TWI749159B - 運輸環 - Google Patents

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威廉 約瑟夫 湯瑪斯 克呂肯
馬丁 艾克爾坎普
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德商愛思強歐洲公司
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Abstract

本發明係有關於一種用於運輸基板之裝置，其形式為至少部分包圍環孔之環形體(1)，該裝置具有相對該環孔而言徑向朝外伸出的第一區段(2)及徑向朝內伸出的第二區段(3)，其中，該等區段(2、3)分別具有熱輸送特性，在相對該環孔之表面的表面法線而言存在軸向溫差的情況下，該等熱輸送特性決定經由該等區段的軸向熱輸送。該第一區段(2)的至少一個熱輸送特性不同於該第二區段(3)的該熱輸送特性，使得在該第一區段(2)中，沿軸向流過一單位面積元件的熱量小於該第二區段(3)中的該熱量，其中，該熱輸送特性為該等區段(2、3)之至少一個沿軸向指向之表面的比熱導率或發射率。

Description

運輸環
本發明係有關於一種用於運輸基板之裝置，其形式為至少部分包圍環孔之環形體，該裝置具有相對該環孔而言徑向朝外伸出的第一區段及徑向朝內伸出的第二區段，其中，該等區段具有第一或第二特定熱輸送特性，在相對該環孔之表面的表面法線而言存在軸向溫差的情況下，該等熱輸送特性決定經由該等區段的軸向熱輸送。
由WO 2012/096466 A2已知一種CVD反應器，其中在可旋轉地佈置在製程室中之基板座上佈置有多個基板架。此等基板架以傳熱式平面抵靠的方式安置在自下而上被加熱之基板座之指向上方的寬面上。在基板架之指向上方的寬面上橫放有基板，特別是半導體基板，其藉由輸入位於基板座上方之製程室的製程氣體而被塗佈。為將基板自動安置在基板架頂側上並自基板架頂側將其移開，設有抓持器，其具有兩個抓持臂，此等抓持臂在一運輸環之邊緣的下方進行抓持，該運輸環安置在基板架之環形階上且以徑向朝內的區段自下方抓住基板之外緣。運輸環之徑向朝外的區段伸出基板架之決定側緣的側面，使得運輸環之該朝外區段可被抓持器的該二抓持臂自下方抓住。
在製程室中實施塗佈製程，該製程室之頂壁受到冷 卻，因而在經加熱之基板座與製程室頂部之間產生較陡的溫度梯度。此種溫度梯度引起自基板座至製程室頂部的熱流，其中，由於基板座溫度超過500攝氏度，在某些製程中超過1000攝氏度，該熱流亦藉由熱輻射並透過基板架及安置於其上之基板來以導熱形式實施。
DE 10 2004 058 521 A1中描述過類似裝置。但在該案中，基板並不安置在運輸環的第二區段上。確切言之，運輸環承載徑向朝內伸出的環形支撐元件，該支撐元件上支撐有基板之外緣。
本發明之目的在於如此地改進該運輸環，使得沈積在該基板上的層獲得較高的橫向均勻度。
模型計算表明，運輸環採用傳統佈置方案時，在CVD反應器中，與用於自下方抓住基板之邊緣的徑向朝內伸出的第二區段相比，用於安置在抓持器之抓持臂上的徑向朝外的第一區段會被加熱至更低的溫度。基於構成運輸環之主體的導熱性，會有熱量自第二區段流向第一區段，使得就佈置在基板架之指向上方之寬面區上方且特別是接觸式安置在該寬面區上的基板而言，其邊緣區域具有低於中央區域的表面溫度。由於此種溫差，在邊緣區域內存在不同於中央區域的生長條件，遂使沈積在基板上之層的化學計量組成、層厚或摻雜至少在邊緣區域內具有不均勻性。對運輸環的一項要求在於：在承載基板之邊緣的區域內應具有較高的熱導率，以便基板座所提供的熱量穿過基板架及運輸環流動至基板之邊緣，從而將基板之邊緣加熱至基板之中央區域所被加熱到的溫度。另一要求在於：自運輸環之承載基板邊緣的區段朝運輸環之需要用來安置在 抓持器上的區段的熱損失應降至最低。
