CN111526227A - 高频模块和通信装置 - Google Patents

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Abstract

提供一种高频模块和通信装置。该高频模块是提高了散热性的两面安装型的高频模块。高频模块(1)具备：安装基板(30)，其具有主面(30a及30b)；功率放大器(14)，其安装于主面(30a)；半导体IC(80)，其安装于主面(30b)；连接端子(41)，其配置于相对于安装基板(30)而言的主面(30b)侧，与外部基板连接；多个通路导体(51及52)，它们与功率放大器(14)连接，贯通安装基板(30)；以及金属块(50)，其安装于主面(30b)，与多个通路导体(51及52)及连接端子(41)连接，其中，在俯视安装基板(30)的情况下，功率放大器(14)与多个通路导体(51及52)重叠，金属块(50)与多个通路导体(51及52)重叠。

Description

高频模块和通信装置
技术领域
本发明涉及一种高频模块和通信装置。
背景技术
在便携式电话等移动通信装置中，特别是，随着多频段化的进展，构成高频前端电路的电路元件数量增加。
在专利文献1中公开了在电路基板的两面安装有构成高频前端电路的电子部件的高频模块(电子部件模块)。安装于电路基板的电子部件被密封树脂层所覆盖，在该密封树脂层的表面形成有用于与外部基板连接的连接端子(焊盘电极)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2012-33885号公报
发明内容
发明要解决的问题
在将专利文献1中公开的高频模块应用于高频前端电路的情况下，需要确保用于对安装于电路基板的电子部件的发热进行散热的单元。
然而，在来自电子部件的发热大的情况下，存在以下问题：该电子部件的发热经由电路基板传递到安装于相反一侧的面的电子部件，使高频模块的特性劣化。
本发明是为了解决上述问题而完成的，其目的在于提供一种提高了散热性的两面安装型的高频模块和通信装置。
用于解决问题的方案
为了实现上述目的，本发明的一个方式所涉及的高频模块具备：安装基板，其具有相互背对的第一主面和第二主面，在所述第一主面和所述第二主面分别安装电路部件；第一电路部件，其安装于所述第一主面；第二电路部件，其安装于所述第二主面；第一连接端子，其配置于相对于所述安装基板而言的所述第二主面侧，与外部基板连接；与所述第一电路部件连接且贯通所述安装基板的多个通路导体，或者，与所述第一电路部件连接且贯通所述安装基板的、在俯视所述安装基板的情况下呈长条形状的长条通路导体；以及金属块，其配置于相对于所述安装基板而言的所述第二主面侧，将所述多个通路导体或所述长条通路导体与所述第一连接端子连接，其中，在所述俯视时，所述第一电路部件与所述多个通路导体或所述长条通路导体重叠，所述金属块与所述多个通路导体或所述长条通路导体重叠。
发明的效果
根据本发明，能够提供一种提高了散热性的两面安装型的高频模块和通信装置。
附图说明
图1A是实施方式1所涉及的高频模块的第一截面结构图。
图1B是实施方式1所涉及的高频模块的第二截面结构图。
图1C是实施方式1所涉及的高频模块的第三截面结构图。
图2A是示出实施方式1所涉及的高频模块和通信装置的电路结构的一例的图。
图2B是示出实施方式1所涉及的高频模块所具有的功率放大器的电路结构的一例的图。
图3A是实施方式1的变形例1所涉及的高频模块的第一截面结构图。
图3B是实施方式1的变形例1所涉及的高频模块的第二截面结构图。
图4是实施方式1的变形例2所涉及的高频模块的截面结构图。
图5是实施方式1的变形例3所涉及的高频模块的截面结构图。
图6是实施方式1的变形例4所涉及的高频模块的截面结构图。
图7是实施方式2所涉及的高频模块的截面结构图。
附图标记说明
1、1A、1B、1C、1D、2：高频模块；5：天线元件；6：RF信号处理电路(RFIC)；7：基带信号处理电路(BBIC)；8：通信装置；11：发送放大电路；12A、12B：发送滤波器；13、23：匹配电路；14、14A：功率放大器；14a、14b、30a、30b、30c、30d、40a、40b、50a、50b：主面；21：接收放大电路；22A、22B：接收滤波器；24：低噪声放大器；30：安装基板；30X、30Y：基板部；32C：发送接收滤波器；40A、40B：树脂构件；40G：屏蔽电极层；41、42、43、44、45、46、47：连接端子；50、50A、50B、50C：金属块；50s：凹部；51、52：通路导体；53、55：柱状电极；54：长条通路导体；55a、55b：端面；61、62、63、64：开关；70、80：半导体IC；74：控制电路；100：公共输入输出端子；110：发送输入端子；111、112：凸块电极；113：长条凸块电极；120：接收输出端子；140：晶体管；141、142：电容器；143：偏置电路；144：集电极端子；145：输入端子；146：输出端子。
具体实施方式
下面，使用实施方式及其附图来详细说明本发明的实施方式。此外，下面说明的实施方式均显示总括性或具体性的例子。下面的实施方式所示的数值、形状、材料、结构要素、结构要素的配置以及连接方式等是一个例子，其主旨并不在于限定本发明。将下面的实施方式的结构要素中的未记载于独立权利要求的结构要素作为任意的结构要素来进行说明。另外，附图所示的结构要素的大小或者大小之比未必是严格的。
