CN110233128B - 卡盘工作台、切削装置以及卡盘工作台的修正方法 - Google Patents
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Abstract
提供卡盘工作台、切削装置以及卡盘工作台的修正方法,能够在切削时抑制被加工物的背面的缺损和角部裂纹的产生。卡盘工作台具有:主体部,其将被加工物隔着划片带保持在保持面上;以及框架保持部,其在主体部的外周对框架进行保持,主体部具有:保持面,其由平坦面构成;吸引槽,其形成于保持面的与框架单元的被加工物和框架之间的环状区域重叠的区域,对环状区域的划片带进行吸引保持;以及吸引路,其使吸引槽与吸引源连通,框架保持部将框架从保持面拉下而进行保持,使划片带与保持面紧贴。
Description
技术领域
本发明涉及卡盘工作台、切削装置以及卡盘工作台的修正方法。
背景技术
通常,公知有对形成有半导体器件、光器件、SAW滤波器器件等各种器件的晶片、陶瓷、玻璃、封装器件等被加工物进行切削分割的划片机(切削装置)。切削装置利用切削刀具对隔着划片带而固定于卡盘工作台的被加工物进行切削加工。公知在切削时通过将被加工物牢固地固定而不产生振动,能够抑制因切削导致的缺损、特别是在背面侧产生的缺损(崩边)或裂纹,为了使吸附力作用于被加工物的整个面,使用多孔陶瓷作为吸附板(例如,参照专利文献1)。
专利文献1:日本特开2000-323440号公报
但是,在使用多孔陶瓷的以往的结构中,虽然能够在整个面上产生吸附力,但在整个面上具有微细的通气孔,因此在与通气孔相对应的位置处不能对被加工物进行支承,存在在该通气孔的部分容易产生缺损的课题。
发明内容
本发明是鉴于上述情况而完成的,其目的在于,提供能够在切削时抑制被加工物的背面的缺损和角部裂纹的产生的卡盘工作台、切削装置以及卡盘工作台的修正方法。
为了解决上述课题,达成目的,本发明是卡盘工作台,其具有:主体部,其将框架单元的被加工物隔着粘合带保持在保持面上,该框架单元在环状的框架的开口处利用该粘合带对该被加工物进行支承;以及框架保持部,其在该主体部的外周对该框架进行保持,其中,该主体部具有:该保持面,其由平坦面构成;外周吸引槽,其形成于该保持面的与该框架单元的该被加工物和该框架之间的环状区域重叠的区域,对该环状区域的该粘合带进行吸引保持;以及吸引路,其使该外周吸引槽与吸引源连通,该框架保持部将该框架从该保持面拉下而进行保持,使该粘合带与该保持面紧贴。
在该结构中,也可以是,该外周吸引槽是围绕该被加工物的环状槽。
另外,也可以是,平坦的该保持面由硅构成。
另外,也可以是,该保持面的一部分具有由导体形成的导体区域,该导体区域的该导体电连接在与支承该卡盘工作台的支承台接触的该卡盘工作台的外周面或者该卡盘工作台的与该保持面相反的一侧的背面侧。
另外,也可以构成为,该导体由碳或者混合有碳的树脂构成。
另外,也可以是,该卡盘工作台还具有内侧吸引槽,该内侧吸引槽形成于该保持面的该外周吸引槽的内侧区域,与该外周吸引槽连通。
另外,本发明是切削装置,其对第1发明~第6发明中的任意一项所述的卡盘工作台进行支承,利用切削刀具对该卡盘工作台所保持的被加工物进行切削,其中,该切削装置具有:切入进给单元,其使安装有该切削刀具的主轴在与该保持面垂直的切入进给方向上移动;以及检测电路,其通过与该卡盘工作台的该保持面的电导通来检测该切削刀具的前端的位置,该检测电路使安装有该切削刀具的主轴与该卡盘工作台电连接,通过该保持面与该切削刀具的接触时的导通来检测该位置。
在该结构中,也可以构成为,该切削刀具与该保持面的该导体区域接触。
另外,本发明是卡盘工作台的修正方法,该修正方法被使用在切削装置中,该切削装置具有:上述的卡盘工作台;主轴,其安装有对该卡盘工作台所保持的被加工物进行切削的切削刀具;加工进给单元,其使该卡盘工作台相对于该主轴在与该主轴的旋转轴垂直的加工进给方向上相对地移动;分度进给单元,其使该主轴相对于该卡盘工作台在与该旋转轴平行的分度进给方向上相对地移动;以及切入进给单元,其使该主轴在与该加工进给方向和该分度进给方向垂直的切入进给方向上进行移动,其中,利用设定在切入该卡盘工作台的该保持面的规定的高度的该切削刀具对该保持面进行磨削而形成修正面,将该修正面作为新的该保持面。
在该结构中,也可以构成为,该切削刀具切入该卡盘工作台的该保持面的深度比该外周吸引槽浅。
本发明的卡盘工作台具有主体部,该主体部具有:保持面,其由平坦面构成;外周吸引槽,其形成于保持面的与框架单元的被加工物和框架之间的环状区域重叠的区域,对环状区域的粘合带进行吸引保持;以及吸引路,其使外周吸引槽与吸引源连通,因此通过使被加工物隔着粘合带被由平坦面构成的保持面支承,实现了能够在切削时抑制被加工物的背面的缺损和角部裂纹的产生的效果。
附图说明
图1是示出具有本实施方式的切削装置所加工的被加工物的框架单元的立体图。
图2是示出本实施方式的切削装置的立体图。
