JP2002311088A - オートハンドラ及び半導体集積回路の予熱方法 - Google Patents
オートハンドラ及び半導体集積回路の予熱方法Info
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- JP2002311088A JP2002311088A JP2001120059A JP2001120059A JP2002311088A JP 2002311088 A JP2002311088 A JP 2002311088A JP 2001120059 A JP2001120059 A JP 2001120059A JP 2001120059 A JP2001120059 A JP 2001120059A JP 2002311088 A JP2002311088 A JP 2002311088A
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- heating
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体集積回路の予熱に係わる消費電力を削
減する。 【解決手段】 測定部６に載置した加熱状態のデバイス
Ｘを半導体集積回路試験装置を用いて試験する場合に、
複数のデバイスＸを収容して加熱するプリヒート部３に
デバイスＸを順次移送し、このプリヒート部３において
一定の加熱時間が経過したデバイスＸを測定部６に順次
移送するオートハンドラであって、プリヒート部３は、
測定部６におけるデバイスＸの試験時間に応じてデバイ
スＸの全収容領域のうち所定の領域を選択加熱する。
減する。 【解決手段】 測定部６に載置した加熱状態のデバイス
Ｘを半導体集積回路試験装置を用いて試験する場合に、
複数のデバイスＸを収容して加熱するプリヒート部３に
デバイスＸを順次移送し、このプリヒート部３において
一定の加熱時間が経過したデバイスＸを測定部６に順次
移送するオートハンドラであって、プリヒート部３は、
測定部６におけるデバイスＸの試験時間に応じてデバイ
スＸの全収容領域のうち所定の領域を選択加熱する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、オートハンドラ及
び半導体集積回路の予熱方法に係わり、特に加熱状態の
半導体集積回路を半導体集積回路試験装置を用いて試験
する場合における半導体集積回路の予熱技術に関する。
び半導体集積回路の予熱方法に係わり、特に加熱状態の
半導体集積回路を半導体集積回路試験装置を用いて試験
する場合における半導体集積回路の予熱技術に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】加熱状
態のデバイス（半導体集積回路）を試験する場合に用い
られるオートハンドラは、前処理としてデバイスを付属
設備として設けられたプリヒート部に移送し、このプリ
ヒート部において一定時間予熱した後に測定部に移送す
る。上記プリヒート部は、複数のデバイスを収容して加
熱するように構成されており、先にプリヒート部に移送
されて一定時間予熱されたデバイスから順に測定部に移
送されて試験が行われる。
態のデバイス（半導体集積回路）を試験する場合に用い
られるオートハンドラは、前処理としてデバイスを付属
設備として設けられたプリヒート部に移送し、このプリ
ヒート部において一定時間予熱した後に測定部に移送す
る。上記プリヒート部は、複数のデバイスを収容して加
熱するように構成されており、先にプリヒート部に移送
されて一定時間予熱されたデバイスから順に測定部に移
送されて試験が行われる。
【０００３】ところで、従来のプリヒート部は、デバイ
スの収容領域の全てを同時加熱するように構成されてい
るため、実際にデバイスが収容されない収容領域までも
加熱している。測定部におけるデバイスの試験時間に応
じて実際にデバイスが収容される収容領域は変化するの
で、プリヒート部は、試験時間が最も速いデバイスに合
わせて収容個数が設定されている。
スの収容領域の全てを同時加熱するように構成されてい
るため、実際にデバイスが収容されない収容領域までも
加熱している。測定部におけるデバイスの試験時間に応
じて実際にデバイスが収容される収容領域は変化するの
で、プリヒート部は、試験時間が最も速いデバイスに合
