CN110739404A - 量子点发光二极管及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明属于显示技术领域，具体涉及一种量子点发光二极管及其制备方法。该量子点发光二极管，包括阳极、阴极以及设置在所述阳极和所述阴极之间的量子点发光层，所述阴极与所述量子点发光层之间设置有复合电子传输层，所述复合电子传输层含有电子传输材料和紫外线吸收材料。该量子点发光二极管的复合电子传输层含有电子传输材料和紫外线吸收材料，而紫外线吸收材料中的官能团与电子传输材料表面的空位或悬挂键结合，以钝化电子传输材料的表面缺陷，从而避免量子点发光二极管的发光淬灭现象，进而提高器件的发光性能。
Description
技术领域
本发明属于显示技术领域，具体涉及一种量子点发光二极管及其制备方法。
背景技术
量子点(Quantum dot，QD)又被称为纳米晶，是三个维度的尺寸小于或者接近于波尔半径(一般直径不超过10nm)的粒子，通常为II-VI族或III-V族元素组成的纳米颗粒。正是由于量子点的尺寸极小，所以其内部电子在不同方向上的运动都会受到限制。因此其光学和电子属性不同于大型粒子，具有量子限域效应、表面效应、量子隧道效应、介电限域效应等特殊的物理效应。量子点技术的应用领域宽广，如半导体晶体管、太阳能电池、LED、量子计算、医疗成像等，其中显示技术是量子点应用的最重要的领域之一。量子点发光二极管(Quantum dot light-emitting diode，QLED)是一种新兴的显示器件，其发光材料采用性能更加稳定的无机量子点。相对于有机荧光染料，量子点具有色彩饱和度好、光谱可调、发光强度大、色纯度高、荧光寿命长、单光源可激发多色荧光等优势。此外，QLED器件寿命长，封装工艺简单，有望成为下一代的平板显示器件，具有广阔的应用前景。
目前，QLED器件一般使用具有高载流子迁移率的金属氧化物或金属硫化物半导体作为电子传输层，如氧化锌、二氧化钛、氧化锡、氧化锆、硫化锌、硫化镉等。在具体应用过程中，一般是先采用溶液法制备出这些金属氧化物或金属硫化物半导体纳米颗粒，然后通过溶液成膜法制备成薄膜。虽然这些材料具有优异的电子注入和传输性能，但是其存在两方面的不足，其中一个方面是，由于这些材料大部分是通过溶液法合成的纳米颗粒，其表面及内部存在大量的缺陷，而这些缺陷会成为载流子的复合中心，引起器件的发光淬灭，从而降低器件的发光性能；另一方面，像二氧化钛、氧化锌等这类具有优异电子传输性能的金属氧化物材料，其本身也具有较强的光催化能力，即在光子的激发下能够起到光催化效应，例如，当这些材料受到大于禁带宽度能量的光子照射后，电子会从价带跃迁到导带，产生电子-空穴对，电子具有还原性，空穴具有氧化性，空穴与氧化物半导体颗粒表面的-OH(羟基)反应生成氧化性很高的OH自由基，活泼的OH自由基可以把许多有机物氧化。而在QLED器件内部，由于金属氧化物电子传输层与量子点层直接接触，金属氧化物(如氧化锌)的光催化作用会严重地损害量子点表面的有机配体，并且会影响量子点材料以及量子点/氧化锌和氧化锌/金属阴极的界面，从而极大地降低QLED器件的发光寿命，因此，现有技术还有待进一步的研究和发展。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的上述不足，提供一种量子点发光二极管及其制备方法，旨在解决现有量子点发光二极管内的电子传输材料表面存在大量的缺陷，以致引起器件的发光淬灭、降低器件发光性能的技术问题。
为实现上述发明目的，本发明采用的技术方案如下：
本发明一方面提供一种量子点发光二极管，包括阳极、阴极以及设置在所述阳极和所述阴极之间的量子点发光层，所述阴极与所述量子点发光层之间设置有复合电子传输层，所述复合电子传输层含有电子传输材料和紫外线吸收材料。
本发明另一方面提供一种量子点发光二极管的制备方法，包括如下步骤：
在阴极或量子点发光层上制备复合电子传输层，所述复合电子传输层含有电子传输材料和紫外线吸收材料。
本发明提供的量子点发光二极管中的阴极与所述量子点发光层之间设置有复合电子传输层，该复合电子传输层含有电子传输材料和紫外线吸收材料，该紫外线吸收材料中的官能团与电子传输材料表面的空位或悬挂键结合，以钝化电子传输材料的表面缺陷，从而避免量子点发光二极管的发光淬灭现象，进而提高器件的发光性能。
本发明提供的量子点发光二极管的制备方法工艺简单，在阴极或量子点发光层上制备含有电子传输材料和紫外线吸收材料的复合电子传输层，该所述复合电子传输层中的紫外线吸收材料可以钝化电子传输材料的表面缺陷，从而避免量子点发光二极管的发光淬灭现象，进而提高器件的发光性能。
附图说明
图1为本发明一实施例中量子点发光二极管的复合电子传输层的结构示意图。
具体实施方式
为了使本发明要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
一方面，本发明实施例提供了一种量子点发光二极管，包括阳极、阴极以及设置在所述阳极和所述阴极之间的量子点发光层，所述阴极与所述量子点发光层之间设置有复合电子传输层，所述复合电子传输层含有电子传输材料和紫外线吸收材料。
本发明实施例提供的量子点发光二极管中的阴极与所述量子点发光层之间设置有复合电子传输层，该复合电子传输层含有电子传输材料和紫外线吸收材料，该紫外线吸收材料中的官能团与电子传输材料表面的空位或悬挂键结合，以钝化电子传输材料的表面缺陷，从而避免量子点发光二极管的发光淬灭现象，进而提高器件的发光性能。
