CN111373524A - 功率半导体装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明实现功率半导体装置的生产率的提高。本发明所涉及的功率半导体装置具备：电路部，其具有传递电流的导体和功率半导体元件；第一基座部及第二基座部，它们隔着所述电路部相互对置；以及传递模塑构件，其与所述导体及所述功率半导体元件接触且填充在所述第一基座部与所述第二基座部之间的空间中，所述第一基座部具有：第一平面部，其与该第一基座部的周缘连接；以及第一弯曲部，其使该第一平面部与该第一基座部的其他部分连接且进行塑性变形，所述传递模塑构件以与所述第一平面部接触的状态一体地构成。

Description

功率半导体装置及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种搭载了功率半导体元件的功率半导体装置及其制造方法。
背景技术
基于功率半导体元件的开关的电力转换装置由于转换效率高，所以被广泛用于民用、车载用、铁道用、变电设备等。该功率半导体元件通过通电而发热，因此要求高散热性。特别是在车载用途中，为了小型、轻量化而采用使用了水冷的高效率的冷却系统。专利文献1公开了一种功率模块(与功率半导体装置同义)，该功率模块用于电力转换装置，并将树脂模塑后的半导体装置容纳在外壳中。
专利文献1所记载的功率半导体装置由于是在具有包围散热板的薄壁部的外壳中容纳有密封了半导体元件的密封体的装置，所以在将密封体和外壳压接后，需要用灌封树脂密封密封体和外壳之间的工序。
近年来，要求电力转换装置的大量生产，要求进一步提高功率半导体装置的生产率。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本专利特开2016-039224号公报
发明内容
发明要解决的问题
本发明的课题在于实现功率半导体装置的生产率的提高。
解决问题的技术手段
本发明所涉及的功率半导体装置具备：电路部，其具有传递电流的导体和功率半导体元件；第一基座部及第二基座部，它们隔着所述电路部相互对置；以及传递模塑构件，其与所述导体及所述功率半导体元件接触，并且填充在所述第一基座部与所述第二基座部之间的空间中，所述第一基座部具有：第一平面部，其与该第一基座部的周缘连接；以及第一弯曲部，其使该第一平面部与该第一基座部的其他部分连接且进行塑性变形，所述传递模塑构件以与所述第一平面部接触的状态一体地构成。
另外，本发明所涉及的功率半导体装置的制造方法包括：第一工序，通过第一基座部和第二基座部夹持电路部，该电路部具有传递电流的导体和功率半导体元件；第二工序，以包含所述第一基座部和所述第二基座部的各自的周缘的一部分的方式对该第一基座部和该第二基座部的各自的一部分进行冲压，使该第一基座部和该第二基座部弯曲；以及第三工序，使模具与所述第一基座部和所述第二基座部的所述各自的一部分抵接，并注入模塑构件，该模塑构件与所述导体及所述功率半导体元件接触且填充在所述第一基座部和所述第二基座部之间的空间中。
发明的效果
根据本发明，能够实现功率半导体装置的生产率的提高。
附图说明
图1是本实施方式的功率半导体装置300的整体立体图。
图2是功率半导体装置300上设置的集电极侧基板810的整体立体图。
图3是功率半导体装置300上设置的发射极侧基板820的整体立体图。
图4是从设置在功率半导体装置300上的散热片基座800的散热片侧观察到的整体立体图。
图5是从设置在功率半导体装置300上的散热片基座800的散热片背面侧观察到的整体立体图。
图6的(a)至图6的(d)是本实施方式的散热片基座800的截面图。
图7是由(a)至(e)构成的功率半导体装置300的制造工序的截面图。
图8是本实施方式的功率半导体装置300的传递模塑工序的截面图，(a)是整体截面图，(b)是模具夹紧部的放大截面图。
图9是与图7的(b)工序对应的制造工序中的功率半导体装置300的整体立体图。
