CN116156925A - 一种光电器件及其制备方法、显示装置 - Google Patents

Abstract

本申请公开一种光电器件及其制备方法、显示装置。本申请的光电器件包括层叠设置的阴极、电子传输层、发光层及阳极，电子传输层的材料包括纳米氧化锌和晶体生长抑制剂。通过加入晶体生长抑制剂，抑制纳米氧化锌的晶体生长。或者，电子传输层包括层叠设置的第一子膜层和第二子膜层；第一子膜层的材料包括纳米氧化锌或掺杂纳米氧化锌，第二子膜层的材料包括纳米氧化镍；其中，第一子膜层靠近阴极一侧，第二子膜层靠近发光层一侧，通过形成纳米氧化锌或掺杂纳米氧化锌与纳米氧化镍的复合层，束缚纳米氧化锌的晶体生长。从而避免电子传输层中的纳米氧化锌的晶体尺寸增大而破坏与电子传输层接触的发光层，从而改善高温通电下的光电器件寿命急剧衰减。

Description

一种光电器件及其制备方法、显示装置

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种光电器件及其制备方法、显示装置。

背景技术

光电器件是指根据光电效应制作的器件，其在新能源、传感、通信、显示、照明等领域具有广泛的应用，如太阳能电池、光电探测器、有机电致发光器件(OLED或量子点电致发光器件(QLED)。

传统的光电器件的结构主要包括阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层(即电子传输层)、电子注入层及阴极。在电场的作用下，光电器件的阳极产生的空穴和阴极产生的电子发生移动，分别向空穴传输层和电子传输层注入，最终迁移到发光层，当二者在发光层相遇时，产生能量激子，从而激发发光分子最终产生可见光。

QLED器件等光电器件在高温通电时，寿命会发生急剧衰减，这一现象严重制约了光电器件的应用。因此，如何抑制高温通电下的光电器件寿命衰减成为行业急需解决的问题。

发明内容

有鉴于此，本申请提供一种光电器件及其制备方法、显示装置，旨在改善高温通电下的光电器件寿命急剧衰减的问题。

本申请实施例是这样实现的，提供一种光电器件，包括层叠设置的阴极、电子传输层、发光层及阳极，电子传输层的材料包括纳米氧化锌和晶体生长抑制剂。

可选的，在本申请的一些实施例中，电子传输层的材料由纳米氧化锌粒子和所述晶体生长抑制剂组成。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述晶体生长抑制剂选自聚乙二醇，聚氧乙烯十二烷基醚，亚甲蓝中的至少一种。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述晶体生长抑制剂为聚乙二醇或聚氧乙烯十二烷基醚，所述晶体生长抑制剂与所述纳米氧化锌的摩尔比范围为1：(1-4)；或所述晶体生长抑制剂为亚甲蓝，所述晶体生长抑制剂与所述纳米氧化锌的摩尔比为1：(9-49)。

本申请实施例还提供另一种光电器件，包括层叠设置的阴极、电子传输层、发光层及阳极，所述电子传输层包括层叠设置的第一子膜层和第二子膜层；所述第一子膜层的材料包括纳米氧化锌或掺杂纳米氧化锌，所述第二子膜层的材料包括纳米氧化镍；其中，所述第一子膜层靠近所述阴极一侧，所述第二子膜层靠近所述发光层一侧。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述第二子膜层的厚度为10-20nm。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述光电器件为量子点发光二极管，所述发光层的材料包括II-VI族化合物、III-V族化合物和I-III-VI族化合物中的至少一种；所述II-VI族化合物选自CdSe、CdS、CdTe、ZnSe、ZnS、CdTe、ZnTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnTeS、CdSeS、CdSeTe、CdTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe以及CdZnSTe中的至少一种；所述III-V族化合物选自InP、InAs、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、InAsP、InNP、InNSb、GaAlNP以及InAlNP；所述I-III-VI族化合物选自CuInS₂、CuInSe₂和AgInS₂中的至少一种。

相应的，本申请实施例还提供一种光电器件的制备方法，包括如下步骤：提供基板，在所述基板上依次形成阳极、发光层；提供混合有纳米氧化锌和晶体生长抑制剂的掺杂氧化锌纳米材料溶液，将所述掺杂氧化锌纳米材料溶液设置在所述发光层上，得到电子传输层；在所述电子传输层上形成阴极；或提供基板，在基板上形成阴极；提供混合有纳米氧化锌和晶体生长抑制剂的掺杂氧化锌纳米材料溶液，将所述掺杂氧化锌纳米材料溶液设置在所述阴极上，得到电子传输层；在所述电子传输层上依次形成发光层和阳极。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述晶体生长抑制剂选自聚乙二醇，聚氧乙烯十二烷基醚，亚甲蓝中的至少一种。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述晶体生长抑制剂为聚乙二醇或聚氧乙烯十二烷基醚，所述晶体生长抑制剂与所述纳米氧化锌的摩尔比范围为1：(1-4)；或所述晶体生长抑制剂为亚甲蓝，所述晶体生长抑制剂与所述纳米氧化锌的摩尔比范围为1：(9-49)。

相应的，本申请实施例还提供另一种光电器件的制备方法，包括如下步骤：提供基板，在基板上依次形成阳极、发光层；将纳米氧化锌的溶液设置到所述发光层上，干燥处理得到纳米氧化锌层；在所述纳米氧化锌层远离所述基板一侧设置氧化锌溶胶，干燥处理，得到氧化锌籽晶层；其中，所述纳米氧化锌层和所述氧化锌籽晶层为第一子膜层；提供纳米氧化镍前驱溶液，将包括有所述第一子膜层的所述基板静置于所述纳米氧化镍前驱溶液中，制备得到第二子膜层；在所述第二子膜层上形成阴极。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述第二子膜层的厚度为10-20nm