わせて収容個数が設定されている。
【０００４】しかしながら、このような従来のオートハ
ンドラでは、試験時間が遅いデバイスを予熱する場合
に、プリヒート部の全収容領域の一部分にデバイスが収
容されるにもかかわらず全収容領域を同時加熱している
ので、電力が無駄に消費されるという問題点がある。
ンドラでは、試験時間が遅いデバイスを予熱する場合
に、プリヒート部の全収容領域の一部分にデバイスが収
容されるにもかかわらず全収容領域を同時加熱している
ので、電力が無駄に消費されるという問題点がある。
【０００５】本発明は、上述する問題点に鑑みてなされ
たもので、半導体集積回路の予熱に係わる消費電力を削
減することを目的とする。
たもので、半導体集積回路の予熱に係わる消費電力を削
減することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、オートハンドラに係わる第１の手段として、測定部
に載置した加熱状態の半導体集積回路を半導体集積回路
試験装置を用いて試験する場合に、複数の半導体集積回
路を収容して加熱する予熱部に半導体集積回路を順次移
送し、予熱部において一定の加熱時間が経過した半導体
集積回路を測定部に順次移送するオートハンドラであっ
て、予熱部は、測定部における半導体集積回路の試験時
間に応じて、半導体集積回路の全収容領域のうち所定の
加熱領域を選択加熱するという手段を採用する。
に、オートハンドラに係わる第１の手段として、測定部
に載置した加熱状態の半導体集積回路を半導体集積回路
試験装置を用いて試験する場合に、複数の半導体集積回
路を収容して加熱する予熱部に半導体集積回路を順次移
送し、予熱部において一定の加熱時間が経過した半導体
集積回路を測定部に順次移送するオートハンドラであっ
て、予熱部は、測定部における半導体集積回路の試験時
間に応じて、半導体集積回路の全収容領域のうち所定の
加熱領域を選択加熱するという手段を採用する。
【０００７】オートハンドラに係わる第２の手段とし
て、上記第１の手段において、予熱部は、加熱領域毎に
設けられた複数の加熱プレートと、該加熱プレート上に
載置される半導体集積回路収容部とを備えるという手段
を採用する。
て、上記第１の手段において、予熱部は、加熱領域毎に
設けられた複数の加熱プレートと、該加熱プレート上に
載置される半導体集積回路収容部とを備えるという手段
を採用する。
【０００８】オートハンドラに係わる第３の手段とし
て、上記第１または第２の手段において、ハンドの先端
に備えられた吸着パッドによって半導体集積回路を吸着
して予熱部に移送するという手段を採用する。
て、上記第１または第２の手段において、ハンドの先端
に備えられた吸着パッドによって半導体集積回路を吸着
して予熱部に移送するという手段を採用する。
【０００９】半導体集積回路の予熱方法に係わる第１段
として、複数の半導体集積回路を収容して加熱する予熱
部に半導体集積回路を順次移送し、予熱部において一定
の加熱時間が経過した半導体集積回路を測定部に順次移
送して半導体集積回路試験装置による試験を行う場合に
おける半導体集積回路の予熱方法であって、測定部にお
ける半導体集積回路の試験時間に応じて、予熱部におけ
る半導体集積回路の全収容領域のうち所定の加熱領域を
選択加熱するという手段を採用する。
として、複数の半導体集積回路を収容して加熱する予熱
部に半導体集積回路を順次移送し、予熱部において一定
の加熱時間が経過した半導体集積回路を測定部に順次移
送して半導体集積回路試験装置による試験を行う場合に
おける半導体集積回路の予熱方法であって、測定部にお
ける半導体集積回路の試験時間に応じて、予熱部におけ
る半導体集積回路の全収容領域のうち所定の加熱領域を
選択加熱するという手段を採用する。
【００１０】半導体集積回路の予熱方法に係わる第２の
手段として、上記第１の手段において、半導体集積回路
収容部の下に設けられる加熱プレートを分割することに
より所定の加熱領域を選択加熱するという手段を採用す
る。
手段として、上記第１の手段において、半導体集積回路
収容部の下に設けられる加熱プレートを分割することに
より所定の加熱領域を選択加熱するという手段を採用す
る。
【００１１】半導体集積回路の予熱方法に係わる第３の
手段として、上記第１または第２の手段において、ハン
ドの先端に備えられた吸着パッドによって半導体集積回
