CN110707139A - 一种显示基板及其制作方法、显示装置 - Google Patents

Abstract

一种显示基板及其制作方法、显示装置，显示基板包括：基底以及依次设置在基底上的，且相互绝缘的半导体层、第一金属层、第二金属层、第三金属层、第四金属层和第五金属层；半导体层包括：多个晶体管的有源层，第一金属层包括：栅线、发光控制线、复位信号线、存储电容的第一电极和多个晶体管的栅电极，第二金属层包括：初始信号线和存储电容的第二电极；第三金属层包括：多个晶体管的源漏电极，第四金属层包括：数据线和电源线，第五金属层包括：发光器件的阳极。本申请通过将数据线和电源线与多个晶体管的源漏电极异层设置，能够减少子像素与子像素所连接的数据线所占用的体积，进而提高了高频驱动的OLED显示基板的分辨率。

Description

一种显示基板及其制作方法、显示装置

技术领域

本文涉及显示技术领域，具体涉及一种显示基板及其制作方法、显示装置。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light-Emitting Device，简称OLED)显示基板，是一种与传统的液晶显示(Liquid Crystal Display，简称LCD)不同的显示基板，具备主动发光、温度特性好、功耗小、响应快、可弯曲、超轻薄和成本低等优点。因此已经成为新一代显示装置的重要发展发现之一，并且受到越来越多的关注。

为了实现OLED显示基板的高频驱动，相关技术中提出了一种双数据线的OLED显示基板，即同一列像素与两条数据线连接。然而相关技术中的OLED显示基板虽然能够实现高频驱动，但分辨率普遍较低，无法满足市场关于显示器件高分辨率的需求。

发明内容

本申请提供了一种显示基板及其制作方法、显示装置，能够提高OLED显示基板的分辨率。

第一方面，本申请提供了一种显示基板，所述显示基板中设置有栅线、数据线、电源线、复位信号线、发光控制线、初始信号线和多个子像素，每个子像素包括：发光器件和用于驱动发光器件发光的驱动电路，所述驱动电路包括：多个晶体管和存储电容；所述显示基板包括：基底以及依次设置在所述基底上的，且相互绝缘的半导体层、第一金属层、第二金属层、第三金属层、第四金属层和第五金属层；

所述半导体层包括：多个晶体管的有源层，所述第一金属层包括：栅线、发光控制线、复位信号线、存储电容的第一电极和多个晶体管的栅电极，所述第二金属层包括：初始信号线和存储电容的第二电极；所述第三金属层包括：多个晶体管的源漏电极，所述第四金属层包括：数据线和电源线，所述第五金属层包括：发光器件的阳极；

第i列子像素与第i列数据线连接，每列数据线包括：第一子数据线和第二子数据线；第i列数据线中的所述第一子数据线和所述第二子数据线分别位于第i列子像素的两侧，相邻两列子像素之间的全部所述子数据线仅为所述第一子数据线或者第二子数据线，1≤i≤N，N为子像素的总列数。

可选地，位于同一行的相邻子像素的像素结构关于位于相邻子像素之间的两个子数据线的中心线相互镜像对称，位于第i行第j列的子像素的像素结构与位于第i+1行第j+1列的子像素的像素结构相同，位于第i行第j+1列的子像素的像素结构与位于第i+1行第j列的子像素的像素结构相同。

可选地，位于同一列的相邻子像素连接不同子数据线；

第i列子像素还与第i列电源线连接，第i列电源线位于第i列数据线中的第一子数据线和第二子数据线之间；

相邻两列电源线关于位于相邻两列电源线之间的中心线镜像对称。

可选地，第i列子像素在基底上的正投影与第i列电源线在基底上的正投影存在重叠区域，第i列电源线包括：多个相互连接的子电源线，所述多个子电源线与第i列子像素中的所有子像素一一对应。

可选地，每个子电源线包括：第一电源部、第二电源部和第三电源部；

其中，第二电源部用于连接第一电源部和第三电源部，所述第一电源部和所述第三电源部与所述数据线平行设置，所述第二电源部与所述第一电源部之间的夹角大于90度，且小于180度；

所述第三电源部的宽度小于所述第一电源部的宽度。

可选地，所述子像素对应的子电源线中的第一电源部与位于同一列上一行子像素对应的子电源线中的第三电源部连接，所述子像素对应的子电源线中的第三电源部与位于同一列下一行子像素对应的子电源线中的第一电源部连接。

可选地，每个子像素被划分为：第一区域、第二区域和第三区域；

所述存储电容位于所述第二区域，所述第一区域和所述第三区域分别位于所述第二区域的两侧，子像素连接的初始信号线、栅线、复位信号线位于所述第一区域，子像素连接的发光控制线位于所述第三区域。

可选地，所述显示基板还包括：第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层和第四绝缘层；

所述第一绝缘层设置在所述半导体层和所述第一金属层之间，所述第二绝缘层设置在所述第一金属层和所述第二金属层之间，所述第三绝缘层设置在所述第二金属层和所述第三金属层之间，所述第四绝缘层设置在所述第三金属层和所述第四金属层之间。

可选地，对于每个子像素，所述多个晶体管包括：第一晶体管至第七晶体管，第五晶体管的第一极分别与电源线和存储电容的第二电极连接。

可选地，所述第四绝缘层设置有暴露出部分所述第五晶体管的第一极的第一过孔，所述第三绝缘层设置有暴露出部分所述存储电容的第二电极的第二过孔；

所述子像素连接的电源线通过所述第一过孔与所述第五晶体管的第一极连接；所述第五晶体管的第一极通过所述第二过孔与所述存储电容的第二电极连接。

可选地，对于每个子像素，所述第一过孔的数量为一个，所述第二过孔的数量为至少一个；

当第二过孔的数量为多个时，多个第二过孔沿所述数据线延伸方向设置；

所述子像素连接的电源线在基底上的正投影覆盖所述第一过孔在基底上的正投影，所述存储电容的第二电极在基底上的正投影覆盖所述第二过孔在基底上的正投影。

可选地，位于同一行的相邻子像素中的存储电容的第二电极直接接触。

可选地，每四个连续所述子像素构成一个像素；

在所述第j个像素中，四个连续子像素沿栅线依次为第i子像素、第i+1子像素、第i+2子像素和第i+3子像素；

相邻两行像素中其中一行的每个像素中的第i子像素的存储电容的第二电极与第i+1子像素的存储电容的第二电极直接接触，第i+1子像素的存储电容的第二电极和第i+2子像素的存储电容的第二电极间隔设置，第i+2子像素的存储电容的第二电极与第i+3子像素的存储电容的第二电极直接接触；

