CN110047874A - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种显示装置，该显示装置包括：基板；包括栅极线、数据线和驱动电压线的信号线，该栅极线、数据线和驱动电压线共同限定像素区域的外边界；连接到信号线的晶体管；第一电极，跨过像素区域延伸并形成在信号线和晶体管上且连接到晶体管，该第一电极具有仅与信号线和晶体管重叠的第一部分以及包括第一电极中未包括在第一部分中的全部的第二部分；像素限定层，仅形成在第一电极的第一部分上；基本形成在整个第二部分上但不形成在第一部分上的有机发光层；以及形成在像素限定层和有机发光层上的第二电极。

Description

显示装置
本申请是针对申请日为2014年6月17日、申请号为201410270366.0、发明名称为“显示装置”的专利申请的分案申请。
技术领域
本发明的实施方式总地涉及显示装置以及它们的制造。更具体地说，本发明的实施方式涉及具有增大的发光面积的显示器。
背景技术
显示装置是显示图像的装置，最近，有机发光二极管显示器由于用在现代显示装置中的潜在吸引力而备受关注。
不同于液晶显示装置，由于有机发光二极管显示器具有自发光特性且不需要单独的光源，因此与液晶显示装置相比，可以减小显示器的厚度和重量。此外，有机发光二极管显示器具有如低功耗、高亮度和高响应速度的特点。
在现有技术中的有机发光二极管显示器包括形成在不与信号线重叠的像素区域内的有机发光层。随着有机发光层的面积增大，显示装置的发光面积增加，由此增大亮度。但是，当有机发光层被形成为与信号线重叠以便增大发光面积时，有机发光层的发光效率降低。
在背景技术部分中公开的上述信息仅用于增强对本发明背景的理解，因此它可以包含不形成这个国家中本领域的普通技术人员已经获悉的现有技术的信息。
发明内容
本发明致力于提供一种显示装置及用于该显示装置的制造方法，该显示装置具有在增加显示装置的发光面积的同时防止发光效率退化的优点。
本发明的示例性实施方式提供一种显示装置，该显示装置包括：基板；包括栅极线、数据线和驱动电压线的信号线，所述栅极线、数据线和驱动电压线共同限定像素区域的外边界；连接到信号线的晶体管；第一电极，跨过像素区域延伸，形成在信号线和晶体管上，并且连接到晶体管，第一电极具有仅覆盖信号线和晶体管的第一部分以及包括第一电极中未包括在第一部分内的全部的第二部分；仅形成在第一电极的第一部分上的像素限定层；形成在基本上整个第二部分上但不形成在第一部分上的有机发光层；以及形成在像素限定层和有机发光层上的第二电极。
有机发光层可以不形成在像素限定层上。
显示装置还可以包括第一电容器电极和第二电容器电极，第一电容器电极和第二电容器电极形成在基板上且彼此重叠，第一绝缘层在第一电容器电极和第二电容器电极之间，其中有机发光层可以与第一电容器电极和第二电容器电极重叠，并且像素限定层可以不与第一电容器电极和第二电容器电极重叠。
晶体管可以包括半导体层、形成在半导体层上的栅极绝缘层、和形成在栅极绝缘层上的栅极电极，其中，栅极电极可以包括第一层和位于第一层上的第二层，第一电容器电极可以形成在与晶体管的半导体层相同的层上，第二电容器电极可以形成在与晶体管的栅极电极的第一层相同的层上，且第一绝缘层可以是栅极绝缘层。
栅极电极的第一层可以包括透明导体，栅极电极的第二层可以包括低电阻导体。
显示装置还可以包括第一电容器电极和第二电容器电极，第一电容器电极和第二电容器电极形成在基板上并且彼此重叠，且第一绝缘层在第一电容器电极和第二电容器电极之间，其中，有机发光层可以不与第一电容器电极和第二电容器电极重叠，且像素限定层可以与第一电容器电极和第二电容器电极重叠。
晶体管可以包括半导体层、形成在半导体层上的栅极绝缘层、和形成在栅极绝缘层上的栅极电极，其中，第一电容器电极可以形成在与晶体管的半导体层相同的层上，第二电容器电极可以形成在与晶体管的栅极电极相同的层上，且第一绝缘层可以是栅极绝缘层。
显示装置还可以包括第三电容器电极，该第三电容器电极与第一电容器电极和第二电容器电极重叠，其中，第一电容器电极和第二电容器电极可以彼此重叠，且第一绝缘层在第一电容器电极和第二电容器电极之间，从而形成第一存储电容器，并且第二电容器电极和第三电容器电极可以彼此重叠，且第二绝缘层位于第二电容器电极和第三电容器电极之间，从而形成第二存储电容器。
本发明的另一示例性实施方式提供一种制造显示装置的方法，该方法包括：在基板上形成信号线，该信号线包括栅极线、数据线和驱动电压线，栅极线、数据线和驱动电压线共同限定像素区域的外边界；在基板上形成晶体管，该晶体管连接到信号线；形成第一电极，第一电极跨过像素区域延伸，第一电极连接到晶体管并且设置在信号线和晶体管上，第一电极还具有第一部分和第二部分，第一部分仅覆盖信号线和晶体管，第二部分包括第一电极中未包括在第一部分中的全部；仅在第一电极的第一部分上形成像素限定层；形成设置在基本上整个第二部分上但不在第一部分上的有机发光层；以及在像素限定层和有机发光层上形成第二电极。
有机发光层可以不形成在像素限定层上。
显示装置的制造方法还可以包括在基板上形成第一电容器电极和第二电容器电极，第一电容器电极和第二电容器电极彼此重叠并且第一绝缘层在第一电容器电极和第二电容器电极之间，其中有机发光层可以与第一电容器电极和第二电容器电极重叠，并且像素限定层可以不与第一电容器电极和第二电容器电极重叠。
晶体管的形成可以包括在基板上形成半导体层、在半导体层上形成栅极绝缘层、以及在栅极绝缘层上形成栅极电极，其中栅极电极可以包括第一层和位于第一层上的第二层，第一电容器电极可以形成在与晶体管的半导体层相同的层上，第二电容器电极可以形成在与晶体管的栅极电极的第一层相同的层上。
显示装置的制造方法还可以包括在基板上形成第一电容器电极和第二电容器电极，第一电容器电极和第二电容器电极彼此重叠，且第一绝缘层在第一电容器电极和第二电容器电极之间，其中有机发光层可以不与第一电容器电极和第二电容器电极重叠，且像素限定层可以与第一电容器电极和第二电容器电极重叠。
晶体管的形成可以包括在基板上形成半导体层、在半导体层上形成栅极绝缘层、以及在栅极绝缘层上形成栅极电极，其中第一电容器电极可以形成在与晶体管的半导体层相同的层上，第二电容器电极可以形成在与晶体管的栅极电极相同的层上。
显示装置的制造方法还可以包括形成第三电容器电极，该第三电容器电极与第一电容器电极和第二电容器电极重叠，其中第一电容器电极和第二电容器电极可以彼此重叠，且第一绝缘层在第一电容器电极和第二电容器电极之间，从而形成第一存储电容器，并且第二电容器电极和第三电容器电极可以彼此重叠，且第二绝缘层在第二电容器电极和第三电容器电极之间，从而形成第二存储电容器。
根据本发明的示例性实施方式，有可能在增加显示装置的发光面积的同时防止发光效率的降低。
附图说明
图1是根据本发明示例性实施方式的显示装置的一个像素的等效电路图；
图2是根据本发明示例性实施方式的显示装置的布局图；
图3是沿着线III-III截取的图2的显示装置的截面图；
图4是沿着线IV-IV截取的图2的显示装置的截面图；
图5是根据本发明另一示例性实施方式的显示装置的截面图，该图是沿着图2所代表的显示装置的线III-III截取的；
图6是根据本发明另一示例性实施方式的显示装置的截面图，该图是沿着图2所代表的显示装置的线IV-IV截取的；
图7是根据本发明另一实施方式的显示装置的布局图；
