-1)至(CyD-14)基团中的优选基团为(CyD-1)、(CyD-2)、(CyD-3)、(CyD-4)、(CyD-5)和(CyD-6)基团，特别是(CyD-1)、(CyD-2)和(CyD-3)，并且特别优选为(CyD-1a)、(CyD-2a)、(CyD-3a)、(CyD-4a)、(CyD-5a)和(CyD-6a)基团，特别是(CyD-1a)、(CyD-2a)和(CyD-3a)。

在本发明的一个优选实施方式中，CyC为具有6至13个芳族环原子的芳基或杂芳基基团，并且同时CyD为具有5至13个芳族环原子的杂芳基基团。更优选地，CyC为具有6至10个芳族环原子的芳基或杂芳基基团，并且同时CyD为具有5至10个芳族环原子的杂芳基基团。最优选地，CyC为具有6个芳族环原子的芳基或杂芳基基团，特别是苯基，并且CyD为具有6至10个芳族环原子的杂芳基基团。同时，CyC和CyD可以被一个或多个R基团取代。

上文提及的优选的(CyC-1)至(CyC-20)和(CyD-1)至(CyD-14)基团可以根据需要彼此组合在式(L-1)和(L-2)的亚配体中，条件是CyC或CyD基团中的至少一个具有与V¹或V²基团的合适附着位点。当上文指定为特别优选的CyC和CyD基团，即式(CyC-1a)至(CyC-20a)的基团和式(CyD-1a)至(CyD-14b)的基团彼此组合时，为特别优选的，条件是优选的CyC或CyD基团中的至少一个具有与V¹或V²的合适附着位点。

当(CyC-1)、(CyC-3)、(CyC-8)、(CyC-10)、(CyC-12)、(CyC-13)和(CyC-16)基团以及特别地(CyC-1a)、(CyC-3a)、(CyC-8a)、(CyC-10a)、(CyC-12a)、(CyC-13a)和(CyC-16a)基团之一与(CyD-1)、(CyD-2)和(CyD-3)基团之一并且特别是与(CyD-1a)、(CyD-2a)和(CyD-3a)基团之一组合时，为非常特别优选的。

优选的亚配体(L-1)是下式(L-1-1)和(L-1-2)的结构，并且优选的亚配体(L-2)是下式(L-2-1)至(L-2-3)的结构：

其中所用符号具有上文所给的定义，如果所述结构为L¹的一个实施方式，则*指示与Ir或Pt的配位位置，并且“o”表示与V¹的键合位置。如果所述结构为L²的一个实施方式，则V²优选键合在与Pt配位的邻位处。在此情况下，与V¹或V²键合的符号X为C。

更优选地，在这些结构中，X在每种情况下相同或不同，并且为CR，因此所述结构优选为下式(L-1-1a)至(L-2-3a)的化合物：

其中所用符号具有上文所给的定义，并且如果所述结构为L¹的一个实施方式，则“o”表示与V¹的键合位置。如果所述结构为L²的一个实施方式，则V²优选键合在与Pt配位的邻位处。在此情况下，与V¹或V²键合的碳原子上的R基团不存在。

同样地，式(L-3)亚配体中的上文提及的优选CyD基团可以根据需要彼此组合，该组合通过将不带电的CyD基团，即(CyD-1)至(CyD-10)、(CyD-13)或(CyD-14)基团，与阴离子性CyD基团，即(CyD-11)或(CyD-12)基团组合，或通过将两个不带电的CyD基团彼此组合进行，条件是CyD基团中的至少一个具有与V¹或V²的合适附着位点。

当两个R基团彼此形成芳族环系时，其中在式(L-1)和(L-2)中，该两个R基团中之一与CyC键合并且另一个与CyD键合，或在式(L-3)中，该两个R基团中之一与一个CyD基团键合并且另一个与另一个CyD键合，此可以产生桥连的亚配体以及整体上表示单个较大杂芳基基团的亚配体，例如苯并[h]喹啉等。式(L-1)和(L-2)中的CyC和CyD上取代基之间或式(L-3)中的两个CyD基团上取代基之间的环形成优选通过根据下式(39)至(48)之一的基团进行：

其中R¹具有上文所给的定义并且虚线键表示与CyC或CyD连接的键。同时，可以将上文提及内容中的不对称基团引入两个可行取向中的每一个中；例如，在式(48)的基团中，氧原子可以与CyC基团结合并且羰基基团可以与CyD基团结合，或氧原子可以与CyD基团结合并且羰基基团可以与CyC基团结合。

同时，式(45)的基团在引起环形成以产生例如由式(L-22)和(L-23)所示六元环时为特别优选的。

通过在不同环中的两个R基团之间形成环而产生的优选配体为下式(L-4)至(L-31)的结构：

其中所用符号具有上文所给的定义，并且“o”给出在L¹的一个实施方式的情况下此亚配体与V¹接合的位置。如果所述结构为L²的一个实施方式，则V²优选键合在与Pt配位的邻位处。在此情况下，与V¹或V²键合的符号X为碳。

在式(L-4)至(L-31)的亚配体的一个优选实施方式中，总共一个符号X为N，并且其他符号X为CR，或所有符号X均为CR。

在本发明的另一个实施方式中，如果在基团(CyC-1)至(CyC-20)或(CyD-1)至(CyD-14)中或在亚配体(L-1-1)至(L-2-3)、(L-4)至(L-31)中，原子X之一为N，此时作为与此氮原子相邻的取代基键合的R基团不是氢或氘，则为优选的。类似地，这适用于优选结构(CyC-1a)至(CyC-20a)或(CyD-1a)至(CyD-14b)，其中与非配位氮原子相邻键合的取代基优选为不是氢或氘的R基团。在此情况下，此取代基R优选为选自以下的基团：CF₃；OR¹，其中R¹为具有1至10个碳原子的烷基基团；具有1至10个碳原子的烷基基团，特别是具有3至10个碳原子的支链或环状的烷基基团；具有2至10个碳原子的二烷基氨基基团；芳族或杂芳族环系；或芳烷基或杂芳烷基基团。这些基团为在空间上有要求的基团。更优选地，此R基团也可以与相邻R基团形成环。

其他合适的二齿亚配体L¹或L²为下式(L-32)或(L-33)的亚配体：

其中R具有上文所给的定义，在L¹的一个实施方式的情况下，*表示与金属配位的位置，“o”表示亚配体与V¹的连接位置，并且所用的其他符号如下：

X在每种情况下相同或不同并且为CR或N，条件是每个环不超过一个符号X为N，另外条件是，一个符号X为C并且亚配体通过此碳原子与V¹或V²键合。

当(L-32)或(L-33)为L²的一个实施方式时，通过碳原子与Pt配位的环上与V²连接的键在此碳原子的邻位。

当与亚配体(L-32)和(L-33)中的相邻碳原子键合的两个R基团彼此形成芳族环时，此环与两个相邻碳原子一起优选为下式(49)的结构：

其中虚线键表示此基团在亚配体内的连接，并且Y在每种情况下相同或不同，并且为CR¹或N，其中优选地，不超过一个符号Y为N。在亚配体(L-32)或(L-33)的一个优选实施方式中，存在不超过一个式(50)基团。在本发明的一个优选实施方式中，在式(L-32)和(L-33)的亚配体中，总共0、1或2个符号X以及Y(如果存在Y的话)为N。更优选地，总共0或1个符号X以及Y(如果存在Y的话)为N。

其他合适的二齿亚配体L¹或L²为下式(L-34)至(L-38)的结构，其中两个二齿亚配体L¹中优选不超过一个为这些结构之一，

其中亚配体(L-34)至(L-36)各自通过明确显示的氮原子和带负电的氧原子与金属配位，并且亚配体(L-37)和(L-38)通过两个氧原子与金属配位，X具有上文所给的定义并且“o”指示亚配体L¹与V¹或亚配体L²与V²的接合位置。当(L-35)为L²的一个实施方式时，优选的是V²为单键。

