CN111755351A - 检查装置 - Google Patents

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CN111755351A CN202010229478.7A CN202010229478A CN111755351A CN 111755351 A CN111755351 A CN 111755351A CN 202010229478 A CN202010229478 A CN 202010229478A CN 111755351 A CN111755351 A CN 111755351A
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樱井淳二
浜田贵之
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Sintokogio Ltd
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Abstract

本发明涉及在高温环境下实施试验的检查装置，该检查装置包括经由可更换的安装件载置器件的索引台，能够实现检查装置的小型化和低成本化，并且能够提高检查装置的安全性。检查装置(1)具有索引台(12)。索引台(12)具有经由安装件(M)载置器件(DUT)的器件载置区域(AD)和载置能够与安装件(M)更换的预备安装件(M’)的安装件载置区域(AM)。索引台(12)内置有对器件载置区域和安装件载置区域进行加热的加热块(124)。

Description

检查装置
技术领域
本发明涉及进行半导体器件等的器件的检查的检查装置。特别涉及在条件不同的2个以上的环境的每个环境下进行器件的检查的检查装置。
背景技术
在半导体器件的检查中，有时要求分别实施静态特性试验和动态特性试验。在专利文献1中公开了进行这样的试验的检查装置。另外，在半导体器件的检查中，有时要求分别对室温环境和高温环境实施试验。在专利文献2～3中公开了进行这样试验的检查装置。
现有技术文献
专利文献
【专利文献1】：日本公开特许公报“特开2016-206150号”
【专利文献2】：日本公开特许公报“特开昭58-39021号”
【专利文献3】：日本公开特许公报“特开平4-23446号”
发明内容
发明要解决的问题
为了有效地进行半导体器件的检查，优选的是，在输送半导体器件的索引台上实施静态特性试验和动态特性试验。但是，当将半导体器件直接载置在索引台上并实施这些试验时，在半导体装置不良的情况下，索引台有时会受到损坏。因此，优选的是，经由可更换的安装件将半导体器件载置在索引台上并且实施这些试验。
但是，为了准确地实施半导体器件的高温试验，载置该半导体器件的安装件也需要是高温的。因此，当发生安装件的更换时，每次都需要对预备安装件进行加热，其结果是，会产生停机时间较长的问题。另外，为了避免停机时间较长，当设置用于在发生安装件的更换前预先对预备安装件进行加热的机构时，检查装置的大型化和高成本化是无法避免的。另外，当在作业者能够接近的区域内设置用于预先对预备安装件进行加热的机构时，检查装置的安全性降低。
另外，这里对在高温环境下实施半导体器件的试验时产生的问题进行了说明，但在高温环境下实施半导体器件以外的器件的试验时，也会产生同样的问题。即，上述问题可以作为在高温环境下实施任意的器件的试验时能够产生的问题而被一般化。
本发明的一个方式是鉴于上述问题而完成的，其目的在于提供在高温环境下实施试验的检查装置，该检查装置包括经由可更换的安装件载置器件的索引台，能够实现检查装置的小型化和低成本化，并且能够提高检查装置的安全性。
解决问题的方案
为了解决上述课题，本发明的一个方式的检查装置具有索引台，所述索引台具有器件载置区域和安装件载置区域，并且内置有对所述器件载置区域和所述安装件载置区域进行加热的加热器，所述器件载置区域经由安装件载置器件，所述安装件载置区域载置能够与所述安装件更换的预备安装件。
发明效果
根据本发明的一个方式，涉及在高温环境下实施试验的检查装置，该检查装置包括经由可更换的安装件载置器件的索引台，能够实现检查装置的小型化和低成本化，并且能够提高检查装置的安全性。
附图说明
图1是示出本发明的一个实施方式的检查装置的概略结构的立体图。
图2是示出图1的检查装置中的半导体器件的输送路径的俯视图。
图3是示出使用了图1的检查装置的半导体器件的检查方法的流程的流程图。
图4是图1的检查装置具有的第1索引台的俯视图。
图5是示出第1索引台的器件载置区域周边的详细情况的局部剖视图。
图6是图1的检查装置具有的第2索引台的俯视图。
图7是示出第2索引台的器件载置区域周边的详细情况的局部剖视图。
图8是图1的检查装置具有的臂部的俯视图。
图9是图1的检查装置具有的臂部具有的器件吸附头的侧视图。
图10是图1的检查装置具有的臂部具有的安装件吸附头的侧视图。
图11是示出被安装在图1的检查装置具有的第1索引台上的安装件的更换方法的流程的示意图。
图12是示出被安装在图1的检查装置具有的第2索引台上的安装件的更换方法的流程的示意图。
具体实施方式
[检查装置的概略结构]
参照图1，对本发明的一个实施方式的检查装置1的概略结构进行说明。图1是示出检查装置1的概略结构的立体图。