图3是说明对切削装置的卡盘工作台所保持的被加工物进行切削的动作的局部剖视侧视图。
图4是示出卡盘工作台的主体部的立体图。
图5是卡盘工作台的主体部的剖视侧视图。
图6是示出配置在卡盘工作台的主体部上的框架单元的立体图。
图7是示出用于对切削刀具的原点位置进行检测的检测电路的示意图。
图8是示出加工进给步骤的示意图。
图9是将图8的一部分放大后的示意图。
图10是示出分度进给步骤的示意图。
图11是将图10的一部分放大后的示意图。
图12是示出其他实施方式的卡盘工作台的主体部的立体图。
图13是其他实施方式的卡盘工作台的主体部的剖视侧视图。
图14是示出用于对其他实施方式的切削刀具的原点位置进行检测的检测电路的示意图。
图15是示出其他实施方式的卡盘工作台的主体部的立体图。
图16是其他实施方式的卡盘工作台的主体部的剖视侧视图。
图17是示出其他实施方式的卡盘工作台的主体部的立体图。
图18是其他实施方式的卡盘工作台的主体部的剖视侧视图。
图19是示出配置在其他实施方式的卡盘工作台的主体部上的框架单元的立体图。
标号说明
2:切削装置;6:X轴移动机构(加工进给单元);20、120:卡盘工作台;21、121、321:主体部;21a、121a、321a:保持面;21b、121b、321b:吸引槽;21c、121c、321c:吸引路;21d、121d、321d:下表面;21e:修正面;22:夹具(框架保持部);32:吸引源;42:切削单元移动机构(分度进给单元、切入进给单元);60:切削单元;64:主轴;65:壳体;66:切削刀具;66a:前端;72:控制单元;72a:加工进给控制部;72b:分度进给控制部;80:检测电路;100:被加工物;101:基板;102:正面;103:分割预定线;104:器件;105:背面;106:划片带(粘合带);106A:环状区域;107:框架;108:框架单元;130:导体部(导体区域);131:接触部;220:基台;221:带基台主体部(主体部);321f:细槽(内侧吸引槽)。
具体实施方式
参照附图对用于实施本发明的方式(实施方式)进行详细说明。本发明不受以下的实施方式所记载的内容限定。另外,在以下所记载的构成要素中,包含本领域技术人员能够容易想到的要素和实质上相同的要素。此外,能够对以下所记载的结构进行适当组合。另外,能够在不脱离本发明的主旨的范围内进行各种省略、置换或变更。图1是示出具有本实施方式的切削装置所加工的被加工物的框架单元的立体图。
如图1所示,被加工物100是以硅、蓝宝石、镓等为基板101的圆板状的半导体晶片或光器件晶片。被加工物100在由形成于基板101的正面102的多条分割预定线103划分成格子状的区域中形成有器件104。关于被加工物100,在正面102的相反侧的背面105粘贴有直径大于基板101的划片带(粘合带)106,在划片带106的外周粘贴有环状的框架107。即,被加工物100借助划片带106被支承在环状的框架107的开口处。在本实施方式中,由被加工物100、划片带106和环状的框架107构成框架单元108。另外,在被加工物100与环状的框架107之间形成有划片带106的环状区域106A。
另外,被加工物100的基板101的材质、形状、构造、大小等没有限制,例如能够使用由陶瓷、树脂、金属等材料构成的任意形状的基板来作为被加工物。另外,器件的种类、数量、形状、构造、大小、配置等没有限制。此外,也可以是如下结构:在被加工物100的基板101的正面102层叠作为功能层的低介电常数绝缘体覆膜(也称作“Low-k层”),低介电常数绝缘体覆膜对构成器件的电路进行支承。
接着,对切削装置进行说明。图2是示出本实施方式的切削装置的立体图。图3是说明对切削装置的卡盘工作台所保持的被加工物进行切削的动作的局部剖视侧视图。图4是示出卡盘工作台的主体部的立体图,图5是卡盘工作台的主体部的剖视侧视图。图6是示出配置在卡盘工作台的主体部上的框架单元的立体图。另外,以下的说明所使用的X轴方向、Y轴方向和Z轴方向相互垂直。
如图2所示,切削装置2具有搭载着各构成要素的基台4。在基台4的上表面上设置有X轴移动机构(加工进给单元)6。X轴移动机构6具有与X轴方向(加工进给方向)大致平行的一对X轴导轨8,X轴移动工作台10以能够滑动的方式安装在X轴导轨8上。
在X轴移动工作台10的下表面侧设置有螺母部(未图示),该螺母部与平行于X轴导轨8的X轴滚珠丝杠12螺合。X轴滚珠丝杠12的一端部与X轴脉冲电动机14连结。
通过利用X轴脉冲电动机14使X轴滚珠丝杠12进行旋转,使X轴移动工作台10沿X轴导轨8在X轴方向上移动。在该X轴移动机构6上设置有对X轴移动工作台10的X轴方向的位置进行测定的X轴测定单元(未图示)。
在X轴移动工作台10的上表面侧(正面侧)隔着θ工作台16而设置有卡盘工作台基座(支承台)18。卡盘工作台基座18由金属等导体形成,在卡盘工作台基座18的上表面上支承着用于对被加工物100进行保持的卡盘工作台20。另外,包含X轴移动工作台10的X轴移动机构6的上方被工作台罩24和波纹状罩(未图示)覆盖。
