CN110864828A - 一种银纳米线/MXene柔性应力传感器的制备方法 - Google Patents

一种银纳米线/MXene柔性应力传感器的制备方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种银纳米线/MXene柔性应力传感器的制备方法,包括以下步骤:S1)银纳米线导电薄膜的制备;S2)内核柔软的MXene导电碳纤维的制备;S3)柔性压力传感器的制备。本发明叉式图案的银纳米线薄膜,增加了接触点,扩大了接触比表面积,从而提高了传感器性能的灵敏度和响应速度;PDMS增强银纳米线的附着能力,增强了器件稳定性;MXene增强了导电碳纤维的导电性,同时MXene嵌入多条碳纤维丝的接触点的夹缝中,利用其层状结构,增加传感器的微结构变化,加强了电阻的应变性;MXene外部质硬,内部柔软,对于柔性传感器的机械性能具有显著提高;并且三层导电材料均兼具柔性,具有良好的耐弯折性能,可拉伸。

Description

一种银纳米线/MXene柔性应力传感器的制备方法
技术领域
本发明涉及传感器技术领域,尤其是一种银纳米线/MXene柔性应力传感器的制备方法。
背景技术
随着新一代柔性电子材料和传感技术的快速发展,柔性应力传感器逐渐成为研究人员关注的重要对象。柔性应力传感器广泛应用于可穿戴的电子设备,可穿戴的电子设备可以完成与人体的互动并对其进行长期的监测尤为受到广泛的关注。现有的柔性应力传感器可实现与皮肤接触从而实现对人的物理、化学、生物以及所处环境状态的实时监测,将物理刺激信号转化为电子信号,传输到的电子信号通过放大电路放大信号从而促使相应的电子元件做出反应。
柔性传感器一般由两部分组成,即柔性衬底和导电层材料,柔性衬底可以使得器件和皮肤贴合得更加密切,例如,聚二甲基硅氧烷,聚对苯二甲酸乙二酯,聚酰亚胺或聚氯乙烯;导电层材料如银纳米线、金纳米线、铜纳米线、碳纳米管、石墨烯和导电聚合物。
现有的柔性传感器虽然能够实现与人体的交互,但是现有的柔性传感器存在以下问题:
1、现有传感器的灵敏度低,不能及时完整地将传感器获得的信号反馈传输给电子元件;
2、传感器的最大力的承受能力和可形变程度范围窄;导致其在承受最大力的情况下,或处于最大形变的状态下,不能正常完成信号的反馈;
3、电阻变化不稳定,输出信号不稳定;而且使用寿命短。
现有的传感器不能兼顾柔性和高灵敏度、导电层材料使用单一、制备工艺复杂等等,这些都依然严重地限制着柔性传感器的发展。
发明内容
针对现有技术的不足,本发明提供一种银纳米线/MXene柔性应力传感器的制备方法,本发明制备的传感器具有高的灵敏度和稳定性,并且制备方法简单。
本发明的技术方案为:一种银纳米线/MXene柔性应力传感器的制备方法,包括以下步骤:
S1)、银纳米线导电薄膜的制备
S101)、在室温条件下,分别将葡萄糖、硝酸银和硫酸铁分别用去离子水溶解,然后将三者混合在一起,并通过磁力搅拌得到亮黄色的溶液;
S102)、将一定量的聚乙烯吡咯烷酮(PVP)加入步骤S101)制备的亮黄色的溶液中,磁力搅拌直至充分溶解PVP完毕后转移至高压反应釜中,在密封状态下以150-200℃加6-10h,在热水处理后,获得灰绿色沉淀;
S103)、利用稀硝酸洗涤步骤S102)得到的沉淀数次,将银纳米线表面上的氧化层除去,然后再通过乙醇数次离心后除去银纳米线中过量的稀硝酸;
S104)、通过对步骤S103)反复过滤后收集得到长的银纳米线,然后将得到的长的银纳米线涂敷在玻璃片上,并在200-250℃下加热0.5-2.5h;
S105)、在银纳米线薄膜覆盖上叉式图案掩模板,用针穿过空缺部分划去银纳米线薄膜之后,再通过涂敷PDMS在玻璃片上,厚度控制在0.1-0.3mm之间,将其在80-120℃固化2-6h,剥离下来,得到银纳米线导电薄膜。