此外，在本说明书中，“X与Y连接”包括：X与Y经由焊料、凸块电极以及柱状电极等导电性的接合构件来连接的情况；以及X与Y不经由上述接合构件而直接连接的情况。另外，“X与Y电连接”包括X与Y经由布线来连接的情况以及X与Y经由电阻成分(电阻元件、电阻布线)来间接连接的情况。
(实施方式1)
[1-1.实施方式1所涉及的高频模块1的结构]
图1A是实施方式1所涉及的高频模块1的第一截面结构图。另外，图1B是实施方式1所涉及的高频模块1的第二截面结构图。另外，图1C是实施方式1所涉及的高频模块1的第三截面结构图。更具体地说，图1A是沿y轴正方向观察图1B及图1C的IA-IA截面所得到的截面图。另外，图1B是沿z轴负方向观察图1A的IB-IB截面所得到的截面图。另外，图1C是沿z轴负方向观察图1A的IC-IC截面所得到的截面图。此外，在图1C中，不仅示出了在截面配置的电路元件和端子(实线)，还示出了在沿z轴方向透视的情况下存在的电路元件(虚线)。
如图1A所示，高频模块1具备安装基板30、功率放大器14、半导体IC 70及80、匹配电路13、发送滤波器12A及12B、接收滤波器22A及22B、树脂构件40A及40B、通路导体51及52、金属块50、柱状电极53、连接端子41、42、43、44及45以及屏蔽电极层40G。
高频模块1能够经由连接端子41～45来与在高频模块1的z轴负方向侧配置的外部基板连接。外部基板例如相当于便携式电话和通信设备等的主板。
如图1B所示，在主面30a安装有功率放大器14、半导体IC 70、匹配电路13、发送滤波器12A及12B。另外，如图1C所示，在主面30b安装有金属块50、接收滤波器22A及22B、半导体IC 80。
下面，示出高频模块1的具体的电路结构例。
图2A是示出实施方式1所涉及的高频模块1和通信装置8的电路结构的一例的图。在该图中，示出了本实施方式所涉及的高频模块1、公共输入输出端子100、发送输入端子110、接收输出端子120、天线元件5、RF信号处理电路(RFIC)6以及基带信号处理电路(BBIC)7。该图所示的高频模块1的电路结构是图1A～图1C所示的高频模块1的电路结构的一例。另外，高频模块1、天线元件5、RFIC 6以及BBIC 7构成了通信装置8。
高频模块1具备发送放大电路11、接收放大电路21、发送滤波器12A及12B、接收滤波器22A及22B、发送接收滤波器32C以及开关61、62、63及64。
发送滤波器12A例如是以频段(频带)A的发送带为通带的滤波器元件。发送滤波器12B例如是以频段(频带)B的发送带为通带的滤波器元件。接收滤波器22A例如是以频段(频带)A的接收带为通带的滤波器元件。接收滤波器22B例如是以频段(频带)B的接收带为通带的滤波器元件。此外，发送滤波器12A和接收滤波器22A也可以构成频段A用的双工器。另外，发送滤波器12B和接收滤波器22B也可以构成频段B用的双工器。发送接收滤波器32C例如是以频段(频带)C的发送接收带为通带的滤波器元件。
开关61是如下的SP3T(Single Pole 3Throw：单刀三掷)型的开关电路：具有公共端子和3个选择端子，公共端子与公共输入输出端子100电连接，3个选择端子分别电连接于发送滤波器12A与接收滤波器22A的连接端子、发送滤波器12B与接收滤波器22B的连接端子、以及发送接收滤波器32C。开关61具有对频段A、频段B以及频段C的信号路径进行切换的功能。此外，开关61只要是使公共端子与3个选择端子中的至少1个导通的开关电路即可。
开关62是如下的SP3T型的开关电路：具有公共端子和3个选择端子，公共端子与发送放大电路11电连接，3个选择端子分别与发送滤波器12A的输入端子、发送滤波器12B的输入端子、以及开关64的一方的选择端子电连接。开关62具有对频段A、频段B以及频段C的发送信号路径进行切换的功能。此外，开关62只要是使公共端子与3个选择端子中的至少1个导通的开关电路即可。
开关63是如下的SP3T型的开关电路：具有公共端子和3个选择端子，公共端子与接收放大电路21电连接，3个选择端子分别与接收滤波器22A的输出端子、接收滤波器22B的输出端子、以及开关64的另一方的选择端子电连接。开关63具有对频段A、频段B以及频段C的接收信号路径进行切换的功能。此外，开关63只要是使公共端子与3个选择端子中的至少1个导通的开关电路即可。
开关64是如下的SPDT(Single Pole Double Throw：单刀双掷)型的开关电路：具有公共端子和2个选择端子，公共端子与发送接收滤波器32C电连接。开关64具有将包括发送接收滤波器32C的信号路径切换为发送信号路径或接收信号路径的功能。
接收放大电路21是具有匹配电路23和低噪声放大器24的放大电路，将从开关63输入的高频接收信号放大后输出到接收输出端子120。低噪声放大器24例如是具有双极晶体管的放大元件。匹配电路23是用于使接收滤波器22A、22B及发送接收滤波器32C的输出阻抗与低噪声放大器24的输入阻抗相匹配的电路，例如由电感器和电容器等无源元件构成。
发送放大电路11是具有匹配电路13和功率放大器14的放大电路，将从发送输入端子110输入的高频发送信号放大。匹配电路13是用于使功率放大器14的输出阻抗与发送滤波器12A、12B及发送接收滤波器32C的输入阻抗相匹配的电路，例如由电感器和电容器等无源元件构成。
低噪声放大器24和功率放大器14例如由CMOS(Complementary Metal OxideSemiconductor：互补金属氧化物半导体)、或者以GaAs为材料的场效应型晶体管(FET)、异质结双极晶体管(HBT)等构成。
在此，例示功率放大器14的电路结构。
