CN114695823A - 一种qled器件及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种QLED器件及其制备方法，所述制备方法包括步骤：提供基板，所述基板包括第一电极；对所述基板进行冷处理或将所述基板置于第一温度条件下，在所述基板上沉积量子点溶液，形成量子点膜层；其中，所述第一温度与所述量子点溶液的存储温度之间的绝对差值为0‑5℃，所述冷处理的温度与所述量子点溶液的存储温度之间的绝对差值为0‑5℃；在所述量子点膜层上制备第二电极。本发明提供的制备方法可以最大程度地避免由于量子点材料因配体脱落而造成QLED器件发光不均匀的问题，并可以大幅降低荧光猝灭的现象。

Description

一种QLED器件及其制备方法

技术领域

本发明涉及量子点发光二极管领域，尤其涉及一种QLED器件及其制备方法。

背景技术

量子点发光二极管(QLED)是一种新兴的显示器件，其结构与有机发光二极管(OLED)相似，通过空穴注入层、空穴传输层、量子点膜层、电子传输层等构成类似p-i-n结的三明治结构。QLED核心技术为量子点，其粒子直径通常不足10nm，常见的量子点由IV、II-VI、IV-VI或III-V元素组成。当量子点受到电或光的刺激时，会根据组成量子点的材料及其直径大小，发出各种不同颜色的单色光。量子点具有发光波长范围窄、色彩饱和度高且发光波长可调的特性，因此量子点显示器的画面会比液晶显示器的画面更加的清晰明亮。此外，QLED的寿命长，封装工艺简单或无需封装，有望成为下一代的显示器，具有广阔发展前景。

然而，现阶段制备的QLED器件实际的工作寿命远没有达到理论应有的长度，并且会出现荧光猝灭的现象，这与量子点材料配体脱落有很大关联。此种情况的发生极大的制约了量子点发光器件的研发进展。同时，配体脱落也会导致薄膜不平整，进而导致器件发光不均匀。

因此，现有技术还有待于改进。

发明内容

本发明旨在公开一种QLED器件及其制备方法，旨在解决现有技术中由于量子点材料配体脱落而导致器件发光不均匀的问题。

本发明的技术方案如下：

一种QLED器件的制备方法，其中，包括步骤：

提供基板，所述基板包括第一电极；

对所述基板进行冷处理或将所述基板置于第一温度条件下，在所述基板上沉积量子点溶液，形成量子点膜层；其中，所述第一温度与所述量子点溶液的存储温度之间的绝对差值为0-5℃，所述冷处理的温度与所述量子点溶液的存储温度之间的绝对差值为0-5℃；

在所述量子点膜层上制备第二电极，制得所述QLED器件。

一种QLED器件，其中，采用本发明所述QLED器件的制备方法制得。

有益效果：由于量子点膜层材料在存储温度条件下的分子活动性较弱，其配体不易发生脱落，因此本发明在制备量子点膜层的过程中，通过对基板进行冷处理或将所述基板置于第一温度条件下，所述第一温度以及冷处理的温度均与量子点溶液的存储温度相同，然后再在所述基板上制备量子点膜层可以最大程度地避免由于量子点材料因配体脱落而造成QLED器件发光不均匀的问题，并可以大幅降低荧光猝灭的现象。

附图说明

图1为本发明提供的一种QLED器件的制备方法第一实施例的流程图。

图2为本发明提供的一种QLED器件的制备方法第二实施例的流程图。

图3为本发明提供的一种QLED器件的制备方法第三实施例的流程图。

图4为本发明提供的一种QLED器件的制备方法第四实施例的流程图。

图5为对实施例1制得的QLED器件进行薄膜形貌检测的结果图。

图6为对实施例2制得的QLED器件进行薄膜形貌检测的结果图。

图7为对实施例3制得的QLED器件进行薄膜形貌检测的结果图。

图8为对对比例制得的QLED器件进行薄膜形貌检测的结果图。

具体实施方式

本发明提供一种QLED器件及其制备方法，为使本发明的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下对本发明进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

QLED由于其优秀的发展前景近年来被广泛研究，然而，在研发过程中依旧存在着很多问题。其中，旋涂工艺制备出的量子点器件发光不均匀是一个影响研发进程的重要因素，出现问题的原因如下：