路を吸着して予熱部に移送するという手段を採用する。
手段として、上記第１または第２の手段において、ハン
ドの先端に備えられた吸着パッドによって半導体集積回
路を吸着して予熱部に移送するという手段を採用する。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、本発明に
係わるオートハンドラ及び半導体集積回路の予熱方法の
一実施形態について説明する。なお、本実施形態は、水
平搬送式オートハンドラに本発明を適用した場合に関す
る。
係わるオートハンドラ及び半導体集積回路の予熱方法の
一実施形態について説明する。なお、本実施形態は、水
平搬送式オートハンドラに本発明を適用した場合に関す
る。
【００１３】図１は、本実施形態に係わる水平搬送式オ
ートハンドラの概要構成を示す正面図である。この図１
において、符号Ｘはデバイス（半導体集積回路）、１は
ローダトレー、２は供給Ｐ＆Ｐ（ピックアンドプレ
ス）、３はプリヒート部（予熱部）、４は供給シャト
ル、５は測定ハンド、６は測定部、７は収容シャトル、
８は収容Ｐ＆Ｐ（ピックアンドプレス）、９は分類ユニ
ット、１０はアンローダトレー、１１は空トレーバッフ
ァである。
ートハンドラの概要構成を示す正面図である。この図１
において、符号Ｘはデバイス（半導体集積回路）、１は
ローダトレー、２は供給Ｐ＆Ｐ（ピックアンドプレ
ス）、３はプリヒート部（予熱部）、４は供給シャト
ル、５は測定ハンド、６は測定部、７は収容シャトル、
８は収容Ｐ＆Ｐ（ピックアンドプレス）、９は分類ユニ
ット、１０はアンローダトレー、１１は空トレーバッフ
ァである。
【００１４】デバイスＸは、試験対象となる半導体集積
回路である。ローダトレー１は、外部から図示する所定
位置に搬送されてくるものであり、複数のデバイスＸを
収容する。供給Ｐ＆Ｐ２は、ハンドの先端に吸着パッド
が設けられたものであり、該吸着パッドによってローダ
トレー１上のデバイスＸを吸着してプリヒート部３に移
送すると共に、プリヒート部３上のデバイスＸを吸着し
て供給シャトル４に移送する。
回路である。ローダトレー１は、外部から図示する所定
位置に搬送されてくるものであり、複数のデバイスＸを
収容する。供給Ｐ＆Ｐ２は、ハンドの先端に吸着パッド
が設けられたものであり、該吸着パッドによってローダ
トレー１上のデバイスＸを吸着してプリヒート部３に移
送すると共に、プリヒート部３上のデバイスＸを吸着し
て供給シャトル４に移送する。
【００１５】プリヒート部３は、複数のデバイスＸを収
容して加熱するものであり、図２に示すように同一形状
に形成された３枚の加熱プレート３ａ〜３ｃと、該各加
熱プレート３ａ〜３ｃ上に載置される同一形状の３つの
品種交換部品３ｄ〜３ｆ（半導体集積回路収容部）とを
備えている。
容して加熱するものであり、図２に示すように同一形状
に形成された３枚の加熱プレート３ａ〜３ｃと、該各加
熱プレート３ａ〜３ｃ上に載置される同一形状の３つの
品種交換部品３ｄ〜３ｆ（半導体集積回路収容部）とを
備えている。
【００１６】各加熱プレート３ａ〜３ｃは、図示するよ
うに長方形に形成され、面一に平行配置されている。こ
のような各加熱プレート３ａ〜３ｃは、各々個別にヒー
タ線３ｇ〜３ｉが設けられることにより加熱用電力が個
別に通電されると共に、各々個別にセンサー線３ｐ〜３
ｒが設けられることにより加熱温度が個別に制御され
る。また、各品種交換部品３ｄ〜３ｆは、デバイスＸの
品種に合わせた形状の収容溝３ｊが複数（１４個）形成
されており、各々に複数（１４個）のデバイスＸを収容
する。すなわち、本実施形態におけるプリヒート部３
は、分割式加熱構造を有している。
うに長方形に形成され、面一に平行配置されている。こ
のような各加熱プレート３ａ〜３ｃは、各々個別にヒー
タ線３ｇ〜３ｉが設けられることにより加熱用電力が個
別に通電されると共に、各々個別にセンサー線３ｐ〜３
ｒが設けられることにより加熱温度が個別に制御され
る。また、各品種交換部品３ｄ〜３ｆは、デバイスＸの
品種に合わせた形状の収容溝３ｊが複数（１４個）形成
されており、各々に複数（１４個）のデバイスＸを収容
する。すなわち、本実施形態におけるプリヒート部３
は、分割式加熱構造を有している。
【００１７】供給シャトル４は、供給Ｐ＆Ｐ２によって
上記プリヒート部３から移送されたデバイスＸを、破線