进一步地，在本发明实施例提供的量子点发光二极管中，所述复合电子传输层包括所述电子传输材料组成的电子传输层和所述紫外线吸收材料组成的界面修饰层；其中，所述界面修饰层位于所述电子传输层和所述阴极之间；和/或所述界面修饰层位于所述电子传输层和所述量子点发光层之间。即本发明实施例的上述电子传输层可以为一层，且层叠设置在电子传输层和阴极之间；或者该电子传输层可以为一层，且层叠设置在电子传输层和量子点发光层之间；或者该电子传输层可以为两层，电子传输层和阴极之间一层、电子传输层和量子点发光层之间一层。由紫外线吸收材料组成的界面修饰层设置在电子传输层表面，可以钝化电子传输层的表面缺陷，而且紫外线吸收材料中含有的配位基团(如图1中芥子酸酯的羟基或羧基)，还能起到界面修饰的作用，增强两个界面直接的结合程度。更近一步地，所述界面修饰层的厚度为2-90nm。
进一步地，在本发明实施例提供的量子点发光二极管中，所述复合电子传输层为所述电子传输材料和所述紫外线吸收材料混合组成的复合电子传输层。紫外线吸收材料可以钝化电子传输材料的表面缺陷，当紫外线吸收材料与电子传输材料混合时，紫外线吸收材料可钝化复合电子传输层的内部缺陷。更近一步地，所述界面修饰层的厚度为2-90nm。
进一步地，在本发明实施例提供的量子点发光二极管中，所述电子传输材料选自金属氧化物电子传输材料；金属氧化物电子传输材料(如二氧化钛、氧化锌等)具有优异的电子传输性能，但其也具有较强的光催化能力，即在光子的激发下能够起到光催化效应，当紫外光或含紫外光成分的光在金属氧化物电子传输材料的光催化作用下，对器件内部无机材料(包括量子点材料、氧化物纳米颗粒材料等)和/或有机材料(包括纳米颗粒的表面配体、有机传输层、有机修饰层等)造成破坏，从而产生对材料性质和器件性能不利影响的后果，如量子点表面配体脱落、量子点团聚、纳米颗粒表面缺陷增加、功能层界面缺陷增加、纳米颗粒能带变化、载流子传输势垒提高等。而本发明实施例中，在量子点发光层与金属氧化物电子传输材料组成的电子传输层之间的界面，和/或在金属氧化物电子传输材料组成的电子传输层内部，和/或在金属氧化物电子传输材料组成的电子传输层与阴极之间的界面，引入一种或多种该紫外线吸收材料，即所述金属氧化物电子传输材料和所述紫外线吸收材料混合组成的复合电子传输层，或所述金属氧化物电子传输材料组成的电子传输层的至少一表面设置所述紫外线吸收材料组成的界面修饰层；这样不仅可以钝化金属氧化物电子传输材料的表面缺陷，而且能够抑制紫外光对器件材料及器件性能造成影响，最终更加能够提高器件性能，以及延长器件寿命。
更进一步地，上述紫外线吸收材料选自肉桂酸、肉桂酸类衍生物、水杨酸、水杨酸类衍生物、苯甲酮、苯甲酮类衍生物、苯并三唑、苯并三唑类衍生物、氰基丙烯酸、氰基丙烯酸类衍生物、三嗪、三嗪类衍生物、苯甲酸、苯甲酸类衍生物、受阻胺类化合物、有机镍类化合物、苯基苯丙咪唑磺酸、对苯二亚甲基二樟脑磺酸、甲酚曲唑三硅氧烷、丁基甲氧基二苯甲酰基甲烷和4-甲基亚苄亚基樟脑中的至少一种。
在上述紫外线吸收材料中：所述肉桂酸类衍生物选自甲氧基肉桂酸辛酯、甲氧基肉桂酸异辛酯4-甲氧基肉桂酸-2-乙基己基酯、四双叔丁基季戊四醇羟基氧化肉桂酸酯、芥子酸和芥子酸衍生物(如包括芥子酸酯、芥子酰葡萄糖、芥子酰苹果酸、芥子酰胆碱中的一种或多种)中的至少一种。所述水杨酸类衍生物选自水杨酸辛酯、甲基水杨醇、3,5-二氯水杨酸苯酯、4,4’-亚异丙基双(苯酚水杨酸酯)、水杨酸对叔丁基苯酯和水杨酸对辛基苯酯中的至少一种。所述苯甲酮类衍生物选自2-羟基-4-正辛氧基二苯甲酮、2-羟基-4-甲氧基二苯甲酮、2,4-二羟基二苯甲酮、二苯甲酮-3、2-羟基-4-(2’-乙代己氧基)-二苯甲酮、2-羟基-4-十二烷基-二苯甲酮、2-羟基-4-甲氧基-2’-羧基二苯甲酮、2-羟基-4(2’-羟基-3’-丙烯酸氧基丙氧基)二苯甲酮、2-羟基-4-[2’-羟基-3’-(甲基丙烯酸氧基丙氧基)]二苯甲酮、2,2’-二羟基-4-正辛氧基二苯甲酮、2-羟基-4-甲氧基-4-氯代二苯甲酮、2-羟基-4-甲氧基-2’,4’-二氯二苯甲酮、1,3-双(3’-羟基-4’-苯甲酸基苯氧基)丙醇-2、2-羟基-4-十八烷氧基二苯甲酮、2,2’-二羟基-个甲氧基二苯甲酮、2,2’-二羟基-4,4’-二甲氧基二苯甲酮、2,2’,4,4’-四羟基二苯甲酮和2-羟基-4-丙烯酰氧乙氧基二苯甲酮中的至少一种。2-(2’-羟基-3’,5’-二叔苯基)-5-氯化苯并三唑、2-(2’-羟基-5’-甲基苯基)苯并三唑、2-(2’-羟基-5’-甲基苯基)苯并三唑、(2’-羟基-3’-叔丁基-5’-甲基苯基)-5-氯代苯并三唑、2-(2’-羟基-3’,5’-二叔丁基苯基)-5-氯代苯并三唑、甲基3-(3-(2H苯并三唑-2-基)5-叔丁基-4-羟基苯基)丙烯酸酯、2-(2’-羟基-3’,5’-二戊基苯基)苯并三唑、2-(2’-羟基-4’-正辛氧基苯基)苯并三唑、2-(2’-羟基-5’-特辛基苯基)苯并三唑、2-(2H-苯并三唑-2-基)-4-(叔丁基-6-仲丁基)苯酚、2-(2H-苯并三唑-2-基)-4,6-二(1-甲基-1-苯基乙基)苯酚、2,2’-亚甲基双(6-(2H-苯并三唑-2-基)-4-(1,1,3,3-四甲基丁基)苯酚)、2-(2H-苯并三唑-2-基)-6-(十二烷基)-4-甲基苯酚和亚甲基双-苯并三唑基四甲基丁基酚中的至少一种。所述氰基丙烯酸类衍生物选自2-氰基-3,3’-二苯基丙烯酸-2-乙基乙酯、2-氰基-3,3’-二苯基丙烯酸乙酯和2-氰基-3,3-二苯基丙烯酸异辛酯中的至少一种。