θ工作台16具有电动机等旋转驱动源(未图示),使配置在上方的卡盘工作台基座18和卡盘工作台20绕与Z轴方向(切入进给方向)大致平行的旋转轴进行旋转。另外,如果利用上述的X轴移动机构6使X轴移动工作台10沿X轴方向移动,则卡盘工作台20进行加工进给。
如图3所示,卡盘工作台20具有:主体部21,其隔着划片带106对框架单元108的被加工物100进行保持;以及4个夹具(框架保持部)22,它们配置在该主体部21的外周部,对框架单元108的框架107进行固定(保持)。
主体部21具有比被加工物100大的直径,例如通过将硅等半导体的锭切成圆柱(圆板)形状而形成。主体部21具有对被加工物100进行保持的保持面21a。保持面21a作为平坦的面而形成。这里,平坦是指在卡盘工作台上不存在像多孔陶瓷那样的气孔,保持面21a的表面粗糙度形成为Ry3μm以下,优选为Ry1μm以下。
另外,如图4和图5所示,主体部21在保持面21a的外周部形成有围绕被加工物100的吸引槽(外周吸引槽)21b。该吸引槽21b与形成在主体部21的内部的吸引路21c连通,如图3所示,该吸引路21c经由第1阀30等而与喷射器等吸引源32连接。另外,在主体部21的下表面21d形成有与卡盘工作台基座18配合用的凹部。吸引槽21b在保持面21a上形成为圆环状,该圆环状的吸引槽21b的直径大于被加工物100。即,如图6所示,吸引槽21b形成于保持面21a的在将框架单元108配置于卡盘工作台20的主体部21的情况下与被加工物100和框架107之间的划片带106的环状区域106A重叠的区域。由此,吸引槽21b对环状区域106A的划片带106进行吸引保持。因此,被加工物100隔着划片带106被支承在位于吸引槽21b的内侧的平坦的保持面21a上。另外,如图3所示,吸引源32的负压经由第2流路34和第2阀36等而提供至卡盘工作台基座18的上表面。使卡盘工作台20的主体部21的下表面21d载置在卡盘工作台基座18的上表面18a上并进行对位,如果使吸引源32的负压作用于卡盘工作台基座18的上表面18a,则卡盘工作台20的主体部21被固定于卡盘工作台基座18。
在本实施方式中,例示了圆环状的槽来作为吸引槽21b,但不限定于此,例如可以是多边形状等环状,也可以是一个或多个圆弧形状。另外,也可以在保持面21a的与上述划片带106的环状区域106A重叠的区域分散或者间断地设置吸引槽。
另外,如图3所示,在将框架单元108固定于卡盘工作台20的情况下,夹具22将框架107向比主体部21的保持面21a低的位置拉下而进行保持。由此,由于划片带106与保持面21a紧贴,因此被加工物100隔着划片带106被保持面21a牢固地支承。
另外,如图2所示,在X轴移动工作台10的附近设置有在切削加工时暂时储存所使用的切削液(例如,纯水等)的废液等的水箱38。储存在水箱38内的废液经由引流管(未图示)等而向切削装置2的外部排出。在接近卡盘工作台20的位置设置有将被加工物100向卡盘工作台20搬送的搬送机构(未图示)。
在基台4的上表面配置有跨越X轴移动机构6的门型的支承构造40。在支承构造40的前表面上部设置有2组切削单元移动机构(分度进给单元、切入进给单元)42。各切削单元移动机构42共同具有配置在支承构造40的前表面的、与Y轴方向(分度进给方向、左右方向)大致平行的一对Y轴导轨44。在Y轴导轨44上以能够滑动的方式安装有构成各切削单元移动机构42的Y轴移动板46。
在各Y轴移动板46的背面侧设置有螺母部(未图示),该螺母部分别与大致平行于Y轴导轨44的Y轴滚珠丝杠48螺合。各Y轴滚珠丝杠48的一端部与Y轴脉冲电动机50连结。如果利用Y轴脉冲电动机50使Y轴滚珠丝杠48进行旋转,则Y轴移动板46沿Y轴导轨44在Y轴方向上移动。
在各Y轴移动板46的前表面(正面)设置有与Z轴方向大致平行的一对Z轴导轨52。Z轴移动板54以能够滑动地方式安装在Z轴导轨52上。
在各Z轴移动板54的背面侧设置有螺母部(未图示),该螺母部分别与平行于Z轴导轨52的Z轴滚珠丝杠56螺合。各Z轴滚珠丝杠56的一端部与Z轴脉冲电动机58连结。如果利用Z轴脉冲电动机58使Z轴滚珠丝杠56旋转,则Z轴移动板54沿Z轴导轨52在Z轴方向上移动。
在各切削单元移动机构42上设置有对Y轴移动板46的Y轴方向的位置进行测定的Y轴测定单元(未图示)。另外,在各切削单元移动机构42上设置有对Z轴移动板54的Z轴方向的位置进行测定的Z轴测定单元(未图示)。
用于对被加工物100进行切削的切削单元60固定在各Z轴移动板54的下部。另外,在与切削单元60相邻的位置设置有用于对被加工物100进行拍摄的照相机(摄像单元)62。如果利用各切削单元移动机构42使Y轴移动板46沿Y轴方向移动,则切削单元60和照相机62进行分度进给,如果使Z轴移动板54沿Z轴方向移动,则切削单元60和照相机62进行切入进给。
