TW202003535A

TW202003535A - 金屬錯合物

Info

Publication number: TW202003535A
Application number: TW108108888A
Authority: TW
Inventors: 菲利普史托希爾; 克里斯汀艾倫瑞區; 亞民奧奇
Original assignee: 德商麥克專利有限公司
Priority date: 2018-03-19
Filing date: 2019-03-15
Publication date: 2020-01-16
Also published as: CN117534715A; TWI828664B; CN111836820B; US20210111345A1; WO2019179909A1; JP2021518404A; EP3768692B1; KR20200132941A; US11917903B2; CN111836820A; EP3768692A1

Abstract

本發明關於雙核、三核和四核金屬錯合物，以及包含這些金屬錯合物之電子裝置，尤其是有機電致發光裝置。

Description

金屬錯合物

本發明關於適合用作為有機電致發光裝置和有機感測器中的發光體之金屬錯合物。

根據先前技術，用於磷光有機電致發光裝置(OLED)的三重態發光體特別是具有芳族配位基的雙-及參-鄰位-金屬化銥錯合物及雙-鄰位-金屬化鉑錯合物，其中該等配位基經由帶負電的碳原子及未帶電的氮原子或是經由帶負電的碳原子及未帶電的碳烯(carbene)碳原子鍵結至金屬。該等錯合物的實例為參(苯基吡啶基)銥(III)及其衍生物，其中所用的配位基為例如1-或3-苯基異喹啉、2-苯基喹啉或苯基碳烯。在此情況下，銥錯合物通常具有在遠高於1 µs的區域內之相當長的發光壽命。然而，針對使用於OLED，希望短的發光壽命以便能夠在高亮度下操作OLED且具有低滾降(roll-off)特性。同樣仍需要改良效率，尤其是紅色發光磷光發光體。由於在傳統的紅色磷光發光體之情況下的低三重態能階T₁ ，光致發光量子產率經常遠低於理論可能值，由於具低T₁ ，非輻射通道扮演更重要的角色，尤其是當錯合物具有長的發光壽命時。在此希望藉由增加輻射程度，其可轉而藉由減少光致發光壽命而達成改良。可藉由使用多足(polypodal)配位基達成銥錯合物的安定性之改良，例如如WO 2016/124304中所述。在鉑錯合物的情況下，可藉由使用四牙配位基達成改良，例如如 WO 2005/042550中所述。根據配位基結構，此等錯合物顯示紅色、橙色、黃色、綠色或藍色發光。在具有多足或四牙配位基之錯合物的情況下亦然，仍然需要改良關於在使用於有機電致發光裝置中的情況下之性質，尤其是關於激發態的發光壽命及/或效率，但也關於電壓及/或壽命。尚未令人滿意地解決的技術問題仍然是提供有機或有機金屬化合物，其有效地發射在光譜的紅外光區中的光，且在發深紅色光化合物的情況下仍然需要進一步改良。特別是在光譜的紅外光區發光的化合物令人感興趣在用於感測器(例如用於指紋感測器或虹膜感測器)之用途。對於IR虹膜感測器，用IR光照射眼睛，且由眼睛反射的IR光的特徵圖案係由IR照相機檢測。用於此目的的光源可為在光譜的紅外光區發光的有機電致發光裝置，且因而為此目的需要提供紅外光發光體。

本發明所解決的問題因此為提供適合作為使用於OLED和感測器中的發光體之新穎金屬錯合物。特別目的為提供一種呈現關於發光壽命、效率、操作電壓及/或壽命之改良性質的發光體。所解決的另一問題為提供在光譜的深紅或紅外光區發光的發光體。令人驚訝地，已發現：相較於對應單核錯合物，下述雙核、三核和四核銥/鉑錯合物顯示在光物理性質的改良，且因此當用於有機電致發光裝置時亦導致性質的改良。更具體地說，本發明之化合物具有改良的光致發光量子產率和明顯降低的發光壽命。較短的發光壽命導致有機電致發光裝置的滾降(roll-off)特性改良。此外，錯合物顯示定向發光(oriented emission)，且因而其發光具有改良的效率。此外，此等錯合物在光譜的深紅或紅外光區發光，且尤其因而也可獲得呈現高效率紅外光發光的錯合物。本發明提供此等錯合物及含有此等錯合物之有機電致發光裝置和感測器。本發明提供一種下列式(1)化合物：

其中所使用的符號及標號如下： D 在各情況下為相同或不同且為C或N； X 在各情況下為相同或不同且為CR或N； L¹ 、L² 在各情況下為相同或不同且為雙牙子配位基； V¹ 為三價基團，其根據n之選擇而將中心子配位基彼此結合且結合至L¹ ； V² 為二價基團或單鍵，其將中心子配位基和L² 彼此結合； n 為1、2或3； m 在各情況下為相同或不同且為0或1，其中，當m=1時，鍵結至對應V² 基團之原子X為C，先決條件為在每個鉑子錯合物中至少一個m=1； R 在各情況下為相同或不同且為H；D；F；Cl；Br；I；N(R¹ )₂ ；CN；NO₂ ；OR¹ ；SR¹ ；COOR¹ ；C(=O)N(R¹ )₂ ；Si(R¹ )₃ ；B(OR¹ )₂ ；C(=O)R¹ ；P(=O)(R¹ )₂ ；S(=O)R¹ ；S(=O)₂ R¹ ；OSO₂ R¹ ；具有1至20個碳原子的直鏈烷基或具有2至20個碳原子的烯基或炔基或具有3至20個碳原子的支鏈或環狀烷基，其中該烷基、烯基或炔基在各情況下可經一或多個R¹ 基團取代，其中一或多個非相鄰的CH₂ 基團可經Si(R¹ )₂ 、C=O、NR¹ 、O、S或CONR¹ 置換；或具有5至40個芳族環原子且在各情況下可經一或多個R¹ 基團取代之芳族或雜芳族環系統；同時，二個R基團一起也可形成環系統； R¹ 在各情況下為相同或不同且為H；D；F；Cl；Br；I；N(R² )₂ ；CN；NO₂ ；OR² ；SR² ；Si(R² )₃ ；B(OR² )₂ ；COOR² ；C(=O)R² ；P(=O)(R² )₂ ；S(=O)R² ；S(=O)₂ R² ；OSO₂ R² ；具有1至20個碳原子的直鏈烷基或具有2至20個碳原子的烯基或炔基或具有3至20個碳原子的支鏈或環狀烷基，其中該烷基、烯基或炔基在各情況下可經一或多個R² 基團取代，其中一或多個非相鄰的CH₂ 基團可經Si(R² )₂ 、C=O、NR² 、O、S或CONR² 置換；或具有5至40個芳族環原子且在各情況下可經一或多個R² 基團取代之芳族或雜芳族環系統；同時，二或更多個R¹ 基團一起可形成環系統； R² 在各情況下為相同或不同且為H、D、F或具有1至20個碳原子的脂族、芳族或雜芳族有機基團，尤其是烴基團，其中一或多個氫原子也可經F置換。當二個R或R¹ 基團一起形成環系統時，其可為單-或多環的以及脂族、雜脂族、芳族或雜芳族的。在此情況下，一起形成環系統之基團可為相鄰的，意指此等基團係鍵結至相同的碳原子或是鍵結至彼此直接鍵結的碳原子，或是彼等可進一步地從彼此移除。較佳者為此種類的環形成是在鍵結至彼此直接鍵結的碳原子或鍵結至相同的碳原子的基團中。在本說明書的內容中，二或更多個基團一起可形成環的用語應被理解為特別意指二個基團藉由化學鍵彼此連接，且形式上脫去二個氫原子。此以下列圖解說明：

。然而，此外，上述用語也應理解為意指若二個基團中的一者為氫，則第二個基團鍵結至該氫原子所鍵結之位置而形成環。此應以下列圖解說明：

。芳族環系統的形成應以下列圖解說明：

。芳基在本發明的內容中含有6至40個碳原子；雜芳基在本發明的內容中含有2至40個碳原子和至少一個雜原子，其先決條件為碳原子和雜原子的總和為至少5。該等雜原子較佳係選自N、O及/或S。芳基或雜芳基在此係理解為意指簡單芳族環(也就是苯)或簡單雜芳族環(例如吡啶、嘧啶、噻吩、等等)或稠合芳基或雜芳基(例如萘、蒽、菲、喹啉、異喹啉、等等)。芳族環系統在本發明的內容中為在該環系統中含有6至40個碳原子。雜芳族環系統在本發明的內容中為在該環系統中含有1至40個碳原子及至少一個雜原子，其先決條件為碳原子和雜原子的總和為至少5。該等雜原子較佳係選自N、O及/或S。芳族或雜芳族環系統在本發明的內容中應理解為意指不是一定要只含有芳基或雜芳基，而是其中多個芳基或雜芳基亦可能被非芳族單元(較佳為少於10%非H之原子，例如，碳、氮或氧原子或羰基)中斷。例如，諸如9,9’-螺聯茀、9,9-二芳基茀、三芳基胺、二芳基醚、二苯乙烯、等系統因此也應被視為在本發明的內容中之芳族環系統，且同樣地其中二或更多個芳基例如被直鏈或環狀烷基或被矽基中斷之系統也應被視為在本發明的內容中之芳族環系統。此外，其中二或更多個芳基或雜芳基係彼此直接鍵結的系統(例如，聯苯、聯三苯、聯四苯或聯吡啶)應同樣地被視為芳族或雜芳族環系統。較佳芳族或雜芳族環系統為芳基或雜芳基及其中二或更多個芳基或雜芳基彼此直接鍵結之系統，及茀和螺聯茀基團。環狀烷基在本發明的內容中係理解為意指單環、雙環或多環基團。在本發明之內容中，其中個別的氫原子或CH₂ 基團亦可被上述基團置換之C₁ -至C₂₀ -烷基係理解為意指(例如)甲基、乙基、正丙基、異丙基、環丙基、正丁基、異丁基、第二丁基、第三丁基、環丁基、2-甲基丁基、正戊基、第二戊基、第三戊基、2-戊基、新戊基、環戊基、正己基、第二己基、第三己基、2-己基、3-己基、新己基、環己基、1-甲基環戊基、2-甲基戊基、正庚基、2-庚基、3-庚基、4-庚基、環庚基、1-甲基環己基、正辛基、2-乙基己基、環辛基、1-雙環[2.2.2]辛基、2-雙環[2.2.2]辛基、2-(2,6-二甲基)辛基、3-(3,7-二甲基)辛基、金剛烷基、三氟甲基、五氟乙基、2,2,2-三氟乙基、1,1-二甲基-正己-1-基、1,1-二甲基-正庚-1-基、1,1-二甲基-正辛-1-基、1,1-二甲基-正癸-1-基、1,1-二甲基-正十二-1-基、1,1-二甲基-正十四-1-基、1,1-二甲基-正十六-1-基、1,1-二甲基-正十八-1-基、1,1-二乙基-正己-1-基、1,1-二乙基-正庚-1-基、1,1-二乙基-正辛-1-基、1,1-二乙基-正癸-1-基、1,1-二乙基-正十二-1-基、1,1-二乙基-正-十四-1-基、1,1-二乙基-正十六-1-基、1,1-二乙基-正十八-1-基、1-(正丙基)環己-1-基、1-(正丁基)環己-1-基、1-(正己基)環己-1-基、1-(正辛基)環己-1-基及1-(正癸基)環己-1-基基團。烯基係理解為意指(例如)乙烯基、丙烯基、丁烯基、戊烯基、環戊烯基、己烯基、環己烯基、庚烯基、環庚烯基、辛烯基、環辛烯基或環辛二烯基。炔基應理解為意指(例如)乙炔基、丙炔基、丁炔基、戊炔基、己炔基、庚炔基或辛炔基。關於以OR¹ 或OR² 呈現的C₁ -至C₂₀ -烷氧基係理解為意指(例如)甲氧基、三氟甲氧基、乙氧基、正丙氧基、異丙氧基、正丁氧基、異丁氧基、第二丁氧基、第三丁氧基或2-甲基丁氧基。具有5至40個芳環原子且在各情況下亦可經上述基團取代及可經由任何所要位置連接至芳族或雜芳族環系統之芳族或雜芳族環系統係理解為意指(例如)衍生自下列之基團：苯、萘、蒽、苯并蒽、菲、苯并菲、芘、

(chrysene)、苝、丙二烯合茀(fluoranthene)、苯并丙二烯合茀、稠四苯、稠五苯、苯并芘、聯苯、聯伸二苯( biphenylene)、聯三苯(terphenyl)、聯伸三苯(terphenylene)、茀、螺聯茀、二氫菲、二氫芘、四氫芘、順-或反-茚并茀、順-或反單苯并茚并茀、順-或反二苯并茚并茀、三聚茚(truxene)、異三聚茚(isotruxene)、螺三聚茚、螺異三聚茚、呋喃、苯并呋喃、異苯并呋喃、二苯并呋喃、噻吩、苯并噻吩、異苯并噻吩、二苯并噻吩、吡咯、吲哚、異吲哚、咔唑、吲哚并咔唑、茚并咔唑、吡啶、喹啉、異喹啉、吖啶、啡啶、苯并-5,6-喹啉、苯并-6,7-喹啉、苯并-7,8-喹啉、啡噻𠯤、啡㗁𠯤、吡唑、吲唑、咪唑、苯并咪唑、萘并咪唑(naphthimidazole)、菲并咪唑(phenanthrimidazole )、吡啶并咪唑(pyridimidazole)、吡𠯤并咪唑( pyrazinimidazole)、喹㗁啉并咪唑(quinoxalinimidazole)、㗁唑、苯并㗁唑、萘并㗁唑(naphthoxazole)、蒽并㗁唑(anthroxazole)、菲并㗁唑(phenanthroxazole)、異㗁唑、1,2-噻唑、1,3-噻唑、苯并噻唑、嗒𠯤、苯并嗒𠯤、嘧啶、苯并嘧啶、喹㗁啉、1,5-二氮雜蒽、2,7-二氮雜芘、2,3-二氮雜芘、1,6-二氮雜芘、1,8-二氮雜芘、4,5-二氮雜芘、4,5,9,10-四氮雜苝、吡𠯤、啡𠯤、啡㗁𠯤、啡噻𠯤、熒紅環(fluorubin)、㖠啶、氮雜咔唑、苯并咔啉、啡啉、1,2,3-三唑、1,2,4-三唑、苯并三唑、1,2,3-㗁二唑、1,2,4-㗁二唑、1,2,5-㗁二唑、1,3,4-㗁二唑、1,2,3-噻二唑、1,2,4-噻二唑、1,2,5-噻二唑、1,3,4-噻二唑、1,3,5-三𠯤、1,2,4-三𠯤、1,2,3-三𠯤、四唑、1,2,4,5-四𠯤、1,2,3,4-四𠯤、1,2,3,5-四𠯤、嘌呤、喋啶、吲