で示す行路で移動し測定ハンド５の直下に搬送する。供
給シャトル４は、図示するプリヒート部３と測定ハンド
５の直下位置との間を往復移動する。測定ハンド５は軸
５ａを中心に回転し、供給シャトル４上のデバイスＸを
吸着保持すると、半回転して測定部６上に移送し、デバ
イスＸを下方に押圧することによりＩＣソケット６ａに
装着する。
上記プリヒート部３から移送されたデバイスＸを、破線
で示す行路で移動し測定ハンド５の直下に搬送する。供
給シャトル４は、図示するプリヒート部３と測定ハンド
５の直下位置との間を往復移動する。測定ハンド５は軸
５ａを中心に回転し、供給シャトル４上のデバイスＸを
吸着保持すると、半回転して測定部６上に移送し、デバ
イスＸを下方に押圧することによりＩＣソケット６ａに
装着する。
【００１８】測定部６は、ＩＣテスタ（半導体集積回路
試験装置）のテストヘッドに接続されたＩＣソケット６
ａを備え、ＩＣソケット６ａに装着された状態で各デバ
イスＸは半導体集積回路試験装置による各種の機能試験
を受ける。測定ハンド５は、試験終了後のデバイスＸを
吸着してＩＣソケット６ａから取り出し、半回転するこ
とにより収容シャトル７上に移送して載置する。収容シ
ャトル７は、破線で示した行路で移動し上記供給シャト
ル４の測定ハンド５の直下位置から図示する収容Ｐ＆Ｐ
８の停止位置まで試験終了後のデバイスＸを搬送する。
収容シャトル７は、測定ハンド５の直下位置と収容Ｐ＆
Ｐ８の停止位置との間を往復運動する。
試験装置）のテストヘッドに接続されたＩＣソケット６
ａを備え、ＩＣソケット６ａに装着された状態で各デバ
イスＸは半導体集積回路試験装置による各種の機能試験
を受ける。測定ハンド５は、試験終了後のデバイスＸを
吸着してＩＣソケット６ａから取り出し、半回転するこ
とにより収容シャトル７上に移送して載置する。収容シ
ャトル７は、破線で示した行路で移動し上記供給シャト
ル４の測定ハンド５の直下位置から図示する収容Ｐ＆Ｐ
８の停止位置まで試験終了後のデバイスＸを搬送する。
収容シャトル７は、測定ハンド５の直下位置と収容Ｐ＆
Ｐ８の停止位置との間を往復運動する。
【００１９】収容Ｐ＆Ｐ８は、上記供給Ｐ＆Ｐ２と同様
にハンドの先端に吸着パッドが設けられたものであり、
該吸着パッドによって収容シャトル７上のデバイスＸを
吸着し、上記試験によって不良品と判定されたデバイス
Ｘを分類ユニット９に移送すると共に、良品と判定され
たデバイスＸをアンローダトレー１０に移送する。分類
ユニット９は、外部から図示する所定位置に搬送されて
くるものであり、複数のデバイスＸを収容する。収容Ｐ
＆Ｐ８によって分類ユニット９に載置されたデバイスＸ
（不良品）あるいはアンローダトレー１０のデバイスＸ
（良品）は、次工程に移送される。
にハンドの先端に吸着パッドが設けられたものであり、
該吸着パッドによって収容シャトル７上のデバイスＸを
吸着し、上記試験によって不良品と判定されたデバイス
Ｘを分類ユニット９に移送すると共に、良品と判定され
たデバイスＸをアンローダトレー１０に移送する。分類
ユニット９は、外部から図示する所定位置に搬送されて
くるものであり、複数のデバイスＸを収容する。収容Ｐ
＆Ｐ８によって分類ユニット９に載置されたデバイスＸ
（不良品）あるいはアンローダトレー１０のデバイスＸ
（良品）は、次工程に移送される。
【００２０】アンローダトレー１０は、空トレーバッフ
ァ１１から図示する所定位置に搬送されたものであり、
複数のデバイスＸを収容する。空トレーバッファ１１
は、外部から搬送されてきた空トレーが一時的に載置さ
れる部分であり、この空トレーは良品を回収する上記ア
ンローダトレー１０として利用される。
ァ１１から図示する所定位置に搬送されたものであり、
複数のデバイスＸを収容する。空トレーバッファ１１
は、外部から搬送されてきた空トレーが一時的に載置さ
れる部分であり、この空トレーは良品を回収する上記ア
ンローダトレー１０として利用される。
【００２１】次に、本水平搬送式オートハンドラの要部
動作について、上記各図面を参照して詳しく説明する。
動作について、上記各図面を参照して詳しく説明する。
【００２２】まず最初に、ローダトレー１上の各デバイ
スＸは、供給Ｐ＆Ｐ２によって吸着されてプリヒート部
３に１個ずつ順次移送されるが、例えばプリヒート部３
の最下列かつ最右側の収納溝３ｊから順次左側の収納溝