检查装置1是用于实施半导体器件(权利要求书中的“器件”的一例)的室温环境(权利要求书中的“第1环境”的一例)和高温环境(权利要求书中的“第2环境”的一例)下的静态特性试验和动态试验的装置。这里，高温环境是指温度比室温环境高的环境。
如图1所示，检查装置1具有第1索引台11、第2索引台12、臂部13、安装件回收/供给单元14、第1试验装置15、第2试验装置16、第3试验装置17、以及第4试验装置18。
第1索引台11是用于沿着圆状的台内输送路径P1输送所载置的半导体器件的装置。在第1索引台11上设置有经由可更换的安装件载置器件的器件载置区域。在台内输送路径P1上等间隔地设定有4个位置P11～P14。特别是，第3位置P13在台内输送路径P1上被设定在最接近第2索引台12的位置处。第1索引台11通过在俯视时顺时针旋转90°，(1)将位于第1位置P11处的半导体器件输送到第2位置P12处，(2)将位于第2位置P12处的半导体器件输送到第3位置P13处，(3)将位于第3位置P13处的半导体器件输送到第4位置P14处，(4)将位于第4位置P14处的半导体器件输送到第1位置P11处。
在本实施方式中，第1索引台11作为用于实施室温环境下的静态特性试验和动态试验的室温试验站发挥作用。作为室温环境的例子，可以举出能够使半导体器件的温度设为20℃以上且30℃以下的环境。大多数情况下，检查装置1是被设置在无尘室内的。作为一例，无尘室内的室温被设定为25℃，而大多数情况下，实际的室温为20℃以上且30℃以下。其结果是，被载置于第1索引台11上的半导体器件的温度也成为20℃以上且30℃以下。关于第1索引台11的详细情况，代替参照的附图在后文叙述。
第2索引台12是用于沿着圆状的台内输送路径P2输送所载置的半导体器件的装置。在第2索引台12上设置有通过可更换的安装件载置器件的器件载置区域和载置预备安装件的安装件载置区域。在台内输送路径P2上设定有4个位置P21～P24。特别是，第1位置P21在台内输送路径P2上被设定在最接近第一索引台11的位置处。第2索引台12通过在俯视时顺时针旋转90°，(1)将位于第1位置P21处的半导体器件输送到第2位置P22处，(2)将位于第2位置P22处的半导体器件输送到第3位置P23处，(3)将位于第3位置P23处的半导体器件输送到第4位置P24处，(4)将位于第4位置P24处的半导体器件输送到第1位置P21处。
在本实施方式中，第2索引台12作为用于实施高温环境下的静态特性试验和动态特性试验的高温试验站发挥作用。作为高温环境的例子，可以举出能够使半导体器件的温度设为50℃以上且300℃以下的环境。关于第2索引台12的详细情况，代替参照的附图在后文叙述。
臂部13是T字型的旋转臂，其具有2个器件吸附头13a、13b和1个安装件吸附头13c。臂部13使用器件吸附头13a、13b进行器件移动动作。这里，器件移动动作是指如下动作：在使用2个器件吸附头13a～13b中的一个将被载置于第1索引台11上的半导体器件移动到第2索引台12上的同时，使用2个器件吸附头13a～13b中的另外一个将被载置于第2索引台12上的半导体器件移动到第1索引台11上。另外，臂部13使用2个器件吸附头13a～13b中的一个，进行器件回收动作。这里，器件回收动作是指将在试验中被判明为不合格品的器件从第1索引台11或第2索引台12回收的动作。另外，臂部13使用安装件吸附头13c进行安装件回收动作。这里，安装件回收动作是指将载置有在试验中被判明为不合格品的器件的安装件从第1索引台11或第2索引台12回收的动作。另外，臂部13使用安装件吸附头13c进行安装件安装动作。这里，安装件安装动作是指将从第2索引台12或后述的安装件回收/供给单元14取得的预备安装件安装在第1索引台11或第2索引台12上的动作。另外，关于臂部13的详细情况，取代参照的附图在后文叙述。
安装件回收/供给单元14是用于回收载置有在试验中被判明为不合格品的器件的安装件并且提供与该安装件更换的预备安装件的单元。
第1试验装置15是用于对被载置于第1索引台11上的半导体器件实施室温环境下的动态特性试验的装置。在本实施方式中，由第1试验装置15进行的半导体器件的动态特性试验是在第1台内输送路径P1的第2位置P12处进行的。
第2试验装置16是用于对被载置于第2索引台12上的半导体器件实施高温环境下的动态特性试验的装置。在本实施方式中，由第2试验装置16进行的半导体器件的动态特性试验是在第2台内输送路径P2的第2位置P22处进行的。
第3试验装置17是用于对被载置于第2索引台12上的半导体器件实施高温环境下的静态特性试验的装置。在本实施方式中，由第3试验装置17进行的半导体器件的静态特性试验是在第2台内输送路径P2的第4位置P24处进行的。
第4试验装置18是用于对被载置于第1索引台11上的半导体器件实施室温环境下的静态特性试验的装置。在本实施方式中，由第4试验装置18进行的半导体器件的静态特性试验是在第1台内输送路径P1的第4位置P14处进行的。
另外，这些试验装置15～18是可以通过公知的结构(例如专利文献1公开的结构)实现的。因此，在本说明书中，关于试验装置15～18的详细情况，省略说明。
[半导体器件的输送路径]
参照图2，对检查装置1的半导体器件的输送路径P进行说明。图2是示出输送路径P的结构的俯视图。