相应的，本申请实施例还提供一种显示装置，所述显示装置包括上述光电器件。

本申请的光电器件，包括层叠设置的阴极、电子传输层、发光层及阳极，其中，电子传输层的材料包括纳米氧化锌和晶体生长抑制剂。通过加入晶体生长抑制剂，抑制纳米氧化锌的晶体生长，包括抑制高温通电测试时的纳米氧化锌的晶体尺寸增大，从而避免由纳米氧化锌的晶体尺寸增大至嵌入到发光层中，而导致的发光层结构破坏，进而改善高温通电下的光电器件寿命急剧衰减。或者，电子传输层包括层叠设置的第一子膜层和第二子膜层；第一子膜层的材料包括纳米氧化锌或掺杂纳米氧化锌，第二子膜层的材料包括纳米氧化镍；其中，第一子膜层靠近阴极一侧，第二子膜层靠近发光层一侧，通过形成纳米氧化锌或掺杂纳米氧化锌与纳米氧化镍的复合层，束缚纳米氧化锌的晶体生长，避免电子传输层中的纳米氧化锌的晶体尺寸增大而破坏与电子传输层接触的发光层，从而改善高温通电下的光电器件寿命急剧衰减。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本申请实施例提供的一种光电器件的结构示意图；

图2是本申请实施例提供的另一种光电器件的结构示意图；

图3是本申请实施例提供的一种光电器件的制备方法流程示意图；

图4是本申请实施例提供的另一种光电器件的制备方法流程示意图；

图5是电子传输层中纳米粒子的连接结构示意图；

图6a是对比例1中电子传输层的SEM图；

图6b是实施例7中电子传输层的SEM图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本申请保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请，并不用于限制本申请。在本申请中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”具体为附图中的图面方向。另外，在本申请的描述中，术语“包括”是指“包括但不限于”。本发明的各种实施例可以以一个范围的形式存在；应当理解，以一范围形式的描述仅仅是因为方便及简洁，不应理解为对本发明范围的硬性限制；因此，应当认为所述的范围描述已经具体公开所有可能的子范围以及该范围内的单一数值。例如，应当认为从1到6的范围描述已经具体公开子范围，例如从1到3，从1到4，从1到5，从2到4，从2到6，从3到6等，以及所述范围内的单一数字，例如1、2、3、4、5及6，此不管范围为何皆适用。另外，每当在本文中指出数值范围，是指包括所指范围内的任何引用的数字(分数或整数)。

常用的电子元器件，例如发光二极管等，一般可以按照使用的工作温度、辐射、抗干扰等来分级。一般等级可以分为：商业级、工业级、汽车级、军工级、航天级别。而不同等级的电子元器件对工作温度的要求也不同。商业级别的光电器件一般应用于包括家用电器、消费类电子、数码产品等电子产品，工作温度一般为0℃-70℃，但考虑到环境温度的变化以及长时间工作时温度会升高，光电器件要求能够适应85℃的高温环境。而工业级别的电子元器件工作温度为达到-40℃-85℃。因此，大于等于80℃的高温下，QLED器件等光电器件在通电工作时的寿命会发生急剧衰减的问题，急需解决。而QLED器件等光电器件在大于等于80℃的高温通电时，寿命会发生急剧衰减，可能是由于在温度大于等于80℃的高温下通电时，在Ag、Pt或Au等阳极贵金属的促进作用下，电子传输层中纳米氧化锌的晶体会快速生长，尺寸迅速增大，且随着通电时间的增大，纳米氧化锌晶体甚至会嵌入相邻的发光层，造成发光层的结构被破坏，最终造成光电器件寿命的急剧衰减。基于此，本申请提供如下文的光电器件，以改善大于等于80℃的高温通电下光电器件寿命急剧衰减的问题。

请参阅图1，本申请实施例还提供一种光电器件100，光电器件100包括依次层叠的阴极20、电子传输层10、发光层30及阳极40。

其中，电子传输层10的材料包括纳米氧化锌和晶体生长抑制剂。通过加入晶体生长抑制剂，抑制纳米氧化锌的晶体生长，包括抑制高温通电测试时的纳米氧化锌的晶体尺寸增大，从而避免由纳米氧化锌的晶体尺寸增大至嵌入至与电子传输层接触的发光层中，而导致的发光层结构破坏，进而改善高温通电下的光电器件寿命急剧衰减。

在一个实施例中，电子传输层10的材料为掺杂氧化锌纳米材料，掺杂氧化锌纳米材料由纳米氧化锌粒子和晶体生长抑制剂组成。即电子传输层的材料仅为纳米氧化锌粒子和晶体生长抑制剂。可以理解的，电子传输层10的材料除了包括纳米氧化锌粒子和晶体生长抑制剂之外，还可以包括其他材料，比如高导热材料，以增强电子传输层10的散热性；或者磁性材料，以增强电子传输层10的磁性。

其中，晶体生长抑制剂可以选自聚乙二醇，聚氧乙烯十二烷基醚，亚甲蓝中的至少一种。即晶体生长抑制剂可以为聚乙二醇、聚氧乙烯十二烷基醚或亚甲蓝，也可以为其中的任意两种的组合，比如聚乙二醇和聚氧乙烯十二烷基醚的混合晶体生长抑制剂、聚氧乙烯十二烷基醚和亚甲蓝的混合晶体生长抑制剂、聚乙二醇和亚甲蓝的混合晶体生长抑制剂。还可以为聚乙二醇、聚氧乙烯十二烷基醚和亚甲蓝三种组成的混合晶体生长抑制剂。

在一实施例中，晶体生长抑制剂为聚乙二醇或聚氧乙烯十二烷基醚，晶体生长抑制剂与纳米氧化锌的摩尔比范围为1：(1-4)，即摩尔比大于等于1：4且小于等于1：1。具体的，两者的摩尔比可以为1：1、1：2、1：3或1：4等。晶体生长抑制剂与纳米氧化锌的摩尔比过小可能无法对纳米氧化锌产生抑制晶体生长的作用，而摩尔比过大，超过1：1则会过度抑制纳米氧化锌晶体生长，反而会对电子传输层10的整体结构造成破坏。

在一实施例中，晶体生长抑制剂为亚甲蓝，晶体生长抑制剂与纳米氧化锌的摩尔比范围为1：(9-49)，即摩尔比大于等于1：49且小于等于1：9。具体的，两者的摩尔比可以为1：9、1：15、1：20、1：30、1：40等。晶体生长抑制剂与纳米氧化锌的摩尔比过小可能无法对纳米氧化锌产生抑制晶体生长的作用，而摩尔比过大，超过1：9，则会影响纳米氧化锌的成膜性，甚至可能导致无法成膜。这可能是由于亚甲蓝呈碱性，而纳米氧化锌的膜层在制备过程中会因碱性过大而导致Zn(OH)₂沉淀析出，无法形成纳米氧化锌晶体膜层，从而无法成膜。

