JP2002311088A - オートハンドラ及び半導体集積回路の予熱方法 - Google Patents
オートハンドラ及び半導体集積回路の予熱方法Info
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- JP2002311088A JP2002311088A JP2001120059A JP2001120059A JP2002311088A JP 2002311088 A JP2002311088 A JP 2002311088A JP 2001120059 A JP2001120059 A JP 2001120059A JP 2001120059 A JP2001120059 A JP 2001120059A JP 2002311088 A JP2002311088 A JP 2002311088A
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- heating
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体集積回路の予熱に係わる消費電力を削
減する。 【解決手段】 測定部6に載置した加熱状態のデバイス
Xを半導体集積回路試験装置を用いて試験する場合に、
複数のデバイスXを収容して加熱するプリヒート部3に
デバイスXを順次移送し、このプリヒート部3において
一定の加熱時間が経過したデバイスXを測定部6に順次
移送するオートハンドラであって、プリヒート部3は、
測定部6におけるデバイスXの試験時間に応じてデバイ
スXの全収容領域のうち所定の領域を選択加熱する。
減する。 【解決手段】 測定部6に載置した加熱状態のデバイス
Xを半導体集積回路試験装置を用いて試験する場合に、
複数のデバイスXを収容して加熱するプリヒート部3に
デバイスXを順次移送し、このプリヒート部3において
一定の加熱時間が経過したデバイスXを測定部6に順次
移送するオートハンドラであって、プリヒート部3は、
測定部6におけるデバイスXの試験時間に応じてデバイ
スXの全収容領域のうち所定の領域を選択加熱する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、オートハンドラ及
び半導体集積回路の予熱方法に係わり、特に加熱状態の
半導体集積回路を半導体集積回路試験装置を用いて試験
する場合における半導体集積回路の予熱技術に関する。
び半導体集積回路の予熱方法に係わり、特に加熱状態の
半導体集積回路を半導体集積回路試験装置を用いて試験
する場合における半導体集積回路の予熱技術に関する。
【0002】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】加熱状
態のデバイス(半導体集積回路)を試験する場合に用い
られるオートハンドラは、前処理としてデバイスを付属
設備として設けられたプリヒート部に移送し、このプリ
ヒート部において一定時間予熱した後に測定部に移送す
る。上記プリヒート部は、複数のデバイスを収容して加
熱するように構成されており、先にプリヒート部に移送
されて一定時間予熱されたデバイスから順に測定部に移
送されて試験が行われる。
態のデバイス(半導体集積回路)を試験する場合に用い
られるオートハンドラは、前処理としてデバイスを付属
設備として設けられたプリヒート部に移送し、このプリ
ヒート部において一定時間予熱した後に測定部に移送す
る。上記プリヒート部は、複数のデバイスを収容して加
熱するように構成されており、先にプリヒート部に移送
されて一定時間予熱されたデバイスから順に測定部に移
送されて試験が行われる。
【0003】ところで、従来のプリヒート部は、デバイ
スの収容領域の全てを同時加熱するように構成されてい
るため、実際にデバイスが収容されない収容領域までも
加熱している。測定部におけるデバイスの試験時間に応
じて実際にデバイスが収容される収容領域は変化するの
で、プリヒート部は、試験時間が最も速いデバイスに合
わせて収容個数が設定されている。
スの収容領域の全てを同時加熱するように構成されてい
るため、実際にデバイスが収容されない収容領域までも
加熱している。測定部におけるデバイスの試験時間に応
じて実際にデバイスが収容される収容領域は変化するの
で、プリヒート部は、試験時間が最も速いデバイスに合