图8是沿着线VIII-VIII截取的图7的显示装置的截面图；
图9是沿着线IX-IX截取的图7的显示装置的截面图；
图10是根据本发明另一示例性实施方式的显示装置的截面图，该图是沿着图7所代表的显示装置的线VIII-VIII截取的；
图11是根据本发明另一示例性实施方式的显示装置的截面图，该图是沿着图7所代表的显示装置的线IX-IX截取的；
图12至图31是依次示出根据本发明示例性实施方式的用于制造显示装置的方法的截面图，其中图12、图14、图16、图18、图20、图22、图24、图26、图28和图30相应于图2中沿线III-III的工艺截面图，图13、图15、图17、图19、图21、图23、图25、图27、图29和图31相应于图2中沿线IV-IV的工艺截面图；
图32至图39是依次示出根据本发明另一示例性实施方式的用于制造显示装置的方法的截面图，其中图32、图34、图36和图38相应于图7中沿线VIII-VIII的工艺截面图，图33、图35、图37和图39相应于图7中沿线IX-IX的工艺截面图。
具体实施方式
下面将参照附图更全面地描述本发明，图中示出本发明的示例性实施方式。如本领域技术人员将了解的，所描述的实施方式可以以各种不同方式来修改，所有修改不会背离本发明的精神或范围。
在附图中，层、膜、面板、区域等的厚度为了清晰而被夸大。相同的附图标记在整个说明书中指代相同的元件。将理解，当诸如层、膜、区域或基板的元件被称为“在”另一元件“上”时，它可以直接在另一元件上或也可以存在中间元件。相反，当一个元件被称为“直接在”另一元件“上”时，则不存在中间元件。
下面，将参照附图描述根据本发明示例性实施方式的显示装置。
首先，将参照图1描述根据本发明的示例性实施方式的显示装置的信号线和像素之间的连接关系。图1是根据本发明示例性实施方式的显示装置的一个像素的等效电路图。
参照图1，根据本发明的示例性实施方式的显示装置包括多条信号线121、171和172以及与其连接的像素PX。在此，像素PX指的是用于显示图像的最小单位，且显示装置根据多个像素PX显示图像。
信号线121、171和172包括传输栅极信号(或扫描信号)的栅极线121、传输数据信号的数据线171和传输驱动电压的驱动电压线172。栅极线121基本上在行方向上延伸并且基本上彼此平行，数据线171基本上在列方向上延伸并且基本上彼此平行。驱动电压线172基本上在列方向上延伸，但是可以替代地在行方向上延伸，或可以形成为网状或其他形状。
一个像素PX包括开关晶体管Qs、驱动晶体管Qd、存储电容器Cst和有机发光元件LD。
开关晶体管Qs具有控制端、输入端和输出端。控制端连接到栅极线121，输入端连接到数据线171，输出端连接到驱动晶体管Qd。响应于从栅极线121接收的扫描信号，开关晶体管Qs将从数据线171接收的数据信号传输到驱动晶体管Qd。
驱动晶体管Qd也具有控制端、输入端和输出端，其中控制端连接到开关晶体管Qs的输出端，输入端连接到驱动电压线172，输出端连接到有机发光元件LD。驱动晶体管Qd传输输出电流ILD，该输出电流ILD的大小根据驱动晶体管Qd的控制端和输出端之间施加的电压而变化。
存储电容器Cst连接在驱动晶体管Qd的控制端和输入端之间。存储电容器Cst充以施加到驱动晶体管Qd的控制端的数据信号，并且甚至在开关晶体管Qs截止之后也保持所充的数据信号。
有机发光元件LD，例如，有机发光二极管(OLED)包括连接到驱动晶体管Qd的输出端的阳极和连接到公共电压Vss的阴极。有机发光元件LD通过根据驱动晶体管Qd的输出电流ILD改变强度而发光，由此显示图像。有机发光元件LD可以包括有机材料，其唯一地表示如红、绿和蓝的三原色中的任何一种或者一种或多种原色，然后有机发光二极管显示器根据所表示的各种颜色的空间和来显示理想的图像。此外，有机发光元件LD可以发出由诸如三原色的原色的和构成的白色，并且在这种情况下，在每个像素中形成显示如上述三原色的原色中的任意一种的滤色器。此外，每个像素可以包括显示其中一种原色的像素以及显示白色的像素，在这种情况下，滤色器可以仅形成在显示白色的像素中。
开关晶体管Qs和驱动晶体管Qd能够是n沟道场效应晶体管(FET)，其至少一个可以备选地是p沟道场效应晶体管。此外，晶体管Qs和Qd、存储电容器Cst和有机发光元件LD的连接关系可以变化。
将参照图2至图4描述根据本发明示例性实施方式的显示装置的进一步细节。图2是根据本发明的示例性实施方式的显示装置的布局图，图3是沿着线III-III截取的图2的显示装置的截面图，图4是沿着线IV-IV截取的图2的显示装置的截面图。
缓冲层120形成在基板100上。
基板100可以是由玻璃、石英、陶瓷、塑料等制成的绝缘基板，或者可以是由不锈钢等制成的金属性基板。
缓冲层120可以形成为单层的硅氮化物(SiNx)，或可以形成为其中硅氮化物(SiNx)和硅氧化物(SiO2)层叠的双层结构。缓冲层120用于平坦化表面，同时防止诸如杂质或湿气的不期望组分从其透过。
由多晶硅制成的第一半导体135a和第二半导体135b、以及第一电容器电极138形成在缓冲层120上。
第一半导体135a包括第一沟道区域1355a以及形成在第一沟道区域1355a的两侧的第一源极区域1356a和第一漏极区域1357a。
第二半导体135b包括第二沟道区域1355b以及形成在第二沟道区域1355b的两侧的第二源极区域1356b和第二漏极区域1357b。
第一半导体135a的第一沟道区域1355a和第二半导体135b的第二沟道区域1355b由其中未掺杂杂质的多晶硅(即，本征半导体)形成。第一半导体135a的第一源极区域1356a和第一漏极区域1357a以及第二半导体135b的第二源极区域1356b和第二漏极区域1357b分别由其中掺杂导电杂质的多晶硅(即，杂质半导体)形成。
第一电容器电极138从第二半导体135b的第二源极区域1356b延伸。于是，第一电容器电极138形成在与第二源极区域1356b相同的层上，并因此由其中掺杂导电杂质的多晶硅(即，杂质半导体)形成。
在第一半导体135a的第一源极区域1356a和第一漏极区域1357a以及第二半导体135b的第二源极区域1356b和第二漏极区域1357b中以及在第一电容器电极138中掺杂的杂质可以是p型杂质和n型杂质中的任一种。
栅极绝缘层140形成在第一半导体135a和第二半导体135b上以及第一电容器电极138上。
栅极绝缘层140可以是包括正硅酸乙酯(TEOS)、硅氮化物和硅氧化物中的至少一种的单层或者多层。
栅极线121、第一栅极电极154a、第二栅极电极154b和第二电容器电极158形成在栅极绝缘层140上。
栅极线121在水平方向上伸长以传输栅极信号，第一栅极电极154a从栅极线121朝向第一半导体135a突出。
栅极线121、第一栅极电极154a和第二栅极电极154b包括由透明导体制成的下层154ap和154bp以及由不透明导体制成的上层154aq和154bq，该不透明导体包括低电阻导体，诸如钨、钼、铝或其合金。
第二电容器电极158与第二栅极电极154b连接并重叠第一电容器电极138。第二电容器电极158形成在与栅极线121、第一栅极电极154a和第二栅极电极154b的下层154ap和154bp相同的层上。于是，第二电容器电极158由透明导体制成。
