JP2021129194A - 高周波モジュール及び通信装置 - Google Patents

高周波モジュール及び通信装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2021129194A
JP2021129194A JP2020022211A JP2020022211A JP2021129194A JP 2021129194 A JP2021129194 A JP 2021129194A JP 2020022211 A JP2020022211 A JP 2020022211A JP 2020022211 A JP2020022211 A JP 2020022211A JP 2021129194 A JP2021129194 A JP 2021129194A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
high frequency
main surface
frequency module
external connection
connection terminal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2020022211A
Other languages
English (en)
Inventor
孝紀 上嶋
Takanori Uejima
孝紀 上嶋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Priority to JP2020022211A priority Critical patent/JP2021129194A/ja
Priority to KR1020210012780A priority patent/KR102538385B1/ko
Priority to US17/169,584 priority patent/US11303364B2/en
Priority to CN202120357787.2U priority patent/CN214315259U/zh
Publication of JP2021129194A publication Critical patent/JP2021129194A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/64—Impedance arrangements
    • H01L23/66—High-frequency adaptations
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B15/00—Suppression or limitation of noise or interference
    • H04B15/005—Reducing noise, e.g. humm, from the supply
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/481—Internal lead connections, e.g. via connections, feedthrough structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49811—Additional leads joined to the metallisation on the insulating substrate, e.g. pins, bumps, wires, flat leads
    • H01L23/49816—Spherical bumps on the substrate for external connection, e.g. ball grid arrays [BGA]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/538—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates
    • H01L23/5386—Geometry or layout of the interconnection structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/64—Impedance arrangements
    • H01L23/642—Capacitive arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/64—Impedance arrangements
    • H01L23/645—Inductive arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/38—Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Transceivers (AREA)
  • Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)

Abstract

【課題】高周波信号へのノイズの流入を抑制できる高周波モジュールを提供する。
【解決手段】高周波モジュール１は、互いに対向する主面９１ａ及び主面９１ｂを有するモジュール基板９１と、主面９１ａに配置された第１電子部品（例えば電力増幅器１１）と、主面９１ｂに配置された第２電子部品（例えば低雑音増幅器２１）と、主面９１ｂに配置された複数のポスト電極１５０と、主面９１ｂに配置され、グランド電位に設定されたメッキシールド壁８２と、を備え、複数のポスト電極１５０は、第１高周波信号を入力又は出力する第１ポスト電極１５１と、電源信号を入力する第２ポスト電極１５２と、を含み、モジュール基板９１の平面視において、第１ポスト電極１５１及び第２ポスト電極１５２のうちの一方は、メッキシールド壁８２で囲まれており、メッキシールド壁８２の少なくとも一部は、第１ポスト電極１５１及び第２ポスト電極１５２の間に配置されている。
【選択図】図２

Description

本発明は、高周波モジュール及び通信装置に関する。
携帯電話などの移動体通信機器では、特に、マルチバンド化の進展に伴い、高周波フロントエンド回路を構成する回路素子の配置構成が複雑化されている。
特許文献１には、システム部及び電源回路部の一方又は双方の実装領域と高周波処理部の実装領域とを区画するように形成されたシールド壁を備える通信モジュールが開示されている。これにより、システム部及び電源回路部から高周波処理部へのノイズの侵入を抑制して通信モジュールの小型化を図ることができる。
特開２０１５−１１１７４７号公報
しかしながら、上記従来技術では、高周波信号へのノイズの流入を十分に抑制することができない場合がある。
そこで、本発明は、高周波信号へのノイズの流入を抑制することができる高周波モジュール及び通信装置を提供する。
本発明の一態様に係る高周波モジュールは、互いに対向する第１主面及び第２主面を有するモジュール基板と、前記第１主面に配置された第１電子部品と、前記第２主面に配置された第２電子部品と、前記第２主面に配置された複数の外部接続端子と、前記第２主面に配置され、グランド電位に設定された第１金属壁と、を備え、前記複数の外部接続端子は、第１高周波信号を入力又は出力する第１外部接続端子と、電源信号、制御信号及び第２高周波信号のいずれかを入力又は出力する第２外部接続端子と、を含み、前記モジュール基板の平面視において、前記第１外部接続端子及び前記第２外部接続端子のうちの一方は、前記第１金属壁で囲まれており、前記第１金属壁の少なくとも一部は、前記第１外部接続端子及び前記第２外部接続端子の間に配置されている。
本発明によれば、高周波信号へのノイズの流入を抑制することができる。
実施の形態１に係る高周波モジュール及び通信装置の回路構成図 実施の形態１に係る高周波モジュールの平面図 実施の形態１に係る高周波モジュールの断面図 実施の形態２に係る高周波モジュールの平面図 実施の形態３に係る高周波モジュールの平面図 実施の形態３に係る高周波モジュールの断面図 実施の形態４に係る高周波モジュールの平面図 実施の形態５に係る高周波モジュールの平面図 実施の形態５に係る高周波モジュールの断面図
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。なお、以下で説明する実施の形態は、いずれも包括的又は具体的な例を示すものである。以下の実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置及び接続形態等は、一例であり、本発明を限定する主旨ではない。