图10是与图7的(c)工序对应的制造工序的功率半导体装置300的整体立体图。在集电极侧基板810上搭载有发射极侧基板820。
图11是与图7的(d)工序对应的制造工序的功率半导体装置300的整体立体图。
图12是与图7的(e)工序对应的制造工序的功率半导体装置300的整体立体图。
图13是本实施方式的功率半导体装置300的电路图。
图14是表示电力转换装置200的外观的整体立体图。
图15是表示电力转换装置200的外观的整体立体图。
图16是表示本实施方式的电力转换装置200的截面结构的概略图。
图17表示带流路的功率半导体装置900的外观，(a)是从带流路的功率半导体装置900的发射极侧观察到的立体图，(b)是从集电极侧观察到的立体图，(c)是截面图。
图18是表示带流路的功率半导体装置900的制造工序的立体图。
具体实施方式
在详细说明本实施方式之前，简单说明本实施方式的原理及作用效果。
本实施方式的功率半导体装置具备：电路部，其具有传递电流的导体和功率半导体元件；第一基座部及第二基座部，它们隔着所述电路部相互对置；以及传递模塑构件，其与所述导体及所述功率半导体元件接触且填充在所述第一基座部与所述第二基座部之间的空间中，所述第一基座部具有：第一平面部，其与该第一基座部的周缘连接；以及第一弯曲部，其使该第一平面部与该第一基座部的其他部分连接且进行塑性变形，所述传递模塑构件以与所述第一平面部接触的状态一体地构成。
由此，即使由于部件公差或组装公差而在传递模塑时由模具夹紧的第一平面部和第二平面部的距离发生变化，通过与平面部连结的弯曲部塑性变形，在传递模塑模具夹紧时，也能够降低因压缩第一平面部和第二平面部而产生的应力对半导体元件的影响。
另外，由于弯曲部塑性变形，平面部的一部分与传递模塑模具紧密接触，所以能够防止传递模塑树脂向散热片部漏出。通过该方法，能够通过传递模塑一并形成具有散热片的功率半导体装置，通过以包含散热片基座的平面部和平面部的端部的方式由传递模塑树脂进行一体密封，具有剥离起点变少、能够抑制剥离的发生的效果。
另外，在传递模塑后不需要形成绝缘层和散热片的工序，具有能够提高生产率的效果。
另外，通过用金属构件将具有散热片的散热片基座和流路构件熔融接合，能够隔离密封半导体元件的密封树脂和冷却水，赋予高防水性。通过具有高防水性，能够防止由冷却水引起的密封树脂的吸湿，确保高可靠性。
以下，作为本发明的结构体的实施方式，对使用于车辆搭载用的电力转换装置的功率半导体装置进行说明。在以下说明的功率半导体装置的实施方式中，参照附图说明作为发热体的功率半导体元件、搭载功率半导体元件的导体部、具有与该发热体热连接的作为散热板的散热片部的基座、以及作为固定该发热体和该散热板的树脂材料的密封树脂等各构成要素。另外，在各图中，对于相同的要素标注相同的符号，并省略重复的说明。
图1是本实施方式的功率半导体装置300的立体图。
功率半导体装置300具备：散热片基座800，其由金属制的散热片807、第二基座部804、第二平面部802、弯曲部805和中间部1004构成；传递模塑部850；正极侧的直流端子315B；负极侧的直流端子319B；交流侧的端子320B；信号用的端子325U、325L、325S、325C。
散热片基座800在第二基座804和第二平面部802之间具有弯曲部805。
中间部1004通过与未图示的流路构件进行金属熔融接合，形成冷却水的流路。中间部1004比基座部804低一层，由此，在与流路构件接合时，流路构件不会遮挡流向散热片的液流。
冷却水通过散热片基座800、流路构件等金属制材料与传递模塑部850隔离。由此，能够防止由冷却水引起的密封树脂的吸湿，确保高可靠性。
信号端子325L、325U、325S、325C从功率半导体装置300的两面突出后，与形成在印刷基板上的控制电路、驱动器电路连接，因此通过弯曲加工将朝向改变为同一方向。通过分成两个面将控制端子露出，具有容易确保端子间的沿面距离和空间距离的效果。