输送路径P是由第1台内输送路径P1、第2台内输送路径P2、台间输送路径P3构成的。第1台内输送路径P1是通过第1索引台11输送半导体器件的输送路径。第2台内输送路径P2是通过第2索引台12输送半导体器件的输送路径。台间输送路径P3是通过臂部13输送(移动)半导体器件的输送路径。
在检查装置1中，半导体器件是通过以下方式输送的。
首先，通过器件供给单元(在图1中未图示)将未检查的半导体器件供给到第1台内输送路径P1的第1位置P11处。
接着，被供给到第1台内输送路径P1的第1位置P11处的半导体器件通过第1索引台11沿着第1台内输送路径P1(1)从第1位置P11处向第2位置P12输送，并且(2)从第2位置P12处向第3位置P13输送。
接着，被输送到第1台内输送路径P1的第3位置P13处的半导体器件通过臂部13沿着台间输送路径P3被输送(移动)到第2台内输送路径P2的第1位置P21处。
接着，被输送到第2台内输送路径P2的第1位置P21处的半导体器件通过第2索引台12沿着第2台内输送路径P2，(1)从第1位置P21处向第2位置P22输送，(2)从第2位置P22处向第3位置P23输送，(3)从第3位置P23处向第4位置P24输送，(4)从第4位置P24处向第1位置P21输送。
接着，被输送到第2台内输送路径P2的第1位置P21处的半导体器件通过臂部13沿着台间输送路径P3被输送(移动)到第1台内输送路径P1的第3位置P13处。
接着，被输送到第1台内输送路径P1的第3位置P13处的半导体器件通过第1索引台11沿着第1台内输送路径P1，(1)从第3位置P13处向第4位置P14输送，(2)从第4位置P14处向第1位置P11输送。
最后，被输送到第1台内输送路径P1的第1位置P11处的检查完毕的半导体器件被器件回收单元(图1中未图示)回收。
在检查装置1中，对以上这样输送的半导体器件，在室温环境和高温环境的每种环境下，分别实施动态特性试验和静态特性试验。首先，在第1台内输送路径P1的第2位置P12处由试验装置15实施室温环境下的动态特性试验。接着，由第2试验装置16在第2台内输送路径P2的第2位置P22处实施高温环境下的动态特性试验。接着，在第2台内输送路径P2的第4位置P24处由第3试验装置17实施高温环境下的静态特性试验。最后，由第4试验装置18在第1台内输送路径P1的第4位置P14处实施室温环境下的静态特性试验。
图2所示的输送路径P中包括的台间输送路径只是台间输送路径P3。另外，该台间输送路径P3的长度可以被设定成比在梭形台间移动半导体器件的台间输送路径的长度短。因此，可以在室温环境和高温环境的每种环境下分别实施静态特性试验和动态特性试验，而不会导致检查装置1的不必要的大型化和检查速度的不必要的低速化。
另外，也可以是，在第1台内输送路径P1的第1位置P11和第3位置P13处，并且在第2台内输送路径P2的第1位置P21和第3位置P23处进行半导体器件的图像检查。例如，在第1台内输送路径P1的第1位置P11处的图像检查中，未图示的照相机对被载置在第1索引台11上的半导体器件进行拍摄。并且，未图示的控制器(1)基于拍摄到的图像，计算实际载置有半导体器件的位置与预先设定的基准位置之间的差，(2)根据计算出的差，调整第1试验装置15的探针位置。由此，即使半导体器件偏离基准位置而被载置在第1索引台11上，也能够理想地实施通过第1试验装置15进行的动态特性试验。也可以是，在第2台内输送路径P2的第1位置P21处、第2台内输送路径P2的第3位置P23处、以及在第1台内输送路径P1的第3位置P13处进行同样的图像检查。通过实施这些图像检查，能够分别对第2试验装置16、第3试验装置17、以及第4试验装置18的探针位置进行调整，从而可以获得与上述的图像检查相同的效果。
[检查方法流程]
参照图3，对使用了检查装置1的检查方法S100的流程进行说明。图3是示出检查方法S100的流程的流程图。另外，在图3中，横向排列示出对各半导体器件DUTi(i＝1、2、3、……)依次适用的多个工序，并且纵向排列示出对多个半导体器件DUT1、DUT2、DUT3、……同时适用的多个工序。
检查方法S100是用于使用上述的检查装置1，对半导体器件在室温环境和高温环境下的静态特性和动态特性进行试验的检查方法。如图3所示，检查方法S100包括：供给/图像检查工序S101、输送工序S102、室温AC试验工序S103、输送工序S104、移动/图像检查工序S105、输送工序S106、高温AC试验工序S107、输送工序S108、图像检查工序S109、输送工序S110、高温DC试验工序S111、输送工序S112、移动/图像检查工序S113、输送工序S114、室温DC试验工序S115、输送工序S116、以及回收工序S117。
供给/图像检查工序S101是在第1台内输送路径P1的第1位置P11处，使用器件供给单元供给半导体器件DUT1的工序。另外，在本工序中，在第1台内输送路径P1的第1位置P11处，对被载置于第1索引台11上的半导体器件DUT1进行图像检查，并且根据其结果调整第1试验装置15的探针位置。
输送工序S102是如下工序：通过使第1索引台11旋转90°，将被载置于第1索引台11的半导体器件DUT1沿着第1台内输送路径P1，从第1位置P11向第2位置P12输送。
室温AC(动态特性)试验工序S103是如下工序：对被输送到第1台内输送路径P1的第2位置P12处的半导体器件DUT1，使用第1试验装置15实施室温环境下的动态特性试验。