式(L-34)至(L-36)的优选亚配体为下式(L-34a)至(L-36a)的亚配体：

其中所用符号具有上文所给的定义，并且“o”指示亚配体L¹与V¹或亚配体L²与V²的接合位置。

更优选地，在这些式中，R为氢，其中“o”指示亚配体L¹与V¹或L²与V²的接合位置，因此所述结构为下式(L-34b)至(L-36b)的那些结构：

其中所用符号具有上文所给的定义。

当作为单阴离子性亚配体的亚配体L¹和/或L²通过两个氮原子与铱或铂配位时，所述亚配体优选相同或不同，并且为下式(L-39)、(L-40)和(L-41)之一的亚配体：

其中X和R¹具有上文所给的定义，并且其中每个环不超过一个X基团为N，并且R^B在每种情况下相同或不同，并且选自F，OR¹，具有1至10个碳原子的直链的烷基基团或具有3至10个碳原子的支链或环状的烷基基团，其中所述烷基基团在每种情况下可以被一个或多个R¹基团取代，或具有5至24个芳族环原子并且在每种情况下可以被一个或多个R¹基团取代的芳族或杂芳族环系；同时两个R^B基团还可以一起形成环系。在此情况下，亚配体与铱或铂通过用*标记的两个氮原子配位。

下文描述了可以存在于上述亚配体上，而且当A为式(4)基团时也可以存在于A上的优选取代基。

在本发明的一个实施方式中，本发明化合物含有两个取代基R，所述两个取代基与相邻碳原子键合并且一起形成根据下文所述式之一的脂族环。在此情况下，形成此脂族环的两个R取代基可以存在于式(2)或(3)的桥连基或优选实施方式上和/或二齿亚配体L¹和/或L²中的一个或多个上。通过两个取代基R一起形成环而形成的脂族环优选由下式(50)至(56)之一描述：

其中R¹和R²具有上文所给的定义，虚线键表示两个碳原子在配体中的连接，并且，另外：

Z¹、Z³在每种情况下相同或不同，并且为C(R³)₂、O、S、NR³或C(＝O)；

Z²为C(R¹)₂、O、S、NR³或C(＝O)；

G为具有1、2或3个碳原子并且可以被一个或多个R²基团取代的烷亚基基团；-CR²＝CR²-；或具有5至14个芳族环原子并且可以被一个或多个R²基团取代的邻位键合的芳亚基或杂芳亚基基团；

R³在每种情况下相同或不同，并且为H，F，具有1至10个碳原子的直链的烷基或烷氧基基团，具有3至10个碳原子的支链或环状的烷基或烷氧基基团，其中所述烷基或烷氧基基团在每种情况下可以被一个或多个R²基团取代，其中一个或多个非相邻CH₂基团可以被R²C＝CR²、C≡C、Si(R²)₂、C＝O、NR²、O、S或CONR²代替，或具有5至24个芳族环原子并且在每种情况下可以被一个或多个R²基团取代的芳族或杂芳族环系，或具有5至24个芳族环原子并且可以被一个或多个R²基团取代的芳氧基或杂芳氧基基团；同时，与同一个碳原子键合的两个R³基团可以一起形成脂族或芳族环系并且因此形成螺环系；另外，R³与相邻R或R¹基团可以形成脂族环系；

条件是这些基团中没有两个杂原子彼此直接键合，并且没有两个C＝O基团彼此直接键合。

在本发明的一个优选实施方式中，R³不为H。

在上文描绘的式(50)至(56)的结构和指定为优选的这些结构的其他实施方式中，在形式上描绘了两个碳原子之间的双键。此为化学结构的简化，此时这两个碳原子被引入到芳族或杂芳族体系中，因此，这两个碳原子之间的键在形式上在单键和双键的键合水平之间。因此，形式双键的绘制不应被解释为对结构进行限制；而是对于本领域技术人员清楚的是，此为芳族键。

当本发明结构中的相邻基团形成脂族环系时，当后者不具有任何酸性苄基质子时为优选的。苄基质子应理解为是指结合与配体直接键合的碳原子的质子。此可以通过脂族环系中的碳原子实现，所述碳原子直接结合被完全取代且不含任何键合氢原子的芳基或杂芳基基团。因此，式(50)至(52)中酸性苄基质子的不存在是通过Z¹和Z³实现，此时它们为C(R³)₂，经定义使得R³不为氢。另外，此还可以通过脂族环系中的碳原子实现，所述碳原子直接结合作为二环或多环结构中的桥头的芳基或杂芳基基团。由于二环或多环的空间结构，与桥头碳原子键合的质子的酸性显著低于不键合在二环或多环结构内的碳原子上的苄基质子，并且在本发明的上下文中被认为是非酸性质子。因此，式(53)至(56)中酸性苄基质子的不存在是通过使其为二环结构实现的，因此当R¹为H时，R¹的酸性远低于苄基质子，因为二环结构的相应阴离子不是内消旋稳定的。因此，即使当式(53)至(56)中的R¹为H时，此在本申请的上下文中也为非酸性质子。

在式(50)至(56)结构的一个优选实施方式中，Z¹、Z²和Z³基团中不超过一个为杂原子，特别是O或NR³，并且其他基团为C(R³)₂或C(R¹)₂，或Z¹和Z³在每种情况下相同或不同，并且为O或NR³，并且Z²为C(R¹)₂。在本发明的一个特别优选实施方式中，Z¹和Z³在每种情况下相同或不同，并且为C(R³)₂，并且Z²为C(R¹)₂，并且更优选为C(R³)₂或CH₂。

因此，式(50)的优选实施方式为式(50-A)、(50-B)、(50-C)和(50-D)的结构，并且式(50-A)的一个特别优选实施方式为式(50-E)和(50-F)的结构：

其中R¹和R³具有上文所给的定义，并且Z¹、Z²和Z³在每种情况下相同或不同，并且为O或NR³。

式(51)的优选实施方式为下式(51-A)至(51-F)的结构：

式(52)的优选实施方式为下式(52-A)至(52-E)的结构：

在式(53)结构的一个优选实施方式中，与桥头键合的R¹基团为H、D、F或CH₃。更优选地，Z²为C(R¹)₂或O，并且更优选为C(R³)₂。因此，式(53)的优选实施方式为式(53-A)和(53-B)的结构，并且式(53-A)的一个特别优选实施方式为式(53-C)的结构：

其中所用符号具有上文所给的定义。

在式(54)、(55)和(56)结构的一个优选实施方式中，与桥头键合的R¹基团为H、D、F或CH₃。更优选地，Z²为C(R¹)₂。因此，式(54)、(55)和(56)的优选实施方式为式(54-A)、(55-A)和(56-A)的结构：

其中所用符号具有上文所给的定义。

进一步优选地，式(53)、(53-A)、(53-B)、(53-C)、(54)、(54-A)、(55)、(55-A)、(56)和(56-A)中的G基团为可以被一个或多个R²基团取代的1,2-乙亚基基团，其中R²在每种情况下优选相同或不同，并且为H或具有1至4个碳原子的烷基基团，或具有6至10个碳原子并且可以被一个或多个R²基团取代但优选未取代的邻芳亚基基团，特别是可以被一个或多个R²基团取代但优选未取代的邻苯亚基基团。

在本发明的另一个优选实施方式中，式(50)至(56)基团中以及优选实施方式中的R³在每种情况下相同或不同，并且为F，具有1至10个碳原子的直链的烷基基团或具有3至20个碳原子的支链或环状的烷基基团，其中在每种情况下一个或多个非相邻CH₂基团可以被R²C＝CR²代替并且一个或多个氢原子可以被D或F代替，或具有5至14个芳族环原子并且在每种情况下可以被一个或多个R²基团取代的芳族或杂芳族环系；同时，与同一个碳原子键合的两个R³基团可以一起形成脂族或芳族环系并且因此形成螺环系；另外，R³可以与相邻R或R¹基团形成脂族环系。