直流端子315B及319B从功率半导体装置300的一面突出成一列。通过使直流端子315B及319B相邻，具有使输入输出的电流接近而降低电感的效果。另外，由于直流端子315B以及319B与连结在电池上的电容器模块连接，所以通过从一个面突出，具有能够简化逆变器布局的效果。
交流端子320B从与配置有直流端子315B和319B的一侧的面相反一侧的功率半导体装置300的面突出。在其与电流传感器连接后，从逆变器输出，与电动机连接，因此，通过设为与和电容器模块连接的直流端子为不同方向，具有可以简化逆变器布局的效果。
图2是功率半导体装置300上设置的集电极侧基板810的整体立体图。
集电极侧基板810具备：搭载后述的功率半导体元件和端子的导体部813；第一金属基座811；以及在这些导体部813和第一金属基座811之间的第一绝缘构件812。另外，集电极侧基板810具有距离规定部890，其用于使集电极侧基板810和后述的发射极侧基板820的间隔为一定厚度。
第一金属基座811只要是金属材料即可，没有特别限制，但从散热性的观点出发，优选铜或铝，从成本的观点出发，优选铝。导体部813只要是具有导电性的材料即可，没有特别限制，但优选导电性优异的铜或铝。为了提高焊料连接性，优选的是，导体部813的一部分或整体实施包含镀镍的电镀。另外，在导体部813上，为了防止在功率半导体元件间焊料连结，芯片因熔融的焊锡材料的表面张力而错位，也可以设置孔824。
第一绝缘构件812只要是绝缘性材料即可，没有特别限制，但从成本的观点出发，优选树脂，从耐热性、热传导性的观点出发，优选陶瓷。
图3是设置在功率半导体装置300上的发射极侧基板820的整体立体图。
发射极侧基板820具备导体部823、第二金属基座821、在这些导体部823和第二金属基座821之间的第二绝缘构件822。另外，发射极侧基板820具有与集电极侧基板810侧的距离规定部890抵接的距离规定部891。另外，也可以在导体部823上设置用于与功率半导体元件的发射极侧连接的突起、用于与集电极侧基板的配线连接的突起。
图4是从设置在功率半导体装置300上的散热片基座800的散热片侧观察到的整体立体图。
散热片基座800具备：散热片807、在散热片807的外周的第一基座部803或第二基座部804、与第一基座部803或第二基座部804连结的第一平面部801或第二平面部802。散热片基座800只要是热传导率高、具有防水性的金属材料即可，没有特别的限制，但考虑到加工性和与基座的焊接性，最优选为铝。
图5是从设置在功率半导体装置300上的散热片基座800的散热片背面侧观察到的整体立体图。
散热片基座800具有比第一基座部803或第二基座部804薄一层的第一平面部801或第二平面部802。第一平面部801或第二平面部802比第一基座部803或第二基座部804薄，因此只要是热传导率高、具有防水性的金属材料即可，没有特别限制，但考虑到加工性及与基座的焊接性，最优选为铝。
图6的(a)至图6的(d)是本实施方式的散热片基座800的截面图。
(a)所涉及的散热片基座800具有比第一基座部803或第二基座部804薄一层的中间部1004、以及比该中间部1004低一层的第一平面部801或第二平面部802。由于第一平面部801或第二平面部802比中间部1004薄，因此弯曲刚性降低，通过后述的传递模塑时的模具夹紧件，在基座部与平面部之间形成弯曲部805。
(b)(c)(d)是其他实施方式的散热片基座800，在第一基座部803或第二基座部804与第一平面部801或第二平面部802之间具有比第一基座部803或第二基座部804及第一平面部801或第二平面部802薄的切削部806。
由于切削部806比第一基座部803等薄，因此弯曲刚性降低，通过后述的传递模塑时的模具夹紧件在切削部形成弯曲805。散热片基座800只要是热传导率高、具有防水性的金属材料即可，没有特别的限制，但考虑到加工性和与基座的焊接性，最优选为铝。