第一电容器电极138和第二电容器电极158通过利用栅极绝缘层140作为介电材料而形成第一存储电容器80。如上所述，第一电容器电极138形成为半导体层，第二电容器电极158形成为透明导体。于是，第一存储电容器80具有透明层，结果，有可能防止由于第一存储电容器80的形成而导致的显示装置的开口率的降低。
第一层间绝缘层160形成在栅极线121、第一栅极电极154a、第二栅极电极154b和第二电容器电极158上。第一层间绝缘层160由正硅酸乙酯(TEOS)、硅氮化物、硅氧化物等形成，正如栅极绝缘层140那样。
暴露第一半导体135a的第一源极区域1356a的第一源极接触孔166a、暴露第一半导体135a的第一漏极区域1357a的第一漏极接触孔167a、暴露第二半导体135b的第二源极区域1356b的第二源极接触孔166b、以及暴露第二半导体135b的第二漏极区域1357b的第二漏极接触孔167b均贯穿第一层间绝缘层160和栅极绝缘层140形成。在第一层间绝缘层160中，还具有贯穿其形成的第一接触孔81，第一接触孔81暴露第二栅极电极154b。
包括第一源极电极176a的数据线171、包括第二源极电极176b的驱动电压线172、以及第一漏极电极177a和第二漏极电极177b形成在第一层间绝缘层160上。
数据线171传输数据信号，并在与栅极线121交叉的方向上延伸。
驱动电压线172传输预定电压并延伸成大致平行于数据线171。
第一源极电极176a从数据线171朝向第一半导体135a突出，第二源极电极176b从驱动电压线172朝向第二半导体135b突出。
第一源极电极176a穿过第一源极接触孔166a与第一源极区域1356a连接，第二源极电极176b穿过第二源极接触孔166b与第二源极区域1356b连接。
第一漏极电极177a面对第一源极电极176a，第一漏极电极177a穿过第一漏极接触孔167a与第一漏极区域1357a连接。类似地，第二漏极电极177b面对第二源极电极176b，并且第二漏极电极177b穿过第二漏极接触孔167b与第二漏极区域1357b连接。
第一漏极电极177a沿着栅极线(即，大致平行于栅极线)延伸，并穿过第一接触孔81与第二栅极电极154b电连接。
第二层间绝缘层180形成在数据线171(包括第一源极电极176a)、驱动电压线172(包括第二源极电极176b)、以及第一漏极电极177a和第二漏极电极177b上。
第二层间绝缘层180可以由与第一层间绝缘层160相同的材料形成，并且可以具有形成在其中且暴露第二漏极电极177b的第二接触孔82。
第一电极191形成在第二层间绝缘层180上。第一电极191可以是阳极。
第一电极191穿过第二接触孔82与第二漏极电极177b连接。
第一电极191遍及由两条相邻的栅极线121、数据线171、驱动电压线172等围绕的一个像素区域形成。此外，第一电极191的边缘可以重叠所述两条相邻的栅极线121、数据线171和驱动电压线172。
像素限定层195形成在第一电极191上。像素限定层195形成在重叠栅极线121、数据线171、驱动电压线172、第一栅极电极154a、第二栅极电极154b、第一源极电极176a和第一漏极电极177a、第二源极电极176b和第二漏极电极177b等的区域内，并形成为不透明层。像素限定层195在图2中被示为阴影区域。
根据本发明另一示例性实施方式的显示装置除了覆盖栅极线121、数据线171、驱动电压线172、第一栅极电极154a、第二栅极电极154b、第一源极电极176a和第一漏极电极177a以及第二源极电极176b和第二漏极电极177b的不透明层之外，还可以包括额外的不透明层。在这种情况下，像素限定层195可以重叠所述额外的不透明层。
像素限定层195可以包括树脂，如聚丙烯酸酯或聚酰亚胺、基于硅石的无机材料等。
有机发光层370形成在第一电极191的没有被像素限定层195覆盖的部分上。
如此，有机发光层370形成在没有与像素限定层195重叠的区域内，并且有机发光层370未定位在像素限定层195上。于是，在像素区域内，有机发光层370不重叠均被不透明层覆盖的栅极线121、数据线171、驱动电压线172、第一栅极电极154a、第二栅极电极154b、第一源极电极176a和第一漏极电极177a、第二源极电极176b和第二漏极电极177b等。
有机发光层370包括发光层，并且还可以包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)中的一个或多个。
在有机发光层370包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)中每一个的情况下，空穴注入层(HIL)定位在作为阳极的第一电极191上，空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层可以依次层叠在其上。
有机发光层370例如可以发射红、绿、蓝三原色中任一颜色的光。
第二电极270形成在像素限定层195和有机发光层370上。
第二电极270是有机发光元件的阴极。于是，第一电极191、有机发光层370和第二电极270一起形成有机发光元件LD。
第二电极270形成为反射层、透明层或透反层。
反射层和透反层由镁(Mg)、银(Ag)、金(Au)、钙(Ca)、锂(Li)、铬(Cr)和铝(Al)中的一种或多种金属或者它们的任意合金制成。反射层和透反层是根据它们的材料的厚度确定，并且透反层可以通过具有200nm或更小厚度的金属层形成。透明层由诸如铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)或者锌氧化物(ZnO)制成。
如上所述，根据本发明示例性实施方式的显示装置包括遍及像素区域形成的第一电极191、形成在像素区域的与不透明信号布线重叠的区域内的像素限定层195、形成在不与像素限定层195重叠的区域内的有机发光层370以及形成在有机发光层370和像素限定层195上的第二电极270。于是，如图3和图4所示，有机发光层370在不与不透明布线层重叠的第一区域R1、第二区域R2、第三区域R3和第四区域R4中发射光，从而显示图像。在这个实施方式中，有机发光层370甚至形成在现有显示装置中传统上不存在发光层的区域内，如在栅极线121与第一源极电极176a和第一漏极电极177a之间的区域以及在驱动电压线172与第一漏极电极177a之间的区域。于是，显示装置的发光面积相对于传统显示装置而言增加。像素限定层195仅形成在不透明信号布线上方，结果，显示装置的开口率增大。甚者，显示装置的有机发光层370形成在由像素限定层195围绕的区域内，并且不形成在像素限定层195上方，因此在不透明信号布线上方不存在或大部分不存在有机发光层370。结果，通过防止有机发光层370甚至在不显示图像的区域内不必要地发射光，可以防止发光效率退化，同时增加显示装置的发光面积。
接着，参照图5和图6以及图2描述根据本发明另一示例性实施方式的显示装置。图5是根据本发明另一示例性实施方式的显示装置的截面图，它是沿着线III-III截取的图2的显示装置的备选截面图，图6是根据本发明另一示例性实施方式的显示装置的截面图，它是沿着线IV-IV截取的图2的显示装置的另一备选截面图。
参照图5和6以及图2，根据这个示例性实施方式的显示装置类似于根据参照图2至图4描述的示例性实施方式的显示装置。省略了对相同构成元件的详细描述。
缓冲层120形成在基板100上，由多晶硅制成的第一半导体135a和第二半导体135b、以及第一电容器电极138形成在缓冲层120上。