相邻两行像素中另一行的每个像素中的第i子像素的存储电容的第二电极与第i+1子像素的存储电容的第二电极间隔设置，第i+1子像素的存储电容的第二电极与第i+2子像素的存储电容的第二电极直接接触，第i+2子像素的存储电容的第二电极与第i+3子像素的存储电容的第二电极间隔设置；

其中i可依次取值为4j-3，j为正整数。

可选地，对于每个子像素，所述第五晶体管的第一极在基底上的正投影与所述子像素连接的数据线在基底上的正投影存在重叠区域。

可选地，对于第j个像素，在第i子像素的存储电容的第二电极与第i+1子像素的存储电容的第二电极直接接触的状况下，第i+1子像素中的第五晶体管的第一极与第i+2子像素中的第五晶体管的第一极直接接触；

其中，位于第二金属层中的第i子像素中的存储电容的第二电极通过位于第三金属层中的第i+1子像素中的第五晶体管的第一极和第i+2子像素中的第五晶体管的第一极与位于第二金属层中的第i+3子像素中的存储电容的第二电极连接。

可选地，对于第j个像素，在第i+1子像素的存储电容的第二电极与第i+2子像素的存储电容的第二电极直接接触的状况下，第i子像素中的第五晶体管的第一极与第i+1子像素中的第五晶体管的第一极直接接触，第i+2子像素中的第五晶体管的第一极与第i+3子像素中的第五晶体管的第一极直接接触；

其中，位于第二金属层的第i子像素的存储电容的第二电极通过位于第三金属层中的第i子像素中的第五晶体管的第一极和第i+1子像素中的第五晶体管的第一极与位于第二金属层的第i+1子像素的存储电容的第二电极连接，位于第二金属层的第i+2子像素的存储电容的第二电极通过位于第三金属层中的第i+2子像素中的第五晶体管的第一极和第i+3子像素中的第五晶体管的第一极与位于第二金属层的第i+3子像素的存储电容的第二电极连接。

可选地，所述显示基板还包括：设置在所述第四金属层和所述第五金属层之间的第五绝缘层和平坦层以及设置在第五金属层远离基底一侧的发光器件的有机材料层和阴极；

所述第五绝缘层设置在所述平坦层靠近基底的一侧；所述阴极设置在有机材料层远离基底的一侧。

第二方面，本申请提供一种显示装置，包括如上述显示基板。

第三方面，本申请提供一种显示基板的制作方法，用于制作上述显示基板，所述方法包括：

提供一基底；

在所述基底上依次形成相互绝缘的半导体层、第一金属层、第二金属层、第三金属层、第四金属层和第五金属层；其中，所述半导体层包括：多个晶体管的有源层，所述第一金属层包括：栅线、发光控制线、复位信号线、存储电容的第一电极和多个晶体管的栅电极，所述第二金属层包括：初始信号线和存储电容的第二电极；所述第三金属层包括：多个晶体管的源漏电极，所述第四金属层包括：数据线和电源线，所述第五金属层包括：发光器件的阳极；第i列子像素与第i列数据线连接，每列数据线包括：第一子数据线和第二子数据线；第i列数据线中的第一子数据线和第二子数据线分别位于第i列子像素的两侧，相邻两列子像素之间的全部子数据线仅为第一子数据线或者第二子数据线，1≤i≤N，N为子像素的总列数。

可选地，所述在所述基底上依次形成相互绝缘的半导体层、第一金属层、第二金属层、第三金属层、第四金属层和第五金属层包括：

在基底上形成依次形成半导体层和第一绝缘层；

在第一绝缘层上依次形成第一金属层和第二绝缘层；

在第二绝缘层上依次形成第二金属层和第三绝缘层；

在第三绝缘层上依次形成第三金属层和第四绝缘层；

在第四绝缘层依次形成第四金属层、第五绝缘层和平坦层；

在平坦层上依次形成第五金属层、发光器件的有机发光层和发光器件的阴极。

本申请提供一种显示基板及其制作方法、显示装置，其中，显示基板中设置有栅线、数据线、电源线、复位信号线、发光控制线、初始信号线和多个子像素，每个子像素包括：发光器件和用于驱动发光器件发光的驱动电路，驱动电路包括：多个晶体管和存储电容；显示基板包括：基底以及依次设置在基底上的，且相互绝缘的半导体层、第一金属层、第二金属层、第三金属层、第四金属层和第五金属层；半导体层包括：多个晶体管的有源层，第一金属层包括：栅线、发光控制线、复位信号线、存储电容的第一电极和多个晶体管的栅电极，第二金属层包括：初始信号线和存储电容的第二电极；第三金属层包括：多个晶体管的源漏电极，第四金属层包括：数据线和电源线，第五金属层包括：发光器件的阳极；第i列子像素与第i列数据线连接，每列数据线包括：第一子数据线和第二子数据线；第i列数据线中的第一子数据线和第二子数据线分别位于第i列子像素的两侧，相邻两列子像素之间的全部子数据线仅为第一子数据线或者第二子数据线，1≤i≤N，N为子像素的总列数。本申请通过将数据线和电源线与多个晶体管的源漏电极异层设置，能够减少子像素与子像素所连接的数据线所占用的体积，进而提高了高频驱动的OLED显示基板的分辨率。

本申请的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本申请而了解。本申请的其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所描述的方案来实现和获得。

附图说明

附图用来提供对本申请技术方案的理解，并且构成说明书的一部分，与本申请的实施例一起用于解释本申请的技术方案，并不构成对本申请技术方案的限制。

图1为本申请实施例提供的显示基板的结构示意图；

图2为本申请实施例提供的显示基板中一个子像素的侧视图；

图3为本申请实施例提供的显示基板中一个子像素的俯视图；

图4A为本申请实施例提供的驱动电路的等效电路图；

图4B为本申请实施例提供的驱动电路的工作时序图；

图5为本申请实施例提供的显示基板中多个子像素的一个俯视图；

图6A为实施方式一对应的子像素的一个俯视图；

图6B为实施方式一对应的子像素的另一俯视图；

图7A为实施方式一对应的第二金属层的俯视图；

图7B为实施方式一对应的第三金属层的俯视图；

图8A为实施方式二对应的子像素的一个俯视图；

图8B为实施方式二对应的子像素的另一俯视图；

图9A为实施方式二对应的第二金属层的俯视图；

图9B为实施方式二对应的第三金属层的俯视图；

图10为本申请实施例提供的显示基板中多个子像素的另一俯视图；

图11为本申请实施例提供的显示基板的制作方法的流程图；

图12为本申请实施例提供的显示基板的第一制作示意图；

图13为本申请实施例提供的显示基板的第二制作示意图；

图14A为本申请实施例提供的显示基板的一个第三制作示意图；

图14B为本申请实施例提供的显示基板的另一第三制作示意图；

图15A为本申请实施例提供的显示基板的一个第四制作示意图；

图15B为本申请实施例提供的显示基板的另一第四制作示意图；

图16A为本申请实施例提供的显示基板的一个第五制作示意图；

图16B为本申请实施例提供的显示基板的另一第五制作示意图。

具体实施方式

本申请描述了多个实施例，但是该描述是示例性的，而不是限制性的，并且对于本领域的普通技术人员来说显而易见的是，在本申请所描述的实施例包含的范围内可以有更多的实施例和实现方案。尽管在附图中示出了许多可能的特征组合，并在具体实施方式中进行了讨论，但是所公开的特征的许多其它组合方式也是可能的。除非特意加以限制的情况以外，任何实施例的任何特征或元件可以与任何其它实施例中的任何其他特征或元件结合使用，或可以替代任何其它实施例中的任何其他特征或元件。