另外,利用上述的X轴测定单元对切削单元60和照相机62相对于卡盘工作台20等的X轴方向的位置进行测定。另外,利用上述的Y轴测定单元对切削单元60和照相机62的相对于卡盘工作台20等的Y轴方向的位置进行测定。此外,利用上述的Z轴测定单元对切削单元60和照相机62的相对于卡盘工作台20等的Z轴方向的位置进行测定。
如图3所示,切削单元60具有与Y轴方向大致平行的作为旋转轴的主轴64。即,主轴64的轴心与X轴方向大致垂直,与Y轴方向大致平行。在该主轴64的一端侧安装有环状的切削刀具66。主轴64的另一端侧与电动机等旋转驱动源(未图示)连结,切削刀具66利用经由主轴64传递的旋转驱动源的扭矩进行旋转。由此,在被加工物100形成切削槽而被单片化成各芯片。在本结构中,被加工物100隔着划片带106被位于吸引槽21b的内侧的平坦的保持面21a支承。由于在该保持面21a上不存在像气孔那样的凹部,因此能够在切削时利用保持面21a来可靠地承受向保持面21a侧(下侧)按压的力,从而能够抑制被加工物100的背面105侧的缺损和角部裂纹的产生。
另外,在切削刀具66的附近设置有向被加工物100和切削刀具66等提供纯水等切削液的切削液提供喷嘴68(图2)。在切削刀具66的下方配置有在Z轴方向上对切削刀具66的下端(前端)的位置(高度)进行检测的刀具位置检测单元70。切削装置2具有按照被加工物100的加工条件等对上述的各构成要素进行控制的控制单元72。控制单元72包含:加工进给控制部72a,其对上述的加工进给进行控制;以及分度进给控制部72b,其对分度进给进行控制。
接着,对检测切削单元60的切削刀具66的原点位置的结构进行说明。图7是示出用于对切削刀具的原点位置进行检测的检测电路的示意图。在上述的结构中,使对被加工物100进行保持的卡盘工作台20和切削单元60分别在X轴方向、Y轴方向以及Z轴方向上相对地移动,从而对被加工物100进行切削加工。在该情况下,为了对切削刀具66的切入量进行控制,需要预先在切削装置2中设定作为切削刀具66的基准的高度位置(原点位置)。因此,如图7所示,切削装置2具有用于对切削刀具66的原点位置进行检测的检测电路80。该检测电路80利用电导通对切削刀具66的前端66a和卡盘工作台20的主体部21的保持面21a的Z轴方向的位置进行检测。
切削单元60具有对上述的主轴64和电动机(未图示)进行收纳的壳体65,向该壳体65内提供压缩空气。利用该压缩空气,在壳体65内形成空气轴承(未图示),从而将主轴64支承为旋转自如。
检测电路80具有:电极端子81,其设置于壳体65的后端部(图7中的右端部);电源82;电流计83;开关84;以及引线85,其使它们连接起来。引线85的一端85a与电极端子81连接,另一端85b与卡盘工作台20的主体部21的下表面21d连接。电极端子81被弹簧部件(未图示)施力以与主轴64(包含电动机的转子)的端面抵接。
在对作为切削刀具66的切入方向(Z轴方向)的基准的原点位置进行检测的情况下,在开关84闭合之后,对切削单元移动机构(切入进给单元)42进行驱动而使切削单元60下降。此时,在切削单元60的切削刀具66的前端66a与卡盘工作台20的主体部21的保持面21a接触时,形成通过切削刀具66、主体部21、开关84、电流计83、电源82、电极端子81和主轴64的闭合电路。由于主体部21由半导体形成,因此电流流过该闭合电路,利用电流计83对电流进行检测。即,检测电路80使安装有切削刀具66的主轴64与卡盘工作台20电连接,通过使主体部21的保持面21a与切削刀具66的前端66a在接触时导通而对切削刀具66的前端66a的Z轴方向的原点位置进行检测。
控制单元72将利用电流计83检测到电流的瞬间确定为切削刀具66的Z轴方向的原点位置,将该原点位置存储于存储器(未图示)。然后,在被加工物100的切削中,能够将该原点位置作为基准,按照适当的量进行切入。这里,在现有的具有围绕多孔面的金属制的框体的卡盘工作台中,使切削刀具切入金属制的框体而对原点位置进行检测。在该结构中,由于在对金属进行切削时切削刀具产生堵塞,因此存在在原点位置检测后切削刀具的锋利度降低的问题。对此,在本实施方式中,由于卡盘工作台20由硅等脆性材料形成,因此加工性良好,即使切削刀具66切入,也不会在切削刀具66产生堵塞。因此,实现了能够防止在原点位置检测后切削刀具66的锋利度降低的效果。
