CN109890998B - 用于cvd反应器的基座 - Google Patents

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Abstract

一种用于CVD反应器的基座(1)，所述基座带有布置在支承面(2)中的插入孔(3)，定位元件(12)的插入区段(13)分别插入到所述插入孔(3)中，所述定位元件(12)利用从插入孔(3)中突伸出的区段(14)形成定位侧边(15)，以对衬底(11)进行位置固定，其中，插入孔(3)具有侧壁(5)和底部(4)，并且插入区段(13)具有贴靠在侧壁(5)上的贴放区(17’)和面向底部(4)的底侧(16)。新颖之处在于在底部(4)与底侧(16)之间的间距(a)，并且从插入孔(3)中突伸出的区段(14)的构造定位侧边(15)的边缘突出区段(18)突伸超出支承面(2)的与插入孔(3)的边缘邻接的区段(9、6’)。

Description

用于CVD反应器的基座
技术领域
本发明涉及一种用于CVD反应器的基座，所述基座带有布置在支承面
Figure GDA0002703570540000011
中的插入孔，定位元件的插入区段分别插入到所述插入孔中，所述定位元件利用从插入孔中突伸出的区段形成定位侧边，以对衬底进行位置固定，其中，插入孔具有侧壁和底部，并且插入区段具有贴靠在侧壁上的贴放区(Anlagezonen)和面向底部的底侧。
现有技术
文献DE 10 2007 023 970 A1公开了上述基座。其中所述的基座具有圆盘形状，并且在由基座的宽侧面构成的支承面上具有多个呈六角形最紧密堆积方式布置的、用于圆盘形衬底的存放位置。在存放位置的周边设置了六个定位元件，所述定位元件相互间具有距离并且具有大致上三角形的平面投影(Grundriss)。三角形边是弯曲的并且构成贴放侧边，所述贴放侧边遵循衬底的边缘的轮廓线，以便将衬底固持定位。定位元件在此还被描述为插入到插入孔中的底座。
文献DE 100 43 600 A1描述了一种基座，其带有多个围绕圆心布置在圆弧线上的分别各用于一个衬底载体的存放兜孔，所述衬底载体能够围绕旋转轴线旋转驱动。衬底载体之间的间隙衬有板件，所述板件的边缘遵循衬底载体的轮廓(Umrisskontur)。
文献DE 103 23 085 A1同样描述了一种基座，其带有多个围绕基座的圆心布置在圆弧线上的衬底载体，所述衬底载体被环件包围。衬底载体和环件位于板件装置的凹空中，其中，板件具有底侧，该底侧借助间隔件相对于基座的顶侧保持间隔地固持。
文献DE 10 2015 113 956 A1公开了一种带有衬底载体板的衬底载体，其中，衬底安放在衬底载体板上，在所述衬底之间布置有悬臂。悬臂插入盲孔中。
文献CN 103258763 A和文献CN 103898478 A描述了一种带有插入到插入孔中的定位元件的基座，所述定位元件具有边缘突出区段，所述边缘突出区段接触地安放在支承面的与插入孔的边缘邻接的区段上。
该类型的基座满足其在CVD反应器的过程室中按规定的功能，基座在所述过程室中自下被加热并且利用其顶侧构成过程室的底部，过程室的顶侧构成用于衬底的支承面。过程室的盖部可以通过进气机构、例如呈喷淋头形式的进气机构构成，所述进气机构具有排气面，多个排气孔通入所述排气面中。排气面被冷却，从而使得在加热器与冷却的排气面之间的间隙中构成较高的温度梯度。衬底在通过定位元件限界的兜孔中位于从兜孔底部突伸的凸起上，从而使得衬底中空地放置。基座与衬底之间的热传递由此通过用于容纳衬底的兜孔的底部与衬底的底侧之间的气隙完成。相对应地，朝定位元件的面向过程室的顶侧的热传递则通过由石墨制成的基座的热传导实现，从而在衬底的顶侧与定位元件的顶侧之前构成横向的温度差。应用在CVD反应器中的基座由此具有的弊端在于，在衬底之间的岛状面上形成不同于衬底本身上的温度水平。
在过程室中通过进气机构输入过程气体，所述过程气体由多种组分形成，所述组分在衬底表面上或在定位元件的表面上发生热解反应。化学反应是与温度相关的。鉴于温度差，在衬底表面的边缘上的层生长不同于在衬底表面的中心处的层生长。究其原因主要在于，朝衬底的热传递不仅沿横向于衬底的延伸平面的方向进行，而且还从边缘开始从定位元件向衬底中进行。为了平衡该热传递，在文献DE 10 2012 108 986 A1或DE 20 2015118 215中建议了对衬底的存放位置的结构设计，其方式在于，存放位置在定位元件的贴放侧边的区域中具有沟槽状的凹陷。然而该平衡对于许多过程步骤来说尚不足够。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于，提供一种技术措施，以便使配备有衬底的基座上的横向温度分布均匀化。