S2)、内核柔软的MXene导电碳纤维的制备
S201)、在室温为30-40℃,湿度为30%-50%的条件下,将聚丙烯腈(PAN)溶解于N-N二甲基甲酰胺(DMF)溶剂中配置13-15wt%浓度的溶液;
S202)、将步骤S201)中得到的溶液在40-60℃恒温搅拌6h,通过浓度为10-15%氢氟酸(HF)加入腐蚀MAX相钛碳化铝Ti3AlC2经过去离子水清洗后超声处理1-3次,每次超声处理1-3h,然后在温度为60-80℃下烘干3-6h,得到干燥的Mxene—Ti3C2粉末;
S203)、将Mxene—Ti3C2粉末加入到PAN前驱液中得到纺丝溶液,密封保存备用;
S204)、将纺丝溶液通过无序静电纺丝机处理得到PAN/MXene纤维;
S205)、将PAN/MXene纤维经过温度为200-280℃的条件下预氧化,升温速度控制在0.5-3℃/min,再在温度为850-1050℃,通有氮气的管式炉中加热2h制备得到质地外壳较硬、内核柔软的MXene导电碳纤维。
S3)、柔性压力传感器的制备
S301)、将步骤S20)制备的MXene导电碳纤维上下两端封装步骤S1)制备的银纳米线导电薄膜,边缘采用PDMS进行封装80℃固化1h;
S302)、分别从上下两层银纳米线导电薄膜上引出导线,得到柔性压力传感器的制备。
优选的,步骤S101)中,所述的葡萄糖、硝酸银和硫酸铁分别溶于去离子水后的体积比为2:2:1。
优选的,步骤S104)中,所述的长的银纳米线的长度为8-10μm,直径为100-150nm。
优选的,步骤S202)中,所述的腐蚀MAX相钛碳化铝Ti3AlC2的目数为200-400目。
优选,步骤S204)中,将纺丝溶液通过无序静电纺丝机接收距离10-15cm,电压8.0-15KV,纺制36-48h后,得到PAN/MXene纤维。
优选的,步骤S301)中,所述的MXene导电碳纤维和银纳米线导电薄膜按照三明治结构封装。
优选的,步骤S301)中,上下两层的银纳米线导电薄膜的叉式图案相反。
优选的,步骤S301)中,MXene导电碳纤维的尺寸为:长宽为2*4mm厚度为0.3-0.6mm。
优选的,步骤S302)中,分别从上下两层银纳米线导电薄膜上利用铜导电胶带引出导线。
本发明的有益效果为:
1、本发明具有叉式图案的银纳米线薄膜,增加了接触点,扩大了接触比表面积,从而提高了传感器性能的灵敏度和响应速度;PDMS增强银纳米线的附着能力,增强了器件稳定性;
2、本发明的MXene增强了导电碳纤维的导电性,同时MXene嵌入多条碳纤维丝的接触点的夹缝中,利用其独特的层状结构,增加传感器的微结构变化,加强了电阻的应变性;
3、由于MXene的支撑,通过静电纺丝纺制的无序碳纤维布呈现蓬松,外部质硬,内部柔软的结构,对于柔性传感器的机械性能具有显著提高;通过这种收缩弹性,在应变过程中实现丝与MXene再与纤维丝之间接触变化实现结构应变,从而改变电阻;
4、本发明具有外部质硬内部柔软的特性,有利于应变之后恢复到原始状态;并且三层导电材料均兼具柔性,具有良好的耐弯折性能,可拉伸、可按压等力学性能适用于制备柔性传感器等电子元器件。
附图说明
图1为本发明银纳米线薄膜上叉式图案;
图2为本发明实施例1制备的柔性传感器从0kPa-25kPa的相对电阻变化-压强图;
图3为本发明实施例2制备的柔性传感器从0-1.25kPa循环往复按压的相对电阻变化-时间图;
图4为本发明实施例3制备的柔性传感器从0-1.25kPa循环往复按压5次的相对电阻变化-时间图;
图5为本发明实施例4制备的柔性传感器从0-2.5kPa循环往复按压5次的相对电阻变化-时间图;
图6本发明实施例5制备的柔性传感器从0-5kPa循环往复按压5次的相对电阻变化-时间图。