なお、各図は、本発明を示すために適宜強調、省略、又は比率の調整を行った模式図であり、必ずしも厳密に図示されたものではなく、実際の形状、位置関係、及び比率とは異なる場合がある。各図において、実質的に同一の構成に対しては同一の符号を付しており、重複する説明は省略又は簡素化される場合がある。
以下の各図において、ｘ軸及びｙ軸は、モジュール基板の主面と平行な平面上で互いに直交する軸である。また、ｚ軸は、モジュール基板の主面に垂直な軸であり、その正方向は上方向を示し、その負方向は下方向を示す。
本開示において、通信システムとは、標準化団体（例えば３ＧＰＰ（3rd Generation Partnership Project）及びＩＥＥＥ（Institute of Electrical and Electronics Engineers）等）などによって定義された無線アクセス技術（ＲＡＴ：Radio Access Technology）を用いて構築される通信システムを意味する。通信システムとしては、例えば５ＧＮＲ（5th Generation New Radio）システム、ＬＴＥ（Long Term Evolution）システム及びＷＬＡＮ（Wireless Local Area Network）システム等を用いることができるが、これらに限定されない。
また、通信バンドとは、通信システムのために標準化団体などによって予め定義された周波数バンドを意味する。通信バンドとしては、例えば５ＧＮＲ周波数バンド、ＬＴＥ周波数バンド及びＷＬＡＮチャネル等を用いることができるが、これらに限定されない。
（実施の形態１）
［１．１ 高周波モジュール１及び通信装置５の回路構成］
本実施の形態に係る高周波モジュール１及び通信装置５の回路構成について、図１を参照しながら説明する。図１は、実施の形態１に係る高周波モジュール１及び通信装置５の回路構成図である。
なお、以下の回路構成の説明において、「接続される」とは、配線導体、端子、コネクタ、スイッチ、又はそれらの任意の組み合わせを介して電気的に接続されることだけでなく、受動素子及び／又は能動素子を介して電気的に接続されることも含む。また、「ＡとＢとの間に接続される」とは、Ａ及びＢを結ぶ経路上に配置されＡ及びＢの両方に接続されることを意味する。
［１．１．１ 通信装置５の回路構成］
通信装置５は、通信システムで用いられる装置であり、例えばスマートフォン及びタブレットコンピュータ等である。図１に示すように、通信装置５は、高周波モジュール１と、アンテナ２と、ＲＦＩＣ３と、ＢＢＩＣ４と、を備える。
アンテナ２は、高周波モジュール１のアンテナ接続端子１００に接続され、高周波モジュール１から出力された高周波信号を送信し、また、外部からの高周波信号を受信して高周波モジュール１へ出力する。
ＲＦＩＣ３は、アンテナ２で送受信される高周波信号を処理する信号処理回路である。具体的には、ＲＦＩＣ３は、高周波モジュール１の受信信号経路を介して入力された高周波受信信号を、ダウンコンバートなどにより信号処理し、当該信号処理して生成された受信信号をＢＢＩＣ４へ出力する。また、ＲＦＩＣ３は、ＢＢＩＣ４から入力された送信信号をアップコンバートなどにより信号処理し、当該信号処理して生成された高周波送信信号を、高周波モジュール１の送信信号経路に出力する。
また、ＲＦＩＣ３は、高周波モジュール１を制御する制御部としての機能も有する。具体的には、制御部は、高周波モジュール１が有するスイッチの接続を切り替えるための制御信号を高周波モジュール１の制御回路７７に伝達する。また、制御部は、高周波モジュール１の電力増幅器及び低雑音増幅器の利得などを調整するための制御信号を制御回路７７に伝達する。なお、制御部は、ＲＦＩＣ３の外部に設けられていてもよく、例えば、ＢＢＩＣ４に設けられていてもよい。
ＢＢＩＣ４は、高周波モジュール１を伝搬する高周波信号よりも低周波の中間周波数帯域を用いて信号処理する回路である。ＢＢＩＣ４で処理された信号は、例えば、画像表示のための画像信号として使用され、又は、スピーカを介した通話のために音声信号として使用される。
なお、本実施の形態に係る通信装置５において、アンテナ２及びＢＢＩＣ４は、必須の構成要素ではない。
［１．１．２ 高周波モジュール１の回路構成］
次に、高周波モジュール１の詳細な構成について説明する。図１に示すように、高周波モジュール１は、電力増幅器１１及び１２と、低雑音増幅器２１及び２２と、送信フィルタ６１Ｔ〜６４Ｔと、受信フィルタ６１Ｒ〜６４Ｒと、整合回路３１、３２、４１、４２、及び７１〜７４と、スイッチ５１〜５５と、電源回路７６と、制御回路７７と、を備える。
電力増幅器１１は、第１周波数帯域群に属する通信バンドＡ及び通信バンドＢの高周波信号を増幅する。電力増幅器１１の入力端子は送信入力端子１１１に接続され、電力増幅器１１の出力端子は、整合回路３１に接続されている。
電力増幅器１２は、第１周波数帯域群よりも低周波側の第２周波数帯域群に属する通信バンドＣ及び通信バンドＤの高周波信号を増幅する。電力増幅器１２の入力端子は送信入力端子１１２に接続され、電力増幅器１２の出力端子は、整合回路３２に接続されている。
低雑音増幅器２１は、通信バンドＡ及び通信バンドＢの高周波信号を低雑音で増幅する。低雑音増幅器２１の入力端子は整合回路４１に接続され、低雑音増幅器２１の出力端子は、受信出力端子１２１に接続されている。
低雑音増幅器２２は、通信バンドＣ及び通信バンドＤの高周波信号を低雑音で増幅する。低雑音増幅器２２の入力端子は整合回路４２に接続され、低雑音増幅器２２の出力端子は、受信出力端子１２２に接続されている。
送信フィルタ６１Ｔは、電力増幅器１１とアンテナ接続端子１００とを結ぶ送信経路ＡＴに配置されている。送信フィルタ６１Ｔは、電力増幅器１１で増幅された高周波信号のうち、通信バンドＡのアップリンク帯域の高周波信号を通過させる。
送信フィルタ６２Ｔは、電力増幅器１１とアンテナ接続端子１００とを結ぶ送信経路ＢＴに配置されている。送信フィルタ６２Ｔは、電力増幅器１１で増幅された高周波信号のうち、通信バンドＢのアップリンク帯域の高周波信号を通過させる。
送信フィルタ６３Ｔは、電力増幅器１２とアンテナ接続端子１００とを結ぶ送信経路ＣＴに配置されている。送信フィルタ６３Ｔは、電力増幅器１２で増幅された高周波信号のうち、通信バンドＣのアップリンク帯域の高周波信号を通過させる。
送信フィルタ６４Ｔは、電力増幅器１２とアンテナ接続端子１００とを結ぶ送信経路ＤＴに配置されている。送信フィルタ６４Ｔは、電力増幅器１２で増幅された高周波信号のうち、通信バンドＤのアップリンク帯域の高周波信号を通過させる。
受信フィルタ６１Ｒは、低雑音増幅器２１とアンテナ接続端子１００とを結ぶ受信経路ＡＲに配置されている。受信フィルタ６１Ｒは、アンテナ接続端子１００から入力された高周波信号のうち、通信バンドＡのダウンリンク帯域の高周波信号を通過させる。
受信フィルタ６２Ｒは、低雑音増幅器２１とアンテナ接続端子１００とを結ぶ受信経路ＢＲに配置されている。受信フィルタ６２Ｒは、アンテナ接続端子１００から入力された高周波信号のうち、通信バンドＢのダウンリンク帯域の高周波信号を通過させる。
受信フィルタ６３Ｒは、低雑音増幅器２２とアンテナ接続端子１００とを結ぶ受信経路ＣＲに配置されている。受信フィルタ６３Ｒは、アンテナ接続端子１００から入力された高周波信号のうち、通信バンドＣのダウンリンク帯域の高周波信号を通過させる。
受信フィルタ６４Ｒは、低雑音増幅器２２とアンテナ接続端子１００とを結ぶ受信経路ＤＲに配置されている。受信フィルタ６４Ｒは、アンテナ接続端子１００から入力された高周波信号のうち、通信バンドＤのダウンリンク帯域の高周波信号を通過させる。
送信フィルタ６１Ｔ及び受信フィルタ６１Ｒは、通信バンドＡを通過帯域とするデュプレクサ６１を構成している。また、送信フィルタ６２Ｔ及び受信フィルタ６２Ｒは、通信バンドＢを通過帯域とするデュプレクサ６２を構成している。また、送信フィルタ６３Ｔ及び受信フィルタ６３Ｒは、通信バンドＣを通過帯域とするデュプレクサ６３を構成している。また、送信フィルタ６４Ｔ及び受信フィルタ６４Ｒは、通信バンドＤを通過帯域とするデュプレクサ６４を構成している。
なお、上記の送信フィルタ６１Ｔ〜６４Ｔ及び受信フィルタ６１Ｒ〜６４Ｒの各々は、例えば、弾性表面波フィルタ、ＢＡＷ（Bulk Acoustic Wave）を用いた弾性波フィルタ、ＬＣ共振フィルタ、及び誘電体フィルタのいずれであってもよく、さらには、これらには限定されない。
整合回路３１は、電力増幅器１１と送信フィルタ６１Ｔ及び６２Ｔとの間に接続されている。整合回路３１は、電力増幅器１１と送信フィルタ６１Ｔ及び６２Ｔとのインピーダンス整合をとる。