所述三嗪类衍生物选自2,4,6-三(2’正丁氧基苯基)-1,3,5-三嗪、乙基己基三嗪酮、二乙基己基丁酰胺基三嗪酮、三(2,2,6,6-四甲基-4-氧基-哌啶基)-1,3,5-三嗪、2-(4,6-二苯基-1,3,5-三嗪-2-基)-5-[(己基)氧基]-苯酚、2-[4,6-双(2,4-二甲苯基)-2-(1,3,5-三嗪基)]-5-辛氧基苯酚和双-乙基己氧苯酚甲氧苯基三嗪中的至少一种。所述苯甲酸类衍生物选自二乙基氨基羟基苯甲酰苯甲酸己酯、戊烷基二甲对胺基苯甲酸、辛-二甲基-对胺基苯甲酸、邻羟基苯甲酸苯酯、单苯甲酸间苯二酚酯、间苯二酚单苯甲酸酯、3,5-二叔丁基-4-羟基苯甲酸-2,4-二叔丁基苯酯和3,5-二叔丁基-4-羟基苯甲酸正十六酯中的至少一种。所述受阻胺类化合物选自乙基双(2,2,6,6-四甲基哌嗪酮)、4-苯甲酰氧基-2,2,6,6四甲基哌啶、2-(3,5-二叔丁基-4-羟基-苯苄)-2-丁基1,3-丙二酸二(1,2,2,6,6-五甲基-4-哌啶基)酯、四(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)-1,2,3,4-丁烷四羧酸酯、双(2,2,6,6-四甲基哌啶基)癸二酸酯、聚-{[6-[(1,1,3,3,-四甲基丁基)-亚氨基]-1,3,5,-三嗪-2,4-二基][2-(2,2,6,6,-四甲基哌啶基)-次氨基-六亚甲基-[4-(2,2,6,6,-四甲基派啶基)-次氨基]]、丁二酸与4-羟基-2,2,6,6-四甲基-1-哌啶醇的聚合体、[[6-[(1,l,3,3-四甲基丁基)胺基]均三嗪-2,4-二][[(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)亚胺基]己甲叉[(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)亚胺基]]的聚合体、双(或三)(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)-双(或单)十三烷基-1,2,3,4-丁烷四羧酸酯、双(或三)(1,2,2,6,6-五甲基-4-哌啶基)-双(或单)十三烷基-l,2,3,4-丁烷四羧酸酯、4-(对甲苯磺酰胺基)-2,2,6,6-四甲基哌啶、双(1,2,2,6,6-五甲基4-哌啶基)-癸二酸酯、N-三乙酸(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)酯、N-三乙酸(1,2,2,6,6-五甲基-4-哌啶基)酯、三(1,2,2,6,6-五甲基-4-哌啶基)-亚磷酸酯、聚-(4(2,2,6,6-四甲基哌啶基)亚胺基-六亚甲基[4-(2,2,6,6-四甲基哌啶基)亚胺基]-乙烯、双(1-辛氧基-2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)癸二酯和六甲基磷酰三胺中的至少一种。所述有机镍类化合物选自四正丁基二硫代氨基甲酸镍、2,2’-硫代双(对叔辛基苯酚)镍-正丁胺络合物、2,2’-硫代双(对叔辛基苯酚)镍和2，2’-硫代双(4-叔辛基酚氧基)镍中的至少一种。
其中，紫外线吸收材料优选自羟基肉桂酸类衍生物，具体地，选自羟基肉桂酸类衍生物中的芥子酸、芥子酸酯及其衍生物，包括但不限于芥子酰葡萄糖(Sinapoyl glucose)、芥子酰苹果酸(Sinapoyl malate)、芥子酰胆碱(Sinapoyl choline)中的一种或多种。具体地，所述芥子酸酯为一种芥子酸的脂衍生物，是一类拟南芥和其他十字花科植物中大量存在的羟基肉桂酸类衍生物，在植物中，其均匀地分布在叶面上，保护植物光合作用等生命过程不被过量的紫外线损害，是一种天然绿色环保的紫外线吸收材料，其能够有效地吸收紫外光，当吸收紫外光到达电子激发态后，会通过超快的光异构化方式转换回到基态，有效地避免紫外光成分对QLED器件内部的材料及器件性能造成不利影响。
如图1所示：芥子酸酯的化学结构中，一端含有丰富的羧基，能够很好地锚定在金属氧化物电子传输材料组成的电子传输层(如图1的氧化锌电子传输层)表面(该紫外线吸收材料设置在量子点发光层与电子传输层之间的界面，和/或电子传输层与阴极之间的界面)，和/或在复合电子传输层内部与金属氧化物电子传输材料纳米颗粒相互连接(该紫外线吸收材料与金属氧化物电子传输材料混合组成复合电子传输层)；另一端含有羟基和甲氧基，能够很好地锚定在量子点发光层表面(如果该紫外线吸收材料设置在量子点发光层与电子传输层之间的界面)或能够很好地锚定在阴极表面(如果该紫外线吸收材料设置在电子传输层与阴极之间的界面)，从而有效地连接其上下的各层，并且有效地钝化电子传输层材料表面的缺陷态和悬挂键。此外，芥子酸酯具有共轭结构，连接上下功能层后，能够通过共轭结构有效地提高载流子的注入和传输效率。
在本发明实施例提供的量子点发光二极管中，电子传输层选自掺杂或非掺杂的金属氧化物、掺杂或非掺杂的金属硫化物中的一种或多种。其中，所述掺杂或非掺杂金属氧化物包括ZnO、TiO2、SnO2、Ta2O3、ZrO2、NiO、TiLiO、ZnAlO、ZnMgO、ZnSnO、ZnLiO、InSnO中的一种或多种。所述掺杂或非掺杂金属硫化物包括CdS、ZnS、MoS、WS、CuS中的一种或多种。
