CN110536976B - 运输环 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种用于运输基片的设备，所述基片是至少部分围绕环形开口的环形体(1)的形状，所述环形体具有相对于环形开口径向向外突伸的第一部段(2)和径向向内突伸的第二部段(3)，其中，这些部段(2、3)分别具有热传递特性，其导致在相对于环形开口的平面的面法向存在轴向温度差时出现从相应的下宽侧面至相应的上宽侧面的经由所述部段的轴向的热传递。所述第一部段(2)的至少一种热传递特性与所述第二部段(3)的热传递特性不同，使得沿轴向在所述第一部段(2)中流过单位面积的热量小于在所述第二部段(3)中流过单位面积的热量，其中，热传递特性是这些部段(2、3)的至少一个沿轴向指向的表面的单位导热能力或辐射率。

Description

运输环
技术领域
本发明涉及一种用于运输基片的设备，所述设备呈至少部分围绕环形开口的环形体的形式，所述环形体具有相对于环形开口径向向外突伸的第一部段和径向向内突伸的第二部段，其中，这些部段分别具有第一和第二比热传递特性，所述第一和第二比热传递特性在相对于环形开口的平面的面法向存在轴向温度差时确定了经由所述部段的轴向的热传递。
背景技术
由文献WO 2012/096466 A2已知一种CVD(化学气相沉积)反应器，其中，基座可转动地安置在反应室内，在基座上布置有多个基片支架。基片支架贴靠在从下方被加热的基座的向上指向的宽侧上，从而形成温度传递的面状接触。在基片支架的向上指向的宽侧上布置有基片、尤其半导体基片，其通过输入到布置在基座上方的处理室内的处理气体被覆层。为了自动化地在基片支架上侧上放置基片并且为了从基片支架上侧上再次移除基片，设有抓取件，该抓取件具有两个抓取臂，抓取臂从下方抓取运输环的边缘，运输环放置在基片支架的环形阶梯上并且通过径向向内指向的部段从下方抓取基片的外侧边缘。运输环的径向外侧指向的部段突伸超出基片支架的确定侧面边缘的侧面，使得运输环的向外指向的部段可以被抓取件的两个抓取臂从下方抓取。
覆层过程在处理室中实现，处理室的上壁被冷却，使得在被加热的基座和处理室盖板之间形成巨大的温度梯度。温度梯度导致从基座至处理室盖板的热流，其中，由于大于500摄氏度、在一些处理过程中也大于1000摄氏度的较高的基座温度，通过热辐射和经由基片支架以及放置在基片支架上的基片也通过导热实现热流。
在文献DE 10 2004 058 521 A1中描述了一种类似的设备。但是在此，基片没有放置在运输环的第二部段上。然而运输环支承着多个径向向内突伸的、环形的支撑件，基片的外边缘支承在支撑件上。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是，如此改进运输环，使得沉积在基片上的层获得更高的横向的均匀性。
模型计算获得的结果是，在运输环在CVD反应器内的传统的布置方式中，用于放置在抓取件的抓取臂上的、径向向外指向的第一部段被加热到比用于从下方抓握基片的边缘的、径向向内突伸的第二部段更低的温度。构成的运输环的主体的导热能力使得热量从第二部段流向第一部段，这导致，基片的边缘区域具有比基片的中央区域更低的表面温度，基片布置在基片支架的向上指向的宽侧面的上面并且尤其接触地放置在宽侧面上。由于该温度差，在边缘区域存在与在中央区域中不同的生长条件，这导致，沉积在基片上的层的化学计量的成分，该层的厚度或者层的掺杂物至少在边缘区域中具有非均匀性。在运输环上一方面要求在支承基片的元件的区域内具有较高的导热能力，由此由基座提供的热量穿过基片支架和运输环流到基片的边缘，使得基片的边缘被加热到相同的温度，基片的中央区域也被加热到该温度。另一方面，从运输环的支承基片的边缘的部段向运输环的用于放置在抓取件上的部段的热量损失被最小化。