和苯并噻二唑。關於L¹ 或L² 之用語"雙牙子配位基"在本申請案的內容中意指若V¹ 或V² 基團不存在，則此單元將為雙牙配位基。然而，由於從此雙牙配位基正式抽離氫原子並連接至V¹ 或V² 的結果，其不再是分開的配位基，而為因此產生之較高多牙配位基的一部分，且因而為此使用了術語"子配位基"。術語"中心子配位基"係使用於上文和下列說明中。此根據本發明係理解為在式(1)化合物內同時與Ir和Pt配位的任何子配位基。為了進一步說明本發明之化合物，在下文中完整地顯示並闡明二種式(1)的簡單結構：

。在這些結構中，與銥和鉑配位之中心子配位基為2-苯基嘧啶基團。橋接中心子配位基和二個子配位基L¹ 之V¹ 基團為1,3,5-三苯基苯基團。橋接中心子配位基和子配位基L² 之V² 基團為C(CH₃ )₂ 。二個子配位基L¹ 也鍵結至V¹ 基團，且這些在上述結構中各為苯基吡啶。一個子配位基L² 也鍵結至V² 基團，且在上述結構中此為苯基吡啶。標號n為1，意指該結構只包含一個鉑原子。在二個結構的各個中，一個標號m=1和另一個標號m=0，其中，在第一結構中，V² 基團鍵結至與V¹ 所鍵結之基團同一環，及在第二結構中，V¹ 和V² 基團係鍵結至中心子配位基的二個不同環。在上述結構中，銥因此係與二個苯基吡啶子配位基和一個苯基嘧啶子配位基配位，且鉑係與一個苯基吡啶子配位基和一個苯基嘧啶子配位基配位。苯基嘧啶之苯基和嘧啶基在此與銥和鉑二者配位。配位基接至銥或鉑之鍵可為配位鍵或共價鍵，或鍵的共價分數(covalent fraction)可根據配位基而變化。當在本申請案中述及配位基或子配位基配位或結合至銥或鉑時，此在本申請案的內容中係指配位基或子配位基接至金屬的任何種類之鍵，不論該鍵的共價分數。本發明之化合物較佳不帶電，意指彼等為電中性。此係因為子配位基的電荷可補償金屬原子的電荷而達成。因此較佳的是當+III氧化態之銥原子與具有總共三個負電荷之三個雙牙子配位基配位時，和當+II氧化態之鉑原子與具有總共二個負電荷之二個雙牙子配位基配位時，其中同時與Ir和Pt配位的中心子配位基較佳具有二個負電荷。在此較佳的是當子配位基L¹ 和L² 各自為單陰離子時。或者，可能的是(例如)與Ir和Pt配位之中心子配位基經由二個不帶電氮原子與Pt配位和L² 經由二個陰離子碳原子與Pt配位。同樣可能的是(例如)與Ir和Pt配位之中心子配位基經由二個陰離子碳原子與Pt配位和L² 經由二個不帶電氮原子與Pt配位。當n=1時，本發明之化合物為具有一個銥原子和一個鉑原子之雙核化合物。當n=2時，本發明之化合物為具有一個銥原子和二個鉑原子之三核化合物。當n=3時，本發明之化合物為具有一個銥原子和三個鉑原子之四核化合物。在本發明的一較佳實施態樣中，n=1。在本發明的一較佳實施態樣中，式(1)化合物係選自下列式(1’)化合物：

其中，當m=0時，R基團係鍵結至原本將鍵結至對應V² 之碳原子，在D之鄰位的R基團在各情況下為相同或不同且係選自由下列所組成之群組：H、D(氘)、F、CH₃ 和CD₃ 且較佳為H，而其他所使用的符號與標號具有上文所詳述的定義。在式(1)的一較佳實施態樣中，該Ir係以中心子配位基之一個碳原子和一個氮原子配位。在式(1)的另一較佳實施態樣中，該Pt係以中心子配位基之一個碳原子和一個氮原子或以二個碳原子配位。式(1)化合物因此較佳具有下列式(1a)至(1f)中之一者的結構：

其中所使用之符號和標號具有上述所給的定義。因為式(1e)和(1f)中之中心子配位基經由二個陰離子碳原子與Pt配位，所以較佳的是當此等結構中之子配位基L² 經由二個不帶電的原子，尤其是經由二個不帶電氮原子，與Pt配位時。更佳地，Ir和Pt二者以中心子配位基之一個碳原子和一個氮原子配位，且因而較佳實施態樣為式(1a)至(1d)之結構。在一較佳實施態樣中，一個標號 m=1和另一標號m= 0，且因而本發明之化合物較佳每一鉑子錯合物具有恰好一個V² 基團。此外，在具有恰好一個V² 基團之化合物中，較佳的是當此基團在中心子配位基上鍵結至經由碳與Ir配位的芳基或雜芳基。較佳化合物因此為下列式(1a-1)至(1f-1)之化合物：

其中所使用之符號和標號具有上述所給的定義。在本發明的一較佳實施態樣中，式(1a)至(1f)中之X為CR，且因而該結構較佳係選自式(1a-2)至(1f-2)之化合物

其中，當m=0時，R基團係鍵結至原本將鍵結至對應V² 之碳原子，在D之鄰位的R基團在各情況下為相同或不同且係選自由下列所組成之群組：H、D(氘)、F、CH₃ 和CD₃ 且較佳為H，而其他所使用的符號與標號具有上文所詳述的定義。特佳者為下列式(1a-3)至(1f-3)之化合物：

其中所使用之符號和標號具有上述所給的定義。在此於D之鄰位的R基團較佳地在各情況下為相同或不同且係選自由下列所組成之群組：H、D(氘)、F、CH₃ 和CD₃ 及更佳為H。下列為V¹ 基團的較佳實施態樣之說明。如上所述，V¹ 為三價基團，當n=1時，其將中心子配位基和二個子配位基L¹ 彼此連接，或者當n=2時，其將二個中心子配位基和子配位基L¹ 彼此連接，或者當n=3時，其將三個中心子配位基彼此連接。在本發明的一較佳實施態樣中，V¹ 係選自下列式(2)和(3)之基團：

其中虛線鍵表示接至中心子配位基或接至子配位基L¹ 之鍵，R具有上述所給的定義而其他所使用的符號如下： A 在各情況下為相同或不同且為-CR=CR-、-C(=O)-NR'-、-C(=O)-O-、-CR₂ -CR₂ -、-CR₂ -O-或下列式(4)之基團：

其中虛線鍵表示該中心子配位基或子配位基L¹ 接至此結構之鍵的位置及*表示式(4)之單元接至中心環狀基團的鍵聯之位置，該中心環狀基團即式(2)或(3)中明確包括的基團； X¹ 在各情況下為相同或不同且為CR或N； X² 在各情況下為相同或不同且為CR或N，或二個相鄰的X² 基團一起為NR、O或S，因此形成五員環，及其餘X² 基團在各情況下為相同或不同且為CR或N；或當環中的X³ 基團中的一者為N時，二個相鄰的X² 基團一起為CR或N，因此形成五員環；先決條件為不超過二個相鄰的X² 基團為N； X³ 各情況下為C或一個X³ 基團為N且在同一環中的其他X³ 基團為C；先決條件為當環中的X³ 基團中的一者為N時，二個相鄰的X² 基團一起為CR或N； A¹ 在各情況下為相同或不同且為C(R)₂ 或O； A² 在各情況下為相同或不同且為CR、P(=O)、B或SiR，先決條件為，當A² =P(=O)、B或SiR時，符號A¹ 為O及鍵結至此A² 之符號A不為-C(=O)-NR'-或-C(=O)-O-； R' 在各情況下為相同或不同且為H；D；具有1至20個碳原子的直鏈烷基或具有3至20個碳原子的支鏈或環狀烷基，其中該烷基在各情況下可經一或多個R¹ 基團取代及其中一或多個非相鄰的CH₂ 基團可經Si(R¹ )₂ 置換；或具有5至40個芳族環原子且在各情況下可經一或多個R¹ 基團取代之芳族或雜芳族環系統。當式(3)中之A² 為CR時，尤其是當所有A² 為CR時，此外，非常特別的是，當A¹ 中之0、1、2或3個，尤其是3個，為CR₂ 時，A² 上之R基團可根據組態而假設不同的位置。在此較佳的是小的R基團，例如H或D。較佳的是彼等全部指向遠離金屬(頂端)或全部向內指向金屬(內嵌(endohedral))。此在下文中以其中A基團各自為鄰伸苯基之實例說明。

為了清楚起見，沒有顯示與Ir或Pt配位的第三子配位基，而是僅用虛線鍵表示。較佳者因此為可採取二個組態中之至少一者的錯合物。此等為其中三個子配位基全部赤道排列在中心環上之錯合物。式(2)之基團的適當實施態樣為下列式(5)至(8)之結構，及式(3)之基團的適當實施態樣為為下列式(9)至(13)之結構：

其中符號具有上述所給的定義。式(2)、(3)和(5)至(13)中之較佳R基團如下： R 在各情況下為相同或不同且為H；D；F；CN；OR¹ ；具有1至10個碳原子的直鏈烷基或具有2至10個碳原子之烯基或具有3至10個碳原子之支鏈或環狀烷基，彼等各自可經一或多個R¹ 基團取代；或具有5至24個芳族環原子且在各情況下可經一或多個R¹ 基團取代之芳族或雜芳族環系統； R¹ 在各情況下為相同或不同且為H；D；F；CN；OR² ；具有1至10個碳原子的直鏈烷基或具有2至10個碳原子之烯基或具有3至10個碳原子之支鏈或環狀烷基，彼等各自可經一或多個R² 基團取代；或具有5至24個芳族環原子且在各情況下經一或多個R² 基團取代之芳族或雜芳族環系統；同時，二或更多個相鄰的R¹ 基團可一起形成環系統； R² 在各情況下為相同或不同且為H、D、F或具有1至20個碳原子的脂族、芳族及/或雜芳族有機基團，其中一或多個氫原子也可經F置換。式(2)、(3)和(5)至(13)中之特佳R基團如下： R 在各情況下為相同或不同且為H；D；F；CN；具有1至4個碳原子的直鏈烷基或具有3至6個碳原子之支鏈或環狀烷基，彼等各自可經一或多個R¹ 基團取代；或具有6至12個芳族環原子且在各情況下經一或多個R¹ 基團取代之芳族或雜芳族環系統； R¹ 在各情況下為相同或不同且為H；D；F；CN；具有1至4個碳原子的直鏈烷基或具有3至6個碳原子之支鏈或環狀烷基，彼等各自可經一或多個R² 基團取代；或具有6至12個芳族環原子且在各情況下經一或多個R² 基團取代之芳族或雜芳族環系統；同時，二或更多個相鄰的R¹ 基團可一起形成環系統； R² 在各情況下為相同或不同且為H、D、F或具有1至12個碳原子的脂族或芳族烴基團。在本發明的一較佳實施態樣中，式(2)之基團中的所有X¹ 基團為CR，且因而式(2)之中心三價環為苯。更佳地，所有X¹ 基團為CH或CD，尤其是CH。在本發明之另一較佳實施態樣中，所有X¹ 基團為氮原子且因而式(2)之中心三價環為三𠯤。式(2)的較佳實施態樣因此為上述式(5)和(6)之結構。更佳地，式(5)之結構為下列式(5')之結構：

其中符號具有上述所給的定義。在本發明之另一較佳實施態樣中，式(3)之基團中的所有A² 基團為CR。更佳地，所有A² 基團為CH。式(3)的較佳實施態樣因此為上述式(9)之結構。更佳地，式(9)之結構為下列式(9’)或(9")之結構：

其中符號具有上述所給的定義且R較佳為H。如上已述者，此等結構中之R基團也可彼此形成環系統。例如，透過藉由式(9')中之R基團的環形成，可能形成金剛烷橋頭，如在下列二式中所示：

。接著為如出現於式(2)和(3)和(5)至(13)之結構的較佳A基團之說明。A基團在各情況下可為相同或不同且可為烯基、醯胺基、酯基、伸烷基、亞甲基醚基或式(4)之鄰位鍵結的伸芳基或伸雜芳基。當A為烯基時，其為順式鍵結之烯基。在不對稱A基團的情況下，任何取向的基團都是可能的。例如，當A=-C(=O)-O-時，碳原子或羰基可能結合至中心子配位基或結合至子配位基L¹ 。同樣適用於當A= -N(R¹ )-C(=O)-時。在本發明的一較佳實施態樣中，A基團在各情況下為相同或不同，較佳為相同，且係選自由下列所組成之群組：-CR₂ -CR₂ -、-C(=O)-O-、-C(=O)-NR'-或式(4)之基團。更佳地，A基團全部相同且也具有相同的取代。關於式(2)或(3)內和較佳實施態樣之A基團的較佳組合為：