图7为本发明实施例5制备的MXene导电碳纤维碳化后SEM图;
图8本发明实施例5制备的银纳米线SEM图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明的具体实施方式作进一步说明:
实施例1
一种银纳米线/MXene柔性应力传感器的制备方法,包括以下步骤S1)、银纳米线导电薄膜的制备
S101)、在室温条件下,分别将2mmol的葡萄糖、1.5mmol的硝酸银和0.3mmol的硫酸铁分别用去离子水溶解,得到的三者的体积比为2:2:1;然后将三者混合在一起,并通过磁力搅拌得到亮黄色的溶液;
S102)、将4.5g的聚乙烯吡咯烷酮(PVP)加入步骤S101)制备的亮黄色的溶液中,磁力搅拌直至充分溶解PVP完毕后转移至高压反应釜中,在密封状态下以150℃加6h,在热水处理后,获得灰绿色沉淀;
S103)、利用稀硝酸洗涤步骤S102)得到的沉淀数次,将银纳米线表面上的氧化层除去,然后再通过乙醇数次离心后除去银纳米线中过量的稀硝酸;
S104)、通过对步骤S103)反复过滤后收集得到长的银纳米线,然后将得到的长的银纳米线涂敷在厚度为500mnm玻璃片上,并在200℃下加热0.5h;
S105)、如图1所示,在银纳米线薄膜覆盖上叉式图案掩模板,用针穿过空缺部分划去银纳米线薄膜之后,再通过涂敷PDMS在玻璃片上,厚度控制在0.1mm之间,将其在80℃固化4h,剥离下来,得到银纳米线导电薄膜。
S2)、内核柔软的MXene导电碳纤维的制备
S201)、在室温为30℃,湿度为30%-50%的条件下,将聚丙烯腈(PAN),分子量为15000溶解于N-N二甲基甲酰胺(DMF)溶剂中配置13-15wt%浓度的溶液;
S202)、将步骤S201)中得到的溶液在40-60℃恒温搅拌6h,通过浓度为10-15%氢氟酸(HF)加入腐蚀MAX相钛碳化铝Ti3AlC2;目数200-400目,经过去离子水清洗后超声处理3次,每次超声处理2h,然后在温度为60-80℃下烘干3-6h,得到干燥的Mxene—Ti3C2粉末;
S203)、将Mxene—Ti3C2粉末加入到PAN前驱液中得到纺丝溶液,密封保存备用;
S204)、将纺丝溶液通过无序静电纺丝机接收距离10-15cm,电压8.0-15KV,纺制36-48h后,得到PAN/MXene纤维;
S205)、将PAN/MXene纤维经过温度为200-280℃的条件下预氧化,升温速度控制在0.5-3℃/min,再在温度为850-1050℃,通有氮气的管式炉中加热2h制备得到质地外壳较硬、内核柔软的MXene导电碳纤维,其电阻为50Ω。
S3)、柔性压力传感器的制备
S301)、将步骤S20)制备的MXene导电碳纤维上下两端封装步骤S1)制备的银纳米线导电薄膜,边缘采用PDMS进行封装80℃固化1h;
S302)、分别从上下两层银纳米线导电薄膜上利用铜导电胶带引出导线,得到柔性压力传感器的制备。
本实施例制备的传感器从0kPa-25kPa的相对电阻变化-压强图如图2所示,其在0-1kPa时灵敏度高达2.42kPa-1
实施例2
一种银纳米线/MXene柔性应力传感器的制备方法,包括以下步骤S1)、银纳米线导电薄膜的制备
S101)、在室温条件下,分别将4mmol的葡萄糖、3.5mmol的硝酸银和0.7mmol的硫酸铁分别用去离子水溶解,得到的三者的体积比为2:2:1;然后将三者混合在一起,并通过磁力搅拌得到亮黄色的溶液;
S102)、将6.5g的聚乙烯吡咯烷酮(PVP)加入步骤S101)制备的亮黄色的溶液中,磁力搅拌直至充分溶解PVP完毕后转移至高压反应釜中,在密封状态下以200℃加10h,在热水处理后,获得灰绿色沉淀;