第一半导体135a包括第一沟道区域1355a以及形成在第一沟道区域1355a的两侧的第一源极区域1356a和第一漏极区域1357a。
第二半导体135b包括第二沟道区域1355b以及形成在第二沟道区域1355b的两侧的第二源极区域1356b和第二漏极区域1357b。
第一电容器电极138从第二半导体135b的第二源极区域1356b延伸。
栅极绝缘层140形成在第一半导体135a和第二半导体135b以及第一电容器电极138上。
栅极线121、第一栅极电极154a、第二栅极电极154b和第二电容器电极158形成在栅极绝缘层140上。
栅极线121在水平方向上伸长以传输栅极信号，第一栅极电极154a从栅极线121朝向第一半导体135a突出。
栅极线121、第一栅极电极154a和第二栅极电极154b可以由包括钨、钼、铝或其合金的不透明导体制成。
第二电容器电极158与第二栅极电极154b连接并重叠第一电容器电极138。第二电容器电极158形成在与栅极线121、第一栅极电极154a和第二栅极电极154b相同的层上。
第一层间绝缘层160形成在栅极线121、第一栅极电极154a、第二栅极电极154b和第二电容器电极158上。
暴露第一半导体135a的第一源极区域1356a的第一源极接触孔166a、暴露第一半导体135a的第一漏极区域1357a的第一漏极接触孔167a、暴露第二半导体135b的第二源极区域1356b的第二源极接触孔166b、以及暴露第二半导体135b的第二漏极区域1357b的第二漏极接触孔167b形成在第一层间绝缘层160和栅极绝缘层140中。暴露第二栅极电极154b的第一接触孔81形成在第一层间绝缘层160中。
包括第一源极电极176a的数据线171、包括第二源极电极176b的驱动电压线172、以及第一漏极电极177a和第二漏极电极177b形成在第一层间绝缘层160上。
第一源极电极176a穿过第一源极接触孔166a与第一源极区域1356a连接，第二源极电极176b穿过第二源极接触孔166b与第二源极区域1356b连接。
第一漏极电极177a面对第一源极电极176a，且第一漏极电极177a穿过第一漏极接触孔167a与第一漏极区域1357a连接。类似地，第二漏极电极177b面对第二源极电极176b，并且第二漏极电极177b穿过第二漏极接触孔167b与第二漏极区域1357b连接。
第一漏极电极177a大致平行于栅极线延伸，并且穿过第一接触孔81与第二栅极电极154b电连接。
第一电容器电极138和第二电容器电极158通过使用栅极绝缘层140作为介电材料而形成第一存储电容器80。
在包括第一源极电极176a的数据线171上形成包括第二源极电极176b的驱动电压线172、第一漏极电极177a和第二漏极电极177b、以及第三层间绝缘层180a。
第三层间绝缘层180a由与第一层间绝缘层160相同的材料制成。
滤色器230形成在第三层间绝缘层180a上。滤色器230可以显示如红、绿和蓝的原色中的其中一种。
滤色器230可以不形成在与晶体管Qs和Qd重叠的区域内，并可以遍及一个像素区域形成。滤色器230可以不形成在多个像素区域当中的至少一些像素区域中，并且未形成滤色器230的像素区域可以显示白色。
第四层间绝缘层180b形成在第三层间绝缘层180a和滤色器230上。
第三层间绝缘层180a和第四层间绝缘层180b具有暴露第二漏极电极177b的第二接触孔82。
第一电极191形成在第四层间绝缘层180b上。第一电极191可以是阳极。
第一电极191穿过第二接触孔82与第二漏极电极177b连接。
第一电极191遍及被两条相邻的栅极线121、数据线171、驱动电压线172等围绕的一个像素区域形成。此外，第一电极191的边缘可以重叠所述两条相邻的栅极线121、数据线171和驱动电极线172。
像素限定层195形成在第一电极191上。像素限定层195被形成为重叠形成为一个或多个不透明层的栅极线121、数据线171、驱动电压线172、第一栅极电极154a、第二栅极电极154b、第一源极电极176a和第一漏极电极177a、第二源极电极176b和第二漏极电极177b等。
除了栅极线121、数据线171、驱动电压线172、第一栅极电极154a、第二栅极电极154b、第一源极电极176a和第一漏极电极177a、以及第二源极电极176b和第二漏极电极177b之外，根据本发明另一示例性实施方式的显示装置可以还包括额外的不透明层，在这种情况下，像素限定层195可以形成在与所述额外的不透明层重叠的区域中。
有机发光层370形成在第一电极191的没有被像素限定层195覆盖的部分上。有机发光层370不重叠像素限定层195。于是，有机发光层370也不重叠在像素区域内形成为不透明层(或多个不透明层)的栅极线121、数据线171、驱动电压线172、第一栅极电极154a、第二栅极电极154b、第一源极电极176a和第一漏极电极177a、第二源极电极176b和第二漏极电极177b等的任一个。
有机发光层370可以显示白色。此外，在有机发光层370中，可以沉积发射红光、绿光和蓝光的发光材料，以便发光材料显示白色的复合光。
第二电极270形成在像素限定层195和有机发光层370上。
第二电极270是有机发光元件的阴极。于是，第一电极191、有机发光层370和第二电极270形成有机发光元件LD。
如上所述，根据本发明示例性实施方式的显示装置包括遍及像素区域形成的第一电极191、形成为与像素区域的不透明信号线重叠的像素限定层195、形成为不与像素限定层195重叠的有机发光层370、以及形成在有机发光层370上的第二电极270。于是，如图5和图6所示，有机发光层370在不与不透明布线层重叠的第一区域R1、第二区域R2、第三区域R3和第四区域R4中发射光，以显示图像。如此，有机发光层370甚至形成在传统上不存在发光层的区域内，如在栅极线121与第一源极电极176a和第一漏极电极177a之间的区域和/或在驱动电压线172与第一漏极电极177a之间的区域。于是，增加了显示装置的发光面积。像素限定层195仅形成在不透明的信号布线上，结果，显示装置的开口率提高。甚者，显示装置的有机发光层370形成在由像素限定层195围绕的区域内，并且不形成在像素限定层195上方，由此不存在或大部分不存在于不透明的信号布线上方。结果，通过防止有机发光层370甚至在不显示图像的区域内不必要地发射光，有可能防止发光效率的降低，同时还增加了显示装置的发光面积。
根据参照图2至图4描述的示例性实施方式的显示装置的很多特征的全部可以应用于根据该示例性实施方式的显示装置中。
接着，将参照图7至图9描述根据本发明另一示例性实施方式的显示装置。图7是根据本发明另一实施方式的显示装置的布局图，图8是沿着线VIII-VIII截取的图7的显示装置的截面图，图9是沿着线IX-IX截取的图7的显示装置的截面图。
参照图7至图9，这个示例性实施方式的显示装置类似于根据参照图2至图4描述的示例性实施方式的显示装置。于是，省略了对相同构成元件的详细描述。
缓冲层120形成在基板100上，由多晶硅制成的第一半导体135a和第二半导体135b、以及第一电容器电极138形成在缓冲层120上。
第一半导体135a包括第一沟道区域1355a、以及形成在第一沟道区域1355a的两侧的第一源极区域1356a和第一漏极区域1357a。
第二半导体135b包括第二沟道区域1355b、以及形成在第二沟道区域1355b的两侧的第二源极区域1356b和第二漏极区域1357b。