使用图7至图12说明本实施例的功率半导体装置300的制造顺序。
图7是由(a)至(e)构成的功率半导体装置300的制造工序的截面图。
如(a)及(b)所示，在集电极侧基板810的导体部813上通过焊锡材料、烧结金属等连接构件搭载半导体元件860。进而，在半导体元件860的发射极侧电极面上，通过焊料等连接构件，搭载并连接金属块159。然后，连接未图示的Al引线。
金属块159只要是具有导电性的金属材料即可，没有特别限制，但优选导电性高的铜。为了实现轻量化,也可以使用铝。为了确保与连接构件的连接,也可以在金属块159的表面实施电镀等。
接着，如(c)所示，通过连接构件搭载引线框830及831，进一步通过连接构件搭载并连接发射极侧基板820。此时，若将金属块159或引线框830及831插入未图示的距离规定部890或距离规定部891，则能够精密地规定集电极侧基板810和发射极侧基板820的高度。
接着，如(d)所示，通过连接构件，将散热片基座800搭载并连接在集电极侧基板810和发射极侧基板820上。
进而，如(e)所示，通过传递模塑进行树脂密封。为了提高与传递模塑树脂的密合性，在传递模塑前的阶段，也可以用树脂薄膜851覆盖各构件。
接着，对传递模塑工序进行详细说明。
图8是本实施方式的功率半导体装置300的传递模塑工序的截面图，(a)是整体截面图，(b)是模具夹紧部的放大截面图。
由于部件公差或组装公差而产生的公差通过弯曲部805塑性变形而被吸收。在第一平面部801和第二平面部802之间的距离过大的情况下，即在传递模塑模具852咬入第一平面部801或第二平面部802的情况下，在传递模塑模具夹紧时，有时压缩第一平面部801或第二平面部而对电路部带来损伤，但通过弯曲部805塑性变形，能够消除对电路部的损伤。
在第一平面部801和第二平面部802的距离过小的情况下，无法停止传递模塑树脂，树脂向散热片807侧流出。因此，传递模塑模具设为第一平面部801和第二平面部802的距离的公差的下限值以下，即使第一平面部801和第二平面部802的距离为下限的值，也需要利用传递模塑模具进行压缩。
在传递模塑工序中，通过夹紧第二平面部802，在刚性高的第二基座部804之间形成弯曲部805。
该弯曲部805可以由传递模塑模具形成，也可以在传递模塑前使用其他模具等形成。通过在第二平面部802和第二基座部804之间形成弯曲部805，传递模塑模具和第二平面部802紧密接触，能够防止传递模塑工序中树脂向散热片807侧泄漏。
另外，在传递模塑工序中，当向模具内注入传递模塑树脂853时，由于注入的压力而在剥离半导体元件的方向上产生应力。由于半导体元件抗剥离力弱，所以为了防止元件的破损，通过弹簧机构854，即使上下散热片的距离因公差而参差不齐，也能够以超过传递模塑时的树脂注入的压力的力来压缩半导体元件。
图9是与图7的(b)工序对应的制造工序中的功率半导体装置300的整体立体图。
作为功率半导体元件的上臂侧IGBT155A及155B、上臂侧二极管156A及156B、下臂侧IGBT157A及157B、下臂侧二极管158A及158B以2个并联的方式焊接在集电极侧基板810上。这里，IGBT是绝缘栅型双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor)的缩写。各IGBT从栅极及温度感应通过Al引线840与集电极侧基板的导体部连接。在各功率半导体元件上搭载有金属块159。引线框830及831通过连接杆832将端子彼此连接，形成为在传递模塑工序时端子的位置不偏移。Al引线840连接上臂栅极信号端子325U等和上臂侧IGBT155A的控制电极等。
图10是与图7的(c)工序对应的制造工序的功率半导体装置300的整体立体图。在集电极侧基板810上搭载有发射极侧基板820。
图11是与图7的(d)工序对应的制造工序的功率半导体装置300的整体立体图。在集电极侧基板和发射极侧基板上搭载有散热片基座800。