本申请包括并设想了与本领域普通技术人员已知的特征和元件的组合。本申请已经公开的实施例、特征和元件也可以与任何常规特征或元件组合，以形成由权利要求限定的独特的发明方案。任何实施例的任何特征或元件也可以与来自其它发明方案的特征或元件组合，以形成另一个由权利要求限定的独特的发明方案。因此，应当理解，在本申请中示出和/或讨论的任何特征可以单独地或以任何适当的组合来实现。因此，除了根据所附权利要求及其等同替换所做的限制以外，实施例不受其它限制。此外，可以在所附权利要求的保护范围内进行各种修改和改变。

此外，在描述具有代表性的实施例时，说明书可能已经将方法和/或过程呈现为特定的步骤序列。然而，在该方法或过程不依赖于本文所述步骤的特定顺序的程度上，该方法或过程不应限于所述的特定顺序的步骤。如本领域普通技术人员将理解的，其它的步骤顺序也是可能的。因此，说明书中阐述的步骤的特定顺序不应被解释为对权利要求的限制。此外，针对该方法和/或过程的权利要求不应限于按照所写顺序执行它们的步骤，本领域技术人员可以容易地理解，这些顺序可以变化，并且仍然保持在本申请实施例的精神和范围内。

除非另外定义，本发明实施例公开使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本发明实施例中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述的对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。

本申请一些实施例提供一种显示基板，图1为本申请实施例提供的显示基板的结构示意图，图2为本申请实施例提供的显示基板中一个子像素的侧视图，图3为本申请实施例提供的显示基板中一个子像素的俯视图，如图1～3所示，本申请实施例提供的显示基板中设置有栅线G、数据线D、电源线VDD、复位信号线Reset、发光控制线EM、初始信号线Vinit和多个子像素P，每个子像素包括：发光器件和用于驱动发光器件发光的驱动电路，驱动电路包括：多个晶体管和存储电容，显示基板包括：基底10以及设置在基底10上、且相互绝缘的半导体层20、第一金属层30、第二金属层40、第三金属层50、第四金属层60和第五金属层70。

本实施例中，半导体层20包括：多个晶体管的有源层，第一金属层30包括：栅线G、发光控制线EM、复位信号线Reset、存储电容的第一电极C1和多个晶体管的栅电极，第二金属层40包括：初始信号线Vinit和存储电容的第二电极C2；第三金属层50包括：多个晶体管的源漏电极，第四金属层60包括：数据线D和电源线VDD，第五金属层70包括：发光器件的阳极。

具体的，如图1所示，本实施例中的显示基板中设置有M行N列子像素，N列数据线D1～DN、N列电源线VDD1～VDDN、M行栅线G1～GM、M-1行发光控制线EM1～EMM-1、复位信号线Reset以及初始信号线Vinit，显示基板还包括：用于向数据线提供数据信号的数据驱动器、用于向栅线提供扫描信号的扫描驱动器、用于向发光控制线提供发光控制信号的发光驱动器以及用于向数据驱动器、扫描驱动器和发光驱动器提供驱动信号的时序控制器。

可选地，如图1所示，第i列子像素与第i列数据线连接，每列数据线包括：第一子数据线DO和第二子数据线DE；第i列数据线中的第一子数据线DOi和所述第二子数据线DEi分别位于第i列子像素的两侧，相邻两列子像素之间的全部子数据线仅为第一子数据线或者第二子数据线。

其中，1≤i≤N，N为子像素的总列数。

具体的，相邻两列子像素之间的全部数据线仅为第一子数据线或者第二子数据线，即当第i列数据线的第一子数据线DOi位于第i列子像素靠近第i+1列子像素的一侧，第i+1列数据线的第一子数据线DOi+1位于第i+1列子像素靠近第i列子像素的一侧，当第i列数据线的第二子数据线DEi位于第i列子像素靠近第i+1列子像素的一侧时，第i+1列数据线的第二子数据线DEi+1位于第i+1列子像素靠近第i列子像素的一侧。

可选地，基底10可以为刚性衬底或柔性衬底，其中，刚性衬底可以为但不限于玻璃、金属萡片中的一种或多种；柔性衬底可以为但不限于聚对苯二甲酸乙二醇酯、对苯二甲酸乙二醇酯、聚醚醚酮、聚苯乙烯、聚碳酸酯、聚芳基酸酯、聚芳酯、聚酰亚胺、聚氯乙烯、聚乙烯、纺织纤维中的一种或多种。

可选地，半导体层20的制作材料可以为多晶硅或者金属氧化物，本申请实施例对此不作任何限定。

可选地，第一金属层的制作材料可以为银、铝或铜等金属材料，本申请实施例对此不作任何限定

可选地，第二金属层的制作材料可以为银、铝或铜等金属材料，本申请实施例对此不作任何限定。

可选地，第三金属层的制作材料可以为银、铝或铜等金属材料，本申请实施例对此不作任何限定；

可选地，第四金属层的制作材料可以为银、铝或铜等金属材料，本申请实施例对此不作任何限定。

可选地，第五金属层的制作材料可以为银、铝或铜等金属材料，本申请实施例对此不作任何限定。

图4A为本申请实施例提供的驱动电路的等效电路图，图4B为本申请实施例提供的驱动电路的工作时序图，如图4A和图4B所示，图4A是以第i列子像素和第i+1列子像素包括的驱动电路为例进行说明的，本申请实施例提供的驱动电路为7T1C结构，驱动电路包括:第一晶体管T1～第七晶体管T7和存储电容C，其中，存储电容C包括第一电极C1和第二电极C2。