わせて収容個数が設定されている。
【0004】しかしながら、このような従来のオートハ
ンドラでは、試験時間が遅いデバイスを予熱する場合
に、プリヒート部の全収容領域の一部分にデバイスが収
容されるにもかかわらず全収容領域を同時加熱している
ので、電力が無駄に消費されるという問題点がある。
ンドラでは、試験時間が遅いデバイスを予熱する場合
に、プリヒート部の全収容領域の一部分にデバイスが収
容されるにもかかわらず全収容領域を同時加熱している
ので、電力が無駄に消費されるという問題点がある。
【0005】本発明は、上述する問題点に鑑みてなされ
たもので、半導体集積回路の予熱に係わる消費電力を削
減することを目的とする。
たもので、半導体集積回路の予熱に係わる消費電力を削
減することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、オートハンドラに係わる第1の手段として、測定部
に載置した加熱状態の半導体集積回路を半導体集積回路
試験装置を用いて試験する場合に、複数の半導体集積回
路を収容して加熱する予熱部に半導体集積回路を順次移
送し、予熱部において一定の加熱時間が経過した半導体
集積回路を測定部に順次移送するオートハンドラであっ
て、予熱部は、測定部における半導体集積回路の試験時
間に応じて、半導体集積回路の全収容領域のうち所定の
加熱領域を選択加熱するという手段を採用する。
に、オートハンドラに係わる第1の手段として、測定部
に載置した加熱状態の半導体集積回路を半導体集積回路
試験装置を用いて試験する場合に、複数の半導体集積回
路を収容して加熱する予熱部に半導体集積回路を順次移
送し、予熱部において一定の加熱時間が経過した半導体
集積回路を測定部に順次移送するオートハンドラであっ
て、予熱部は、測定部における半導体集積回路の試験時
間に応じて、半導体集積回路の全収容領域のうち所定の
加熱領域を選択加熱するという手段を採用する。
【0007】オートハンドラに係わる第2の手段とし
て、上記第1の手段において、予熱部は、加熱領域毎に
設けられた複数の加熱プレートと、該加熱プレート上に
載置される半導体集積回路収容部とを備えるという手段
を採用する。
て、上記第1の手段において、予熱部は、加熱領域毎に
設けられた複数の加熱プレートと、該加熱プレート上に
載置される半導体集積回路収容部とを備えるという手段
を採用する。
【0008】オートハンドラに係わる第3の手段とし
て、上記第1または第2の手段において、ハンドの先端
に備えられた吸着パッドによって半導体集積回路を吸着
して予熱部に移送するという手段を採用する。
て、上記第1または第2の手段において、ハンドの先端
に備えられた吸着パッドによって半導体集積回路を吸着
して予熱部に移送するという手段を採用する。
【0009】半導体集積回路の予熱方法に係わる第1段
として、複数の半導体集積回路を収容して加熱する予熱
部に半導体集積回路を順次移送し、予熱部において一定
の加熱時間が経過した半導体集積回路を測定部に順次移
送して半導体集積回路試験装置による試験を行う場合に
おける半導体集積回路の予熱方法であって、測定部にお
ける半導体集積回路の試験時間に応じて、予熱部におけ
る半導体集積回路の全収容領域のうち所定の加熱領域を
選択加熱するという手段を採用する。
として、複数の半導体集積回路を収容して加熱する予熱
部に半導体集積回路を順次移送し、予熱部において一定
の加熱時間が経過した半導体集積回路を測定部に順次移
送して半導体集積回路試験装置による試験を行う場合に
おける半導体集積回路の予熱方法であって、測定部にお
ける半導体集積回路の試験時間に応じて、予熱部におけ
る半導体集積回路の全収容領域のうち所定の加熱領域を
選択加熱するという手段を採用する。
【0010】半導体集積回路の予熱方法に係わる第2の
手段として、上記第1の手段において、半導体集積回路
収容部の下に設けられる加熱プレートを分割することに
より所定の加熱領域を選択加熱するという手段を採用す
る。
手段として、上記第1の手段において、半導体集積回路
収容部の下に設けられる加熱プレートを分割することに
より所定の加熱領域を選択加熱するという手段を採用す
る。
【0011】半導体集積回路の予熱方法に係わる第3の
手段として、上記第1または第2の手段において、ハン