量子点材料制备过程中，量子点配体可通过影响反应活性来控制量子点的生长速度，因而量子点表面配体对量子点发光性能影响较大。而在常温或较高温度的环境下，分子活动性增加，量子点材料表面的部分配体脱落，不仅影响量子点材料的分散性，引起QLED器件的发光不均匀，还会产生荧光猝灭的可能。

基于此，本实施方式提供了一种QLED器件的制备方法，如图1所示，其包括步骤：

S10、提供基板，所述基板包括第一电极；

S20、将所述基板置于第一温度条件下，在所述基板上沉积量子点溶液，形成量子点膜层，所述第一温度与所述量子点溶液的存储温度之间的绝对差值为0-5℃；

S30、在所述量子点膜层上制备第二电极，制得所述QLED器件。

在本实施例中，由于量子点溶液在存储温度条件下的分子活动性较弱，其表面配体不易发生脱落，因此本实施例在制备量子点膜层的过程中，通过将所述基板置于第一温度条件下，所述第一温度与所述量子点溶液的存储温度之间的绝对差值为0-5℃，然后再在所述基板上制备量子点膜层可以最大程度地避免由于量子点因配体脱落而造成QLED器件发光不均匀的问题，并可以大幅降低荧光猝灭的现象。

在一些具体的实施方式中，所述第一温度为-15-5℃。在该温度条件下，量子点的分子活动性较弱，其表面配体不易发生脱落。

在一些实施方式中，将所述基板置于第一温度条件下，在所述基板上沉积量子点溶液，形成量子点膜层的步骤中还包括：将所述基板置于常温环境，对所述量子点溶液进行退火处理，制得所述量子点膜层。

在本实施例中，在常温环境下通过对沉积在基板上的所述量子点溶液进行退火处理，去除所述量子点膜层中的溶剂，得到均匀的量子点膜层。作为举例，可使用加热板对所述量子点溶液进行热退火蒸干溶剂。本实施例中，所述常温也叫一般温度或者室温，可以为25-35℃，作为举例，常温可为25℃。

在一些实施方式中，由于在对量子点溶液进行热退火的过程中，需要将基板从第一温度条件置换为常温环境，这增加了实验操作的复杂性。基于此，本实施例提供了另一种不需要进行环境置换就可去除量子点膜层中溶剂的方法，即在第一温度条件下对所述基板的放置环境进行抽真空处理，以降低量子点溶液中溶剂的沸点，从而快速去除所述溶剂，形成量子点膜层。在本实施例中，由于量子点膜层的热敏性较高，在较低的第一温度条件下通过抽真空的方式去除溶剂可以提升量子点膜层的平整度，同时还避免了热烘器件对量子点膜层的损伤，进而提升了QLED器件的发光性能。

在一些具体的实施方式中，对所述基板的放置环境进行抽真空处理后的真空度小于等于3x10^-4Pa，在该真空度条件下，所述量子点膜层中的溶剂可被有效去除。

在一些实施方式中，还提供另一种QLED器件的制备方法，如图2所示，其包括步骤：

S100、提供基板，所述基板包括第一电极；

S200、对所述基板进行冷处理，在所述基板上沉积量子点溶液，形成量子点膜层，所述冷处理的温度与所述量子点溶液的存储温度之间的绝对差值为0-5℃；

S300、在所述量子点膜层上制备第二电极，制得所述QLED器件。

在本实施例中，由于量子点溶液在存储温度条件下的分子活动性较弱，其表面配体不易发生脱落，因此本实施例在制备量子点膜层的过程中，通过对所述基板进行冷处理，使所述基板在制备量子点膜层的时候保持较低温度，所述冷处理的温度与量子点溶液的存储温度相同，然后再在所述基板上制备量子点膜层可以最大程度地避免由于量子点配体脱落而造成QLED器件发光不均匀的问题，并可以大幅降低荧光猝灭的现象。

在一些实施方式中，对所述基板进行冷处理，在所述基板上沉积量子点溶液，形成量子点膜层的步骤中还包括：在常温环境下，对所述量子点溶液进行退火处理或对所述基板的放置环境进行抽真空处理，在所述基板上形成量子点膜层。