３ｊに載置され、最下列の全ての収納溝３ｊにデバイス
Ｘが収容されると、順次上側列の最右側の収納溝３ｊか
らデバイスＸが収容される。このようにプリヒート部３
へのデバイスＸの収容順序は、予め決められており、供
給Ｐ＆Ｐ２は、この収容順序に従ってローダトレー１上
の各デバイスＸをプリヒート部３に順次移送する。
スＸは、供給Ｐ＆Ｐ２によって吸着されてプリヒート部
３に１個ずつ順次移送されるが、例えばプリヒート部３
の最下列かつ最右側の収納溝３ｊから順次左側の収納溝
３ｊに載置され、最下列の全ての収納溝３ｊにデバイス
Ｘが収容されると、順次上側列の最右側の収納溝３ｊか
らデバイスＸが収容される。このようにプリヒート部３
へのデバイスＸの収容順序は、予め決められており、供
給Ｐ＆Ｐ２は、この収容順序に従ってローダトレー１上
の各デバイスＸをプリヒート部３に順次移送する。
【００２３】ここで、各デバイスＸがプリヒート部３に
載置されている時間つまりプリヒート部３における各デ
バイスＸの加熱時間は、目的加熱温度とプリヒート部３
の加熱特性とデバイスＸの昇温時間とに基づいて所定時
間に固定設定されている。一方、当該プリヒート部３で
目的加熱温度まで予熱された各デバイスＸは、上述した
ように供給Ｐ＆Ｐ２、供給シャトル４及び測定ハンド５
を介して測定部６に１個ずつ順次移送されて試験される
が、この試験に要する時間（試験時間）は、デバイスＸ
の品種や試験項目に応じて異なるものとなる。
載置されている時間つまりプリヒート部３における各デ
バイスＸの加熱時間は、目的加熱温度とプリヒート部３
の加熱特性とデバイスＸの昇温時間とに基づいて所定時
間に固定設定されている。一方、当該プリヒート部３で
目的加熱温度まで予熱された各デバイスＸは、上述した
ように供給Ｐ＆Ｐ２、供給シャトル４及び測定ハンド５
を介して測定部６に１個ずつ順次移送されて試験される
が、この試験に要する時間（試験時間）は、デバイスＸ
の品種や試験項目に応じて異なるものとなる。
【００２４】通常、プリヒート部３の保有個数は最も短
い試験時間に対応して設定される。しかし、プリヒート
部３に載置されるデバイスＸの個数は、デバイスＸの昇
温時間が固定値であるために、試験時間が長い場合には
待機デバイスが少なくてすみ、不要の加熱領域が発生す
る。
い試験時間に対応して設定される。しかし、プリヒート
部３に載置されるデバイスＸの個数は、デバイスＸの昇
温時間が固定値であるために、試験時間が長い場合には
待機デバイスが少なくてすみ、不要の加熱領域が発生す
る。
【００２５】本水平搬送式オートハンドラでは、このよ
うな事情に配慮して、３枚の加熱プレート３ａ〜３ｃを
個別に設けて単独作動させる構成を採用することによ
り、３つの加熱領域を選択設定し、この結果、プリヒー
ト部３におけるデバイスＸの全収容領域のうち所定の小
領域を加熱領域として選択加熱する。
うな事情に配慮して、３枚の加熱プレート３ａ〜３ｃを
個別に設けて単独作動させる構成を採用することによ
り、３つの加熱領域を選択設定し、この結果、プリヒー
ト部３におけるデバイスＸの全収容領域のうち所定の小
領域を加熱領域として選択加熱する。
【００２６】例えば、図３に示すように、試験時間との
関係で品種交換部品３ｄのみにデバイスＸが載置され、
他の品種交換部品３ｅ，３ｆにデバイスＸが載置されな
い場合には、品種交換部品３ｄの下の加熱プレート３ａ
のみに通電し、これ以外の加熱プレート３ｂ，３ｃには
通電しない。すなわち、加熱領域Ａのみを加熱状態とし
て、他の加熱領域Ｂ，Ｃを非加熱状態とする。また、品
種交換部品３ｄ，３ｅのみにデバイスＸが載置される場
合には、品種交換部品３ｄ，３ｅの下の加熱プレート３
ａ，３ｂのみに通電することにより、加熱領域Ａ，Ｂの
みを加熱状態とする。さらに、全品種交換部品３ｄ〜３
ｆにデバイスＸが載置される場合には、全加熱プレート
３ａ〜３ｃに通電することにより、全加熱領域Ａ〜Ｃを
加熱状態とする。すなわち、予め試験時間が長いことが
分かっている場合には、不要の加熱領域を通電しないこ
とができる。
関係で品種交換部品３ｄのみにデバイスＸが載置され、
他の品種交換部品３ｅ，３ｆにデバイスＸが載置されな
い場合には、品種交換部品３ｄの下の加熱プレート３ａ
のみに通電し、これ以外の加熱プレート３ｂ，３ｃには
通電しない。すなわち、加熱領域Ａのみを加熱状態とし
