CN111724736A - 一种阵列基板、oled显示面板及显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种阵列基板、OLED显示面板及显示装置，由于存储电容包括并联的第一电容和第二电容；其中，第一电容包括存储电极和与栅极同层设置的第一电极，第二电容包括存储电极和与电源电压线同层设置的第二电极，且第一电极与第二电极通过贯穿第一绝缘层和第二绝缘层的过孔电连接。因此与现有技术相比，在占用面积相同的基础上可以增大存储电容的电容值，或者，在保证存储电容的电容值相同的基础上，可以减小占用面积，从而在相同内部补偿像素电路架构下提高显示面板像素PPI。

Description

一种阵列基板、OLED显示面板及显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤指一种阵列基板、OLED显示面板及显示装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)是当今显示器研究领域的热点之一，与液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)相比，OLED具有低能耗、生产成本低、自发光、宽视角及响应速度快等优点，目前，在手机、PDA、数码相机等显示领域OLED显示屏已经开始取代传统的LCD显示屏。
在OLED显示面板中，OLED需要利用像素电路进行驱动，像素电路主要由存储电容和多个晶体管构成。随着对产品分辨率的要求越来越高，在不影响像素电路内部补偿效果的前提下，如果想进一步提高PPI需要缩小每个像素的布局空间，但是布局空间缩小之后，存储电容会减小，使得其稳压能力不足。
发明内容
本发明实施例提供一种阵列基板、OLED显示面板及显示装置，用以提升OLED显示面板中存储电容的电容值。
本发明实施例提供的一种阵列基板，包括：衬底基板以及位于所述衬底基板上的像素电路，所述像素电路至少包括驱动晶体管、存储电容以及电源电压线；所述存储电容的一端与所述电源电压线电连接，所述存储电容的另一端与所述驱动晶体管的栅极电连接；
所述衬底基板上依次设置有有源层、栅极绝缘层、栅极、第一绝缘层、存储电极、第二绝缘层和电源电压线；
所述存储电容包括并联的第一电容和第二电容；其中，所述第一电容包括所述存储电极和与所述栅极同层设置的第一电极，所述第二电容包括所述存储电极和与所述电源电压线同层设置的第二电极，且所述第一电极与所述第二电极通过贯穿所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的过孔电连接。
可选地，在本发明实施例提供的阵列基板中，所述存储电容的存储电极与所述电源电压线电连接；
所述存储电容的第一电极与所述驱动晶体管的栅极电连接。
可选地，在本发明实施例提供的阵列基板中，所述存储电容的存储电极与所述驱动晶体管的栅极电连接；
所述存储电容的第二电极与所述电源电压线电连接。
可选地，在本发明实施例提供的阵列基板中，所述存储电极在所述衬底基板的正投影覆盖所述第一电极在所述衬底基板的正投影。
可选地，在本发明实施例提供的阵列基板中，所述存储电极在所述衬底基板的正投影覆盖所述第二电极在所述衬底基板的正投影。
可选地，在本发明实施例提供的阵列基板中，所述第二电极在所述衬底基板的正投影与所述第一电极在所述衬底基板的正投影重合。
可选地，在本发明实施例提供的阵列基板中，还包括与所述电源电压线同层设置的源漏电极。
可选地，在本发明实施例提供的阵列基板中，还包括与所述电源电压线同层设置的数据线。
相应地，本发明实施例还提供了一种OLED显示面板，包括本发明实施例提供的上述任一种阵列基板。
相应地，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括本发明实施例提供的上述OLED显示面板。
本发明有益效果如下：