在一实施例中，电子传输层10的厚度为本领域已知的电子传输层的厚度。比如厚度范围可以是10至70nm，比如10nm、20nm、30nm、40nm、50nm、60nm、70nm等。进一步的，厚度范围可以在60nm至70nm。

请参阅图2，图2是本申请实施例提供的另一种光电器件的结构示意图。光电器件100包括依次层叠的阴极20、电子传输层12、发光层30及阳极40。其中，电子传输层12包括层叠设置的第一子膜层121和第二子膜层122。第一子膜层121的材料包括纳米氧化锌或掺杂纳米氧化锌，第二子膜层122的材料包括纳米氧化镍。

本实施例中，通过形成纳米氧化锌(或掺杂纳米氧化锌)与纳米氧化镍的复合层，束缚纳米氧化锌的晶体生长，避免电子传输层中的纳米氧化锌的晶体尺寸增大而破坏与电子传输层12接触的发光层，从而改善高温通电下的光电器件100寿命急剧衰减。且由于纳米氧化镍为P型半导体，纳米氧化锌为N型半导体，纳米氧化锌(或掺杂纳米氧化锌)与纳米氧化镍的复合层，构成P-N异质结，增大电子传输层12整体载流子迁移率，进一步增强空穴-载流子平衡，最终不仅能使光电器件100寿命得到改善还能增大器件的发光效率。

其中，纳米氧化锌的结构为本领域已知的纳米结构，包括但不限于纳米棒、纳米片、纳米带、纳米块和纳米球、纳米颗粒等。纳米氧化镍的结构为纳米片，即片状纳米结构。片状结构的纳米氧化镍形成的第二子膜层122，能够更好的从纳米氧化锌晶体的顶部或外表面对其进行限位和束缚，从而抑制纳米氧化锌晶体的生长。

在一个实施例中，第一子膜层121靠近第二子膜层122的一侧为氧化锌籽晶层，第二子膜层122的纳米氧化镍通过氧化锌籽晶层实现与第一子膜层121的粘附，而不仅仅是纳米氧化镍层覆盖在纳米氧化锌层，从而增加了第二子膜层122与第一子膜层121的连接紧密型，第二子膜层122能够限制纳米氧化锌的晶体生长，保持电子传输层12表面平整性，抑制纳米氧化锌的晶体生长至嵌入至发光层而造成的发光层结构破坏。

在一实施例中，第一子膜层121的厚度为本领域已知的电子传输层的厚度。比如第一子膜层121的厚度范围可以是10至70nm，比如10nm、20nm、30nm、40nm、50nm、60nm、70nm等。进一步的，厚度范围可以在60nm至70nm。

在一实施例中，第二子膜层122的厚度范围可以是10-20nm。通过第二子膜层122厚度过小则无法完全覆盖住第一子膜层121，无法对第一子膜层121中纳米氧化锌在高温通电情况下继续生长起到抑制作用；厚度过大，会导致光电器件整体厚度偏大，光电器件实际腔长大于理论腔长，微腔效应减弱，光电器件的发光效率降低。具体的，可以通过溶液法低温生长制备纳米氧化镍层，即第二子膜层122。此时可以通过控制溶液中镍的浓度以及生长时间来控制第二子膜层122的厚度。比如，含镍溶液浓度5mg/ml，生长时间在3-5min，则对应制备的第二子膜层122的厚度在10-20nm的范围内。

在一个具体实施例中，电子传输层12中的第一子膜层121的材料为掺杂氧化锌纳米材料，掺杂氧化锌纳米材料包括纳米氧化锌和晶体生长抑制剂。即本实施例中的电子传输层12可以结合上述实施例的电子传输层10中晶体生长抑制剂。相关的描述可以参阅上文的描述，此处不进行赘述。

本实施例中，一方面，通过在第一子膜层121中加入晶体生长抑制剂，抑制纳米氧化锌的晶体生长。另一方面，通过形成第一子膜层121与第二子膜层122的复合膜层，在第二子膜层122的纳米氧化镍层能够对第一子膜层121的纳米氧化锌晶体进行束缚和限制生长。上述两方面，协同作用，抑制和限制纳米氧化锌的晶体生长，保持电子传输层12表面平整性，避免纳米氧化锌的晶体生长至嵌入至发光层而造成发光层结构破坏，进而改善高温通电下的光电器件寿命急剧衰减。

在上述两个实施例中，阴极20的材料可以为本领域已知用于阴极的材料,阳极40的材料为本领域已知用于阳极的材料。阴极20和阳极40的材料例如可以是金属、碳材料以及金属氧化物中的一种或多种，金属例如可以是Al、Ag、Cu、Mo、Au、Ba、Ca以及Mg中的一种或多种；碳材料例如可以是石墨、碳纳米管、石墨烯以及碳纤维中的一种或多种；金属氧化物可以是掺杂或非掺杂金属氧化物，包括ITO、FTO、ATO、AZO、GZO、IZO、MZO以及AMO中的一种或多种，也包括掺杂或非掺杂透明金属氧化物之间夹着金属的复合电极，复合电极包括但不限于是AZO/Ag/AZO、AZO/Al/AZO、ITO/Ag/ITO、ITO/Al/ITO、ZnO/Ag/ZnO、ZnO/Al/ZnO、TiO₂/Ag/TiO₂、TiO₂/Al/TiO₂、ZnS/Ag/ZnS、ZnS/Al/ZnS、TiO₂/Ag/TiO₂以及TiO₂/Al/TiO₂中的一种或多种。阴极20的厚度为本领域已知的阴极厚度，例如可以是10nm至200nm，比如10nm、35nm、50nm、80nm、120nm、150nm、200nm等；阳极40的厚度为本领域已知的阳极厚度，例如可以是10nm至200nm，比如10nm、50nm、80nm、100nm、120nm、150nm、200nm等。

发光层30可以为量子点发光层，此时光电器件100可以为量子点光电器件。发光层30的厚度可以为本领域已知的量子点光电器件中发光层的厚度范围，例如可以是5nm至100nm，比如5nm、10nm、20nm、50nm、80nm、100nm等；或者可以是60-100nm。