图2B是示出实施方式1所涉及的高频模块1所具有的功率放大器14的电路结构的一例的图。如该图所示，功率放大器14具备晶体管140、电容器141及142、偏置电路143、集电极端子144、发射极端子(凸块电极111及112)、输入端子145以及输出端子146。
晶体管140例如具有集电极、发射极以及基极，是发射极接地型的双极晶体管，将输入到基极的高频电流放大后从集电极输出。此外，晶体管140也可以是具有漏极、源极以及栅极的场效应型的晶体管。
电容器141是DC截止用的电容元件，具有利用从偏置电路143施加到基极的直流偏置电压来防止直流电流泄漏到输入端子145的功能。
电容器142是DC截止用的电容元件，具有去除叠加了直流偏置电压的高频放大信号的直流成分的功能，该被去除了直流成分的高频放大信号从输出端子146被输出。
偏置电路143与晶体管140的基极电连接，具有通过对该基极施加偏置电压来优化晶体管140的动作点的功能。
根据功率放大器14的上述电路结构，从输入端子145输入的高频信号RFin为从晶体管140的基极流向发射极的基极电流Ib。基极电流Ib被晶体管140放大后成为集电极电流Ic，与该集电极电流Ic对应的高频信号RFout从输出端子146被输出。此时，基极电流Ib与集电极电流Ic相加而成的大电流从发射极端子(凸块电极111及112)经由通路导体51及52以及金属块50向地流动。
此外，功率放大器14也可以具有多个晶体管140进行级联连接而成的结构，在该情况下，也可以具有多个基极端子、多个集电极端子以及多个发射极端子。
再次返回到图2A，说明通信装置8的结构。
RFIC 6对从天线元件5经由高频模块1输入的高频接收信号通过下变频等进行信号处理，将该信号处理后生成的接收信号输出到BBIC 7。
BBIC 7是使用频率比前端部中的高频信号的频率低的中间频带来进行信号处理的电路。由BBIC 7处理后的信号例如被用作图像信号以显示图像，或者被用作声音信号以借助扬声器进行通话。
通过上述结构，高频模块1能够通过开关61～64的切换动作来选择并传输频段A的高频信号、频段B的高频信号以及频段C的高频信号中的各频段的高频信号。此外，高频模块1能够应用于将上述3个频带的发送接收信号分别单独地传输的(非CA)模式，还能够应用于同时传输上述3个频带的发送接收信号中的2个以上的发送接收信号的(CA)模式。
此外，在本实施方式中，作为高频模块，例示了作为发送接收分波/合波电路的高频模块1，但是本发明的高频模块也可以是发送合波电路或接收分波电路，频带(信号路径)的数量没有限定。
另外，除了图2A所示的电路结构以外，也可以在将各电路元件电连接的节点配置有电容器、电感器以及电阻元件等电子部件。
在此，返回到图1A，说明高频模块1的结构。
安装基板30是如下的两面安装基板：具有相互背对的主面30a和主面30b，在主面30a及30b分别安装电路部件。主面30a是安装基板30的z轴正方向侧的第一主面，主面30b是安装基板30的z轴负方向侧的第二主面。安装基板30是由电介质构件形成的基板或者由多个电介质层层叠而成的多层基板，例如能够列举出PCB基板和陶瓷多层基板等。
功率放大器14是安装于主面30a的第一电路部件，是对高频发送信号进行放大的发送放大器。功率放大器14具有与主面30a相向的主面14b(第三主面)以及与主面14b背对的主面14a(第四主面)。另外，功率放大器14具有在主面14b上形成的凸块电极111及112。如图2B所示，凸块电极111及112例如相当于发射极端子。
半导体IC 70是安装于主面30a的电路部件，包括开关62和控制电路74。控制电路74例如是对功率放大器14的增益和开关62的连接切换等进行控制的数字控制电路。
半导体IC 80是安装于主面30b的第二电路部件，包括低噪声放大器24和开关61。
半导体IC 70及80例如由CMOS构成。由此，能够廉价地制造半导体IC。此外，半导体IC 70及80也可以由GaAs构成。由此，能够输出具有高质量的放大性能和噪声性能的高频信号。
连接端子41～45配置于相对于安装基板30而言的主面30b侧的、树脂构件40B的z轴负方向侧的表面。连接端子41是与金属块50连接的第一连接端子，能够与配置于高频模块1的z轴负方向侧的外部基板连接。连接端子41～45既可以是在树脂构件40B的z轴负方向侧的表面形成的平面导体图案，另外也可以是焊锡球电极。在连接端子41～45是焊锡球电极的情况下，在将高频模块1安装到外部基板的安装工序中，能够省略在外部基板的电极上印刷焊锡膏的工序，因此能够简化上述安装工序。此外，连接端子41也可以是在金属块50的z轴负方向的前端面形成的镀层等。
通路导体51与功率放大器14连接，贯通安装基板30。通路导体52与功率放大器14连接，贯通安装基板30。更具体地说，通路导体51的主面30a侧的端面与凸块电极111连接，主面30b侧的端面与金属块50连接。另外，通路导体52的主面30a侧的端面与凸块电极112连接，主面30b侧的端面与金属块50连接。通路导体51及52是与功率放大器14连接、贯通安装基板30的多个通路导体。此外，将功率放大器14与金属块50连接的通路导体不限定于2个，也可以是3个以上。
金属块50配置于相对于安装基板30而言的主面30b侧，与通路导体51及52以及连接端子41连接。更具体地说，金属块50具有与主面30b接合的主面50b(第五主面)以及与连接端子41接合的主面50a(第六主面)，主面50b与通路导体51及52连接，主面50a与连接端子41连接。金属块50的材料没有特别限定，只要是Ag、Al、Cu等高导电性的金属即可。