第一电容器电极138从第二半导体135b的第二源极区域1356b延伸。
栅极绝缘层140形成在第一半导体135a和第二半导体135b、以及第一电容器电极138上。
栅极线121、第一栅极电极154a、第二栅极电极154b和第二电容器电极158形成在栅极绝缘层140上。
栅极线121在水平方向上伸长以传输栅极信号，第一栅极电极154a从栅极线121向第一半导体135a突出。
栅极线121、第一栅极电极154a和第二栅极电极154b可以由包括钨、钼、铝或其合金的不透明导体制成。
第二电容器电极158与第二栅极电极154b连接并重叠第一电容器电极138。第二电容器电极158形成在与栅极线121、第一栅极电极154a和第二栅极电极154b相同的层上。
第一层间绝缘层160形成在第一栅极电极154a、第二栅极电极154b和第二电容器电极158上。
暴露第一半导体135a的第一源极区域1356a的第一源极接触孔166a、暴露第一半导体135a的第一漏极区域1357a的第一漏极接触孔167a、暴露第二半导体135b的第二源极区域1356b的第二源极接触孔166b和暴露第二半导体135b的第二漏极区域1357b的第二漏极接触孔167b形成在第一层间绝缘层160和栅极绝缘层140中。暴露第二栅极电极154b的第一接触孔81形成在第一层间绝缘层160中。
包括第一源极电极176a的数据线171、包括第二源极电极176b的驱动电压线172、第一漏极电极177a和第二漏极电极177b、以及第三电容器电极178形成在第一层间绝缘层160上。
第一源极电极176a穿过第一源极接触孔166a与第一源极区域1356a连接，第二源极电极176b穿过第二源极接触孔166b与第二源极区域1356b连接。
第一漏极电极177a面对第一源极电极176a，且第一漏极电极177a穿过第一漏极接触孔167a与第一漏极区域1357a连接。类似地，第二漏极电极177b面对第二源极电极176b，且第二漏极电极177b穿过第二漏极接触孔167b与第二漏极区域1357b连接。
第一漏极电极177a沿着栅极线或基本上平行于栅极线延伸，并穿过第一接触孔81与第二栅极电极154b电连接。
第三电容器电极178从驱动电压线172突出并重叠第二电容器电极158。
第一电容器电极138和第二电容器电极158通过利用栅极绝缘层140作为介电材料而形成第一存储电容器80，第二电容器电极158和第三电容器电极178通过利用第一层间绝缘层160作为介电材料而形成第二存储电容器8。参照图5以及图2，根据本示例性实施方式的显示装置的第一电容器电极138和第二电容器电极158的截面面积比根据图2所示的示例性实施方式的显示装置的第一电容器电极138和第二电容器电极158的截面面积小。然而，在根据本示例性实施方式的显示装置的情况下，除了第一存储电容器80外，还包括第二存储电容器8，结果，在存储电容器Cst的存储电容没有减小的同时，存储电容器Cst的面积可以减小。于是，有可能防止由于存储电容器Cst的形成所导致的显示装置的开口率的降低。
第二层间绝缘层180形成在包括第一源极电极176a的数据线171、包括第二源极电极176b的驱动电压线172、以及第一漏极电极177a和第二漏极电极177b上。
第二层间绝缘层180可以由与第一层间绝缘层160相同的材料形成，并具有暴露第二漏极电极177b的第二接触孔82。
第一电极191形成在第二层间绝缘层180上。第一电极191可以是阳极。
第一电极191穿过第二接触孔82与第二漏极电极177b连接。
第一电极191遍及由两条相邻的栅极线121、数据线171、驱动电压线172等围绕的一个像素区域形成。此外，第一电极191的边缘可以重叠所述两条相邻的栅极线121、数据线171和驱动电压线172。
像素限定层195形成在第一电极191上。像素限定层195形成为与形成为不透明层的栅极线121、数据线171、驱动电压线172、第一栅极电极154a、第二栅极电极154b、第一源极电极176a和第一漏极电极177a、第二源极电极176b和第二漏极电极177b、电容器电极138、158和178等重叠。
根据本发明另一示例性实施方式的显示装置除了栅极线121、数据线171、驱动电压线172、第一栅极电极154a、第二栅极电极154b、第一源极电极176a和第一漏极电极177a、以及第二源极电极176b和第二漏极电极177b之外，还可以包括额外的不透明层。在这种情况下，像素限定层195可以与所述额外的不透明层重叠。
有机发光层370仅形成在第一电极191的没有被像素限定层195覆盖的部分上。如此，有机发光层370没有定位在像素限定层195上。于是，有机发光层370不与在像素区域内形成为不透明层的栅极线121、数据线171、驱动电压线172、第一栅极电极154a、第二栅极电极154b、第一源极电极176a和第一漏极电极177a、第二源极电极176b和第二漏极电极177b、电容器电极138、158和178等的任意重叠。
有机发光层370可以发射诸如红色、绿色和蓝色的三原色中的任一种颜色的光。
第二电极270形成在像素限定层195和有机发光层370上。
第二电极270是有机发光元件的阴极。于是，第一电极191、有机发光层370和第二电极270形成有机发光元件LD。
如上所述，根据本发明示例性实施方式的显示装置包括遍及像素区域形成的第一电极191、与像素区域的不透明信号线重叠的像素限定层195、不与像素限定层195重叠的有机发光层370、以及形成在有机发光层370上的第二电极270。于是，如图6和图7所示，有机发光层370在不与任何不透明布线层重叠的第一区域R1、第二区域R2、第三区域R3、第四区域R4和第五区域R5中发射光，从而显示图像。如此，有机发光层370甚至形成在传统显示装置中不是显示区域的区域内，如在栅极线121与第一源极电极176a和第一漏极电极177a之间的区域以及在驱动电压线172与第一漏极电极177a之间的区域。结果，显示装置的发光面积增大。像素限定层195仅覆盖像素区域的不透明信号布线，结果，显示装置的开口率增大。于是，有机发光层370形成在由像素限定层195围绕的区域内，并从而不与像素限定层195重叠，并因此有机发光层370形成在传统上为非开口区域的区域内。结果，通过防止有机发光层370甚至在不显示图像的区域内不必要地发射光，有可能防止发光效率的退化，同时增加显示装置的发光面积。
在上文中，根据参照图2至图4描述的示例性实施方式和参照图2、图5和图6描述的示例性实施方式的显示装置的很多特征的全部可以应用于根据该示例性实施方式的显示装置中。
接着，将参照图10和图11以及图7描述根据本发明另一示例性实施方式的显示装置。图10是根据本发明另一示例性实施方式的显示装置的截面图，它是沿着线VIII-VIII截取的图7的显示装置的备选截面图。图11是根据本发明另一示例性实施方式的显示装置的截面图，它是沿着线IX-IX截取的图7的显示装置的备选截面图。
参照图7、图10和图11，根据该示例性实施方式的显示装置类似于根据参照图2至图4描述的示例性实施方式的显示装置以及根据参照图7至图9描述的示例性实施方式的显示装置。省略了对相同构成元件的详细描述。
缓冲层120形成在基板100上，且由多晶硅制成的第一半导体135a和第二半导体135b、以及第一电容器电极138形成在缓冲层120上。