其中，量子点发光层的材料为本领域已知用于量子点发光层的量子点，例如，红色量子点、绿色量子点及蓝色量子点中的一种。量子点可以选自但不限于单一结构量子点以及核壳结构量子点中的至少一种。例如，量子点可以选自但不限于II-VI族化合物、III-V族化合物和I-III-VI族化合物中的至少一种；所述II-VI族化合物选自CdSe、CdS、CdTe、ZnSe、ZnS、CdTe、ZnTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnTeS、CdSeS、CdSeTe、CdTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe以及CdZnSTe中的至少一种；所述III-V族化合物选自InP、InAs、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、InAsP、InNP、InNSb、GaAlNP以及InAlNP；所述I-III-VI族化合物选自CuInS₂、CuInSe₂和AgInS₂中的至少一种。

本实施例中，光电器件100中的电子传输层10包括掺杂氧化锌纳米材料，掺杂氧化锌纳米材料包括纳米氧化锌和晶体生长抑制剂。通过加入晶体生长抑制剂，抑制纳米氧化锌的晶体生长，包括抑制高温通电测试时的纳米氧化锌的晶体尺寸增大，从而避免由纳米氧化锌的晶体尺寸增大至嵌入至与电子传输层10接触的发光层30中，而导致的发光层30结构破坏，进而改善高温通电下的光电器件100寿命急剧衰减。

在一实施例中，结合图2，光电器件100中的电子传输层12包括层叠的依次层叠的第一子膜层121和第二子膜层122，第一子膜层的材料包括纳米氧化锌或掺杂纳米氧化锌，第二子膜层122的材料包括纳米氧化镍材料；其中，第一子膜层121靠近阴极20一侧，第二子膜层122靠近发光层30一侧。通过在形成纳米氧化锌(或掺杂纳米氧化锌)与纳米氧化镍的复合层，束缚第一子膜层121中纳米氧化锌的晶体生长，靠近发光层30一侧的第二子膜层122限制了纳米氧化锌的晶体沿垂直第二子膜层122方向的生长，避免电子传输层12中的纳米氧化锌的晶体尺寸增大而破坏与电子传输层12接触的发光层30，从而改善高温通电下的光电器件100寿命急剧衰减。且由于纳米氧化镍为P型半导体，纳米氧化锌为N型半导体，纳米氧化锌(或掺杂纳米氧化锌)与纳米氧化镍的复合层，构成P-N异质结，增大电子传输层12整体载流子迁移率，进一步增强空穴-载流子平衡，最终不仅能使光电器件100寿命得到改善还能增大器件的发光效率。

进一步参阅图1，在一实施例中，光电器件100还可以包括空穴传输层(HTL)50，空穴传输层50位于发光层30与阳极40之间。空穴传输层50的材料可以选自具有空穴传输能力的有机材料，包括但不限于是聚(9,9-二辛基芴-CO-N-(4-丁基苯基)二苯胺)(TFB)、聚乙烯咔唑(PVK)、聚(N,N’-双(4-丁基苯基)-N,N’-双(苯基)联苯胺)(poly-TPD)、聚(9,9-二辛基芴-共-双-N,N-苯基-1,4-苯二胺)(PFB)、4,4’,4”-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCATA)、4,4’-二(9-咔唑)联苯(CBP)、N,N’-二苯基-N,N’-二(3-甲基苯基)-1,1’-联苯-4,4’-二胺(TPD)、N,N’-二苯基-N,N’-(1-萘基)-1,1’-联苯-4,4’-二胺(NPB)、聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)(PEDOT:PSS)、4,4'-环己基二[N,N-二(4-甲基苯基)苯胺](TAPC)、掺杂石墨烯、非掺杂石墨烯以及C60中的一种或多种。空穴传输层50的材料还可以选自具有空穴传输能力的无机材料，包括但不限于是掺杂或非掺杂的NiO、MoOx、WOx以及CuO中的一种或多种。空穴传输层50的厚度例如可以是10nm至100nm，比如10nm、20nm、30nm、40nm、50nm、60nm、100nm等。

进一步参阅图1，在一实施例中，光电器件100还可以包括空穴注入层(HIL)60。空穴注入层60位于空穴传输层50与阳极40之间。空穴注入层60的材料可以选自具有空穴注入能力的材料，包括但不限于是PEDOT:PSS、MCC、CuPc、F4-TCNQ、HATCN、过渡金属氧化物、过渡金属硫系化合物中的一种或多种。PEDOT:PSS为高分子聚合物，中文名为聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)。CuPc

空穴注入层60的厚度例如可以是10nm至100nm，比如10nm、20nm、30nm、40nm、50nm、60nm、100nm等。

可以理解，光电器件100除上述各功能层外，还可以增设一些常规用于光电器件的有助于提升光电器件性能的功能层，例如电子阻挡层、空穴阻挡层、电子注入层、界面修饰层等。可以理解，光电器件100的各层的材料以及厚度可以依据光电器件100的发光需求进行调整。

在本申请的一些实施例中，光电器件100为量子点发光二极管，光电器件100可以是正置型结构的量子点发光二极管，也可以是倒置型结构的量子点发光二极管。正置型结构的量子点发光二极管的衬底与阳极连接，结构可以为玻璃基板-阳极-(空穴注入层)-空穴传输层-量子点发光层-电子传输层-阴极。倒置型结构的量子点发光二极管的衬底与阴极连接，其结构可以为玻璃基板-阴极-电子传输层-量子点发光层-空穴传输层-(空穴注入层)-阳极。其中，空穴注入层为非必要选项，量子点发光二极管结构中可以包括空穴注入层，也可以不包括空穴注入层。

本申请实施例还提供一种光电器件100的制备方法，请参阅图3，图3是本申请实施例提供的一种光电器件的制备方法流程示意图。本实施例中，光电器件为正置型量子点发光二极管，具体包括如下步骤：

步骤S31：提供基板，在基板上依次形成阳极、发光层。

本步骤中，基板的种类没有限制。比如，基板可以为常规使用的衬底，例如可以是刚性衬底，材料为玻璃；还可以是柔性衬底，材料为聚酰亚胺。

步骤S32：提供混合有纳米氧化锌和晶体生长抑制剂的掺杂氧化锌纳米材料溶液，将掺杂氧化锌纳米材料溶液设置在发光层上，得到电子传输层。

本步骤中，混合有纳米氧化锌和晶体生长抑制剂的掺杂氧化锌纳米材料溶液中的溶剂可以为常规溶剂，比如可以是甲醇、乙醇、乙二醇、丙醇、丙三醇、丁醇等醇类溶剂。且溶剂可以为单一的一种，也可以为两种及以上的不同种溶剂形成的混合溶剂。