當A為-C(=O)-NR’-時，R’較佳在各情況下為相同或不同且為具有1至10個碳原子的直鏈烷基或具有3至10個碳原子之支鏈或環狀烷基或具有6至24個芳族環原子且在各情況下可經一或多個R¹ 基團取代之芳族或雜芳族環系統。更佳地，R’在各情況下為相同或不同且為具有1至5個碳原子的直鏈烷基或具有3至6個碳原子的支鏈或環狀烷基或具有6至12個芳族環原子且在各情況下可經一或多個R¹ 基團取代，但較佳為未經取代之芳族或雜芳族環系統。式(4)之基團的較佳實施態樣係敘述於下文。式(4)之基團可表示雜芳族五員環或芳族或雜芳族六員環。在本發明的一較佳實施態樣中，式(4)之基團在芳族或雜芳族單元中含有不超過二個的雜原子，更佳為不超過一個的雜原子。此並不意謂鍵結至此基團的任何取代基亦不能含有雜原子。此外，此定義並不意謂藉由取代基的環形成無法產生稠合的芳族或雜芳族結構，例如，萘、苯并咪唑等等。當式(4)中之二個X³ 基團皆為碳原子時，式(4)之基團的較佳實施態樣為下列式(14)至(30)之結構，且當一個X³ 基團為碳原子，而在同一環中的另一X³ 基團為氮原子時，式(4)之基團的較佳實施態樣為下列式(31)至(38)之結構：

其中符號具有上述所給的定義。特佳者為上述式(14)至(18)的六員芳族環及雜芳族環。非常特佳者為鄰-伸苯基，亦即上述式(14)之基團。同時，相鄰的R取代基亦可能一起形成環系統，使得可能形成稠合的結構，包括稠合的芳基及雜芳基，例如，萘、喹啉、苯并咪唑、咔唑、二苯并呋喃或二苯并噻吩。該環形成以上述式(14)之基團示意地顯示於下，其可導致例如下列式(14a)至(14j)之基團：

其中符號具有上述所給的定義。通常，稠合之基團可稠合至式(4)之單元中的任何位置，如式(14a)至(14c)中稠合的苯并基團所顯示。在式(14d)至(14j)中作為稠合至式(4)之單元的基團因此也可稠合至式(4)之單元的其他位置。式(2)之較佳基團為式(5)之基團，和式(3)之較佳基團為式(9)之基團。式(5)之基團更佳可以下列式(5a)至(5x)表示，和式(9)之基團更佳可以下列式(9a)至(9x)表示：

其中符號具有上述所給的定義。較佳地，X² 在各情況下為相同或不同且為CR，尤其是CH。在其中二個A基團為相同且第三A基團與前二個A基團不同之上述結構中，較佳的是，當n=1時，當二個相同A基團結合至L¹ 和與前二個A基團不同之A基團結合至中心子配位基時。此外，較佳的是，當n=2時，當二個相同的A基團皆結合至中心子配位基和與前二個A基團不同之A基團結合至L¹ 時。式(2)之基團的一特佳實施態樣為下列式(5a'')之基團：

其中符號具有上述所給的定義。更佳地，上述式中之R基團為相同或不同且為H、D或具有1至4個碳原子的烷基。最佳地，R=H。非常特佳者因此為下列式(5a"')之結構：

其中符號具有上述所給的定義。另外之適當橋頭V¹ 為下列式(V¹ -a)之結構：

其中A和R具有上述所給的定義及V為CR、N、SiR、P或P=O，較佳為CR或N。在此情況下，明確顯示在亞甲基上的取代基R較佳為H。接著為V² 基團的較佳實施態樣之說明。如上所述，V² 為將中心子配位基和子配位基L² 彼此連接之二價基團或單鍵。在本發明的一較佳實施態樣中，V² 為二價基團。此較佳係選自由下列所組成之群組：CR₂ 、NR、O、S、Se、 -CR₂ -CR₂ -、-CR₂ -O-、-CR=CR−或具有5或6個芳族環原子且可經一或多個R基團取代之鄰位鍵結的伸芳基或伸雜芳基。當V² 為鄰位鍵結的伸芳基或伸雜芳基時，較佳實施態樣為如上作為用於式(4)之結構的較佳實施態樣之基團。當一個標號m=1和其他標號m=0時，較佳的是當m=1時的對應V² 基團係選自由下列所組成之群組時：NR、CR₂ 、O和S，更佳為NR、CR₂ 和O。當二個標號皆為 m=1時，較佳的是當V² 基團中之一者係選自由下列所組成之群組：CR₂ 、NR、O或S，更佳為CR₂ 或NR，和另一V² 基團係選自由下列所組成之群組時：-CR₂ -CR₂ -、-CR₂ -O-、-CR=CR-或有5或6個芳族環原子且可經一或多個R基團取代之鄰位鍵結的伸芳基或伸雜芳基。當V² 為CR₂ 、-CR₂ -CR₂ -、-CR₂ -O-或-CR=CR-基團時，較佳R基團在各情況下為相同或不同且係選自由下列所組成之群組：H、具有1至10個碳原子且在各情況下可經一或多個R¹ 基團取代之烷基或具有5至13個芳族環原子且可經一或多個R¹ 基團取代之芳族或雜芳族環系統。在此結合至同一碳原子或二個相鄰的碳原子之多個R基團也可能彼此一起形成環。更佳地，此等R基團在各情況下為相同或不同且係選自由下列所組成之群組：H、具有1至5個碳原子的烷基和具有5至10個芳族環原子且可經一或多個R¹ 基團取代之芳族或雜芳族環系統。在此結合至同一碳原子或二個相鄰的碳原子之多個R基團也可能彼此一起形成環。當V² 為NR基團時，較佳R基團係選自由下列所組成之群組：具有1至10個碳原子且也可經一或多個R¹ 基團取代之烷基、或具有5至24個芳族環原子且可經一或多個R¹ 基團取代之芳族或雜芳族環系統。更佳地，此等R基團係選自具有5至13個芳族環原子，更佳地具有6至10個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統，其在各情況下可經一或多個R¹ 基團取代。接著為雙牙子配位基L¹ 和L² 之說明。子配位基L¹ 和L² 可為相同或不同。在此較佳的是，當在含有二個子配位基L¹ 的化合物中，此等為相同且也具有相同的取代基時。在本發明的一較佳實施態樣中，雙牙子配位基L¹ 為單陰離子。在本發明之另一較佳實施態樣中，雙牙子配位基L² 為單陰離子或不帶電。在本發明之另一較佳實施態樣中，雙牙子配位基L¹ 和L² 之配位原子在各情況下為相同或不同且係選自C、N、P、O、S及/或B，更佳為C、N及/或O和最佳為C及/或N。雙牙子配位基L¹ 較佳各具有一個碳原子和一個氮原子或二個碳原子或二個氮原子或二個氧原子或一個氧原子和一個氮原子作為配位原子。此外，雙牙子配位基L² 較佳各具有一個碳原子和一個氮原子或二個氮原子作為配位原子。在此情況下，子配位基L¹ 和L² 各自的配位原子可為相同，或者彼等可為不同。較佳地，雙牙子配位基L¹ 中之至少一者具有一個碳原子和一個氮原子或二個碳原子作為配位原子，尤其是一個碳原子和一個氮原子。更佳地，所有雙牙子配位基L¹ 和L² 具有一個碳原子和一個氮原子或二個碳原子作為配位原子，尤其是一個碳原子和一個氮原子。特佳者因此為其中所有子配位基為經鄰位-金屬化之金屬錯合物，即與Ir或Pt形成金屬環，其中至少一個金屬-碳鍵存在。另外較佳的是當由銥或鉑和雙牙子配位基L¹ 或L² 形成之金屬環為五員環時，當配位原子為C和N、N和N、或N和O時為特佳的。當配位原子為O時，六員金屬環亦可為較佳的。此係示意性地顯示在下文中：

其中M為Ir或Pt，N為配位氮原子，C為配位碳原子及O表示配位氧原子，及所示碳原子為雙牙子配位基L¹ 或L² 之原子。在本發明的一較佳實施態樣中，L² 和雙牙子配位基L¹ 中之至少一者，及更佳地所有雙牙子配位基L¹ 在各情況下為相同或不同且係選自下列式(L-1)、(L-2)和(L-3)之結構：

其中虛線鍵表示該子配位基L¹ 接至V¹ 的鍵或該子配位基L² 接至V² 的鍵，而其他所使用的符號如下： CyC 在各情況下為相同或不同且為具有5至14個芳族環原子之經取代或未經取代之芳基或雜芳基，且經由碳原子與M配位並經由共價鍵鍵結至CyD； CyD 在各情況下為相同或不同且為具有5至14個芳族環原子之經取代或未經取代之雜芳基，其且經由氮原子或經由碳烯(carbene)碳原子與M配位並經由共價鍵鍵結至CyC；同時，二或更多個視需要之取代基一起可形成環系統，此外，該等視需要之基團較佳係選自上述R基團。同時，式(L-1)和(L-2)之子配位基中的CyD較佳經由不帶電氮原子或經由碳烯(carbene)碳原子，尤其是經由不帶電氮原子配位。進一步較佳地，式(L-3)之配位基中的二個CyD基團中之一者經由不帶電氮原子配位和二個CyD基團之另一個經由陰離子氮原子配位，或二個CyD基團皆經由不帶電氮原子配位。進一步較佳地，式(L-1)和(L-2)之子配位基中的CyC經由陰離子碳原子配位。當二或更多個取代基，尤其是二或更多個R基團，一起形成環系統時，可能的是環系統將由鍵結至直接相鄰的碳原子之取代基形成。此外，式(L-1)和(L-2)中的CyC和CyD上的取代基或式(L-3)中的二個CyD基團上的取代基也可能一起形成環，其結果為CyC和CyD或二個CyD基團也可一起形成單一稠合芳基或雜芳基作為雙牙配位基。在本發明的一較佳實施態樣中，CyC為具有6至13個芳族環原子、更佳具有6至10個芳族環原子、最佳具有6個芳族環原子的芳基或雜芳基，尤其是苯基，其經由碳原子與金屬配位，其可經一或多個R基團取代並經由共價鍵鍵結至CyD。 CyC基團的較佳實施態樣為下列式(CyC-1)至(CyC-20)之結構：

其中CyC在各情況下結合到於CyD中以#表示的位置且配位到於金屬中之以*表示的位置，R具有上述所給的定義及其他所使用的符號如下： X 在各情況下為相同或不同且為CR或N，先決條件為每環不超過二個符號X為N； W 為NR、O或S；先決條件為，當子配位基L¹ 係經由CyC鍵結至V¹ 時，一個符號X為C及V¹ 係鍵結至此碳原子，及額外地先決條件為，當子配位基L² 係經由CyC鍵結至V² 時，一個符號X為C及V² 係鍵結至碳原子。當子配位基L¹ 經由CyC鍵結至V¹ 時，該鍵較佳地經由上述式中以"o"標記的位置，且因而以"o"標記的符號X在該情況下較佳為C。不含任何以"o"標記的符號X之L¹ 的上述結構較佳不直接鍵結至V¹ ，因為接至該橋之鍵就立體原因而言是不利的。當子配位基L² 係經由CyC基團鍵結至V² 時，該鍵較佳係經由與Pt配位處之鄰位。較佳地，CyC中總共不超過二個符號X為N，更佳地CyC中總共不超過一個符號X為N，和最佳所有符號X為CR，先決條件為，當CyC係鍵結至V¹ 或V² 時，一個符號X為C及V¹ 或V² 係鍵結至此碳原子。特佳CyC基團為下列式(CyC-1a)至(CyC-20a)之基團：

其中所使用的符號具有上述所給的定義，先決條件為，當子配位基L¹ 係經由CyC鍵結至V¹ 時，一個R基團不存在及V¹ 係鍵結至對應碳原子，及額外地先決條件為，當子配位基L² 係經由CyC鍵結至V² 時，一個R基團不存在及V² 係鍵結至對應碳原子。當子配位基L¹ 係經由CyC基團鍵結至V¹ 時，該鍵較佳地經由上述式中以"o"標記的位置，且因而在以"o"標記的位置之R基團在該情況下較佳不存在。不含任何以"o"標記的碳原子之L¹ 的上述結構較佳不直接鍵結至V¹ ，因為接至該橋之該類鍵就立體原因而言是不利的。當子配位基L² 係經由CyC基團鍵結至V² 時，該鍵較佳係經由與Pt處之鄰位。 (CyC-1)至(CyC-20)基團中之較佳基團為(CyC-1)、(CyC-3)、(CyC-8)、(CyC-10)、(CyC-12)、(CyC-13)和(CyC-16)基團，且特佳者為(CyC-1a)、(CyC-3a)、(CyC-8a)、(CyC-10a)、(CyC-12a)、(CyC-13a)和(CyC-16a)基團。在本發明之另一較佳實施態樣中，CyD為具有5至13個芳族環原子、更佳具有6至10個芳族環原子的雜芳基，其經由不帶電氮原子或經由碳烯碳原子與金屬配位且其可經一或多個R基團取代及其係經由共價鍵鍵結至CyC。 CyD基團的較佳實施態樣為下列式(CyD-1)至(CyD-14)之結構：

其中CyD基團在各情況下結合到於CYC中以#表示的位置且配位到於金屬中以*表示的位置，及其中X、W和R具有上述所給的定義，先決條件為，當子配位基L¹ 係經由CyD鍵結至V¹ 時，一個符號X為C及V¹ 係鍵結至此碳原子，及額外地先決條件為，當子配位基L² 係經由CyD鍵結至V² 時，一個符號X為C及V² 係鍵結至此碳原子。當子配位基L¹ 係經由CyD基團鍵結至V¹ 時，該鍵較佳地經由上述式中以"o"標記的位置，且因而以"o"標記的符號X在該情況下較佳為C。不含任何以"o"標記的符號X之L¹ 的上述結構較佳不直接鍵結至V¹ ，因為接至該橋之該類鍵就立體原因而言是不利的。當子配位基L² 係經由CyD鍵結至V² 時，該鍵較佳係經由與Pt配位處之鄰位。在此情況下，(CyD-1)至(CyD-4)、(CyD-7)至(CyD-10)、(CyD-13)和(CyD-14)基團經由不帶電氮原子，(CyD-5)和(CyD-6)基團經由碳烯碳原子及(CyD-11)和(CyD-12)基團經由陰離子氮原子與金屬配位。較佳地，CyD中總共不超過二個符號X為N，更佳地，CyD中不超過一個符號X為N，且尤佳所有符號X為CR，先決條件為，當CyD係鍵結至V¹ 或V² 時，一個符號X為C及V¹ 或V² 係鍵結至此碳原子。特佳CyD基團為下列式(CyD-1a)至(CyD-14b)之基團：