整合回路３２は、電力増幅器１２と送信フィルタ６３Ｔ及び６４Ｔとの間に接続されている。整合回路３２は、電力増幅器１２と送信フィルタ６３Ｔ及び６４Ｔとのインピーダンス整合をとる。
整合回路４１は、低雑音増幅器２１と受信フィルタ６１Ｒ及び６２Ｒとの間に接続されている。整合回路４１は、低雑音増幅器２１と受信フィルタ６１Ｒ及び６２Ｒとのインピーダンス整合をとる。
整合回路４２は、低雑音増幅器２２と受信フィルタ６３Ｒ及び６４Ｒとの間に接続されている。整合回路４２は、低雑音増幅器２２と受信フィルタ６３Ｒ及び６４Ｒとのインピーダンス整合をとる。
スイッチ５１は、整合回路３１と送信フィルタ６１Ｔ及び６２Ｔとの間に接続されている。スイッチ５１は、電力増幅器１１及び送信フィルタ６１Ｔの接続と、電力増幅器１１及び送信フィルタ６２Ｔの接続と、を切り替える。具体的には、スイッチ５１は、例えば、整合回路３１に接続された共通端子と、送信フィルタ６１Ｔに接続された第１端子と、送信フィルタ６２Ｔに接続された第２端子と、を備える。このような接続構成において、スイッチ５１は、例えばＲＦＩＣ３からの制御信号に基づいて、第１端子及び第２端子のいずれかを共通端子に接続することができる。これにより、電力増幅器１１と送信フィルタ６１Ｔとの接続と、電力増幅器１１と送信フィルタ６２Ｔとの接続と、が切り替えられる。スイッチ５１は、例えば、ＳＰＤＴ（Single Pole Double Throw）型のスイッチ回路で構成される。
スイッチ５２は、整合回路３２と送信フィルタ６３Ｔ及び６４Ｔとの間に接続されている。スイッチ５２は、電力増幅器１２及び送信フィルタ６３Ｔの接続と、電力増幅器１２及び送信フィルタ６４Ｔの接続と、を切り替える。具体的には、スイッチ５２は、例えば、整合回路３２に接続された共通端子と、送信フィルタ６３Ｔに接続された第１端子と、送信フィルタ６４Ｔに接続された第２端子と、を備える。このような接続構成において、スイッチ５２は、例えばＲＦＩＣ３からの制御信号に基づいて、第１端子及び第２端子のいずれかを共通端子に接続することができる。これにより、電力増幅器１２及び送信フィルタ６３Ｔの接続と、電力増幅器１２及び送信フィルタ６４Ｔの接続と、が切り替えられる。スイッチ５２は、例えば、ＳＰＤＴ型のスイッチ回路で構成される。
スイッチ５３は、整合回路４１と受信フィルタ６１Ｒ及び６２Ｒとの間に接続されている。スイッチ５３は、低雑音増幅器２１及び受信フィルタ６１Ｒの接続と、低雑音増幅器２１及び受信フィルタ６２Ｒの接続と、を切り替える。具体的には、スイッチ５３は、例えば、整合回路４１に接続された共通端子と、受信フィルタ６１Ｒに接続された第１端子と、受信フィルタ６２Ｒに接続された第２端子と、を備える。このような接続構成において、スイッチ５３は、例えばＲＦＩＣ３からの制御信号に基づいて、第１端子及び第２端子のいずれかを共通端子に接続することができる。これにより、低雑音増幅器２１及び受信フィルタ６１Ｒの接続と、低雑音増幅器２１及び受信フィルタ６２Ｒの接続と、が切り替えられる。スイッチ５３は、例えば、ＳＰＤＴ型のスイッチ回路で構成される。
スイッチ５４は、整合回路４２と受信フィルタ６３Ｒ及び６４Ｒとの間に接続されている。スイッチ５４は、低雑音増幅器２２及び受信フィルタ６３Ｒの接続と、低雑音増幅器２２及び受信フィルタ６４Ｒの接続と、を切り替える。スイッチ５４は、例えば、整合回路４２に接続された共通端子と、受信フィルタ６３Ｒに接続された第１端子と、受信フィルタ６４Ｒに接続された第２端子と、を備える。このような接続構成において、スイッチ５４は、例えばＲＦＩＣ３からの制御信号に基づいて、第１端子及び第２端子のいずれかを共通端子に接続することができる。これにより、低雑音増幅器２２及び受信フィルタ６３Ｒの接続と、低雑音増幅器２２及び受信フィルタ６４Ｒの接続と、が切り替えられる。スイッチ５４は、例えば、ＳＰＤＴ型のスイッチ回路で構成される。
スイッチ５５は、アンテナ接続端子１００と送信フィルタ６１Ｔ〜６４Ｔ及び受信フィルタ６１Ｒ〜６４Ｒとの間に接続されている。スイッチ５５は、（１）アンテナ接続端子１００と送信フィルタ６１Ｔ及び受信フィルタ６１Ｒとの接続、（２）アンテナ接続端子１００と送信フィルタ６２Ｔ及び受信フィルタ６２Ｒとの接続、（３）アンテナ接続端子１００と送信フィルタ６３Ｔ及び受信フィルタ６３Ｒとの接続、並びに、（４）アンテナ接続端子１００と送信フィルタ６４Ｔ及び受信フィルタ６４Ｒとの接続、を切り替える。スイッチ５５は、上記（１）〜（４）のうちの２以上の接続を同時に行うことが可能なマルチ接続型のスイッチ回路で構成される。
整合回路７１は、スイッチ５５と送信フィルタ６１Ｔ及び受信フィルタ６１Ｒとの間に接続されている。整合回路７１は、アンテナ２及びスイッチ５５と、送信フィルタ６１Ｔ及び受信フィルタ６１Ｒとのインピーダンス整合をとる。
整合回路７２は、スイッチ５５と送信フィルタ６２Ｔ及び受信フィルタ６２Ｒとの間に接続されている。整合回路７２は、アンテナ２及びスイッチ５５と、送信フィルタ６２Ｔ及び受信フィルタ６２Ｒとのインピーダンス整合をとる。
整合回路７３は、スイッチ５５と送信フィルタ６３Ｔ及び受信フィルタ６３Ｒとの間に接続されている。整合回路７３は、アンテナ２及びスイッチ５５と、送信フィルタ６３Ｔ及び受信フィルタ６３Ｒとのインピーダンス整合をとる。
整合回路７４は、スイッチ５５と送信フィルタ６４Ｔ及び受信フィルタ６４Ｒとの間に接続されている。整合回路７４は、アンテナ２及びスイッチ５５と、送信フィルタ６４Ｔ及び受信フィルタ６４Ｒとのインピーダンス整合をとる。
電源回路７６は、電源端子１３１に接続されている。電源回路７６は、電源端子１３１を介して電源（図示せず）から電力の供給を受けて、スイッチ５１〜５５、電力増幅器１１及び１２並びに低雑音増幅器２１及び２２の少なくとも１つに電源信号を出力する。なお、電源回路７６は、他の電子部品に電源信号を出力してもよい。
電源信号とは、高周波モジュール１に含まれる電子部品に電力を供給するための信号である。例えば、電源信号は、電力増幅器１１及び１２に電源電圧及び／又はバイアス電流を供給するための信号である。また、電源信号は、例えば、スイッチ５１〜５５に駆動電力を供給するための信号であってもよい。
制御回路７７は、制御端子１３２に接続されている。制御回路７７は、制御端子１３２を介してＲＦＩＣ３から制御信号を受けて、スイッチ５１〜５５、電力増幅器１１及び１２並びに低雑音増幅器２１及び２２の少なくとも１つに制御信号を出力する。なお、制御回路７７は、他の電子部品に制御信号を出力してもよい。
制御信号とは、高周波モジュール１に含まれる電子部品を制御するための信号である。具体的には、制御信号は、例えば、電力増幅器１１及び１２と、低雑音増幅器２１及び２２と、スイッチ５１〜５５との少なくとも１つを制御するためのディジタル信号である。
上記高周波モジュール１の構成において、電力増幅器１１、整合回路３１、スイッチ５１、並びに、送信フィルタ６１Ｔ及び６２Ｔは、アンテナ接続端子１００に向けて通信バンドＡ及び通信バンドＢの高周波送信信号を出力する第１送信回路を構成する。また、電力増幅器１２、整合回路３２、スイッチ５２、並びに、送信フィルタ６３Ｔ及び６４Ｔは、アンテナ接続端子１００に向けて通信バンドＣ及び通信バンドＤの高周波信号を出力する第２送信回路を構成する。第１送信回路及び第２送信回路は、アンテナ接続端子１００に向けて通信バンドＡ〜Ｄの高周波信号を出力する送信回路を構成する。
また、上記高周波モジュール１の構成において、低雑音増幅器２１、整合回路４１、スイッチ５３、並びに、受信フィルタ６１Ｒ及び６２Ｒは、アンテナ２からアンテナ接続端子１００を介して通信バンドＡ及び通信バンドＢの高周波信号を入力する第１受信回路を構成する。また、低雑音増幅器２２、整合回路４２、スイッチ５４、並びに、受信フィルタ６３Ｒ及び６４Ｒは、アンテナ２からアンテナ接続端子１００を介して通信バンドＣ及び通信バンドＤの高周波受信信号を入力する第２受信回路を構成する。第１受信回路及び第２受信回路は、アンテナ接続端子１００から通信バンドＡ〜Ｄの高周波信号を入力する受信回路を構成する。
なお、第２送信回路及び第２受信回路は、例えば、ローバンド群に属する通信バンドの高周波信号を伝送する回路である。ローバンド群は、４Ｇ及び５Ｇに対応した複数の通信バンドで構成された周波数帯域群であり、例えば、１ＧＨｚ以下の周波数範囲を有している。ローバンド群は、例えば、ＬＴＥのためのバンドＢ５（アップリンク：８２４−８４９ＭＨｚ、ダウンリンク：８６９−８９４ＭＨｚ）、バンドＢ８（アップリンク：８８０−９１５ＭＨｚ、ダウンリンク：９２５−９６０ＭＨｚ）、及びバンドＢ２８（アップリンク：７０３−７４８ＭＨｚ、ダウンリンク：７５３−８０３ＭＨｚ）等の通信バンドで構成される。