按照本发明，主体的多个部段具有不同的热传递特性。从假想的轴线开始来定义间距，所述轴线沿环形开口的被主体至少部分围绕的平面的面法线的方向延伸。用于由抓取件的抓取臂从下方抓取的第一部段按照本发明是径向向外突伸的部段。在尤其构成厚度减小的阶梯的第二部段上放置基片的边缘，所述第二部段按照本发明是径向向内突伸的部段。经由主体的热传递沿轴向实现，即从主体的向下指向的宽侧朝着主体的向上指向处理室盖板的宽侧面的方向。热传递特性尤其可以是这些部段的比导热能力或者这些部段的表面的辐射率。按照本发明，在第一部段和第二部段中的至少一种热传递特性如此不同，使得在第一部段中沿轴向流过单位面积的热量小于在第二部段中沿轴向流过单位面积的热量。由此，径向向外布置的第一部段具有比贴靠地支撑在基片的边缘上的第二部段更大的热阻性。备选地或者与之相结合地，第一部段的表面的辐射率可以小于第二部段的辐射率。构成运输环的主体可以是环件。环形体可以构成封闭的环或开放的环。第一部段可以直接与第二部段邻接。第一部段和第二部段之间的边界可以在基片支架的环形阶梯的区域内延伸，环形体放置在环形阶梯上。但是，所述边界也可以直接位于基片支架的边缘的上方、即侧面的上方。但是，所述边界也可以位于环形体的区域内，所述环形体沿径向向外的方向突伸超出基片支架的边缘。在本发明的改进方案中规定，第一部段不直接邻接第二部段，而是有中间段在第一部段和第二部段之间延伸。第三部段可以具有与第二部段(即基片通过其边缘所放置的部段上)所具有的相同的热传递特性、即尤其具有相同的热阻性。在第一部段和第三部段之间的边界可以处于在基片支架的环形阶梯上。基片支架可以处于在环形阶梯的边缘上或者在环形阶梯的径向外侧。第一部段朝径向外侧的方向优选完全突伸超出基片支架。由此，第一部段悬空地突伸超出基片支架的侧面，使得第一部段被基座的表面辐射加热。相对于现有技术，按照本发明的运输环的设计方案避免了能量以热量的形式从环形体外移。前述的冷却效果由此被降低，使得基片的边缘温度不那么剧烈地偏离基片的中央温度。降低的导热能力导致较少的热量从通过与基片支架接触而被加热的第二部段流向第一区域，在该第一区域中热量基本上通过辐射或通过导热借助位于处理室内的气体被导出。尤其规定，第一部段的向上指向的宽侧面具有较低的辐射率，这也避免通过辐射朝被冷却的处理室盖板的方向的能量输出。环形件是一种用于借助抓取件手动操作基片的器件，所述环形件优选由多个部分接合而成，其中，这些部件具有不同的导热能力或者这些部件的表面具有不同的辐射率。优选地，第一部段由一个环形元件构成或者由多个环形元件构成，这些环形元件具有较低的单位导热能力。径向外侧的部段因此具有由石英、氧化锆或其它材料构成的一个或多个环形元件，使得径向外侧部段的材料与径向向内突伸的部段的材料相比具有较低的单位导热能力。径向向内突伸的部段可以构成基体，所述基体具有较高的单位导热能力。所述基体可以由石墨、碳化硅或其它导热性较好的材料构成。不同的辐射率不仅可以确定材料选择。还可以使这些部段的表面被不同地覆层。还规定，尤其第一部段具有反射元件。所述反射元件可以是金属条，该金属条向外被封装，其中，通过透明材料可以实现封装。第一部段可以通过由透明材料制成的和/或具有较低的导热能力的一个或多个环形元件构成。环形元件封装反射层，其中，所述反射层可以是金属层。第一部段的表面的辐射率可以小于0.3。第二部段和/或第三部段的表面的辐射率大于0.3。在此重要的是朝向处理室盖板的表面。单位导热能力可以相差10。第二部段的单位导热能力优选是第一部段的单位导热能力的至少10倍。在本发明的优选的变形方案中规定，由较好的导热材料、例如石墨或氧化锆构成的基体在环形体的整个径向宽度上延伸。