本发明实施例提供的阵列基板、OLED显示面板及显示装置，由于存储电容包括并联的第一电容和第二电容；其中，第一电容包括存储电极和与栅极同层设置的第一电极，第二电容包括存储电极和与电源电压线同层设置的第二电极，且第一电极与第二电极通过贯穿第一绝缘层和第二绝缘层的过孔电连接。因此与现有技术相比，在占用面积相同的基础上可以增大存储电容的电容值，或者，在保证存储电容的电容值相同的基础上，可以减小占用面积，从而在相同内部补偿像素电路架构下提高显示面板像素PPI。
附图说明
图1为现有的像素电路的一种结构示意图；
图2为现有像素电路中电容的结构示意图；
图3为本发明实施例提供的阵列基板的结构示意图之一；
图4为本发明实施例提供的阵列基板的结构示意图之二；
图5a至图5e为本发明实施例提供的阵列基板在制备时各步骤对应的俯视结构示意图；
图5f为图5e所示的阵列基板沿AA’方向的剖面结构示意图。
具体实施方式
目前OLED显示面板中像素电路主要采用7T1C的结构或者8T1C的结构。例如图1所示的像素电路，而像素电路中的晶体管(T1～T7)的数量如此之多限制了显示面板的PPI的提升。
现有技术中为了确保显示面板中存储电容Cst的电容值，如图2所示，在栅极层01与源漏电极层02之间设置存储电极层03，以通过设置具有较高介电常数且较薄厚度的栅极绝缘层04确保在限定面积内获得目标电容值。如图2所示，栅极层01连接的是驱动管的栅极，提供VDD信号的源漏电极层02通过过孔与存储电极层02连接，栅极层01与存储电极层03形成存储电容Cst。但是，在现有技术中，在不影响内部补偿效果的前提下，如果想进一步提高PPI需要缩小每个像素的布局空间，走线及过孔的布局必然面临空间不足的挑战，且布局空间缩小之后，存储电容Cst的电容值减小，使得其稳压能力不足。
有鉴于此，本发明实施例提供了一种阵列基板、OLED显示面板及显示装置。
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面将结合附图和实施例对本发明做进一步说明。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施方式；相反，提供这些实施方式使得本发明更全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。在图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略对它们的重复描述。本发明中所描述的表达位置与方向的词，均是以附图为例进行的说明，但根据需要也可以做出改变，所做改变均包含在本发明保护范围内。本发明的附图仅用于示意相对位置关系不代表真实比例。
需要说明的是，在以下描述中阐述了具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以多种不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广。因此本发明不受下面公开的具体实施方式的限制。说明书后续描述为实施本申请的较佳实施方式，然所述描述乃以说明本申请的一般原则为目的，并非用以限定本申请的范围。本申请的保护范围当视所附权利要求所界定者为准。
下面结合附图，对本发明实施例提供的阵列基板、OLED显示面板及显示装置进行具体说明。
本发明实施例提供的一种阵列基板，如图3和图4所示，包括：衬底基板10以及位于衬底基板10上的像素电路，像素电路至少包括驱动晶体管、存储电容Cst以及电源电压线VDD；存储电容Cst的一端与电源电压线VDD电连接，存储电容Cst的另一端与驱动晶体管的栅极22电连接。
在具体实施时，像素电路中除了驱动晶体管还包括其它晶体管，例如图1中除了T1之外的晶体管。一般所有晶体管具有相同功能的层是同层设置。
参见图3和图4，衬底基板10上依次设置有有源层21、栅极绝缘层41、栅极22、第一绝缘层42、存储电极30、第二绝缘层43和电源电压线VDD；
存储电容Cst包括并联的第一电容C1和第二电容C2；其中，第一电容C1包括存储电极30和与栅极22同层设置的第一电极31，第二电容C2包括存储电极30和与电源电压线VDD同层设置的第二电极32，且第一电极31与第二电极32通过贯穿第一绝缘层42和第二绝缘层43的过孔电连接。