第一半导体135a包括第一沟道区域1355a以及形成在第一沟道区域1355a的两侧的第一源极区域1356a和第一漏极区域1357a。
第二半导体135b包括第二沟道区域1355b以及形成在第二沟道区域1355b的两侧的第二源极区域1356b和第二漏极区域1357b。
第一电容器电极138从第二半导体135b的第二源极区域1356b延伸。
栅极绝缘层140形成在第一半导体135a和第二半导体135b以及第一电容器电极138上。
栅极线121、第一栅极电极154a、第二栅极电极154b和第二电容器电极158形成在栅极绝缘层140上。
栅极线121在水平方向上伸长以传输栅极信号，第一栅极电极154a从栅极线121向第一半导体135a突出。
栅极线121、第一栅极电极154a和第二栅极电极154b可以由包括钨、钼、铝或其合金的不透明导体制成。
第二电容器电极158与第二栅极电极154b连接以与第一电容器电极138重叠。第二电容器电极158形成在与栅极线121、第一栅极电极154a和第二栅极电极154b相同的层上。
第一层间绝缘层160形成在栅极线121、第一栅极电极154a、第二栅极电极154b和第二电容器电极158上。
暴露第一半导体135a的第一源极区域1356a的第一源极接触孔166a、暴露第一半导体135a的第一漏极区域1357a的第一漏极接触孔167a、暴露第二半导体135b的第二源极区域1356b的第二源极接触孔166b以及暴露第二半导体135b的第二漏极区域1357b的第二漏极接触孔167b形成在第一层间绝缘层160和栅极绝缘层140中。暴露第二栅极电极154b的第一接触孔81形成在第一层间绝缘层160中。
包括第一源极电极176a的数据线171、包括第二源极电极176b的驱动电压线172、第一漏极电极177a和第二漏极电极177b、以及第三电容器电极178形成在第一层间绝缘层160上。
第一源极电极176a穿过第一源极接触孔166a与第一源极区域1356a连接，第二源极电极176b穿过第二源极接触孔166b与第二源极区域1356b连接。
第一漏极电极177a面对第一源极电极176a，且第一漏极电极177a穿过第一漏极接触孔167a与第一漏极区域1357a连接。类似地，第二漏极电极177b面对第二源极电极176b，且第二漏极电极177b穿过第二漏极接触孔167b与第二漏极区域1357b连接。
第一漏极电极177a大致平行于栅极线延伸，并且穿过第一接触孔81与第二栅极电极154b电连接。
第三电容器电极178从驱动电压线172突出，并与第二电容器电极158重叠。
第一电容器电极138和第二电容器电极158通过使用栅极绝缘层140作为介电材料形成第一存储电容器80，第二电容器电极158和第三电容器电极178通过利用第一层间绝缘层160作为介电材料形成第二存储电容器8。参照图7以及图2，根据该示例性实施方式的显示装置的第一电容器电极138和第二电容器电极158的截面面积小于根据图2中所示的示例性实施方式的显示装置的第一电容器电极138和第二电容器电极158的截面面积。然而，在根据该示例性实施方式的显示装置的情况下，除了第一存储电容器80之外，还包括第二存储电容器8，结果，在存储电容器Cst的存储电容没有减小的同时，可以减小存储电容器Cst的面积。于是，可以防止由于存储电容器Cst的形成所导致的显示装置的开口率的降低。
第三层间绝缘层180a形成在包括第一源极电极176a的数据线171、包括第二源极电极176b的驱动电压线172、以及第一漏极电极177a和第二漏极电极177b上。
第三层间绝缘层180a可以由与第一层间绝缘层160相同的材料制成。
滤色器230形成在第三层间绝缘层180a上。滤色器230可以显示如红色、绿色和蓝色的三原色中的其中一种原色。
滤色器230可以不形成在与晶体管Qs和Qd重叠的区域内，并可以遍及一个像素区域形成。滤色器230可以不形成在多个像素区域当中的至少一些像素区域中，并且没有形成滤色器230的像素区域可以显示白色。
在第三层间绝缘层180a和滤色器230上，形成第四层间绝缘层180b。
第三层间绝缘层180a和第四层间绝缘层180b具有暴露第二漏极电极177b的第二接触孔82。
第一电极191形成在第四层间绝缘层180b上。第一电极191可以是阳极。
第一电极191穿过第二接触孔82与第二漏极电极177b连接。
第一电极191遍及由两条相邻的栅极线121、数据线171、驱动电压线172等围绕的一个像素区域形成。此外，第一电极191的边缘可以与所述两条相邻的栅极线121、数据线171和驱动电压线172重叠。
像素限定层195形成在第一电极191上。像素限定层195与形成为不透明层的栅极线121、数据线171、驱动电压线172、第一栅极电极154a、第二栅极电极154b、第一源极电极176a和第一漏极电极177a、第二源极电极176b和第二漏极电极177b、电容器电极138、158和178等重叠。
根据本发明另一示例性实施方式的显示装置除了栅极线121、数据线171、驱动电压线172、第一栅极电极154a、第二栅极电极154b、第一源极电极176a和第一漏极电极177a、以及第二源极电极176b和第二漏极电极177b之外，还可以包括额外的不透明层，在这种情况下，像素限定层195还可以与该额外的不透明层重叠。
有机发光层370形成在第一电极191上但不与像素限定层195重叠。于是，有机发光层370被形成为不与在像素区域中形成为不透明层的栅极线121、数据线171、驱动电压线172、第一栅极电极154a、第二栅极电极154b、第一源极电极176a和第一漏极电极177a、第二源极电极176b和第二漏极电极177b、电容器电极138、158和178等重叠。
有机发光层370可以显示白色。此外，在有机发光层370中，可以层叠发射红光、绿光和蓝光的发光材料，并由此可以显示复合的白光。
第二电极270形成在像素限定层195和有机发光层370上。
第二电极270是有机发光元件的阴极。于是，第一电极191、有机发光层370和第二电极270形成有机发光元件LD。
如上所述，根据本发明示例性实施方式的显示装置包括遍及像素区域形成的第一电极191、形成为与像素区域的不透明信号线重叠的像素限定层195、形成为不与像素限定层195重叠的有机发光层370、以及形成在有机发光层370上的第二电极270。于是，如图10和图11所示，有机发光层370在不与不透明布线层重叠的第一区域R1、第二区域R2、第四区域R4和第五区域R5中发射光，从而显示图像。如此，有机发光层370甚至形成在传统上不用于显示图像的区域内，结果，可以增加显示装置的发光面积。像素限定层195仅形成在不透明信号布线上方，结果，增加了显示装置的开口率。甚者，显示装置的有机发光层370形成在由像素限定层195围绕的区域中但没有形成在像素限定层195上方，并因此在不透明的信号布线上方不存在或大部分不存在有机发光层370。结果，通过防止有机发光层370甚至在不显示图像的区域内不必要地发射光，有可能防止发光效率降低并同时增加显示装置的发光面积。
上面，根据参照图2至图4描述的示例性实施方式、参照图2、图5和图6描述的示例性实施方式、参照图7至图9描述的示例性实施方式以及参照图7、图10和图11描述的示例性实施方式的显示装置的特征的任意组合可以应用到根据本示例性实施方式的显示装置中。