また、第１送信回路及び第１受信回路は、例えば、ミドルバンド群に属する通信バンドの高周波信号を伝送する回路である。ミドルバンド群は、４Ｇ及び５Ｇに対応した複数の通信バンドで構成された周波数帯域群であり、ローバンド群よりも高周波数側に位置しており、例えば、１．５−２．２ＧＨｚの周波数範囲を有している。ミドルバンド群は、例えば、ＬＴＥのためのバンドＢ１（アップリンク：１９２０−１９８０ＭＨｚ、ダウンリンク：２１１０−２１７０ＭＨｚ）、バンドＢ３９（１８８０−１９２０ＭＨｚ）、及びバンドＢ６６（アップリンク：１７１０−１７８０ＭＨｚ、ダウンリンク：２１１０−２２００ＭＨｚ）等の通信バンドで構成される。
また、第１送信回路及び第１受信回路は、例えば、ハイバンド群に属する通信バンドの送信信号及び受信信号を伝送する回路であってもよい。ハイバンド群は、４Ｇ及び５Ｇに対応した複数の通信バンドで構成された周波数帯域群であり、ミドルバンド群よりも高周波数側に位置しており、例えば、２．４−２．８ＧＨｚの周波数範囲を有している。ハイバンド群は、例えば、ＬＴＥのためのバンドＢ７（アップリンク：２５００−２５７０ＭＨｚ、ダウンリンク：２６２０−２６９０ＭＨｚ）、及びバンドＢ４１（２４９６−２６９０ＭＨｚ）等の通信バンドで構成される。
上記回路構成によれば、本実施の形態に係る高周波モジュール１は、通信バンドＡ及び通信バンドＢのいずれかの通信バンドの高周波信号と、通信バンドＣ及び通信バンドＤのいずれかの通信バンドの高周波信号とを、同時送信、同時受信、及び同時送受信の少なくともいずれかを実行することが可能である。
なお、送信回路及び受信回路は、スイッチ５５を介してアンテナ接続端子１００に接続されていなくてもよい。例えば、送信回路及び受信回路は、互いに異なるアンテナ接続端子を介して互いに異なるアンテナに接続されていてもよい。
また、本発明に係る高周波モジュールは、回路構成として、少なくとも２つの回路素子（例えば、電力増幅器１１及び低雑音増幅器２１）を有していればよく、他の回路素子を有しなくてもよい。
［１．２ 高周波モジュール１の部品配置］
次に、以上のように構成された高周波モジュール１の部品配置について、図２及び図３を参照しながら具体的に説明する。
なお、以下の部品配置の説明において、「モジュール基板の平面視」とは、ｚ方向からｘｙ平面に物体を正投影して見ることを意味する。また、「部品がモジュール基板の主面に配置される」とは、部品がモジュール基板の主面と接触した状態で主面上に配置されることだけでなく、部品が主面と接触せずに主面の上方に配置されること、及び、部品の一部が主面側から基板内に埋め込まれて配置されることを含む。また、「ＡがＢ及びＣの間に配置されている」とは、Ｂ内の任意の点とＣ内の任意の点とを結ぶ線分の少なくとも１つがＡ内を通ることを意味する。
図２は、実施の形態１に係る高周波モジュール１の平面図である。図２において、（ａ）はｚ軸正側からモジュール基板９１の主面９１ａを見た図を示し、（ｂ）は、ｚ軸正側からモジュール基板９１の主面９１ｂを透視した図を示す。図３は、実施の形態１に係る高周波モジュール１の断面図である。図３における高周波モジュール１の断面は、図２のｉｉｉ−ｉｉｉ線における断面である。
本実施の形態では、高周波モジュール１は、樹脂部材９２及び９３によりパッケージ化されているが、図２では、部品を図示するために樹脂部材９２及び９３の記載が省略されている。
図２及び図３に示すように、高周波モジュール１は、図１に示された回路素子を内蔵する電子部品に加えて、さらに、メッキシールド壁８２及び８３と、モジュール基板９１と、樹脂部材９２及び９３と、複数のポスト電極１５０と、を備える。
モジュール基板９１は、互いに対向する主面９１ａ及び９１ｂを有する。主面９１ａ及び９１ｂには、上記送信回路及び上記受信回路を構成する部品が配置される。モジュール基板９１としては、例えば、複数の誘電体層の積層構造を有する低温同時焼成セラミックス（ＬＴＣＣ：Low Temperature Co-fired Ceramics）基板、高温同時焼成セラミックス（ＨＴＣＣ：High Temperature Co-fired Ceramics）基板、部品内蔵基板、再配線層（ＲＤＬ：Redistribution Layer）を有する基板、又は、プリント基板等を用いることができるが、これらに限定されない。
モジュール基板９１の主面９１ａは、第１主面の一例であり、上面又は表面と呼ばれる場合がある。主面９１ａには、図２の（ａ）に示すように、電力増幅器１１及び１２と、整合回路３１、３２、４１、４２、７１及び７２と、デュプレクサ６１〜６４と、が配置されている。これらの主面９１ａ上の部品は、いずれも第１電子部品の一例であり、図３に示すように樹脂部材９２で封止されている。
整合回路３１、３２、４１、４２、７１及び７２の各々は、インダクタ、及び／又は、キャパシタを含む。図２では、整合回路３１、３２、４１及び４２の各々は、インダクタ及びキャパシタの両方を含む。一方、整合回路７１及び７２の各々は、インダクタを含むが、キャパシタを含まない。なお、整合回路３１、３２、４１、４２、７１及び７２の各々の構成は、これに限定されない。例えば、整合回路３１、３２、４１及び４２の各々は、キャパシタを含まなくてもよく、整合回路７１及び７２の各々は、キャパシタを含んでもよい。
モジュール基板９１の主面９１ｂは、第２主面の一例であり、下面又は裏面と呼ばれる場合がある。主面９１ｂには、図２の（ｂ）に示すように、低雑音増幅器２１及び２２と、スイッチ５１、５２及び５５と、メッキシールド壁８２及び８３と、複数のポスト電極１５０と、が配置されている。これらの主面９１ｂ上の部品は、いずれも第２電子部品の一例であり、図３に示すように樹脂部材９３で封止されている。
図２の（ｂ）では、スイッチ５１及び５２は、１つの部品に含まれ、低雑音増幅器２１及び２２並びにスイッチ５５は、別々の部品に含まれる。なお、低雑音増幅器２１及び２２とスイッチ５１、５２及び５５とは、１つの半導体集積回路に含まれてもよい。この場合、半導体集積回路は、例えば、ＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）で構成され、具体的にはＳＯＩ（Silicon on Insulator）プロセスにより構成されてもよい。これにより、半導体集積回路を安価に製造することが可能となる。なお、半導体集積回路は、ＧａＡｓ、ＳｉＧｅ及びＧａＮのうちの少なくとも１つで構成されてもよい。これにより、高品質な増幅性能及び雑音性能を有する低雑音増幅器を実現することが可能となる。
複数のポスト電極１５０は、複数の外部接続端子の一例であり、モジュール基板９１の主面９１ｂの外縁に沿って並んでいる。複数のポスト電極１５０の各々は、主面９１ｂからｚ軸負側に突出して、樹脂部材９３を貫通している。複数のポスト電極１５０の各々の一端は、樹脂部材９３から露出して、高周波モジュール１のｚ軸負側に配置されたマザー基板上の入出力端子及び／又はグランド電極等に接続される。複数のポスト電極１５０は、第１ポスト電極１５１と、第２ポスト電極１５２と、第３ポスト電極１５３と、第４ポスト電極１５４と、を含む。
第１ポスト電極１５１は、第１高周波信号を入力又は出力する第１外部接続端子の一例である。つまり、第１ポスト電極１５１は、第１高周波信号を伝送するための端子（例えば、図１のアンテナ接続端子１００）として機能する。なお、第１ポスト電極１５１は、アンテナ接続端子１００に限定されず、他の端子（例えば、送信入力端子１１１若しくは１１２、又は、受信出力端子１２１若しくは１２２）として機能してもよい。
第２ポスト電極１５２は、電源信号を入力する第２外部接続端子の一例である。つまり、第２ポスト電極１５２は、電源信号を伝送するための端子（例えば、図１の電源端子１３１）として機能する。図２の（ｂ）に示すように、モジュール基板９１の平面視において、第２ポスト電極１５２は、メッキシールド壁８２で囲まれている。
第３ポスト電極１５３は、制御信号を入力する第２外部接続端子又は第３外部接続端子の一例である。つまり、第３ポスト電極１５３は、制御信号を伝送するための端子（例えば、図１の制御端子１３２）として機能する。図２の（ｂ）に示すように、モジュール基板９１の平面視において、第３ポスト電極１５３は、メッキシールド壁８３で囲まれている。
第４ポスト電極１５４は、第２高周波信号を入力又は出力する第２外部接続端子の一例である。つまり、第４ポスト電極１５４は、第２高周波信号を伝送するための端子（例えば、図１の送信入力端子１１１若しくは１１２、又は、受信出力端子１２１若しくは１２２）として機能する。