输送工序S104是如下工序：通过使第1索引台11旋转90°，将被载置于第1索引台11上的半导体器件DUT1沿着第1台内输送路径P1从第2位置P12向第3位置P13输送。
移动/图像检查工序S105是如下工序：将被输送到第1台内输送路径P1的第3位置P13处的半导体器件DUT1，使用臂部13移动到第2索引台12。另外，在本工序中，在第2台内输送路径P2的第1位置P21处，对被移动到第2索引台12上的半导体器件DUT1进行图像检查。并且，根据图像检查的结果调整第2试验装置16的探针位置。
输送工序S106是如下工序：通过使第2索引台12旋转90°，将被载置于第2索引台12上的半导体器件DUT1沿着第2台内输送路径P2从第1位置P21向第2位置P22输送。
高温AC试验工序S107是如下工序：对被输送到第2台内输送路径P2的第2位置P22处的半导体器件DUT1，使用第2试验装置16实施高温环境下的动态特性试验。
输送工序S108是如下工序：通过使第2索引台12旋转90°，将被载置于第2索引台12上的半导体器件DUT1，沿着第2台内输送路径P2从第2位置P22向第3位置P23输送。
图像检查工序S109是如下工序：在第2台内输送路径P2的第3位置P23处，对被载置于第2索引台12上的半导体器件DUT1进行图像检查。另外，在图像检查工序S109中，根据该图像检查的结果调整第3试验装置17的探针位置。
输送工序S110是使第2索引台12旋转90°的工序。通过实施输送工序S110，将被载置在第2索引台12上的半导体器件DUT1沿着第2台内输送路径P2，从第3位置P23向第4位置P24输送。
高温DC(静态特性)试验工序S111是如下工序：对被输送到第2台内输送路径P2的第4位置P24处的半导体器件DUT1，使用第3试验装置17实施高温环境下的静态特性试验。
输送工序S112是如下工序：通过使第2索引台12旋转90°，将被载置于第2索引台12上的半导体器件DUT1沿着第2台内输送路径P2从第4位置P24向第1位置P21输送。
移动/图像检查工序S113是如下工序：使用臂部13，将被输送到第2台内输送路径P2的第1位置P21处的半导体器件DUT1移动到第1索引台11。另外，在本工序中，在第1台内输送路径P1的第3位置P13处，对被移动到第1索引台11上的半导体器件DUT1进行图像检查。另外，在本工序中，根据该图像检查的结果调整第4试验装置18的探针位置。
输送工序S114是使第1索引台11旋转90°的工序。通过实施输送工序S114，被载置在第1索引台11上的半导体器件DUT1沿着第1台内输送路径P1从第3位置P13被输送到第4位置P14处。
室温DC试验工序S115是如下工序：对被输送到第1台内输送路径P1的第4位置P14处的半导体器件DUT1，使用第4试验装置18实施室温环境下的静态特性试验。
输送工序S116是使第1索引台11旋转90°的工序。通过实施输送工序S116，被载置在第1索引台11上的半导体器件DUT1沿着第1台内输送路径P1从第4位置P14被输送到第1位置P11处。
回收工序S117是在第1台内输送路径P1的第1位置P11处，使用器件回收单元回收半导体器件DUT1的工序。
另外，上述工序S101～S117是对多个半导体器件DUT1、DUT2、DUT3、……同时并行地实施的。例如，在对第1个半导体器件DUT1实施移动/图像检查工序S105的同时，对第2个半导体器件DUT2实施室温AC试验工序S103，并且对第3个半导体器件DUT3实施供给/图像检查工序S101。另外，在对第1个半导体器件DUT1实施输送工序S106的同时，对第2个半导体器件DUT2实施输送工序S104，并且对第3个半导体器件DUT3实施输送工序S102。
[索引台的结构]
参照图4～图7，对检查装置1具有的第1索引台11和第2索引台12的结构进行说明。图4是第1索引台11的俯视图，图5是第1索引台11的局部剖视图，图6是第2索引台12的局部俯视图，图7是第2索引台12的局部剖视图。
如图5所示，第1索引台11是通过将耐热绝缘树脂板111、陶瓷板112、以及载物台块113按照该顺序层叠而构成的。如图4和图5所示，在载物台块113的上表面设置有作为器件载置区域AD发挥作用的凹部113a。在该凹部113a中安装有安装件M，半导体器件DUT被载置在该安装件M上。安装件M是由具有热传导性和导电性的材料(例如金属)构成的板状的部件。另外，在载物台块113的内部设置有供排气路113b，该供排气路113b的一端在凹部113a中被释放，并与被设置在安装件M上的贯通孔连通。该供排气路113b被用作用于将半导体器件DUT吸附于安装件M上的空气的流路、以及用于使半导体器件DUT从安装件M浮起的空气的流路。
如图7所示，第2索引台12是通过将耐热绝缘树脂板121、加热块124、陶瓷板122以及载物台块123按该顺序层叠而构成的。如图6和图7所示，在载物台块123的上表面设置有作为器件载置区域AD发挥作用的凹部123a。在该凹部123a中安装有安装件M，半导体器件DUT被载置在该安装件M上。安装件M是由具有热传导性和导电性的材料(例如金属)构成的板状的部件。另外，在载物台块123的内部设置有供排气路123b，该供排气路123b的一端在凹部123a中被释放，并与被设置在安装件M上的贯通孔连通。该供排气路123b被用作用于将半导体器件DUT吸附于安装件M的空气的流路、以及用于使半导体器件DUT从安装件M浮起的空气的流路。