S103)、利用稀硝酸洗涤步骤S102)得到的沉淀数次,将银纳米线表面上的氧化层除去,然后再通过乙醇数次离心后除去银纳米线中过量的稀硝酸;
S104)、通过对步骤S103)反复过滤后收集得到长的银纳米线,然后将得到的长的银纳米线涂敷在厚度为500mnm玻璃片上,并在250℃下加热2.5h;
S105)、如图1所示,在银纳米线薄膜覆盖上叉式图案掩模板,用针穿过空缺部分划去银纳米线薄膜之后,再通过涂敷PDMS在玻璃片上,厚度控制在0.3mm之间,将其在120℃固化4h,剥离下来,得到银纳米线导电薄膜,电阻为1.5Ω。
S2)、内核柔软的MXene导电碳纤维的制备
S201)、在室温为40℃,湿度为50%的条件下,将聚丙烯腈(PAN),分子量为15000,溶解于N-N二甲基甲酰胺(DMF)溶剂中配置15wt%浓度的溶液;
S202)、将步骤S201)中得到的溶液在60℃恒温搅拌6h,通过浓度为15%氢氟酸(HF)加入腐蚀MAX相钛碳化铝Ti3AlC2;目数200-400目,经过去离子水清洗后超声处理3次,每次超声处理2h,然后在温度为80℃下烘干6h,得到干燥的Mxene—Ti3C2粉末;
S203)、将Mxene—Ti3C2粉末加入到PAN前驱液中得到纺丝溶液,密封保存备用;
S204)、将纺丝溶液通过无序静电纺丝机接收距离10-15cm,电压8.0-15KV,纺制36-48h后,得到PAN/MXene纤维;
S205)、将PAN/MXene纤维经过温度为200-280℃的条件下预氧化,升温速度控制在0.5-3℃/min,再在温度为850-1050℃,通有氮气的管式炉中加热2h制备得到质地外壳较硬、内核柔软的MXene导电碳纤维,其电阻为44Ω。
S3)、柔性压力传感器的制备
S301)、将步骤S20)制备的MXene导电碳纤维上下两端封装步骤S1)制备的银纳米线导电薄膜,边缘采用PDMS进行封装80℃固化1h;
S302)、分别从上下两层银纳米线导电薄膜上利用铜导电胶带引出导线,得到柔性压力传感器的制备。
本实施例制备的传感器从0-1.25kPa循环往复按压的相对电阻变化-时间图如图3所示,测试其稳定性。
实施例3
一种银纳米线/MXene柔性应力传感器的制备方法,包括以下步骤S1)、银纳米线导电薄膜的制备
S101)、在室温条件下,分别将3.5mmol的葡萄糖、3mmol的硝酸银和0.5mmol的硫酸铁分别用去离子水溶解,得到的三者的体积比为2:2:1;然后将三者混合在一起,并通过磁力搅拌得到亮黄色的溶液;
S102)、将6.5g的聚乙烯吡咯烷酮(PVP)加入步骤S101)制备的亮黄色的溶液中,磁力搅拌直至充分溶解PVP完毕后转移至高压反应釜中,在密封状态下以160℃加8h,在热水处理后,获得灰绿色沉淀;
S103)、利用稀硝酸洗涤步骤S102)得到的沉淀数次,将银纳米线表面上的氧化层除去,然后再通过乙醇数次离心后除去银纳米线中过量的稀硝酸;
S104)、通过对步骤S103)反复过滤后收集得到长的银纳米线,然后将得到的长的银纳米线涂敷在厚度为400mnm玻璃片上,并在200℃下加热1.5h;
S105)、如图1所示,在银纳米线薄膜覆盖上叉式图案掩模板,用针穿过空缺部分划去银纳米线薄膜之后,再通过涂敷PDMS在玻璃片上,厚度控制在0.3mm之间,将其在120℃固化4h,剥离下来,得到银纳米线导电薄膜,电阻为0.5Ω。
S2)、内核柔软的MXene导电碳纤维的制备
S201)、在室温为40℃,湿度为50%的条件下,将聚丙烯腈(PAN),分子量为15000,溶解于N-N二甲基甲酰胺(DMF)溶剂中配置15wt%浓度的溶液;