在本发明的一个特别优选实施方式中，式(50)至(56)基团中以及优选实施方式中的R³在每种情况下相同或不同，并且为F，具有1至3个碳原子的直链的烷基基团，特别是甲基，或具有5至12个芳族环原子并且在每种情况下可以被一个或多个R²基团取代、但优选未取代的芳族或杂芳族环系；同时，与同一个碳原子键合的两个R³基团可以一起形成脂族或芳族环系并且因此形成螺环系；另外，R³可以与相邻R或R¹基团形成脂族环系。

特别合适的式(50)基团的实例为下文描绘的基团：

特别合适的式(51)基团的实例为下文描绘的基团：

特别合适的式(52)、(55)和(56)基团的实例为下文描绘的基团：

特别合适的式(53)基团的实例为下文描绘的基团：

特别合适的式(54)基团的实例为下文描绘的基团：

当R基团键合在二齿亚配体或配体内或者键合在式(2)至(3)内的式(4)二价芳亚基或杂芳亚基或优选实施方式内时，这些R基团在每种情况下相同或不同，并且优选选自H，D，F，Br，I，N(R¹)₂，OR¹，CN，Si(R¹)₃，B(OR¹)₂，C(＝O)R¹，具有1至10个碳原子的直链的烷基基团或具有2至10个碳原子的烯基基团或具有3至10个碳原子的支链或环状的烷基基团，其中在每种情况下所述烷基或烯基基团可以被一个或多个R¹基团取代，或具有5至30个芳族环原子并且在每种情况下可以被一个或多个R¹基团取代的芳族或杂芳族环系；同时，两个相邻的R基团或R与R¹还可以一起形成单环或多环的脂族或芳族环系。更优选地，这些R基团在每种情况下相同或不同，并且选自H，D，F，N(R¹)₂，具有1至6个碳原子的直链的烷基基团或具有3至10个碳原子的支链或环状的烷基基团，其中一个或多个氢原子可以被D或F代替，或具有5至24个芳族环原子、优选6至13个芳族环原子并且在每种情况下可以被一个或多个R¹基团取代的芳族或杂芳族环系；同时，两个相邻的R基团或R与R¹还可以一起形成单环或多环的脂族或芳族环系。

与R键合的优选R¹基团在每种情况下相同或不同，并且为H，D，F，N(R²)₂，OR²，CN，具有1至10个碳原子的直链的烷基基团或具有2至10个碳原子的烯基基团或具有3至10个碳原子的支链或环状的烷基基团，其中在每种情况下所述烷基基团可以被一个或多个R²基团取代，或具有5至24个芳族环原子并且在每种情况下可以被一个或多个R²基团取代的芳族或杂芳族环系；同时，两个或更多个相邻R¹基团可以一起形成单环或多环的脂族环系。与R键合的特别优选R¹基团在每种情况下相同或不同，并且为H，F，CN，具有1至5个碳原子的直链的烷基基团或具有3至5个碳原子的支链或环状的烷基基团，所述烷基基团中的每一个可以被一个或多个R²基团取代，或具有5至13个芳族环原子、优选6至13个芳族环原子并且在每种情况下可以被一个或多个R²基团取代的芳族或杂芳族环系；同时，两个或更多个相邻的R¹基团可以一起形成单环或多环的脂族环系。

优选的R²基团在每种情况下相同或不同，并且为H，F，或具有1至5个碳原子的脂族烃基基团，或具有6至12个碳原子的芳族烃基基团；同时，两个或更多个R²取代基还可以一起形成单环或多环的脂族环系。

在权利要求1的范围内，上文提及的优选实施方式可根据需要彼此组合。在本发明的一个特别优选实施方式中，上文提及的优选实施方式同时应用。

本发明化合物的实例为下文提出的化合物。

本发明的Ir-Pt络合物为手性结构。如果络合物的三足配体另外也具有手性，则可能形成非对映异构体和多个对映异构体对。在此情况下，本发明的络合物包括不同非对映异构体的混合物或相应的外消旋体以及单个分离的非对映异构体或对映异构体。

如果在邻位金属化中使用具有两个相同亚配体L¹的配体，则通常获得C₁对称的络合物的外消旋混合物，即Δ和Λ对映异构体的外消旋混合物。这些外消旋混合物可以通过标准方法(手性材料/柱的色谱法或通过结晶进行光学拆分)分离。

来自邻位金属化的外消旋体

通过非对映异构盐对的分级结晶进行光学拆分可以通过常规方法实现。为此目的的一种选择为氧化不带电的Ir(III)络合物(例如用过氧化物或H₂O₂或通过电化学方式)，将对映异构纯的单阴离子性碱(手性碱)的盐添加至因此产生的阳离子性Ir(IV)络合物中，通过分级结晶分离因此产生的非对映异构盐，然后通过还原剂(例如锌、水合肼、抗坏血酸等)将其还原，得到对映异构纯的不带电的络合物，如下示意性显示的：

另外，可以通过在手性介质(例如R-或S-1,1-联萘酚)中络合来进行对映异构纯或对映异构富集合成。

如果在络合中使用具有三个不同亚配体的配体，则通常获得络合物的非对映异构体混合物，所述非对应异构体混合物可以通过标准方法(色谱法、结晶等)分离。

对映异构纯的C₁对称络合物也可以选择性地合成，如以下方案所示。为此目的，制备对映异构纯的C₁对称配体并络合，分离获得的非对映异构体混合物，然后分离手性基团。

可以对对映异构体混合物或对单个对映异构体进行进一步官能化，得到Ir-Pt络合物。这不改变铱的立体化学。如果在官能化中引入其他立构中心以得到Ir-Pt络合物，则会产生可以通过标准方法(色谱法、分级结晶等)分离的非对映异构体。

本发明的络合物可以特别地通过下述途径制备。为此目的，首先制备六齿配体，其含有一个或多个中心亚配体、V¹基团以及当n＝1或2时一个或多个亚配体L¹。然后使用此配体制备铱络合物，然后将其在中心亚配体上在与Ir配位的碳原子的对位进行官能化，特别是卤化，并且优选溴化。在偶联反应中，在下一步中，引入L²-V²基团，并且在最后步骤中，使由此形成的四齿配体与Pt配位。

因此，本发明进一步提供一种用于制备本发明化合物的方法，所述方法的特征在于以下方法步骤：

a)合成尚未含有L²-V²基团的六齿配体；

b)从六齿配体合成Ir络合物；

c)官能化所述Ir络合物，特别是溴化；

d)通过偶联反应引入L²-V²基团；以及

e)合成Pt络合物。

用于制备铱络合物的合适的铱反应物特别是式(57)的铱醇盐、式(58)的铱酮酮合物、式(59)的卤化铱或式(60)的羧酸铱。

其中R具有上文所给的定义，Hal＝F、Cl、Br或I，并且铱反应物还可以采用相应的水合物的形式。本文的R优选为具有1至4个碳原子的烷基基团。

同样可以使用带有烷氧离子和/或卤离子和/或羟基和酮酮阴离子基团的铱化合物。这些化合物还可以带有电荷。WO 2004/085449中公开了特别适合作为反应物的相应铱化合物。特别合适的是[IrCl₂(acac)₂]^-，例如Na[IrCl₂(acac)₂]；乙酰丙酮化物衍生物作为配体的金属络合物，例如Ir(acac)₃或三(2,2,6,6-四甲基庚烷-3,5-二酮基)铱；以及IrCl₃·xH₂O，其中x通常为2至4的数字。