在载物台块123的上表面还设置有作为安装件载置区域AM发挥作用的凹部。在该凹部中安装有预备安装件M’。预备安装件M’的尺寸和材质与安装件M的尺寸和材质相同，并且安装件M和预安装件M’可以互换。
被内置于第2索引台12中的加热块124被用于对被载置在器件载置区域AD中的半导体器件DUT进行加热。由此，能够不利用外部的热源而实施半导体器件DUT的高温环境下的试验。另外，被内置于第2索引台12中的加热块124还用于对被载置在安装件载置区域AM中的预备安装件M’进行加热。由此，能够不利用外部的热源而将预备安装件M’保持为高温。即，在需要更换安装件M时，无需待机至预备安装件M’达到高温，就能够更换为预备安装件M’。
[臂部的结构]
参照图8～图10，对检查装置1具有的臂部13的结构进行说明。在图8～图10中，图8是臂部13的俯视图，图9是臂部13具有的器件吸附头13a、13b的侧视图，图10是臂部13具有的安装件吸附头13c的侧视图。
如图8所示，臂部13具有组合了3个直线部13A～13C而成的T字型的平面形状。第1器件吸附头13a被安装在从臂部13的旋转中心向第1方向延伸的第1直线部13A的前端背面。第2器件吸附头13b被安装在从臂部13的旋转中心向与第1方向相反的方向延伸的第2直线部13B的前端背面。安装件吸附头13c被安装在从臂部13的旋转中心向第3反向延伸的第3直线部13C的前端背面，该第3方向是与第1方向及第2方向这两个方向正交的方向，该第2方向为与该第1方向相反的方向。
如图9所示，器件吸附头13a、13b具有适于半导体器件的吸附的结构。如图10所示，安装件吸附头13c具有适于安装件的吸附的结构。作为器件吸附头13a、13b和安装件吸附头13c，可以使用公知的吸附垫，因此这里省略其结构的详细说明。
另外，臂部13也可以构成为十字型。在该情况下，能够在臂部13的第4直线部的前端背面上安装另外的头。
作为另外的头，例如可以举出第3器件吸附头。在该情况下，可以考虑将第1器件吸附头13a和第2器件吸附头13b用于器件移动动作，并且将第3器件吸附头用于器件回收动作。由此，不需要使用在器件回收动作中有可能受到损坏的第3器件吸附头进行器件移动动作。
另外，作为另外的头，例如可以举出送风头。在该情况下，能够实现使用从送风头送风的空气，例如除去附着在安装件上的异物。
[第1索引台的安装件更换方法]
设想在室温环境下实施的试验中，判明了经由某安装件M被载置在第1索引台11的器件载置区域AD中的半导体器件DUT是不合格品的情况。在这种情况下，检查装置1具有将该安装件M与从安装件回收/供给单元14供给的预备安装件M’更换的功能。参照图11，对该安装件更换方法S200的流程进行说明。图11是示出安装件更换方法S200的流程的示意图。
如图11所示，安装件更换方法S200包括旋转步骤S201、器件吸附步骤S202、旋转步骤S203、安装件吸附/器件吸附解除步骤S204、旋转步骤S205、安装件吸附解除步骤S206、预备安装件吸附步骤S207、旋转步骤S208、以及预备安装件吸附解除步骤S209。这些步骤S201～S209是在器件载置区域AD被配置在第1台内输送路径P1的第3位置P13处的状态下实施的。
旋转步骤S201是臂部13旋转，使得器件吸附头13a被配置在第1台内输送路径P1的第3位置P13处的步骤。在第1索引台的安装件更换方法中，第1台内输送路径P1的第3位置P13是权利要求书中记载的“第1位置”的一例。
器件吸附步骤S202是如下步骤：在第1台内输送路径P1的第3位置P13处通过器件吸附头13a吸附半导体器件DUT。
旋转步骤S203是如下步骤：臂部13旋转，使得器件吸附头13a被配置在预定的位置P0处，并且安装件吸附头13c被配置在第1台内输送路径P1的第3位置P13处。在第1索引台的安装件更换方法中，预定的位置P0是权利要求书中记载的“第2位置”的一例。
安装件吸附/器件吸附解除步骤S204是如下步骤：在第1台内输送路径P1的第3位置P13处，通过安装件吸附头13c吸附安装件M，并且在预定的位置P0处解除器件吸附头13a对半导体器件DUT的吸附。另外，在预定的位置P0处配置有器件回收托盘，半导体器件DUT被收容在该器件回收托盘中。
旋转步骤S205如下步骤：臂部13旋转，使得安装件吸附头13c被配置在上述预定的位置P0处。
安装件吸附解除步骤S206是如下步骤：在预定的位置P0处解除安装件吸附头13c对安装件M的吸附。另外，在预定的位置P0处配置有安装件回收/供给单元14，安装件M被该安装件回收/供给单元14回收。
通过以上的步骤S201～步骤S206，可以实现从第1索引台11回收半导体器件DUT的器件回收动作，以及从第1索引台11回收安装件M的安装件回收动作。
预备安装件吸附步骤S207是如下步骤：安装件吸附头13c在预定的位置P0处吸附预备安装件M’。另外，在预定的位置P0处配置有安装件回收/供给单元14，预备安装件M’是由该安装件回收/供给单元14提供的。
旋转步骤S208是如下步骤：臂部13旋转，使得安装件吸附头13c被配置在第1台内输送路径P1的第3位置P13处。
预备安装件吸附解除步骤S209是如下步骤：在第1台内输送路径P1的第3位置P13处，安装件吸附头13c解除预备安装件M’的吸附。