所述技术问题通过如下技术方案解决。
根据本发明对基座的改进涉及插入到插入孔中的定位元件。在本发明的第一方面，定位元件的底侧相对于插入孔的底部具有间距。鉴于该间距，构成了中空部，该中空部被低导热的材料填充。该材料可以是气体。在此情况下，在底侧与底部之间具有具备垂直间距的高度的中空部。然而该间距还可以被固态或液态的材料填充，所述材料可以具有比制成定位元件的材料更低的导热系数。定位元件为此可以例如紧靠在热绝缘体上，所述热绝缘体支承在插入孔的底部上。
根据本发明的第二方面规定，定位侧边沿定位元件的从插入孔突伸出的定位区段的边缘突出区段构成。该边缘突出区段具有底侧，该底侧以垂直间距突伸超出支承面的与插入孔的边缘邻接的区段。而且该间距在此还构成了热绝缘空间。优选地，该间距在此还被材料、例如气体或绝缘体填充，所述材料具有与定位元件的材料、例如石英或石墨相比更低的导热系数。尤其规定，边缘突出区段自由地在支承面的与插入孔的边缘邻接的区段上延伸，从而使过程气体处于由该间距构成的中空部中。
在本发明的一种优选的设计方式中规定，定位元件的底侧至少局部具有相对于插入孔的底部的间距，并且设置了边缘突出区段，所述边缘突出区段以间距搭接(überfangen)在围绕插入孔的边缘上。与定位元件的插入区段的被贴放侧边包围的平面投影面相比，定位元件的被定位侧边包围的平面投影面优选具有更大的表面延伸，从而使插入孔的边缘完全被边缘突出区段搭接。插入孔的平面投影优选是多边形孔。在此可以涉及三边形孔、四边形孔或五边形孔。多边形平面投影的多边角优选被倒圆。插入孔的侧壁能够具有在支承面中直线状的走向或曲线状的走向。在本发明的一种优选的设计方式中，空腔在定位元件的底侧与插入孔的介于连接条内壁间的底部面之间延伸。连接条优选从定位元件的扁平体状的区段突伸，所述扁平体状的区段构成定位侧边。连接条能够支承在构成插入孔的底部的底部面上。连接条的向外指向的壁部能够构成作为贴放侧边的贴放区。为了改进中空部与过程室之间的气体交换，在连接条之间布置有空穴。连接条优选直线状地在多边形的边缘上延伸，其中，空穴布置在多边形的角的区域中。边缘突出区段的面向支承面的底侧优选与定位元件的底侧在同一水平上延伸。边缘突出区段的底侧优选平面状地延伸，其中，该平面平行于支承面延伸。定位元件的在底部面的平面投影内延展的底侧优选同样沿平面延伸，该平面平行于支承面或底部面延伸。插入孔的侧壁横向于支承面延伸。支承面和/或底部面构成水平面，相较而言，侧壁构成垂直面。贴放侧边基本上面状地贴靠在垂直面中，从而优选通过垂直面构成贴放区。
在本发明的一种变型方案中规定，定位元件的底侧支承在由基座构造的台阶或肋条上。台阶或肋条可以布置在插入孔的底部的边缘区域中。台阶或肋条可以相对于侧壁保持间距并且源于底部面。台阶或肋条然而也可以直接邻接在端壁上。根据本发明由此优选规定，台阶或肋条处于相对于侧壁保持间距的插入孔的底部的区域中。然而台阶也可以直接沿侧壁延伸。此外还规定，从定位元件的底侧突伸出凸起部，该凸起部远离贴放侧边。利用所述凸起部可以使得定位元件支承在插入孔的底部上。此外还可以规定，定位元件的底侧具有隆起。隆起可以指向底部并或者从底部向外指向。隆起可以具有顶峰，利用所述顶峰将定位元件支承在底部上。然而隆起也可以形成中空部。此外还可以规定，底部并非平面状地，而是隆起地延伸。而且在此隆起的底部的顶峰还可以形成接触区，定位元件的底侧支承在所述接触区中。顶峰可以点状地或线状地延伸。然而底部还可以从定位元件向外隆起并且以此方式形成中空部或局部增大底侧与底部之间的中空部的间距尺寸。定位元件可以由石墨制成，并且被由SiC制成的表面覆层。然而定位元件还可以由SiC实心材料制成。然而定位元件还可以由石墨(等静压细粒石墨)制成。涂层不仅可以由SiC，而且还可以由AlN制成。其可以涉及烧结或通过CVD方式形成的SiC。此外，也适合作为涂层的是Si3N4、BN、石英(氧化硅玻璃，SiO2)或Al2O3，后者也呈结晶蓝宝石或作为陶瓷的Al2O3的形式。此外还可以使用ZrO2(氧化锆)或Y2O3(氧化钇)以及Mo、W、WC或CrTiAlN用于涂层。此外还规定，定位元件由被涂层的SiC制成，其中，涂层可以由上述材料和尤其SiC制成。SiC定位元件被涂覆分开的SiC层是有利的，因为该涂层与实心材料相比不同地制备。该涂层可以通过CVD工艺敷设并且因此更为纯粹，而且避免在MOCVD反应器中沉积的层的污染。