所述量子点发光层的材料为II-VI族化合物、III-V族化合物、II-V族化合物、III-VI化合物、IV-VI族化合物、I-III-VI族化合物、II-IV-VI族化合物或IV族单质中的一种或多种。具体地，所述量子点发光层使用的半导体材料包括但不限于II-VI半导体的纳米晶，比如CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、HgS、HgSe、HgTe、PbS、PbSe、PbTe和其他二元、三元、四元的II-VI化合物；III-V族半导体的纳米晶，比如GaP、GaAs、InP、InAs和其他二元、三元、四元的III-V化合物；所述的用于电致发光的半导体材料还不限于II-V族化合物、III-VI化合物、IV-VI族化合物、I-III-VI族化合物、II-IV-VI族化合物、IV族单质等。其中，所述量子点发光层的材料还可以为掺杂或非掺杂的无机钙钛矿型半导体、和/或有机-无机杂化钙钛矿型半导体；具体地，所述的无机钙钛矿型半导体的结构通式为AMX3，其中A为Cs+离子，M为二价金属阳离子，包括但不限于Pb2+、Sn2+、Cu2+、Ni2+、Cd2+、Cr2+、Mn2+、Co2+、Fe2+、Ge2+、Yb2+、Eu2+，X为卤素阴离子，包括但不限于Cl-、Br-、I-；所述的有机-无机杂化钙钛矿型半导体的结构通式为BMX3，其中B为有机胺阳离子，包括但不限于CH3(CH2)n-2NH3 +(n≥2)或NH3(CH2)nNH3 2+(n≥2)。当n＝2时，无机金属卤化物八面体MX6 4-通过共顶的方式连接，金属阳离子M位于卤素八面体的体心，有机胺阳离子B填充在八面体间的空隙内，形成无限延伸的三维结构；当n＞2时，以共顶的方式连接的无机金属卤化物八面体MX6 4-在二维方向延伸形成层状结构，层间插入有机胺阳离子双分子层(质子化单胺)或有机胺阳离子单分子层(质子化双胺)，有机层与无机层相互交叠形成稳定的二维层状结构；M为二价金属阳离子，包括但不限于Pb2+、Sn2 +、Cu2+、Ni2+、Cd2+、Cr2+、Mn2+、Co2+、Fe2+、Ge2+、Yb2+、Eu2+；X为卤素阴离子，包括但不限于Cl-、Br-、I。
所述量子点发光二极管可以设置在衬底上，其中，所述衬底为刚性衬底或柔性衬底，其中，所述的刚性衬底包括但不限于玻璃、金属箔片中的一种或多种；所述的柔性衬底包括但不限于聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚醚醚酮(PEEK)、聚苯乙烯(PS)、聚醚砜(PES)、聚碳酸酯(PC)、聚芳基酸酯(PAT)、聚芳酯(PAR)、聚酰亚胺(PI)、聚氯乙烯(PV)、聚乙烯(PE)、聚乙烯吡咯烷酮(PVP)、纺织纤维中的一种或多种。所述阳极和阴极包括但不限于金属材料、碳材料、金属氧化物中的一种或多种。其中，所述金属材料包括Al、Ag、Cu、Mo、Au、Ba、Ca、Mg中的一种或多种。所述碳材料包括石墨、碳纳米管、石墨烯、碳纤维中的一种或多种。所述金属氧化物可以是掺杂或非掺杂金属氧化物，包括ITO、FTO、ATO、AZO、GZO、IZO、MZO、AMO中的一种或多种，也包括掺杂或非掺杂透明金属氧化物之间夹着金属的复合电极，其中，所述复合电极包括AZO/Ag/AZO、AZO/Al/AZO、ITO/Ag/ITO、ITO/Al/ITO、ZnO/Ag/ZnO、ZnO/Al/ZnO、TiO2/Ag/TiO2、TiO2/Al/TiO2、ZnS/Ag/ZnS、ZnS/Al/ZnS、TiO2/Ag/TiO2、TiO2/Al/TiO2中的一种或多种。特别地，选用不同材料的阳极和阴极，可以搭配构建具有不同发光特点的量子点发光二极管，包括顶发射器件、底发射器件、全透明器件。
在复合电子传输层与阴极之间，可以设置电子功能层(如电子注入层、电子阻挡层中至少一种)，在阳极与量子点发光层之间可以设置空穴功能层(如空穴注入层、空穴传输层、空穴阻挡层中的至少一种)。其中，所述空穴注入层选自PEDOT:PSS、CuPc、F4-TCNQ、HATCN、过渡金属氧化物、过渡金属硫系化合物中的一种或多种。其中，所述过渡金属氧化物包括NiOx、MoOx、WOx、CrOx、CuO中的一种或多种。所述金属硫系化合物包括MoSx、MoSex、WSx、WSex、CuS中的一种或多种。所述空穴传输层选自聚(9,9-二辛基芴-CO-N-(4-丁基苯基)二苯胺)、聚乙烯咔唑、聚(N,N'双(4-丁基苯基)-N,N'-双(苯基)联苯胺)、聚(9,9-二辛基芴-共-双-N,N-苯基-1,4-苯二胺)、4,4’,4”-三(咔唑-9-基)三苯胺、4,4'-二(9-咔唑)联苯、N,N’-二苯基-N,N’-二(3-甲基苯基)-1,1’-联苯-4,4’-二胺、15N,N’-二苯基-N,N’-(1-萘基)-1,1’-联苯-4,4’-二胺、石墨烯、C60中的至少一种。作为另一个实施例，所述空穴传输层选自具有空穴传输能力的无机材料，包括但不限于NiOx、MoOx、WOx、CrOx、CuO、MoSx、MoSex、WSx、WSex、CuS中的至少一种。
本发明另一方面提供一种量子点发光二极管的制备方法，包括如下步骤：
在阴极或量子点发光层上制备复合电子传输层，所述复合电子传输层含有电子传输材料和紫外线吸收材料。
本发明实施例提供的量子点发光二极管中的阴极与所述量子点发光层之间设置有复合电子传输层，该复合电子传输层含有电子传输材料和紫外线吸收材料，该紫外线吸收材料可以钝化电子传输材料的表面缺陷，从而避免量子点发光二极管的发光淬灭现象，进而提高器件的发光性能。