メッキシールド壁８２は、第１金属壁の一例であり、グランド電位に設定されている。本実施の形態では、メッキシールド壁８２は、図３に示すように、ビア導体を介してモジュール基板９１内のグランド導体９３Ｇと接続されることで、グランド電位に設定されている。メッキシールド壁８２は、モジュール基板９１の主面９１ｂからｚ軸負側に突出している。メッキシールド壁８２の主面９１ｂからの高さは、第２ポスト電極１５２の主面９１ｂからの高さ以上である。
また、図２の（ｂ）に示すように、モジュール基板９１の平面視において、メッキシールド壁８２は、第２ポスト電極１５２を囲っている。第２ポスト電極１５２は、矩形筒状のメッキシールド壁８２の内部に、メッキシールド壁８２と非接触で配置されている。これにより、メッキシールド壁８２の一部は、第１ポスト電極１５１と第２ポスト電極１５２との間に配置されている。さらに、メッキシールド壁８２の他の一部は、第２ポスト電極１５２と第４ポスト電極１５４との間に配置されている。
メッキシールド壁８３は、第２金属壁の一例であり、グランド電位に設定されている。本実施の形態では、メッキシールド壁８３は、図３に示すように、ビア導体を介してモジュール基板９１内のグランド導体９３Ｇと接続されることで、グランド電位に設定されている。メッキシールド壁８３は、モジュール基板９１の主面９１ｂからｚ軸負側に突出している。メッキシールド壁８３の主面９１ｂからの高さは、第３ポスト電極１５３の主面９１ｂからの高さ以上である。
また、図２の（ｂ）に示すように、モジュール基板９１の平面視において、メッキシールド壁８３は、第３ポスト電極１５３を囲っている。第３ポスト電極１５３は、矩形筒状のメッキシールド壁８３の内部に、メッキシールド壁８３と非接触で配置されている。これにより、メッキシールド壁８３の一部は、第１ポスト電極１５１と第３ポスト電極１５３との間に配置されている。さらに、メッキシールド壁８３の他の一部は、第３ポスト電極１５３と第４ポスト電極１５４との間に配置されている。
なお、図２及び図３の例では、第２ポスト電極１５２及び第３ポスト電極１５３の両方が個別にメッキシールド壁８２及び８３で囲まれているが、これに限定されない。例えば、第２ポスト電極１５２及び第３ポスト電極１５３の一方のみがメッキシールド壁８２又は８３で囲まれてもよい。また、第２ポスト電極１５２及び第３ポスト電極１５３の両方が１つのメッキシールド壁で囲まれてもよい。
本実施の形態では、複数のポスト電極１５０とメッキシールド壁８２及び８３とは、メッキ金属からなる。言い換えると、複数のポスト電極１５０とメッキシールド壁８２及び８３とは、メッキ法によりメッキ成長した金属体である。複数のポスト電極１５０とメッキシールド壁８２及び８３とは、例えば、次のような工程により形成することができる。
まず、モジュール基板９１の主面９１ｂ上の所定領域に、感光性レジストなどで凹部を形成することでメッキの下地となるシード層が露出される。次に、露出されたシード層上に金又は銅等の金属を電界メッキにて成長させることで、複数のポスト電極１５０とメッキシールド壁８２及び８３とが同時に形成される。
なお、スイッチ５３及び５４、整合回路７３及び７４、電源回路７６、並びに、制御回路７７は、図２及び図３に示されていないが、モジュール基板９１の主面９１ａ及び９１ｂのどちらに配置されてもよいし、モジュール基板９１内に配置されてもよい。
また、本発明に係る高周波モジュールは、モジュール基板９１と、モジュール基板９１の主面９１ａに配置された電子部品のいずれか（例えば、電力増幅器１１）と、モジュール基板９１の主面９１ｂに配置された電子部品のいずれか（例えば、低雑音増幅器２１）と、複数のポスト電極１５０と、メッキシールド壁８２又は８３と、を少なくとも有していればよく、他の部品を有しなくてもよい。
［１．３ 効果など］
以上のように、本実施の形態に係る高周波モジュール１は、互いに対向する主面９１ａ及び主面９１ｂを有するモジュール基板９１と、主面９１ａに配置された第１電子部品（例えば電力増幅器１１又は１２）と、主面９１ｂに配置された第２電子部品（例えば低雑音増幅器２１又は２２）と、主面９１ｂに配置された複数のポスト電極１５０と、主面９１ｂに配置され、グランド電位に設定されたメッキシールド壁８２と、を備え、複数のポスト電極１５０は、第１高周波信号を入力又は出力する第１ポスト電極１５１と、電源信号を入力する第２ポスト電極１５２と、を含み、モジュール基板９１の平面視において、第１ポスト電極１５１及び第２ポスト電極１５２の一方は、メッキシールド壁８２で囲まれており、メッキシールド壁８２の少なくとも一部は、第１ポスト電極１５１及び第２ポスト電極１５２の間に配置されている。
これによれば、第１電子部品及び第２電子部品をモジュール基板９１の両面に配置することができ、高周波モジュール１の小型化を図ることができる。そして、第１ポスト電極１５１及び第２ポスト電極１５２をメッキシールド壁８２で隔てることで、第１ポスト電極１５１で伝送される第１高周波信号に、第２ポスト電極１５２で伝送される電源信号がノイズとして流入することを抑制することができる。つまり、両面実装型の高周波モジュール１において、外部接続端子を流れる高周波信号へのノイズの流入を抑制することができ、高周波モジュール１の電気特性（例えば雑音指数（ＮＦ）など）を改善することができる。
また例えば、本実施の形態に係る高周波モジュール１において、メッキシールド壁８２の少なくとも一部は、メッキ金属からなってもよい。
これによれば、メッキ工程によりメッキシールド壁８２を形成することができ、スパッタ工程などに比べて高周波モジュール１に対する熱負荷を抑えることできる。したがって、熱による電子部品の特性変化及びモジュール基板９１の変形などを抑制することができる。さらに、比較的高密度なメッキ金属を壁に用いることができ、第２ポスト電極１５２から第１ポスト電極１５１へのノイズの流入をさらに抑制することができる。
また例えば、本実施の形態に係る高周波モジュール１において、複数のポスト電極１５０は、メッキ金属からなってもよい。
これによれば、メッキシールド壁８２を複数のポスト電極１５０と同じ工程で形成することができ、高周波モジュール１の製造工程を簡素化することができる。
また例えば、本実施の形態に係る高周波モジュール１では、メッキシールド壁８２の主面９１ｂからの高さは、第２ポスト電極１５２の主面９１ｂからの高さ以上であってもよい。
これによれば、第２ポスト電極１５２の両端を除いて第２ポスト電極１５２をメッキシールド壁８２で包囲することができ、メッキシールド壁８２によるシールド効果を向上させることができる。
また例えば、本実施の形態に係る高周波モジュール１は、さらに、主面９１ｂに配置され、グランド電位に設定されたメッキシールド壁８３を備えてもよい。このとき、複数のポスト電極１５０は、さらに、制御信号を入力する第３ポスト電極１５３を含み、モジュール基板９１の平面視において、第３ポスト電極１５３は、メッキシールド壁８３で囲まれており、メッキシールド壁８３の少なくとも一部は、第１ポスト電極１５１及び第３ポスト電極１５３の間に位置してもよい。
これによれば、第１ポスト電極１５１で伝送される第１高周波信号に、第３ポスト電極１５３で伝送される制御信号がノイズとして流入することを抑制することができる。つまり、第１ポスト電極１５１を流れる信号と第３ポスト電極１５３を流れる信号との間の干渉を抑制することができる。特に、制御信号がディジタル信号である場合に、第１高周波信号へのディジタルノイズの流入を低減することができ、高周波モジュール１の電気特性をより改善することができる。
また例えば、本実施の形態に係る高周波モジュール１において、第１電子部品は、電力増幅器１１を含み、第２電子部品は、低雑音増幅器２１を含んでもよい。
これによれば、電力増幅器１１及び低雑音増幅器２１をモジュール基板９１の逆面に配置することができ、高周波モジュール１の小型化を図るとともに、電力増幅器１１及び低雑音増幅器２１の間のアイソレーション特性を向上させることができる。
本実施の形態に係る通信装置５は、高周波信号を処理するＲＦＩＣ３と、ＲＦＩＣ３で処理された高周波信号を伝送する高周波モジュール１と、を備える。
これによれば、通信装置５において、上記高周波モジュール１と同様の効果を実現することができる。
（実施の形態２）
次に、実施の形態２について説明する。本実施の形態では、高周波信号を入力又は出力する第１ポスト電極がメッキシールド壁で囲まれている点が上記実施の形態１と主として異なる。以下に、本実施の形態について、上記実施の形態１と異なる点を中心に図面を参照しながら説明する。
［２．１ 高周波モジュール１Ａの部品配置］
本実施の形態に係る高周波モジュール１Ａの回路構成は実施の形態１と同様であるので、図示及び説明を省略し、高周波モジュール１の部品配置について、図４を参照しながら具体的に説明する。
図４は、実施の形態２に係る高周波モジュール１Ａの平面図である。具体的には、図４は、ｚ軸正側からモジュール基板９１の主面９１ｂを透視した図を示す。なお、上記実施の形態１と同様に、図４では、樹脂部材９３の記載が省略されている。