本发明实施例提供的上述阵列基板，由于存储电容包括并联的第一电容和第二电容；其中，第一电容包括存储电极和与栅极同层设置的第一电极，第二电容包括存储电极和与电源电压线同层设置的第二电极，且第一电极与第二电极通过贯穿第一绝缘层和第二绝缘层的过孔电连接。因此与现有技术相比，在占用面积相同的基础上可以增大存储电容的电容值，或者，在保证存储电容的电容值相同的基础上，可以减小占用面积，从而在相同内部补偿像素电路架构下提高显示面板像素PPI。
可选地，在本发明实施例提供的阵列基板中，如图3和图4所示，衬底基板10上还包括源漏电极23，源漏电极23与电源电压线VDD同层设置。这样可以通过一次构图工艺形成电源电压线VDD与源漏电极23的图形，从而简化工艺步骤。
可选地，在本发明实施例提供的阵列基板中，如图3所示，存储电容Cst的存储电极30与电源电压线电VDD连接；存储电容Cst的第一电极31与驱动晶体管的栅极22电连接。从而实现存储电容Cst的一端与电源电压线VDD电连接，存储电容Cst的另一端与驱动晶体管的栅极22电连接。
进一步地，在上述实施例中，存储电容Cst的第一电极31与驱动晶体管的栅极22可以为一体结构。
或者，可选地，在本发明实施例提供的阵列基板中，如图4所示，存储电容Cst的存储电极30与驱动晶体管的栅极22电连接；存储电容Cst的第二电极32与电源电压线VDD电连接。从而实现存储电容Cst的一端与电源电压线VDD电连接，存储电容Cst的另一端与驱动晶体管的栅极22电连接。
进一步地，在上述实施例中，第二电极32与电源电压线VDD可以为一体结构。
可选地，在本发明实施例提供的阵列基板中，存储电极在衬底基板的正投影覆盖第一电极在衬底基板的正投影。从而使存储电极与第一电极形成的第一电容的电容值尽可能大。
可选地，在本发明实施例提供的阵列基板中，存储电极在衬底基板的正投影覆盖第二电极在衬底基板的正投影。从而使存储电极与第二电极形成的第二电容的电容值尽可能大。
可选地，在本发明实施例提供的阵列基板中，第二电极在衬底基板的正投影与第一电极在衬底基板的正投影重合。
可选地，在本发明实施例提供的阵列基板中，衬底基板上还包括数据线，电源电压线与数据线同层设置。这样可以通过一次构图工艺形成电源电压线与数据线的图形，从而简化工艺步骤。
以图1所示的像素电路为例结合图3所示的存储电容的结构，本发明实施例提供的上述阵列基板，在制备时可以包括以下步骤：
(1)如图5a所示，在衬底基板上形成有源层21的图形，后续用于充当晶体管T1～T7的沟道及晶体管间导线。
(2)沉积栅极绝缘层，其中栅极绝缘层的材料可以为氧化硅或者氮化硅等。
(3)如图5b所示，形成晶体管的栅极和存储电容的第一电极31的图形；其中，驱动晶体管的栅极22和存储电容的第一电极31可以为一体结构；除了驱动晶体管的栅极22，其它晶体管的栅极可以与控制线GLn-1、GLn或EM是一体结构。
(4)沉积第一绝缘层，其中第一绝缘层的材料可以为氧化硅或者氮化硅等。
(5)如图5c所示，形成存储电容的存储电极30和参考线RL的图形，其中，存储电极30在衬底基板的正投影可以覆盖第一电极31在衬底基板的正投影。
(6)沉积第二绝缘层，其中第二绝缘层的材料可以为氧化硅或者氮化硅等。
(7)形成贯穿第二绝缘层的过孔(用于使电源电压线与存储电极连接)，贯穿第一绝缘层和第二绝缘层的过孔(用于使存储电容的第一电极和第二电极连接)，贯穿栅极绝缘层、第一绝缘层和第二绝缘层的过孔(用于使源漏电极与有源层连接)。
(8)如图5d所示，形成源漏电极23的图形，数据线DL的图形，电源电压线的图形，存储电容的第二电极32的图形。在空间允许的条件下，第二电极32在衬底基板的正投影与存储电极30在衬底基板的正投影重合。
最终通过上述步骤(1)～(8)形成的阵列基板的结构如图5e和图5f所示。其中图5f为图5e所示的阵列基板沿AA’方向的剖面结构示意图。
在具体实施时，电源电压线可以设置在阵列基板的显示区域内，每一列像素电路对应一条电源电压线，当然，电源电压线也可以设置在阵列基板的边框区域，电源电压线通过位于显示区域的其它金属膜层与像素电路搭接，在此不作限定。