金属块50例如通过将预先形成的金属块体与主面30b焊接来安装于安装基板30，而不是向在主面30b上的树脂设置的贯通凹部填充金属膏来形成的。在该安装工序的情况下，金属块50经由焊料来与主面30b接合。由此，能够通过与功率放大器14及半导体IC 80等相同的安装工序来安装金属块50，因此能够简化高频模块1的制造工序。
柱状电极53是将主面30b与连接端子45连接的、贯通树脂构件40B的柱状的导体。此外，连接端子45例如是地端子，柱状电极53是地电极。
树脂构件40A形成在主面30a上，覆盖功率放大器14的侧面和顶面、半导体IC 70的侧面及顶面、发送滤波器12A及12B的侧面及顶面、以及匹配电路13的侧面和顶面。此外，树脂构件40A只要覆盖功率放大器14的至少侧面即可。
通过配置树脂构件40A，热产生量多的功率放大器14被树脂构件40A所覆盖，因此在提高功率放大器14的安装可靠性的同时，从功率放大器14向外部基板的散热性提高。
树脂构件40B形成在主面30b上，覆盖金属块的侧面、半导体IC 80的侧面和顶面、接收滤波器22A及22B的侧面和顶面、以及柱状电极53的侧面。此外，树脂构件40B只要覆盖金属块50的至少侧面即可。
通过配置树脂构件40B，金属块50被树脂构件40B所覆盖，因此在提高金属块50的安装可靠性的同时，从功率放大器14向外部基板的散热性提高。
屏蔽电极层40G形成为覆盖树脂构件40A的顶面及侧面以及树脂构件40B的侧面，通过安装基板30的侧面来与形成于安装基板30内的地导体连接。由此，能够抑制功率放大器14的发送信号从高频模块1直接辐射到外部，另外，能够抑制外来噪声侵入到高频模块1的电路部件。并且，能够借助屏蔽电极层40G来对功率放大器14的发热进行散热，因此高频模块1的散热性提高。
此外，在功率放大器14的主面14b形成的电极也可以不是凸块电极，也可以是由主面14b上的平面导体图案构成的连接电极。在该情况下，上述连接电极与通路导体51及52经由焊料来连接。
在此，如图1A和图1C所示，在俯视安装基板30的情况下，功率放大器14与通路导体51及52重叠。另外，金属块50与通路导体51及52重叠。
据此，功率放大器14与多个通路导体51及52接合，因此能够确保功率放大器14与安装基板30内的通路导体的接触面积大。另外，金属块50与多个通路导体51及52接合，因此能够确保金属块50与安装基板30内的通路导体的接触面积大。并且，在上述俯视时，通路导体51及52与功率放大器14及金属块50重叠，因此能够利用与安装基板30垂直的方向(z轴方向)的布线路径来将功率放大器14与金属块50连接。也就是说，能够利用大致最短路径来将功率放大器14与金属块50连接。因此，能够利用通路导体51及52、金属块50以及连接端子41这样的具有高导热率的散热路径来对功率放大器14的发热进行散热。因此，能够在抑制功率放大器14的发热被传递到安装于主面30b的电路部件的同时，高效地将功率放大器14的发热从连接端子41散到外部。因此，能够提供提高了散热性的两面安装型的高频模块1以及包括高频模块1的通信装置8。
此外，在本说明书中，安装于安装基板的“X与Y在俯视安装基板的情况下重叠”被定义为指以下状态：X和Y被配置成在上述俯视时X的投影面积的一半以上与Y重叠、或者Y的投影面积的一半以上与X重叠。
另外，发热量大的功率放大器14被安装于主面30a，形成于安装基板30的通路导体51及52与功率放大器14的发射极端子(凸块电极111及112)连接，且与安装于主面30b的金属块50连接。由此，能够排除仅经由安装基板30内的布线中的热阻大的沿着xy平面方向的平面布线图案的散热路径。因此，能够提供提高了从功率放大器14向外部基板的散热性的小型的高频模块1。
另外，在本实施方式中，将功率放大器14与低噪声放大器24夹着安装基板30地进行配置，因此能够确保两者之间的隔离度，能够抑制发送信号与接收信号的干扰。特别是，能够抑制以下情况：大功率的发送信号侵入到接收路径从而接收灵敏度下降。
此外，在实施方式1所涉及的高频模块1中，也可以配置在俯视安装基板30的情况下呈长条形状的1个长条通路导体来代替通路导体51及52。长条通路导体与功率放大器14连接，贯通安装基板30。更具体地说，长条通路导体的主面30a侧的端面与凸块电极111及112连接，主面30b侧的端面与金属块50连接。在上述俯视时，功率放大器14与长条通路导体重叠。另外，金属块50与长条通路导体重叠。
据此，功率放大器14与长条通路导体接合，因此能够确保功率放大器14与安装基板30内的通路导体的接触面积大。另外，金属块50与长条通路导体接合，因此能够确保金属块50与安装基板30内的通路导体的接触面积大。并且，在上述俯视时，长条通路导体与功率放大器14及金属块50重叠，因此能够利用与安装基板30垂直的方向(z轴方向)的布线路径来将功率放大器14与金属块50连接。也就是说，能够利用大致最短路径来将功率放大器14与金属块50连接。因此，能够利用长条通路导体、金属块50以及连接端子41这样的具有高导热率的散热路径来对功率放大器14的发热进行散热。因此，能够在抑制功率放大器14的发热被传递到安装于主面30b的电路部件的同时，高效地将功率放大器14的发热从连接端子41散到外部。因此，能够提供提高了散热性的两面安装型的高频模块1以及包括高频模块1的通信装置8。
此外，在本实施方式所涉及的高频模块1中，也可以是，通路导体51及52的在上述俯视时的总面积以及金属块50的在上述俯视时的面积分别大于凸块电极111及112的在上述俯视时的总面积。
据此，高度容易相对高的通路导体51及52以及金属块50的在上述俯视时的面积大于高度容易相对低的凸块电极111及112的在上述俯视时的面积，因此凸块电极111及112、通路导体51及52以及金属块50各自具有相同程度的散热容量从而取得散热性的匹配，能够提高高频模块1的散热性。