优选如WO 2002/060910和WO 2004/085449中所述进行铱络合物的合成。在此情况下，例如还可以通过热或光化学方式和/或通过微波辐射来活化合成。另外，还可以在高压釜中在高压和/或高温下进行合成。

可以在待被邻位金属化的相应配体的熔融物中，在不添加溶剂或熔融助剂的情况下进行反应。任选地可以添加溶剂或熔融助剂。合适的溶剂为质子或非质子溶剂，诸如脂族和/或芳族醇(甲醇、乙醇、异丙醇、叔丁醇等)、寡醇和多元醇(乙二醇、丙烷-1,2-二醇、甘油等)、醇醚(乙氧基乙醇、二乙二醇、三乙二醇、聚乙二醇等)、醚(二乙二醇二甲醚和三乙二醇二甲醚、二苯醚等)、芳族、杂芳族和/或脂族烃(甲苯、二甲苯、1,3,5-三甲苯、氯苯、吡啶、二甲基吡啶、喹啉、异喹啉、十三烷、十六烷等)、酰胺(DMF、DMAC等)、内酰胺(NMP)、亚砜(DMSO)、砜(二甲砜、环丁砜等)、羧酸(诸如冰醋酸、丙酸、脂肪酸、苯甲酸)和水，以及这些溶剂的混合物。合适的熔融助剂为在室温下为固体形式，但在加热反应混合物时熔融并溶解反应物，以形成均匀熔融物的化合物。特别合适的为联苯，间三联苯，对三联苯，R-或S-联萘酚或相应的外消旋体，1,2-、1,3-或1,4-双苯氧基苯，氧化三苯基膦，18-冠-6，苯酚，1-萘酚，R-、S-或RS-1,1'-联萘酚，儿茶酚，间苯二酚，氢醌等。本文特别优选使用氢醌。

用于在最后的合成步骤中制备铂络合物的合适的铂反应物为例如PtCl₂、Pt(ac)₂、K₂PtCl₄、(DMSO)₂PtCl₂、(DMSO)₂PtMe₂或(COD)PtCl₂。

铂络合物的合成优选在溶液、悬浮液或熔融物中进行。可以使用与铱络合物制备中相同的溶剂/熔融助剂。所用溶剂优选为乙酸或冰醋酸以及熔融助剂氢醌。

必要时，可以通过以催化、化学计量或超化学计量的量添加盐诸如氯化锂、氯化铵或卤化四烷基铵或硫酸四烷基铵来改进盐形式的Pt络合物的溶解性。

可以通过这些方法，必要时随后进行纯化，例如再结晶或升华，来获得高纯度，优选大于99％(通过¹H NMR和/或HPLC测定)的本发明的式(1)化合物。

本发明的化合物还可以通过合适的取代而变得可溶，例如用相对长的烷基基团(约4至20个碳原子)，特别是支链的烷基基团，或任选取代的芳基基团，例如二甲苯基、

或支链的三联苯或四联苯基团。使金属络合物的溶解性显著改进的另一种特定的方法为使用稠合的脂族基团，如例如上文公开的式(50)至(56)所示。然后，此类化合物在室温下以足够的浓度可溶于标准有机溶剂，例如甲苯或二甲苯中，以能够从溶液加工络合物。这些可溶性化合物具有特别好的溶解性以从溶液例如通过印刷方法处理。

为了从液相例如通过旋涂或通过印刷方法处理本发明的金属络合物，需要本发明的金属络合物的制剂。这些制剂可以为例如溶液、分散液或乳液。出于此目的，使用两种或更多种溶剂的混合物可以为优选的。合适且优选的溶剂为例如甲苯，苯甲醚，邻-、间-或对-二甲苯，苯甲酸甲酯，1,3,5-三甲苯，四氢萘，藜芦醚，THF，甲基-THF，THP，氯苯，二

烷，苯氧基甲苯，特别是3-苯氧基甲苯，(-)-葑酮，1,2,3,5-四甲基苯，1,2,4,5-四甲基苯，1-甲基萘，2-甲基苯并噻唑，2-苯氧基乙醇，2-吡咯烷酮，3-甲基苯甲醚，4-甲基苯甲醚，3,4-二甲基苯甲醚，3,5-二甲基苯甲醚，苯乙酮，α-萜品醇，苯并噻唑，苯甲酸丁酯，异丙苯，环己醇，环己酮，环己基苯，十氢萘，十二烷基苯，苯甲酸乙酯，茚满，NMP，对伞花烃，苯乙醚，1,4-二异丙基苯，二苄醚，二乙二醇丁甲醚，三乙二醇丁甲醚，二乙二醇二丁醚，三乙二醇二甲醚，二乙二醇单丁醚，三丙二醇二甲醚，四乙二醇二甲醚，2-异丙基萘，戊基苯，己基苯，庚基苯，辛基苯，1,1-双(3,4-二甲基苯基)乙烷，六甲基茚满，甲基联苯，3-甲基联苯，1-甲基萘，1-乙基萘，辛酸乙酯，癸二酸二乙酯，辛酸辛酯，庚基苯，异戊酸薄荷酯，己酸环己酯或这些溶剂的混合物。

因此，本发明还提供一种制剂，其包含至少一种本发明化合物和至少一种其他化合物。该其他化合物可以例如为溶剂，特别是上文提及的溶剂之一或这些溶剂的混合物。替代地，该其他化合物可以为同样在电子器件中使用的其他有机或无机化合物，例如基质材料。此其他化合物还可以为聚合物。

本发明的化合物可以在电子器件中用作有源组分，或用作氧敏剂或用作光催化剂。因此，本发明还提供了本发明化合物在电子器件中或作为氧敏剂或作为光催化剂的用途。本发明还提供一种包含至少一种本发明化合物的电子器件。

电子器件应理解为是指包含阳极、阴极和至少一个层的任何器件，所述层包含至少一种有机化合物或有机金属化合物。因此，本发明的电子器件包含阳极、阴极和含有至少一种本发明金属络合物的至少一个层。优选的电子器件选自有机电致发光器件(OLED、PLED)，有机红外电致发光传感器，有机集成电路(O-IC)，有机场效应晶体管(O-FET)，有机薄膜晶体管(O-TFT)，有机发光晶体管(O-LET)，有机太阳能电池(O-SC)，这些有机太阳能电池应理解为是指纯有机太阳能电池和染料敏化的太阳能电池(格拉兹尔电池)两者，有机光学检测器，有机光感受器，有机场猝熄器件(O-FQD)，发光电化学电池(LEC)，氧传感器和有机激光二极管(O-laser)，所述电子器件在至少一个层中包含至少一种本发明的金属络合物。特别优选为有机电致发光器件。有源组分通常为引入阳极与阴极之间的有机或无机材料，例如电荷注入、电荷传输或电荷阻挡材料，但特别是发光材料和基质材料。本发明的化合物表现出作为有机电致发光器件中的发光材料的特别良好的性质。因此，本发明的一个优选实施方式为有机电致发光器件。另外，本发明的化合物可以用于产生单重态氧或用于光催化。

有机电致发光器件包含阴极、阳极和至少一个发光层。除了这些层以外，所述器件还可以包含其他层，例如在每种情况下一个或多个空穴注入层、空穴传输层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层、激子阻挡层、电子阻挡层、电荷产生层和/或有机或无机p/n结。同时，可以例如用金属氧化物诸如MoO₃或WO₃或用(全)氟化的缺电子芳族体系对一个或多个空穴传输层进行p型掺杂，和/或对一个或多个电子传输层进行n型掺杂。同样可以在两个发光层之间引入中间层，这些中间层在电致发光器件中具有例如激子阻挡功能和/或控制电荷平衡。然而，应该指出，这些层中的每一个不必都存在。