由此，基体构成第二部段。所述基体构成第一部段的支承段，具有较低导热能力和/或较高反射率的环形元件布置在第一部段上。第一部段和第三部段一同构成朝向处理室盖板的表面。第一部段同样构成朝向处理室盖板的表面，其中，第一部段的表面优选至少是第三部段的表面的两倍大。第三部段和第二部段之间的边界可以在放置区域的限界面的区域内，基片的边缘放置在放置区域内。第三部段因此优选具有沿轴向比第二部段更大尺寸的厚度，其中，第一部段优选具有与第三部段一样的轴向厚度。但是，第一和第三部段在其热阻性方面是不同的。在本发明的优选设计方案中，环形体由多个环形的部件构成，所述环形的部件优选仅在径向外侧的区域内相叠地布置。这些部件可以具有不同的导热能力。但是也规定，环形体由多个环形元件构成，其中，在环形的元件之间设有间隙。按照本发明通过间隔件定义间隙高度。在此，环形件也优选仅在径向外侧区域内设置。间隔件可以是凸起，所述凸起从环形元件的宽侧面突伸出。但是，凸起也可以从基体的宽侧面突伸出，使得环形元件支承在凸起上。所述凸起优选是半球形的隆起。所述凸起可以材料统一地由基体或环形元件构造。
附图说明
以下结合实施例进一步阐述本发明。在附图中：
图1示出在CVD反应器中在基座装置上的俯视示意图，
图2示出沿图1中的剖切线II-II剖切所得的剖视图，
图3示出第二实施例的根据图2的视图，
图4示出第三实施例的根据图3的视图，
图5示出根据图3的本发明的第四实施例，
图6示出根据图4的第五实施例。
具体实施方式
本发明涉及一种用于在基片11上沉积结晶层或非结晶层、尤其半导体层的设备，所述基片通过其底侧放置在基片支架12的放置面13上。圆盘形状的基片支架12的下方的宽侧面14接触地贴靠在基座16的向上指向的表面17上，通过未示出的加热件从下方加热所述基座。
处理室位于基片11的上方，在处理室中借助未示出的进气机构输入处理气体，所述处理气体或者在处理室中或者在被加热的基片11的表面上发生热解。热解产物相互反应并且构成尤其结晶层，该结晶层可以由两种、三种或多种组分构成。
所述处理室向上由处理室盖板19限定边界，所述处理室盖板通过未示出的冷却件被冷却。
基座温度Ts在500摄氏度至1000摄氏度之间。处理室盖板19的温度Tc在100摄氏度至300摄氏度的范围内。由于该温度差，在基座16的上侧17和处理室盖板19之间形成垂直的温度梯度，该温度梯度使得基座16的热量流向处理室盖板19。这一方面通过热辐射，但也通过经由基片支架12的导热实现，所述基片支架12由较好导热性的材料、例如石墨构成。
图1示出处理室的底板的俯视图。在未被图1示出的、从下方加热的基座16上放置多个、同样未示出的具有圆盘形状的基片支架12。在同样未被图1示出的、构成支承面的环形阶梯15上分别放置有环形体1，所述环形体构成运输环。各个基片支架12被中间件21、22围绕，所述中间件填充各个基片支架12之间的面并且由较好导热性的材料、例如石墨制成。
在中间件22中针对每个基片支架12或运输环1分别设有两个基本上径向且彼此平行延伸的通道23，未示出的抓取件的臂部通过所述通道可以从下方抓取环形体1的第一部段2的下方的宽侧面，以便抬起环形体1。在环形体1的径向向内突伸的第二部段3上放置有基片11的边缘，从而通过抬起环形体1可以使基片11远离基片支架12。
图2示出运输环1的第一实施例，其具有第一部段2，所述第一部段相对于穿过运输环1的开口平面延伸的轴线是径向外侧的部段2。径向外侧的部段2具有指向处理室盖板19的上方的宽侧面4和指向基座16的下方的宽侧面6，其中，下方的宽侧面6直接与基座16的上侧17相对置并且由此接收由基座16发出的热辐射。热量Q1沿轴向穿流第一部段2并且基本上通过热辐射从上方的宽侧面4朝向处理室盖板19的方向发散。