另外,本实施方式的切削装置2通过对卡盘工作台20的保持面21a与切削刀具66的前端(下端)66a接触的位置进行检测,能够形成以微米级的精度指定的切入深度的切削槽。由此,例如,能够进行对在基板101的正面102具有功能层(Low-k层)的被加工物100仅去除功能层或仅留下功能层之类的加工。为了达成这种加工精度,使卡盘工作台20的保持面(上表面)21a与X轴方向(加工进给方向)平行是重要的。另一方面,由于存在对卡盘工作台20进行支承的卡盘工作台基座18的表面高度的偏差、卡盘工作台20的主体部21的厚度偏差等几个误差原因,因此需要高精度地对它们进行管理,但存在如下问题:难以仅通过对它们进行管理便使卡盘工作台20的保持面21a的与X轴方向(加工进给方向)的平行度提高至极限。发明人提出如下的卡盘工作台修正方法:对卡盘工作台20的保持面21a进行修正以提高该保持面21a与X轴方向(加工进给方向)的平行度,进而能够充分地提高切削刀具66的相对于被加工物100的切入精度。
接着,对在上述的切削装置2中进行的卡盘工作台修正方法进行说明。在本实施方式的卡盘工作台修正方法中,首先进行使切削刀具66旋转的旋转步骤和将切削刀具66的下端定位于切入卡盘工作台20的主体部21的保持面21a的高度的定位步骤。
具体而言,以适合卡盘工作台20的切削加工的速度(转速)使切削刀具66进行旋转。另外,在X轴方向和Y轴方向上将切削刀具66定位在比卡盘工作台20靠外侧的区域,并且在Z轴方向上将切削刀具66的下端定位在比保持面21a靠下方的位置。
然后,维持Z轴方向(切入进给方向)的切削刀具66的高度不变,使卡盘工作台20和切削单元60相对地移动,利用切削刀具66对卡盘工作台20的保持面21a侧进行切削加工,从而进行保持面修正步骤。该保持面修正步骤例如包含如下步骤:加工进给步骤,使卡盘工作台20和切削单元60在X轴方向上相对地移动;以及分度进给步骤,使卡盘工作台20和切削单元60在Y轴方向上相对地移动。
图8是示出加工进给步骤的示意图,图9是将图8的一部分放大后的示意图。如图8和图9所示,在加工进给步骤中,控制单元72的加工进给控制部72a使卡盘工作台20和切削单元60在X轴方向上相对地移动,使切削刀具66切入卡盘工作台20的主体部21。
更具体而言,利用X轴移动机构6使卡盘工作台20沿X轴方向移动。由此,卡盘工作台20的主体部21的保持面21a侧被切削刀具66切削加工,形成X轴方向较长的修正面21e。另外,该修正面21e的宽度(Y轴方向的长度)依赖于切削刀具66的厚度(Y轴方向的长度)。
因此,例如,通过使用1[mm]以上、优选为5[mm]以上的较厚的切削刀具66,能够形成宽度较宽的修正面21e,从而高效地对卡盘工作台20的主体部21进行修正。例如,在卡盘工作台20的主体部21移动至在从Z轴方向观察时不与切削刀具66重叠的区域时,结束加工进给步骤。这里,切削刀具66切入卡盘工作台20的主体部21的保持面21a的深度比到上述的吸引槽21b的槽底的深度浅。由此,即使形成了修正面21e,也可防止对被加工物100进行吸引的吸引力出现损失。
在加工进给步骤之后,进行分度进给步骤。图10是示出分度进给步骤的示意图,图11是将图10的一部分放大后的示意图。如图10和图11所示,在分度进给步骤中,控制单元72的分度进给控制部72b使卡盘工作台20和切削单元60在Y轴方向上相对地移动。
更具体而言,利用切削单元移动机构42使切削单元60沿Y轴方向移动。移动距离小于切削刀具66的厚度。另外,切削单元60的移动距离优选在由切削刀具66形成的多个修正面21e上不产生台阶的范围内尽可能设定得较大。例如,可以将除去存在于切削刀具66的端部的曲面区域之后的切削刀具66的厚度设定为移动距离。
在分度进给步骤之后,再次进行加工进给步骤。如上所述,在分度进给步骤中,使卡盘工作台20和切削单元60在Y轴方向上相对地移动小于切削刀具66的厚度的距离。因此,如图11所示,在该加工进给步骤的切削刀具66的轨迹的下端的一部分与之前的加工进给步骤所形成的修正面21e重叠。
重复进行加工进给步骤和分度进给步骤,直至在整个保持面21a侧形成修正面21e。当在整个保持面21a侧形成修正面21e时,结束保持面修正步骤。
例如在切削刀具66的直径不会由于磨损等而变化的条件下,在上述的保持面修正步骤中形成的修正面21e反映了因卡盘工作台20相对于卡盘工作台基座18的安装精度、X轴移动机构6的动作(例如,纵倾或偏转)等而出现的卡盘工作台20的稍微倾斜的影响。
因此,通过在卡盘工作台20的主体部21的整体形成这样的修正面21e并作为新的保持面来使用,能够抵消因上述的卡盘工作台20的安装精度、X轴移动机构6的动作等导致的卡盘工作台20稍微倾斜的影响,从而能够充分提高切削刀具66的相对于被加工物100的切入精度。
例如,在被加工物100的基板101的正面102侧设置有1[μm]~5[μm]左右的较薄的功能层,如果想要沿分割预定线103去除该功能层,则可以使用上述的卡盘工作台修正方法对卡盘工作台20的主体部21的保持面21a进行修正,形成作为新的保持面而发挥功能的修正面21e。另外,在该情况下,在形成了修正面21e之后,将适合去除功能层的任意的切削刀具安装于切削单元60。在本实施方式中,形成反映了因卡盘工作台20的安装精度、X轴移动机构6的动作等导致的稍微倾斜的影响的修正面21e。由此,抵消了因卡盘工作台20的安装精度、X轴移动机构6的动作等导致的卡盘工作台20稍微倾斜的影响,从而能够充分提高切削刀具66的相对于被加工物100的切入精度。其结果为,即使是较薄的功能层等也能够适当地去除。