图12是与图7的(e)工序对应的制造工序的功率半导体装置300的整体立体图。在形成传递模塑部850时，在散热片基座800的平面部802和基座部840之间形成弯曲部805。然后，切割与引线框830及831连接的连接杆832，形成端子，得到功率半导体装置300。
图13是本实施方式的功率半导体装置300的电路图。
直流端子315B从上臂电路的集电极侧输出，与电池或电容器的正极侧连接。上臂栅极信号端子325U从上臂电路的IGBT155的栅极及发射极感应输出。直流端子319B从下臂电路的发射极侧输出，与电池或电容器的负极侧或GND连接。下臂栅极信号端子325L从下臂电路的IGBT157的栅极和发射极感应输出。交流端子320B从下臂电路的集电极侧输出，与电动机连接。在进行中性点接地的情况下，下臂电路不与GND连接，而与电容器的负极侧连接。
本实施方式的功率半导体装置300是将上臂电路和下臂电路这两个臂电路一体化为一个模块的结构即2in1结构。除了2in1结构以外，在使用3in1结构、4in1结构、6in1结构等的情况下，能够减少来自功率半导体装置的输出端子的数量，实现小型化。
图14是使用了本实施方式的功率半导体装置的电力转换装置的电路图。电力转换装置200具备逆变器电路部140及142、辅机用的逆变器电路部43、以及电容器模块500。逆变器电路部140及142具备多个功率半导体装置300，通过将它们连接而构成3相桥式电路。在电流容量大的情况下，进一步并联连接功率半导体装置300，通过与三相逆变器电路的各相对应地进行这些并联连接，能够应对电流容量的增大。另外，通过将内置于功率半导体装置300中的功率半导体元件并联连接，也能够应对电流容量的增大。
逆变器电路部140和逆变器电路部142的基本电路结构相同，控制方法和动作也基本相同。由于逆变器电路部140等的电路的动作概要是公知的，所以在此省略详细的说明。
如上所述，上臂电路具备上臂用IGBT155和上臂用二极管156作为开关用的功率半导体元件，下臂电路具备下臂用IGBT157和下臂用二极管158。IGBT155及157接受从构成驱动器电路174的两个驱动器电路的一方或另一方输出的驱动信号而进行开关动作，将从电池136供给的直流电力转换为三相交流电力。
上臂用IGBT155和下臂用IGBT157具备集电极、发射极(信号用发射极端子)、栅极(栅极端子)。上臂用二极管156和下臂用二极管158具有阴极电极和阳极电极这两个电极。以从上臂用IGBT155、下臂用IGBT157的发射极朝向集电极的方向为正向的方式，分别使二极管156、158的阴极电极与IGBT155、157的集电极电连接，阳极电极与IGBT155、157的发射极电连接，。另外，作为功率半导体元件，也可以使用MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)，在该情况下，不需要上臂用二极管156、下臂用二极管158。
从设置在上下臂串联电路上的温度传感器(未图示)向微型计算机输入上下臂串联电路的温度信息。另外，在微型计算机中输入上下臂串联电路的直流正极侧的电压信息。微型计算机根据这些信息进行过温度检测和过电压检测，在检测到过温度或过电压的情况下，使所有上臂用IGBT155、下臂用IGBT157的开关动作停止，保护上下臂串联电路不受过温度或过电压的影响。
图15是表示电力转换装置200的外观的整体立体图。
本实施方式的电力变化装置200的外观是将上表面或底面为大致长方形的壳体12、设置在壳体12的一个短边侧的外周的上部外壳10、用于堵塞壳体12的下部开口的下部外壳16固定而形成的。壳体12和下部外壳有时也形成为一体。通过将壳体12的仰视图或俯视图的形状形成为大致长方形，向车辆的安装变得容易，并且容易生产。
图16是表示本实施方式的电力转换装置200的截面结构的概略图。