另外，安装于主面30a且与通路导体51及52以及金属块50连接的第一电路部件也可以不是功率放大器14，也可以是低噪声放大器24。并且，也可以不是如功率放大器14和低噪声放大器24那样的放大器，只要是发热性的电路部件即可。
此外，在实施方式1所涉及的高频模块1中，在主面30b只要安装有半导体IC 80、接收滤波器22A及22B中的至少1个即可。另外，在主面30a只要至少安装有功率放大器14即可。也就是说，在实施方式1所涉及的高频模块1中，半导体IC 70及80、匹配电路13、发送滤波器12A及12B、接收滤波器22A及22B、树脂构件40A及40B、柱状电极53、连接端子42～45以及屏蔽电极层40G不是必需的结构要素。
[1-2.变形例1所涉及的高频模块1A的结构]
图3A是实施方式1的变形例1所涉及的高频模块1A的第一截面结构图。另外，图3B是实施方式1的变形例1所涉及的高频模块1A的第二截面结构图。更具体地说，图3A是沿y轴正方向观察图3B的IIIA-IIIA截面所得到的截面图。另外，图3B是沿z轴负方向观察图3A的IIIB-IIIB截面所得到的截面图。此外，在图3B中，不仅示出了在截面配置的电路元件和端子(实线)，还示出了在沿z轴方向透视的情况下存在的电路元件(虚线)。
如图3A和图3B所示，高频模块1A具备安装基板30、功率放大器14A、半导体IC 70及80、匹配电路13、发送滤波器12A及12B、接收滤波器22A及22B、树脂构件40A及40B、长条通路导体54、金属块50、柱状电极53、连接端子41、42、43、44及45以及屏蔽电极层40G。在主面30a安装有功率放大器14A、半导体IC 70、匹配电路13、发送滤波器12A及12B。另外，在主面30b安装有金属块50、接收滤波器22A及22B、半导体IC 80。
本变形例所涉及的高频模块1A与实施方式1所涉及的高频模块1相比，功率放大器14A的电极结构以及长条通路导体54的结构不同。下面，关于本变形例所涉及的高频模块1A，省略与实施方式1所涉及的高频模块1相同的方面的说明，以不同的方面为中心来进行说明。
功率放大器14A是安装于主面30a的第一电路部件，是对高频发送信号进行放大的发送放大器。功率放大器14A具有与主面30a相向的主面14b(第三主面)以及与主面14b背对的主面14a(第四主面)。另外，功率放大器14A具有在主面14b上形成的、在俯视安装基板30的情况下呈长条形状的长条凸块电极113。如图2B所示，长条凸块电极113例如相当于发射极端子。
长条通路导体54是与功率放大器14A连接的、贯通安装基板30的、在上述俯视时呈长条形状的通路导体。更具体地说，长条通路导体54的主面30a侧的端面与长条凸块电极113连接，主面30b侧的端面与金属块50连接。此外，将功率放大器14A与金属块50连接的长条通路导体54不限定于1个，也可以是2个以上。
在此，如图3B所示，长条凸块电极113与长条通路导体54以在上述俯视时至少一部分重叠且长边方向彼此一致的状态进行连接。另外，金属块50与长条通路导体54重叠。
据此，能够确保功率放大器14A与长条通路导体54的接触面积大，另外，能够确保长条通路导体54与金属块50的接触面积大。并且，在上述俯视时，长条通路导体54与功率放大器14A及金属块50重叠，因此能够利用与安装基板30垂直的方向(z轴方向)的布线路径来将功率放大器14A与金属块50连接。也就是说，能够利用大致最短路径来将功率放大器14A与金属块50连接。因此，能够利用长条凸块电极113、长条通路导体54、金属块50以及连接端子41这样的具有高导热率的散热路径来对功率放大器14A的发热进行散热。因此，能够在抑制功率放大器14A的发热被传递到安装于主面30b的电路部件的同时，高效地将功率放大器14A的发热从连接端子41散到外部。因此，能够提供提高了散热性的两面安装型的高频模块1A。
此外，在本变形例所涉及的高频模块1A中，也可以是，金属块50在上述俯视时呈长条形状，金属块50与长条通路导体54以在上述俯视时至少一部分重叠且长边方向彼此一致的状态进行连接。
据此，能够确保金属块50与长条通路导体54的接触面积大。因此，能够利用功率放大器14A、长条通路导体54、长条状的金属块50以及连接端子41这样的具有高导热率的散热路径来对功率放大器14A的发热进行散热。因此，能够在抑制功率放大器14A的发热被传递到安装于主面30b的电路部件的同时，提高高频模块1A的散热性。
[1-3.变形例2所涉及的高频模块1B的结构]
图4是实施方式1的变形例2所涉及的高频模块1B的截面结构图。如该图所示，高频模块1B具备安装基板30、功率放大器14、半导体IC 70及80、匹配电路13、发送滤波器12A及12B、接收滤波器22A及22B、树脂构件40A及40B、通路导体51及52、金属块50A、柱状电极53、连接端子41、42、43、44及45以及屏蔽电极层40G。如图4所示，在主面30a安装有功率放大器14、半导体IC 70、匹配电路13、发送滤波器12A及12B。另外，在主面30b安装有金属块50A、接收滤波器22A及22B、半导体IC 80。
本变形例所涉及的高频模块1B与实施方式1所涉及的高频模块1相比，金属块50A的结构不同。下面，关于本变形例所涉及的高频模块1B，省略与实施方式1所涉及的高频模块1相同的方面的说明，以不同的方面为中心来进行说明。