本发明实施例提供的阵列基板，存储电容由第一电容和第二电容并联形成，其中第一电容由第一电极和存储电极形成，第二电容由第二电极和存储电极形成。因此与现有技术相比，在占用面积相同的基础上可以增大存储电容的电容值，或者，在保证存储电容的电容值相同的基础上，可以减小占用面积，从而在相同内部补偿像素电路架构下提高显示面板像素PPI。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种OLED显示面板，包括本发明实施例提供的上述任一种阵列基板。由于该OLED显示面板解决问题的原理与前述一种阵列基板相似，因此该OLED显示面板的实施可以参见前述阵列基板的实施，重复之处不再赘述。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括本发明实施例提供的上述任一种OLED显示面板。该显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。该显示装置的实施可以参见上述OLED显示面板的实施例，重复之处不再赘述。
本发明实施例提供的阵列基板、OLED显示面板及显示装置，由于存储电容包括并联的第一电容和第二电容；其中，第一电容包括存储电极和与栅极同层设置的第一电极，第二电容包括存储电极和与电源电压线同层设置的第二电极，且第一电极与第二电极通过贯穿第一绝缘层和第二绝缘层的过孔电连接。因此与现有技术相比，在占用面积相同的基础上可以增大存储电容的电容值，或者，在保证存储电容的电容值相同的基础上，可以减小占用面积，从而在相同内部补偿像素电路架构下提高显示面板像素PPI。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (10)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底基板以及位于所述衬底基板上的像素电路，所述像素电路至少包括驱动晶体管、存储电容以及电源电压线；所述存储电容的一端与所述电源电压线电连接，所述存储电容的另一端与所述驱动晶体管的栅极电连接；
所述衬底基板上依次设置有有源层、栅极绝缘层、栅极、第一绝缘层、存储电极、第二绝缘层和电源电压线；
所述存储电容包括并联的第一电容和第二电容；其中，所述第一电容包括所述存储电极和与所述栅极同层设置的第一电极，所述第二电容包括所述存储电极和与所述电源电压线同层设置的第二电极，且所述第一电极与所述第二电极通过贯穿所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的过孔电连接。
2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述存储电容的存储电极与所述电源电压线电连接；
所述存储电容的所述第一电极与所述驱动晶体管的栅极电连接。
3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述存储电容的存储电极与所述驱动晶体管的栅极电连接；
所述存储电容的所述第二电极与所述电源电压线电连接。
4.如权利要求2或3所述的阵列基板，其特征在于，所述存储电极在所述衬底基板的正投影覆盖所述第一电极在所述衬底基板的正投影。
5.如权利要求2或3所述的阵列基板，其特征在于，所述存储电极在所述衬底基板的正投影覆盖所述第二电极在所述衬底基板的正投影。
6.如权利要求2或3所述的阵列基板，其特征在于，所述第二电极在所述衬底基板的正投影与所述第一电极在所述衬底基板的正投影重合。
7.如权利要求1-3任一项所述的阵列基板，其特征在于，还包括与所述电源电压线同层设置的源漏电极。
8.如权利要求1-3任一项所述的阵列基板，其特征在于，还包括与所述电源电压线同层设置的数据线。
9.一种OLED显示面板，其特征在于，包括如权利要求1-8任一项所述的阵列基板。
10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求9所述的OLED显示面板。
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