ドの先端に備えられた吸着パッドによって半導体集積回
路を吸着して予熱部に移送するという手段を採用する。
手段として、上記第1または第2の手段において、ハン
ドの先端に備えられた吸着パッドによって半導体集積回
路を吸着して予熱部に移送するという手段を採用する。
【0012】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、本発明に
係わるオートハンドラ及び半導体集積回路の予熱方法の
一実施形態について説明する。なお、本実施形態は、水
平搬送式オートハンドラに本発明を適用した場合に関す
る。
係わるオートハンドラ及び半導体集積回路の予熱方法の
一実施形態について説明する。なお、本実施形態は、水
平搬送式オートハンドラに本発明を適用した場合に関す
る。
【0013】図1は、本実施形態に係わる水平搬送式オ
ートハンドラの概要構成を示す正面図である。この図1
において、符号Xはデバイス(半導体集積回路)、1は
ローダトレー、2は供給P&P(ピックアンドプレ
ス)、3はプリヒート部(予熱部)、4は供給シャト
ル、5は測定ハンド、6は測定部、7は収容シャトル、
8は収容P&P(ピックアンドプレス)、9は分類ユニ
ット、10はアンローダトレー、11は空トレーバッフ
ァである。
ートハンドラの概要構成を示す正面図である。この図1
において、符号Xはデバイス(半導体集積回路)、1は
ローダトレー、2は供給P&P(ピックアンドプレ
ス)、3はプリヒート部(予熱部)、4は供給シャト
ル、5は測定ハンド、6は測定部、7は収容シャトル、
8は収容P&P(ピックアンドプレス)、9は分類ユニ
ット、10はアンローダトレー、11は空トレーバッフ
ァである。
【0014】デバイスXは、試験対象となる半導体集積
回路である。ローダトレー1は、外部から図示する所定
位置に搬送されてくるものであり、複数のデバイスXを
収容する。供給P&P2は、ハンドの先端に吸着パッド
が設けられたものであり、該吸着パッドによってローダ
トレー1上のデバイスXを吸着してプリヒート部3に移
送すると共に、プリヒート部3上のデバイスXを吸着し
て供給シャトル4に移送する。
回路である。ローダトレー1は、外部から図示する所定
位置に搬送されてくるものであり、複数のデバイスXを
収容する。供給P&P2は、ハンドの先端に吸着パッド
が設けられたものであり、該吸着パッドによってローダ
トレー1上のデバイスXを吸着してプリヒート部3に移
送すると共に、プリヒート部3上のデバイスXを吸着し
て供給シャトル4に移送する。
【0015】プリヒート部3は、複数のデバイスXを収
容して加熱するものであり、図2に示すように同一形状
に形成された3枚の加熱プレート3a〜3cと、該各加
熱プレート3a〜3c上に載置される同一形状の3つの
品種交換部品3d〜3f(半導体集積回路収容部)とを
備えている。
容して加熱するものであり、図2に示すように同一形状
に形成された3枚の加熱プレート3a〜3cと、該各加
熱プレート3a〜3c上に載置される同一形状の3つの
品種交換部品3d〜3f(半導体集積回路収容部)とを
備えている。
【0016】各加熱プレート3a〜3cは、図示するよ
うに長方形に形成され、面一に平行配置されている。こ
のような各加熱プレート3a〜3cは、各々個別にヒー
タ線3g〜3iが設けられることにより加熱用電力が個
別に通電されると共に、各々個別にセンサー線3p〜3
rが設けられることにより加熱温度が個別に制御され
る。また、各品種交換部品3d〜3fは、デバイスXの
品種に合わせた形状の収容溝3jが複数(14個)形成
されており、各々に複数(14個)のデバイスXを収容
する。すなわち、本実施形態におけるプリヒート部3
は、分割式加熱構造を有している。
うに長方形に形成され、面一に平行配置されている。こ
のような各加熱プレート3a〜3cは、各々個別にヒー
タ線3g〜3iが設けられることにより加熱用電力が個
別に通電されると共に、各々個別にセンサー線3p〜3
rが設けられることにより加熱温度が個別に制御され
る。また、各品種交換部品3d〜3fは、デバイスXの
品種に合わせた形状の収容溝3jが複数(14個)形成
されており、各々に複数(14個)のデバイスXを収容
する。すなわち、本実施形態におけるプリヒート部3
は、分割式加熱構造を有している。
【0017】供給シャトル4は、供給P&P2によって