进一步地，所述在阴极或量子点发光层上制备复合电子传输层的步骤包括：
S01：将所述电子传输材料和紫外线吸收材料混合，得到复合材料；
S02：将所述复合材料沉积在所述阴极或量子点发光层上，得到由所述电子传输材料和所述紫外线吸收材料混合组成的所述复合电子传输层。
这样，最终得到的量子点发光二极管中，复合电子传输层为所述电子传输材料和所述紫外线吸收材料混合组成的复合电子传输层。
进一步地，所述在阴极或量子点发光层上制备复合电子传输层的步骤包括：
T01：将所述电子传输材料沉积在所述阴极或量子点发光层上，得到电子传输层；将所述紫外线吸收材料沉积到所述电子传输层上，得到界面修饰层；或者，
T02：将所述紫外线吸收材料沉积到所述阴极或量子点发光层上，得到界面修饰层；将所述电子传输材料沉积在所述界面修饰层上，得到电子传输层；
其中，所述界面修饰层和所述电子传输层组成所述复合电子传输层。
这样，最终得到的量子点发光二极管中，所述复合电子传输层包括所述电子传输材料组成的电子传输层和所述紫外线吸收材料组成的界面修饰层，且所述界面修饰层设置在所述电子传输层的至少一面上
上述制备方法得到的量子点发光二极管，其封装方式可以为部分封装、全封装、或不封装，本发明实施例中没有严格限制。
对于由界面修饰层和电子传输层组成复合电子传输层，包括如下四种情况：
具体地，在一优选实施例中，一种正型结构量子点发光二极管的制备方法，包括以下步骤：
步骤S1：在衬底上制备阳极；
步骤S2：在阳极上制备空穴注入层；
步骤S3：在空穴注入层上制备空穴传输层；
步骤S4：在空穴传输层上制备量子点发光层；
步骤S5：在量子点发光层上引入如上所述紫外线吸收材料组成的界面修饰层；
步骤S6：在界面修饰层上制备电子传输层；
步骤S7：在电子传输层上制备阴极，得到量子点发光二极管；
具体地，在一优选实施例中，一种正型结构量子点发光二极管的制备方法，包括以下步骤：
步骤S1：在衬底上制备阳极；
步骤S2：在阳极上制备空穴注入层；
步骤S3：在空穴注入层上制备空穴传输层；
步骤S4：在空穴传输层上制备量子点发光层；
步骤S5：在量子点发光层上制备电子传输层；
步骤S6：在电子传输层上引入如上所述紫外线吸收材料组成的界面修饰层；
步骤S7：在界面修饰层上制备阴极，得到量子点发光二极管。
具体地，在一优选实施例中，一种反型结构量子点发光二极管的制备方法，包括以下步骤：
步骤S1：在衬底上制备阴极；
步骤S2：在阴极上制备电子传输层；
步骤S3：在电子传输层上引入如上所述紫外线吸收材料组成的界面修饰层；
步骤S4：在界面修饰层上制备量子点发光层；
步骤S5：在量子点发光层上制备空穴传输层；
步骤S6：在空穴传输层上制备空穴注入层；
步骤S7：在空穴注入层上制备阳极，得到量子点发光二极管；
具体地，在一优选实施例中，一种反型结构量子点发光二极管的制备方法，包括以下步骤：
步骤S1：在衬底上制备阴极；
步骤S2：在阴极上引入如上所述紫外线吸收材料组成的界面修饰层；；
步骤S3：在界面修饰层上制备电子传输层；
步骤S4：在电子传输层上制备量子点发光层；
步骤S5：在量子点发光层上制备空穴传输层；
步骤S6：在空穴传输层上制备空穴注入层；
步骤S7：在空穴注入层上制备阳极，得到量子点发光二极管；
其中，以上所述的四种量子点发光二极管的制备方法中，所述紫外线吸收材料制成的界面修饰层采用溶液法制备，包括但不限于旋涂法、印刷法、刮涂法、浸渍提拉法、浸泡法、喷涂法、滚涂法、浇铸法、狭缝式涂布法、条状涂布法。具体地，首先将紫外线吸收材料溶解在溶剂中，配制成浓度为0.03-120mmol/L(更优选地，为0.05-30mmol/L)的含紫外线吸收材料的溶液，然后通过溶液法沉积在所述制备方法中的特定功能层上，然后于25-120℃(更优选地，为60～100℃)退火0-60min，得到界面修饰层。其中，所述界面修饰层的厚度为2-90nm。所述的溶剂为有机溶剂，包括但不限于饱和烃、不饱和烃、芳香烃、醇类溶剂、醚类溶剂、酮类溶剂、腈类溶剂、酯类溶剂、以及它们的衍生物中的一种或者是多种组成的混合有机溶剂。特别地，所述的溶剂优选为醇类溶剂，包括但不限于一元醇、多元醇和芳香醇中的一种或多种，具体包括但不限于甲醇、乙醇、乙二醇、丙醇、丙二醇、丙三醇、异丙醇、丁醇、戊醇、己醇、环己醇、正丁醇、苯甲醇、苯乙醇中的一种或多种。
其中，以上四种量子点发光二极管的制备方法，除了所述紫外线吸收材料组成的界面修饰层外，其他各层的制备方法可以是化学法或物理法，其中化学法包括但不限于化学气相沉积法、连续离子层吸附与反应法、阳极氧化法、电解沉积法、共沉淀法中的一种或多种；物理法包括但不限于物理镀膜法或溶液法，其中溶液法包括但不限于旋涂法、印刷法、刮涂法、浸渍提拉法、浸泡法、喷涂法、滚涂法、浇铸法、狭缝式涂布法、条状涂布法；物理镀膜法包括但不限于热蒸发镀膜法、电子束蒸发镀膜法、磁控溅射法、多弧离子镀膜法、物理气相沉积法、原子层沉积法、脉冲激光沉积法中的一种或多种。
对于由电子传输材料与紫外线吸收材料混合组成的复合电子传输层，包括如下两种情况：
具体地，在另一优选实施例中，一种正型结构量子点发光二极管的制备方法，包括以下步骤：
步骤S1：在衬底上制备阳极；
步骤S2：在阳极上制备空穴注入层；
步骤S3：在空穴注入层上制备空穴传输层；
步骤S4：在空穴传输层上制备量子点发光层；
步骤S5：提前将电子传输材料与如上所述的紫外线吸收材料混合均匀，配制成混合溶液，然后将其沉积在量子点发光层上，形成一层电子传输材料与紫外线吸收材料共同混合组成的复合电子传输层；