由于定位元件底侧的至少一个部分区段相对于插入孔的底部和/或边缘突出区段相对于基座的支承面之间的间距，形成温度屏障，所述温度屏障导致自下加热的基座的表面的温度高于定位元件的表面处并且特别是在定位区段的定位侧边的区域中的温度。定位元件可以由一种实心材料制成。而且也可以由不同材料的多个相互连接的区段制成。构成的中空部优选设有开孔，所述开孔例如可以由上述空穴构造，从而能够在中空部与过程室之间发生气体交换。插入孔的边缘可以被倒圆，从而使插入孔的侧壁在形成倒圆的情况下过渡至支承面。边缘的倒圆的区段优选被边缘突出区段搭接。衬底可以安放在支承凸起部上，例如呈肋条形式的支承凸起部上，从而在存放位置的底部与衬底的底侧之间构成中空部。支承凸起部可以沿就衬底而言的径向被沟槽环绕包边(flankieren)。尤其规定，安放在基座上的衬底可具有面向过程室的表面，该表面齐平地过渡至定位元件的面向过程室的顶侧。然而，在定位元件的平面状的顶侧与衬底的顶侧之间还可以形成台阶。
根据本发明的另一方面，定位元件的面积最大的区段插入到插入孔中。通过该设计方式，定位元件利用其突伸进插入孔中的插入区段构成边缘反扣区段(Randuntergriffsabschnitt)，所述边缘反扣区段构成承载区，衬底的边缘区段安放在所述承载区上。承载区此外还可以具有上述支承凸起部，衬底的边缘通过点状或线状贴靠安放在所述支承凸起部上。在插入区段的底侧与插入孔的底部面之间可以利用上述技术措施构造间距，所述间距在设备运行时被介质填充或者具有介质，所述介质具有与定位元件或基座不同的导热性能。所述介质可以是具有较低导热性能的气体或具有较低导热性能的固体。
在本发明的一种变型方案中规定，定位元件的底侧与插入孔的底部面之间的空腔介于侧壁和凸起部之间延伸，其中，凸起部通过台阶或底座构造，所述底座源自插入孔的底部。凸起部具有平行于底部的平面延伸的承载面，所述承载面形成承载区段，定位元件利用支撑段(Stützabschnitt)支撑在所述承载区段上。定位元件优选构造为具有平面状的底侧和与底侧平行延伸的平面状的顶侧的扁平体。优选规定，定位元件由SiC制成，其中尤其涉及经生长的SiC。凸起部的承载面优选相对于底部面具有约为200μm的间距，定位元件的底侧的平面状的支撑段支撑在所述凸起部上。优选规定，底部的底部面与定位元件的底侧之间的间距、也即空腔的高度在100μm至500μm的范围。优选地，间距在100μm至300μm的范围。定位元件的高度(所述高度在扁平的定位元件中相当于该定位元件的材料厚度)优选被选择为，定位元件的区段从插入孔突伸出，从而使衬底的边缘能够支撑在定位元件的定位侧边上。在本发明的一种优选的设计方式中，凸起部直接邻接在插入孔的侧壁上。凸起部可以短于侧壁的长度，从而能够在插入孔的端部与倒圆的角之间存在无凸起部的区域。在一种变型方案中规定，凸起部设置在插入孔的倒圆的角的区域中。在插入孔的壁部与凸起部之间可以布置凹槽。凸起部之间的壁部在该变型方案中还可以无凸起地构造。
本发明由此涉及一种基座，其中，插入到插入孔中的定位元件具有第一底侧区段，所述第一底侧区段具有支撑在插入孔的底部的承载区段上的支撑段。承载区段配属于底部的第一区段。定位元件的底侧和插入孔的底部分别构成第二区段。两个第二区段通过不等于零的间距相互间隔，从而在底部与底侧之间构成空腔。
此外，本发明还涉及一种基座，其中，插入到插入孔中的定位元件具有边缘突出区段，所述边缘突出区段以不等于零的间距突伸出支承面，从而在边缘突出区段与支承面之间构成空隙。
附图说明
以下结合实施例对本发明进行更详尽的阐述。在附图中：
图1以三维断层方式示出基座1的插入到插入孔3中的定位元件12，所述定位元件利用连接条17支撑在插入孔3的平面状的底部4上，
图2以俯视图示出基座，其带有多个分别用于定位元件12插入的插入孔3，从而分别在每六个定位元件12之间构造一个用于衬底的存放位置，
图2a放大示出根据图2的局部IIa的插入孔3，
图3示出沿图2中剖切线III-III得到的纵剖图，
图4示出大致沿图1中的剖切线IV-IV穿过插入到插入孔3中的定位元件得到的纵剖图，
图5示出定位元件的俯视图，
图6示出定位元件的仰视图，
图7示出定位元件的侧视图，
图8示出定位元件的立体仰视图，
图9以立体图示出定位元件的第二实施例，
图10以立体图示出定位元件的第三实施例，
图11以立体图示出定位元件的第四实施例，
图12以立体图示出定位元件的第五实施例，
图13以剖视图示出定位元件的第六实施例，
图14以剖视图示出定位元件的第七实施例，
图15以剖视图示出定位元件的第八实施例，
图16以剖视图示出定位元件的第九实施例，
图17以剖视图示出定位元件的第十实施例，