其中所使用的符號具有上述所給的定義，且當CyD係鍵結至V¹ 或V² 時，一個R基團不存在及V¹ 或V² 係鍵結至對應碳原子。當子配位基L¹ 係經由CyD基團鍵結至V¹ 時，該鍵較佳地經由上述式中以"o"標記的位置，且因而對應R基團在該情況下較佳不存在。不含任何以"o"標記的碳原子之L¹ 的上述結構較佳不直接鍵結至V¹ ，因為接至該橋之該類鍵就立體原因而言是不利的。當子配位基L² 係經由CyD基團鍵結至V² 時，該鍵較佳係經由與Pt配位處之鄰位。 (CyD-1)至(CyD-14)基團中之較佳基團為(CyD-1)、(CyD-2)、(CyD-3)、(CyD-4)、(CyD-5)和(CyD-6)基團，尤其是(CyD-1)、(CyD-2)和(CyD-3)，且特佳者為(CyD-1a)、(CyD-2a)、(CyD-3a)、(CyD-4a)、(CyD-5a)和(CyD-6a)基團，尤其是(CyD-1a)、(CyD-2a)和(CyD-3a)。在本發明的一較佳實施態樣中，CyC為具有6至13個芳族環原子的芳基或雜芳基，且同時CyD為具有5至13個芳族環原子的雜芳基。更佳地，CyC為具有6至10個芳族環原子的芳基或雜芳基，且同時CyD為具有5至10個芳族環原子的雜芳基。最佳地，CyC為具有6個芳族環原子的芳基或雜芳基，尤其是苯基，及CyD為具有6至10個芳族環原子的雜芳基。同時，CyC和CyD可經一或多個R基團取代。上述較佳(CyC-1)至(CyC-20)和(CyD-1)至(CyD-14)基團可在式(L-1)和(L-2)之子配位基中有需要時彼此組合，其先決條件為CyC或CyD基團中之至少一者具有接至V¹ 或V² 基團的適當連接位置。尤佳的是當上述指定為特佳之CyC和CyD基團，即式(CyC-1a)至(CyC-20a)之基團和式(CyD1-a)至(CyD-14b)之基團，彼此組合時，其先決條件為較佳之CyC或CyD基團中之至少一者具有接至V¹ 或V² 的適當連接位置。非常特佳的是當(CyC-1)、(CyC-3)、(CyC-8)、(CyC-10)、(CyC-12)、(CyC-13)和(CyC-16)基團且尤其是(CyC-1a)、(CyC-3a)、(CyC-8a)、(CyC-10a)、(CyC-12a)、(CyC-13a)和(CyC-16a)基團中之一者與(CyD-1)、(CyD-2)和(CyD-3)基團中之一者且尤其是與(CyD-1a)、(CyD-2a)和(CyD-3a)基團中之一者組合時。較佳子配位基(L-1)為下列式(L-1-1)和(L-1-2)之結構，及較佳子配位基(L-2)為下列式(L-2-1)至(L-2-3)之結構：

其中所使用的符號具有上述所給的定義，*表示與Ir或Pt配位的位置及若該結構為L¹ 之實施態樣，則"o"表示接至V¹ 之鍵的位置。若該結構為L² 之實施態樣，則V² 係鍵結在與Pt配位處的鄰位。在該情況下，與V¹ 或V² 鍵結的符號X為C。更佳地，在這些結構中，X在各情況下為相同或不同且為CR，且因而該等結構較佳為下列式(L-1-1a)至(L-2-3a)之彼等結構：

其中所使用的符號具有上述所給的定義，及若該結構為L¹ 之實施態樣，則"o"表示接至V¹ 之鍵的位置。若該結構為L² 之實施態樣，則V² 係鍵結在與Pt配位處的鄰位。在該情況下，在鍵結V¹ 或V² 的碳原子上之R基團不存在。同樣可能的是，藉由將不帶電的CyD基團(即(CyD-1)至(CyD-10)、(CyD-13)或(CyD-14)基團)與陰離子CyD基團(即(CyD-11)或(CyD-12)基團)組合、或藉由將二個不帶電的CyD基團彼此組合，式(L-3)之子配位基中的上述較佳 CyD基團在有需要時彼此組合，先決條件為，CyD基團中之至少一者具有接至V¹ 或V² 之適當連接位置。當二個R基團(式(L-1)和(L-2)中之一個R基團鍵結至CyC及另一個R基團鍵結至CyD，或式(L-3)中之一個R基團鍵結至一個CyD基團及另一個R基團鍵結至另一個CyD基團)一起形成芳族環系統時，此可導致橋接子配位基，且亦導致整體表示單一較大雜芳基(例如苯并[h]喹啉、等等)之子配位基。式(L-1)和(L-2)中之CyC和CyD上的取代基之間或式(L-3)中之二個CyD基團上的取代基之間的環形成較佳係經由根據下列式(39)至(48)中之一者的基團：

其中R¹ 具有上述所給的定義且虛線鍵表示接至CyC或CyD之鍵。同時，彼等上述者中的不對稱基團可併入二個可能的取向中之各者；例如，在式(48)之基團中，氧原子可結合至CyC基團及羰基結合至CyD基團，或者氧原子可結合至CyD基團及羰基結合至CyC基團。同時，當此導致環形成而產生如下所示之六員環(例如，以式(L-22)和(L-23)所示)時，式(45)之基團為特佳。透過不同環中的二個R基團之間的環形成而產生的較佳配位基為下示式(L-4)至(L-31)之結構：

其中所使用的符號具有上述所給的定義及在L¹ 之一實施態樣的情況下"o"給出此子配位基連接至V¹ 的位置。若該結構為L² 之實施態樣，則V² 較佳係鍵結在與Pt配位處的鄰位。在該情況下，與V¹ 或V² 鍵結的符號X為碳。在式(L-4)至(L-31)之子配位基的一較佳實施態樣中，總共一個符號X為N及其他符號X為CR，或所有符號X為CR。在本發明之另一實施態樣中，較佳的是，若在基團(CyC-1)至(CyC-20)或(CyD-1)至(CyD-14)中或在該子配位基(L-1-1)至(L-2-3)、(L-4)至(L-31)中，當作為與此氮原子相鄰之取代基鍵結的R基團不為氫或氘時，原子X中之一者為N。此類似地適用於較佳結構(CyC-1a)至(CyC-20a)或(CyD-1a)至(CyD-14b)，其中相鄰於非配位氮原子之鍵結取代基較佳為不是氫或氘的R基團。在此情況下，此取代基R較佳地為選自下列之基團：CF₃ ；OR¹ ，其中R¹ 為具有1至10個碳原子的烷基；具有1至10個碳原子的烷基，尤其是具有3至10個碳原子的支鏈或環狀烷基；具有2至10個碳原子的二烷胺基；芳族或雜芳族環系統或芳烷基或雜芳烷基。此等基團為空間上要求嚴格的(sterically demanding)基團。進一步較佳地，此R基團也可與相鄰的R基團形成環。其他適當雙牙子配位基L¹ 或L² 為下列式(L-32)或(L-33)之子配位基：

其中R具有上述所給的定義，*表示與金屬配位的位置，"o"表示在L¹ 之一實施態樣的情況下該子配位基接至V¹ 之鍵聯的位置，而其他所使用的符號如下： X 在各情況下為相同或不同且為CR或N，先決條件為每環不超過一個X符號為N，及額外地先決條件為一個符號X為C及該子配位基係經由此碳原子鍵結至V¹ 或V² 。當(L-32)或(L-33)為L² 之實施態樣時，在經由碳原子與Pt配位的環上之接至V² 的鍵係在此碳原子的鄰位。當鍵結至該等子配位基(L-31)和(L-32)中之相鄰碳原子的二個R基團彼此形成芳族環時，此環連同該二個相鄰碳原子較佳為下列式(49)之結構：

其中虛線鍵象徵此基團在子配位基內的鍵聯且Y在各情況下為相同或不同且為CR¹ 或N，其中較佳不超過一個符號Y為N。在子配位基(L-32)或(L-33)之一較佳實施態樣中，不超過一個式(50)之基團存在。在本發明的一較佳實施態樣中，在式(L-32)和(L-33)之子配位基中，總共0、1或2之符號X和Y(若存在)為N。更佳地，總共有0或1個之符號X和Y(若存在)為N。另外適當雙牙子配位基L¹ 或L² 為下列式(L-34)至(L-38)之結構，其中較佳地二個雙牙子配位基L¹ 中不超過一者為此等結構之一者，

其中子配位基(L-34)至(L-36)各自經由明確顯示的氮原子和帶負電子氧原子與金屬配位，及子配位基(L-37)和(L-38)經由二個氧原子與金屬配位，X具有上述所給的定義和"o"表示經由其該子配位基L¹ 連接至V¹ 或該子配位基L² 連接至V² 的位置。當(L-35)為L² 之實施態樣時，當V² 為單鍵時也是較佳的。式(L-34)至(L-36)之較佳子配位基為下列式(L-34a)至(L-36a)之子配位基：

其中所使用的符號具有上述所給的定義和及"o"表示經由其該子配位基L¹ 連接至V¹ 或該子配位基L² 連接至V² 之位置。更佳地，在此等式中，R為氫，其中"o"表示經由其該子配位基L¹ 連接至V¹ 或L² 連接至V² 之位置，且因而該結構為下列式(L-34b)至(L-36b)之彼等結構：

其中所使用的符號具有上述所給的定義。當子配位基L¹ 及/或L² 以單陰離子子配位基經由二個氮原子與銥或鉑配位時，彼等較佳為相同或不同且為下列式(L-39)、(L-40)和(L-41)中之一者的子配位基：

其中X和R¹ 具有上述所給的定義，及其中每環不超過一個X基團為N，及R^B 在各情況下為相同或不同且係選自由下列所組成之群組：F；OR¹ ；具有1至10個碳原子的烷基或具有3至10個碳原子的支鏈或環狀烷基，其中該烷基在各情況下可經一或多個R¹ 基團取代；或者具有5至24個芳族環原子且在各情況下可經一或多個R¹ 基團取代之芳族或雜芳族環系統；同時，二個R^B 基團也可一起形成環系統。在此情況下，子配位基經由以*標記的二個氮原子與銥配位。下列為作為可存在於上述子配位基上的較佳取代基之說明，但當A為式(4)之基團時，亦存在於A上。在本發明的一實施態樣中，本發明之化合物含有二個取代基R，彼等鍵結至相鄰的碳原子且一起形成根據下述式中之一者的脂族環。在此情況下，形成此脂族環的二個R取代基可存在於式(2)或(3)之橋或較佳實施態樣上及/或雙牙子配位基L¹ 及/或L² 中之一或多者上。由藉由二個取代基R一起的環形成所形成之脂族環較佳以下列式(50)至(56)中之一者描述：

其中R¹ 和R² 具有上述所給的定義，虛線鍵表示配位基中二個碳原子的鍵聯，且此外： Z¹ 、Z³ 在各情況下為相同或不同且為C(R³ )₂ 、O、S、NR³ 或C(=O)； Z² 為C(R¹ )₂ 、O、S、NR³ 或C(=O)； G 為具有1、2或3個碳原子且可經一或多個R² 基團取代之伸烷基、-CR² =CR² -、或具有5至14個芳族環原子且可經一或多個R² 基團取代之鄰位鍵結的伸芳基或伸雜芳基； R³ 在各情況下為相同或不同且為H；F；具有1至10個碳原子的直鏈烷基或烷氧基；具有3至10個碳原子的支鏈或環狀烷基或烷氧基，其中該烷基或烷氧基在各情況下可經一或多個R² 基團取代，其中一或多個非相鄰的CH₂ 基團可經R² C=CR² 、C≡C、Si(R² )₂ 、C=O、NR² 、O、S或CONR² 置換；或具有5至24個芳族環原子且在各情況下可經一或多個R² 基團取代之芳族或雜芳族環系統；或具有5至24個芳族環原子且可經一或多個R² 基團取代之芳氧基或雜芳氧基；同時，鍵結至同一碳原子之二個R³ 基團可一起形成脂族或芳族環系統且因此形成螺環系統；此外，R³ 與相鄰的R或R¹ 基團可形成脂族環系統；先決條件為：此等基團中沒有二個雜原子彼此直接鍵結且沒有二個C=O基團彼此直接鍵結。在本發明的一較佳實施態樣中，R³ 不為H。在上述式(50)至(56)之結構中以及此等結構之指定為較佳的其他實施態樣中，雙鍵在形式上描述為在二個碳原子之間。此為當此二個碳原子係併入芳族或雜芳族系統且因此該二個碳原子之間的鍵形式上介於單鍵之鍵結能階(bonding level)及雙鍵的鍵結能階之間的化學結構之簡化。形式雙鍵之圖式因此不應解釋為限制該結構；反而，所屬技術領域中具有通常知識者將顯而易知此為芳族鍵。當本發明之結構中的相鄰基團形成脂族環系統時，較佳的是當後者沒有任何酸性苄基氫(benzylic proton)時。苄基氫係理解為意指結合至與配位基直接鍵結之碳原子上的質子。此可借助於在直接結合至芳基或雜芳基的脂族環系統中之碳原子經完全取代且不含任何鍵結氫原子來達成。因此，借助於Z¹ 和Z³ (當彼等為C(R³ )₂ )經定義以使R³ 不為氫時，可達到在式(50)至(52)中不存在酸性苄基氫。此額外也可借助於直接結合至芳基或雜芳基的脂族環系統中之碳原子為在雙或多環狀結構中為橋頭來達成。因為雙-或多環的空間結構，鍵結至橋頭碳原子的質子之酸性明顯低於非鍵結在雙或多環狀結構內的碳原子上之苄基氫，且在本發明之內容中係視為非酸性質子。因此，式(53)至(56)中不存在酸性苄基氫係借助於此為雙環結構而達成，其結果為當R¹ 為H時，R¹ 之酸性比苄基氫小很多，因為雙環結構之對應陰離子並非共振安定的。即使當式(53)至(56)中之R¹ 為H時，此因此在本申請案的內容中為非酸性質子。在式(50)至(56)之結構的一較佳實施態樣中，Z¹ 、Z² 和Z³ 基團中不超過一者為雜原子，尤其是O或NR³ ，且其他的基團為C(R³ )₂ 或C(R¹ )₂ ，或Z¹ 和Z³ 在各情況下為相同或不同且為O或NR³ 及Z² 為C(R¹ )₂ 。在本發明的一特佳實施態樣中，Z¹ 和Z³ 在各情況下為相同或不同且為C(R³ )₂ ，而Z² 為C(R¹ )₂ 且更佳為C(R³ )₂ 或CH₂ 。式(50)的較佳實施態樣因此為式(50-A)、(50-B)、(50-C)和(50-D)之結構，和式(50-A)之一特佳實施態樣為式(50-E)和(50-F)之結構：