在此情况下，有机电致发光器件可以含有发光层，或其可以含有多个发光层。如果存在多个发光层，则这些发光层优选在380nm至750nm之间总共具有多个发光峰值，使得总体上产生白色发光；换句话说，将可以发荧光或发磷光的多种发光化合物用于发光层中。三层体系为特别优选的，其中三个层显示蓝色、绿色和橙色或红色发光，或具有超过三个发光层的体系。还优选串联OLED。该体系还可以为混合体系，其中一个或多个层发荧光，并且一个或多个其他层发磷光。白色发光的有机电致发光器件可以用于照明应用，或者与彩色滤光片一起用于全彩色显示器。

红外虹膜传感器也基于有机电致发光器件的上述原理，其中用于此应用的有机电致发光器件在光谱的红外区域中发光。然后由照相机检测眼睛反射的特性光。

在本发明的一个优选实施方式中，有机电致发光器件在一个或多个发光层中、特别是在红色或红外发光层中包含本发明的金属络合物作为发光化合物。

当本发明的金属络合物在发光层中用作发光化合物时，其优选与一种或多种基质材料组合使用。本发明金属络合物与基质材料的混合物含有以发光体和基质材料的全部混合物计，0.1重量％至99重量％，优选1重量％至90重量％，更优选3重量％至40重量％并且特别是5重量％至25重量％的本发明金属络合物。相应地，混合物含有以发光体和基质材料的全部混合物计，99.9重量％至1重量％，优选99重量％至10重量％，更优选97重量％至60重量％，并且特别是95重量％至75重量％的基质材料。

所用基质材料通常可以为根据现有技术的目的已知的任何材料。基质材料的三重态能级优选高于发光体的三重态能级。

本发明化合物的合适的基质材料为酮、氧化膦、亚砜和砜，例如根据WO 2004/013080、WO 2004/093207、WO 2006/005627或WO 2010/006680；三芳基胺；咔唑衍生物，例如CBP(N,N-双咔唑基联苯)、m-CBP或在WO 2005/039246、US 2005/0069729、JP 2004/288381、EP 1205527、WO 2008/086851或US 2009/0134784中公开的咔唑衍生物；双咔唑衍生物；吲哚并咔唑衍生物，例如根据WO 2007/063754或2008/056746；茚并咔唑衍生物，例如根据WO2010/136109或WO 2011/000455；氮杂咔唑，例如根据EP 1617710、EP 1617711、EP1731584、JP 2005/347160；双极性基质材料，例如根据WO 2007/137725；硅烷，例如根据WO2005/111172；硼氮杂环戊熳或硼酸酯，例如根据WO 2006/117052；硅二氮杂环戊熳衍生物，例如根据WO 2010/054729；磷二氮杂环戊熳衍生物，例如根据WO 2010/054730；三嗪衍生物，例如根据WO 2010/015306、WO 2007/063754或WO 2008/056746；锌络合物，例如根据EP652273或WO 2009/062578；二苯并呋喃衍生物，例如根据WO 2009/148015或WO 2015/169412；或桥连咔唑衍生物，例如根据US 2009/0136779、WO 2010/050778、WO 2011/042107或WO 2011/088877。

还可以优选使用混合物形式的多种不同基质材料，特别是至少一种电子传导基质材料和至少一种空穴传导基质材料。优选的组合为例如使用芳族酮、三嗪衍生物或氧化膦衍生物与三芳基胺衍生物或咔唑衍生物、特别是双咔唑衍生物，作为本发明化合物的混合基质。同样优选为使用电荷传输基质材料与不明显参与(如果参与的话)电荷传输的电惰性基质材料的混合物，如例如WO 2010/108579中所述。同样优选为使用两种电子传输基质材料，例如三嗪衍生物和内酰胺衍生物，如例如WO 2014/094964中所述。

下文描绘适合作为本发明化合物的基质材料的化合物的实例。

可以用作电子传输基质材料的三嗪和嘧啶的实例为以下化合物：

可以用作电子传输基质材料的内酰胺的实例为以下化合物：

根据取代模式可以用作空穴或电子传输基质材料的最广义的吲哚并咔唑和茚并咔唑衍生物的实例为如下化合物：

根据取代模式可以用作空穴或电子传输基质材料的咔唑衍生物的实例为如下化合物：

可以用作空穴传输基质材料的桥连咔唑衍生物的实例为如下化合物：

可以用作空穴传输基质材料的双咔唑的实例为以下化合物：

可以用作空穴传输基质材料的胺的实例为以下化合物：

可以用作宽带隙基质材料的材料的实例为如下化合物：

更优选使用两种或更多种三重态发光体与基质的混合物。在此情况下，具有较短波发光谱的三重态发光体用作具有较长波发光谱的三重态发光体的共基质。例如，可以使用发射较短波的金属络合物作为本发明的发射较长波的金属络合物的共基质。在此情况下，当发射较短波和较长波的金属络合物均为本发明化合物时，也可以为优选的。此外，合适的共基质材料特别是WO 2016/124304和WO 2017/032439中公开的化合物。

下表中描绘了可以用作本发明化合物的共掺杂剂的合适的三重态发光体的实例。

优选的阴极为具有低逸出功的金属、金属合金或多层结构，所述金属合金或多层结构由多种金属例如碱土金属、碱金属、主族金属或镧系元素(例如Ca、Ba、Mg、Al、In、Mg、Yb、Sm等)构成。另外合适的为由碱金属或碱土金属和银构成的合金，例如由镁和银构成的合金。在多层结构的情况下，除所提及的金属以外，还可以使用具有相对高逸出功的其他金属，例如Ag，在该情况下，通常使用金属的组合，诸如Mg/Ag、Ca/Ag或Ba/Ag。优选还可以在金属阴极与有机半导体之间引入具有高介电常数的材料的薄中间层。用于此目的的有用材料的实例为碱金属氟化物或碱土金属氟化物，以及相应的氧化物或碳酸盐(例如LiF、Li₂O、BaF₂、MgO、NaF、CsF、Cs₂CO₃等)。同样可用于此目的的为有机碱金属络合物，例如Liq(喹啉锂)。此层的层厚度优选为0.5nm至5nm。

优选的阳极为具有高逸出功的材料。优选地，阳极的逸出功为相对于真空大于4.5eV。首先，具有高氧化还原电位的金属例如Ag、Pt或Au适用于此目的。其次，金属/金属氧化物电极(例如Al/Ni/NiO_x、Al/PtO_x)也可以为优选的。对于一些应用，所述电极中的至少一个必须是透明或部分透明的，以使得能够进行有机材料的照射(O-SC)或光的发射(OLED/PLED，O-LASER)。本文的优选阳极材料为导电性混合金属氧化物。特别优选为氧化锡铟(ITO)或氧化铟锌(IZO)。优选还为导电性掺杂有机材料，特别是导电性掺杂聚合物，例如PEDOT、PANI或这些聚合物的衍生物。当将p型掺杂的空穴传输材料作为空穴注入层施加于阳极时，为进一步优选的，在该情况下，合适的p型掺杂剂为金属氧化物，例如MoO₃或WO₃，或(全)氟化的缺电子芳族体系。其他合适的p型掺杂剂为HAT-CN(六氰基六氮杂联三苯叉)或化合物NPD9(购自Novaled)。此种层简化了向具有低HOMO(即，就大小而言大的HOMO)的材料的空穴注入。

在其他层中，通常可以使用根据现有技术用于这些层的任何材料，并且本领域技术人员能够在不付出创造性劳动的情况下将这些材料中的任一种与本发明材料组合在电子器件中。

将该器件相应地(根据应用)结构化，设置接触连接并且最终气密密封，因为此类器件的寿命在存在水和/或空气的情况下严重缩短。

另外优选为如下的有机电致发光器件，其特征在于通过升华方法涂布一个或多个层。在此情况下，通过在真空升华体系中在通常小于10^-5毫巴、优选小于10^-6毫巴的初始压力下气相沉积来施加材料。初始压力还可以甚至更低或甚至更高，例如小于10^-7毫巴。