图18以剖视图示出定位元件的第十一实施例，
图19以剖视图示出定位元件的第十二实施例，
图20以剖视图示出定位元件的第十三实施例，
图21以剖视图示出定位元件的第十四实施例，
图22以剖视图示出定位元件的第十五实施例，
图23以剖视图示出定位元件的第十六实施例，
图24以立体图示出定位元件的第十七实施例，
图25以剖视图示出第十七实施例，
图26以立体图示出定位元件的第十八实施例，
图27以俯视图示出定位元件的第十九实施例，
图28示出本发明的第二十实施例的根据图4的视图，
图29示出第二十一实施例的根据图4的视图，
图30示出第二十二实施例的根据图4的视图，
图31示出第二十三实施例的基座1的俯视图，
图32示出第二十三实施例的根据图1的视图，
图33放大示出图31中的局部XXXIII，
图34示出根据图33中的剖切线XXXIV-XXXIV得到的横剖图，其带有插入到插入孔3中的定位元件12，
图35示出第二十三实施例的定位元件的立体图，
图36示出图35中所示定位元件12的侧视图，
图37示出图35中所示定位元件12的俯视图，
图38示出第二十四实施例的根据图33的视图，并且
图39示出根据图38中的剖切线XXXIX-XXXIX得到的剖视图，其带有插入到插入孔3中的定位元件12。
具体实施方式
根据本发明的基座应用于CVD反应器中，如其在相关文献中以多种方式所述。为此仅示例性地援引文献DE 10 2013 114 412 A1或DE 10 2011 056 589 A1。例如在文献DE10 2014 100 024 A1中描述了在CVD反应器中温度导引的技术问题。
图2示出基座的俯视图，所述基座具有以六角形方式布置的多个插入孔3，向所述插入孔中能够分别插入一个定位元件12，从而使得在六个定位元件12之间构造一个基本上圆形的存放位置，分别用于一个圆形的衬底。图3示出根据图2中的剖切线III-III穿过基座得到的横剖图。根据所示，还设置了背侧的中空部7，所述中空部处于用于衬底11的每个存放位置的中心处。
图4至图8示出定位元件12第一实施例，所述定位元件能够插入到插入孔3中。定位元件12具有插入区段13，定位元件12利用所述插入区段能够固定在基座1上。为此，插入区段13插入到插入孔3中。插入孔3具有底部面4，所述底部面平行于支承面2延伸并且平面状地构造。此外，插入孔3还具有基本上垂直于支承面延伸的侧壁5。第一实施例的定位元件插入到插入孔3中，所述插入孔具有基本上三角形的平面投影，其中侧壁5由平面构成。
插入区段13具有三个面向外的贴放侧边17’，所述贴放侧边在定位元件12插入时与侧壁5形成接触式的贴靠。在第一实施例中贴放侧边17’由连接条17构造，所述连接条沿等边三角形的边延伸。在假想的等边三角形的角区域中设置了空穴21，从而使连接条17在周向上并不相互连接。连接条具有相互面对的内壁17”，从而在三个内壁17”之间形成中空部，其中，所述中空部通过空穴21与环境相连。由此在三角形的角区域中形成了穿流区，气体能够通过所述穿流区从底侧16与底部面4之间的中空部排出至过程室。
定位元件12此外还具有定位区段14。在插入区段13位于插入孔3中的插入状态下，定位区段14突伸出基座1的支承面2。定位区段14基本上由扁平体构造，所述扁平体形成扁平的顶侧和扁平的底侧16。如果插入区段13插入了插入孔3中，则连接条7如图4所示支撑在插入孔3的底部面4上。贴放侧边17’以接触式贴靠的方式分别位于侧壁5上。在面向底部4的底侧16与底部4之间构成了间距a，所述间距在附图4至8所示的实施例中较之插入孔3的深度更大，从而使齐平地邻接在底侧16上的边缘突出区段18以间距b在支承面2上方延伸。
由间距b构成的介于边缘突出区段18与插入孔3的边缘区段6’之间的空隙由此构成通风通道，以便由此通过空穴21对底侧16、底部4与内壁17”之间的中空部通风。
侧壁5的直线状的侧边缘和倒圆的角6分别在形成倒圆9的情况下过渡至支承面2。在倒圆区段6上邻接有边缘区段6’，所述边缘区段被边缘突出区段18搭接。在侧壁5上邻接有倒圆区段6，所述倒圆区段同样被边缘突出区段18搭接。边缘突出区段18的边缘在此形成定位侧边15，所述定位侧边在沿衬底11的边缘的弧线上延伸。
衬底支撑在支承凸起部8上，所述支承凸起部在两侧被沟槽环绕包边。用于衬底11的存放位置的底部10相对于衬底11的底侧具有间距，从而使衬底11悬空地或者说中空地位于底部10的上方。
定位元件12具有三重对称并且由被SiC覆层的石墨或由石墨制成。然而也可以由石英或其他合适的无机材料制成。连接条17的高度大于定位侧边15的高度。