其中R¹ 和R³ 具有上述所給的定義及Z¹ 、Z² 和Z³ 在各情況下為相同或不同且為O或NR³ 。式(51)的較佳實施態樣為下列式(51-A)至(51-F)之結構：

其中R¹ 和R³ 具有上述所給的定義及Z¹ 、Z² 和Z³ 在各情況下為相同或不同且為O或NR³ 。式(52)的較佳實施態樣為下列式(52-A)至(52-E)之結構：

其中R¹ 和R³ 具有上述所給的定義及Z¹ 、Z² 和Z³ 在各情況下為相同或不同且為O或NR³ 。在式(53)之結構的一較佳實施態樣中，鍵結至橋頭的R¹ 基團為H、D、F或CH₃ 。進一步較佳地，Z² 為C(R¹ )₂ 或O，且更佳為C(R³ )₂ 。式(53)的較佳實施態樣因此為式(53-A)和(53-B)之結構，且式(53-A)之一特佳實施態樣為式(53-C)之結構：

其中所使用的符號具有上述所給的定義。在式(54)、(55)和(56)之結構的一較佳實施態樣中，鍵結至橋頭的R¹ 基團為H、D、F或CH₃ 。進一步較佳地，Z² 為C(R¹ )₂ 。式(54)、(55)和(56)的較佳實施態樣因此為式(54-A)、(55-A)和(56-A)之結構：

其中所使用的符號具有上述所給的定義。進一步較佳地，式(53)、(53-A)、(53-B)、(53-C)、(54)、(54-A)、(55)、(55-A)、(56)和(56-A)中之G基團為可經一或多個R² 基團取代之1,2-伸乙基，其中R² 在各情況下較佳為相同或不同且為H或具有1至4個碳原子的烷基、或具有6至10個碳原子且可經一或多個R² 基團取代，但較佳未經取代之鄰伸芳基，尤其是可經一或多個R² 基團取代，但較佳未經取代之鄰伸苯基。在本發明的另一較佳實施態樣中，式(50)至(56)之基團中及較佳實施態樣中的R³ 在各情況下為相同或不同且為F；具有1至10個碳原子的直鏈烷基或具有3至20個碳原子的支鏈或環狀烷基，其中一或多個非相鄰的CH₂ 基團在各情況下可經R² C=CR² 置換且一或多個氫原子可經D或F置換；或具有5至14個芳族環原子且在各情況下可經一或多個R² 基團取代之芳族或雜芳族環系統；同時，與同一碳原子鍵結之二個R³ 基團可一起形成脂族或芳族環系統且因此形成螺環系統；此外，R³ 可與相鄰的R或R¹ 基團形成脂族環系統。在本發明之一特較佳實施態樣中，式(50)至(56)之基團中及較佳實施態樣中的R³ 在各情況下為相同或不同且為F；具有1至3個碳原子的直鏈烷基，尤其是甲基；或具有5至12個芳族環原子且在各情況下可經一或多個R² 基團取代，但較佳未經取代之芳族或雜芳族環系統；同時，與同一碳原子鍵結之二個R³ 基團可一起形成脂族或芳族環系統且因此形成螺環系統；此外，R³ 可與相鄰的R或R¹ 基團形成脂族環系統。式(50)之特別適合的基團之實例為下述基團：

。式(51)之特別適合的基團之實例為下述基團：

。式(52)、(55)和(56)之特別適合的基團之實例為下述基團：

。式(53)之特別適合的基團之實例為下述基團：

。式(54)之特別適合的基團之實例為下述基團：

。當R基團係鍵結在雙牙子配位基或配位基內或鍵結在於式(2)至(3)或較佳實施態樣內鍵結的式(4)之二價伸芳基或伸雜芳基時，此等R基團在各情況下為相同或不同且較佳係選自由下列所組成之群組：H；D；F；Br；I；N(R¹ )₂ ；OR¹ ；CN；Si(R¹ )₃ ；B(OR¹ )₂ ；C(=O)R¹ ；具有1至10個碳原子的直鏈烷基或具有2至10碳原子的烯基或具有3至10個碳原子的支鏈或環狀烷基，其中該烷基或烯基在各情況下可經一或多個R¹ 基團取代；或具有5至30個芳族環原子且在各情況下可經一或多個R¹ 基團取代之芳族或雜芳族環系統；同時，二個相鄰的R基團一起或R與R¹ 亦可一起形成單-或多環的脂族或芳族環系統。更佳地，此等R基團在各情況下為相同或不同且係選自由下列所組成之群組：H；D；F；N(R¹ )₂ ；具有1至6個碳原子的直鏈烷基或具有3至10個碳原子的支鏈或環狀烷基，其中一或多個氫原子可經D或F置換；或具有5至24個芳族環原子，較佳6至13個芳族環原子且在各情況下可經一或多個R¹ 基團取代之芳族或雜芳族環系統；同時，二個相鄰的R基團一起或R與R¹ 亦可一起形成單-或多環的脂族或芳族環系統。鍵結至R之較佳R¹ 基團在各情況下為相同或不同且為H；D；F；N(R² )₂ ；OR² ；CN；具有1至10個碳原子的直鏈烷基或具有2至10碳原子的烯基或具有3至10個碳原子的支鏈或環狀烷基，其中該烷基在各情況下可經一或多個R² 基團取代；或具有5至24個芳族環原子且在各情況下可經一或多個R² 基團取代之芳族或雜芳族環系統；同時，二或更多個相鄰的R¹ 基團可一起形成單-或多環的脂族系統。鍵結至R之特佳R¹ 基團在各情況下為相同或不同且為H；F；CN；具有1至5個碳原子的直鏈烷基或具有3至5個碳原子的支鏈或環狀烷基，彼等各自可經一或多個R² 基團取代；或具有5至13個芳族環原子，較佳6至13個芳族環原子且在各情況下可經一或多個R² 基團取代之芳族或雜芳族環系統；同時，二或更多個相鄰的R¹ 基團可一起形成單-或多環的脂族環系統。較佳R² 基團在各情況下為相同或不同且為H；F或具有1至5個碳原子的脂族烴基團或具有6至12個碳原子的芳族烴基團；同時，二或更多個R² 取代基一起也可形成單-或多環的脂族環系統。上述較佳實施態樣可根據需要在申請專利範圍第1項的限制內彼此組合。在本發明之一特佳實施態樣中，上述較佳實施態樣同時適用。本發明之化合物的實例為以下舉出之結構。

本發明之Ir-Pt錯合物為掌性結構。若錯合物之三足配位基額外地亦為掌性，則形成非鏡像異構物及多個鏡像異構物對是可能的。在該情況下，本發明之錯合物包括不同非鏡像異構物之混合物或對應外消旋物及個別分離之非鏡像異構物或鏡像異構物二者。若具有二個相同子配位基L¹ 的配位基用於鄰位-金屬化以產生Ir錯合物，則通常獲得的是C₁ -對稱錯合物(即△和Λ鏡像異構物)的外消旋混合物。此等可藉由標準方法(在掌性材料/管柱上的層析法或是藉由結晶的光學拆分)分離。

經由非鏡像異構鹽對之分級結晶的光學拆分可藉由習用的方法來進行。就此目的而言的一選項為將不帶電Ir(III)錯合物氧化(例如，使用過氧化物或H₂ O₂ 或藉由電化學手段)，將鏡像異構上純的單陰離子鹼(掌性鹼)的鹽加至如此所產生的陽離子性Ir(IV)錯合物，藉由分級結晶分離如此產生的非鏡像異構鹽，及然後借助於還原劑(例如，鋅、肼水合物、抗壞血酸等等)，將彼等還原，以產生鏡像異構上純的不帶電錯合物，如下示意性所示：

此外，藉由在掌性介質(例如，R-或S-1,1-聯萘酚)中的錯合，鏡像異構上純或鏡像異構上富集之合成是可能的。若將具有三個不同子配位基之配位基用於錯合，則通常獲得者為錯合物的非鏡像異構物混合物，彼等可藉由標準方法(層析法、結晶、等等)分離。鏡像異構上純的C₁ -對稱錯合物也可選擇性地合成，如下列流程中所示。為此目的，製備和錯合了鏡像異構上純的C₁ -對稱配位基，將所得非鏡像異構物混合物分離並接著將掌性基團脫附。

進一步官能化以產生Ir-Pt錯合物可在鏡像異構物混合物上或在個別鏡像異構物上進行。此不會改變銥的立體化學。若在官能化中引入其他立體中心以產生Ir-Pt錯合物，則此會導致可藉由標準方法(層析、分級晶、等等)分離之非鏡像異構物。本發明之錯合物尤其可藉由下文所述的途徑製備。為此，首先，製備一種六牙配位基，其包含中心子配位基、V¹ 基團及當n=1或2時，子配位基L¹ 。接著將此配位基用於製備銥錯合物，接著將其在中心子配位基上在與Ir配位之碳原子的對位上官能化，尤其是鹵化和較佳溴化。在偶合反應中，在下一步驟中，引入L² -V² 基團，且在最後一步驟中，將如此形成的四牙配位與Pt配位。因此，本發明另外提供一種製備本發明化合物之方法，其特徵在於下列方法步驟： a) 合成尚未含有L² -V² 基團之六牙配位基； b) 從該六牙配位基合成Ir錯合物； c) 將該Ir錯合物官能化，尤其是溴化； d) 藉由偶合反應引入該L² -V² 基團；及 e) 合成Pt錯合物。用於製備銥錯合物之適當銥反應物尤其為式(57)之烷氧化銥、式(58)之二酮銥(iridium ketoketonates)、式(59)之鹵化銥、或式(60)之羧酸銥反應，