步骤S6：在步骤S5所述的复合电子传输层上制备阴极，得到量子点发光二极管；
具体地，在另一优选实施例中，一种反型结构量子点发光二极管的制备方法，包括以下步骤：
步骤S1：在衬底上制备阴极；
步骤S2：提前将电子传输材料与如上所述的紫外线吸收材料混合均匀，配制成混合溶液，然后将其沉积在阴极上，形成一层电子传输材料与紫外线吸收材料共同混合组成的复合电子传输层；
步骤S3：在步骤S2所述的复合电子传输层上制备量子点发光层；
步骤S4：在量子点发光层上制备空穴传输层；
步骤S5：在空穴传输层上制备空穴注入层；
步骤S6：空穴注入层上制备阳极，得到量子点发光二极管；
其中，以上两种量子点发光二极管的制备方法，所述复合电子传输层的制备方法具体为，首先将如上所述的电子传输材料与如上所述的紫外线吸收材料混合均匀，溶解在溶剂中，配制成混合溶液，然后采用溶液法将其沉积在上述制备方法中的特定功能层上，形成一层由电子传输材料与紫外线吸收材料共同组成的复合电子传输层。所述复合电子传输层采用溶液法制备，包括但不限于旋涂法、印刷法、刮涂法、浸渍提拉法、浸泡法、喷涂法、滚涂法、浇铸法、狭缝式涂布法、条状涂布法。所述混合溶液中，电子传输材料的浓度为0.05-200mol/L，紫外线吸收材料的浓度为0.03-90mmol/L(更优选地，为0.05-23mmol/L)。特别地，当所述复合电子传输层制备完成后，需要于25-120℃(更优选地，为30-100℃)退火0-60min。优选地，所述的复合电子传输层的厚度为2～170nm。溶剂为有机溶剂，包括但不限于饱和烃、不饱和烃、芳香烃、醇类溶剂、醚类溶剂、酮类溶剂、腈类溶剂、酯类溶剂、以及它们的衍生物中的一种或者是多种组成的混合有机溶剂。特别地，溶剂优选为醇类溶剂，包括但不限于一元醇、多元醇和芳香醇中的一种或多种，具体包括但不限于甲醇、乙醇、乙二醇、丙醇、丙二醇、丙三醇、异丙醇、丁醇、戊醇、己醇、环己醇、正丁醇、苯甲醇、苯乙醇中的一种或多种。
其中，以上两种量子点发光二极管的制备方法，除了所述的复合电子传输层外，其他各层的制备方法可以是化学法或物理法，其中化学法包括但不限于化学气相沉积法、连续离子层吸附与反应法、阳极氧化法、电解沉积法、共沉淀法中的一种或多种；物理法包括但不限于物理镀膜法或溶液法，其中溶液法包括但不限于旋涂法、印刷法、刮涂法、浸渍提拉法、浸泡法、喷涂法、滚涂法、浇铸法、狭缝式涂布法、条状涂布法；物理镀膜法包括但不限于热蒸发镀膜法、电子束蒸发镀膜法、磁控溅射法、多弧离子镀膜法、物理气相沉积法、原子层沉积法、脉冲激光沉积法中的一种或多种。
最后，本发明实施例还提供一种印刷量子点显示屏，包括本发明实施例的上述量子点发光二极管。
本发明先后进行过多次试验，现举一部分试验结果作为参考对发明进行进一步详细描述，下面结合具体实施例进行详细说明。
实施例1
一种量子点发光二极管，其制备过程如下：
首先将芥子酰苹果酸以浓度为0.2mmol/L溶解在甲醇中，得到芥子酰苹果酸溶液，然后进行如下流程步骤。
A.在ITO导电玻璃上旋涂一层PEDOT:PSS层；
B.在PEDOT:PSS层上旋涂一层TFB层；
C.在TFB层上旋涂一层CdSe/ZnS量子点发光层；
D.将上述配制的芥子酰苹果酸溶液通过旋涂法沉积在CdSe/ZnS量子点发光层上，其中旋涂条件为3000rpm，旋涂结束后，将薄膜于80℃加热退火30min，得到芥子酰苹果酸层；
E.在芥子酰苹果酸层上旋涂一层ZnO电子传输层；
F.在ZnO电子传输层上蒸镀一层Al阴极层，得到量子点发光二极管。
实施例2
一种量子点发光二极管，其制备过程如下：
首先将芥子酰苹果酸以浓度为0.5mmol/L溶解在乙醇中，得到芥子酰苹果酸溶液，然后进行如下流程步骤。
A.在ITO导电玻璃上旋涂一层PEDOT:PSS层；
B.在PEDOT:PSS层上旋涂一层TFB层；
C.在TFB层上旋涂一层CdSe/ZnS量子点发光层；
D.在CdSe/ZnS量子点发光层上旋涂一层ZnO电子传输层；
E.将上述配制的芥子酰苹果酸溶液通过旋涂法沉积在ZnO电子传输层上，其中旋涂条件为3000rpm，旋涂结束后，将薄膜于80℃加热退火30min，得到芥子酰苹果酸层；
F.在芥子酰苹果酸层上蒸镀一层Al阴极层，得到量子点发光二极管。
实施例3
一种量子点发光二极管，其制备过程如下：
首先将芥子酰苹果酸以浓度为0.5mmol/L溶解在乙醇中，得到芥子酰苹果酸溶液，然后进行如下流程步骤。
A.在ITO导电玻璃上旋涂一层ZnO电子传输层；
B.将上述配制的芥子酰苹果酸溶液通过旋涂法沉积在ZnO电子传输层上，其中旋涂条件为3000rpm，旋涂结束后，将薄膜于80℃加热退火30min，得到芥子酰苹果酸层；
C.在芥子酰苹果酸层上旋涂一层CdSe/ZnS量子点发光层；
D.在CdSe/ZnS量子点发光层上蒸镀一层TCTA层；
E.在TCTA层上整个度一层NPB层；
F.在NPB层上蒸镀一层HATCN层；
G.在HATCN层上蒸镀一层Al阴极层，得到量子点发光二极管。
实施例4
一种量子点发光二极管，其制备过程如下：
首先将芥子酰苹果酸以浓度为0.8mmol/L溶解在乙醇中，得到芥子酰苹果酸溶液，然后进行如下流程步骤。
A.将上述配制的芥子酰苹果酸溶液通过旋涂法沉积在ITO导电玻璃上，其中旋涂条件为1500rpm，旋涂结束后，将薄膜于100℃加热退火30min，得到芥子酰苹果酸层；
B.在芥子酰苹果酸层上旋涂一层ZnO电子传输层；
C.在ZnO电子传输层上旋涂一层CdSe/ZnS量子点发光层；