径向向内突伸的第二部段3具有比第一部段2更小的径向厚度。第二部段3具有向下指向的宽侧面7，第二部段3通过所述宽侧面7放置在基片支架12的向上指向的环形阶梯15上。在构成放置面5的、向上指向的宽侧面上放置有基片11的边缘。
基片11通过经由基片支架12的导热并且通过经由放置面13的导热被加热到处理室温度。基片11的边缘通过经由第二部段3的热流Q2被加热，即通过从宽侧面7至放置面5的热流被加热。从基座16至第一部段2的热传递小于从基座16至第二部段3的热传递，从而产生一种趋向，使得热量从第二部段3流向第一部段2，所述热量通过从宽侧面4至处理室盖板19的热辐射被辐射出。为了避免在运输环1内部的垂直和径向的热流规定，第二部段3的导热性大于第一部段2的导热性。
第二部段3可以直接地邻接第一部段2。
然而在图2所示的实施例中，在第一部段2和第二部段3之间设有第三部段8。所述第三部段8具有向上指向的宽侧面9，所述宽侧面9与宽侧面4齐平地邻接。第三部段8的向下指向的宽侧面10与第一部段2的宽侧面6齐平地邻接。
第二部段3在垂直的限界面20的区域内与第三部段8邻接，所述限界面围绕第二部段3的厚度减小的区域。所述限界面20构成阶梯。
第二部段3的材料特性基本上与第三部段8的材料特性相同。第一部段2的材料特性与第二部段3的材料特性的不同在于，第一部段2的热阻大于第二部段3的热阻。尤其规定，第二部段3的导热性和必要时第三部段8的导热性大于第二部段2的导热性。第一部段2和第二部段3以及第三部段8可以由不同的材料制造。环形体1可以由多个部分组成。这些部分可以相互形状接合地或摩擦接合地相连。但是这些部段也可以相互烧结。这可以也涉及多件体。
在图2所示的实施例中，第一部段2和第三部段8之间的边界以及第三部段8和第二部段3之间的边界位于基片支架12的环形阶梯15的上方。
向上指向的宽侧面4、9和5以及向下指向的宽侧面6、10和7具有针对红外线的辐射能力和针对红外线的反射能力。但是，配属于第一部段2的表面4、6的辐射能力、至少向上指向的宽侧面4的辐射能力小于配属于第二部段3的宽侧面4、7和配属于第三部段8的宽侧面9、10的辐射能力，其中，至少向上指向的宽侧面5的辐射能力大于向上指向的宽侧面4的辐射能力。相应地，宽侧面4、6具有比宽侧面5和7以及9和10更高的反射能力。
但是足够的是，热传递特性、导热能力、辐射能力或反射能力中的至少一种不同。
图3示出本发明的第二实施例，其中，环形体1构成基体24，所述基体24材料统一地构成第二部段、第三部段和第一部段的下部区域。第二部段3与第三部段8的不同基本在于，第三部段的轴向厚度大于第二部段3的轴向厚度，使得放置面5与垂直阶梯20邻接，所述垂直阶梯20过渡到第三部段8的上方的宽侧面9。下方的宽侧面7、6相互平齐地过渡。
在基体24的区域上布置有由透明材料构成的环形件25、26。所述环形件25、26可以由石英构成。所述环形件具有比基体24的材料更低的导热性，所述基体可以是石墨。
在两个环形件25、26之间布置有反射体。所述反射体在此可以是金属薄膜，其封装在两个环形件25、26之间。
金属薄膜27使得第一部段2或者说第一部段2的指向处理室盖板的宽侧面4较之第二部段3或第三部段8的向上指向的宽侧面9或5具有更高的反射率，并且由此具有更低的辐射率。
在图4所示的第三实施例中，基体24构成一直指向运输环1的径向外侧边缘的凸起，所述凸起同样如在图3所示的实施例中的凸起一样构成向上指向的放置面，所述放置面在放置面5的高度上延伸并且通过第三部段8的环形的接板相对于放置面5分离。
在第一部段2的放置面上在此放置有单个的环形体。这涉及由具有较低导热性的材料构成的环形件25。