図４に示すように、本実施の形態に係る高周波モジュール１Ａは、メッキシールド壁８２及び８３の代わりにメッキシールド壁８１を備える。
メッキシールド壁８１は、グランド電位に設定された第１金属壁の一例である。モジュール基板９１の平面視において、メッキシールド壁８１は、第１ポスト電極１５１を囲っている。そして、メッキシールド壁８１の主面９１ｂからの高さは、第１ポスト電極１５１の主面９１ｂからの高さ以上である。その結果、メッキシールド壁８１は、第１ポスト電極１５１と、他のポスト電極（例えば、第２ポスト電極１５２、第３ポスト電極１５３及び第４ポスト電極１５４等）との間に配置されている。
［２．２ 効果など］
以上のように、本実施の形態に係る高周波モジュール１では、モジュール基板９１の平面視において、第１ポスト電極１５１は、メッキシールド壁８１で囲まれてもよい。
これによれば、第１高周波信号を入力又は出力する第１ポスト電極１５１をメッキシールド壁８１で囲むことができ、他のポスト電極（例えば、第２ポスト電極１５２及び第３ポスト電極１５３等）から第１ポスト電極１５１へのノイズの流入を抑制することができる。さらに、他のポスト電極以外から第１ポスト電極１５１に流入するノイズも抑制することができ、高周波モジュール１の電気特性を改善することができる。
（実施の形態３）
次に、実施の形態３について説明する。本実施の形態では、高周波モジュールがシールド膜を備える点が、上記実施の形態１と主として異なる。以下に、本実施の形態について、上記実施の形態１と異なる点を中心に図面を参照しながら説明する。
［３．１ 高周波モジュール１Ｂの部品配置］
本実施の形態に係る高周波モジュール１Ｂの回路構成は実施の形態１と同様であるので、図示及び説明を省略し、高周波モジュール１Ｂの部品配置について、図５及び図６を参照しながら具体的に説明する。
図５は、実施の形態３に係る高周波モジュール１Ｂの平面図である。具体的には、図５は、ｚ軸正側からモジュール基板９１の主面９１ｂを透視した図を示す。なお、上記実施の形態１と同様に、図５では、樹脂部材９３の記載が省略されている。図６は、実施の形態３に係る高周波モジュール１Ｂの断面図である。図６における高周波モジュール１Ｂの断面は、図５のｖｉ−ｖｉ線における断面である。
図５及び図６に示すように、本実施の形態に係る高周波モジュール１Ｂは、メッキシールド壁８２及び８３の代わりに、メッキシールド壁８２Ｂ及び８３Ｂを備え、さらに、シールド膜９４Ｇを備える。
シールド膜９４Ｇは、例えば、スパッタ法により形成された金属薄膜であり、モジュール基板９１の主面９１ａ及び側面を覆っている。シールド膜９４Ｇは、例えば、モジュール基板９１の側面においてグランド導体９３Ｇと接続される。
図５に示すように、モジュール基板９１の平面視において、第２ポスト電極１５２は、シールド膜９４Ｇ及びメッキシールド壁８２Ｂで囲まれている。また、モジュール基板９１の平面視において、第３ポスト電極１５３は、シールド膜９４Ｇ及びメッキシールド壁８３Ｂで囲まれている。つまり、シールド膜９４Ｇは、第２ポスト電極１５２を囲う第１金属壁の一部を構成し、第３ポスト電極１５３を囲う第２金属壁の一部を構成している。
［３．２ 効果など］
以上のように、本実施の形態に係る高周波モジュール１Ｂは、さらに、モジュール基板９１の主面９１ａ及び側面を覆うシールド膜９４Ｇを備えてもよく、第１金属壁の一部は、シールド膜９４Ｇによって構成されていてもよい。
これによれば、シールド膜９４Ｇで金属壁の一部を構成することができ、上記実施の形態１と同様の効果を実現することができる。
（実施の形態４）
次に、実施の形態４について説明する。本実施の形態では、メッキシールド壁が、複数のポスト電極を囲う点が、上記実施の形態１と主として異なる。以下に、本実施の形態について、上記実施の形態１と異なる点を中心に図面を参照しながら説明する。
［４．１ 高周波モジュール１Ｃの部品配置］
本実施の形態に係る高周波モジュール１Ｃの回路構成は実施の形態１と同様であるので、図示及び説明を省略し、高周波モジュール１Ｃの部品配置について、図７を参照しながら具体的に説明する。
図７は、実施の形態４に係る高周波モジュール１Ｃの平面図である。具体的には、図７は、ｚ軸正側からモジュール基板９１の主面９１ｂを透視した図を示す。なお、上記実施の形態１と同様に、図７では、樹脂部材９３の記載が省略されている。
図７に示すように、本実施の形態に係る高周波モジュール１Ｃは、メッキシールド壁８２及び８３の代わりに、メッキシールド壁８２Ｃ及び８３Ｃを備える。
メッキシールド壁８２Ｃは、第１金属壁の一例であり、モジュール基板９１の平面視において、第２ポスト電極１５２を含む３つのポスト電極１５０を囲んでいる。３つのポスト電極１５０は、第１ポスト電極１５１を含まず、例えばグランド電極及び／又は他の電源信号の入出力電極を含んでもよい。メッキシールド壁８２Ｃは、第１ポスト電極１５１及び第２ポスト電極１５２の間に配置されている。
メッキシールド壁８３Ｃは、第２金属壁の一例であり、モジュール基板９１の平面視において、複数のポスト電極１５０のうちの、第３ポスト電極１５３を含む５つのポスト電極を囲んでいる。５つのポスト電極は、第１ポスト電極１５１を含まなければよく、例えばグランド電極及び／又は他の制御信号の入出力電極を含んでもよい。メッキシールド壁８３Ｃは、第１ポスト電極１５１及び第３ポスト電極１５３の間に配置されている。
［４．２ 効果など］
以上のように、本実施の形態に係る高周波モジュール１Ｃにおいて、複数のポスト電極１５０のうちのいくつかは、メッキシールド壁８２Ｃで囲まれており、第１ポスト電極１５１及び第２ポスト電極１５２のうちの一方を含み、他方を含まない。
また例えば、本実施の形態に係る高周波モジュール１Ｃにおいて、複数のポスト電極１５０のうちのいくつかは、メッキシールド壁８３Ｃで囲まれており、第１ポスト電極１５１及び第３ポスト電極１５３のうちの一方を含み、他方を含まなくてもよい。
このような場合でも、高周波モジュール１Ｃは、上記実施の形態１と同様の効果を実現することができる。
（実施の形態５）
次に、実施の形態５について説明する。本実施の形態では、高周波モジュールが、複数のポスト電極の代わりに、複数のバンプ電極を備える点が、上記実施の形態１と主として異なる。以下に、本実施の形態について、上記実施の形態１と異なる点を中心に図面を参照しながら説明する。
［５．１ 高周波モジュール１Ｄの部品配置］
本実施の形態に係る高周波モジュール１Ｄの回路構成は実施の形態１と同様であるので、図示及び説明を省略し、高周波モジュール１Ｄの部品配置について、図８及び図９を参照しながら具体的に説明する。
図８は、実施の形態５に係る高周波モジュール１Ｄの平面図である。具体的には、図８は、ｚ軸正側からモジュール基板９１の主面９１ｂを透視した図を示す。図９は、実施の形態５に係る高周波モジュール１Ｄの断面図である。図９における高周波モジュール１Ｄの断面は、図８のｉｘ−ｉｘ線における断面である。
図８及び図９に示すように、本実施の形態に係る高周波モジュール１Ｄは、第１ポスト電極１５１〜第４ポスト電極１５４を含む複数のポスト電極１５０の代わりに、第１バンプ電極１６１〜第４バンプ電極１６４を含む複数のバンプ電極１６０を備える。本実施の形態では、高周波モジュール１Ｄは、主面９１ｂ側に樹脂部材９３を備えなくてもよい。
［５．２ 効果など］
以上のように、本実施の形態に係る高周波モジュール１Ｄにおいて、複数の外部接続端子として、複数のバンプ電極１６０を備えてもよい。
この場合であっても、高周波モジュール１Ｄは、上記実施の形態１と同様の効果を実現することができる。
（他の実施の形態）
以上、本発明に係る高周波モジュール及び通信装置について、実施の形態に基づいて説明したが、本発明に係る高周波モジュール及び通信装置は、上記実施の形態に限定されるものではない。上記実施の形態における任意の構成要素を組み合わせて実現される別の実施の形態や、上記実施の形態に対して本発明の主旨を逸脱しない範囲で当業者が思いつく各種変形を施して得られる変形例や、上記高周波モジュール及び通信装置を内蔵した各種機器も本発明に含まれる。
例えば、上記各実施の形態に係る高周波モジュール及び通信装置の回路構成において、図面に開示された各回路素子及び信号経路を接続する経路の間に、別の回路素子及び配線などが挿入されてもよい。
なお、上記実施の形態１と上記実施の形態２とが組み合わされてもよい。この場合、第１ポスト電極１５１、第２ポスト電極１５２及び第３ポスト電極１５３の各々がメッキシールド壁で囲まれる。また、上記実施の形態２と上記実施の形態３、４又は５とが組み合わされてもよい。なお、これらの組み合わせに限定されず、実施の形態１〜５は、任意に組み合わせることができる。