具体的，第一晶体管T1的栅电极与复位信号线Reset连接，第一晶体管T1的第一极与初始信号线Vinit连接，第一晶体管T1的第二极与存储电容C的第一电极C1连接，第二晶体管T2的栅电极与栅线G连接，第二晶体管T2的第一极与存储电容C的第一电极C1连接，第二晶体管T2的第二极与第六晶体管T6的第二极连接，第三晶体管T3的栅电极与存储电容C的第一电极C1连接，第三晶体管T3的第一极与第四晶体管T4的第二极连接，第三晶体管T3的第二极与第六晶体管T6的第二极连接，第四晶体管T4的栅电极与栅线G连接，第四晶体管T4的第一极与数据线D连接，第五晶体管T5的栅电极与发光控制线EM连接，第五晶体管T5的第一极与电源线VDD连接，第五晶体管T5的第二极与第三晶体管T3的第一极连接，第六晶体管T6的栅电极与发光控制线EM连接，第六晶体管T6的第二极与发光器件的阳极连接，第七晶体管T7的栅电极与复位信号线Reset连接，第七晶体管T7的第一极与初始信号线Vinit连接，第七晶体管T7的第二极与发光器件的阳极连接，存储电容的第二电极C2与电源线VDD连接，发光器件OLED的阴极与低电平电源端VSS连接。

其中，第三晶体管T3为驱动晶体管，除第三晶体管T3之外的其他晶体管均为开关晶体管，本实施例中提供的第一晶体管T1～第七晶体管T7可以均为P型晶体管或者N型晶体管，本申请实施例对此不作任何限定。

具体的，以第一晶体管T1～第七晶体管T7均为P型晶体管为例，本申请实施例提供的驱动电路的工作过程包括：

第一阶段S1、复位阶段，复位信号线Reset提供有效电平，第一晶体管T1和第七晶体管T7导通，初始信号线Vinit提供的初始信号对第六晶体管T6的第二极的信号和第一电极C1的信号进行初始化。

第二阶段S2、写入阶段，栅线G提供有效电平，第二晶体管T2和第四晶体管T4导通，向第三晶体管T3的第一极写入数据线D提供的数据信号，并使得第二晶体管T2的栅电极和第二极的信号的电位相同，以使得第三晶体管T3导通。

第三阶段S3、发光阶段，发光控制线EM提供有效电平，第五晶体管T5和第六晶体管T6导通，电源线VDD向发光器件OLED提供驱动电流以驱动发光器件发光。

可选地，如图4A所示，本申请实施例中的发光器件可以为OLED。

本申请实施例提供的显示基板中设置有栅线、数据线、电源线、复位信号线、发光控制线、初始信号线和多个子像素，每个子像素包括：发光器件和用于驱动发光器件发光的驱动电路，驱动电路包括：多个晶体管和存储电容；显示基板包括：基底以及依次设置在基底上的，且相互绝缘的半导体层、第一金属层、第二金属层、第三金属层、第四金属层和第五金属层；半导体层包括：多个晶体管的有源层，第一金属层包括：栅线、发光控制线、复位信号线、存储电容的第一电极和多个晶体管的栅电极，第二金属层包括：初始信号线和存储电容的第二电极；第三金属层包括：多个晶体管的源漏电极，第四金属层包括：数据线和电源线，第五金属层包括：发光器件的阳极，第i列子像素与第i列数据线连接，每列数据线包括：第一子数据线和第二子数据线；第i列数据线中的第一子数据线和第二子数据线分别位于第i列子像素的两侧，相邻两列子像素之间的全部子数据线仅为第一子数据线或者第二子数据线，1≤i≤N，N为子像素的总列数。本申请设置有五层金属层，通过将数据线和电源线与多个晶体管的源漏电极异层设置，能够减少子像素与子像素所连接的数据线所占用的体积，进而提高了高频驱动的OLED显示基板的分辨率。

可选地，如图3所示，本申请实施例提供的显示基板中的每个子像素被划分为：第一区域R1、第二区域R2和第三区域R3。

具体的，存储电容位于第二区域R2，第一区域R2和第三区域R3分别位于第二区域的两侧，且沿数据线延伸方向设置，子像素连接的初始信号线Vinit、栅线G和复位信号线Reset位于第一区域R1，子像素连接的发光控制线EM位于第三区域R3。

具体的，位于同一列的相邻子像素连接不同子数据线，即若第i行第j列的子像素连接第j列数据线中的第一子数据线DOj，则第i+1行第j列的子像素连接第j列数据线中的第二子数据线DEj，若第i行第j列的子像素连接第j列数据线中的第二子数据线DEj，则第i+1行第j列的子像素连接第j列数据线中的第一子数据线DOj。

可选地，如图1和图3可知，第i列子像素还与第i列电源线连接，1≤i≤N。

其中，第i列电源线VDDi位于第i列数据线中的第一子数据线DOi和第二子数据线DEi之间。

图5为本申请实施例提供的显示基板中多个子像素的一个俯视图，如图5所示，位于同一行的相邻子像素的像素结构关于位于相邻子像素之间的两个子数据线的中心线CL相互镜像对称，位于第i行第j列的子像素的像素结构与位于第i+1行第j+1列的子像素的像素结构相同，位于第i行第j+1列的子像素的像素结构与位于第i+1行第j列的子像素的像素结构相同。

如图5所示，相邻两列电源线关于位于相邻两列电源线之间的中心线镜像对称。

具体的，位于第i行第j列子像素和第i行第j+1列子像素之间的两个子数据线的中心线CL与位于第j列电源线和第j+1列电源线之间的中心线为同一中心线。

可选地，如图5所示，第i列电源线包括：多个相互连接的子电源线，分别为S1～SN，多个子电源线与每列子像素中的所有子像素一一对应。需要说明的是，图5是以前两行四列的8个子像素为例进行说明的。

具体的，本实施例中，第i行第j列的子像素对应的子电源线沿位于第j列数据线中的第一子数据线和第二子数据线的中心线翻转之后的形状与第i+1行第j列的子像素对应的子电源线的形状相同。

具体的，如图5所示，每个子电源线包括：第一电源部SS1、第二电源部SS2和第三电源部SS3，第二电源部SS2用于连接第一电源部SS1和第三电源部SS3，第一电源部SS1和第三电源部SS3与数据线平行设置，第二电源部SS2与第一电源部SS1之间的夹角大于90度，且小于180度。

其中，第一电源部SS1、第二电源部SS2和第三电源部SS3一体成型。

如图5所示，第三电源部SS3的宽度小于第一电源部SS1的宽度，一方面是为了像素结构的布局，另一方面，由于第三电源部SS3与电源线距离比较近，第三电源部SS3的宽度较小可以降低寄生电容。

具体的，第i行第j列的子像素对应的子电源线中的第一电源部SS1与位于第i-1行第j列的子像素对应的子电源线中的第三电源部SS3连接，第i行第j列的子像素对应的子电源线中的第三电源部SS3与位于第i+1行第j列的子像素对应的子电源线中的第一电源部SS1连接，相互连接的电源部沿数据线延伸方向设置。