尤其规定，运输环1的表面和尤其指向冷却的处理室的表面具有不同的辐射率。位于径向外侧的宽侧面具有较低的辐射率并且由此具有较高的反射率。反之，径向内侧的宽侧面具有较低的反射率和较高的辐射率。为了达到稳定的热学特性，表面的辐射率或者说表面涂层的辐射率不应由于化学反应或者伴随的沉积作用而被改变。这通过使用环形件实现，所述环形件由具有较低导热性的透明材料、例如石英玻璃构成。在环形体中嵌入实施反射的、尤其金属的层，所述层在所有侧面被保护该层的透明的材料围绕。反射率应大于60％。
尤其规定，在由较低导热性材料构成的环形件和放置面5之间布置有环形的接板，所述接板具有较高的导热性、即较低的比热阻。由此确保基片的边缘区域内的温度升高并且基片从肋条开始也在侧面被加热。构成第三部段8的肋条通过导热在环形阶梯15上被加热。第一部段2的表面应至少恰好与第三部段8的表面一样大，其中，构成第三部段8的环形接板的径向宽度至少应等于0.5mm。
在图2至4中示出基片支架12，其基本上在基座16上放置。但是，基片支架12也可以置入基座16的凹部中。此外可行的是，基片支架12可转动地配属于基座16。例如，在基片支架12的宽侧面14的下方可以连通排气通道，冲洗气体通过该排气通道被引入基片支架12和基座16之间的间隙中，所述间隙构成气垫，基片支架12处于所述气垫上。可以通过冲洗气体的适当的流动方向促使基片支架12转动。
图5示出与图3中所示的类似的实施例。基体24构成径向向外布置的放置面，所述放置面基本上是水平面。在该放置面上布置有第一环形件25。所述第一环形件25可以由与构成基体24的材料相同的材料构成。在第一环形件25上支承有第二环形件26。所述第二环形件26可以由与构成基体24的材料相同的材料构成。在基体24和直接放置在基体上的第一环形件25之间延伸有间隙29。所述间隙29的间隙高度通过间隔件28定义。所述件隔间28是各个隆起，所述隆起源自于两个宽侧面的其中之一，在两个宽侧面之间延伸有间隙29。
在该实施例中，间隔件28是第一环形件25的各个半球形的隆起，在所述第一环形件上放置有第二环形件26。在设备运行时，间隙29作为热流隔绝间隙。
在第四实施例的未示出的变型方案中，可以设有附加的间隔件，以便在第一环形件25和第二环形件26之间构成第二间隙。
在图6中所示的第五实施例基本上相当于在图4中示出的第三实施例。在基体24的水平面上在径向外侧的区域内支承着环形件25，所述环形件25可以由也构成基体24的材料构成。但是，基体24和环形件25的材料也可以是彼此不同的。间隙29主要位于环形件25的下方的宽侧面和基体24的上方的宽侧面之间。间隙29的间隙高度通过间隔件28定义。在图6所示的实施例中，间隔件28由环形件25构成。这涉及向下指向的宽侧面的凸结形状的隆起。凸结在此也可以具有半球形状。
上述实施方式用于阐述在申请中整体包含的发明，该发明至少通过以下特征组合分别独立地扩展了现有技术，其中，两个、多个或所有的特征组合也可以相组合，即：
一种设备，其特征在于，所述第一部段2的至少一种热传递特性与所述第二部段3的热传递特性不同，使得沿轴向在所述第一部段2中流过单位面积的热量小于在所述第二部段3中流过单位面积的热量。
一种设备，其特征在于，所述热传递特性是所述部段的比导热能力，其中，所述第一部段2的单位导热能力小于所述第二部段3。
一种设备，其特征在于，所述热传递特性是所述部段2、3的至少一个沿轴向指向的表面的辐射率，其中，所述第一部段2的表面的辐射率小于所述第二部段3的表面的辐射率。
一种设备，其特征在于，在所述第一部段2和第二部段3之间安置有第三部段8，所述第三部段的热传递特性基片上相当于第二部段3的热传递特性。
一种设备，其特征在于，所述第二部段3和必要时所述第三部段8放置在所述基片支架12的环形阶梯15上。