其中R具有上述所給的定義，Hal=F、Cl、Br或I且銥反應物亦可呈對應水合物的形式。R在此較佳為具有1至4個碳原子之烷基。同樣可能使用帶有烷氧化物及/或鹵化物及/或羥基以及酮基酮酸(ketoketonate)基團二者的銥化合物。此等化合物亦可帶電。特別適合作為反應物的對應銥化合物係揭示於WO 2004/085449中。特別適合的是[IrCl₂ (acac)₂ ]^─ ，例如，Na[IrCl₂ (acac)₂ ]，具有乙醯丙酮根衍生物作為配位基之金屬錯合物，例如，Ir(acac)₃ 或參(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮)銥、以及IrCl₃ ·xH₂ O，其中，x通常為2至4之間的數目。銥錯合物的合成較佳如WO 2002/060910和 WO 2004/085449中所述進行。在此情況下，該合成例如也可藉由熱或光化學手段及/或藉由微波輻射來活化。此外，該合成亦可在高壓釜中於提高之壓力及/或提高之溫度下進行。反應可在無添加溶劑或熔化助劑下以待鄰位-金屬化的對應配位基之熔體進行。也可能視需要地添加溶劑或熔化助劑。適當溶劑為質子性或非質子性溶劑諸如脂族及/或芳族醇(甲醇、乙醇、異丙醇、第三丁醇、等等)、寡-和多元醇(乙二醇、丙-1,2-二醇、甘油、等等)、醇醚(乙氧基乙醇、二乙二醇、三乙二醇、聚乙二醇、等等)、醚(二-和三-乙二醇二甲醚、二苯醚、等等)、芳族、雜芳族及/或脂族烴(甲苯、二甲苯、對稱三甲苯、氯苯、吡啶、二甲基吡啶、喹啉、異喹啉、十三烷、十六烷、等等)、醯胺(DMF、DMAC、等等)、內醯胺(NMP)、亞碸(DMSO)或碸(二甲基碸、環丁碸、等等)、羧酸(諸如冰醋酸、丙酸、脂肪酸、苯甲酸)和水，以及這些溶劑的混合物。適當熔化助劑為在室溫下為固體形式但在加熱反應混合物時熔化且溶解反應物而使形成均勻熔體之化合物。特別適合的是聯苯、間聯三苯(m-terphenyl)、三聯苯(triphenyl)、R-或S-聯萘酚或對應的外消旋物、1,2-、1,3-或1,4-雙苯氧基苯、三苯基氧化膦、18-冠醚-6、酚、1-萘酚、R-、S-或RS-1,1'-雙萘酚、兒茶酚、間苯二酚，氫醌、等等。在此特佳者為使用氫醌。用於在最後合成步驟中製備鉑錯合物的適當鉑反應物為例如PtCl₂ 、Pt(ac)₂ 、K₂ PtCl₄ 、(DMSO)₂ PtCl₂ 、 (DMSO)₂ PtMe₂ 或(COD)PtCl₂ 。鉑錯合物的合成較佳在溶液中、在懸浮液中或在熔體中進行。可能使用與銥錯合物的製備中相同的溶劑/熔化助劑。所使用溶劑較佳為乙酸或冰醋酸，以及熔化助劑氫醌。若需要，可藉由以催化、化學計量或超化學計量的量添加鹽諸如氯化鋰、氯化銨或四烷基鹵化銨或硫酸鹽來改良鹽形式之Pt錯合物的溶解度。若需要，此等程序可能接著純化，例如，再結晶或昇華而以高純度，較佳大於99%(藉由¹ H NMR及/或HPLC的手段測定)獲得本發明之式(1)化合物。本發明之化合物也可藉由適當取代，例如藉由比較長的烷基(約4至20個碳原子)，尤其是支鏈烷基、或視需要地經取代之芳基(例如二甲苯基、對稱三甲苯基或支鏈聯三苯基或聯四苯基)取代而成為可溶的。導致金屬錯合物之溶解度的明顯改良之另一特定方法為使用稠合上的脂族基團，例如，如上文所揭示之式(50)至(56)所示。該等化合物於是可在室溫下以足夠濃度溶解於標準有機溶劑(例如甲苯或二甲苯)中而能夠從溶液加工錯合物。這些可溶性化合物具有供從溶液加工例如藉由印刷法之特別好的適合性。為了從液相加工(例如藉由旋轉塗布或藉由印刷方法)本發明之金屬錯合物，需要本發明之金屬錯合物的調配物。此等調配物可為例如溶液、分散液或乳液。為此目的，較佳可為使用二或多種溶劑之混合物。適當且較佳的溶劑為(例如)甲苯、苯甲醚、鄰-、間-或對-二甲苯、苯甲酸甲酯、對稱三甲苯、四氫萘、藜蘆醚、THF、甲基-THF、THP、氯苯、二㗁烷、苯氧基甲苯(尤其是3-苯氧基甲苯)、(-)-葑酮、1,2,3,5-四甲基苯、1,2,4,5-四甲基苯、1-甲基萘、2-甲基苯并噻唑、2-苯氧基乙醇、2-吡咯啶酮、3-甲基苯甲醚、4-甲基苯甲醚、3,4-二甲基苯甲醚、3,5-二甲基苯甲醚、苯乙酮、α-萜品醇、苯并噻唑、苯甲酸丁酯、異丙苯、環己醇、環己酮、環己基苯、十氫萘、十二烷基苯、苯甲酸乙酯、茚烷、NMP、對-異丙基甲苯、苯基乙基醚、1,4-二異丙基苯、二苯甲基醚、二乙二醇丁基甲基醚、三乙二醇丁基甲基醚、二乙二醇二丁基醚、三乙二醇二甲基醚、二乙二醇單丁基醚、三丙二醇二甲基醚、四乙二醇二甲基醚、2-異丙基萘、戊基苯、己基苯、庚基苯、辛基苯、1,1-雙(3,4-二甲基苯基)乙烷、六甲基茚烷、甲基聯苯、3-甲基聯苯、1-甲基萘、1-乙基萘、辛酸乙酯、癸二酸二乙酯、辛酸辛酯、庚基苯、異戊酸薄荷腦酯、己酸環己酯或此等溶劑之混合物。本發明因此進一步提供一種包含至少一種本發明化合物及至少一種另外的化合物之調配物。另外的化合物可為例如溶劑，尤其是上述溶劑中之一者或此等溶劑的混合物。另外的化合物可替代地為同樣用於電子裝置中之另一種有機或無機化合物，例如基質材料。此另外的化合物亦可為聚合的。本發明化合物可用於電子裝置中作為活性組分(active component)或作為氧敏化劑或作為光觸媒。本發明因此進一步提供本發明化合物用於電子裝置或作為氧敏化劑或作為光觸媒之用途。本發明又進一步提供包含至少一種本發明化合物之電子裝置。電子裝置係理解為意指任何包含陽極、陰極和至少一層之裝置，該層包含至少一種有機或有機金屬化合物。本發明之電子裝置因此包含陽極、陰極和至少一層包含至少一種本發明之金屬錯合物的層。較佳電子裝置係選自由下列所組成之群組：有機電致發光裝置(OLED、PLED)、有機紅外線電致發光感測器、有機積體電路(O-IC)、有機場效電晶體(O-FET)、有機薄膜電晶體(O-TFT)、有機發光電晶體(O-LET)、有機太陽能電池(O-SC)(後者係理解為意指純有機太陽能電池及染料敏化太陽能電池(Grätzel電池)二者)、有機光學檢測器、有機感光器(photoreceptor)、有機場淬滅裝置(O-FQD)、發光電化學電池(LEC)、氧感測器和有機雷射二極體(O-雷射)，彼等在至少一層中包含至少一種本發明之金屬錯合物。特佳者為有機電致發光裝置。活性組分通常為引入陽極與陰極之間的有機或無機材料，例如電荷注入、電荷傳輸或電荷阻擋材料，但尤其是發光材料和基質材料。本發明化合物呈現作為有機電致發光裝置中的發光材料之特佳性質。本發明的一較佳實施態樣因此為有機電致發光裝置。此外，本發明化合物可用於產生單態(singlet)氧或用於光催化中。該有機電致發光裝置包含陰極、陽極及至少一層發光層。除了此等層之外，其還可包含另外的層，例如在各情況下一或多層電洞注入層、電洞傳輸層、電洞阻擋層、電子傳輸層、電子注入層、激子阻擋層、電子阻擋層、電荷產生層及/或有機或無機p/n型接面。同時，一或多個電洞傳輸層可能例如以金屬氧化物(諸如MoO₃ 或WO₃ )，或以(全)氟化的缺電子芳族系統進行p-摻雜，及/或一或多層電子傳輸層可能經n-摻雜。中間層同樣可能導入二層發光層之間，此等中間層具有例如激子阻擋功能及/或控制電致發光裝置內的電荷平衡。然而，應該指出的是該等層之每個未必一定要存在。在此情況下，有機電致發光裝置可能含有一發光層，或其可能含有多層發光層。若存在多層發光層，則此等較佳地具有總計多個在380奈米與750奈米之間的發光最大值，以使整體結果為白色發光；換言之，可發螢光或發磷光的各種發光化合物係用於發光層。三層系統為尤佳的，其中該三層呈現出藍色、綠色及橘色或紅色發光，或是具有超過三層發光層的系統。進一步較佳者為串聯式OLED。該系統亦可為混合系統，其中有一或多層發螢光及一或多層其他層發磷光。發白光之有機電致發光裝置可用於照明應用或是與濾色器用於全彩顯示器。紅外虹膜感測器也基於上述有機電致發光裝置的原理，其中用於本申請案的有機電致發光裝置在光譜的紅外光區域發光。接著以相機檢測由眼睛反射的特徵光。在本發明的一較佳實施態樣中，有機電致發光裝置包含本發明之金屬錯合物作為一或多層發光層中的發光化合物，尤其是在紅色或紅外光發光層中。當本發明之金屬錯合物係用作為發光層中之發光化合物時，較佳為與一或多種基質材料併用。本發明之金屬錯合物和基質材料的混合物以發光體和基質材料之整體混合物為基準計含有介於0.1重量%和99重量%之間，較佳介於1重量%和90重量%之間，更佳介於3重量%和40重量%及尤其是介於5重量%和25重量%之間的本發明之金屬錯合物。對應地，該混合物以發光體和基質材料之整體混合物為基準計含有介於99.9重量%和1重量%之間，較佳介於99%和10%之間，更佳介於97重量%和60重量%及尤其是介於95重量%和75重量%之間的基質材料。所使用的基質材料通常可為根據先前技術已知用於此目的之任何材料。基質材料的三重態能階較佳高於發光體的三重態能階。用於本發明化合物之適當基質材料為酮、膦氧化物、亞碸和碸(例如根據WO 2004/013080、WO 2004/093207、WO 2006/005627或WO 2010/006680)、三芳基胺、咔唑衍生物(例如，CBP(N,N-雙咔唑基聯苯)、間-CBP或 WO 2005/039246、US 2005/0069729、JP 2004/288381、 EP 1205527、WO 2008/086851或US 2009/0134784中所揭示之咔唑衍生物)、雙咔唑衍生物、吲哚并咔唑衍生物(例如根據WO 2007/063754或WO 2008/056746)、茚并咔唑衍生物(例如根據WO 2010/136109或WO 2011/000455)、氮雜咔唑(例如根據EP 1617710、EP 1617711、EP 1731584、 JP 2005/347160)、雙極性基質材料(例如根據 WO 2007/137725)、矽烷(例如根據WO 2005/111172)、氮硼雜環戊烯(azaborole)或硼酸酯(例如根據 WO 2006/117052)、二氮雜矽雜環戊二烯(diazasilole)唑衍生物(例如根據WO 2010/054729)、二氮磷雜環戊二烯(diazaphosphole)衍生物(例如根據WO 2010/054730)、三𠯤衍生物(例如根據WO 2010/015306、WO 2007/063754或 WO 2008/056746)、鋅錯合物(例如根據EP 652273或 WO 2009/062578)、二苯并呋喃衍生物(例如，根據 WO 2009/148015或WO 2015/169412)、或橋接咔唑衍生物(例如，根據US 2009/0136779、WO 2010/050778、 WO 2011/042107或WO 2011/088877)。較佳亦可為使用呈混合物之多種不同基質材料，尤其是至少一種電子傳導基質材料及至少一種電洞傳導基質材料。一較佳組合為(例如)使用芳族酮、三𠯤衍生物或膦氧化物衍生物與三芳基胺衍生物或咔唑衍生物(尤其是雙咔唑衍生物)作為用於本發明之化合物的混合基質。較佳者同樣為使用電荷傳輸基質材料和沒有顯著涉及(如果有的話)電荷傳輸之電惰性基質材料的混合物，如例如 WO 2010/108579中所述者。較佳者同樣為使用二種電子傳輸基質材料，例如三𠯤衍生物和內醯胺衍生物，如例如WO 2014/094964中所述。下述為適合作為用於本發明化合物之基質材料的化合物之實例。可用作為電子傳輸基質材料之三𠯤及嘧啶的實例為下列化合物：

可用作為電子傳輸基質材料之內醯胺的實例為下列化合物：

可用作為電洞-或電子傳輸基質材料之最廣義的吲哚并-和茚并咔唑衍生物之實例為下列化合物：

根據取代模式可用作為電洞-或電子傳輸基質材料之咔唑衍生物的實例為下列化合物：

可用作為電洞傳輸基質材料之橋接咔唑衍生物的實例為下列化合物：

可用作為電洞傳輸基質材料之雙咔唑衍生物的實例為下列化合物：

可用作為電洞傳輸基質材料之胺的實例為下列化合物：

可用作為寬帶隙基質材料之材料的實例為下列化合物：

此外較佳的是使用二或更多種三重態發光體與基質材料之混合物。在此情況下，具有較短波發光光譜的三重態發光體用作具有較長波發光光譜的三重態發射體的共基質。例如，可能使用較短波之發光金屬錯合物作為較長波發光之本發明金屬錯合物的共基質。在此情況下，當較短波及較長波發光之金屬錯合物為本發明化合物時亦為較佳的。適當共基質材料尤其也為WO 2016/124304和 WO 2017/032439中所揭示的化合物。可用作為本發明化合物的共摻雜劑之適當三重態發光體的實例係描述於下表中。

較佳陰極為具有低功函數之金屬、金屬合金或由各種金屬(例如鹼土金屬、鹼金屬、主族金屬或鑭系元素(例如Ca、Ba、Mg、Al、In、Mg、Yb、Sm、等等)組成的多層結構。另適合者為由鹼金屬或鹼土金屬和銀所組成之合金，例如由鎂和銀組成的合金。在多層結構的情況下，除了所述金屬之外，也可能使用具有較高功函數之另外的金屬，例如Ag，例如，在該情況下通常也使用金屬之組合，諸如Mg/Ag、Ca/Ag或Ba/Ag。較佳者也為在金屬陰極與有機半導體之間導入具有高介電常數之材料的薄中間層。為此目的可使用之材料的實例為鹼金屬或鹼土金屬氟化物，但也可為對應之氧化物或碳酸鹽(例如LiF、Li₂ O、BaF₂ 、MgO、NaF、CsF、Cs₂ CO₃ 、等等)。同樣地可用於此目的者為有機鹼金屬錯合物，例如Liq(喹啉鋰)。此層之層厚度較佳係介於0.5與5 nm之間。較佳陽極為具有高功函數之材料。較佳地，陽極較佳具有相對於真空大於4.5 eV之功函數。首先，具有高還原氧化電位的金屬適合於此目的，例如，Ag、Pt或Au。其次，金屬/金屬氧化物電極(例如，Al/Ni/NiO_x 、Al/PtO_x )亦可為較佳的。就一些應用而言，電極中之至少一者必須為透明或部分透明，以便使有機材料的照射(O-SC)或光之發射(OLED/PLED、O-雷射)成為可能。較佳陽極材料在此為導電性混合金屬氧化物。特佳者為銦錫氧化物(ITO)或銦鋅氧化物(IZO)。此外較佳者為導電性摻雜有機材料，尤其是導電性摻雜聚合物，例如PEDOT、PANI或此等聚合物之衍生物。此外較佳的是當經p-摻雜之電洞傳輸材料施加於陽極作為電洞注入層時，在該情況下適當p-摻雜劑為金屬氧化物(例如，MoO₃ 或WO₃ )或(全)氟化缺電子芳族系統。其他適當p-摻雜劑為HAT-CN(六氰基六氮雜聯伸三苯)或來自Novaled之化合物NPD9。該類層簡化電洞注入具有低HOMO(亦即具有大數值的HOMO)之材料。在其他層中，通常可能使用根據先前技術可用於此等層之任何材料，且所屬技術領域中具有通常知識者能夠在未行使創新的技藝下將任何此等材料與本發明之材料組合於電子裝置中。將裝置對應地(根據應用)結構化，配備接點且最後密封，因為該等裝置的壽命在水及/或空氣存在下被嚴重縮短。另外較佳的是一種有機電致發光裝置，其特徵在於藉由昇華方法塗布一或多層。在此情況下，該等材料係於真空昇華系統中在通常低於10^-5 毫巴，較佳低於10^-6 毫巴之初壓力下藉由氣相沈積施加。初壓力在此也可能甚至更低或甚至更高，例如低於10^-7 毫巴。同樣較佳者為一種有機電致發光裝置，其特徵在於藉由OVPD(有機氣相沈積)方法或輔以載體-氣體昇華塗布一或多層。在此情況下，該等材料係在介於10^-5 毫巴與1巴之間的壓力下施加。此方法的一特殊例子為OVJP(有機蒸氣噴墨印刷)方法，其中該等材料係經由噴嘴直接施加且因此結構化。較佳者另外為一種有機電致發光裝置，其特徵在於例如藉由旋轉塗布或藉由任何印刷方法(例如網版印刷、快乾印刷、平版印刷或噴嘴印刷，但更佳為LITI(光誘導熱成像、熱轉移印刷)或噴墨印刷)從溶液製造一或多層。在本發明的一較佳實施態樣中，包含本發明化合物之層係從溶液施加。有機電致發光裝置亦可藉由從溶液施加一或多層以及藉由氣相沈積施加一或多層其他層而製成混合系統(hybrid system)。例如，可能從溶液施加包含本發明之金屬錯合物與基質材料的發光層，及藉由在減壓下氣相沈積對其施加電洞阻擋層及/或電子傳輸層。此等方法為所屬技術領域中具有通常知識者一般已知者且可由所屬技術領域中具有通常知識者無困難地應用於包含式(1)之化合物或上文詳述的較佳實施態樣的有機電致發光裝置。本發明之電子裝置，尤其是有機電致發光裝置，值得注意的是下列超越在先前技術之令人驚訝的優點中之一或多者： 1. 本發明之化合物能夠發深紅色光和紅外光。 2. 本發明之化合物具有用於紅外線區之非常高的光致發光量子產率，當用於發射紅外光的有機電致發光裝置時，此導致優異的效率。 3. 本發明之化合物具有非常短的發光壽命。當用於有機電致發光裝置時，此導致改良的滾降(roll-off)特性，且透過避免非輻射鬆弛通道(non-radiative relaxation channels)，而導致更高的發光量子產率。 4. 本發明之化合物，尤其是具有n=1之化合物，顯示定向發光且因此具有高效率。藉由隨後的實施例更詳細地說明本發明，但無意因此限制本發明。所屬技術領域中具有通常知識者將能夠使用所給詳細信息而在沒有行使創新的技藝下便能製造本發明另外的電子裝置且因此實施所主張之整個範圍的發明。