接着，还将参照图12至图31以及图2至图4描述根据本发明示例性实施方式的显示装置的制造方法。图12至图31是示出根据本发明示例性实施方式的显示装置的制造方法的工艺截面图，其中图12、图14、图16、图18、图20、图22、图24、图26、图28和图30相应于图2中沿线III-III的工艺截面图，图13、图15、图17、图19、图21、图23、图25、图27、图29和图31相应于图2中沿线IV-IV的工艺截面图。
参照图12和图13，缓冲层120形成在基板100上，第一半导体135a和第二半导体135b以及第一电容器电极138形成在缓冲层120上。另外，栅极绝缘层140形成在第一半导体135a、第二半导体135b和第一电容器电极138上。
参照图14和图15，由透明导体制成的第一层50a沉积在栅极绝缘层140上，由低电阻导体制成的第二层50b沉积在第一层50a上。光敏膜沉积在第二层50b上，然后被曝光并印刷，以形成具有不同厚度的第一光敏膜图案400a和第二光敏膜图案400b，如图16和图17所示。第一光敏膜图案400a的厚度大于第二光敏膜图案400b的厚度。第一光敏膜图案400a形成在将要形成第一栅极电极154a和第二栅极电极154b的位置处，第二光敏膜图案400b形成在将要形成第二电容器电极158的位置处。
参照图18和图19，通过利用第一光敏膜图案400a和第二光敏膜图案400b作为蚀刻掩膜，第二层50b和第一层50a被依次蚀刻，然后形成包括下层154ap和上层154aq的第一栅极电极154a以及包括下层154bp和上层154bq的第二栅极电极154b，并且形成第一导体图案58p和第二导体图案58q。
接着，第二光敏膜图案400b通过灰化等去除，并且第一光敏膜图案400a的高度减小，形成第三光敏膜图案400c，如图20和图21所示。
接着，第二导体图案58q和第三光敏膜图案400c被去除，结果，如图22和图23所示，形成包括下层154ap和上层154aq的第一栅极电极154a和包括下层154bp和上层154bq的第二栅极电极154b以及由透明导体制成的第二电容器电极158。然后，通过利用第一栅极电极154a和第二栅极电极154b作为掩膜，导电杂质被掺杂在第一半导体135a和第二半导体135b的不与第一栅极电极154a和第二栅极电极154b重叠的部分内，以形成第一半导体135a的第一源极区域1356a和第一漏极区域1357a以及第二半导体135b的第二源极区域1356b和第二漏极区域1357b。
如此，按照根据本示例性实施方式的显示装置的制造方法，通过一个曝光工艺形成包括下层154ap和上层154aq的第一栅极电极154a以及包括下层154bp和上层154bq的第二栅极电极154b以及由透明导体制成的第二电容器电极158。结果，有可能防止在形成第二电容器电极158期间制造成本的增加。
如图24和图25所示，第一层间绝缘层160形成在栅极线121、第一栅极电极154a、第二栅极电极154b和第二电容器电极158上。在这种情况下，暴露第一半导体135a的第一源极区域1356a的第一源极接触孔166a、暴露第一半导体135a的第一漏极区域1357a的第一漏极接触孔167a、暴露第二半导体135b的第二源极区域1356b的第二源极接触孔166b以及暴露第二半导体135b的第二漏极区域1357b的第二漏极接触孔167b形成在第一层间绝缘层160和栅极绝缘层140中，暴露第二栅极电极154b的第一接触孔81形成在第一层间绝缘层160中。
包括第一源极电极176a的数据线171、包括第二源极电极176b的驱动电压线172、以及第一漏极电极177a和第二漏极电极177b形成在第一层间绝缘层160上。
第二层间绝缘层180形成在包括第一源极电极176a的数据线171、包括第二源极电极176b的驱动电压线172、以及第一漏极电极177a和第二漏极电极177b上。在这种情况下，暴露第二漏极电极177b的第二接触孔82形成在第二层间绝缘层180中。
虽然未示出，但是按照根据本发明另一示例性实施方式的显示装置的制造方法，第三层间绝缘层180a形成在包括第一源极电极176a的数据线171、包括第二源极电极176b的驱动电压线172、以及第一漏极电极177a和第二漏极电极177b上；滤色器230形成在第三层间绝缘层180a上；且第四层间绝缘层180b可以形成在第三层间绝缘层180a和滤色器230上。在这种情况下，暴露第二漏极电极177b的第二接触孔82形成在第三层间绝缘层180a和第四层间绝缘层180b中。
如图26和图27所示，第一电极191形成在第二层间绝缘层180上。第一电极191遍及由两条相邻的栅极线121、数据线171、驱动电压线172等围绕的一个像素区域形成。此外，第一电极191的边缘可以与所述两条相邻的栅极线121、数据线171、和驱动电压线172重叠。
参照图28和图29，像素限定层195形成在第一电极上。
像素限定层195形成为与被形成为不透明层的栅极线121、数据线171、驱动电压线172、第一栅极电极154a、第二栅极电极154b、第一源极电极176a和第一漏极电极177a、第二源极电极176b和第二漏极电极177b等重叠。
按照根据本发明另一示例性实施方式的显示装置的制造方法，除了栅极线121、数据线171、驱动电压线172、第一栅极电极154a、第二栅极电极154b、第一源极电极176a和第一漏极电极177a以及第二源极电极176b和第二漏极电极177b之外，可以进一步形成额外的不透明层，在这种情况下，像素限定层195可以形成以与该额外的不透明层重叠。
更详细地，有机发光层370不重叠像素限定层195。从而，有机发光层370覆盖除了栅极线121、数据线171、驱动电压线172、第一栅极电极154a、第二栅极电极154b、第一源极电极176a和第一漏极电极177a、第二源极电极176b和第二漏极电极177b等之外(即，除了不透明层之外)的整个像素区域，如图30和图31所示。
接着，如图3和图4所示，第二电极270形成在像素限定层195和有机发光层370上。
如此，按照根据本发明示例性实施方式的显示装置的制造方法，第一电极191遍及像素区域形成，像素限定层195与像素区域的不透明信号布线重叠，有机发光层370形成为不与像素限定层195重叠，第二电极270形成在有机发光层370上。于是，如图3和图4所示，有机发光层370在不与不透明布线层重叠的第一区域R1、第二区域R2、第三区域R3和第四区域R4中发光，从而显示图像。如此，有机发光层370覆盖在传统显示装置中通常未被覆盖的区域，如在栅极线121与第一源极电极176a和第一漏极电极177a之间的区域、以及在驱动电压线172与第一漏极电极177a之间的区域，结果，显示装置的发光面积增加。像素限定层195仅形成在与像素区域的不透明信号布线重叠的区域内，而不形成在像素区域中的开口区域内，结果，可以提高显示装置的开口率。显示装置的有机发光层370形成在由像素限定层195围绕的区域内，并且未形成在像素限定层195上方。此外，即使显示装置的有机发光层370发射光，部分有机发光层370也形成在非开口区域中。结果，通过防止有机发光层370甚至在不显示图像的区域内不必要地发射光，有可能在增加显示装置的发光面积的同时防止发光效率的退化。
接着，将参照图32至图39以及图7和图9描述根据本发明另一示例性实施方式的显示装置的制造方法。图32至图39是依次示出根据本发明另一示例性实施方式的显示装置的制造方法的截面图，其中图32、图34、图36和图38相应于图7中沿线VIII-VIII的工艺截面图，图33、图35、图37和图39相应于图7中沿线IX-IX的工艺截面图。