如图5所示，本申请实施例中的电源线为折线形。

本实施例中，结合图5，每个子像素的工作过程包括：在复位阶段，位于第一金属层的复位信号线Reset和位于第二金属层的初始信号线Vinit提供信号，对驱动电路进行初始化，在写入阶段，位于第一金属层中的栅线G和位于第四金属层中的数据线D提供信号，向驱动电路中写入数据线D提供的数据信号；在发光阶段，位于第一金属层的发光控制线EM提供信号，电源线VDD提供电源信号，使得驱动电路向发光器件OLED提供驱动电流以驱动发光器件发光。

其中，同一行像素同时显示，相邻行像素按照顺序依次进行显示。

可选地，如图2所示，本申请提供的显示基板还包括：第一绝缘层11、第二绝缘层12、第三绝缘层13和第四绝缘层14。

具体的，第一绝缘层11设置在半导体层20和第一金属层30之间，第二绝缘层12设置在第一金属层30和第二金属层40之间，第三绝缘层13设置在第二金属层40和第三金属层50之间，第四绝缘层14设置在第三金属层50和第四金属层60之间。

可选地，第一绝缘层11、第二绝缘层12、第三绝缘层13和第四绝缘层14的制作材料可以为氧化硅、氮化硅或者氧化硅和氮化硅的复合物，本申请实施例对此不作任何限定。

本实施例中，如图4A所示，对于每个子像素，多个晶体管包括：第一晶体管至第七晶体管，第五晶体管的第一极分别与电源线VDD和存储电容的第二电极C2连接。

本申请实施例中，对于每个子像素，每个子像素中的电源线通过第五晶体管的第一极与存储电容的第二电极连接。

具体的，位于第二金属层的相邻子像素的存储电容的第二电极还复用为电源信号线，用于保证相邻子像素的电源线提供的电源信号相同，避免显示基板的显示不良，保证显示基板的显示效果。

本实施例中，每四个连续子像素构成一个像素，在第j个像素中，四个连续子像素沿栅线排布方向依次为第i子像素、第i+1子像素、第i+2子像素和第i+3子像素，其中，i可依次取值为4j-3，j为正整数。

具体的，多个子像素的存储电容的第二电极连接有多种实施方式，作为一种实施方式，图6A为实施方式一对应的子像素的一个俯视图，图6B为实施方式一对应的子像素的另一俯视图，其中，如图6A所示，第四绝缘层设置有暴露出部分第五晶体管的第一极51的第一过孔V1，电源线通过第一过孔V1与第五晶体管的第一极51连接；如图6B所示，第三绝缘层设置有暴露出部分存储电容的第二电极C2的第二过孔V2，第五晶体管的第一极51通过第二过孔V2与存储电容的第二电极连接。需要说明的是，图3和图5是以实施方式一为例为例进行说明的。

其中，子像素连接的电源线在基底上的正投影覆盖第一过孔V1在基底10上的正投影，存储电容的第二电极在基底上的正投影覆盖第二过孔在基底上的正投影。

可选地，第一过孔V1的数量为一个。

可选地，第二过孔V2的数量为至少一个，由于第五晶体管的第一极的宽度较窄，因此，当第二过孔V2的数量为多个时，多个第二过孔沿数据线延伸方向设置，其中，多个第二过孔沿数据线延伸方向设置过孔，可以设置多个过孔，过孔的数量越多，通过过孔连接的部件的导电性越好，图6A是一个第一过孔V1，图6B是以两个第二过孔V2为例进行说明的，本申请实施例对此不作任何限定。

具体的，如图6A所示，第四绝缘层还包括暴露出第四晶体管T4的第一极的过孔，数据线通过该过孔与第四晶体管T4的第一极连接，第四绝缘层还包括暴露出第六晶体管T6的第二极，发光器件的阳极通过该过孔与第六晶体管T6的第二极连接。

具体的，如图6B所示，第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层还包括：暴露出部分有源层的过孔，使得晶体管的源漏电极通过该些过孔与有源层连接。

具体的，第五晶体管的第一极还通过第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层上的过孔与有源层连接。

本实施例中，每个像素包括：四个子像素，具体的，图7A为实施方式一对应的第二金属层的俯视图，图7B为实施方式一对应的第三金属层的俯视图，为了更加清晰的说明显示基板的结构，图7A和图7B是以沿列方向排列的两个像素为例进行说明的。

如图7A所示，位于同一行的相邻子像素中的存储电容的第二电极直接接触，如图7B所示，位于同一行的相邻子像素的第五晶体管的第一极51间隔设置。

在实施方式一中，通过多个子像素设置在第二金属层上的存储电容的第二电极相互接触能够使得相邻子像素的电源线提供的电源信号相同，避免显示基板的显示不良，保证显示基板的显示效果。

作为另一种实施方式，图8A为实施方式二对应的子像素的一个俯视图，图8B为实施方式二对应的多个子像素的另一俯视图，其中，如图8A所示，第四绝缘层设置有暴露出部分第五晶体管的第一极51的第一过孔V1，电源线通过第一过孔V1与第五晶体管的第一极51连接；如图8B所示，第三绝缘层设置有暴露出部分存储电容的第二电极C2的第二过孔V2，第五晶体管的第一极51通过第二过孔V2与存储电容的第二电极连接。

如图8A和图8B所示，与实施方式一提供的每个子像素的存储电容的第二电极所占用的面积有所不同以及第五晶体管的第一极51的形状也有所不同。

具体的，如图8A所示，第四绝缘层还包括暴露出第四晶体管T4的第一极的过孔，数据线通过该过孔与第四晶体管T4的第一极连接，第四绝缘层还包括暴露出第六晶体管T6的第二极，发光器件的阳极通过该过孔与第六晶体管T6的第二极连接。

具体的，如图3和8B所示，第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层还包括：暴露出部分有源层的过孔，使得晶体管的源漏电极通过该些过孔与有源层连接。具体的，第五晶体管的第一极还通过第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层上的过孔与有源层连接。

其中，子像素连接的电源线在基底上的正投影覆盖第一过孔V1在基底10上的正投影，存储电容的第二电极在基底上的正投影覆盖第二过孔在基底上的正投影。

可选地，第一过孔V1的数量为一个。

可选地，第二过孔V2的数量为至少一个，由于第五晶体管的第一极的宽度较窄，因此，多个第二过孔沿数据线延伸方向设置过孔，可以保证设置过孔的数量，过孔的数量越多，通过过孔连接的部件的导电性越好，图8A是一个第一过孔V1，图8B是以两个第二过孔V2为例进行说明的，本申请实施例对此不作任何限定。