上記プリヒート部3から移送されたデバイスXを、破線
で示す行路で移動し測定ハンド5の直下に搬送する。供
給シャトル4は、図示するプリヒート部3と測定ハンド
5の直下位置との間を往復移動する。測定ハンド5は軸
5aを中心に回転し、供給シャトル4上のデバイスXを
吸着保持すると、半回転して測定部6上に移送し、デバ
イスXを下方に押圧することによりICソケット6aに
装着する。
上記プリヒート部3から移送されたデバイスXを、破線
で示す行路で移動し測定ハンド5の直下に搬送する。供
給シャトル4は、図示するプリヒート部3と測定ハンド
5の直下位置との間を往復移動する。測定ハンド5は軸
5aを中心に回転し、供給シャトル4上のデバイスXを
吸着保持すると、半回転して測定部6上に移送し、デバ
イスXを下方に押圧することによりICソケット6aに
装着する。
【0018】測定部6は、ICテスタ(半導体集積回路
試験装置)のテストヘッドに接続されたICソケット6
aを備え、ICソケット6aに装着された状態で各デバ
イスXは半導体集積回路試験装置による各種の機能試験
を受ける。測定ハンド5は、試験終了後のデバイスXを
吸着してICソケット6aから取り出し、半回転するこ
とにより収容シャトル7上に移送して載置する。収容シ
ャトル7は、破線で示した行路で移動し上記供給シャト
ル4の測定ハンド5の直下位置から図示する収容P&P
8の停止位置まで試験終了後のデバイスXを搬送する。
収容シャトル7は、測定ハンド5の直下位置と収容P&
P8の停止位置との間を往復運動する。
試験装置)のテストヘッドに接続されたICソケット6
aを備え、ICソケット6aに装着された状態で各デバ
イスXは半導体集積回路試験装置による各種の機能試験
を受ける。測定ハンド5は、試験終了後のデバイスXを
吸着してICソケット6aから取り出し、半回転するこ
とにより収容シャトル7上に移送して載置する。収容シ
ャトル7は、破線で示した行路で移動し上記供給シャト
ル4の測定ハンド5の直下位置から図示する収容P&P
8の停止位置まで試験終了後のデバイスXを搬送する。
収容シャトル7は、測定ハンド5の直下位置と収容P&
P8の停止位置との間を往復運動する。
【0019】収容P&P8は、上記供給P&P2と同様
にハンドの先端に吸着パッドが設けられたものであり、
該吸着パッドによって収容シャトル7上のデバイスXを
吸着し、上記試験によって不良品と判定されたデバイス
Xを分類ユニット9に移送すると共に、良品と判定され
たデバイスXをアンローダトレー10に移送する。分類
ユニット9は、外部から図示する所定位置に搬送されて
くるものであり、複数のデバイスXを収容する。収容P
&P8によって分類ユニット9に載置されたデバイスX
(不良品)あるいはアンローダトレー10のデバイスX
(良品)は、次工程に移送される。
にハンドの先端に吸着パッドが設けられたものであり、
該吸着パッドによって収容シャトル7上のデバイスXを
吸着し、上記試験によって不良品と判定されたデバイス
Xを分類ユニット9に移送すると共に、良品と判定され
たデバイスXをアンローダトレー10に移送する。分類
ユニット9は、外部から図示する所定位置に搬送されて
くるものであり、複数のデバイスXを収容する。収容P
&P8によって分類ユニット9に載置されたデバイスX
(不良品)あるいはアンローダトレー10のデバイスX
(良品)は、次工程に移送される。
【0020】アンローダトレー10は、空トレーバッフ
ァ11から図示する所定位置に搬送されたものであり、
複数のデバイスXを収容する。空トレーバッファ11
は、外部から搬送されてきた空トレーが一時的に載置さ
れる部分であり、この空トレーは良品を回収する上記ア
ンローダトレー10として利用される。
ァ11から図示する所定位置に搬送されたものであり、
複数のデバイスXを収容する。空トレーバッファ11
は、外部から搬送されてきた空トレーが一時的に載置さ
れる部分であり、この空トレーは良品を回収する上記ア
ンローダトレー10として利用される。
【0021】次に、本水平搬送式オートハンドラの要部
動作について、上記各図面を参照して詳しく説明する。
動作について、上記各図面を参照して詳しく説明する。
【0022】まず最初に、ローダトレー1上の各デバイ
スXは、供給P&P2によって吸着されてプリヒート部
3に1個ずつ順次移送されるが、例えばプリヒート部3