参照图32和图33，缓冲层120形成在基板100上，第一半导体135a、第二半导体135b和第一电容器电极138形成在缓冲层120上。另外，栅极绝缘层140形成在第一半导体135a、第二半导体135b和第一电容器电极138上。
每个均由不透明导体制成的第一栅极电极154a、第二栅极电极154b和第二电容器电极158形成在栅极绝缘层140上。
第一层间绝缘层160形成在栅极线121、第一栅极电极154a、第二栅极电极154b和第二电容器电极158上，包括第一源极电极176a的数据线171、包括第二源极电极176b的驱动电压线172、第一漏极电极177a和第二漏极电极177b、以及第三电容器电极178形成在第一层间绝缘层160上。第三电容器电极178从驱动电压线172突出，并与第二电容器电极158重叠。
第二层间绝缘层180形成在包括第一源极电极176a的数据线171、包括第二源极电极176b的驱动电压线172、以及第一漏极电极177a和第二漏极电极177b上。
虽然未示出，但是按照根据本发明另一示例性实施方式的显示装置的制造方法，第三层间绝缘层180a可以形成在包括第一源极电极176a的数据线171、包括第二源极电极176b的驱动电压线172、以及第一漏极电极177a和第二漏极电极177b上，滤色器230形成在第三层间绝缘层180a上，第四层间绝缘层180b可以形成在第三层间绝缘层180a和滤色器230上。
如图34和图35所示，第一电极191形成在第二层间绝缘层180上。第一电极191遍及由两条相邻的栅极线121、数据线171、驱动电压线172等围绕的一个像素区域形成。此外，第一电极191的边缘可以与所述两条相邻的栅极线121、数据线171和驱动电压线172重叠。
参照图36和图37，像素限定层195形成在第一电极上。
像素限定层195形成为与被形成为不透明层的栅极线121、数据线171、驱动电压线172、第一栅极电极154a、第二栅极电极154b、第二电容器电极158、第一源极电极176a和第一漏极电极177a、以及第二源极电极176b和第二漏极电极177b重叠。
按照根据本发明另一示例性实施方式的显示装置的制造方法，除了栅极线121、数据线171、驱动电压线172、第一栅极电极154a、第二栅极电极154b、第一源极电极176a和第一漏极电极177a、以及第二源极电极176b和第二漏极电极177b之外，还可以形成额外的不透明层，在这种情况下，像素限定层195也可以形成在该额外的不透明层上方。
参照图38和图39，有机发光层370形成在第一电极191的未被像素限定层195覆盖的部分上。显示装置的有机发光层370形成在由像素限定层195围绕的区域内且不形成在像素限定层195上方。于是，有机发光层370覆盖除了被形成为不透明层的栅极线121、数据线171、驱动电压线172、第一栅极电极154a、第二栅极电极154b、第二电容器电极158、第一源极电极176a和第一漏极电极177a、以及第二源极电极176b和第二漏极电极177b等之外的整个像素区域。
接着，如图8和图9所示，第二电极270形成在像素限定层195和有机发光层370上。
如此，按照根据本发明另一示例性实施方式的显示装置的制造方法，第一电极191遍及像素区域形成，像素限定层195形成在像素区域的不透明信号布线上方的区域内，有机发光层370形成为不与像素限定层195重叠，第二电极270形成在有机发光层370上方。于是，如图8和图9所示，有机发光层370在不与不透明布线层重叠的第一区域R1、第二区域R2、第四区域R4和第五区域R5中发射光，从而显示图像。如此，有机发光层370甚至形成在传统显示装置中不是显示区域的区域中，结果，显示装置的发光面积增加。像素限定层195仅形成在像素区域的不透明信号布线上方，而不形成在像素区域的开口区域中，结果，显示装置的开口率提高。此外，即使显示装置的有机发光层370发射光，有机发光层370也形成在由像素限定层195围绕的区域内，而不形成在像素限定层195上方并且不形成在不显示图像的非开口区域内，因而有机发光层370仅形成在开口区域中。结果，通过防止有机发光层370甚至在不显示图像的区域内不必要地发射光，有可能在增加显示装置的发光面积的同时防止发光效率的降低。
尽管已经结合目前被认为可行的示例性实施方式对本发明进行了描述，但是应理解，本发明不局限于所公开的实施方式，而是相反地，本发明意在覆盖在权利要求的范围内包括的各种修改和等效布置。在此描述的每个实施方式的各种特征可以以任何组合彼此混合和匹配，以形成在此未示出但是将被本领域的普通技术人员理解的实施方式和布置。
<附图标记描述>
80、8：电容器 81、82：接触孔
100：基板 120：缓冲层
121：栅极线 135a：第一半导体
135b：第二半导体 138：第一电容器电极
140：栅极绝缘层 154a：第一栅极电极
154b：第二栅极电极 158：第二电容器电极
160：第一层间绝缘层 166a、166b：源极接触孔
167a、167b：漏极接触孔 171：数据线
172：驱动电压线 176a、176b：源极电极
177a、177b：漏极电极 178：第三电容器电极
180：第二层间绝缘层 191：第一电极
195：像素限定层 270：第二电极
370：发光层 1355a、1355b：沟道区域
1356a、1356b：源极区域 1357a、1357b：漏极区域

Claims (5)

1.一种显示装置，包括：
基板；
信号线，设置在所述基板上，所述信号线包括栅极线、数据线和驱动电压线，所述信号线共同限定像素区域的外边界；
晶体管，连接到所述信号线；
第一电极，跨过所述像素区域延伸，所述第一电极设置在所述信号线和所述晶体管上，并连接到所述晶体管，所述第一电极具有与所述信号线和所述晶体管重叠的第一部分以及与所述第一部分不同的第二部分；
像素限定层，设置在所述第一电极上并且与所述第一电极的所述第一部分、所述信号线和所述晶体管重叠；
有机发光层，设置在由所述像素限定层围绕的区域中；
第二电极，设置在所述像素限定层和所述有机发光层上；以及
第一电容器电极和第二电容器电极，设置在所述基板上并且彼此重叠，且第一绝缘层在所述第一电容器电极和所述第二电容器电极之间；
其中，所述有机发光层与所述第一电容器电极和所述第二电容器电极重叠，且所述像素限定层不与所述第一电容器电极和所述第二电容器电极重叠。
2.如权利要求1所述的显示装置，其中：
所述有机发光层未设置在所述像素限定层上。
3.如权利要求1所述的显示装置，其中所述晶体管包括：
半导体层；
栅极绝缘层，设置在所述半导体层上；以及
栅极电极，设置在所述栅极绝缘层上，
其中所述栅极电极包括第一层和位于所述第一层上的第二层，
所述第一电容器电极形成在与所述晶体管的所述半导体层相同的层上，
所述第二电容器电极形成在与所述晶体管的所述栅极电极的所述第一层相同的层上，以及
所述第一绝缘层是所述栅极绝缘层。
4.如权利要求3所述的显示装置，其中：
所述栅极电极的所述第一层包括透明导体，以及
所述栅极电极的所述第二层包括低电阻导体。
5.如权利要求4所述的显示装置，其中：
所述有机发光层未设置在所述像素限定层上。
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