定位元件12可以具有设有涂层的主体。该主体可以由以下材料制成：石墨(等静压细粒石墨)、SiC(通过CVD形成或烧结)AlN；Si3N4、BN、石英(例如纯石英玻璃,SiO2)；Al2O3结晶蓝宝石或细粒陶瓷、ZrO2(氧化锆)或氧化钛(氧化钇、尤其陶瓷)，所有上述材料的组合，耐火金属、例如Mo、W或碳化物、例如WC、SiC，其中碳化物可以通过CVD制备，或主体由以下材料制成：AlN(氮化铝)；c-BN(立方氮化硼)；TiN(氮化钛)或与AlN(氮化铝)的组合；(TiAlN)；TiC(碳化钛)或与TiN的组合；(TiCN)TaC(碳化钽)；WC(碳化钨)；Si3N4(氮化硅)；BN(氮化硼)；Al2O3(氧化铝)、ZrO2(氧化锆)或Y2O3(氧化钇)，其作为陶瓷材料或以与其他陶瓷材料组合的形式应用，如同例如在热障层的应用中那样。
图9所示的定位元件12的第二实施例同样具有插入到插入孔3中的插入区段13和从插入孔3中突伸出的定位区段14。后者(定位区段)构成定位侧边15，然而所述定位侧边齐平地过渡至连接条17的贴放侧边17’。而且在此底侧16和连接条17的内壁17”定义了插入孔的底部4上方的中空部。然而连接条17在该实施例中完全包围中空部，从而不存在空穴21。
图10所示的第三实施例基本上相当于图9所示的第二实施例，然而其中在各个肋条17之间留出用于通风的空穴21。
在图11所示的第四实施例中，在定位元件12的角区域中设置了连接条17，定位元件12能够利用连接条支撑在插入孔3的底部4上。如在第二或第三实施例中那样，在此定位侧边15的轮廓相当于贴放侧边17’的轮廓。底侧16相对于连接条17的支承面回缩地延伸，从而在底侧16与底部面4之间形成中空部。当定位元件12插入到插入孔3中时，在底侧16的边缘与侧壁5的倒圆的边棱之间形成空穴21。贴放侧边在该实施例中是倒圆的面。插入到插入孔3中的定位元件12的边缘突出区段18的底侧以垂直间距突伸出支承面2。
在图12所示的第五实施例中，底侧16可以安放在底部4上。然而底侧16也可以支撑在源自插入孔的底部4的台阶22上。边缘突出区段18设置在定位元件12的角区段的区域中，所述角区段突伸超出由基座1的支承面构成的边缘区段。
图13至23基本上示意性地示出其他实施例，其中，定位侧边可以具有如之前附图所示的走向。这些实施例也具有贴放侧边，定位元件12利用所述贴放侧边沿横向方向在插入孔3中位置固定。
图13示出第六实施例的剖视图，其中，定位元件12的边缘的连接条17支撑在插入孔3的底部4上。而且在此插入孔3的轮廓(Umrisskontur)与从插入孔3突伸出的定位区段14的边缘的轮廓相同，其中，定位区段在此还可以具有图12所示的边缘突出区段18。
在图14所示的第七实施中，插入孔3构成沿侧壁5延伸的凸起部或台阶22，定位元件12的底侧16可以支撑在所述凸起部或台阶上，从而使底侧16的中央区段相对于底部4具有间距。而且在该实施例中底侧1与底部4之间的间隙构成用于容纳气体的自由中空部。
在图15所示的第八实施例中，定位元件12的平面状的底侧16同样支撑在台阶22上。然而台阶22在此构造为肋条，并且相对于侧壁5保持间距地布置。设有多个肋条22，所述肋条相互间隔。
在图16所示的第九实施例中，定位元件12的连接条17支撑在底部4上。然而所述底侧16隆起并且在隆起顶峰中具有相对于底部4的最大间距。然而在一种变型方案中，也可以以反方向实现隆起，从而使隆起的顶峰支撑在底部4上。然而与底侧16的围绕顶峰的区域相比，顶峰可以具有相对于底部4更小的间距。
在图17所示的第十实施例中，插入孔3的底部4隆起。隆起在此延伸进插入孔3中，从而使底侧16的中央区段能够支撑在底部4的隆起的顶峰上。而且在此可以规定，底部4的隆起从插入孔3向外延伸，从而使底侧16与底部4之间的中空部在底部的顶峰区域中是最大的。可以设置额外的连接条或凸起部，定位元件12利用所述连接条或凸起部支撑，从而使底部的顶峰与底侧16保持间距。
在图18所示的第十一实施例中，定位元件12的底侧16与底部4之间的间隙被实体20填充，所述实体具有热绝缘的性质。实体20的导热性既不同于基座1的导热性能也不同于定位元件12的导热性能。优选地，实体20具有比基座1和/或定位元件12更低的导热性能。
图19所示的第十二实施例示出定位元件12，所述定位元件布置在两个衬底11之间的区域中，其中，衬底11支撑在支承凸起部8上。定位元件12在该实施例中是扁平体，所述扁平体局部突伸进插入孔3中，由此能够利用贴放侧边支撑在侧壁5上。借助从底部4升高的凸起部24，定位元件12的底侧16相对于底部4保持间距地固持。定位元件12在此可以具有棱柱的形状。凸起部24可以被沟槽环绕包边。