在本实施例中，由于所述基板在进行冷处理后，是在室温环境进行量子点膜层的制备，因此本实施例无论是通过对量子点溶液进行退火处理去除溶剂还是通过对基板的放置环境进行真空处理去除溶剂，都不需要进行环境置换，可降低实验操作的复杂性。

在一些具体的实施方式中，所述冷处理的温度为-15-5℃。在该温度条件下，所述量子点膜层材料的分子活动性较弱，其表面配体不易发生脱落。

在一些实施方式中，所述量子点膜层的制备可以是化学法或物理法，其中化学法包括但不限于化学气相沉积法、连续离子层吸附与反应法、阳极氧化法、电解沉积法、共沉淀法中的一种或多种；物理法包括但不限于溶液法(如旋涂法、印刷法、刮涂法、浸渍提拉法、浸泡法、喷涂法、滚涂法、浇铸法、狭缝式涂布法或条状涂布法等)、蒸镀法(如热蒸镀法、电子束蒸镀法、磁控溅射法或多弧离子镀膜法等)、沉积法(如物理气相沉积法、原子层沉积法、脉冲激光沉积法等)中的一种或多种。作为举例，可采用旋涂法在所述基板上制备量子点膜层。

在一些实施方式中，所述量子点膜层材料为具备发光能力的直接带隙化合物半导体，包括但不限于II-VI族化合物半导体材料、III-V族化合物半导体材料、II-V族化合物半导体材料、III-VI化合物半导体材料、IV-VI族化合物半导体材料、I-III-VI族化合物半导体材料、II-IV-VI族化合物半导体材料或IV族单质中的一种或多种。具体的，所述II-VI族化合物半导体材料包括但不限于CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、HgS、HgSe、HgTe、PbS、PbSe、PbTe和其他二元、三元、四元的II-VI半导体的纳米晶；所述III-V族化合物半导体材料包括但不限于GaP、GaAs、InP、InAs和其他二元、三元、四元的III-V半导体的纳米晶。

在一些具体的实施方式中，所述量子点膜层材料包括但不限于掺杂或非掺杂的无机钙钛矿型半导体的一种或多种。具体的，所述的无机钙钛矿型半导体的结构通式为AMX₃，其中A为Cs⁺离子；M为二价金属阳离子，包括但不限于Pb²⁺、Sn²⁺、Cu²⁺、Ni²⁺、Cd²⁺、Cr²⁺、Mn²⁺、Co²⁺、Fe²⁺、Ge²⁺、Yb²⁺、Eu²⁺；X为卤素阴离子，包括但不限于Cl^-、Br^-、I^-。

在一些具体的实施方式中，所述量子点膜层材料包括但不限于有机-无机杂化钙钛矿型半导体的一种或多种。具体的，所述的有机-无机杂化钙钛矿型半导体的结构通式为BMX₃，其中B为有机胺阳离子，包括但不限于CH₃(CH₂)_n-2NH₃ ⁺(n≥2)或NH₃(CH₂)_nNH₃ ²⁺(n≥2)。当n＝2时，无机金属卤化物八面体MX64-通过共顶的方式连接，金属阳离子M位于卤素八面体的体心，有机胺阳离子B填充在八面体间的空隙内，形成无限延伸的三维结构；当n＞2时，以共顶的方式连接的无机金属卤化物八面体MX64-在二维方向延伸形成层状结构，层间插入有机胺阳离子双分子层(质子化单胺)或有机胺阳离子单分子层(质子化双胺)，有机层与无机层相互交叠形成稳定的二维层状结构；M为二价金属阳离子，包括但不限于Pb²⁺、Sn²⁺、Cu²⁺、Ni²⁺、Cd²⁺、Cr²⁺、Mn²⁺、Co²⁺、Fe²⁺、Ge²⁺、Yb²⁺、Eu²⁺；X为卤素阴离子，包括但不限于Cl^-、Br^-、I^-。

在一些实施方式中，所述基板还包括设置在所述第一电极上的空穴功能层，所述空穴功能层为电子阻挡层、空穴注入层和空穴传输层中的一种或多种，所述第一电极为阳极，所述第二电极为阴极。本实施例制备的QLED器件为正置型器件，以所述空穴功能层包括空穴注入层和空穴传输层为例，如图3所示，所述QLED器件的制备方法包括以下步骤：