D.在CdSe/ZnS量子点发光层上蒸镀一层TCTA层；
E.在TCTA层上整个度一层NPB层；
F.在NPB层上蒸镀一层HATCN层；
G.在HATCN层上蒸镀一层Al阴极层，得到量子点发光二极管。
实施例5
一种量子点发光二极管，其制备过程如下：
首先将氧化锌和芥子酰苹果酸溶解在乙醇中，形成氧化锌和芥子酰苹果酸的混合溶液，其中，氧化锌的浓度为1mmol/L，芥子酰苹果酸的浓度为0.2mmol/L，然后进行如下流程步骤。
A.在ITO导电玻璃上旋涂一层PEDOT:PSS层；
B.在PEDOT:PSS层上旋涂一层TFB层；
C.在TFB层上旋涂一层CdSe/ZnS量子点发光层；
D.将上述配制的氧化锌和芥子酰苹果酸的混合溶液通过旋涂法沉积在CdSe/ZnS量子点发光层上，其中旋涂条件为3000rpm，旋涂结束后，将薄膜于80℃加热退火30min，得到复合电子传输层；
E.在复合电子传输层上蒸镀一层Al阴极层，得到量子点发光二极管。
实施例6
一种量子点发光二极管，其制备过程如下：
首先将氧化锌和芥子酰苹果酸溶解在乙醇中，形成氧化锌和芥子酰苹果酸的混合溶液，其中，氧化锌的浓度为1mmol/L，芥子酰苹果酸的浓度为0.2mmol/L，然后进行如下流程步骤。
A.将上述配制的氧化锌和芥子酰苹果酸的混合溶液通过旋涂法沉积在ITO导电玻璃上，其中旋涂条件为1500rpm，旋涂结束后，将薄膜于100℃加热退火30min，得到复合电子传输层；
B.在复合电子传输层上旋涂一层CdSe/ZnS量子点发光层；
C.在CdSe/ZnS量子点发光层上蒸镀一层TCTA层；
D.在TCTA层上整个度一层NPB层；
E.在NPB层上蒸镀一层HATCN层；
F.在HATCN层上蒸镀一层Al阴极层，得到量子点发光二极管。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种量子点发光二极管，包括阳极、阴极以及设置在所述阳极和所述阴极之间的量子点发光层，其特征在于，所述阴极与所述量子点发光层之间设置有复合电子传输层，所述复合电子传输层含有电子传输材料和紫外线吸收材料。
2.如权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述复合电子传输层包括所述电子传输材料组成的电子传输层和所述紫外线吸收材料组成的界面修饰层；其中，
所述界面修饰层位于所述电子传输层和所述阴极之间；和/或所述界面修饰层位于所述电子传输层和所述量子点发光层之间。
3.如权利要求2所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述界面修饰层的厚度为2-90nm。
4.如权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述复合电子传输层由所述电子传输材料和所述紫外线吸收材料混合组成。
5.如权利要求4所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述复合电子传输层的厚度为2-170nm。
6.如权利要求1-5任一项所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述电子传输材料选自金属氧化物电子传输材料；和/或
所述紫外线吸收材料选自肉桂酸、肉桂酸类衍生物、水杨酸、水杨酸类衍生物、苯甲酮、苯甲酮类衍生物、苯并三唑、苯并三唑类衍生物、氰基丙烯酸、氰基丙烯酸类衍生物、三嗪、三嗪类衍生物、苯甲酸、苯甲酸类衍生物、受阻胺类化合物、有机镍类化合物、苯基苯丙咪唑磺酸、对苯二亚甲基二樟脑磺酸、甲酚曲唑三硅氧烷、丁基甲氧基二苯甲酰基甲烷和4-甲基亚苄亚基樟脑中的至少一种。
7.如权利要求6所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述肉桂酸类衍生物选自甲氧基肉桂酸辛酯、甲氧基肉桂酸异辛酯4-甲氧基肉桂酸-2-乙基己基酯、四双叔丁基季戊四醇羟基氧化肉桂酸酯、芥子酸和芥子酸衍生物中的至少一种；和/或
所述水杨酸类衍生物选自水杨酸辛酯、甲基水杨醇、3,5-二氯水杨酸苯酯、4,4’-亚异丙基双(苯酚水杨酸酯)、水杨酸对叔丁基苯酯和水杨酸对辛基苯酯中的至少一种；和/或
所述苯甲酮类衍生物选自2-羟基-4-正辛氧基二苯甲酮、2-羟基-4-甲氧基二苯甲酮、2,4-二羟基二苯甲酮、二苯甲酮-3、2-羟基-4-(2’-乙代己氧基)-二苯甲酮、2-羟基-4-十二烷基-二苯甲酮、2-羟基-4-甲氧基-2’-羧基二苯甲酮、2-羟基-4(2’-羟基-3’-丙烯酸氧基丙氧基)二苯甲酮、2-羟基-4-[2’-羟基-3’-(甲基丙烯酸氧基丙氧基)]二苯甲酮、2,2’-二羟基-4-正辛氧基二苯甲酮、2-羟基-4-甲氧基-4-氯代二苯甲酮、2-羟基-4-甲氧基-2’,4’-二氯二苯甲酮、1,3-双(3’-羟基-4’-苯甲酸基苯氧基)丙醇-2、2-羟基-4-十八烷氧基二苯甲酮、2,2’-二羟基-个甲氧基二苯甲酮、2,2’-二羟基-4,4’-二甲氧基二苯甲酮、2,2’,4,4’-四羟基二苯甲酮和2-羟基-4-丙烯酰氧乙氧基二苯甲酮中的至少一种；和/或