接着,对其他实施方式进行说明。图12是示出其他实施方式的卡盘工作台的主体部的立体图。图13是其他实施方式的卡盘工作台的主体部的剖视侧视图。图14是示出用于对其他实施方式的切削刀具的原点位置进行检测的检测电路的示意图。该其他实施方式的卡盘工作台的主体部121具有与上述的主体部21相同的结构。即,主体部121例如由硅等半导体形成,主体部121具有对被加工物100进行保持的由平坦面构成的保持面121a。另外,如图12和图13所示,主体部121在保持面121a的外周部形成吸引槽(外周吸引槽)121b,该吸引槽121b与形成于主体部121的内部的吸引路121c连通。
在该其他实施方式中,主体部121具有:导体部(导体区域)130,其在保持面121a侧露出并且在吸引槽121b的外侧形成为圆环状;以及接触部131,其与该导体部130连结,在主体部121的下表面121d侧露出。该导体部130和接触部131由碳或者混合有碳的树脂形成,具有比半导体高的导电性。如图14所示,接触部131形成为与对卡盘工作台120的主体部121进行支承的卡盘工作台基座18的上表面18a接触,在该接触部131连接有用于对切削刀具66的原点位置进行检测的检测电路80的引线85的另一端85b。因此,通过形成于主体部121的导体部130与切削刀具66的前端66a的接触时的导通,形成通过切削刀具66、导体部130、接触部131、开关84、电流计83、电源82、电极端子81和主轴64的闭合电路。然后,利用电流计83对流过该闭合电路的电流进行检测。在该其他实施方式中,通过在由半导体形成的主体部121设置由比半导体导电性高的导体形成的导体部130和接触部131,能够更准确且迅速地对与导体部130接触时的切削刀具66的前端66a的Z轴方向的原点位置进行检测。
另外,在该其他实施方式中,接触部131形成为在主体部121的下表面121d侧露出,与卡盘工作台基座18的上表面18a接触,但只要是与卡盘工作台基座18电连接的结构即可,不限定于此,例如也可以在主体部121的侧面设置接触部。另外,由于导体部130由碳或者混合有碳的树脂形成,因此能够利用上述的卡盘工作台修正方法将导体部130与主体部121一同进行切削,从而对保持面121a进行修正。
接着,对其他实施方式进行说明。图15是示出其他实施方式的卡盘工作台的主体部的立体图。图16是其他实施方式的卡盘工作台的主体部的剖视侧视图。作为该其他实施方式的卡盘工作台的主体部的带基台主体部221具有:主体部21,其由上述的实施方式所说明的半导体形成;以及基台220,其覆盖该主体部21的侧面和下表面。基台220例如由金属那样的具有刚性和导电性的材料形成。由此,能够实现配置在基台220上的主体部21的加强和导通强化,从而能够更准确并且迅速地对与导体部130接触时的切削刀具66的前端66a的Z轴方向的原点位置进行检测。另外,在本实施方式中,主体部21的保持面21a比基台220的上表面突出得较多,能够充分地对保持面21a进行切削而进行修正。
接着,对其他实施方式进行说明。图17是示出其他实施方式的卡盘工作台的主体部的立体图。图18是其他实施方式的卡盘工作台的主体部的剖视侧视图。图19是示出配置在其他实施方式的卡盘工作台的主体部上的框架单元的立体图。该其他实施方式的卡盘工作台的主体部321具有与上述的主体部21相同的结构,因此标注相同的标号并省略说明。如图17所示,主体部321在保持面321a的吸引槽321b的内侧区域具有与吸引槽321b连通的细槽(内侧吸引槽)321f。如图18所示,该细槽321f形成于比吸引路321c靠保持面321a侧的位置并在该保持面321a露出。在本实施方式中,在主体部321的保持面321a上,多个细槽321f相互交叉(垂直)地形成为格子状。如图19所示,细槽321f例如形成为相对于主体部321所支承的被加工物100的分割预定线103倾斜,使沿分割预定线103形成的切削槽(未图示)尽可能地不与细槽321f重叠。使各细槽321f的槽宽尽量细到例如10~50[μm]左右,减少细槽321f在保持面积中所占的比例。
这些细槽321f形成于保持面321a的吸引槽321b的内侧区域,因此使隔着划片带106作用于被加工物100的吸引力变高。即,利用细槽321f来辅助吸引槽321b,从而能够将被加工物100牢固地固定于保持面321a。由于该细槽321f如上述那样形成,因此与由多孔陶瓷形成的保持面那样在整体上具有由气孔导致的凹凸的结构相比,能够在多个区域实现平坦的保持面321a,并且能够提高吸引力。因此,例如在将被加工物100分割成一条边的长度为1[mm]以下的较小的器件芯片的情况下,由于提高了各器件芯片的固定力,因此能够抑制各芯片的背面的缺损。