S01、在衬底上制备阳极；

S02、在所述阳极上制备空穴注入层；

S03、在所述空穴注入层上制备空穴传输层，形成基板；

S04、对所述基板进行冷处理或将所述基板置于第一温度条件下，在所述基板上沉积量子点溶液，形成量子点膜层，所述第一温度与所述量子点溶液的存储温度之间的绝对差值为0-5℃，所述冷处理的温度与所述量子点溶液的存储温度之间的绝对差值为0-5℃；

S05、在所述量子点膜层上制备电子传输层；

S06、在所述电子传输层上制备阴极，制得所述量子点发光二极管。

由于量子点溶液在存储温度条件下的分子活动性较弱，其配体不易发生脱落，因此本实施例在制备量子点膜层的过程中，通过对基板进行冷处理或将所述基板置于第一温度条件下，所述第一温度以及冷处理的温度均与量子点膜层材料的存储温度相同，然后再在所述基板上制备量子点膜层可以最大程度地避免由于量子点配体脱落而造成QLED器件发光不均匀的问题，并可以大幅降低荧光猝灭的现象。

在一些实施方式中，为保证制得的QLED器件具有较佳的出光效率，所述空穴注入层和空穴传输层的光学带隙大于等于所述量子点膜层材料的光学带隙。

在一些实施方式中，所述空穴注入层材料包括但不限于：PEDOT:PSS、CuPc、F4-TCNQ、HATCN、过渡金属氧化物、过渡金属硫系化合物中的一种或多种。其中，所述过渡金属氧化物包括NiOx、MoOx、WOx、CrOx、CuO中的一种或多种。所述金属硫系化合物包括MoSx、MoSex、WSx、WSex、CuS中的一种或多种。

在一些实施方式中，所述空穴传输层材料包括但不限于聚(9,9-二辛基芴-CO-N-(4-丁基苯基)二苯胺)、聚乙烯咔唑、聚(N,N'双(4-丁基苯基)-N,N'-双(苯基)联苯胺)、聚(9,9-二辛基芴-共-双-N,N-苯基-1,4-苯二胺)、4,4’,4”-三(咔唑-9-基)三苯胺、4,4'-二(9-咔唑)联苯、N,N’-二苯基-N,N’-二(3-甲基苯基)-1,1’-联苯-4,4’-二胺、N,N’-二苯基-N,N’-(1-萘基)-1,1’-联苯-4,4’-二胺、石墨烯和C60中的至少一种；和/或所述空穴传输层材料包括但不限于NiOx、MoOx、WOx、CrOx、CuO、MoSx、MoSex、WSx、WSex、CuS中的至少一种。

在一些实施方式中，所述电子传输层材料包括但不限于ZnO、TiO₂、SnO₂、Ta₂O₃、ZrO₂、NiO、TiLiO、ZnAlO、ZnMgO、ZnSnO、ZnLiO、InSnO中的一种或多种。

在一些具体的实施方式中，所述第一电极材料和第二电极材料包括但不限于金属材料、碳材料和金属氧化物中的一种或多种。

具体的，所述金属材料包括但不限于Al、Ag、Cu、Mo、Au、Ba、Ca、Mg中的一种或多种；所述碳材料包括但不限于石墨、碳纳米管、石墨烯、碳纤维中的一种或多种；所述金属氧化物包括但不限于掺杂或非掺杂金属氧化物以及掺杂或非掺杂透明金属氧化物之间夹着金属的复合电极；所述掺杂或非掺杂金属氧化物包括但不限于ITO、FTO、ATO、AZO、GZO、IZO、MZO、AMO中的一种或多种；所述复合电极包括但不限于AZO/Ag/AZO、AZO/Al/AZO、ITO/Ag/ITO、ITO/Al/ITO、ZnO/Ag/ZnO、ZnO/Al/ZnO、TiO₂/Ag/TiO₂、TiO₂/Al/TiO₂、ZnS/Ag/ZnS、ZnS/Al/ZnS、TiO₂/Ag/TiO₂、TiO₂/Al/TiO₂中的一种或多种。