在图20所示的作为图19所示第十二实施例的改进方案的第十三实施例中，定位元件12构成环绕的台阶，所述台阶形成边缘突出部18，所述边缘突出部在基座1的支承面2上方保持间距地延伸。
图21所示的第十四实施例示出了定位元件12，所述定位元件带有多个从底部4突伸出的凸起部24，衬底放置在所述凸起部上。与图19和20所示的实施例(其中凸起部24形成倒圆的贴放区，并且凸起部24的侧壁相互倾斜地延伸)不同，第十四实施例的凸起部24具有平面状的贴放区和相互平行延伸的侧向侧边。
图22所示的第十五实施例示出定位元件12，所述定位元件支撑在插入孔3的底部4上，凸起部23从定位元件12的底侧16突伸。定位元件12具有边缘突出区段18，所述边缘突出区段在定位元件12的整个横向的平面投影上延伸。然而也设置了备选的实施方式，其中，定位元件12不具有边缘突出区段18，如例如在第十二和第十四实施例中的定位元件12的情况。
图23所示的第十六实施例示出插入孔3的底部4，所述底部具有多个凸起部24，定位元件12的平面状的底侧16可以支撑在所述凸起部上。定位元件12可以如图21所示不具有边缘突出区段18。然而也可以类似于图22所示的实施例具有边缘突出区段18。若干个凸起部24直接邻接在侧壁5上。
在附图中以附图标记23和24标注的凸起部可以设计为肋条或条带。然而也可以涉及单独的、例如棋盘状布置的凸起部。其横截面可以是多边形的或被倒圆。
图24示出本发明第十七实施例，其中，连接条17布置在规则的五角形的边线上。在各个连接条17中间留出空穴21。在此尤其设置了底座25，所述底座从定位元件12的底侧16、在中央的区域中突出，并且由此略微减少在插入孔3的中央的区域中在底侧16与底部面4之间的间距。底座25的侧壁相对于连接条17的内壁间隔。底侧16与底部面4之间的中空部由此在其中央区域中具有比在邻接连接条17的边缘区域中更小的高度。边缘突出区段18突伸高出侧壁5的边缘，从而在边缘突出区段18与支承面2之间形成了包围插入孔3的间隙孔。
图26示出本发明第十八实施例，其中，连接条17布置在正方形的边线上。而且在此在角顶点处还具有空穴21，从而使得四个连接条17并不互相连接。尤其在该正方形的定位元件12中同样在底侧16的区域中设置了中央的底座25，所述底座在该处减少了底侧16与底部面4之间的净间距。
图27至30示出了根据本发明的其他实施例，其中，插在插入孔3中的插入区段13的平面投影面积大于从插入孔3中突伸出的具有定位侧边15的定位区段14的平面投影面积。这形成了从下方抓住衬底11的边缘的边缘反扣区段26。
在图27所示的第十九实施例中，定位侧边15在圆弧线或近似圆弧线上延伸，并且插入孔3的边棱在相对于定位侧边15的割线上延伸。从插入孔3中突伸出的边缘反扣区段26分别承载肋条8，所述肋条利用其顶峰面形成承载区27，衬底11的边缘区段安放在所述承载区上。从定位元件12的底侧突伸出凸起部23，定位元件12利用所述凸起部支撑在底部面4上，从而调整上述间距a。
在图28中示出的第二十实施例与第十九实施例的区别在于，插入区段13的底侧16不具有凸起部，而是基本上通过面状贴靠
Figure GDA0002703570540000121
安放在底部面4上。然而在此也规定了未示出的变型方案，即，底部面4具有结构元件，或底侧16具有结构元件，从而在定位元件12与基座之间、尤其在定位元件12的底侧16与插入孔3的底部面4之间形成一个或多个空腔，所述空腔能够容纳介质，所述介质具有比基座1或定位元件12低的导热性能。
在图29所示的第二十一实施例中，衬底11的边缘通过面状贴靠支承在平面状的承载区27上。
图30所示的第二十二实施例具有同样在图27所示的第十九实施例中所具有的所有元件。然而在此凸起部23或支承凸起部8被沟槽环绕包边。
图31至图34示出基座的第二十三实施方式。基座1具有基本上圆形的平面投影和平面状的支承面2。在支承面2中布置了多个、尤其四个插入孔3，在所述插入孔中能够分别插入一个定位元件12，以便将三个衬底11在支承面2中固持定位。
在图35至37中示出定位元件。所述定位元件由SiC制成并且具有扁平体的设计。
插入孔3具有相对于支承面2平行延伸的底部4。形成凸起部24的台阶分别沿着插入孔3的侧壁5延伸。凸起部24具有平行于底部4的面或支承面2延伸的承载面，定位元件的底侧16支撑在所述承载面上。底侧16构成平面。定位元件12仅边缘支撑地位于插入孔3中并且具有从插入孔3突伸高出支承面2的区段，从而使衬底11能够贴放在定位侧边15上。插入孔3的总深度大约为1200μm。凸起部24的高度约为200μm，从而使定位元件12没入到插入孔3中约1mm。凸起部24的高度规定了构造于底侧16与底部4之间的空腔28的高度。空腔28通过插入孔3的在倒圆的角6的区域中无凸起部地延伸的壁部并且通过沿弯曲侧壁5延伸的凸起部24的侧壁形成其侧向边界。