其中，纳米氧化锌可以市售获得，也可以通过已知的纳米氧化锌制备方法制备获得。

混合有纳米氧化锌和晶体生长抑制剂的掺杂氧化锌纳米材料溶液的制备，可以为常见的混合方式。本实施例中对纳米氧化锌、晶体生长抑制剂以及溶剂的加入顺序不进行限定，能够实现三者充分混合得到掺杂氧化锌纳米材料溶液即可。

具体的，可以采用溶液法将掺杂氧化锌纳米材料溶液设置在发光层上，干燥处理，得到电子传输层。溶液法包括但不限于是旋涂、滴涂、涂布、喷墨打印、刮涂、浸渍提拉、浸泡、喷涂、滚涂、蒸镀或浇铸。干燥处理，可以为退火工艺处理。

本申请中的干燥处理，可以为退火工艺处理。其中，“退火工艺”包括所有能使湿膜获得更高能量，从而由湿膜状态转变为干燥状态的处理工艺，例如“退火工艺”可以仅指热处理工艺，即将湿膜加热至特定温度，然后保持特定时间以使湿膜中的溶剂充分挥发；又如“退火工艺”还可以包括依序进行的热处理工艺和冷却工艺，即将湿膜加热至特定温度，然后保持特定时间以使第一湿膜中的溶剂充分挥发，再以适宜的速度冷却以消除残余应力而减少干燥的空穴传输薄膜发生层变形与裂纹的风险。

本步骤中，可以通过控制和调节溶液法中使用的溶液浓度等条件，从而实现对最终形成的电子传输层的厚度的控制和调整。其中，电子传输层的厚度范围可以是10至70nm，比如10nm、20nm、30nm、40nm、50nm、60nm、70nm等。以旋涂为例，可以通过调节溶液的浓度、旋涂速度和旋涂时间来控制电子传输层厚度。

步骤S33：在电子传输层上形成阴极。

可以理解，在光电器件还包括空穴传输层时，步骤S31为：提供基板，在基板上依次形成阳极、空穴传输层及发光层。进一步的，在光电器件还包括空穴注入层时，步骤S31为：提供基板，在基板上依次形成层叠的阳极、空穴注入层、空穴传输层及发光层。

可以理解的，光电器件也可以为倒置型量子点发光二极管，对应的步骤包括：提供基板，在基板上形成阴极；提供混合有纳米氧化锌和晶体生长抑制剂的掺杂氧化锌纳米材料溶液，将掺杂氧化锌纳米材料溶液设置在阴极上，得到电子传输层；在电子传输层上依次形成发光层和阳极。

本实施例中，混合有纳米氧化锌和晶体生长抑制剂的掺杂氧化锌纳米材料溶液形成电子传输层10，通过晶体生长抑制剂的加入，能够抑制80℃及以上的高温通电下纳米氧化锌晶体的生长，抑制高温下晶体尺寸的快速增大，避免纳米氧化锌的晶体生长至嵌入至发光层而造成发光层结构破坏，使光电器件在高温寿命衰减得到较大缓解。

请参阅图4，图4是本申请实施例提供的另一种光电器件的制备方法流程示意图，具体包括如下步骤：

步骤S41：提供基板，在基板上依次形成阳极、发光层；

步骤S42：将纳米氧化锌的溶液设置到发光层上，干燥处理得到纳米氧化锌层。

本步骤中，具体可以通过溶液法将纳米氧化锌的溶液设置到基板上。溶液法包括但不限于是旋涂、滴涂、涂布、喷墨打印、刮涂、浸渍提拉、浸泡、喷涂、滚涂、蒸镀或浇铸。

本步骤中，纳米氧化锌可以为纳米棒、纳米片、纳米带、纳米块和纳米球、纳米颗粒等。在一个具体实施例中，纳米氧化锌可以为纳米棒，直径约为0.5-0.8um，长度约为2-3um。

步骤S43：在纳米氧化锌层远离基板一侧设置氧化锌溶胶，干燥处理，得到氧化锌籽晶层；其中，纳米氧化锌层和氧化锌籽晶层为第一子膜层。

其中，氧化锌溶胶的制备方法为本领域已知的溶胶制备方法。在一个具体实施例中，氧化锌溶胶的制备方法为：称取一定量二水合乙酸锌溶于无水乙醇中，磁力搅拌5-10min，得到乙酸锌的醇溶液。用移液枪量取乙醇胺加入到乙酸锌的醇溶液中，60℃下恒温搅拌5-10min。其中，乙醇胺与氧化锌的摩尔比为1:1。待溶液形成均一稳定透明的溶液后，室温下静置至少24h后即得到氧化锌溶胶。

具体的，可以通过垂直提拉镀膜法将氧化锌溶胶设置到纳米氧化锌层上。垂直提拉镀膜法具体为将包括纳米氧化锌层的基板逐渐浸入氧化锌溶胶中，停留一段时间后，逐渐将包括纳米氧化锌层的基板提出。

通过氧化锌溶胶制备得到氧化锌籽晶层中，纳米氧化锌的尺寸较小，可以为直径5-10nm。由于尺寸较小，氧化锌溶胶可以进入步骤S42中形成的纳米氧化锌层中各纳米粒子之间的缝隙中，围绕纳米氧化锌粒子，与纳米氧化锌层一起形成第一子膜层。

步骤S44：提供纳米氧化镍前驱溶液，将包括有第一子膜层的基板静置于纳米氧化镍前驱溶液中，制备得到第二子膜层。

在本步骤中，包括有第一子膜层的基板静置于纳米氧化镍前驱溶液中，第一子膜层表面的氧化锌籽晶层作为种子，在氧化锌籽晶层上生长形成纳米氧化镍的晶体，从而制备得到第二子膜层。具体的，生长形成纳米氧化镍的温度可以在-8-0℃的低温范围内。

在一实施例中，纳米氧化镍低温生长至一定时间后，将基板取出，用去离子水冲洗，干燥处理，则形成了由纳米氧化镍组成的第二子膜层。从而制备得到了包括第一子膜层和第二子膜层的电子传输层。