通过以上的步骤S207～S209，可以实现在第1索引台11上安装预备安装件M’的预备安装件安装动作。
[第2索引台的安装件更换方法]
设想在高温环境下实施的试验中，判明了经由某安装件M被载置在第2索引台12的器件载置区域AD中的半导体器件DUT是不合格品的情况。在这种情况下，检查装置1具有将该安装件M更换为被载置于第2索引台12的安装件载置区域AM中的预备安装件M’的功能。参照图12，对该安装件更换方法S300的流程进行说明。图12是示出安装件更换方法S300的流程的示意图。
如图12所示，安装件更换方法S300包括旋转步骤S301、器件吸附步骤S302、旋转步骤S303、安装件吸附/器件吸附解除步骤S304、旋转步骤S305、安装件吸附解除步骤S306、旋转步骤S307、预备安装件吸附步骤S308以及预备安装件吸附解除步骤S309。另外，步骤S301～S306是在器件载置区域AD被配置在第2台内输送路径P2的第1位置P21处的状态下实施的。
旋转步骤S301是如下步骤：臂部13旋转，使得器件吸附头13b被配置在第2台内输送路径P2的第1位置P21处。在第2索引台的安装件更换方法中，第2台内输送路径P2的第1位置P21是权利要求书中记载的“第1位置”的一例。
器件吸附步骤S302是如下步骤：在第2台内输送路径P2的第1位置P21处，通过器件吸附头13b吸附半导体器件DUT。
旋转步骤S303是如下步骤：臂部13旋转，使得器件吸附头13b被配置在预定的位置P0处，并且安装件吸附头13c被配置在第2台内输送路径P2的第1位置P21处。在第2索引台的安装件更换方法中，预定的位置P0是权利要求书中记载的“第二位置”的一例。
安装件吸附/器件吸附解除步骤S304是如下步骤：在第2台内输送路径P2的第一位置P21处，通过安装件吸附头13c吸附安装件M，并且在预定位置P0处，解除器件吸附头13b对半导体器件DUT的吸附。另外，在预定的位置P0处配置有器件回收托盘，半导体器件DUT被收容在该器件回收托盘中。
旋转步骤S305是如下步骤：臂部13旋转，使得安装件吸附头13c被配置在上述预定的位置P0处。
安装件吸附解除步骤S306是如下步骤：在预定的位置P0处解除安装件吸附头13c对安装件M的吸附。另外，在预定的位置P0处配置有安装件回收/供给单元14，安装件M被该安装件回收/供给单元14回收。
通过以上的步骤S301～步骤S306，可以实现从第2索引台12回收半导体器件DUT的器件回收动作，以及从第2索引台12回收安装件M的安装件回收动作。
旋转步骤S307是如下步骤：臂部13旋转，使得安装件吸附头13c被配置在第2台内输送路径P2的第1位置P21处。
预备安装件吸附步骤S308是如下步骤：在第2台内输送路径P2的第1位置P21处，安装件吸附头13c吸附预备安装件M’。预备安装件吸附步骤S308是在实现了通过第2索引台12的旋转在第2台内输送路径P2的第1位置P21处配置载置有预备安装件M’的安装件载置区域AM的状态之后实施的。
预备安装件吸附解除步骤S309是如下步骤：在第2台内输送路径P2的第1位置P21处，安装件吸附头13c解除预备安装件M’的吸附。预备安装件吸附解除步骤S309是在实现了通过第2索引台12的旋转在第2台内输送路径P2的第1位置P21处配置载置有安装件M的器件载置区域AD的状态之后实施的。
通过以上的步骤S307～S309，可以实现在第2索引台12上安装预备安装件M’的预备安装件安装动作。
[检查装置的变形例]
另外，在本实施方式中，采用如下结构：在第1台内输送路径P1的第2位置P12处实施动态特性试验，并且在第1台内输送路径P1的第4位置P14处实施静态特性试验，但本发明并不限于此。例如，也可以采用如下结构：在第1台内输送路径P1的第2位置P12处实施静态特性试验，并且在第1台内输送路径P1的第4位置P14处实施动态特性试验。但是，根据本实施方式的结构，动态特性试验不会成为最后的试验。因此，在本实施方式的结构中，具有如下优点：由动态特性试验产生的半导体器件的不良情况可以通过后续的试验进行检测。
另外，在本实施方式中，采用了如下结构：在第2台内输送路径P2上的第2位置P22处实施动态特性试验，并且在第2台内输送路径P2上的第4位置P24处实施静态特性试验，但本发明并不限于此。例如，也可以采用如下结构：在第2台内输送路径P2上的第2位置P22处实施静态特性试验，并且在第2台内输送路径P2上的第4位置P24处实施动态特性试验。
另外，在本实施方式中，采用了如下结构：在第1台内输送路径P1上进行室温环境下的试验，并且在第2台内输送路径P2上进行高温环境下的试验，但本发明并不限于此。例如，也可以采用如下结构；在第1台内输送路径P1上进行高温环境下的试验，并且在第2台内输送路径P2上进行室温环境下试验。但是，根据本实施方式采用的结构，高温环境下的试验不会成为最后的试验。因此，在本实施方式的结构中，具有如下优点：由高温试验产生的半导体器件的不良情况可以通过后续的试验进行检测。
另外，在本实施方式中，采用了在第1台内输送路径P1上的2个位置P12、P14处进行试验的结构，但本发明并不限于此。例如，也可以采用在第1台内输送路径P1的1个位置处进行试验的结构，还可以采用在第1台内输送路径P1的3个以上的位置处进行试验的结构。在这种情况下，在各位置处实施的试验可以是静态特性试验，也可以是动态特性试验，还可以是其他试验。