在一些具体的实施方式中，所述QLED器件为顶发射器件，则顶电极金属部分厚度不超过20nm且可见光透光率不低于90％。

在另一些实施方式中，所述基板还包括设置在所述第一电极上的电子功能层，所述电子功能层为空穴阻挡层、电子注入层和电子传输层中的一种或多种，所述第一电极为阴极，所述第二电极为阳极。本实施例制备的QLED器件为倒置型器件，以所述电子功能层包括电子传输层为例，如图4所示，所述QLED器件的制备方法包括以下步骤：

S001、在衬底上制备阴极；

S002、在所述阴极上制备电子传输层，形成基板；

S003、对所述基板进行冷处理或将所述基板置于第一温度条件下，在所述基板上沉积量子点溶液，形成量子点膜层，所述第一温度与所述量子点溶液的存储温度之间的绝对差值为0-5℃，所述冷处理的温度与所述量子点溶液的存储温度之间的绝对差值为0-5℃；

S004、在所述量子点膜层上制备空穴传输层；

S005、在所述空穴传输层上制备空穴注入层；

S006、在所述空穴注入层上制备阳极，制得所述量子点发光二极管。

由于量子点溶液在存储温度条件下的分子活动性较弱，其配体不易发生脱落，因此本实施例在制备量子点膜层的过程中，通过对基板进行冷处理或将所述基板置于第一温度条件下，所述第一温度以及冷处理的温度均与量子点溶液的存储温度相同，然后再在所述基板上制备量子点膜层可以最大程度地避免由于量子点因配体脱落而造成QLED器件发光不均匀的问题，并可以大幅降低荧光猝灭的现象。

下面通过具体实施例对本发明一种QLED器件的制备方法做进一步的解释说明：

实施例1

本实施例为正置顶发射型QLED器件，采用核心方案的制备方法，具体步骤如下：

A.在ITO衬底上，旋涂PEDOT:PSS做空穴注入层，转速5000转每分钟，旋涂时间30秒，随后150℃加热15分钟；

B.在空穴注入层上旋涂TFB做空穴传输层，TFB浓度为8mg/mL，转速3000转每分钟，旋涂时间30秒，随后80℃加热10分钟；

C.置换旋涂环境为-10℃；

D.在空穴传输层上旋涂量子点膜层，量子点浓度为20mg/ml，转速2000转每分钟，旋涂时间30s；

E.置换旋涂环境为室温，对量子点膜层80℃加热10分钟；

F.在量子点层上旋涂ZnO做电子传输层，ZnO浓度为30mg/ml，转速3000转每分钟，旋涂时间30s，随后在80℃下加热30分钟；

G.在真空度不高于3×10^-4Pa环境下，通过热蒸发蒸镀Ag，速度为1埃/秒，时间200秒，厚度20nm，即得到顶发射的正置型量子点发光二极管。

对器件进行封装，并对其进行恒流工作寿命测试，电流为2mA，在器件亮度降低至最大值的95％时停止测试，如表1所示。并对器件进行薄膜形貌检测，如图5所示。

实施例2

本实施例为正置顶发射型QLED器件，采用优选方案的制备方法，具体步骤如下：

A.在ITO衬底上，旋涂PEDOT:PSS做空穴注入层，转速5000转每分钟，旋涂时间30秒，随后150℃加热15分钟；

B.在空穴注入层上旋涂TFB做空穴传输层，TFB浓度为8mg/mL，转速3000转每分钟，旋涂时间30秒，随后80℃加热10分钟；

C.置换旋涂环境为-10℃；

D.在空穴传输层上旋涂量子点膜层，量子点浓度为20mg/ml，转速2000转每分钟，旋涂时间30s；

E.将器件置于真空箱，真空度不高于3×10-4Pa，时间10分钟；

F.置换旋涂环境为室温，器件温度恢复室温后，在量子点层上旋涂ZnO做电子传输层，ZnO浓度为30mg/ml，转速3000转每分钟，旋涂时间30s，随后在80℃下加热30分钟；