の最下列かつ最右側の収納溝3jから順次左側の収納溝
3jに載置され、最下列の全ての収納溝3jにデバイス
Xが収容されると、順次上側列の最右側の収納溝3jか
らデバイスXが収容される。このようにプリヒート部3
へのデバイスXの収容順序は、予め決められており、供
給P&P2は、この収容順序に従ってローダトレー1上
の各デバイスXをプリヒート部3に順次移送する。
スXは、供給P&P2によって吸着されてプリヒート部
3に1個ずつ順次移送されるが、例えばプリヒート部3
の最下列かつ最右側の収納溝3jから順次左側の収納溝
3jに載置され、最下列の全ての収納溝3jにデバイス
Xが収容されると、順次上側列の最右側の収納溝3jか
らデバイスXが収容される。このようにプリヒート部3
へのデバイスXの収容順序は、予め決められており、供
給P&P2は、この収容順序に従ってローダトレー1上
の各デバイスXをプリヒート部3に順次移送する。
【0023】ここで、各デバイスXがプリヒート部3に
載置されている時間つまりプリヒート部3における各デ
バイスXの加熱時間は、目的加熱温度とプリヒート部3
の加熱特性とデバイスXの昇温時間とに基づいて所定時
間に固定設定されている。一方、当該プリヒート部3で
目的加熱温度まで予熱された各デバイスXは、上述した
ように供給P&P2、供給シャトル4及び測定ハンド5
を介して測定部6に1個ずつ順次移送されて試験される
が、この試験に要する時間(試験時間)は、デバイスX
の品種や試験項目に応じて異なるものとなる。
載置されている時間つまりプリヒート部3における各デ
バイスXの加熱時間は、目的加熱温度とプリヒート部3
の加熱特性とデバイスXの昇温時間とに基づいて所定時
間に固定設定されている。一方、当該プリヒート部3で
目的加熱温度まで予熱された各デバイスXは、上述した
ように供給P&P2、供給シャトル4及び測定ハンド5
を介して測定部6に1個ずつ順次移送されて試験される
が、この試験に要する時間(試験時間)は、デバイスX
の品種や試験項目に応じて異なるものとなる。
【0024】通常、プリヒート部3の保有個数は最も短
い試験時間に対応して設定される。しかし、プリヒート
部3に載置されるデバイスXの個数は、デバイスXの昇
温時間が固定値であるために、試験時間が長い場合には
待機デバイスが少なくてすみ、不要の加熱領域が発生す
る。
い試験時間に対応して設定される。しかし、プリヒート
部3に載置されるデバイスXの個数は、デバイスXの昇
温時間が固定値であるために、試験時間が長い場合には
待機デバイスが少なくてすみ、不要の加熱領域が発生す
る。
【0025】本水平搬送式オートハンドラでは、このよ
うな事情に配慮して、3枚の加熱プレート3a〜3cを
個別に設けて単独作動させる構成を採用することによ
り、3つの加熱領域を選択設定し、この結果、プリヒー
ト部3におけるデバイスXの全収容領域のうち所定の小
領域を加熱領域として選択加熱する。
うな事情に配慮して、3枚の加熱プレート3a〜3cを
個別に設けて単独作動させる構成を採用することによ
り、3つの加熱領域を選択設定し、この結果、プリヒー
ト部3におけるデバイスXの全収容領域のうち所定の小
領域を加熱領域として選択加熱する。
【0026】例えば、図3に示すように、試験時間との
関係で品種交換部品3dのみにデバイスXが載置され、
他の品種交換部品3e,3fにデバイスXが載置されな
い場合には、品種交換部品3dの下の加熱プレート3a
のみに通電し、これ以外の加熱プレート3b,3cには
通電しない。すなわち、加熱領域Aのみを加熱状態とし
て、他の加熱領域B,Cを非加熱状態とする。また、品
種交換部品3d,3eのみにデバイスXが載置される場
合には、品種交換部品3d,3eの下の加熱プレート3
a,3bのみに通電することにより、加熱領域A,Bの
みを加熱状態とする。さらに、全品種交換部品3d〜3
fにデバイスXが載置される場合には、全加熱プレート
3a〜3cに通電することにより、全加熱領域A〜Cを
加熱状態とする。すなわち、予め試験時間が長いことが
分かっている場合には、不要の加熱領域を通電しないこ
とができる。
関係で品種交換部品3dのみにデバイスXが載置され、
他の品種交換部品3e,3fにデバイスXが載置されな
い場合には、品種交換部品3dの下の加熱プレート3a
のみに通電し、これ以外の加熱プレート3b,3cには