在一实施例中，步骤S44具体可以包括：将镍盐溶解于溶剂中，得到镍盐溶液；在镍盐溶液中加入碱溶液，得到纳米氧化镍前驱溶液；将包括有所述第一子膜层的所述基板静置于所述纳米氧化镍前驱溶液中，取出进行干燥处理，制备得到第二子膜层。其中，镍盐可以为六水硫酸镍、硝酸镍或氯化镍等。碱溶液可以为氨水、碳酸氢铵或氢氧化钠水溶液等。

步骤S45：在第二子膜层上形成阴极。

本实施例各步骤中的干燥处理，均可以参考上一实施例中干燥处理的相关描述，此处不进行赘述。

可以理解，在光电器件还包括空穴传输层时，步骤S41为：提供基板，在基板上依次形成阳极、空穴传输层及发光层。进一步的，在光电器件还包括空穴注入层时，步骤S41为：提供基板，在基板上依次形成层叠的阳极、空穴注入层、空穴传输层及发光层。

可以理解，在光电器件还包括电子阻挡层、空穴阻挡层、电子注入层和/或界面修饰层等其它功能层时，所述光电器件的制备方法还包括形成所述各功能层的步骤。

需要说明的是，本申请中阳极、发光层及阴极以及其他功能层均可采用本领域常规技术制备，包括但不限于是溶液法和沉积法，其中，溶液法包括但不限于是旋涂、涂布、喷墨打印、刮涂、浸渍提拉、浸泡、喷涂、滚涂或浇铸；沉积法包括化学法和物理法，化学法包括但不限于是化学气相沉积法、连续离子层吸附与反应法、阳极氧化法、电解沉积法或共沉淀法，物理法包括但不限于是热蒸发镀膜法、电子束蒸发镀膜法、磁控溅射法、多弧离子镀膜法、物理气相沉积法、原子层沉积法或脉冲激光沉积法。当采用溶液法制备阳极、发光层、阴极以及其他功能层时，需增设干燥处理工序。

可以理解的是，光电器件的制备方法还可以包括封装步骤，封装材料可以是丙烯酸树脂或环氧树脂，封装可以是机器封装或手动封装，可以采用紫外固化胶封，进行封装步骤的环境中氧气和水的浓度均低于0.1ppm，以保证光电器件的稳定性。

本实施例中，参阅图5，图5是电子传输层中纳米粒子的连接结构示意图。纳米氧化锌层中的纳米氧化锌粒子1211各个面上，紧密排列粘附着由纳米氧化锌溶胶得到的纳米氧化锌籽晶1212，形成包括纳米氧化锌层和氧化锌籽晶层的第一子膜层。而纳米氧化锌籽晶1212作为种子，供纳米氧化镍1221生长形成第二子膜层，从而使纳米氧化镍粘附在纳米氧化锌表面，与纳米氧化锌紧密连接，形成的第二子膜层能够抑制第一子膜层中纳米氧化锌的晶体生长，对纳米氧化锌进行束缚，尤其是垂直于第一子膜层表面的方向，从而抑制纳米氧化锌沿垂直于第一子膜层表面的方向生长，从而嵌入至发光层中，造成发光层结构的破坏。

本申请实施例还提供一种显示装置，包括本申请提供的光电器件。显示装置可以为任何具有显示功能的电子产品，电子产品包括但不限于是智能手机、平板电脑、笔记本电脑、数码相机、数码摄像机、智能可穿戴设备、智能称重电子秤、车载显示器、电视机或电子书阅读器，其中，智能可穿戴设备例如可以是智能手环、智能手表、虚拟现实(VirtualReality，VR)头盔等。

下面通过具体实施例、对比例和实验例对本申请的技术方案及技术效果进行详细说明，以下实施例仅仅是本申请的部分实施例，并非对本申请作出具体限定。

实施例1

本实施例提供了一种量子点发光二极管及其制备方法，量子点发光二极管为倒置型结构，结构组成参阅图1，本实施例的量子点发光二极管包括依次层叠设置的阴极20、电子传输层10、发光层30、空穴注入层60、空穴传输层50及阳极40。

量子点发光二极管中各个层结构的材料和厚度为：

阴极20的材料为Ag，厚度为35nm，阴极20一面设置有玻璃衬底。

电子传输层10的材料为掺杂氧化锌纳米材料，掺杂氧化锌纳米材料由纳米氧化锌粒子和晶体生长抑制剂组成，晶体生长抑制剂与纳米氧化锌粒子的摩尔比为1：1，晶体生长抑制剂为聚乙二醇。

发光层30的材料为绿色量子点，核壳结构CdZnSe/CdZnSe/ZnSeS/ZnS；配体为油酸、TOP、硫醇。

空穴注入层60的材料为MCC。

空穴传输层50的材料为TFB。

阳极40的材料为ITO，厚度为100nm。

本实施例中量子点发光二极管的制备方法包括如下步骤：

在玻璃衬底上制备阴极20。

在阴极20远离玻璃衬底的一侧旋涂掺杂氧化锌纳米材料溶液，退火处理得到电子传输层10。掺杂氧化锌纳米材料溶液中，晶体生长抑制剂与纳米氧化锌粒子的摩尔比为1：1，晶体生长抑制剂为聚乙二醇。旋涂溶液的浓度为30mg/ml，旋涂转速为3Krpm/s。

在电子传输层10远离阴极20一侧旋涂绿色量子点材料，退火处理得到发光层30。旋涂溶液的浓度10mg/ml，旋涂转速1Krpm/s。

在发光层30远离电子传输层10一侧旋涂TFB溶液，退火处理得到空穴传输层50。旋涂溶液的浓度6.5mg/ml，旋涂转速3Krpm/s。

在空穴传输层50远离发光层30一侧旋涂MCC溶液，退火处理得到空穴注入层60。旋涂溶液中MCC的质量百分比为2.8％，旋涂转速4Krpm/s。

在空穴注入层60远离空穴传输层50一侧蒸镀法制备ITO阳极40。

封装，得到量子点发光二极管。

实施例2

本实施例提供了一种量子点发光二极管及其制备方法，相较于实施例1的量子点发光二极管，区别之处仅在于：电子传输层10的材料中晶体生长抑制剂与纳米氧化锌粒子的摩尔比为1：2。