同样优选为如下有机电致发光器件，其特征在于通过OVPD(有机气相沉积)方法或借助于载气升华来涂布一个或多个层。在此情况下，在10^-5毫巴至1巴的压力下施加材料。此方法的一种特殊情况为OVJP(有机蒸气喷印)法，其中材料通过喷嘴直接施加并因此结构化。

另外，优选为如下有机电致发光器件，其特征在于例如通过旋涂或通过任何印刷方法，例如丝网印刷、柔版印刷、胶版印刷或喷嘴印刷，但是更优选LITI(光诱导的热成像、热转移印刷)或喷墨印刷而从溶液产生一个或多个层。在本发明的一个优选实施方式中，从溶液施加包含本发明化合物的层。

有机电致发光器件还可以通过从溶液施加一个或多个层并通过气相沉积施加一个或多个其他层来制成混合体系。例如，可以从溶液施加包含本发明的金属络合物和基质材料的发光层，并且通过在减压下气相沉积向该发光层施加空穴阻挡层和/或电子传输层。

这些方法对于本领域技术人员而言是一般已知的，并且可以被本领域技术人员毫无困难地施加于包含式(1)化合物或上文详述的优选实施方式的有机电致发光器件。

本发明的电子器件、特别是有机电致发光器件，由于相对于现有技术具有以下令人惊讶的优点中的一个或多个而著名：

1.本发明化合物能够进行深红色和红外发光。

2.本发明化合物对于红外区域具有非常高的光致发光量子产率。当用于红外发光的有机电致发光器件中时，这产生优异的效率。

3.本发明化合物具有非常短的发光寿命。当用于有机电致发光器件中时，此产生改进的滚降特性，以及通过避免非辐射性弛豫通道而产生较高的发光量子产率。

4.本发明的化合物，特别是n＝1的化合物显示定向发光，因此具有高效率。

本发明通过以下实施例更详细地说明，但不欲用所述实施例限制本发明。本领域技术人员将能够在不付出创造性劳动的情况下使用所给细节来制造本发明的其他电子器件，从而在要求保护的整个范围内执行本发明。

实施例：

除非另外说明，否则随后的合成均是在保护性气体氛围下在无水的溶剂中进行。另外在避光或黄光下处理金属络合物。溶剂和试剂可以从例如西格玛奥德里奇公司或ABCR购买。方括号中的相应数字或针对单个化合物的数字与文献中已知的化合物的CAS编号有关。在可以具有多种互变异构形式的化合物的情况下，代表性地显示了一种互变异构形式。Ir络合物通常以Δ和Λ对映异构体的混合物的形式获得。

A：合成子S的合成：

实施例S1：

制法类似于WO 2016/124304中的实施例21，参见第116页。反应物：24.8g(100mmol)5-溴-2-(3-甲基苯基)吡啶[1215073-45-2]。收率：22.2g(75mmol)；理论值的75％；纯度：98％，通过¹H NMR获得。

实施例S50：

制法类似于WO 2016/124304中的实施例200，参见第140页。反应物：28.2g(100mmol)2-苯基-5-(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧杂环戊硼烷-2-基)嘧啶[1319255-85-0]。收率：22.2g(75mmol)；理论值的75％；纯度：98％，通过¹H NMR获得。

可以以类似的方式制备以下化合物：

实施例S100：

制法类似于WO 2017/032439中的实施例5，参见第93页。反应物：68.1g(210mmol)S52。收率：42.5g(71mmol)；理论值的71％；纯度：98％，通过¹H NMR获得。

可以以类似的方式制备以下化合物：

实施例S150：

在充分搅拌下，向59.9g(100mmol)S100、26.7g(105mmol)双(频哪醇合)二硼烷、29.4g(300mmol)乙酸钾(无水)、50g玻璃珠(直径3mm)和500ml THF的混合物中添加821mg(2mmol)SPhos，然后添加225mg(1mmol)乙酸钯(II)，并且在回流下加热混合物24h。冷却后，以THF浆液形式通过Celite床通过抽滤去除盐和玻璃珠，用少量THF充分洗涤，并将滤液浓缩至干。将残余物溶于150ml MeOH中，在温热的溶剂中搅拌，并抽滤出结晶的产物，每次用30ml甲醇洗涤两次，并在减压下干燥。收率：56.0g(81mmol)；理论值的81％；纯度：约95％，通过¹H NMR获得。

可以以类似的方式制备以下化合物：

B：Ir配体L的合成：

实施例L1

在充分搅拌下，向69.1g(100mmol)S150、31.1g(100mmol)S50、63.7g(300mmol)磷酸三钾、400ml甲苯、200ml二

烷和400ml水的混合物中添加1.64g(4mmol)SPhos，然后添加449mg(2mmol)乙酸钯(II)，并且在回流下加热混合物24h。冷却后，去除有机相，每次用300ml水洗涤两次，用300ml饱和氯化钠溶液洗涤一次，并用硫酸镁干燥。以甲苯浆液形式通过Celite床滤除干燥剂，将滤液在减压下浓缩至干，并使玻璃状粗产物从沸腾的乙腈/乙酸乙酯中重结晶。收率：56.5g(71mmol)；理论值的71％；纯度：约95％，通过¹H NMR获得。

可以以类似的方式制备以下化合物：

C：Ir络合物的合成和其溴化

实施例Ir(L1)

首先将7.95g(10mmol)配体L1、4.90g(10mmol)三乙酰丙酮基铱(III)[15635-87-7]和120g氢醌[123-31-9]的混合物加入1000ml具有玻璃护套磁棒的两颈圆底烧瓶中。该烧瓶具有水分离器(用于密度比水低的介质)和带有氩气覆盖层的空气冷凝器。将烧瓶置于金属加热浴中。通过氩气覆盖体系从顶部向仪器吹扫氩气15min，使氩气从两颈烧瓶的侧颈流出。通过两颈烧瓶的侧颈，将有玻璃护套的Pt-100热电偶引入烧瓶中，并使末端恰好位于磁性搅拌棒的上方。然后，用几个松散的家用铝箔绕组对该仪器进行热绝缘，该绝缘延伸到水分离器上升管的中间。然后用加热的实验室搅拌器体系将仪器快速加热到250-255℃，该温度由浸入熔融的搅拌反应混合物中的Pt-100温度传感器测量。在接下来的2h内，将反应混合物保持在250-255℃下，在此过程中，少量的冷凝物被馏出并收集在水分离器中。2h后，使混合物冷却至190℃，去除加热罩，然后逐滴添加100ml乙二醇。冷却至100℃后，逐滴缓慢添加400ml甲醇。将因此获得的黄橙色悬浮液通过双端玻璃料过滤，并且用50ml甲醇洗涤黄色固体三次，然后在减压下干燥。粗产物收率：定量。将因此获得的固体溶解在约200ml二氯甲烷中，并在黑暗中在排除空气下以二氯甲烷浆液形式通过约1kg硅胶(柱直径约18cm)过滤，在开始时留下深色组分。切出核心级分并在旋转蒸发器上浓缩，同时连续逐滴添加MeOH直至结晶。抽滤后，用少量MeOH洗涤并在减压下干燥，在小心地排除空气和避光下通过用二氯甲烷/异丙醇1:1(vv)连续热萃取三次，然后用二氯甲烷/乙腈热萃取两次(在每种情况下最初加入的量为约200ml，萃取套管：由来自沃特曼公司的纤维素制成的标准索氏套管)来进一步纯化橙色产物。在母液中的损失可以通过二氯甲烷(低沸物和良好溶解物)：异丙醇或乙腈(高沸物和不良溶解物)的比率进行调节。其通常应为所用量的3-6重量％。也可以使用其他溶剂(诸如甲苯、二甲苯、乙酸乙酯、乙酸丁酯等)完成热萃取。最后，在p为约10^-6毫巴的高真空下并且T为约350-400℃下对产物进行热处理。收率：7.48g(7.6mmol)，76％；纯度：约99.8％，通过HPLC获得。