图38和39示出第二十四实施例。基座可以具有与图2或31中所示基座基本上相同的设计。插入到插入孔3中的定位元件12具有图35至37所示的设计。
与第二十三实施例(其中定位元件12利用边缘区域支撑在凸起部24上)不同，定位元件12在第二十四实施例中利用其倒圆的角区域支撑在凸起部24上。凸起部24在此布置在倒圆的角6的区域中。在插入孔3的壁部5与由凸起部2构成的承载面之间延伸有凹槽29。多个凸起部24的承载面在一个共同的平面中延伸，从而如在第二十三实施例中，定位元件12的底侧16面状地支撑在凸起部24上。而且凸起部24的侧壁和插入孔3的侧壁在此限定了布置在底侧16与底部4之间的空腔。
在所述实施例中，空腔28可以具有向外的流体连接，从而使空腔当内里布置有基座1的CVD反应器运行时被气体填充。在CVD反应器抽真空时空腔28被一同抽真空。为了形成穿流通道，定位元件12的侧壁可以相对于插入孔3的侧壁略微间隔，从而形成间隙。通过该间隙能够实现气体交换。
在一种变型方案中规定，空腔28被材料填充，所述材料具有与基座1或定位元件12不同的导热性能。
上述实施方式用于阐述全部包含在本申请中的发明，本发明至少通过以下技术特征分别对现有技术进行创造性的改进，也即：
一种基座，其特征在于，在底部4与底侧16之间的区域中形成空腔28。
一种基座，其特征在于，边缘突出区段18以不等于零的间距b突伸超出支承面2的区段9、6以形成空隙。
一种基座，其特征在于，底侧16的至少一个支撑段支撑在底部4的承载区段上，并且底部4的至少一个区段相对于底侧16的区段具有不等于零的间距a。
一种基座，其特征在于，通过定位元件12的基本上平面状的底侧16形成支撑段，并且通过插入孔3的底部4的凸起部24或台阶22形成承载区段。
一种基座，其特征在于，布置在底部4与底侧16之间的实体20由导热性能不同的材料制成。
一种基座，其特征在于，在侧壁5与插入孔3的凸起部24或台阶22之间或在形成贴放区17’的连接条17的一个或多个内壁17”之间布置有空腔28。
一种基座，其特征在于，插入孔3具有多边形的平面投影，其中，多边形角被倒圆。
一种基座，其特征在于，在一个或多个支撑段或一个或多个承载区段之间布置有一个或多个空穴21，或者侧壁5在支承面2的延展平面中曲线状或直线状地延伸，在所述侧壁上贴放有曲线状或直线状延伸的、由贴放区构成的贴放侧边17’。
一种基座，其特征在于，定位元件12的连接条17支撑在底部4上。
一种基座，其特征在于，定位元件12支撑在插入孔3的台阶22或凸起部24上。
一种基座，其特征在于，底部4具有平面状的底部面或弯曲的底部面。
一种基座，其特征在于，底侧16具有平面状的底侧面或弯曲的底侧面。
一种基座，其特征在于，从底侧16突伸出的凸起部23，定位元件12利用所述凸起部支撑在底部4上。
一种基座，其特征在于，在多个连接条17之间的区域中从底侧16突伸出的底座25。
一种基座，其特征在于，插入孔3的平面投影完全被定位元件12的边缘突出区段18覆盖。
一种基座，其特征在于，突伸进插入孔3中的插入区段13的边缘反扣区段26形成用于贴放衬底11的边缘的承载区27。
一种基座，其特征在于，承载区27具有支承凸起部8，衬底11的边缘安放在所述支承凸起部上。
所有的公开的技术特征(本身，或者以不同组合方式)都具有创造性。在本申请的公开文件中还将所属/所附优先权文件(在先申请文本)的公开内容全部包含，而且为此目的还将该文件的特征包含在本申请的权利要求中。从属权利要求以其特征表征了对现有技术的独有的创造性的改进方案，尤其用于基于这些权利要求进行分案申请。
附图标记清单
1 基座
2 贴放面
3 插入孔
4 底部面
5 侧壁
6 倒圆的角
6’ 边缘区段
7 中空部
8 支承凸起部/肋条
9 圆形的边棱
10 底部
11 衬底
12 定位元件
13 插入区段
14 定位区段
15 定位侧边
16 底侧
17 连接条
17’ 贴放侧边，贴放区
17” 内壁
18 边缘突出区段
19 倒圆的角
20 实体
21 空穴
22 台阶
23 凸起部
24 凸起部
25 底座
26 边缘反扣区段
27 承载区
28 空腔
29 凹槽
a 间距
b 间距

Claims (17)