て、他の加熱領域Ｂ，Ｃを非加熱状態とする。また、品
種交換部品３ｄ，３ｅのみにデバイスＸが載置される場
合には、品種交換部品３ｄ，３ｅの下の加熱プレート３
ａ，３ｂのみに通電することにより、加熱領域Ａ，Ｂの
みを加熱状態とする。さらに、全品種交換部品３ｄ〜３
ｆにデバイスＸが載置される場合には、全加熱プレート
３ａ〜３ｃに通電することにより、全加熱領域Ａ〜Ｃを
加熱状態とする。すなわち、予め試験時間が長いことが
分かっている場合には、不要の加熱領域を通電しないこ
とができる。
【００２７】本実施形態によれば、プリヒート部３を分
割式加熱構造とすることにより、実際にデバイスＸが載
置される領域のみ、つまり加熱領域Ａ〜Ｃのいずれかを
選択加熱するので、無用の電力消費を抑制して省電力化
を図ることができる。また、例えば加熱領域Ａあるいは
加熱領域Ｂのように、最大の加熱領域Ｃに対して狭い加
熱領域を設定した場合には、供給Ｐ＆Ｐ２の可動範囲が
狭くなるので、供給Ｐ＆Ｐ２によるデバイスＸの移送時
間が短縮され、よって水平搬送式オートハンドラによる
デバイスＸの移送時間をも含むトータル的な試験時間が
短縮される。
割式加熱構造とすることにより、実際にデバイスＸが載
置される領域のみ、つまり加熱領域Ａ〜Ｃのいずれかを
選択加熱するので、無用の電力消費を抑制して省電力化
を図ることができる。また、例えば加熱領域Ａあるいは
加熱領域Ｂのように、最大の加熱領域Ｃに対して狭い加
熱領域を設定した場合には、供給Ｐ＆Ｐ２の可動範囲が
狭くなるので、供給Ｐ＆Ｐ２によるデバイスＸの移送時
間が短縮され、よって水平搬送式オートハンドラによる
デバイスＸの移送時間をも含むトータル的な試験時間が
短縮される。
【００２８】なお、上記実施形態は水平搬送式オートハ
ンドラに本発明を適用した場合に関するものであるが、
本発明はこれに限定されることなく、他の形式のオート
ハンドラにも適用可能である。また、上記実施形態で
は、３枚の加熱プレート３ａ〜３ｃを設けることによ
り、３つの加熱領域Ａ〜Ｃを選択加熱するようにした
が、加熱領域の個数や配置は、これに限定されるもので
はない。
ンドラに本発明を適用した場合に関するものであるが、
本発明はこれに限定されることなく、他の形式のオート
ハンドラにも適用可能である。また、上記実施形態で
は、３枚の加熱プレート３ａ〜３ｃを設けることによ
り、３つの加熱領域Ａ〜Ｃを選択加熱するようにした
が、加熱領域の個数や配置は、これに限定されるもので
はない。
【００２９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係わるに
よれば、効率よく半導体集積回路を予熱することができ
るので、半導体集積回路の予熱に要する消費電力を低減
することができる。
よれば、効率よく半導体集積回路を予熱することができ
るので、半導体集積回路の予熱に要する消費電力を低減
することができる。
【図１】 本発明の一実施形態に係わる水平搬送式オー
トハンドラの概要構成を示す正面図である。
トハンドラの概要構成を示す正面図である。
【図２】 本発明の一実施形態におけるプリヒート部の
正面図である。
正面図である。
【図３】 本発明の一実施形態におけるプリヒート部の
正面図である。
正面図である。
Ｘ……デバイス（半導体集積回路） １……ローダトレー ２……供給Ｐ＆Ｐ ３……プリヒート部 ３ａ〜３ｃ……加熱プレート ３ｄ〜３ｆ……品種交換部品 ４……供給シャトル ５……測定ハンド ６……測定部 ７……収容シャトル ８……収容Ｐ＆Ｐ ９……分類ユニット １０……アンローダトレー １１……空トレーバッファ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2G003 AA07 AC01 AC03 AD03 AG01 AG11 AH04 2G132 AA00 AB03 AB14 AE01 AL09
Claims (6)
- 【請求項１】 測定部（６）に載置した加熱状態の半
導体集積回路を半導体集積回路試験装置を用いて試験す
る場合に、複数の半導体集積回路を収容して加熱する予
熱部（３）に半導体集積回路を順次移送し、前記予熱部
（３）において一定の加熱時間が経過した半導体集積回
路を前記測定部（６）に順次移送するオートハンドラで
あって、 前記予熱部（３）は、前記測定部（６）における半導体