S202)、将步骤S201)中得到的溶液在60℃恒温搅拌6h,通过浓度为15%氢氟酸(HF)加入腐蚀MAX相钛碳化铝Ti3AlC2;目数200-400目,经过去离子水清洗后超声处理3次,每次超声处理2h,然后在温度为80℃下烘干6h,得到干燥的Mxene—Ti3C2粉末;
S203)、将Mxene—Ti3C2粉末加入到PAN前驱液中得到纺丝溶液,密封保存备用;
S204)、将纺丝溶液通过无序静电纺丝机接收距离10-15cm,电压8.0KV,纺制36h后,得到PAN/MXene纤维;
S205)、将PAN/MXene纤维经过温度为200-280℃的条件下预氧化,升温速度控制在0.5℃/min,再在温度为1050℃,通有氮气的管式炉中加热2h制备得到质地外壳较硬、内核柔软的MXene导电碳纤维,其电阻为34Ω。
S3)、柔性压力传感器的制备
S301)、将步骤S20)制备的MXene导电碳纤维上下两端封装步骤S1)制备的银纳米线导电薄膜,边缘采用PDMS进行封装80℃固化1h;
S302)、分别从上下两层银纳米线导电薄膜上利用铜导电胶带引出导线,得到柔性压力传感器的制备。
图4为本实施例制备的柔性传感器从0-1.25kPa循环往复按压5次的相对电阻变化-时间图。
实施例4
一种银纳米线/MXene柔性应力传感器的制备方法,包括以下步骤S1)、银纳米线导电薄膜的制备
S101)、在室温条件下,分别将3mmol的葡萄糖、2mmol的硝酸银和1mmol的硫酸铁分别用去离子水溶解,得到的三者的体积比为2:2:1;然后将三者混合在一起,并通过磁力搅拌得到亮黄色的溶液;
S102)、将6.5g的聚乙烯吡咯烷酮(PVP)加入步骤S101)制备的亮黄色的溶液中,磁力搅拌直至充分溶解PVP完毕后转移至高压反应釜中,在密封状态下以170℃加8h,在热水处理后,获得灰绿色沉淀;
S103)、利用稀硝酸洗涤步骤S102)得到的沉淀数次,将银纳米线表面上的氧化层除去,然后再通过乙醇数次离心后除去银纳米线中过量的稀硝酸;
S104)、通过对步骤S103)反复过滤后收集得到长的银纳米线,然后将得到的长的银纳米线涂敷在厚度为400mnm玻璃片上,并在200℃下加热1.5h;
S105)、如图1所示,在银纳米线薄膜覆盖上叉式图案掩模板,用针穿过空缺部分划去银纳米线薄膜之后,再通过涂敷PDMS在玻璃片上,厚度控制在0.3mm之间,将其在120℃固化4h,剥离下来,得到银纳米线导电薄膜,电阻为1Ω。
S2)、内核柔软的MXene导电碳纤维的制备
S201)、在室温为40℃,湿度为50%的条件下,将聚丙烯腈(PAN),分子量为15000,溶解于N-N二甲基甲酰胺(DMF)溶剂中配置13wt%浓度的溶液;
S202)、将步骤S201)中得到的溶液在60℃恒温搅拌6h,通过浓度为15%氢氟酸(HF)加入腐蚀MAX相钛碳化铝Ti3AlC2;目数200-400目,经过去离子水清洗后超声处理3次,每次超声处理2h,然后在温度为80℃下烘干6h,得到干燥的Mxene—Ti3C2粉末;
S203)、将Mxene—Ti3C2粉末加入到PAN前驱液中得到纺丝溶液,密封保存备用;
S204)、将纺丝溶液通过无序静电纺丝机接收距离10cm,电压10KV,纺制40h后,得到PAN/MXene纤维;
S205)、将PAN/MXene纤维经过温度为200-280℃的条件下预氧化,升温速度控制在2℃/min,再在温度为1050℃,通有氮气的管式炉中加热2h制备得到质地外壳较硬、内核柔软的MXene导电碳纤维,其电阻为4Ω。
S3)、柔性压力传感器的制备
S301)、将步骤S20)制备的MXene导电碳纤维上下两端封装步骤S1)制备的银纳米线导电薄膜,边缘采用PDMS进行封装80℃固化1h;
S302)、分别从上下两层银纳米线导电薄膜上利用铜导电胶带引出导线,得到柔性压力传感器的制备。
图5为本实施例制备的柔性传感器从0-2.5kPa循环往复按压5次的相对电阻变化-时间图。