なお、上記各実施の形態では、メッキシールド壁は、モジュール基板内のグランド導体と接続されていたが、これに限定されない。例えば、メッキシールド壁は、モジュール基板のｚ軸負側に配置されるマザー基板上のグランド導体と接続されてもよい。
また、メッキシールド壁の形状は、上記各実施の形態に限定されない。メッキシールド壁は、曲面を有してもよく、例えば円筒状又は楕円筒状を有してもよい。
なお、上記各実施の形態では、金属壁の少なくとも一部がメッキ金属からなっていたが、これに限定されない。例えば、金属壁は、金属ペーストの塗布により形成されてもよい。また、金属壁は、予め成形された金属部材をモジュール基板９１の主面９１ｂに接着することに形成されてもよい。
なお、上記実施の形態１〜４では、第１ポスト電極１５１、又は、第２ポスト電極１５２及び第３ポスト電極１５３が、メッキシールド壁で囲まれていたが、これに限定されない。例えば、第１ポスト電極１５１〜第３ポスト電極１５３の各々がメッキシールド壁で囲まれてもよい。さらに、第４ポスト電極１５４がメッキシールド壁で囲まれてもよい。つまり、第１ポスト電極１５１〜第４ポスト電極１５４のいずれか、又は、それらの任意の組み合わせがメッキシールド壁で囲まれてもよい。
なお、上記各実施の形態では、高周波モジュールは、１つの制御端子及び１つの電源端子を備えていたが、制御端子の数及び電源端子の数はこれに限定されない。例えば、高周波モジュールは、制御信号及び電源信号が供給される部品ごとに制御端子及び電源端子を備えてもよい。この場合、高周波モジュールは、制御回路及び電源回路を備えなくてもよい。
本発明は、フロントエンド部に配置される高周波モジュールとして、携帯電話などの通信機器に広く利用できる。
１、１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄ 高周波モジュール
２ アンテナ
３ ＲＦＩＣ
４ ＢＢＩＣ
５ 通信装置
１１、１２ 電力増幅器
２１、２２ 低雑音増幅器
３１、３２、４１、４２、７１、７２、７３、７４ 整合回路
５１、５２、５３、５４、５５ スイッチ
６１、６２、６３、６４ デュプレクサ
６１Ｒ、６２Ｒ、６３Ｒ、６４Ｒ 受信フィルタ
６１Ｔ、６２Ｔ、６３Ｔ、６４Ｔ 送信フィルタ
７６ 電源回路
７７ 制御回路
８１、８２、８２Ｂ、８２Ｃ、８３、８３Ｂ、８３Ｃ メッキシールド壁
９１ モジュール基板
９１ａ、９１ｂ 主面
９２、９３ 樹脂部材
９３Ｇ グランド導体
９４Ｇ シールド膜
１００ アンテナ接続端子
１１１、１１２ 送信入力端子
１２１、１２２ 受信出力端子
１３１ 電源端子
１３２ 制御端子
１５０ ポスト電極
１５１ 第１ポスト電極
１５２ 第２ポスト電極
１５３ 第３ポスト電極
１５４ 第４ポスト電極
１６０ バンプ電極
１６１ 第１バンプ電極
１６２ 第２バンプ電極
１６３ 第３バンプ電極
１６４ 第４バンプ電極

Claims (10)

  1. 互いに対向する第１主面及び第２主面を有するモジュール基板と、
    前記第１主面に配置された第１電子部品と、
    前記第２主面に配置された第２電子部品と、
    前記第２主面に配置された複数の外部接続端子と、
    前記第２主面に配置され、グランド電位に設定された第１金属壁と、を備え、
    前記複数の外部接続端子は、第１高周波信号を入力又は出力する第１外部接続端子と、電源信号、制御信号及び第２高周波信号のいずれかを入力又は出力する第２外部接続端子と、を含み、
    前記モジュール基板の平面視において、前記第１外部接続端子及び前記第２外部接続端子のうちの一方は、前記第１金属壁で囲まれており、
    前記第１金属壁の少なくとも一部は、前記第１外部接続端子及び前記第２外部接続端子の間に配置されている、
    高周波モジュール。
  2. 前記第１金属壁の少なくとも一部は、メッキ金属からなる、
    請求項１に記載の高周波モジュール。
  3. 前記複数の外部接続端子は、メッキ金属からなる、
    請求項２に記載の高周波モジュール。
  4. 前記第１金属壁の前記第２主面からの高さは、前記第１外部接続端子及び前記第２外部接続端子のうちの前記一方の前記第２主面からの高さ以上である、
    請求項１〜３のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
  5. 前記モジュール基板の平面視において、前記第２外部接続端子は、前記第１金属壁で囲まれている、
    請求項１〜４のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
  6. さらに、前記第２主面に配置され、グランド電位に設定された第２金属壁を備え、
    前記第２外部接続端子は、前記電源信号を入力する端子であり、
    前記複数の外部接続端子は、さらに、前記制御信号を入力する第３外部接続端子を含み、
    前記モジュール基板の平面視において、前記第３外部接続端子は、前記第２金属壁で囲まれており、
    前記第２金属壁の少なくとも一部は、前記第１外部接続端子及び前記第３外部接続端子の間に配置されている、
    請求項１〜５のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
  7. 前記モジュール基板の平面視において、前記第１外部接続端子は、前記第１金属壁で囲まれている、
    請求項１〜６のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
  8. さらに、前記モジュール基板の前記第１主面及び側面を覆うシールド膜を備え、
    前記第１金属壁の一部は、前記シールド膜によって構成されている、
    請求項１〜７のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
  9. 前記第１電子部品は、電力増幅器を含み、
    前記第２電子部品は、低雑音増幅器を含む、
    請求項１〜８のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
  10. 高周波信号を処理する信号処理回路と、
    前記信号処理回路で処理された前記高周波信号を伝送する、請求項１〜９のいずれか１項に記載の高周波モジュールと、を備える、
    通信装置。
JP2020022211A 2020-02-13 2020-02-13 高周波モジュール及び通信装置 Pending JP2021129194A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020022211A JP2021129194A (ja) 2020-02-13 2020-02-13 高周波モジュール及び通信装置
KR1020210012780A KR102538385B1 (ko) 2020-02-13 2021-01-29 고주파 모듈 및 통신 장치
US17/169,584 US11303364B2 (en) 2020-02-13 2021-02-08 Radio frequency module and communication device
CN202120357787.2U CN214315259U (zh) 2020-02-13 2021-02-08 高频模块和通信装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020022211A JP2021129194A (ja) 2020-02-13 2020-02-13 高周波モジュール及び通信装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2021129194A true JP2021129194A (ja) 2021-09-02

Family

ID=77272117

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020022211A Pending JP2021129194A (ja) 2020-02-13 2020-02-13 高周波モジュール及び通信装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US11303364B2 (ja)
JP (1) JP2021129194A (ja)
KR (1) KR102538385B1 (ja)
CN (1) CN214315259U (ja)

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003051751A (ja) * 2001-08-07 2003-02-21 Hitachi Ltd 電子部品および無線通信機