金属块50A具有与主面30b接合的主面50b(第五主面)、与主面50b背对的主面50a(第六主面)以及将主面50a与主面50b连接的侧面。在上述侧面形成有凹部50s。树脂构件40B与凹部50s接触。
据此，树脂构件40B进入凹部50s，因此能够抑制金属块50A从主面30b脱离。因此，高频模块1B的机械可靠性提高。
此外，凹部50s也可以是在上述侧面沿着与主面50a及50b平行的方向的槽部。由此，高频模块1B的机械可靠性进一步提高。
另外，也可以如图4所示那样配置金属块50B来代替金属块50A。金属块50B具有与主面30b接合的主面50b(第五主面)以及与主面50b背对的主面50a(第六主面)，主面50b的面积小于主面50a的面积。
据此，主面50a比主面50b大，因此能够高效地进行来自功率放大器14的发热的热扩散，另外，能够使连接端子41与金属块50B的接触面积大。由此，能够提高向连接端子41的散热性。另外，主面50b比主面50a小，因此能够提高安装于主面30b的电路部件的布局的自由度。
此外，期望的是，在金属块50B中，随着从主面50a去向主面50b，在与主面50a及50b平行的面切断而得到的截面逐渐变小。
另外，例如，也可以配置主面50a的一部分为凹的金属块50D来代替金属块50A、50B。这样，金属块50不限于矩形的块体，也可以根据需要来采用各种形态的块体。
[1-4.变形例3所涉及的高频模块1C的结构]
图5是实施方式1的变形例3所涉及的高频模块1C的截面结构图。如该图所示，高频模块1C具备安装基板30、功率放大器14、半导体IC 70及80、匹配电路13、发送滤波器12A及12B、接收滤波器22A及22B、树脂构件40A及40B、通路导体51及52、金属块50C、柱状电极53、连接端子42、43、44及45以及屏蔽电极层40G。如图5所示，在主面30a安装有功率放大器14、半导体IC 70、匹配电路13、发送滤波器12A及12B。另外，在主面30b安装有金属块50C、接收滤波器22A及22B、半导体IC 80。
本变形例所涉及的高频模块1C与实施方式1所涉及的高频模块1相比，金属块50C的结构不同。下面，关于本变形例所涉及的高频模块1C，省略与实施方式1所涉及的高频模块1相同的方面的说明，以不同的方面为中心来进行说明。
金属块50C具有与主面30b接合的主面50b(第五主面)、与主面50b背对的主面50a(第六主面)以及将主面50a与主面50b连接的侧面。
树脂构件40B配置在主面30b上，具有与主面30b接触的主面40b(第七主面)以及与主面40b背对的主面40a(第八主面)，且与金属块50C的侧面接触。
在此，金属块50C的主面50a的至少一部分从树脂构件40B的主面40a突出。与外部基板连接的第一连接端子(实施方式1所涉及的高频模块1中的连接端子41)是金属块50C中的从主面40a突出的部分。也就是说，在本变形例中，没有在金属块50C的z轴负方向的前端面独立地形成第一连接端子，第一连接端子被定义为金属块50C的z轴负方向的前端面本身。
据此，能够将金属块50C中的从主面40a突出的部分用作第一连接端子，因此能够简化连接端子的形成工序。
[1-5.变形例4所涉及的高频模块1D的结构]
图6是实施方式1的变形例4所涉及的高频模块1D的截面结构图。如该图所示，高频模块1D具备安装基板30、功率放大器14、半导体IC 70及80、匹配电路13、发送滤波器12A及12B、接收滤波器22A及22B、树脂构件40A及40B、通路导体51及52、金属块50、柱状电极53、连接端子41、42、43、44及45以及屏蔽电极层40G。如图6所示，在主面30a安装有功率放大器14、半导体IC 70、匹配电路13、发送滤波器12A及12B。另外，在主面30b安装有接收滤波器22A及22B以及半导体IC 80。此外，在本变形例中，金属块50形成于作为安装基板30的一部分的基板部30Y。
本变形例所涉及的高频模块1D与实施方式1所涉及的高频模块1相比，金属块50的配置结构以及安装基板30的结构不同。下面，关于本变形例所涉及的高频模块1D，省略与实施方式1所涉及的高频模块1相同的方面的说明，以不同的方面为中心来进行说明。
安装基板30由基板部30X及30Y构成。基板部30X是如下的两面安装基板：具有相互背对的主面30a和主面30b，在主面30a及30b分别安装电路部件。基板部30X是由电介质构件形成的基板或者由多个电介质层层叠而成的多层基板，例如能够列举出PCB基板和陶瓷多层基板等。基板部30Y具有相互背对的主面30c和主面30d，主面30d与主面30b接合，由与构成基板部30X的电介质构件相同的电介质构件构成。此外，基板部30X与基板部30Y也可以一体地形成。
金属块50具有与主面30b接合的主面50b(第五主面)、与主面50b背对的主面50a(第六主面)以及将主面50a与主面50b连接的侧面。在此，金属块50的侧面被基板部30Y所覆盖。
据此，金属块50的侧面被贴合性比树脂构件40B的贴合性高的电介质材料所覆盖，因此能够进一步抑制金属块50从安装基板30脱离。因此，高频模块1D的机械可靠性提高。
此外，覆盖金属块50的侧面的基板部30Y的介电常数也可以比树脂构件40B的介电常数低。
据此，能够减少经由金属块50泄漏到安装于主面30b的电路部件的不需要的信号。
(实施方式2)
在实施方式1所涉及的高频模块1中，将金属块应用为散热路径，与此相对，在本实施方式中，示出将由Cu形成的柱状电极(Cu柱)应用为散热路径的高频模块。
[2-1.实施方式2所涉及的高频模块2的结构]