另外,本发明不限于上述实施方式等的记载,能够进行变更而实施。例如,如果使用利用陶瓷(vitrified)等较硬的结合剂而形成的切削刀具66,则切削刀具66不容易磨损,因此容易形成与X轴方向和Y轴方向平行的修正面21e。但是,所使用的切削刀具66的种类没有特别限制。
此外,上述实施方式的构造、方法等只要在不脱离本发明的目的的范围内便能够适当变更而实施。
Claims (9)
1.一种卡盘工作台,其具有:主体部,其将框架单元的被加工物隔着粘合带保持在保持面上,该框架单元在环状的框架的开口处利用该粘合带对该被加工物进行支承;以及框架保持部,其在该主体部的外周对该框架进行保持,其中,
该主体部具有:
所述保持面,其由平坦面构成;
外周吸引槽,其形成于该保持面的与该框架单元的该被加工物和该框架之间的环状区域重叠的区域,对该环状区域的该粘合带进行吸引保持;以及
吸引路,其使该外周吸引槽与吸引源连通,
该框架保持部将该框架从该保持面拉下而进行保持,使该粘合带与该保持面紧贴,
在该保持面的比该外周吸引槽靠外侧的一部分具有由导电性比半导体高的导体形成且供切削刀具接触的导体区域。
2.根据权利要求1所述的卡盘工作台,其中,
该外周吸引槽是围绕该被加工物的环状槽。
3.根据权利要求1所述的卡盘工作台,其中,
平坦的该保持面由硅构成。
4.根据权利要求1所述的卡盘工作台,其中,
该导体区域的该导体电连接在与支承该卡盘工作台的支承台接触的该卡盘工作台的外周面或者该卡盘工作台的与该保持面相反的一侧的背面侧。
5.根据权利要求4所述的卡盘工作台,其中,
该导体由碳或者混合有碳的树脂构成。
6.根据权利要求1所述的卡盘工作台,其中,
该卡盘工作台还具有内侧吸引槽,该内侧吸引槽形成于该保持面的该外周吸引槽的内侧区域,与该外周吸引槽连通。
7.一种切削装置,其对权利要求1~6中的任意一项所述的卡盘工作台进行支承,利用切削刀具对该卡盘工作台所保持的被加工物进行切削,其中,
该切削装置具有:
切入进给单元,其使安装有该切削刀具的主轴在与该保持面垂直的切入进给方向上移动;以及
检测电路,其通过与该卡盘工作台的该保持面的电导通来检测该切削刀具的前端在该切入进给方向上的位置,
该检测电路使安装有该切削刀具的主轴与该卡盘工作台电连接,通过该保持面与该切削刀具的接触时的导通来检测该位置。
8.一种卡盘工作台的修正方法,该修正方法被使用在切削装置中,该切削装置具有:权利要求1~6中的任意一项所述的卡盘工作台;主轴,其安装有对该卡盘工作台所保持的被加工物进行切削的切削刀具;加工进给单元,其使该卡盘工作台相对于该主轴在与该主轴的旋转轴垂直的加工进给方向上相对地移动;分度进给单元,其使该主轴相对于该卡盘工作台在与该旋转轴平行的分度进给方向上相对地移动;以及切入进给单元,其使该主轴在与该加工进给方向和该分度进给方向垂直的切入进给方向上进行移动,其中,
利用设定在切入该卡盘工作台的该保持面的规定的高度的该切削刀具对该保持面进行磨削而形成修正面,将该修正面作为新的该保持面。
9.根据权利要求8所述的卡盘工作台的修正方法,其中,
该切削刀具切入该卡盘工作台的该保持面的深度比该外周吸引槽浅。
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Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7138321B2 (ja) * | 2019-09-26 | 2022-09-16 | Shoda株式会社 | 加工システム及びその制御方法 |
JP7357521B2 (ja) * | 2019-11-28 | 2023-10-06 | 株式会社ディスコ | 加工装置 |
JP7418916B2 (ja) * | 2020-01-31 | 2024-01-22 | 株式会社ディスコ | 切削ブレードの位置検出方法 |
KR102484243B1 (ko) * | 2020-11-06 | 2023-01-04 | 양해춘 | 정밀 간격 배치용 포켓을 구비한 반도체 패키지의 마운팅 테이블 및 이 마운팅 테이블을 구비한 반도체 패키지 마운팅 시스템 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11307619A (ja) * | 1998-04-20 | 1999-11-05 | Yamatake Corp | ウエハ固定装置 |
JP2004356357A (ja) * | 2003-05-29 | 2004-12-16 | Disco Abrasive Syst Ltd | 切削方法 |
JP2005335999A (ja) * | 2004-05-26 | 2005-12-08 | Tanken Seal Seiko Co Ltd | ポーラスカーボン |