实施例5
一种银纳米线/MXene柔性应力传感器的制备方法,包括以下步骤S1)、银纳米线导电薄膜的制备
S101)、在室温条件下,分别将3.2mmol的葡萄糖、1.5mmol的硝酸银和5mmol的硫酸铁分别用去离子水溶解,得到的三者的体积比为2:2:1;然后将三者混合在一起,并通过磁力搅拌得到亮黄色的溶液;
S102)、将5.5g的聚乙烯吡咯烷酮(PVP)加入步骤S101)制备的亮黄色的溶液中,磁力搅拌直至充分溶解PVP完毕后转移至高压反应釜中,在密封状态下以160℃加9h,在热水处理后,获得灰绿色沉淀;
S103)、利用稀硝酸洗涤步骤S102)得到的沉淀数次,将银纳米线表面上的氧化层除去,然后再通过乙醇数次离心后除去银纳米线中过量的稀硝酸;
S104)、通过对步骤S103)反复过滤后收集得到长的银纳米线,然后将得到的长的银纳米线涂敷在厚度为400mnm玻璃片上,并在250℃下加热1h;
S105)、如图1所示,在银纳米线薄膜覆盖上叉式图案掩模板,用针穿过空缺部分划去银纳米线薄膜之后,再通过涂敷PDMS在玻璃片上,厚度控制在0.3mm之间,将其在110℃固化4h,剥离下来,得到银纳米线导电薄膜,电阻为2Ω。图8为本实施例银纳米线SEM图。
S2)、内核柔软的MXene导电碳纤维的制备
S201)、在室温为35℃,湿度为40%的条件下,将聚丙烯腈(PAN),分子量为15000,溶解于N-N二甲基甲酰胺(DMF)溶剂中配置13wt%浓度的溶液;
S202)、将步骤S201)中得到的溶液在60℃恒温搅拌6h,通过浓度为15%氢氟酸(HF)加入腐蚀MAX相钛碳化铝Ti3AlC2;目数300目,经过去离子水清洗后超声处理3次,每次超声处理2h,然后在温度为80℃下烘干6h,得到干燥的Mxene—Ti3C2粉末;
S203)、将Mxene—Ti3C2粉末加入到PAN前驱液中得到纺丝溶液,密封保存备用;
S204)、将纺丝溶液通过无序静电纺丝机接收距离10cm,电压3KV,纺制40h后,得到PAN/MXene纤维;
S205)、将PAN/MXene纤维经过温度为200-280℃的条件下预氧化,升温速度控制在1.5℃/min,再在温度为1050℃,通有氮气的管式炉中加热2h制备得到质地外壳较硬、内核柔软的MXene导电碳纤维,其电阻为32Ω。如图7为本实施例MXene导电碳纤维碳化后的SEM图;
S3)、柔性压力传感器的制备
S301)、将步骤S20)制备的MXene导电碳纤维上下两端封装步骤S1)制备的银纳米线导电薄膜,边缘采用PDMS进行封装80℃固化1h;
S302)、分别从上下两层银纳米线导电薄膜上利用铜导电胶带引出导线,得到柔性压力传感器的制备。
图6为柔性传感器从0-5kPa循环往复按压5次的相对电阻变化-时间图。
上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理和最佳实施例,在不脱离本发明精神和范围的前提下,本发明还会有各种变化和改进,这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。

Claims (9)

1.一种银纳米线/MXene柔性应力传感器的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1)、银纳米线导电薄膜的制备
S101)、在室温条件下,分别将葡萄糖、硝酸银和硫酸铁分别用去离子水溶解,然后将三者混合在一起,并通过磁力搅拌得到亮黄色的溶液;
S102)、将一定量的聚乙烯吡咯烷酮(PVP)加入步骤S101)制备的亮黄色的溶液中,磁力搅拌直至充分溶解PVP完毕后转移至高压反应釜中,在密封状态下以150-200℃加6-10h,在热水处理后,获得灰绿色沉淀;