图7是实施方式2所涉及的高频模块2的截面结构图。如该图所示，高频模块2具备安装基板30、功率放大器14A、半导体IC 70及80、匹配电路13、发送滤波器12A及12B、接收滤波器22A及22B、树脂构件40A及40B、长条通路导体54、柱状电极53及55、连接端子46及47以及屏蔽电极层40G。在主面30a安装有功率放大器14A、半导体IC 70、匹配电路13、发送滤波器12A及12B。另外，在主面30b安装有柱状电极55、接收滤波器22A及22B以及半导体IC 80。
本实施方式所涉及的高频模块2与实施方式1的变形例1所涉及的高频模块1A相比，配置柱状电极55来代替金属块50这一点、以及连接端子的结构不同。下面，关于本实施方式所涉及的高频模块2，省略与实施方式1的变形例1所涉及的高频模块1A相同的方面的说明，以不同的方面为中心来进行说明。
功率放大器14A是安装于主面30a的第一电路部件，是对高频发送信号进行放大的发送放大器。功率放大器14A具有在主面14b上形成的、在俯视安装基板30的情况下呈长条形状的长条凸块电极113。如图2B所示，长条凸块电极113例如相当于发射极端子。此外，在本实施方式中，功率放大器14A的长条凸块电极113也可以不是长条形状。
长条通路导体54的主面30a侧的端面与长条凸块电极113连接，主面30b侧的端面与柱状电极55连接。此外，将功率放大器14A与柱状电极55连接的长条通路导体54不限定于1个，也可以是2个以上。
连接端子46及47配置于相对于安装基板30而言的主面30b侧的、树脂构件40B的z轴负方向侧的表面。连接端子46是与柱状电极55连接的第一连接端子，与配置于高频模块1的z轴负方向侧的外部基板连接。连接端子47是与柱状电极53连接的地端子。连接端子46及47例如是焊锡球电极。此外，连接端子46及47也可以是在树脂构件40B的z轴负方向侧的表面形成的平面导体图案。在连接端子46及47是焊锡球电极的情况下，在将高频模块2安装到外部基板的安装工序中，能够省略在外部基板的电极上印刷焊锡膏的工序，因此能够简化上述安装工序。
此外，连接端子46也可以是在柱状电极55的z轴负方向的前端面形成的镀层等。
柱状电极55是配置于相对于安装基板30而言的主面30b侧的、与长条通路导体54及连接端子46连接的、由Cu形成的柱状导体。更具体地说，柱状电极55沿主面30b的垂直方向(z轴方向)延伸，端面55b(第一端面)与长条通路导体54接合，背对于端面55b的端面55a(第二端面)与连接端子46接合。
在此，功率放大器14A与长条通路导体54重叠，柱状电极55与长条通路导体54重叠。
据此，构成功率放大器14A的散热路径的柱状电极55由高导电性的Cu形成。并且，在上述俯视时，长条通路导体54与功率放大器14A及柱状电极55重叠，因此能够利用与安装基板30垂直的方向(z轴方向)的布线路径来将功率放大器14A与柱状电极55连接。也就是说，能够利用大致最短路径来将功率放大器14A与柱状电极55连接。因此，能够利用长条通路导体54、柱状电极55以及连接端子46这样的具有高导热率的散热路径来对功率放大器14A的发热进行散热。因此，能够在抑制功率放大器14A的发热被传递到安装于主面30b的电路部件的同时，高效地将功率放大器14A的发热从连接端子46散到外部。因此，能够提供提高了散热性的两面安装型的高频模块2以及包括高频模块2的通信装置。
此外，柱状电极55也可以是在上述俯视时呈长条形状，也可以是，长条通路导体54与柱状电极55以在上述俯视时至少一部分重叠且长边方向彼此一致的状态进行连接。
据此，能够确保柱状电极55与长条通路导体54的接触面积大。因此，能够利用功率放大器14A、长条通路导体54、长条状的柱状电极55以及连接端子46这样的具有高导热率的散热路径来对功率放大器14A的发热进行散热。因此，能够提高功率放大器14A的散热性。
此外，也可以是，柱状电极55的(将端面55b与端面55a连接的)侧面被与构成安装基板30的电介质构件相同的电介质构件所覆盖。
据此，柱状电极55的侧面被贴合性比树脂构件40B的贴合性高的电介质材料所覆盖，因此能够抑制柱状电极55从安装基板30脱离。因此，高频模块2的机械可靠性提高。
另外，覆盖柱状电极55的侧面的电介质构件的介电常数也可以比树脂构件40B的介电常数低。
据此，能够减少经由柱状电极55泄漏到安装于主面30b的电路部件的不需要的信号。
此外，在实施方式2所涉及的高频模块2中，在主面30b只要安装有半导体IC 80、接收滤波器22A及22B中的至少1个即可。另外，在主面30a只要至少安装有功率放大器14A即可。也就是说，在实施方式2所涉及的高频模块2中，半导体IC 70及80、匹配电路13、发送滤波器12A及12B、接收滤波器22A及22B、树脂构件40A及40B、柱状电极53、连接端子47以及屏蔽电极层40G不是必需的结构要素。
(其它实施方式等)
以上，关于本发明的实施方式所涉及的高频模块和通信装置，列举实施方式1和2来进行了说明，但是本发明所涉及的高频模块和通信装置不限定于上述实施方式。将上述实施方式中的任意的结构要素进行组合来实现的其它实施方式、对上述实施方式实施本领域技术人员在不脱离本发明的宗旨的范围内想到的各种变形来得到的变形例、内置有上述高频模块和通信装置的各种设备也包括在本发明中。
例如，在上述实施方式所涉及的高频模块和通信装置中，也可以在附图中公开的将各电路元件以及信号路径连接的路径之间插入其它的电路元件和布线等。
产业上的可利用性
本发明作为配置于支持多频段的前端部的高频模块，能够广泛利用于便携式电话等通信设备。

Claims (17)

1.一种高频模块，具备：
安装基板，其具有相互背对的第一主面和第二主面，在所述第一主面和所述第二主面分别安装有电路部件；