实施例3

本实施例提供了一种量子点发光二极管及其制备方法，相较于实施例1的量子点发光二极管，区别之处仅在于：电子传输层10的材料中晶体生长抑制剂为聚氧乙烯十二烷基醚。

实施例4

本实施例提供了一种量子点发光二极管及其制备方法，相较于实施例3的量子点发光二极管，区别之处仅在于：电子传输层10的材料中晶体生长抑制剂与纳米氧化锌粒子的摩尔比为1：2。

实施例5

本实施例提供了一种量子点发光二极管及其制备方法，相较于实施例1的量子点发光二极管，区别之处仅在于：电子传输层10的材料中晶体生长抑制剂为亚甲蓝，晶体生长抑制剂与纳米氧化锌粒子的摩尔比为1：9。

实施例6

本实施例提供了一种量子点发光二极管及其制备方法，相较于实施例5的量子点发光二极管，区别之处仅在于：电子传输层10的材料中晶体生长抑制剂与纳米氧化锌粒子的摩尔比为1：19。

实施例7

本实施例提供了一种量子点发光二极管及其制备方法，相较于实施例1的量子点发光二极管，区别之处仅在于：本实施例中，参阅图2，电子传输层12包括层叠的依次层叠的第一子膜层121和第二子膜层122，第一子膜层的材料为纳米氧化锌，第二子膜层122的材料为纳米氧化镍；其中，第一子膜层121靠近阴极20一侧，第二子膜层122靠近发光层30一侧。

相较于实施例1的量子点发光二极管制备方法，区别在于电子传输层的制备为：在阴极20远离玻璃衬底的一侧旋涂掺杂氧化锌纳米材料溶液，80℃下加热处理10min得到纳米氧化锌层。旋涂溶液的浓度为在纳米氧化锌层上旋涂氧化锌溶胶，80℃下加热处理10min得到氧化锌籽晶层。将六水硫酸镍溶于去离子水中，60℃恒温下加热搅拌至完全溶解，加入氨水并密封反应得到纳米氧化镍前驱体溶液，将包括有氧化锌籽晶层和纳米氧化锌层的整体结构置入此前驱体溶液中，-8-0℃低温范围3min，使在氧化锌籽晶层上生长纳米氧化镍的晶体，取出并用去离子水冲洗，干燥退火处理得到电子传输层12。

实施例8

本实施例提供了一种量子点发光二极管及其制备方法，相较于实施例7的量子点发光二极管，区别之处仅在于：本实施例中，第一子膜层的材料为掺杂氧化锌纳米材料，掺杂氧化锌纳米材料由纳米氧化锌粒子和晶体生长抑制剂组成，晶体生长抑制剂与纳米氧化锌粒子的摩尔比为1：1，晶体生长抑制剂为聚乙二醇。

实施例9

本实施例提供了一种量子点发光二极管及其制备方法，相较于实施例7的量子点发光二极管，区别之处仅在于：本实施例中，第一子膜层的材料为掺杂氧化锌纳米材料，掺杂氧化锌纳米材料由纳米氧化锌粒子和晶体生长抑制剂组成，晶体生长抑制剂与纳米氧化锌粒子的摩尔比为1：1，晶体生长抑制剂为聚氧乙烯十二烷基醚。

对比例1

本对比例1提供了一种量子点发光二极管及其制备方法，相较于实施例1的量子点发光二极管，本实施例的量子点发光二极管的区别之处仅在于：电子传输层10的材料不同。本对比例1的电子传输层10的材料为氧化锌纳米材料，不包括晶体生长抑制剂。

相较于实施例1中量子点发光二极管的制备方法，本对比例1中量子点发光二极管的制备方法的区别之处仅在于：电子传输层10的制备过程不同，本对比例1中将在阴极20远离玻璃衬底的一侧旋涂30mg/ml的纳米氧化锌溶液，退火处理得到电子传输层10。其中，旋涂转速为3Krpm/s。

实施例10

本实施例提供了一种量子点发光二极管及其制备方法，相较于实施例1的量子点发光二极管，区别之处仅在于：电子传输层10的材料中晶体生长抑制剂与纳米氧化锌粒子的摩尔比为2：1。

实施例11

本实施例提供了一种量子点发光二极管及其制备方法，相较于实施例3的量子点发光二极管，区别之处仅在于：电子传输层10的材料中晶体生长抑制剂与纳米氧化锌粒子的摩尔比为2：1。

实施例12

本实施例提供了一种量子点发光二极管及其制备方法，相较于实施例5的量子点发光二极管，区别之处仅在于：电子传输层10的材料中晶体生长抑制剂与纳米氧化锌粒子的摩尔比为1：4。

对对比例1和实施例7中得到的电子传输层10进行扫描电子显微镜(scanningelectron microscope,SEM)检测，参阅图6a和图6b，图6a是对比例1中电子传输层10的SEM图，图6b是实施例5中电子传输层10的SEM图。在同样的放大倍数时，实施例5中的纳米氧化锌的晶体数量明显少于对比例1，且纳米氧化锌的晶体尺寸也小于对比例1，而实施例5中电子传输层10与对比例1中的区别仅在于包括有晶体生长抑制剂亚甲蓝。因此，电子传输层10中包括晶体生长抑制剂和纳米氧化锌，晶体生长抑制剂能够抑制纳米氧化锌的晶体生长，包括抑制生成晶核以及晶粒尺寸的增大。

对实施例1-12以及对比例1中的量子点发光二极管进行性能测试，性能测试结果详见下表1。

测试指标包括高温(80℃)通电下的CE@max、CE@1knit、LT95-a。其中，CE@max表示量子点发光二极管的最大电流效率，CE@1knit为1000尼特亮度下的电流效率，LT95-a表示亮度由最大值衰减至95％所用时间。

表1：

/>

由表1可知，实施例1-6中CE@max和CE@1knit与对比例1的数值接近，可以说明电子传输层中晶体生长抑制剂的添加，对量子点发光二极管的发光效率没有产生显著贡献。但相对于对比例1中LT95-a为0.2hs，实施例1-6的LT95-a有了显著提升，达到6.6-8hs，寿命延长了至少30倍。在80℃高温通电下，电子传输层中晶体生长抑制剂的添加，显著提高了量子点发光二极管的寿命。

与对比例1相比，实施例7的CE@max和CE@1knit都有显著提高，说明氧化镍和氧化锌的复合层所构成的P-N异质结提高了载流子迁移率，促进了空穴-载流子注入平衡。且LT95-a寿命也有显著增长，说明氧化镍和氧化锌的复合层能够减缓高温通电下的量子点发光二极管的寿命衰减。