具体的，图9A为实施方式二对应的第二金属层的俯视图，图9B为实施方式二对应的第三金属层的俯视图，图10为本申请实施例提供的显示基板中多个子像素的另一俯视图，为了更加清晰的说明显示基板的结构，图9A和图9B是以沿列方向排列的两个像素为例进行说明的，图10包括除了发光器件的阳极之外的其他膜层，图10中包括的多个子像素为实施方式二对应的子像素。

如图9A和图9B所示，相邻两行像素中其中一行的每个像素中的第i子像素的存储电容的第二电极与第i+1子像素的存储电容的第二电极直接接触，第i+1子像素的存储电容的第二电极和第i+2子像素的存储电容的第二电极间隔设置，第i+2子像素的存储电容的第二电极与第i+3子像素的存储电容的第二电极直接接触；相邻两行像素中另一行的每个像素中的第i子像素的存储电容的第二电极与第i+1子像素的存储电容的第二电极间隔设置，第i+1子像素的存储电容的第二电极与第i+2子像素的存储电容的第二电极直接接触，第i+2子像素的存储电容的第二电极与第i+3子像素的存储电容的第二电极间隔设置。

需要说明的是，图9A是以第一行像素中的第i子像素的存储电容的第二电极与第i+1子像素的存储电容的第二电极直接接触，第二行像素中第i+2子像素的存储电容的第二电极与第i+3子像素的存储电容的第二电极直接接触为例进行说明的。

可选地，如图10所示，对于每个子像素，第五晶体管的第一极在基底上的正投影与所述子像素连接的数据线在基底上的正投影存在重叠区域。

本实施例中，结合图9A、图9B和图10，对于第j个像素，在第i子像素的存储电容的第二电极C2与第i+1子像素的存储电容的第二电极C2直接接触的状况下，第i+1子像素中的第五晶体管的第一极51与第i+2子像素中的第五晶体管的第一极51直接接触；其中，位于第二金属层中的第i子像素中的存储电容的第二电极C2通过位于第三金属层中的第i+1子像素中的第五晶体管的第一极51和第i+2子像素中的第五晶体管的第一极51与位于第二金属层中的第i+3子像素中的存储电容的第二电极C2连接。

本实施例中，对于第j个像素，在第i+1子像素的存储电容的第二电极C2与第i+2子像素的存储电容的第二电极C2直接接触的状况下，第i子像素中的第五晶体管的第一极51与第i+1子像素中的第五晶体管的第一极51直接接触，第i+2子像素中的第五晶体管的第一极51与第i+3子像素中的第五晶体管的第一极51直接接触；其中，位于第二金属层的第i子像素的存储电容的第二电极C2通过位于第三金属层中的第i子像素中的第五晶体管的第一极51和第i+1子像素中的第五晶体管的第一极51与位于第二金属层的第i+1子像素的存储电容的第二电极C2连接，位于第二金属层的第i+2子像素的存储电容的第二电极C2通过位于第三金属层中的第i+2子像素中的第五晶体管的第一极51和第i+3子像素中的第五晶体管的第一极51与位于第二金属层的第i+3子像素的存储电容的第二电极C2连接。

在实施方式二中，本申请实施例通过第二金属层和第三金属层共同完成横向跨接，实现电源连接线的功能，使得向每个子像素提供的电源信号均相同，保证了显示基板的显示效果。

需要说明的是，由于第三金属层的电阻率要小于第二金属层的电阻率，因此，实施方式二提供的显示基板与实施例方式一提供的显示基板相比，能够进一步地降低动态串扰。

可选地，如图2所示，本申请实施例提供的显示基板还包括：设置在第四金属层60和第五金属层70之间的第五绝缘层15和平坦层16以及设置在第五金属层70远离基底10一侧的发光器件的有机材料层和阴极(图中未示出)。

具体的，第五绝缘层15设置在平坦层16靠近基底10的一侧；阴极设置在有机材料层远离基底10的一侧。

如图3所示，本申请实施例提供的第三金属层还包括：连接电极61，其中，连接电极分别第五金属层与第六晶体管的第二极连接。

其中，第五绝缘层和平坦层设置有暴露连接电极的过孔，第五金属层通过暴露连接电极的过孔与连接电极连接，第四绝缘层设置暴露第六晶体管的第二极的过孔，连接电极通过暴露第六晶体管的第二极的过孔与第六晶体管的第二极连接。

基于同一发明构思，本申请实施例还提供一种显示基板的制作方法，用于制作上述实施例提供的显示基板，图11为本申请实施例提供的显示基板的制作方法的流程图，如图11所示，本申请实施例提供的显示基板的制作方法具体包括以下步骤：

步骤S1、提供一基底。

步骤S2、在基底上依次形成相互绝缘的半导体层、第一金属层、第二金属层、第三金属层、第四金属层和第五金属层。

具体的，半导体层包括：多个晶体管的有源层，第一金属层包括：栅线、发光控制线、复位信号线、存储电容的第一电极和多个晶体管的栅电极，第二金属层包括：初始信号线和存储电容的第二电极；第三金属层包括：多个晶体管的源漏电极，第四金属层包括：数据线和电源线，第五金属层包括：发光器件的阳极；第i列子像素与第i列数据线连接，每列数据线包括：第一子数据线和第二子数据线；第i列数据线中的第一子数据线和第二子数据线分别位于第i列子像素的两侧，相邻两列子像素之间的全部子数据线仅为第一子数据线或者第二子数据线。

其中，1≤i≤N，N为子像素的总列数。

其中，本申请实施例提供的显示基板的制作方法用于制作上述实施例提供的显示基板，其实现原理和实现效果类似，在此不再赘述。

可选地，步骤200包括：在基底上形成依次形成半导体层和第一绝缘层；在第一绝缘层上依次形成第一金属层和第二绝缘层；在第二绝缘层上依次形成第二金属层和第三绝缘层；在第三绝缘层上依次形成第三金属层和第四绝缘层；在第四绝缘层依次形成第四金属层、第五绝缘层和平坦层；在平坦层上依次形成第五金属层、发光器件的有机发光层和发光器件的阴极。

图12为本申请实施例提供的显示基板的第一制作示意图，图13为本申请实施例提供的显示基板的第二制作示意图，图14A为本申请实施例提供的显示基板的一个第三制作示意图，图14B为本申请实施例提供的显示基板的另一第三制作示意图，图15A为本申请实施例提供的显示基板的一个第四制作示意图，图15B为本申请实施例提供的显示基板的另一第四制作示意图，图16A为本申请实施例提供的显示基板的一个第五制作示意图，图16B为本申请实施例提供的显示基板的另一第五制作示意图，结合图12～图16，下面进一步说明本申请实施例提供的显示基板的制作方法，具体说明如下：