另外，在本实施方式中，采用了在第2台内输送路径P2上的2个位置P22、P24处进行试验的结构，但本发明并不限于此。例如，可以采用在第2台内输送路径P2的1个位置处进行试验的结构，也可以采用在第2台内输送路径P2上的3个以上的位置处进行试验的结构。在这种情况下，在各位置处实施的试验可以是静态特性试验，也可以是动态特性试验，还可以是其他试验。
另外，在本实施方式中，采用了具有2个索引台11、12和1个臂部13的结构，但本发明并不限于此。即，也可以采用当将N设为2以上的任意自然数时，具有N个索引台和N-1个臂部的结构。在这种情况下，第i个臂部用于将半导体器件从第i个索引台转移到第i+1个索引台。另外，在这种情况下，在相互邻接的索引台中，实施不同的环境下的试验。例如，在具有3个索引台的结构中，在第1个索引台中实施低温环境下的试验，在第2个索引台中实施室温环境下的试验，在第3个索引台中实施高温环境下的试验。或者，在第1个索引台中实施室温环境下的试验，在第2个索引台中实施高温环境下的试验，在第3个索引台中实施室温环境下的试验。从进行室温环境下的试验的索引台向进行高温环境下的试验的索引台的半导体器件的移动，也可以用手动作业来代替用臂部来进行。
另外，在本实施方式中，将半导体器件作为检查装置1的检查对象，但本发明并不限于此。可以将需要在条件不同的环境(在本实施方式中为温度不同的环境)下进行试验的任意的器件作为检查装置1的检查对象。
〔总结〕
本发明的方式1的检查装置具有索引台，所述索引台具有器件载置区域和安装件载置区域，并且内置有对所述器件载置区域和所述安装件载置区域进行加热的加热器，所述器件载置区域经由安装件载置器件，所述安装件载置区域载置能够与所述安装件更换的预备安装件。。
根据上述方式，能够通过1个索引台进行器件的加热和预备安装件的加热。因此，涉及在高温环境下实施试验的检查装置，该检查装置包括经由可更换的安装件载置器件的索引台，从而能够使该结构简单化。由此，能够实现这样的检查装置的小型化和低成本化。
而且，根据上述方式，由于在作业者直接接触手的可能性低的索引台上进行预备安装件的加热，因此能够提高在高温环境下实施试验的检查装置的安全性。
在本发明的方式2的检查装置中，除了方式1的检查装置的结构之外，还采用以下的结构。即，所述检查装置还具有臂部，所述臂部具有器件吸附头和安装件吸附头，所述器件吸附头吸附所述器件，所述安装件吸附头吸附所述安装件。
根据上述方式，能够通过1个臂部进行器件的手动操作和安装件的手动操作。因此，能够使进行器件的手动操作和安装件的手动操作的机构简单化。由此，能够实现检查装置的小型化和低成本化。
在本发明的方式3的检查装置中，除了方式2的检查装置的结构之外，还采用以下的结构。即，所述臂部执行如下动作：(1)器件回收动作，其使用所述器件吸附头从所述器件载置区域回收所述器件；(2)安装件回收动作，其使用所述安装件吸附头从所述器件载置区域回收所述安装件；以及(3)安装件安装动作，其使用所述安装件吸附头将所述预备安装件安装到所述器件载置区域。
在通过试验判明器件是不良产品的情况下，有时载置该器件的安装件会受到损坏。根据上述方式，能够通过1个臂部进行在这种情况下需要的、被判明为不良产品的器件的回收、载置有该器件的安装件的回收、以及预备安装件的安装。
在本发明的方式4的检查装置中，除了方式3的检查装置的结构之外，还采用以下的结构。即，所述器件回收动作和所述安装件回收动作包括如下步骤：所述臂部旋转，使得所述器件吸附头被配置到第1位置处；当所述器件载置区域被配置在所述第1位置处时，在所述第1位置处通过所述器件吸附头对所述器件进行吸附；所述臂部旋转，使得所述器件吸附头被配置到所述第2位置处，并且所述安装件吸附头被配置到所述第1位置处；当所述器件载置区域被配置在所述第1位置处时，在所述第1位置处通过所述安装件吸附头对所述安装件进行吸附，并且在所述第2位置处解除所述器件吸附头对所述器件的吸附；所述臂部旋转，使得所述安装件吸附头被配置到所述第2位置处；以及在所述第2位置处解除所述安装件吸附头对所述安装件的吸附。
根据上述方式，能够通过1个臂部有效地进行被判明为不良产品的器件的回收、以及载置有该器件的安装件的回收。
在本发明的方式5的检查装置中，除了方式4的检查装置的结构之外，还采用以下的结构。即，所述安装件安装动作是通过如下步骤实现的：所述臂部旋转，使得所述安装件吸附头被配置到所述第1位置处；当所述安装件载置区域被配置在所述第1位置处时，在所述第1位置处，所述安装件吸附头对所述预备安装件进行吸附；以及当所述器件载置区域被配置在所述第1位置处时，在所述第1位置处，解除所述安装件吸附头对所述预备安装件的吸附。
根据上述方式，能够通过1个臂部有效地进行预备安装件的安装。
在本发明的方式6的检查装置中，除了方式3～5的任意一个方式的检查装置的结构之外，还采用以下的结构。即，所述检查装置具有包括所述索引台在内的至少2个索引台，所述臂部具有包括所述器件吸附头在内的至少2个器件吸附头，所述臂部使用第1器件吸附头和第2器件吸附头执行器件移动动作，并且所述臂部使用所述第1器件吸附头或所述第2器件吸附头执行所述器件回收动作，该器件移动动作是指：在将被载置在第1索引台上的器件移动到第2索引台上的同时，将被载置在所述第2索引台上的器件移动到所述第1索引台上。
根据上述方式，在具有至少2个索引台的检查装置中，使用进行器件的输送和安装件的输送的臂部，能够进行索引台间的器件的移动。因此，能够简化具有至少2个索引台的检查装置的结构。