集積回路の試験時間に応じて、半導体集積回路の全収容
領域のうち所定の加熱領域を選択加熱する、ことを特徴
とするオートハンドラ。 - 【請求項２】 予熱部（３）は、加熱領域毎に設けら
れた複数の加熱プレート（３ａ〜３ｃ）と、該加熱プレ
ート（３ａ〜３ｃ）上に載置される半導体集積回路収容
部（３ｄ〜３ｆ）とを備える、ことを特徴とする請求項
１記載のオートハンドラ。 - 【請求項３】 ハンドの先端に備えられた吸着パッド
によって半導体集積回路を吸着して予熱部（３）に移送
する、ことを特徴とする請求項１または２記載のオート
ハンドラ。 - 【請求項４】 複数の半導体集積回路を収容して加熱
する予熱部（３）に半導体集積回路を順次移送し、前記
予熱部（３）において一定の加熱時間が経過した半導体
集積回路を測定部（６）に順次移送して半導体集積回路
試験装置による試験を行う場合における半導体集積回路
の予熱方法であって、 前記測定部（６）における半導体集積回路の試験時間に
応じて、予熱部（３）における半導体集積回路の全収容
領域のうち所定の加熱領域を選択加熱する、ことを特徴
とする半導体集積回路の予熱方法。 - 【請求項５】 半導体集積回路収容部（３ｄ〜３ｆ）
の下に設けられる加熱プレート（３ａ〜３ｃ）を分割す
ることにより所定の加熱領域を選択加熱する、ことを特
徴とする請求項４記載の半導体集積回路の予熱方法。 - 【請求項６】 ハンドの先端に備えられた吸着パッド
によって半導体集積回路を吸着して予熱部（３）に移送
する、ことを特徴とする請求項４または５記載の半導体
集積回路の予熱方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001120059A JP2002311088A (ja) | 2001-04-18 | 2001-04-18 | オートハンドラ及び半導体集積回路の予熱方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001120059A JP2002311088A (ja) | 2001-04-18 | 2001-04-18 | オートハンドラ及び半導体集積回路の予熱方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002311088A true JP2002311088A (ja) | 2002-10-23 |
Family
ID=18970172
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001120059A Pending JP2002311088A (ja) | 2001-04-18 | 2001-04-18 | オートハンドラ及び半導体集積回路の予熱方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002311088A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20150019263A (ko) * | 2013-08-13 | 2015-02-25 | 세메스 주식회사 | 반도체 패키지의 이송 장치 |
| CN107976592A (zh) * | 2017-10-25 | 2018-05-01 | 国电南瑞科技股份有限公司 | 基于广域量测信息的机组一次调频在线测试方法 |
-
2001
- 2001-04-18 JP JP2001120059A patent/JP2002311088A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20150019263A (ko) * | 2013-08-13 | 2015-02-25 | 세메스 주식회사 | 반도체 패키지의 이송 장치 |
| KR102009991B1 (ko) | 2013-08-13 | 2019-08-12 | 세메스 주식회사 | 반도체 패키지의 이송 장치 |
| CN107976592A (zh) * | 2017-10-25 | 2018-05-01 | 国电南瑞科技股份有限公司 | 基于广域量测信息的机组一次调频在线测试方法 |
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