实施例8和实施例9，电子传输层中既包括晶体生长抑制剂，又形成了氧化镍和氧化锌的复合层。LT95-a寿命和CE@max和CE@1knit与实施例7相比，均相差较小，两种方案结合可能并不存在协同作用，并不会在实施例7的基础上进一步延缓高温通电下的寿命衰减以及提高发光效率。

与对比例1相比，实施例10-12分别对应的电子传输层中的聚乙二醇与纳米氧化锌的摩尔比为2：1(超过1：1)、聚氧乙烯十二烷基醚与纳米氧化锌的摩尔比为2：1(超过1：1)、亚甲蓝与纳米氧化锌的摩尔比为1：5(超过1：9)，LT95-a寿命增大了至少10倍，而CE@max和CE@1knit相对降低。因此，过多的晶体生长抑制剂也会提高量子点发光二极管的在高温通电下的寿命，但会对量子点发光二极管的发光效率产生负面影响。

通过对比例1以及实施例1-12，说明本申请提供的包括此电子传输层的光电器件，通过在电子传输薄膜中加入晶体生长抑制剂，能够抑制纳米氧化锌的晶体生长，包括抑制高温通电测试时的纳米氧化锌的晶体尺寸增大，从而避免由纳米氧化锌的晶体尺寸增大至嵌入至与电子传输层接触的发光层中，而导致的发光层结构破坏，进而改善高温通电下的光电器件寿命急剧衰减。或者，本申请的电子传输层包括层叠设置的第一子膜层和第二子膜层；第一子膜层的材料包括纳米氧化锌或掺杂纳米氧化锌，第二子膜层的材料包括纳米氧化镍，通过形成纳米氧化锌或掺杂纳米氧化锌与纳米氧化镍的复合层，束缚纳米氧化锌的晶体生长，避免电子传输层中的纳米氧化锌的晶体尺寸增大而破坏与电子传输层接触的发光层，从而改善高温通电下的光电器件寿命急剧衰减。且纳米氧化锌层与纳米氧化镍层形成了P-N异质结，增大电子传输层整体载流子迁移率，进一步增强空穴-载流子平衡，最终不仅能使光电器件寿命得到改善还能增大器件的发光效率。

以上对本申请实施例所提供的光电器件及其制备方法、显示装置进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (13)

1.一种光电器件，包括层叠设置的阴极、电子传输层、发光层及阳极，其特征在于，所述电子传输层的材料包括纳米氧化锌和晶体生长抑制剂。

2.根据权利要求1所述的光电器件，其特征在于，所述电子传输层的材料由纳米氧化锌粒子和所述晶体生长抑制剂组成。

3.根据权利要求1或2所述的光电器件，其特征在于，所述晶体生长抑制剂选自聚乙二醇，聚氧乙烯十二烷基醚，亚甲蓝中的至少一种。

4.根据权利要求3所述的光电器件，其特征在于，

所述晶体生长抑制剂为聚乙二醇或聚氧乙烯十二烷基醚，所述晶体生长抑制剂与所述纳米氧化锌的摩尔比范围为1：(1-4)；或

所述晶体生长抑制剂为亚甲蓝，所述晶体生长抑制剂与所述纳米氧化锌的摩尔比范围为1：(9-49)。

5.一种光电器件，包括层叠设置的阴极、电子传输层、发光层及阳极，其特征在于，所述电子传输层包括层叠设置的第一子膜层和第二子膜层；所述第一子膜层的材料包括纳米氧化锌或掺杂纳米氧化锌，所述第二子膜层的材料包括纳米氧化镍；其中，所述第一子膜层靠近所述阴极一侧，所述第二子膜层靠近所述发光层一侧。

6.根据权利要求5所述的光电器件，其特征在于，所述第二子膜层的厚度为10-20nm。

7.根据权利要求1-6任一项所述的光电器件，其特征在于，所述光电器件为量子点发光二极管，所述发光层的材料包括II-VI族化合物、III-V族化合物和I-III-VI族化合物中的至少一种；所述II-VI族化合物选自CdSe、CdS、CdTe、ZnSe、ZnS、CdTe、ZnTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnTeS、CdSeS、CdSeTe、CdTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe以及CdZnSTe中的至少一种；所述III-V族化合物选自InP、InAs、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、InAsP、InNP、InNSb、GaAlNP以及InAlNP；所述I-III-VI族化合物选自CuInS₂、CuInSe₂和AgInS₂中的至少一种。

8.一种光电器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供基板，在所述基板上依次形成阳极、发光层；

提供混合有纳米氧化锌和晶体生长抑制剂的掺杂氧化锌纳米材料溶液，将所述掺杂氧化锌纳米材料溶液设置在所述发光层上，得到电子传输层；

在所述电子传输层上形成阴极；或

提供基板，在基板上形成阴极；

提供混合有纳米氧化锌和晶体生长抑制剂的掺杂氧化锌纳米材料溶液，将所述掺杂氧化锌纳米材料溶液设置在所述阴极上，得到电子传输层；

在所述电子传输层上依次形成发光层和阳极。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述晶体生长抑制剂选自聚乙二醇，聚氧乙烯十二烷基醚，亚甲蓝中的至少一种。

10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述晶体生长抑制剂为聚乙二醇或聚氧乙烯十二烷基醚，所述晶体生长抑制剂与所述纳米氧化锌的摩尔比范围为1：(1-4)；或

所述晶体生长抑制剂为亚甲蓝，所述晶体生长抑制剂与所述纳米氧化锌的摩尔比范围为1：(9-49)。

11.一种光电器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供基板，在基板上依次形成阳极、发光层；

将纳米氧化锌的溶液设置到所述发光层上，干燥处理得到纳米氧化锌层；

在所述纳米氧化锌层远离所述基板一侧设置氧化锌溶胶，干燥处理，得到氧化锌籽晶层；其中，所述纳米氧化锌层和所述氧化锌籽晶层为第一子膜层；

提供纳米氧化镍前驱溶液，将包括有所述第一子膜层的所述基板静置于所述纳米氧化镍前驱溶液中，制备得到第二子膜层；

在所述第二子膜层上形成阴极。

12.根据权利要求11所述的制备方法，其特征在于，所述第二子膜层的厚度为10-20nm。

13.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求1-7任一项所述的光电器件。

Images