通電しない。すなわち、加熱領域Aのみを加熱状態とし
て、他の加熱領域B,Cを非加熱状態とする。また、品
種交換部品3d,3eのみにデバイスXが載置される場
合には、品種交換部品3d,3eの下の加熱プレート3
a,3bのみに通電することにより、加熱領域A,Bの
みを加熱状態とする。さらに、全品種交換部品3d〜3
fにデバイスXが載置される場合には、全加熱プレート
3a〜3cに通電することにより、全加熱領域A〜Cを
加熱状態とする。すなわち、予め試験時間が長いことが
分かっている場合には、不要の加熱領域を通電しないこ
とができる。
【0027】本実施形態によれば、プリヒート部3を分
割式加熱構造とすることにより、実際にデバイスXが載
置される領域のみ、つまり加熱領域A〜Cのいずれかを
選択加熱するので、無用の電力消費を抑制して省電力化
を図ることができる。また、例えば加熱領域Aあるいは
加熱領域Bのように、最大の加熱領域Cに対して狭い加
熱領域を設定した場合には、供給P&P2の可動範囲が
狭くなるので、供給P&P2によるデバイスXの移送時
間が短縮され、よって水平搬送式オートハンドラによる
デバイスXの移送時間をも含むトータル的な試験時間が
短縮される。
割式加熱構造とすることにより、実際にデバイスXが載
置される領域のみ、つまり加熱領域A〜Cのいずれかを
選択加熱するので、無用の電力消費を抑制して省電力化
を図ることができる。また、例えば加熱領域Aあるいは
加熱領域Bのように、最大の加熱領域Cに対して狭い加
熱領域を設定した場合には、供給P&P2の可動範囲が
狭くなるので、供給P&P2によるデバイスXの移送時
間が短縮され、よって水平搬送式オートハンドラによる
デバイスXの移送時間をも含むトータル的な試験時間が
短縮される。
【0028】なお、上記実施形態は水平搬送式オートハ
ンドラに本発明を適用した場合に関するものであるが、
本発明はこれに限定されることなく、他の形式のオート
ハンドラにも適用可能である。また、上記実施形態で
は、3枚の加熱プレート3a〜3cを設けることによ
り、3つの加熱領域A〜Cを選択加熱するようにした
が、加熱領域の個数や配置は、これに限定されるもので
はない。
ンドラに本発明を適用した場合に関するものであるが、
本発明はこれに限定されることなく、他の形式のオート
ハンドラにも適用可能である。また、上記実施形態で
は、3枚の加熱プレート3a〜3cを設けることによ
り、3つの加熱領域A〜Cを選択加熱するようにした
が、加熱領域の個数や配置は、これに限定されるもので
はない。
【0029】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係わるに
よれば、効率よく半導体集積回路を予熱することができ
るので、半導体集積回路の予熱に要する消費電力を低減
することができる。
よれば、効率よく半導体集積回路を予熱することができ
るので、半導体集積回路の予熱に要する消費電力を低減
することができる。
【図1】 本発明の一実施形態に係わる水平搬送式オー
トハンドラの概要構成を示す正面図である。
トハンドラの概要構成を示す正面図である。
【図2】 本発明の一実施形態におけるプリヒート部の
正面図である。
正面図である。
【図3】 本発明の一実施形態におけるプリヒート部の
正面図である。
正面図である。
X……デバイス(半導体集積回路) 1……ローダトレー 2……供給P&P 3……プリヒート部 3a〜3c……加熱プレート 3d〜3f……品種交換部品 4……供給シャトル 5……測定ハンド 6……測定部 7……収容シャトル 8……収容P&P 9……分類ユニット 10……アンローダトレー 11……空トレーバッファ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2G003 AA07 AC01 AC03 AD03 AG01 AG11 AH04 2G132 AA00 AB03 AB14 AE01 AL09
Claims (6)
- 【請求項1】 測定部(6)に載置した加熱状態の半
導体集積回路を半導体集積回路試験装置を用いて試験す
る場合に、複数の半導体集積回路を収容して加熱する予
熱部(3)に半導体集積回路を順次移送し、前記予熱部
(3)において一定の加熱時間が経過した半導体集積回
路を前記測定部(6)に順次移送するオートハンドラで
あって、 前記予熱部(3)は、前記測定部(6)における半導体