一种设备，其特征在于，所述基片支架12由从下方被加热的基座16支承，并且所述第一部段2悬空地突伸超出基片支架12的侧面18。
一种设备，其特征在于，所述环形体1由多个彼此相连的元件24、25、26构成，这些元件具有彼此不同的比热传递特性和/或借助间隔件(28)彼此间隔。
一种设备，其特征在于，一个或多个配属于第一部段2的环形件25、26具有较小的比导热能力并且尤其由石英或氧化锆构成，并且至少配属于第二部段的基体24具有较高的比导热能力并且由此由石墨或碳化硅构成。
一种设备，其特征在于，所述表面的彼此不同的辐射率通过彼此不同的表面涂层或通过至少一个反射件27确定。
一种设备，其特征在于，一个或多个配属于第一部段2的环形件25、26由具有较低导热能力的透明材料构成，在该材料封装入反射层27、尤其金属层。
一种设备，其特征在于，所述第二部段3的比导热能力比是所述第一部段2的比导热能力的至少十倍大，和/或所述第一部段2的表面4的辐射率小于0.3，并且所述第二部段3和/或第三部段8的表面5、9的辐射率大于0.3。
一种设备，其特征在于，所述环形体1由在第一部段2和第二部段3上延伸的基体24构成，其中，所述第一部段2具有至少一个环形件25、26，所述环形件具有与基体24不同的热传递特性。
一种设备，其特征在于，所述第一部段2和第三部段8分别具有朝向处理室盖板19的表面4、9，其中，所述第一部段2的表面4是所述第三部段8的表面9至少两倍大。
一种设备，其特征在于，所述第二部段3的朝向处理室盖板19的表面5构成用于放置基片11的边缘的放置区域，其中，所述放置区域被第三部段8的限界面20围绕，所述第三部段与第二部段3一样均通过朝向基座16的表面10、7放置在基片支架12的环形阶梯15上。
所有公开的特征(本身及其相互组合)都有发明意义或发明价值。在本申请的公开文件中，所属/附属的优先权文本(在先申请文件)的公开内容也被完全包括在内，为此也将该优先权文本中的特征纳入本申请的权利要求书中。从属权利要求的特征都是对于现有技术有独立发明意义或价值的改进设计，尤其可以这些从属权利要求为基础提出分案申请。
附图标记列表
1 环形体
2 第一部段
3 第二部段
4 宽侧面
5 放置面
6 宽侧面
7 宽侧面
8 第三部段
9 宽侧面
10 宽侧面
11 基片
12 基片支架
13 放置面
14 宽侧面
15 支承面、环形阶梯
16 支座
17 上侧
18 侧面
19 处理室盖板
20 限界面
21 中间件
22 中间件
23 通道
24 基体
25 环形件
26 环形件
27 反射件
28 间隔件
29 间隙
Ts 基座温度
Tc 处理室盖板的温度
Q1 热量
Q2 热流

Claims (17)

1.一种至少部分围绕环形开口的环形体(1)在CVD反应器中的应用，所述环形体放置在基片支架(12)的环形阶梯(15)上，所述环形体具有相对于环形开口径向向外突伸的第一部段(2)，所述第一部段具有向上指向的第一上宽侧面和向下指向的第一下宽侧面，并且所述环形体具有径向向内突伸的第二部段(3)，所述第二部段通过向上指向的第二上宽侧面构成用于放置所述基片(11)的边缘的放置面，并且所述第二部段具有向下指向的第二下宽侧面，所述第二下宽侧面放置在向上指向的环形阶梯(15)上，其中，这些部段(2、3)分别具有热传递特性，所述热传递特性导致在相对于环形开口的平面的面法向存在轴向温度差时确定从相应的下宽侧面至相应的上宽侧面的经由所述部段的轴向的热传递，其中，所述第一部段(2)的至少一种热传递特性与所述第二部段(3)的热传递特性不同，使得沿轴向在所述第一部段(2)中流过单位面积的热量小于在所述第二部段(3)中流过单位面积的热量，其特征在于，所述基片支架(12)通过被加热的基座(16)支承，所述第一部段朝径向向外的方向突伸超出基片支架(12)并且从基座(16)的上侧(17)通过热辐射接收第一热流(Q1)，并且所述基片(11)的边缘通过经由所述第二部段(3)的第二热流(Q2)被加热，其中，所述第一热流(Q1)和第二热流(Q2)是所述基座(16)的上侧(17)与处理室盖板(19)之间的温度差的结果。