CN101364562A (zh) * | 2007-08-06 | 2009-02-11 | 株式会社迪思科 | 卡盘工作台机构以及被加工物的保持方法 |
JP2011009424A (ja) * | 2009-06-25 | 2011-01-13 | Disco Abrasive Syst Ltd | 保持テーブルアセンブリ及び保持テーブルの製造方法 |
CN101961886A (zh) * | 2009-07-21 | 2011-02-02 | 株式会社迪思科 | 切削装置 |
JP2011077911A (ja) * | 2009-09-30 | 2011-04-14 | Nec Corp | 電話中継装置、電話中継方法、及びプログラム |
CN105895574A (zh) * | 2015-02-12 | 2016-08-24 | 株式会社迪思科 | 加工装置的卡盘台 |
CN106997864A (zh) * | 2016-01-22 | 2017-08-01 | 株式会社迪思科 | 卡盘工作台 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000323440A (ja) | 1999-05-10 | 2000-11-24 | Disco Abrasive Syst Ltd | チャックテーブル |
JP4705450B2 (ja) * | 2005-03-11 | 2011-06-22 | 株式会社ディスコ | ウェーハの保持機構 |
US7608523B2 (en) * | 2005-08-26 | 2009-10-27 | Disco Corporation | Wafer processing method and adhesive tape used in the wafer processing method |
WO2011077911A1 (ja) * | 2009-12-25 | 2011-06-30 | 株式会社クリエイティブ テクノロジー | 真空チャック |
JP5623791B2 (ja) * | 2010-06-01 | 2014-11-12 | 株式会社ディスコ | サファイア基板の加工方法 |
JP5680931B2 (ja) * | 2010-10-07 | 2015-03-04 | 株式会社ディスコ | ワークの分割方法 |
JP6808267B2 (ja) * | 2016-06-22 | 2021-01-06 | 株式会社ディスコ | 切削方法、及び、切削装置 |
-
2018
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-
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- 2019-03-05 US US16/293,009 patent/US11101162B2/en active Active
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11307619A (ja) * | 1998-04-20 | 1999-11-05 | Yamatake Corp | ウエハ固定装置 |
JP2004356357A (ja) * | 2003-05-29 | 2004-12-16 | Disco Abrasive Syst Ltd | 切削方法 |
JP2005335999A (ja) * | 2004-05-26 | 2005-12-08 | Tanken Seal Seiko Co Ltd | ポーラスカーボン |
CN101364562A (zh) * | 2007-08-06 | 2009-02-11 | 株式会社迪思科 | 卡盘工作台机构以及被加工物的保持方法 |
JP2011009424A (ja) * | 2009-06-25 | 2011-01-13 | Disco Abrasive Syst Ltd | 保持テーブルアセンブリ及び保持テーブルの製造方法 |
CN101961886A (zh) * | 2009-07-21 | 2011-02-02 | 株式会社迪思科 | 切削装置 |
JP2011077911A (ja) * | 2009-09-30 | 2011-04-14 | Nec Corp | 電話中継装置、電話中継方法、及びプログラム |
CN105895574A (zh) * | 2015-02-12 | 2016-08-24 | 株式会社迪思科 | 加工装置的卡盘台 |
CN106997864A (zh) * | 2016-01-22 | 2017-08-01 | 株式会社迪思科 | 卡盘工作台 |
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