實施例：除非另有說明，否則下列合成係在保護氣體氛圍下於乾燥溶劑中進行。金屬錯合物係另外以排除光或於黃色光下處理。溶劑及試劑可購自例如Sigma-ALDRICH或ABCR。於中括弧內的各個數字或者個別化合物所引用的數字係關於從文獻得知的化合物之CAS編號。在可具有多種互變異構物形式之化合物的情況下，代表性地顯示一種互變異構物形式。Ir錯合物通常以Δ和Λ鏡像異構物的混合物形式獲得。 A：合成組元(synthon)S的合成：實施例S1：

製備類似於WO 2016/124304中之實施例21，參見第116頁。反應物：24.8 g(100 mmol)的5-溴-2-(3-甲基苯基)吡啶[1215073-45-2]。產率：22.2 g(75 mmol)；理論的75%；純度：98%，藉由¹ H NMR。實施例S50：

製備類似於WO 2016/124304中之實施例200，參見第140頁。反應物：28.2 g(100 mmol)的2-苯基-5-(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧雜硼雜環戊烷(dioxaborolan)-2-基)嘧啶[1319255-85-0]。產率：22.2 g(75 mmol)；理論的75%；純度：98%，藉由¹ H NMR。以類似的方式，可製備下列化合物：

實施例S100：

製備類似於WO 2017/032439中之實施例5，參見第93頁。反應物：68.1 g(210 mmol)的S52。產率：42.5 g(71 mmol)；理論的71%；純度：98%，藉由¹ H NMR。以類似的方式，可製備下列化合物：

實施例S150：

將821 mg(2 mmol)的SPhos及接著225 mg(1 mmol)的乙酸鈀(II)加至59.9 g(100 mmol)的S100、26.7 g(105 mmol)的雙(頻哪醇基)二硼烷(bis(pinacolato)diborane)、29.4 g(300 mmol)的乙酸鉀(無水)、50 g的玻璃珠(直徑3 mm)和500 ml的THF之混合物，並充分攪拌，並將該混合物在回流下加熱24 h。冷卻後，藉由抽吸過濾將鹽和玻璃珠以THF漿液的形式通過矽藻土床移除，用少量THF洗滌，並將濾液濃縮至乾。將殘餘物溶於150 ml的MeOH中並在溫溶劑中攪拌，及用抽吸濾出結晶產物，每次用30 ml甲醇洗滌兩次，及在減壓下乾燥。產率：56.0 g(81 mmol)；理論的81%；純度：約95%，藉由¹ H NMR。以類似的方式，可製備下列化合物：

B：Ir配位基L的合成：實施例L1

將1.64 g(4 mmol)的SPhos及接著449 mg(2 mmol)的乙酸鈀(II)加至69.1 g(100 mmol)的S150、31.1 g(100 mmol)的S50、63.7 g(300 mmol)的磷酸三鉀、400 ml的甲苯、200 ml的二㗁烷和400 ml的水之混合物，並充分攪拌，及將該混合物在回流下加熱24 h。冷卻後，移除有機相及每次用300 ml水洗滌二次及用300 ml飽和氯化鈉溶液洗滌一次，並用硫酸鎂乾燥。將乾燥劑以甲苯漿液的形式通過矽藻土床濾出，將濾液在減壓下濃縮至乾，並將玻璃狀粗製產物從沸騰下之乙腈/乙酸乙酯中再結晶。產率：56.5 g(71 mmol)；理論的71%；純度：約95%，藉由¹ H NMR。以類似的方式，可製備下列化合物：

C：Ir錯合物的合成及其溴化實施例Ir(L1)

將7.95 g(10 mmol)的配位基L1、4.90 g(10 mmol)的參乙醯丙酮銥(III)(trisacetylacetonato銥(III))[15635-87-7]和120 g的氫醌[123-31-9]之混合物最初進料至具有經玻璃套管磁棒之1000 ml二頸圓底燒瓶。將該燒瓶配備水分離器(供密度低於水的介質所用)及具有氬圍包(argon blanketing)之空氣冷凝器。將該燒瓶置於金屬加熱浴內。將該裝置經由氬圍包系統從頂部用氬氣沖洗15 min，使氬由該二頸燒瓶的側頸流出。通過二頸燒瓶的側頸，將經玻璃套管Pt-100熱電偶引入燒瓶並使末端剛好位於磁攪拌棒的上方。接著用家庭用鋁箔紙寬鬆地纏繞數圈以使該裝置絕熱，該絕熱一直延伸到水分離器的上升管中間。然後用加熱的實驗攪拌器系統將該裝置快速加熱至250-255℃，其用浸入熔融攪拌反應混合物中之Pt-100溫度感測器測量。在接下來的2 h期間，將該反應混合物維持在250-255℃，在該過程中蒸餾出少量的冷凝液並收集於水分離器內。2 h後，使混合物冷卻至190℃，移走加熱套管並接著滴加100 ml乙二醇。冷卻至100℃後，緩慢地滴加400 ml甲醇。將如此所得之黃橙色懸浮液通過雙端玻料(double-ended frit)過濾，並用50 ml甲醇洗滌黃色固體三次及接著在減壓下乾燥。粗製產率：定量。將如此所得到的固體溶於約200 ml二氯甲烷並於黑暗中排除空氣下以二氯甲烷漿液的形式通過約1 kg之矽膠(管柱直徑約18 cm)過濾，將黑色的組分留在起點。截出核心流份(core fraction)且於旋轉蒸發器(rotary evaporator)上進行濃縮，同時連續地滴加MeOH直至結晶。用抽吸過濾後，用少量MeOH洗滌並在減壓下乾燥，在小心排除空氣及光的情況下，藉由使用二氯甲烷/異丙醇1:1(vv)進行連續熱萃取三次以及接著使用二氯甲烷/乙腈進行熱萃取二次(在各情況下，最初進料的量約200 ml，萃取套筒：來自Whatman之由纖維素製造的標準Soxhlet套筒)進一步純化該橙色產物。經由二氯甲烷(低沸點物及良好的溶解劑)：異丙醇或乙腈(高沸點物及不良的溶解劑)的比例，可調整進入母液內的損失。其通常應為所使用之量的3-6重量%。熱萃取也可使用其他溶劑諸如甲苯、二甲苯、乙酸乙酯、乙酸丁酯等等來完成。最後，使產物在高真空下於p~10^-6 毫巴和T~350-400℃進行熱處理。產率：7.48 g(7.6 mmol)，76%；純度：約99.8%，藉由HPLC。以類似的方式，可製備下列化合物：

實施例Ir(L1-Br)

於室溫下在黑暗中將1.78 g (10.5 mmol)的N-溴琥珀醯亞胺加至9.84 g(10 mmol)的Ir(L1)在500 ml DCM中之充分攪拌懸浮液，並接著將混合物攪拌另16 h。在減壓下移除約450 ml的DCM後，將100 ml的甲醇和0.3 ml的肼水合物加至黃綠色懸浮液中，用抽吸濾出黃色固體，用約50 ml的甲醇洗滌三次及接著在減壓下乾燥。產率：9.78 g(9.2 mmol)；理論的92%；純度：＞99.0%，藉由NMR。以類似的方式，可製備下列化合物：

D：具有Pt配位基之Ir錯合物的合成實施例Ir(L1A)

將10.66 g(10 mmol)的Ir(L1-Br)、3.43 g(20 mmol)的3-(2-吡啶基)酚[98061-22-4]、5.53 g(40 mmol)的碳酸鉀、930 mg(1 mmol)的三苯膦-溴化銅(I)[15709-74-7]、50 g的玻璃珠、70 ml的DMF和90 ml的鄰二甲苯之混合物在水分離器上加熱直至不再分離出水(約18 h)。使反應混合物冷卻至70℃並用抽吸以鄰二甲苯漿液的形式通過矽藻土床過濾，及將濾液濃縮至乾。將殘餘物用150 ml的MeOH進行熱萃取，並用抽吸濾出固體，每次用20 ml MeOH洗滌三次並乾燥。將固體溶於約200 ml的二氯甲烷(DCM)：乙酸乙酯(EA)(9:1 vv)中，並以DCM：EA(9:1 vv)漿液的形式通過矽膠管柱(直徑8 cm，長度30 cm)過濾，並截出橙色核心流份(core fraction)。在旋轉蒸發器上在標準壓力下蒸餾出二氯甲烷，同時連續用甲醇置換蒸餾出的體積，且產物結晶出來。用抽吸將橙色產物濾出，用每次20毫升甲醇洗滌兩次，及在減壓下乾燥。產率：8.85 g(7.6 mmol)；理論的76%；純度：＞99.0%，藉由NMR。以類似的方式，可能製備下列化合物：

實施例Ir(L1F)

將10.66 g(10 mmol)的Ir(L1-Br)、4.92 g(20 mmol)的N-苯基-3-(2-吡啶基)苯胺[1325592-74-2]、1.94 g(20 mmol)的三級丁醇鈉、202 mg(1 mmol)的三級基丁膦、157 mg (0.7 mmol)的乙酸鈀(II)和150 ml的鄰二甲苯之充分攪拌混合物在回流下加熱18 h。使反應混合物冷卻至70℃並用抽吸以鄰二甲苯漿液的形式通過矽藻土床過濾，將濾液濃縮至乾。將固體溶於約200 ml的二氯甲烷(DCM)：乙酸乙酯(EA) (9:1 vv)中，並以DCM：EA (9:1 vv)漿液的形式通過矽膠管柱(直徑8 cm，長度30 cm)過濾，截出橙色核心流份(core fraction)。在旋轉蒸發器上在減壓下蒸餾出二氯甲烷，同時連續用甲醇置換蒸餾出的體積，且產物結晶出來。用抽吸將橙色產物濾出，用每次20毫升甲醇洗滌兩次，及在減壓下乾燥。產率：8.37 g(6.8 mmol)；理論的68%；純度：＞99.0%，藉由NMR。以類似的方式，可製備下列化合物：

E：Ir-Pt錯合物的合成實施例IrPt(L1A)

將11.56 g(10 mmol)的Ir(L1A)、4.15 g(10 mmol)的四氯鉑酸鉀[10025-99-7]、3.4 g(80 mmol)的無水氯化鋰、50 g的玻璃珠和100 ml的冰醋酸之混合物在80℃下攪拌並充分攪拌60小時。冷卻至約50℃後，滴加100 ml的水，以抽吸濾出沈澱的粗產物，用每次30 ml的甲醇：水(1:1 vv)之混合物洗滌三次，並用每次30毫升甲醇洗滌三次，及在減壓下乾燥。在黑暗中將固體溶於約200 ml 的DCM中，並以DCM漿液的形式通過矽膠管柱(直徑8 cm，長度30 cm)過濾，並截出深紅色核心流份(core fraction)。在旋轉蒸發器上在減壓下蒸餾出DCM，同時連續用甲醇置換蒸餾出的體積，且產物結晶出來。用抽吸濾出產物，每次用20 ml甲醇洗滌兩次及在減壓下乾燥。在小心排除空氣及光的情況下，藉由使用二氯甲烷/異丙醇1:1(vv)進行連續熱萃取四次及接著使用二氯甲烷/乙腈進行熱萃取四次(在各情況下，最初進料的量約200 ml，萃取套筒：來自Whatman之由纖維素製造的標準Soxhlet套筒)進一步純化該產物。經由二氯甲烷(低沸點物及良好的溶解劑)：異丙醇或乙腈(高沸點物及不良的溶解劑)的比例，可調節進入母液內的損失。其通常應為所使用之量的3-6重量%。熱萃取液也可使用其他溶劑諸如甲苯、二甲苯、乙酸乙酯、乙酸丁酯等等來完成。最後，使產物在高真空下於p~10^-6 毫巴和T~370-450℃進行熱處理式分段昇華。產率：7.16 g(5.3 mmol)；理論的53%；純度：＞99.8%，藉由NMR。以類似的方式，可製備下列化合物：