2.按照权利要求1所述的应用，其特征在于，所述热传递特性是所述部段的单位导热能力，其中，所述第一部段(2)的单位导热能力小于所述第二部段(3)的单位导热能力。
3.按照权利要求1所述的应用，其特征在于，所述热传递特性是所述部段(2、3)的至少一个沿轴向指向的表面的辐射率，其中，所述第一部段(2)的表面的辐射率小于所述第二部段(3)的表面的辐射率。
4.按照权利要求1所述的应用，其特征在于，在所述第一部段(2)和第二部段(3)之间安置有第三部段(8)，所述第三部段的热传递特性基片上相当于第二部段(3)的热传递特性。
5.按照权利要求4所述的应用，其特征在于，所述第二部段(3)和所述第三部段(8)放置在所述基片支架(12)的环形阶梯(15)上。
6.按照权利要求5所述的应用，其特征在于，所述基片支架(12)由从下方被加热的基座(16)支承，并且所述第一部段(2)悬空地突伸超出基片支架(12)的侧面(18)。
7.按照权利要求1所述的应用，其特征在于，所述环形体(1)由多个彼此相连的元件构成，这些元件具有彼此不同的比热传递特性和/或借助间隔件(28)彼此间隔。
8.按照权利要求1所述的应用，其特征在于，一个或多个配属于第一部段(2)的环形件(25、26)具有较小的单位导热能力，并且至少配属于第二部段的基体(24)具有较高的单位导热能力。
9.按照权利要求3所述的应用，其特征在于，所述表面的彼此不同的辐射率通过彼此不同的表面涂层或通过至少一个反射件确定。
10.按照权利要求1所述的应用，其特征在于，一个或多个配属于第一部段(2)的环形件(25、26)由具有较低导热能力的透明材料构成，在该材料内封装有反射层。
11.按照权利要求1所述的应用，其特征在于，所述第二部段(3)的单位导热能力是所述第一部段(2)的单位导热能力的至少十倍大。
12.按照权利要求1所述的应用，其特征在于，所述第一部段(2)的表面的辐射率小于0.3，并且所述第二部段(3)和/或第三部段(8)的表面的辐射率大于0.3。
13.按照权利要求1所述的应用，其特征在于，所述环形体(1)由在第一部段(2)和第二部段(3)上延伸的基体(24)构成，其中，所述第一部段(2)具有至少一个环形件(25、26)，所述环形件具有与基体(24)不同的热传递特性。
14.按照权利要求4所述的应用，其特征在于，所述第一部段(2)和第三部段(8)分别具有朝向处理室盖板(19)的表面，其中，所述第一部段(2)的表面是所述第三部段(8)的表面的至少两倍大。
15.按照权利要求1所述的应用，其特征在于，所述第二部段(3)朝向处理室盖板(19)的表面构成用于放置基片(11)的边缘的放置区域，其中，所述放置区域被第三部段(8)的限界面(20)围绕，所述第三部段与第二部段(3)一样均通过朝向基座(16)的表面放置在基片支架(12)的环形阶梯(15)上。
16.按照权利要求8所述的应用，其特征在于，一个或多个配属于第一部段(2)的环形件(25、26)由石英或氧化锆构成，并且至少配属于第二部段的基体(24)由石墨或碳化硅构成。
17.按照权利要求1所述的应用，其特征在于，一个或多个配属于第一部段(2)的环形件(25、26)由具有较低导热能力的透明材料构成，在该材料内封装有金属层。
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