可以以类似的方式制备以下化合物：

实施例Ir(L1-Br)

在室温下在黑暗中，向9.84g(10mmol)Ir(L1)在500ml DCM中的充分搅拌悬浮液中一次性全部添加1.78g(10.5mmol)N-溴代丁二酰亚胺，然后将混合物再搅拌16h。在减压下去除约450ml DCM后，将100ml甲醇和0.3ml水合肼添加到黄绿色悬浮液中，并抽滤出黄色固体，用约50ml甲醇洗涤三次，然后在减压下干燥。收率：9.78g(9.2mmol)；理论值的92％；纯度：>99.0％，通过NMR获得。

可以以类似的方式制备以下化合物：

D：具有Pt配体的Ir络合物的合成

实施例Ir(L1A)

在水分离器上加热10.66g(10mmol)Ir(L1-Br)、3.43g(20mmol)3-(2-吡啶基)苯酚[98061-22-4]、5.53g(40mmol)碳酸钾、930mg(1mmol)溴化三苯基膦-铜(I)(15709-74-7)、50g玻璃珠、70ml DMF和90ml邻二甲苯的混合物，直到再也没有水分离出(约18h)。将反应混合物冷却至70℃，以邻二甲苯浆液形式通过Celite床抽滤，并将滤液浓缩至干。用150ml甲醇对残余物进行热萃取，并抽滤出固体，每次用20ml MeOH洗涤三次并干燥。将固体溶于约200ml二氯甲烷(DCM)：乙酸乙酯(EA)(9:1vv)中，以DCM：EA(9:1vv)浆液形式通过硅胶柱(直径8cm，长度30cm)过滤，并切出橙色核心级分。在标准压力下在旋转蒸发器上蒸馏出二氯甲烷，同时用甲醇连续置换蒸馏出的体积，并且结晶出产物。抽滤出橙色产物，每次用20ml甲醇洗涤两次，并在减压下干燥。收率：8.85g(7.6mmol)；理论值的76％；纯度：>99.0％，通过NMR获得。

可以以类似的方式制备以下化合物：

实施例Ir(L1F)

在回流下加热10.66g(10mmol)Ir(L1-Br)、4.92g(20mmol)N-苯基-3-(2-吡啶基)苯基胺[1325592-74-2]、1.94g(20mmol)叔丁醇钠、202mg(1mmol)三叔丁基膦、157mg(0.7mmol)乙酸钯(II)和150ml邻二甲苯的充分搅拌混合物18h。将反应混合物冷却至70℃，以邻二甲苯浆液形式通过Celite床抽滤，并将滤液浓缩至干。将固体溶于约200ml二氯甲烷(DCM)：乙酸乙酯(EA)(9:1vv)中，以DCM：EA(9:1vv)浆液形式通过硅胶柱(直径8cm，长度30cm)过滤，并切出橙色核心级分。在减压下在旋转蒸发器上蒸馏出二氯甲烷，同时用甲醇连续置换蒸馏出的体积，并且结晶出产物。抽滤出橙色产物，每次用20ml甲醇洗涤两次，并在减压下干燥。收率：8.37g(6.8mmol)；理论值的68％；纯度：>99.0％，通过NMR获得。

可以以类似的方式制备以下化合物：

E：Ir-Pt络合物的合成

实施例IrPt(L1A)

在80℃下，在充分搅拌下，搅拌11.56g(10mmol)Ir(L1A)、4.15g(10mmol)四氯铂酸钾[10025-99-7]、3.4g(80mmol)无水氯化锂、50g玻璃珠和100ml冰醋酸的混合物60h。冷却至约50℃后，逐滴添加100ml水，并抽滤出沉淀的粗产物，用30ml甲醇：水(1:1vv)的混合物洗涤三次并且每次用30ml甲醇洗涤三次，并在减压下干燥。在黑暗中将固体溶于约200mlDCM中，以DCM浆液形式通过硅胶柱(直径8cm，长度30cm)过滤，并切出深红色核心级分。在减压下在旋转蒸发器上蒸馏出DCM，同时用甲醇连续置换蒸馏出的体积，并且结晶出产物。抽滤出产物，每次用20ml甲醇洗涤两次，并在减压下干燥。在小心地排除空气和避光下，通过用二氯甲烷/异丙醇1:1(vv)连续热萃取四次，然后用二氯甲烷/乙腈热萃取四次(在每种情况下最初加入的量为约200ml，萃取套管：由来自沃特曼公司的纤维素制成的标准索氏套管)来进一步纯化产物。在母液中的损失可以通过二氯甲烷(低沸物和良好溶解物):异丙醇或乙腈(高沸物和不良溶解物)的比率进行调节。其通常应为所用量的3-6重量％。还可以使用其他溶剂诸如甲苯、二甲苯、乙酸乙酯、乙酸丁酯等完成热萃取。最后，在p为约10^-6毫巴的高真空下并且T为约370-450℃下对产物进行热处理或分级升华。收率：7.16g(5.3mmol)；理论值的53％；纯度：>99.8％，通过NMR获得。

可以以类似的方式制备以下化合物：

实施例：OLED的制造

1)真空加工的器件：

本发明的OLED和根据现有技术的OLED通过根据WO2004/058911的通用方法制造，将所述方法根据本文所述的情况进行调整(改变层厚度、所用材料)。

在以下实施例中，呈现了多种OLED的结果。将涂有厚度为50nm的结构化ITO(氧化锡铟)的洁净玻璃板(在Miele实验室玻璃清洗机中清洁，默克Extran清洁剂)用UV臭氧预处理25分钟(来自UVP的PR-100UV臭氧发生器)，并在30min内涂布20nm PEDOT:PSS(聚(3,4-乙亚基二氧基噻吩)聚(苯乙烯磺酸酯)(以CLEVIOS^TM P VP AI 4083购自德国贺利氏贵金属有限公司，从水溶液旋涂)以改进加工，然后在180℃下烘烤10min。这些涂布的玻璃板形成了OLED所施加的基底。OLED基本上具有以下层结构：基底/空穴注入层1(HIL1)，该层由掺杂有5％NDP-9(可从Novaled购得)的HTM1组成，20nm/空穴传输层1(HTL1)，该层由HTM1组成，150nm/空穴传输层2(HTL2)/发光层(EML)/空穴阻挡层(HBL)/电子传输层(ETL)/任选的电子注入层(EIL)，最后为阴极。阴极由厚度为100nm的铝层形成。

首先，描述了真空加工的OLED。出于此目的，所有材料均通过在真空室中进行热气相沉积来施加。在此情况下，发光层总是由至少一种基质材料(主体材料)和发光掺杂剂(发光体)组成，该发光掺杂剂通过共蒸发以特定的体积比例添加到一种或多种基质材料中。在本文中，以M1:M2:IrPt(L)(55％:35％:10％)的形式给出的细节是指材料M1以55％的体积比例存在于层中，M2以35％的体积比例存在并且IrPt(L)以10％的体积比例存在。类似地，电子传输层也可以由两种材料的混合物组成。OLED的准确结构可见于表1中。用于制造OLED的材料如表4所示。

以标准的方式表征OLED。出于此目的，确定了电致发光谱，在假定郎伯辐射特性下从电流-电压-亮度特性(IUL特性)计算作为亮度函数的电流效率(以cd/A测量)、功率效率(以lm/W测量)和外量子效率(EQE，以百分比测量)，并确定了寿命。在1000cd/m²的亮度下测量电致发光谱。