G.在真空度不高于3×10^-4Pa环境下，通过热蒸发蒸镀Ag，速度为1埃/秒，时间200秒，厚度20nm，即得到顶发射的正置型量子点发光二极管。

对器件进行封装，并对其进行恒流工作寿命测试，电流为2mA，在器件亮度降低至最大值的95％时停止测试，如表1所示。并对器件进行薄膜形貌检测，如图6所示。

实施例3

本实施例为正置顶发射型QLED器件，采用冷处理方案的制备方法，具体步骤如下：

A.在ITO衬底上，旋涂PEDOT:PSS做空穴注入层，转速5000转每分钟，旋涂时间30秒，随后150℃加热15分钟；

B.在空穴注入层上旋涂TFB做空穴传输层，TFB浓度为8mg/mL，转速3000转每分钟，旋涂时间30秒，随后80℃加热10分钟；

C.将器件冷处理5分钟，使器件温度降低至-10℃，取出器件后旋涂量子点膜层，量子点浓度为20mg/ml，转速2000转每分钟，旋涂时间30秒，随后80℃加热10分钟；

D.在量子点层上旋涂ZnO做电子传输层，ZnO浓度为30mg/ml，转速3000转每分钟，旋涂时间30s，随后在80℃下加热30分钟；

E.在真空度不高于3×10^-4Pa环境下，通过热蒸发蒸镀Ag，速度为1埃/秒，时间200秒，厚度20nm，即得到顶发射的正置型量子点发光二极管。

对器件进行封装，并对其进行恒流工作寿命测试，电流为2mA，在器件亮度降低至最大值的95％时停止测试，如表1所示。并对器件进行薄膜形貌检测，如图7所示。

对比例

本实施例为正置顶发射型QLED器件的制备方法，具体步骤如下：

A.在ITO衬底上，旋涂PEDOT:PSS做空穴注入层，转速5000转每分钟，旋涂时间30秒，随后150℃加热15分钟；

B.在空穴注入层上旋涂TFB做空穴传输层，TFB浓度为8mg/mL，转速3000转每分钟，旋涂时间30秒，随后80℃加热10分钟；

C.在空穴传输层上旋涂量子点膜层，量子点浓度为20mg/ml，转速2000转每分钟，旋涂时间30秒，随后80℃加热10分钟；

D.在量子点层上旋涂ZnO做电子传输层，ZnO浓度为30mg/ml，转速3000转每分钟，旋涂时间30s，随后在80℃下加热30分钟；

E.在真空度不高于3×10^-4Pa环境下，通过热蒸发蒸镀Ag，速度为1埃/秒，时间200秒，厚度20nm，即得到顶发射的正置型量子点发光二极管。

对器件进行封装，并对其进行恒流工作寿命测试，电流为2mA，在器件亮度降低至最大值的95％时停止测试，如表1所示。并对器件进行薄膜形貌检测，如图8所示。

分别对实施例1、实施例2、实施例3以及对比例制备的QLED器件进行恒流工作寿命测试，电流为2mA，在器件亮度降低至最大值的95％时停止测试，测试结果如表1所示：

表1实施例与对比例QLED器件的工作寿命对比

其中L(cd/m²)表示器件的最高亮度；T95(h)表示器件在2mA的恒流驱动下亮度衰减至95％所用时间；T95-1K(h)表示器件在亮度为1000nit时，亮度衰减至95％所需时间。可以看到，与对比例相比，实施例制备的QLED器件亮度更高，且亮度衰减至95％所用时间更长，这说明了器件的使用寿命更长。其中，实施例2即优选方案更加明显，该方案制备的QLED器件不仅最高亮度接近对比例QLED器件的2倍，且在2mA恒流驱动下亮度衰减至95％所用时间也多于对比例，而器件在亮度为1000nit时亮度衰减至95％所需时间接近对比例的4倍，证明优选方案制备的QLED器件大大提高了器件的使用寿命。

分别对实施例1、实施例2、实施例3以及对比例制备的QLED器件进行薄膜形貌检测，结果如图5-图8所示，检测结果说明，实施例2制备的QLED器件发光最均匀，实施例1和实施例3制得的QLED器件发光均匀性次之，对比例制备的QLED器件的发光均匀性最差。