S103)、利用稀硝酸洗涤步骤S102)得到的沉淀数次,将银纳米线表面上的氧化层除去,然后再通过乙醇数次离心后除去银纳米线中过量的稀硝酸;
S104)、通过对步骤S103)反复过滤后收集得到长的银纳米线,然后将得到的长的银纳米线涂敷在玻璃片上,并在200-250℃下加热0.5-2.5h;
S105)、在银纳米线薄膜覆盖上叉式图案掩模板,用针穿过空缺部分划去银纳米线薄膜之后,再通过涂敷PDMS在玻璃片上,厚度控制在0.1-0.3mm之间,将其在80-120℃固化2-6h,剥离下来,得到银纳米线导电薄膜。
S2)、内核柔软的MXene导电碳纤维的制备
S201)、在室温为30-40℃,湿度为30%-50%的条件下,将聚丙烯腈(PAN)溶解于N-N二甲基甲酰胺(DMF)溶剂中配置13-15wt%浓度的溶液;
S202)、将步骤S201)中得到的溶液在40-60℃恒温搅拌6h,通过浓度为10-15%氢氟酸(HF)加入腐蚀MAX相钛碳化铝Ti3AlC2经过去离子水清洗后超声处理1-3次,每次超声处理1-3h,然后在温度为60-80℃下烘干3-6h,得到干燥的Mxene—Ti3C2粉末;
S203)、将Mxene—Ti3C2粉末加入到PAN前驱液中得到纺丝溶液,密封保存备用;
S204)、将纺丝溶液通过无序静电纺丝机处理得到PAN/MXene纤维;
S205)、将PAN/MXene纤维经过温度为200-280℃的条件下预氧化,升温速度控制在0.5-3℃/min,再在温度为850-1050℃,通有氮气的管式炉中加热2h制备得到质地外壳较硬、内核柔软的MXene导电碳纤维。
S3)、柔性压力传感器的制备
S301)、将步骤S20)制备的MXene导电碳纤维上下两端封装步骤S1)制备的银纳米线导电薄膜,边缘采用PDMS进行封装80℃固化1h;
S302)、分别从上下两层银纳米线导电薄膜上引出导线,得到柔性压力传感器的制备。
2.根据权利要求1所述的一种银纳米线/MXene柔性应力传感器的制备方法,其特征在于:步骤S101)中,所述的葡萄糖、硝酸银和硫酸铁分别溶于去离子水后的体积比为2:2:1。
3.根据权利要求1所述的一种银纳米线/MXene柔性应力传感器的制备方法,其特征在于:步骤S104)中,所述的长的银纳米线的长度为8-10μm,直径为100-150nm。
4.根据权利要求1所述的一种银纳米线/MXene柔性应力传感器的制备方法,其特征在于:步骤S202)中,所述的腐蚀MAX相钛碳化铝Ti3AlC2的目数为200-400目。
5.根据权利要求1所述的一种银纳米线/MXene柔性应力传感器的制备方法,其特征在于:步骤S204)中,将纺丝溶液通过无序静电纺丝机接收距离10-15cm,电压8.0-15KV,纺制36-48h后,得到PAN/MXene纤维。
6.根据权利要求1所述的一种银纳米线/MXene柔性应力传感器的制备方法,其特征在于:步骤S301)中,所述的MXene导电碳纤维和银纳米线导电薄膜按照三明治结构封装。
7.根据权利要求1所述的一种银纳米线/MXene柔性应力传感器的制备方法,其特征在于:步骤S301)中,上下两层的银纳米线导电薄膜的叉式图案相反。
8.根据权利要求1所述的一种银纳米线/MXene柔性应力传感器的制备方法,其特征在于:步骤S301)中,MXene导电碳纤维的尺寸为:长宽为2*4mm厚度为0.3-0.6mm。
9.根据权利要求1所述的一种银纳米线/MXene柔性应力传感器的制备方法,其特征在于:步骤S302)中,分别从上下两层银纳米线导电薄膜上利用铜导电胶带引出导线。
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