可选地，构图工艺包括：光刻胶涂覆、曝光、显影、刻蚀以及光刻胶剥离等工艺。

步骤100、提供一基底10，在基底10上沉积半导体薄膜，采用构图工艺对半导体薄膜进行处理形成半导体层20，如图12所示。

其中，实施方式一中有源层的制作示意图与实施方式二中有源层的制作示意图相同。

步骤200、在半导体层20上沉积绝缘薄膜，采用构图工艺对绝缘薄膜进行处理形成第一绝缘层，在第一绝缘层沉积金属薄膜，采用构图工艺对金属薄膜进行处理形成第一金属层30，具体如图13所示。

其中，第一金属层30包括：栅线G、复位信号线Reset、发光控制线EM和存储电容的第一电极C1。

其中，实施方式一中第一金属层的制作示意图与实施方式二中第一金属层的制作示意图相同。

步骤300、在第一金属层30上沉积绝缘薄膜，采用构图工艺对绝缘薄膜进行处理形成第二绝缘层，在第二绝缘层上沉积金属薄膜，采用构图工艺对金属薄膜进行处理形成初始信号线Vinit和存储电容的第二电极C2的第二金属层，在第二金属层上形成沉积绝缘薄膜，采用构图工艺对绝缘薄膜进行处理形成第三绝缘层，具体如图14A和14B所示。

其中，第三绝缘层上包括暴露第二电极的第一过孔V1，暴露初始信号线Vinit的过孔，第二绝缘层和第三绝缘层设置有暴露第一电极的过孔，第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层设置有暴露半导体层的过孔。

图14A为实施方式一的制作示意图，图14B为实施方式二的制作示意图。

步骤400、在第三绝缘层上沉积金属薄膜，通过构图工艺对金属薄膜进行处理形成包括多个晶体管的源漏电极的第三金属层，在第三金属层上沉积绝缘薄膜，通过构图工艺对绝缘薄膜进行处理形成第四绝缘层，如图15A和图15B所示。

其中，第四绝缘层上包括暴露第五晶体管的第一过孔V1，暴露第六晶体管的第二极的过孔，暴露出第四晶体管的第一极的过孔。

需要说明的是，图15A为实施方式一的制作示意图，图15B为实施方式二的制作示意图。

步骤500、在第四绝缘层上沉积金属薄膜，通过构图工艺对金属薄膜进行处理形成包括数据线D、电源线VDD和连接电极61的第四金属层，在第四金属层沉积绝缘薄膜，通过构图工艺对绝缘薄膜进行处理进行第五绝缘层，在第五绝缘层上涂覆平坦薄膜，通过构图工艺对平坦薄膜进行处理形成平坦层，具体如图16A和16B所示。

具体的，第五绝缘层和平坦层上设置有暴露连接电极的过孔，发光。

需要说明的是，图16A为实施方式一的制作示意图，图16B为实施方式二的制作示意图。

步骤600、平坦层上沉积金属薄膜，通过构图工艺对金属薄膜进行处理形成第五金属层，在第五金属层上涂覆有机材料薄膜，通过构图工艺对有机材料薄膜进行处理，形成有机材料层，在有机材料层沉积导电薄膜，通过构图工艺对导电薄膜进行处理进行阴极。

基于同一发明构思，本申请实施例还提供一种显示装置，其中，显示装置包括：显示基板。

可选地，显示基板为OLED显示基板。

具体的，显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件，本发明实施例并不以此为限。

其中，显示基板为前述实施例提供的显示基板，其实现原理和实现效果类似，在此不再赘述。

为了清晰起见，在用于描述本发明的实施例的附图中，层或微结构的厚度和尺寸被放大。可以理解，当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时，该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”，或者可以存在中间元件。

虽然本发明所揭露的实施方式如上，但所述的内容仅为便于理解本发明而采用的实施方式，并非用以限定本发明。任何本发明所属领域内的技术人员，在不脱离本发明所揭露的精神和范围的前提下，可以在实施的形式及细节上进行任何的修改与变化，但本发明的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。

Claims (20)

1.一种显示基板，其特征在于，所述显示基板中设置有栅线、数据线、电源线、复位信号线、发光控制线、初始信号线和多个子像素，每个子像素包括：发光器件和用于驱动发光器件发光的驱动电路，所述驱动电路包括：多个晶体管和存储电容；所述显示基板包括：基底以及依次设置在所述基底上，且相互绝缘的半导体层、第一金属层、第二金属层、第三金属层、第四金属层和第五金属层；

所述半导体层包括：多个晶体管的有源层，所述第一金属层包括：栅线、发光控制线、复位信号线、存储电容的第一电极和多个晶体管的栅电极，所述第二金属层包括：初始信号线和存储电容的第二电极；所述第三金属层包括：多个晶体管的源漏电极，所述第四金属层包括：数据线和电源线，所述第五金属层包括：发光器件的阳极；

第i列子像素与第i列数据线连接，每列数据线包括：第一子数据线和第二子数据线；第i列数据线中的所述第一子数据线和所述第二子数据线分别位于第i列子像素的两侧，相邻两列子像素之间的全部所述子数据线仅为所述第一子数据线或者第二子数据线，1≤i≤N，N为子像素的总列数。

2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，位于同一行的相邻子像素的像素结构关于位于相邻子像素之间的两个子数据线的中心线相互镜像对称，位于第i行第j列的子像素的像素结构与位于第i+1行第j+1列的子像素的像素结构相同，位于第i行第j+1列的子像素的像素结构与位于第i+1行第j列的子像素的像素结构相同。

3.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，位于同一列的相邻子像素连接不同子数据线；

第i列子像素还与第i列电源线连接，第i列电源线位于第i列数据线中的第一子数据线和第二子数据线之间；

相邻两列电源线关于位于相邻两列电源线之间的中心线镜像对称。

4.根据权利要求1～3任一项所述的显示基板，其特征在于，第i列电源线包括：多个相互连接的子电源线，所述多个子电源线与第i列子像素中的所有子像素一一对应。

5.根据权利要求4所述的显示基板，其特征在于，每个子电源线包括：第一电源部、第二电源部和第三电源部；

其中，第二电源部用于连接第一电源部和第三电源部，所述第一电源部和所述第三电源部与所述数据线平行设置，所述第二电源部与所述第一电源部之间的夹角大于90度，且小于180度；

所述第三电源部的宽度小于所述第一电源部的宽度。

6.根据权利要求5所述的显示基板，其特征在于，所述子像素对应的子电源线中的第一电源部与位于同一列上一行子像素对应的子电源线中的第三电源部连接，所述子像素对应的子电源线中的第三电源部与位于同一列下一行子像素对应的子电源线中的第一电源部连接。