第一电路部件，其安装于所述第一主面；
第二电路部件，其安装于所述第二主面；
第一连接端子，其配置于相对于所述安装基板而言的所述第二主面侧，与外部基板连接；
与所述第一电路部件连接且贯通所述安装基板的多个通路导体，或者，与所述第一电路部件连接且贯通所述安装基板的、在俯视所述安装基板的情况下呈长条形状的长条通路导体；以及
金属块，其配置于相对于所述安装基板而言的所述第二主面侧，将所述多个通路导体或所述长条通路导体与所述第一连接端子连接，
其中，在所述俯视时，
所述第一电路部件与所述多个通路导体或所述长条通路导体重叠，
所述金属块与所述多个通路导体或所述长条通路导体重叠。
2.根据权利要求1所述的高频模块，其特征在于，
所述高频模块具备贯通所述安装基板的所述长条通路导体，
所述第一电路部件具有：
与所述第一主面相向的第三主面以及与所述第三主面背对的第四主面；以及
长条凸块电极，其形成在所述第三主面上，在所述俯视时呈长条形状，
其中，所述长条凸块电极与所述长条通路导体以在所述俯视时至少一部分重叠且长边方向彼此一致的状态进行连接。
3.根据权利要求2所述的高频模块，其特征在于，
所述金属块在所述俯视时呈长条形状，
所述金属块与所述长条通路导体以在所述俯视时至少一部分重叠且长边方向彼此一致的状态进行连接。
4.根据权利要求1～3中的任一项所述的高频模块，其特征在于，
所述金属块具有与所述第二主面接合的第五主面以及与所述第一连接端子接合的第六主面，
所述第五主面的面积比所述第六主面的面积小。
5.根据权利要求1～4中的任一项所述的高频模块，其特征在于，
所述金属块具有与所述第二主面接合的第五主面、与所述第五主面背对的第六主面、以及将所述第五主面与所述第六主面连接的侧面，
所述高频模块还具备树脂构件，该树脂构件配置在所述第二主面上，与所述侧面接触，
在所述侧面形成有凹部。
6.根据权利要求1～3中的任一项所述的高频模块，其特征在于，
所述金属块具有与所述多个通路导体或所述长条通路导体连接的第五主面、与所述第五主面背对的第六主面、以及将所述第五主面与所述第六主面连接的侧面，
所述高频模块还具备树脂构件，该树脂构件配置于所述安装基板的所述第二主面侧，覆盖所述第二电路部件的至少一部分，
所述侧面被与构成所述安装基板的电介质构件相同的电介质构件所覆盖。
7.根据权利要求6所述的高频模块，其特征在于，
覆盖所述侧面的所述电介质构件的介电常数比所述树脂构件的介电常数低。
8.根据权利要求1～5中的任一项所述的高频模块，其特征在于，
所述金属块具有与所述第二主面接合的第五主面、与所述第五主面背对的第六主面、以及将所述第五主面与所述第六主面连接的侧面，
所述高频模块还具备树脂构件，该树脂构件配置在所述第二主面上，具有与所述第二主面接触的第七主面以及与所述第七主面背对的第八主面，且与所述侧面接触，
所述第六主面的至少一部分从所述第八主面突出，
所述第一连接端子是所述金属块中的从所述第八主面突出的部分。
9.根据权利要求1所述的高频模块，其特征在于，
所述第一电路部件具有：
与所述第一主面相向的第三主面以及与所述第三主面背对的第四主面；以及
连接电极，其形成在所述第三主面上，
所述连接电极与所述多个通路导体或所述长条通路导体连接，
所述多个通路导体或所述长条通路导体的在所述俯视时的面积以及所述金属块的在所述俯视时的面积大于所述连接电极的在所述俯视时的面积。
10.根据权利要求1所述的高频模块，其特征在于，
所述金属块经由焊料来与所述第二主面接合。
11.一种高频模块，具备：
安装基板，其具有相互背对的第一主面和第二主面，在所述第一主面和所述第二主面分别安装有电路部件；
第一电路部件，其安装于所述第一主面；
第二电路部件，其安装于所述第二主面；
第一连接端子，其配置于相对于所述安装基板而言的所述第二主面侧，与外部基板连接；
通路导体，其与所述第一电路部件连接，所述通路导体贯通所述安装基板；以及
柱状电极，其由Cu形成，配置于相对于所述安装基板而言的所述第二主面侧，所述柱状电极与所述通路导体及所述第一连接端子连接，
其中，在俯视所述安装基板的情况下，
所述第一电路部件与所述通路导体重叠，
所述柱状电极与所述通路导体重叠。
12.根据权利要求11所述的高频模块，其特征在于，
所述通路导体在所述俯视时呈长条形状，
所述柱状电极在所述俯视时呈长条形状，
所述通路导体与所述柱状电极以在所述俯视时至少一部分重叠且长边方向彼此一致的状态进行连接。
13.根据权利要求11或12所述的高频模块，其特征在于，
所述柱状电极具有与所述通路导体连接的第一端面、与所述第一端面背对的第二端面、以及将所述第一端面与所述第二端面连接的侧面，
所述高频模块还具备树脂构件，该树脂构件配置于所述安装基板的所述第二主面侧，覆盖所述第二电路部件的至少一部分，
所述侧面被与构成所述安装基板的电介质构件相同的电介质构件所覆盖。
14.根据权利要求13所述的高频模块，其特征在于，
覆盖所述侧面的所述电介质构件的介电常数比所述树脂构件的介电常数低。
15.根据权利要求1～14中的任一项所述的高频模块，其特征在于，
所述第一连接端子是焊锡球电极。
16.根据权利要求1～15中的任一项所述的高频模块，其特征在于，
所述第一电路部件包括对高频信号进行放大的放大器。
17.一种通信装置，具备：
RF信号处理电路，其对利用天线发送接收的高频信号进行处理；以及
根据权利要求1～16中的任一项所述的高频模块，其在所述天线与所述RF信号处理电路之间传递所述高频信号。
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