US6975271B2 (en) * 2003-02-26 2005-12-13 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Antenna switch module, all-in-one communication module, communication apparatus and method for manufacturing antenna switch module
JP4202852B2 (ja) * 2003-08-27 2008-12-24 株式会社ルネサステクノロジ 通信用電子部品および送受信切替え用半導体装置
JP4418250B2 (ja) * 2004-02-05 2010-02-17 株式会社ルネサステクノロジ 高周波回路モジュール
CN101142715B (zh) * 2005-03-15 2012-08-22 株式会社半导体能源研究所 半导体器件以及具有该半导体器件的电子器件
CN101160734B (zh) * 2005-04-15 2011-04-13 日立金属株式会社 多频带高频电路、多频带高频电路部件及使用其的多频带通信装置
US20070093229A1 (en) * 2005-10-20 2007-04-26 Takehiko Yamakawa Complex RF device and method for manufacturing the same
KR101062848B1 (ko) * 2009-06-01 2011-09-07 한국과학기술원 관통실리콘비아를 갖는 반도체칩에서 크로스토크 차폐를 위한 쉴딩구조
US8208865B2 (en) * 2009-09-11 2012-06-26 Broadcom Corporation RF front-end with on-chip transmitter/receiver isolation and noise-matched LNA
JP5735099B2 (ja) * 2011-04-01 2015-06-17 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置およびその製造方法ならびに携帯電話機
US10271448B2 (en) * 2012-08-06 2019-04-23 Investar Corporation Thin leadframe QFN package design of RF front-ends for mobile wireless communication
KR101983142B1 (ko) * 2013-06-28 2019-08-28 삼성전기주식회사 반도체 패키지
JP5505915B1 (ja) 2013-10-30 2014-05-28 太陽誘電株式会社 通信モジュール
US10243248B2 (en) * 2013-12-31 2019-03-26 Skyworks Solutions, Inc. Devices and methods related to high power diode switches
US10615773B2 (en) * 2017-09-11 2020-04-07 Akoustis, Inc. Wireless communication infrastructure system configured with a single crystal piezo resonator and filter structure
JP6760397B2 (ja) * 2016-12-14 2020-09-23 株式会社村田製作所 モジュール
US10469122B2 (en) * 2017-01-17 2019-11-05 Qualcomm Incorporated Techniques for low-loss multi-band multiplexing
US10439563B2 (en) * 2017-02-28 2019-10-08 Psemi Corporation Positive temperature coefficient bias compensation circuit
WO2018186154A1 (ja) * 2017-04-04 2018-10-11 株式会社村田製作所 高周波モジュール及び通信装置
WO2019008913A1 (ja) * 2017-07-06 2019-01-10 株式会社村田製作所 アンテナモジュール
US10454426B2 (en) * 2017-11-30 2019-10-22 Texas Instruments Incorporated Methods and apparatus providing high efficiency power amplifiers for both high and low output power levels
JP7047918B2 (ja) * 2018-08-06 2022-04-05 株式会社村田製作所 アンテナモジュール
JP2020027975A (ja) * 2018-08-09 2020-02-20 株式会社村田製作所 高周波モジュールおよび通信装置
KR102526908B1 (ko) * 2018-11-02 2023-04-28 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 고주파 모듈, 송신 전력 증폭기 및 통신 장치
JP6947153B2 (ja) * 2018-12-20 2021-10-13 株式会社村田製作所 高周波モジュールおよび通信装置
JP2020126921A (ja) * 2019-02-04 2020-08-20 株式会社村田製作所 高周波モジュールおよび通信装置
JP2021129217A (ja) * 2020-02-13 2021-09-02 株式会社村田製作所 高周波モジュールおよび通信装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20210258082A1 (en) 2021-08-19
KR102538385B1 (ko) 2023-05-31
CN214315259U (zh) 2021-09-28
KR20210103403A (ko) 2021-08-23
US11303364B2 (en) 2022-04-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102489366B1 (ko) 고주파 모듈 및 통신장치
JP2021158425A (ja) 高周波モジュール及び通信装置
WO2022034715A1 (ja) 高周波モジュール及び通信装置
US11528044B2 (en) Radio frequency module and communication device
JP2021164017A (ja) 高周波モジュール及び通信装置
US20230155612A1 (en) Radio frequency module and communication device
WO2022102288A1 (ja) 高周波モジュール及び通信装置
WO2022034818A1 (ja) 高周波モジュール
KR102504973B1 (ko) 고주파 모듈 및 통신 장치
WO2022044526A1 (ja) 高周波モジュール及び通信装置
US11431360B2 (en) Radio-frequency module and communication device
KR102545369B1 (ko) 고주파 모듈 및 통신 장치
KR102538385B1 (ko) 고주파 모듈 및 통신 장치
WO2022034819A1 (ja) 高周波モジュール
WO2023021792A1 (ja) 高周波モジュール及び通信装置
WO2023022047A1 (ja) 高周波モジュール
WO2022209734A1 (ja) 高周波モジュール及び通信装置
WO2022209749A1 (ja) 高周波モジュール及び通信装置
WO2023021982A1 (ja) 高周波モジュール
WO2022209751A1 (ja) 高周波モジュール及び通信装置
WO2022209738A1 (ja) 高周波モジュール及び通信装置
WO2022209740A1 (ja) 高周波モジュール
WO2022102284A1 (ja) 高周波モジュール及び通信装置
WO2022209728A1 (ja) 高周波モジュール及び通信装置
WO2022209736A1 (ja) 高周波モジュール及び通信装置