所述苯并三唑类衍生物选自2-(2’-羟基-3’,5’-二叔苯基)-5-氯化苯并三唑、2-(2’-羟基-5’-甲基苯基)苯并三唑、2-(2’-羟基-5’-甲基苯基)苯并三唑、(2’-羟基-3’-叔丁基-5’-甲基苯基)-5-氯代苯并三唑、2-(2’-羟基-3’,5’-二叔丁基苯基)-5-氯代苯并三唑、甲基3-(3-(2H苯并三唑-2-基)5-叔丁基-4-羟基苯基)丙烯酸酯、2-(2’-羟基-3’,5’-二戊基苯基)苯并三唑、2-(2’-羟基-4’-正辛氧基苯基)苯并三唑、2-(2’-羟基-5’-特辛基苯基)苯并三唑、2-(2H-苯并三唑-2-基)-4-(叔丁基-6-仲丁基)苯酚、2-(2H-苯并三唑-2-基)-4,6-二(1-甲基-1-苯基乙基)苯酚、2,2’-亚甲基双(6-(2H-苯并三唑-2-基)-4-(1,1,3,3-四甲基丁基)苯酚)、2-(2H-苯并三唑-2-基)-6-(十二烷基)-4-甲基苯酚和亚甲基双-苯并三唑基四甲基丁基酚中的至少一种；和/或
所述氰基丙烯酸类衍生物选自2-氰基-3,3’-二苯基丙烯酸-2-乙基乙酯、2-氰基-3,3’-二苯基丙烯酸乙酯和2-氰基-3,3-二苯基丙烯酸异辛酯中的至少一种；和/或
所述三嗪类衍生物选自2,4,6-三(2’正丁氧基苯基)-1,3,5-三嗪、乙基己基三嗪酮、二乙基己基丁酰胺基三嗪酮、三(2,2,6,6-四甲基-4-氧基-哌啶基)-1,3,5-三嗪、2-(4,6-二苯基-1,3,5-三嗪-2-基)-5-[(己基)氧基]-苯酚、2-[4,6-双(2,4-二甲苯基)-2-(1,3,5-三嗪基)]-5-辛氧基苯酚和双-乙基己氧苯酚甲氧苯基三嗪中的至少一种；和/或
所述苯甲酸类衍生物选自二乙基氨基羟基苯甲酰苯甲酸己酯、戊烷基二甲对胺基苯甲酸、辛-二甲基-对胺基苯甲酸、邻羟基苯甲酸苯酯、单苯甲酸间苯二酚酯、间苯二酚单苯甲酸酯、3,5-二叔丁基-4-羟基苯甲酸-2,4-二叔丁基苯酯和3,5-二叔丁基-4-羟基苯甲酸正十六酯中的至少一种；和/或
所述受阻胺类化合物选自乙基双(2,2,6,6-四甲基哌嗪酮)、4-苯甲酰氧基-2,2,6,6四甲基哌啶、2-(3,5-二叔丁基-4-羟基-苯苄)-2-丁基1,3-丙二酸二(1,2,2,6,6-五甲基-4-哌啶基)酯、四(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)-1,2,3,4-丁烷四羧酸酯、双(2,2,6,6-四甲基哌啶基)癸二酸酯、聚-{[6-[(1,1,3,3,-四甲基丁基)-亚氨基]-1,3,5,-三嗪-2,4-二基][2-(2,2,6,6,-四甲基哌啶基)-次氨基-六亚甲基-[4-(2,2,6,6,-四甲基派啶基)-次氨基]]、丁二酸与4-羟基-2,2,6,6-四甲基-1-哌啶醇的聚合体、[[6-[(1,l,3,3-四甲基丁基)胺基]均三嗪-2,4-二][[(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)亚胺基]己甲叉[(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)亚胺基]]的聚合体、双(或三)(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)-双(或单)十三烷基-1,2,3,4-丁烷四羧酸酯、双(或三)(1,2,2,6,6-五甲基-4-哌啶基)-双(或单)十三烷基-l,2,3,4-丁烷四羧酸酯、4-(对甲苯磺酰胺基)-2,2,6,6-四甲基哌啶、双(1,2,2,6,6-五甲基4-哌啶基)-癸二酸酯、N-三乙酸(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)酯、N-三乙酸(1,2,2,6,6-五甲基-4-哌啶基)酯、三(1,2,2,6,6-五甲基-4-哌啶基)-亚磷酸酯、聚-(4(2,2,6,6-四甲基哌啶基)亚胺基-六亚甲基[4-(2,2,6,6-四甲基哌啶基)亚胺基]-乙烯、双(1-辛氧基-2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)癸二酯和六甲基磷酰三胺中的至少一种；和/或
所述有机镍类化合物选自四正丁基二硫代氨基甲酸镍、2,2’-硫代双(对叔辛基苯酚)镍-正丁胺络合物、2,2’-硫代双(对叔辛基苯酚)镍和2，2’-硫代双(4-叔辛基酚氧基)镍中的至少一种。
8.一种量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
在阴极或量子点发光层上制备复合电子传输层，所述复合电子传输层含有电子传输材料和紫外线吸收材料。
9.如权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述在阴极或量子点发光层上制备复合电子传输层的步骤包括：
将所述电子传输材料和紫外线吸收材料混合，得到复合材料；
将所述复合材料沉积在所述阴极或量子点发光层上，得到由所述电子传输材料和所述紫外线吸收材料混合组成的所述复合电子传输层。
10.如权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述在阴极或量子点发光层上制备复合电子传输层的步骤包括：
将所述电子传输材料沉积在所述阴极或量子点发光层上，得到电子传输层；将所述紫外线吸收材料沉积到所述电子传输层上，得到界面修饰层；或者，
将所述紫外线吸收材料沉积到所述阴极或量子点发光层上，得到界面修饰层；将所述电子传输材料沉积在所述界面修饰层上，得到电子传输层；
其中，所述界面修饰层和所述电子传输层组成所述复合电子传输层。
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