将功率半导体装置300组装在流路构件上，形成带流路的功率半导体装置900。功率半导体装置300的交流电极端子焊接在搭载有电流传感器180的母线上。另外，功率半导体装置300的直流端子与电容器模块500焊接。接着，安装搭载有组装部件的控制电路172、驱动器电路174，并与信号端子连接。通过在带流路的功率半导体装置900的上部设置控制电路，在下部设置电容器模块，能够紧凑地配置并小型化。
图17表示带流路的功率半导体装置900的外观，(a)是从带流路的功率半导体装置900的发射极侧观察到的立体图，(b)是从集电极侧观察到的立体图，(c)是截面图。将功率半导体装置300组装在流路构件上，形成带流路的功率半导体装置900。
图18是表示带流路的功率半导体装置900的制造工序的立体图。
如(a)所示，在模块连结构件1002上金属熔融接合贯通水路1001。
接着，如(b)所示，将功率半导体装置300的集电极侧搭载在模块连结构件1002上，进行金属熔融接合。
接着，如(c)所示，在功率半导体装置300的发射极侧搭载模块连结构件1002，通过金属熔融接合将贯通水路部和功率半导体装置300进行水密接合。
接着，如(d)所示，在集电极侧和发射极侧的模块连结构件1002上搭载流路罩1003，通过金属熔融接合进行水密接合。通过将2in1的功率半导体装置300组装为6in1的带流路的功率半导体装置900，具有在确保水密性的同时使向电力转换装置200的组装变得容易的效果。
符号说明
10…上部外壳、12…壳体、13…冷却水入口、14…冷却水出口、16…下部外壳、18…交流终端、19…流路、20…水路结构体、21…连接器、43…逆变器电路、136…电池、138…直流连接器、140…逆变器电路、142…逆变器电路、155A…上臂用IGBT、155B…上臂用IGBT、156A…上臂用二极管、156B…上臂用二极管、157A…下臂用IGBT、157B…下臂用IGBT、158A…下臂用二极管、158B…下臂用二极管、159…金属块、172…控制电路、174…驱动器电路、180…电流传感器、192…电动发电机、194…电动发电机、200…电力转换装置、230…输入层叠配线板、300…功率半导体装置、315B…直流端子(正极)、319B…直流端子(负极)、320B…交流端子、325U…上臂栅极信号端子、325L…下臂栅极信号端子、325S…温度感应信号端子、325C…集电极感应信号端子、500…电容器模块、501…层叠配线板、505…负极侧电极引线框、507…正极侧电极引线框、514…电容器单元、700…层叠电极引线框、702…正极侧电极引线框、704…负极侧电极引线框、800…散热片基座、801…第一平面部、802…第二平面部、803…第一基座部、804…第二基座部、805…弯曲部、806…切削部、807…散热片、808…电路部、809…金属熔融接合部、810…集电极侧基板、811…第一金属基座、812…第一绝缘构件、813…导体部、820…发射极侧基板、821…第二金属基座、822…第二绝缘构件、823…导体部、824…孔、830…引线框、831…引线框、832…连接杆、840…Al引线、850…传递模塑部、851…树脂薄膜、852…传递模塑模具、853…传递模塑树脂、854…弹簧机构、860…半导体元件、890…距离规定部、891…距离规定部、900…带流路的功率半导体装置、1000…流路构件、1001…贯通水路构件、1002…模块连结构件、1003…流路罩、1004…中间部。

Claims (13)

1.一种功率半导体装置，其特征在于，具备：
电路部，其具有传递电流的导体和功率半导体元件；
第一基座部及第二基座部，它们隔着所述电路部相互对置；以及
传递模塑构件，其与所述导体以及所述功率半导体元件接触，并且填充在所述第一基座部与所述第二基座部之间的空间中，
所述第一基座部具有：第一平面部，其与该第一基座部的周缘连接；以及第一弯曲部，其使该第一平面部与该第一基座部的其他部分连接且进行塑性变形，
所述传递模塑构件以与所述第一平面部接触的状态一体地构成。