1.一种用于CVD反应器的基座(1)，所述基座带有布置在支承面(2)中的插入孔(3)，定位元件(12)的插入区段(13)分别插入到所述插入孔(3)中，所述定位元件(12)利用从插入孔(3)中突伸出的区段(14)形成定位侧边(15)，以对衬底(11)进行位置固定，其中，插入孔(3)具有侧壁(5)和底部(4)，并且插入区段(13)具有贴靠在侧壁(5)上的贴放区(17’)和面向底部(4)的底侧(16)，其特征在于，在底部(4)与底侧(16)之间的区域中构造有空腔(28)。
2.一种用于CVD反应器的基座，所述基座带有布置在支承面(2)中的插入孔(3)，定位元件(12)的插入区段(13)分别插入到所述插入孔(3)中，所述定位元件(12)利用从插入孔(3)中突伸出的区段(14)形成定位侧边(15)，以对衬底(11)进行位置固定，其中，插入孔(3)具有侧壁(5)和底部(4)，并且插入区段(13)具有贴靠在侧壁(5)上的贴放区(17’)和面向底部(4)的底侧(16)，其中，从插入孔(3)中突伸出的区段(14)的形成定位侧边(15)的边缘突出区段(18)突伸超出支承面(2)的与插入孔(3)的边缘邻接的区段(9、6’)，其特征在于，边缘突出区段(18)以不等于零的间距(b)突伸超出支承面(2)的区段(9、6)以形成空隙。
3.根据权利要求1或2所述的基座，其特征在于，底侧(16)的至少一个支撑段支撑在底部(4)的承载区段上，并且底部(4)的至少一个区段相对于底侧(16)的区段具有不等于零的间距(a)。
4.根据权利要求3所述的基座，其特征在于，定位元件(12)的基本上平面状的底侧(16)形成支撑段，并且插入孔(3)的底部(4)的凸起部(24)或台阶(22)形成承载区段。
5.根据权利要求1所述的基座，其特征在于，在空腔(28)中布置在底部(4)与底侧(16)之间的实体(20)，所述实体由导热性能不同于定位元件(12)或基座(1)的材料制成。
6.根据权利要求1所述的基座，其特征在于，在侧壁(5)与插入孔(3)的凸起部(24)或台阶(22)之间或在形成贴放区(17’)的连接条(17)的一个或多个内壁(17”)之间布置有空腔(28)。
7.根据权利要求1或2所述的基座，其特征在于，插入孔(3)具有多边形的平面投影，其中，多边形角被倒圆。
8.根据权利要求3所述的基座，其特征在于，布置在一个或多个支撑段或一个或多个承载区段之间的一个或多个空穴(21)，或者在支承面(2)的延展平面中曲线状或直线状地延伸的侧壁(5)，在所述侧壁上贴放有曲线状或直线状延伸的、由贴放区构成的贴放侧边(17’)。
9.根据权利要求6所述的基座，其特征在于，定位元件(12)的连接条(17)支撑在底部(4)上。
10.根据权利要求1或2所述的基座，其特征在于，定位元件(12)支撑在插入孔(3)的台阶(22)或凸起部(24)上。
11.根据权利要求1或2所述的基座，其特征在于，底部(4)具有平面状的底部面或弯曲的底部面。
12.根据权利要求1或2所述的基座，其特征在于，底侧(16)具有平面状的底侧面或弯曲的底侧面。
13.根据权利要求1或2所述的基座，其特征在于从底侧(16)突伸出的凸起部(23)，定位元件(12)利用所述凸起部支撑在底部(4)上。
14.根据权利要求1或2所述的基座，其特征在于在多个连接条(17)之间的区域中从底侧(16)突伸出的底座(25)。
15.根据权利要求1或2所述的基座，其特征在于，插入孔(3)的平面投影完全被定位元件(12)的边缘突出区段(18)覆盖。
16.一种用于CVD反应器的基座(1)，所述基座带有布置在支承面(2)中的插入孔(3)，定位元件(12)的插入区段(13)分别插入到所述插入孔(3)中，所述定位元件(12)利用从插入孔(3)中突伸出的区段(14)形成定位侧边(15)，其中，用于衬底(11)的存放位置在多个定位元件(12)之间延伸，并且在定位元件(12)的定位侧边(15)上贴放相互不同的衬底(11)，所述衬底分别中空地放置在介于定位元件(12)之间延伸的存放位置的第一底部(10)上方，其中，插入孔(3)具有侧壁(5)和第二底部(4)，并且插入区段(13)具有贴靠在侧壁(5)上的贴放区(17’)和面向第二底部(4)的底侧(16)，其特征在于，突伸进插入孔(3)中的插入区段(13)的边缘反扣区段(26)形成用于支承衬底(11)的边缘的承载区(27)。
17.根据权利要求16所述的基座，其特征在于，承载区(27)具有支承凸起部(8)，衬底(11)的边缘安放在所述支承凸起部上。
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