實施例：OLED的製造 1)真空加工的裝置：本發明之OLED及根據先前技術之OLED係藉由根據WO 2004/058911的一般方法製造，該方法已經修改而適用於本文所敘述的情況(層厚度的變化、所使用的材料)。在隨後的實施例中，呈現各種OLED的結果。用UV臭氧(來自UVP之PR-100 UV臭氧發生器)將經厚度50 nm之結構化ITO(銦錫氧化物)塗覆之已清潔玻璃板(在Miele實驗室玻璃洗滌機中清潔，Merck Extran清潔劑)預加工25分鐘，而且在30分鐘內，為了改良的加工處理，用20 nm之PEDOT：PSS(聚(3,4-伸乙二氧基噻吩)聚(苯乙烯磺酸酯)，以CLEVIOS™ P VP AI 4083購自Heraeus Precious Metals GmbH Deutschland，從水溶液旋轉)塗布，及然後在180℃下烘烤10 min。此等經塗覆的玻璃板形成對其施用OLED的基板。OLED基本上具有下列層結構：基板/由經5% NDP-9(商購自Novaled)摻雜的HTM1所組成的電洞注入層1(HIL1)，由HTM1所組成的20 nm/電洞傳輸層1(HTL1)，150 nm/電洞傳輸層2(HTL2)/發光層(EML)/電洞阻擋層(HBL)/電子傳輸層(ETL)/視需要之電子注入層(EIL)以及最後的陰極。該陰極係由厚度100 nm的鋁層所形成。首先，說明真空加工的OLED。為此目的，所有的材料係在真空室中藉由熱氣相沈積施加。在此情況下，發光層總是由至少一基質材料(主體材料)及發光摻雜劑(發光體)所組成，該摻雜劑係藉由共蒸發以特定的體積比例添加至基質材料(等)。以如M1:M2:IrPt(L)(55%:35%:10%)的形式給出的詳細信息在此意指材料M1係以55體積%比例存在於該層中，M2係以35體積%的比例存在於該層中，且IrPt(L)係以10體積%的比例存在於該層中。類似地，電子傳輸層亦可由二種材料的混合物所組成。OLED的精確結構可見於表1中。用於製造OLED的材料係顯示於表4中。 OLED係以標準方法示性。為此目的，測定電致發光光譜、電流效率(以cd/A測量)、功率效率(以lm/W測量)及假設Lambertian發光特性從電流-電壓-發光強度特性(IUL特性)計算作為發光強度函數之外部量子效率(EQE，以百分比測量)，且亦測定壽命。電致發光光譜係在1000 cd/m²的發光強度下測量。本發明化合物作為磷光OLED中之發光體材料的用途本發明化合物之一用途為作為OLED的發光層中之磷光發光體材料。所使用之材料顯示於表4中。表2中總結尚未完全最佳化之OLED的結果。

溶液加工的裝置： A：從低分子量的可溶性功能材料本發明之銥錯合物亦可從溶液加工且在該情況下導致相較於真空加工的OLED在製程技術上更為簡單但仍然具有良好性質的OLED。該等組件之製造係根據聚合物發光二極體(PLED)的製造，其已多次描述於文獻中(例如於WO 2004/037887中)。該結構係由基板/ITO/電洞注入層(130 nm)/中間層(20 nm)/發光層(60 nm)/電洞阻擋層(10 nm)/電子傳輸層(50 nm)/陰極所組成。為此目的，使用來自Technoprint的基板(鈉鈣玻璃)，於其上施加ITO結構(銦錫氧化物，透明的導電陽極)。在潔淨室內，用DI水及清潔劑(Deconex 15 PF)，將基板清潔乾淨，並接著藉由UV/臭氧電漿處理予以活化。其後，同樣於潔淨室內，藉由旋轉塗布施加20 nm的電洞注入層。所需之旋轉速度取決於稀釋的程度以及特定旋轉塗布機幾何形狀。為了從該層移除殘留的水，將基板在加熱板上於200℃下烘烤30分鐘。所使用之中間層用於電洞傳輸；在本例中，使用來自Merck的HL-X。中間層或者亦可被僅需符合不會因後續之從溶液的EML沈積的加工步驟而再次浸出(leach off)的條件之一或多層所替代。為了製造發光層，將本發明之三重態發光體連同基質材料溶於甲苯或氯苯中。如在本例中，當裝置典型之60 nm的層厚度係藉由旋轉塗布手段達成時，該等溶液的典型固體含量係介於16至25g/l之間。類型1之溶液加工的裝置含有由M1:M3:M4:IrPtL(20%:30%: 30%:20%)組成之發光層，及類型2之溶液含有由M3:M4:Ir-Red:IrPtL (30%:34%:28%:8%)組成之發光層。於惰性氛圍(在本例中為氬氣)中旋轉塗布發光層且於160℃烘烤10 min。氣相沈積於後者上的是電洞阻擋層(10 nm ETM1)以及電子傳輸層(50 nm ETM1(50%)/ETM2(50%))(來自Lesker的氣相沈積系統或類似者，典型的氣相沈積壓力5×10^-6 毫巴)。最後，藉由氣相沈積施加鋁的陰極(100 nm)(來自Aldrich的高純度金屬)。為了保護裝置免於空氣和空氣濕度，最後將裝置封裝並接著進行示性。所列之OLED實施例尚未最佳化；表3總結所得之數據。

Claims

一種式(1)化合物，
其中所使用的符號及標號如下： D 在各情況下為相同或不同且為C或N； X 在各情況下為相同或不同且為CR或N； L¹ 、L² 在各情況下為相同或不同且為雙牙子配位基； V¹ 為三價基團，其根據n之選擇而將中心子配位基彼此結合且結合至L¹ ； V² 為二價基團或單鍵，其將中心子配位基和L² 彼此結合； n 為1、2或3； m 在各情況下為相同或不同且為0或1，其中，當m=1時，鍵結至對應V² 基團之原子X為C，先決條件為至少一個m=1； R 在各情況下為相同或不同且為H；D；F；Cl；Br；I；N(R¹ )₂ ；CN；NO₂ ；OR¹ ；SR¹ ；COOR¹ ； C(=O)N(R¹ )₂ ；Si(R¹ )₃ ；B(OR¹ )₂ ；C(=O)R¹ ； P(=O)(R¹ )₂ ；S(=O)R¹ ；S(=O)₂ R¹ ；OSO₂ R¹ ；具有1至20個碳原子的直鏈烷基或具有2至20個碳原子的烯基或炔基或具有3至20個碳原子的支鏈或環狀烷基，其中該烷基、烯基或炔基在各情況下可經一或多個R¹ 基團取代，其中一或多個非相鄰的CH₂ 基團可經Si(R¹ )₂ 、C=O、NR¹ 、O、S或CONR¹ 置換；或具有5至40個芳族環原子且在各情況下可經一或多個R¹ 基團取代之芳族或雜芳族環系統；同時，二個R基團一起也可形成環系統； R¹ 在各情況下為相同或不同且為H；D；F；Cl；Br；I；N(R² )₂ ；CN；NO₂ ；OR² ；SR² ；Si(R² )₃ ；B(OR² )₂ ；COOR² ；C(=O)R² ；P(=O)(R² )₂ ；S(=O)R² ；S(=O)₂ R² ；OSO₂ R² ；具有1至20個碳原子的直鏈烷基或具有2至20個碳原子的烯基或炔基或具有3至20個碳原子的支鏈或環狀烷基，其中該烷基、烯基或炔基在各情況下可經一或多個R² 基團取代，其中一或多個非相鄰的CH₂ 基團可經Si(R² )₂ 、C=O、NR² 、O、S或CONR² 置換；或具有5至40個芳族環原子且在各情況下可經一或多個R² 基團取代之芳族或雜芳族環系統；同時，二或更多個R¹ 基團一起可形成環系統； R² 在各情況下為相同或不同且為H、D、F或具有1至20個碳原子的脂族、芳族及/或雜芳族有機基團，尤其是烴基團，其中一或多個氫原子也可經F置換。
根據申請專利範圍第1項之化合物，其為式(1')：
其中，當m=0時，R基團係鍵結至原本將鍵結至對應V² 之碳原子，在D之鄰位的R基團在各情況下為相同或不同且係選自由下列所組成之群組：H、D、F、CH₃ 和CD₃ ，而其他所使用的符號與標號具有申請專利範圍第1項中所詳述的定義。
根據申請專利範圍第1項之化合物，其為式(1a-1)至(1f-1)中之一者：

其中所使用的符號和標號具有申請專利範圍第1項中所給的定義。
根據申請專利範圍第3項之化合物，其為式(1a-3)至(1f-3)中之一者：

其中所使用的符號和標號具有申請專利範圍第1項中所給的定義及在與金屬配位之鄰位的R基團在各情況下為相同或不同且係選自由下列所組成之群組：H、D、F、CH₃ 和CD₃ 。
根據申請專利範圍第1項之化合物，其中V¹ 係選自下列式(2)和(3)之基團
其中虛線鍵表示接至該中心子配位基或該子配位基L¹ 之鍵，R具有申請專利範圍第1項中所給的定義，而其他所使用的符號如下： A 在各情況下為相同或不同且為-CR=CR-、 -C(=O)-NR'-、-C(=O)-O-、-CR₂ -CR₂ -、-CR₂ -O-或下列式(4)之基團：
其中虛線鍵表示該中心子配位基或該子配位基L¹ 接至此結構之鍵的位置及*表示式(4)之單元接至中心環狀基團的鍵聯之位置，該中心環狀基團即式(2)或(3)中明確包括的基團； X¹ 在各情況下為相同或不同且為CR或N； X² 在各情況下為相同或不同且為CR或N，或二個相鄰的X² 基團一起為NR、O或S，因此形成五員環，及其餘X² 基團在各情況下為相同或不同且為CR或N；或當環中的X³ 基團中的一者為N時，二個相鄰的X² 基團一起為CR或N，因此形成五員環；先決條件為不超過二個相鄰的X² 基團為N； X³ 各情況下為C或一個X³ 基團為N且在同一環中的其他X³ 基團為C；先決條件為當環中的X³ 基團中的一者為N時，二個相鄰的X² 基團一起為CR或N； A¹ 在各情況下為相同或不同且為C(R)₂ 或O； A² 在各情況下為相同或不同且為CR、P(=O)、B或SiR，先決條件為，當A² =P(=O)、B或SiR時，符號A¹ 為O及鍵結至此A² 之符號A不為-C(=O)-NR'-或-C(=O)-O-； R' 在各情況下為相同或不同且為H；D；具有1至20個碳原子的直鏈烷基或具有3至20個碳原子的支鏈或環狀烷基，其中該烷基在各情況下可經一或多個R¹ 基團取代及其中一或多個非相鄰的CH₂ 基團可經Si(R¹ )₂ 置換；或具有5至40個芳族環原子且在各情況下可經一或多個R¹ 基團取代之芳族或雜芳族環系統。
根據申請專利範圍第5項之化合物，其中該式(2)之基團係選自該式(5')之結構及該式(3)之基團係選自式(9')或(9")之結構：
其中符號具有申請專利範圍第1和5項中所給的定義。
根據申請專利範圍第5或6項之化合物，其中該式(4)之基團在各情況下為相同或不同且係選自式(14)至(38)之結構：

其中符號具有申請專利範圍第1和5項中所給的定義。
根據申請專利範圍第5項之化合物，其中該式(2)之基團係選自式(5a")之結構：
其中符號具有申請專利範圍第1項中所給的定義。
根據申請專利範圍第1項之化合物，其中V¹ 為式(V¹ -a)之結構：
其中R和A具有申請專利範圍第1項中所給的定義及V為CR、N、SiR、P或P=O。
根據申請專利範圍第1項之化合物，其中V² 係選自由下列所組成之群組：CR₂ 、NR、O、S、Se、-CR₂ -CR₂ -、 -CR₂ -O-、-CR=CR-或具有5或6個芳族環原子且可經一或多個R基團取代之鄰位鍵結的伸芳基或伸雜芳基。
根據申請專利範圍第1項之化合物，其中該子配位基L¹ 及/或該子配位基L² 中之一或二者在各情況下為相同或不同且係選自式(L-1)、(L-2)和(L-3)之結構：
其中虛線鍵表示該子配位基L¹ 接至V¹ 的鍵或該子配位基L² 接至V² 的鍵，而其他所使用的符號如下： CyC 在各情況下為相同或不同且為具有5至14個芳族環原子之經取代或未經取代之芳基或雜芳基，且經由碳原子與M配位並經由共價鍵鍵結至CyD； CyD 在各情況下為相同或不同且為具有5至14個芳族環原子之經取代或未經取代之雜芳基，其且經由氮原子或經由碳烯(carbene)碳原子與M配位並經由共價鍵鍵結至CyC；同時，二或更多個視需要之取代基一起可形成環系統。
根據申請專利範圍第1項之化合物，其中該子配位基L¹ 及/或L² 中之一或多者在各情況下為相同或不同且具有式(L-1-1)、(L-1-2)或(L-2-1)至(L-2-3)之結構：
其中符號具有申請專利範圍第1項中所給的定義，*表示配位至Ir或Pt的位置及若該結構為L¹ 之實施態樣，則"o"表示接至V¹ 之鍵的位置；若該結構為L² 之實施態樣，則V² 係鍵結在與Pt配位處的鄰位；同時，鍵結至V¹ 或V² 的符號X為C。
一種製備根據申請專利範圍第1至12項中任一項之化合物之方法，其特徵在於下列方法步驟： a) 合成尚未含有L² -V² 基團之六牙配位基； b) 從該六牙配位基合成Ir錯合物； c) 將該Ir錯合物官能化； d) 藉由偶合反應引入該L² -V² 基團；及 e) 合成Pt錯合物。
一種調配物，其包含至少一種根據申請專利範圍第1至12項中任一項之化合物以及至少一種另外的化合物，尤其是至少一種溶劑或基質材料。
一種根據申請專利範圍第1至12項中任一項之化合物的用途，其係用於電子裝置或作為氧敏化劑或作為光催化劑。
一種電子裝置，其包含至少一種根據申請專利範圍第1至12項中任一項之化合物。
根據申請專利範圍第16項之裝置，其為有機電致發光裝置，其中該化合物係用作為一或多個發光層中之發光化合物。