综上所述，本发明公开的量子点溶液低温旋涂工艺可最大程度的避免由于量子点材料配体脱落造成的发光不均匀，并可以大幅降低荧光猝灭的可能。不仅如此，采用低温旋涂工艺制备的QLED器件稳定性更好，使用寿命也有了显著性提高。

应当理解的是，本发明的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。

Claims (10)

1.一种QLED器件的制备方法，其特征在于，包括步骤：

提供基板，所述基板包括第一电极；

对所述基板进行冷处理或将所述基板置于第一温度条件下，在所述基板上沉积量子点溶液，形成量子点膜层；其中，所述第一温度与所述量子点溶液的存储温度之间的绝对差值为0-5℃，所述冷处理的温度与所述量子点溶液的存储温度之间的绝对差值为0-5℃；

在所述量子点膜层上制备第二电极。

2.根据权利要求1所述QLED器件的制备方法，其特征在于，所述第一温度为-15-5℃；所述冷处理的温度为-15-5℃。

3.根据权利要求1所述QLED器件的制备方法，其特征在于，将所述基板置于第一温度条件下，在所述基板上沉积量子点溶液，形成量子点膜层的步骤包括：

将表面沉积有量子点溶液的基板置于常温环境，对所述量子点溶液进行退火处理，制得所述量子点膜层。

4.根据权利要求1所述QLED器件的制备方法，其特征在于，将所述基板置于第一温度条件下，在所述基板上沉积量子点溶液，形成量子点膜层的步骤包括：

在第一温度条件下对所述基板的放置环境进行抽真空处理，在所述基板上形成量子点膜层。

5.根据权利要求1所述QLED器件的制备方法，其特征在于，对所述基板进行冷处理，在所述基板上沉积量子点溶液，形成量子点膜层的步骤包括：

在常温环境下，对所述量子点溶液进行退火处理或对所述基板的放置环境进行抽真空处理，在所述基板上形成量子点膜层。

6.根据权利要求4或5所述QLED器件的制备方法，其特征在于，对所述基板的放置环境进行抽真空处理后的真空度小于等于3x10^-4Pa。

7.根据权利要求1所述QLED器件的制备方法，其特征在于，所述基板还包括设置在所述第一电极上的空穴功能层，所述空穴功能层为电子阻挡层、空穴注入层和空穴传输层中的一种或多种，所述第一电极为阳极，所述第二电极为阴极。

8.根据权利要求7所述QLED器件的制备方法，其特征在于，所述第一电极为金属材料、碳材料、金属氧化物中的一种或多种；和/或，所述量子点为II-VI族化合物半导体材料、III-V族化合物半导体材料、II-V族化合物半导体材料、III-VI化合物半导体材料、IV-VI族化合物半导体材料、I-III-VI族化合物半导体材料、II-IV-VI族化合物半导体材料或IV族单质中的一种或多种；和/或，所述空穴注入层材料为PEDOT:PSS、CuPc、F4-TCNQ、HATCN、过渡金属氧化物、过渡金属硫系化合物中的一种或多种；和/或，所述空穴传输层材料为聚(9,9-二辛基芴-CO-N-(4-丁基苯基)二苯胺)、聚乙烯咔唑、聚(N,N'双(4-丁基苯基)-N,N'-双(苯基)联苯胺)、聚(9,9-二辛基芴-共-双-N,N-苯基-1,4-苯二胺)、4,4’,4”-三(咔唑-9-基)三苯胺、4,4'-二(9-咔唑)联苯、N,N’-二苯基-N,N’-二(3-甲基苯基)-1,1’-联苯-4,4’-二胺、15N,N’-二苯基-N,N’-(1-萘基)-1,1’-联苯-4,4’-二胺、石墨烯、C60、NiOx、MoOx、WOx、CrOx、CuO、MoSx、MoSex、WSx、WSex和CuS中的一种或多种。

9.根据权利要求1所述QLED器件的制备方法，其特征在于，所述基板还包括设置在所述第一电极上的电子功能层，所述电子功能层为空穴阻挡层、电子注入层和电子传输层中的一种或多种，所述第一电极为阴极，所述第二电极为阳极。

10.一种QLED器件，其特征在于，采用权利要求1-9任一所述QLED器件的制备方法制得。

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