在本发明的方式7的检查装置中，除了方式2～5的任意一个方式的检查装置的结构之外，还采用以下的结构。即，所述检查装置具有包括所述索引台在内的至少2个索引台，所述臂部具有包括所述器件吸附头在内的至少3个器件吸附头，所述臂部使用第1器件吸附头和第2器件吸附头执行器件移动动作，并且所述臂部使用第3器件吸附头执行所述器件回收动作，该器件移动动作是指：在将被载置在第1索引台上的器件移动到第2索引台上的同时，将被载置在所述第2索引台上的器件移动到所述第1索引台上。
根据上述方式，在具有至少2个索引台的检查装置中，使用进行器件的输送和安装件的输送的臂部，能够进行索引台间的器件的移动。因此，能够简化具有至少2个索引台的检查装置的结构。
并且，根据上述方式，能够使用不同的吸附头进行被判明为不良产品的器件的回收和索引台之间的器件的移动。因此，能够避免通过将因被判明为不良产品的器件的回收而被污染的吸附头用于索引台间的器件的移动而可以产生的、正常器件的污染。
在本发明的方式8的检查装置中，除了方式2～7的任意一个方式的检查装置的结构之外，还采用以下的结构。即，所述臂部还具有送风头，该送风头通过送风来去除附着在所述安装件上的异物。
根据上述方式，能够以简单的结构实现具有去除附着在安装件上的异物的功能的检查装置。
[附记事项]
本发明不限于上述的实施方式，能够在权利要求所示的范围内进行各种变更，对于通过将上述实施方式中公开的各技术手段适当组合而得到的实施方式，其也包含在本发明的技术范围内。
标号说明
1：检查装置；
11：第1索引台；
12：第2个索引台；
13：臂部；
14：安装件回收/供给单元；
15：第1试验装置(室温环境下的动态特性试验用)；
16：第2试验装置(高温环境下的动态特性试验用)；
17：第3试验装置(高温环境下的静态特性试验用)；
18：第4试验装置(室温环境下的静态特性试验用)。

Claims (8)

1.一种检查装置，其特征在于，
所述检查装置具有索引台，
所述索引台具有器件载置区域和安装件载置区域，并且内置有对所述器件载置区域和所述安装件载置区域进行加热的加热器，所述器件载置区域经由安装件载置器件，所述安装件载置区域载置能够与所述安装件更换的预备安装件。
2.根据权利要求1所述的检查装置，其特征在于，
所述检查装置还具有臂部，
所述臂部具有器件吸附头和安装件吸附头，所述器件吸附头吸附所述器件，所述安装件吸附头吸附所述安装件。
3.根据权利要求2所述的检查装置，其特征在于，
所述臂部执行如下动作：
(1)器件回收动作，其使用所述器件吸附头从所述器件载置区域回收所述器件；
(2)安装件回收动作，其使用所述安装件吸附头从所述器件载置区域回收所述安装件；以及
(3)安装件安装动作，其使用所述安装件吸附头将所述预备安装件安装到所述器件载置区域。
4.根据权利要求3所述的检查装置，其特征在于，
所述器件回收动作和所述安装件回收动作包括如下步骤：
所述臂部旋转，使得所述器件吸附头被配置到第1位置处；
当所述器件载置区域被配置在所述第1位置处时，在所述第1位置处通过所述器件吸附头对所述器件进行吸附；
所述臂部旋转，使得所述器件吸附头被配置到所述第2位置处，并且所述安装件吸附头被配置到所述第1位置处；
当所述器件载置区域被配置在所述第1位置处时，在所述第1位置处通过所述安装件吸附头对所述安装件进行吸附，并且在所述第2位置处解除所述器件吸附头对所述器件的吸附；
所述臂部旋转，使得所述安装件吸附头被配置到所述第2位置处；以及
在所述第2位置处解除所述安装件吸附头对所述安装件的吸附。
5.根据权利要求4所述的检查装置，其特征在于，
所述安装件安装动作是通过如下步骤实现的：
所述臂部旋转，使得所述安装件吸附头被配置到所述第1位置处；
当所述安装件载置区域被配置在所述第1位置处时，在所述第1位置处，所述安装件吸附头对所述预备安装件进行吸附；以及
当所述器件载置区域被配置在所述第1位置处时，在所述第1位置处，解除所述安装件吸附头对所述预备安装件的吸附。
6.根据权利要求3至5中的任一项所述的检查装置，其特征在于，
所述检查装置具有包括所述索引台在内的至少2个索引台，
所述臂部具有包括所述器件吸附头在内的至少2个器件吸附头，
所述臂部使用第1器件吸附头和第2器件吸附头执行器件移动动作，并且所述臂部使用所述第1器件吸附头或所述第2器件吸附头执行所述器件回收动作，其中，所述器件移动动作是指：在将被载置在第1索引台上的器件移动到第2索引台上的同时，将被载置在所述第2索引台上的器件移动到所述第1索引台上。
7.根据权利要求3至5中的任一项所述的检查装置，其特征在于，
所述检查装置具有包括所述索引台在内的至少2个索引台，
所述臂部具有包括所述器件吸附头在内的至少3个器件吸附头，
所述臂部使用第1器件吸附头和第2器件吸附头执行器件移动动作，并且所述臂部使用第3器件吸附头执行所述器件回收动作，其中，所述器件移动动作是指：在将被载置在第1索引台上的器件移动到第2索引台上的同时将被载置在所述第2索引台上的器件移动到所述第1索引台上。
8.根据权利要求2所述的检查装置，其特征在于，
所述臂部还具有送风头，所述送风头通过送风来去除附着在所述安装件上的异物。
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