集積回路の試験時間に応じて、半導体集積回路の全収容
領域のうち所定の加熱領域を選択加熱する、ことを特徴
とするオートハンドラ。 - 【請求項2】 予熱部(3)は、加熱領域毎に設けら
れた複数の加熱プレート(3a〜3c)と、該加熱プレ
ート(3a〜3c)上に載置される半導体集積回路収容
部(3d〜3f)とを備える、ことを特徴とする請求項
1記載のオートハンドラ。 - 【請求項3】 ハンドの先端に備えられた吸着パッド
によって半導体集積回路を吸着して予熱部(3)に移送
する、ことを特徴とする請求項1または2記載のオート
ハンドラ。 - 【請求項4】 複数の半導体集積回路を収容して加熱
する予熱部(3)に半導体集積回路を順次移送し、前記
予熱部(3)において一定の加熱時間が経過した半導体
集積回路を測定部(6)に順次移送して半導体集積回路
試験装置による試験を行う場合における半導体集積回路
の予熱方法であって、 前記測定部(6)における半導体集積回路の試験時間に
応じて、予熱部(3)における半導体集積回路の全収容
領域のうち所定の加熱領域を選択加熱する、ことを特徴
とする半導体集積回路の予熱方法。 - 【請求項5】 半導体集積回路収容部(3d〜3f)
の下に設けられる加熱プレート(3a〜3c)を分割す
ることにより所定の加熱領域を選択加熱する、ことを特
徴とする請求項4記載の半導体集積回路の予熱方法。 - 【請求項6】 ハンドの先端に備えられた吸着パッド
によって半導体集積回路を吸着して予熱部(3)に移送
する、ことを特徴とする請求項4または5記載の半導体
集積回路の予熱方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001120059A JP2002311088A (ja) | 2001-04-18 | 2001-04-18 | オートハンドラ及び半導体集積回路の予熱方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001120059A JP2002311088A (ja) | 2001-04-18 | 2001-04-18 | オートハンドラ及び半導体集積回路の予熱方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002311088A true JP2002311088A (ja) | 2002-10-23 |
Family
ID=18970172
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001120059A Pending JP2002311088A (ja) | 2001-04-18 | 2001-04-18 | オートハンドラ及び半導体集積回路の予熱方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2002311088A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20150019263A (ko) * | 2013-08-13 | 2015-02-25 | 세메스 주식회사 | 반도체 패키지의 이송 장치 |
CN107976592A (zh) * | 2017-10-25 | 2018-05-01 | 国电南瑞科技股份有限公司 | 基于广域量测信息的机组一次调频在线测试方法 |
-
2001
- 2001-04-18 JP JP2001120059A patent/JP2002311088A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20150019263A (ko) * | 2013-08-13 | 2015-02-25 | 세메스 주식회사 | 반도체 패키지의 이송 장치 |
KR102009991B1 (ko) | 2013-08-13 | 2019-08-12 | 세메스 주식회사 | 반도체 패키지의 이송 장치 |
CN107976592A (zh) * | 2017-10-25 | 2018-05-01 | 国电南瑞科技股份有限公司 | 基于广域量测信息的机组一次调频在线测试方法 |
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