7.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，每个子像素被划分为：第一区域、第二区域和第三区域；

所述存储电容位于所述第二区域，所述第一区域和所述第三区域分别位于所述第二区域的两侧，子像素连接的初始信号线、栅线、复位信号线位于所述第一区域，子像素连接的发光控制线位于所述第三区域。

8.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括：第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层和第四绝缘层；

所述第一绝缘层设置在所述半导体层和所述第一金属层之间，所述第二绝缘层设置在所述第一金属层和所述第二金属层之间，所述第三绝缘层设置在所述第二金属层和所述第三金属层之间，所述第四绝缘层设置在所述第三金属层和所述第四金属层之间。

9.根据权利要求8所述的显示基板，其特征在于，对于每个子像素，所述多个晶体管包括：第一晶体管至第七晶体管，第五晶体管的第一极分别与电源线和存储电容的第二电极连接。

10.根据权利要求9所述的显示基板，其特征在于，所述第四绝缘层设置有暴露出部分所述第五晶体管的第一极的第一过孔，所述第三绝缘层设置有暴露出部分所述存储电容的第二电极的第二过孔；

所述子像素连接的电源线通过所述第一过孔与所述第五晶体管的第一极连接；所述第五晶体管的第一极通过所述第二过孔与所述存储电容的第二电极连接。

11.根据权利要求10所述的显示基板，其特征在于，对于每个子像素，所述第一过孔的数量为一个，所述第二过孔的数量为至少一个；

当第二过孔的数量为多个时，多个第二过孔沿所述数据线延伸方向设置；

所述子像素连接的电源线在基底上的正投影覆盖所述第一过孔在基底上的正投影，所述存储电容的第二电极在基底上的正投影覆盖所述第二过孔在基底上的正投影。

12.根据权利要求9所述的显示基板，其特征在于，位于同一行的相邻子像素中的存储电容的第二电极直接接触。

13.根据权利要求9所述的显示基板，其特征在于，每四个连续所述子像素构成一个像素；

在所述第j个像素中，四个连续子像素沿栅线排布方向依次为第i子像素、第i+1子像素、第i+2子像素和第i+3子像素；

相邻两行像素中其中一行的每个像素中的第i子像素的存储电容的第二电极与第i+1子像素的存储电容的第二电极直接接触，第i+1子像素的存储电容的第二电极和第i+2子像素的存储电容的第二电极间隔设置，第i+2子像素的存储电容的第二电极与第i+3子像素的存储电容的第二电极直接接触；

相邻两行像素中另一行的每个像素中的第i子像素的存储电容的第二电极与第i+1子像素的存储电容的第二电极间隔设置，第i+1子像素的存储电容的第二电极与第i+2子像素的存储电容的第二电极直接接触，第i+2子像素的存储电容的第二电极与第i+3子像素的存储电容的第二电极间隔设置；

其中，i可依次取值为4j-3，j为正整数。

14.根据权利要求13所述的显示基板，其特征在于，对于每个子像素，所述第五晶体管的第一极在基底上的正投影与所述子像素连接的数据线在基底上的正投影存在重叠区域。

15.根据权利要求13所述的显示基板，其特征在于，对于第j个像素，在第i子像素的存储电容的第二电极与第i+1子像素的存储电容的第二电极直接接触的状况下，第i+1子像素中的第五晶体管的第一极与第i+2子像素中的第五晶体管的第一极直接接触；

其中，位于第二金属层中的第i子像素中的存储电容的第二电极通过位于第三金属层中的第i+1子像素中的第五晶体管的第一极和第i+2子像素中的第五晶体管的第一极与位于第二金属层中的第i+3子像素中的存储电容的第二电极连接。

16.根据权利要求13所述的显示基板，其特征在于，对于第j个像素，在第i+1子像素的存储电容的第二电极与第i+2子像素的存储电容的第二电极直接接触的状况下，第i子像素中的第五晶体管的第一极与第i+1子像素中的第五晶体管的第一极直接接触，第i+2子像素中的第五晶体管的第一极与第i+3子像素中的第五晶体管的第一极直接接触；

其中，位于第二金属层的第i子像素的存储电容的第二电极通过位于第三金属层中的第i子像素中的第五晶体管的第一极和第i+1子像素中的第五晶体管的第一极与位于第二金属层的第i+1子像素的存储电容的第二电极连接，位于第二金属层的第i+2子像素的存储电容的第二电极通过位于第三金属层中的第i+2子像素中的第五晶体管的第一极和第i+3子像素中的第五晶体管的第一极与位于第二金属层的第i+3子像素的存储电容的第二电极连接。

17.根据权利要求8所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括：设置在所述第四金属层和所述第五金属层之间的第五绝缘层和平坦层以及设置在第五金属层远离基底一侧的发光器件的有机材料层和阴极；

所述第五绝缘层设置在所述平坦层靠近基底的一侧；所述阴极设置在有机材料层远离基底的一侧。

18.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1～17任一项所述的显示基板。

19.一种显示基板的制作方法，其特征在于，用于制作如权利要求1～17任一项所述的显示基板，所述方法包括：

提供一基底；

在所述基底上依次形成相互绝缘的半导体层、第一金属层、第二金属层、第三金属层、第四金属层和第五金属层；其中，所述半导体层包括：多个晶体管的有源层，所述第一金属层包括：栅线、发光控制线、复位信号线、存储电容的第一电极和多个晶体管的栅电极，所述第二金属层包括：初始信号线和存储电容的第二电极；所述第三金属层包括：多个晶体管的源漏电极，所述第四金属层包括：数据线和电源线，所述第五金属层包括：发光器件的阳极；第i列子像素与第i列数据线连接，每列数据线包括：第一子数据线和第二子数据线；第i列数据线中的第一子数据线和第二子数据线分别位于第i列子像素的两侧，相邻两列子像素之间的全部所述子数据线仅为所述第一子数据线或者第二子数据线，1≤i≤N，N为子像素的总列数。

20.根据权利要求19所述的方法，其特征在于，所述在所述基底上依次形成相互绝缘的半导体层、第一金属层、第二金属层、第三金属层、第四金属层和第五金属层包括：

在基底上形成依次形成半导体层和第一绝缘层；

在第一绝缘层上依次形成第一金属层和第二绝缘层；

在第二绝缘层上依次形成第二金属层和第三绝缘层；

在第三绝缘层上依次形成第三金属层和第四绝缘层；

在第四绝缘层依次形成第四金属层、第五绝缘层和平坦层；

在平坦层上依次形成第五金属层、发光器件的有机发光层和发光器件的阴极。

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