2.一种功率半导体装置，其特征在于，具备：
电路部，其具有传递电流的导体和功率半导体元件；
第一基座部和第二基座部，它们隔着所述电路部相互对置；以及
传递模塑构件，其与所述导体以及所述功率半导体元件接触，并且填充在所述第一基座部与所述第二基座部之间的空间中，
所述第一基座部具有：第一平面部，其与该第一基座部的周缘连接；以及第一切削部，其使该第一平面部与该第一基座部的其他部分连接，并且形成为比该第一基座部的其他部分薄，
所述传递模塑构件以与所述第一平面部接触的状态一体地构成。
3.根据权利要求1所述的功率半导体装置，其特征在于，
所述第二基座部具有：第二平面部，其与该第二基座部的周缘连接；以及第二弯曲部，其使该第二平面部与该第二基座部的其他部分连接且进行塑性变形。
4.根据权利要求2所述的功率半导体装置，其特征在于，
所述第二基座部具有：第二平面部，其与该第二基座部的周缘连接；以及第二切削部，其使该第二平面部和该第二基座部的其他部分连接，并且形成为比该第二基座部的其他部分薄。
5.根据权利要求1或2所述的功率半导体装置，其特征在于，
所述传递模塑构件覆盖所述第一平面部的端部。
6.根据权利要求3或4所述的功率半导体装置，其特征在于，
所述传递模塑构件覆盖所述第二平面部的端部。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的功率半导体装置，其特征在于，具备：
流路构件，其通过金属熔融接合与所述第一基座部连接，并且形成流路，
所述第一基座部具有：散热片基座，其供散热片形成；以及中间部，其设置在所述散热片基座与所述弯曲部或所述第一切削部之间，
所述流路构件在所述中间部连接。
8.根据权利要求7所述的功率半导体装置，其特征在于，
所述中间部的厚度形成为比所述散热片基座的厚度小，
所述流路构件的流路侧的面与所述散热片基座的形成有所述散热片的一侧的面在同一平面上。
9.根据权利要求1～8中任一项所述的功率半导体装置，其特征在于，
在所述电路部与所述传递模塑构件之间、所述第一基座部与所述传递模塑构件之间、以及所述第二基座部与所述传递模塑构件之间，设置有树脂薄膜。
10.一种功率半导体装置的制造方法，其特征在于，具备：
第一工序，通过第一基座部和第二基座部夹持电路部，该电路部具有传递电流的导体和功率半导体元件；
第二工序，以包含所述第一基座部和所述第二基座部的各自的周缘的一部分的方式对该第一基座部和该第二基座部的各自的一部分进行冲压，使该第一基座部和该第二基座部弯曲；以及
第三工序，使模具与所述第一基座部和所述第二基座部的所述各自的一部分抵接，并注入模塑构件，该模塑构件与所述导体及所述功率半导体元件接触且填充在所述第一基座部和所述第二基座部之间的空间中。
11.一种功率半导体装置的制造方法，其特征在于，具备：
第一工序，通过第一基座部和第二基座部夹持电路部，该电路部具有传递电流的导体和功率半导体元件；
第二工序，以包含所述第一基座部和所述第二基座部各自的周缘的一部分的方式对该第一基座部和该第二基座部分别进行切削；以及
第三工序，使模具与所述第一基座部和所述第二基座部的所述各自的一部分抵接，并注入模塑构件，该模塑构件与所述导体及所述功率半导体元件接触且填充在所述第一基座部和所述第二基座部之间的空间中。
12.根据权利要求11或12所述的功率半导体装置的制造方法，其特征在于，
所述第一基座部具有：散热片基座，其供散热片形成；以及中间部，其设置在所述散热片基座与所述弯曲部或所述第一切削部之间，
所述功率半导体装置的制造方法具备第四工序，通过金属熔融接合将流路构件连接至所述中间部。
13.根据权利要求11～13中任一项所述的功率半导体装置的制造方法，其特征在于，
在所述第三工序中，在注入所述模塑构件之前，在所述电路部、所述第一基座部和所述第二基座部的表面形成树脂薄膜。
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