本发明化合物作为磷光OLED中的发光体材料的用途

本发明化合物的一种用途是作为OLED发光层中的磷光发光体材料。所用材料如表4中所示。尚未完全最佳化的OLED的结果如表2中所概括。

表1：OLED的结构

表2：真空加工的OLED的结果

*在黑暗中在适应后

溶液加工的器件：

A：从具有低分子量的可溶性功能材料

本发明的铱络合物还可以从溶液加工，并且在此情况下得到如下OLED，其与真空加工的OLED相比，在加工技术方面简单得多，但仍具有良好的性质。此类组分的制备根据聚合物发光二极管(PLED)的制造，所述聚合物发光二极管已经在文献中多次描述(例如在WO2004/037887中)。该结构由以下构成：基底/ITO/空穴注入层(130nm)/中间层(20nm)/发光层(60nm)/空穴阻挡层(10nm)/电子传输层(50nm)/阴极。出于此目的，使用来自Technoprint(钠钙玻璃)的基底，向其施加ITO结构(氧化锡铟，透明的导电阳极)。在洁净室中用DI水和清洁剂(Deconex 15PF)清洁基底，然后通过UV/臭氧等离子体处理来活化。之后，同样在洁净室中，通过旋涂施加20nm空穴注入层。所需的旋转速率取决于稀释度和特定的旋涂机几何形状。为了从该层去除残余水，将基底在加热板上在200℃下烘烤30分钟。将所用中间层用于空穴传输；在此情况下，使用默克公司的HL-X。替代地，中间层还可以被一个或多个层代替，该一个或多个层仅必须满足以下条件：不会因从溶液中沉积EML的后续加工步骤而再次浸出。为了制造发光层，将本发明的三重态发光体与基质材料一起溶解在甲苯或氯苯中。当本文中将通过旋涂实现器件典型的60nm的层厚度时，此类溶液的典型固体含量为16至25g/l。类型1的溶液加工器件含有由M1:M3:M4:IrPtL(20％:30％:30％:20％)构成的发光层，并且类型2的溶液加工器件含有由M3:M4:Ir-Red:IrPtL(30％:34％:28％:8％)构成的发光层。将发光层在惰性氛围中(在本发明的情况下为氩气)旋涂，并在160℃下烘烤10min。在该发光层上气相沉积空穴阻挡层(10nm ETM1)和电子传输层(50nm ETM1(50％)/ETM2(50％))(来自Lesker的气相沉积体系或其类似物，典型的气相沉积压力为5×10^-6毫巴)。最后，通过气相沉积施加由铝(100nm)(来自奥德里奇公司的高纯度金属)制成的阴极。为了保护器件免受空气和空气湿度的影响，最终将器件封装起来，然后进行表征。所引用的OLED实施例尚未最佳化；表3概括了所获得的数据。

表3：用从溶液加工的材料获得的结果

*在黑暗中在适应后

表4：所用材料的结构式

Claims

1.一种式(1)的化合物

其中所用符号和标记如下：

D在每种情况下相同或不同，并且为C或N；

X在每种情况下相同或不同，并且为CR或N；

L¹、L²在每种情况下相同或不同，并且为二齿亚配体；

V²为将所述中心亚配体和L²彼此接合的二价基团或单键；

n为1、2或3；

m在每种情况下相同或不同，并且为0或1，其中当m＝1时，所述相应的V²基团所键合的原子X为C，条件是至少一个m＝1；

R在每种情况下相同或不同，并且为H，D，F，Cl，Br，I，N(R¹)₂，CN，NO₂，OR¹，SR¹，COOR¹，C(＝O)N(R¹)₂，Si(R¹)₃，B(OR¹)₂，C(＝O)R¹，P(＝O)(R¹)₂，S(＝O)R¹，S(＝O)₂R¹，OSO₂R¹，具有1至20个碳原子的直链的烷基基团或具有2至20个碳原子的烯基或炔基基团或具有3至20个碳原子的支链或环状的烷基基团，其中在每种情况下所述烷基、烯基或炔基基团可以被一个或多个R¹基团取代，其中一个或多个非相邻的CH₂基团可以被Si(R¹)₂、C＝O、NR¹、O、S或CONR¹代替，或具有5至40个芳族环原子并且在每种情况下可以被一个或多个R¹基团取代的芳族或杂芳族环系；同时，两个R基团还可以一起形成环系；

R¹在每种情况下相同或不同，并且为H，D，F，Cl，Br，I，N(R²)₂，CN，NO₂，OR²，SR²，Si(R²)₃，B(OR²)₂，COOR²，C(＝O)R²，P(＝O)(R²)₂，S(＝O)R²，S(＝O)₂R²，OSO₂R²，具有1至20个碳原子的直链的烷基基团或具有2至20个碳原子的烯基或炔基基团或具有3至20个碳原子的支链或环状的烷基基团，其中在每种情况下所述烷基、烯基或炔基基团可以被一个或多个R²基团取代，其中一个或多个非相邻的CH₂基团可以被Si(R²)₂、C＝O、NR²、O、S或CONR²代替，或芳族或杂芳族环系，所述芳族或杂芳族环系具有5至40个芳族环原子并且在每种情况下可以被一个或多个R²基团取代；同时，两个或更多个R¹基团可以一起形成环系；

2.根据权利要求1所述的化合物，所述化合物为式(1')

其中，当m＝0时，R基团与所述相应的V²所键合的碳原子键合，D邻位的所述R基团在每种情况下相同或不同，并且选自H、D、F、CH₃和CD₃，并且所用其他符号和标记具有权利要求1中详述的定义。

3.根据权利要求1或2所述的化合物，所述化合物为式(1a-1)至(1f-1)之一

其中所用符号和标记具有权利要求1中所给的定义。

4.根据权利要求1至3中的一项或多项所述的化合物，所述化合物为式(1a-3)至(1f-3)之一

其中所用符号和标记具有权利要求1所给的定义，并且与金属配位的邻位的R基团在每种情况下相同或不同，并且选自H、D、F、CH₃和CD₃。

5.根据权利要求1至4中的一项或多项所述的化合物，其特征在于V¹选自式(2)和(3)的基团

其中虚线键表示与所述中心亚配体或与一个或多个亚配体L¹连接的键，R具有权利要求1中所给的定义，并且所用的其他符号如下：

其中虚线键表示所述中心亚配体或亚配体L¹与此结构连接的键的位置，并且*表示所述式(4)的单元与中心环状基团、即明确包括在式(2)或(3)中的基团的连接的位置；

X¹在每种情况下相同或不同，并且为CR或N；

X²在每种情况下相同或不同，并且为CR或N，或两个相邻的X²基团一起为NR、O或S，因此形成五元环，并且其余的X²在每种情况下相同或不同并且为CR或N；或当所述环中X³基团之一为N时，两个相邻的X²基团一起为CR或N，因此形成五元环；条件是不超过两个相邻的X²基团为N；

X³在每种情况下为C，或一个X³基团为N并且同一个环中的其他X³基团为C；条件是当所述环中X³基团之一为N时两个相邻的X²基团一起为CR或N；

A¹在每种情况下相同或不同，并且为C(R)₂或O；

R'在每种情况下相同或不同，并且为H，D，具有1至20个碳原子的直链的烷基基团或具有3至20个碳原子的支链或环状的烷基基团，其中在每种情况下所述烷基基团可以被一个或多个R¹基团取代，并且其中一个或多个非相邻的CH₂基团可以被Si(R¹)₂代替，或具有5至40个芳族环原子并且在每种情况下可以被一个或多个R¹基团取代的芳族或杂芳族环系。

6.根据权利要求5所述的化合物，其特征在于所述式(2)的基团选自式(5')的结构，并且所述式(3)的基团选自式(9')或(9”)的结构