根據本發明，該主體之該等區段具有不同的熱輸送特性。為對該等距離加以定義而以一假想軸線為出發點，該軸線沿被該主體至少部分包圍之環孔表面的表面法線延伸。根據本發明，用於被抓持器之抓持臂自下方抓住的第一區段為徑向朝外伸出的區段。根據本發明，用來安置基板之邊緣的特別是構成厚度減小之階部的第二區段為徑向朝內伸出的區段。沿軸向，即在自主體之指向下方之寬面朝本體之指向製程室頂部之寬面區的方向上，經由該主體實施熱輸送。該等熱輸送特性尤指該等區段之比熱導率或者該等區段之表面的發射率。根據本發明，在該第一區段與該第二區段中，該等熱輸送特性中的至少一個有所不同，使得在該第一區段中，沿軸向流過一單位面積元件的熱量小於該第二區段中的該熱量。因此，該徑向外部的第一區段之熱流阻力大於接觸式支撐基板邊緣之第二區段的熱流阻力。作為替代或補充方案，該第一區段之表面的發射率可小於該第二區段之發射率。構成該運輸環之主體可為環體。該環形體可形成一閉合環或一開口環。該第一區段可緊鄰該第二區段。該第一區段與該第二區段間的界限可在該基板架之環形階的區域內延伸，該基板架上安置有環形體。該界限亦可直接位於該邊緣上方，即位於基板架之側面上方。該界限亦可位於該環形體的一區域內，該區域徑向朝外地伸出基板架之邊緣。在本發明的一種改良方案中，該第一區段並不緊鄰該第二區段，而是在該第一區段與該第二區段之間延伸有一中間區段。該第三區段可具有與用來安置基板邊緣之第二區段相同的熱輸送特性，特別是熱流阻力。該第一區段與該第三區段間的界限可位於該基板架之環形階上。其 可位於該環形階之邊緣上或者位於該環形階徑向以外。該第一區段徑向朝外地較佳完全伸出該基板架。因此，該第一區段自由地伸出該基板架之側面，使其被基板座之表面輻射式加熱。運輸環採用本發明之設計方案後，與先前技術相比，熱能自環形體的逸出會有所減小。前述冷卻效應亦會因此而有所減輕，從而減小基板之邊緣溫度與基板之中央溫度的差異。此種低熱導率會減小熱量自第二區段流向第一區段，該第二區段透過與基板架之接觸而被加熱，而在該第一區段內，熱量主要透過輻射或者透過經由製程室中之氣體進行的導熱而被排出。特定言之，該第一區段之指向上方的寬面區具有較小的發射率，此點亦可減小輻射所引起的朝經冷卻之製程室頂部的能量輸出。該實施為以抓持器來操作基板的構件之環形體較佳由多個組成部分組裝而成，其中，該等組成部分具有不同的熱導率或其表面具有不同的發射率。較佳地，該第一區段由一環形元件或由多個環形元件構成，該等環形元件具有較小的熱導率。因此，該徑向外區段具有一或多個由石英、氧化鋯或另一材料構成之環形元件，故該區段與徑向朝內伸出的區段之材料相比具有較小的比熱導率。該徑向朝內伸出的區段可構成一具有較高比熱導率的本體。該本體可由石墨、碳化矽或另一熱導率良好的材料構成。不同的發射率不僅可由材料選擇定義。亦可以不同方式來塗佈該等區段之表面。特別是該第一區段亦可具有反射元件。該反射元件可為朝外被封裝的金屬帶，其中，可透過透明材料實施封裝。該第一區段可由一或多個由透明材料構成以及/或者具有較小熱導率的透明材料構成。該等環形元件封裝一反射層，該反射層可為金屬層。該第一區段之表面的發射率可小於0.3。該第二區段及/或該第三區段之表面 的發射率可大於0.3。此處係指指向製程室頂部的表面。該等比熱導率可相差10倍。該第二區段之比熱導率較佳至少為該第一區段之比熱導率的10倍。在本發明的一種較佳變體中，由熱導率良好的材料(如石墨或氧化鋯)構成的本體在該環形體的整個徑向寬度內延伸。該本體構成該第一區段之承載區段，其上佈置有具有較小熱導率及/或較高反射率的環形元件。該第一區段與該第三區段共同構成指向該製程室頂部的表面。該第一區段同樣構成一指向該製程室頂部的表面，其中，該第一區段之表面的大小較佳至少為該第三區段之表面的兩倍。該第三區段與該第二區段間的界限可位於用於安置該基板之邊緣的安置區的界面區域內。因此，該第三區段較佳具有大於該第二區段的軸向厚度，其中，該第一區段較佳具有與該第三區段相同的軸向厚度。但該第一與第三區段在熱流阻力方面彼此不同。在本發明的一種較佳設計方案中，該環形體由多個環形組成部分構成，該等組成部分較佳僅在徑向外部區域內疊置。該等組成部分可具有不同的熱導率。該環形體亦可由多個環形元件構成，其中，在該等環形元件之間設有間隙。根據本發明，該間隙高度由若干間隔元件定義。該等環形元件較佳同樣僅設置在徑向外部區域內。該等間隔元件可為伸出某個環形元件之寬面區的凸起。該等凸起亦可伸出該本體之寬面區，使得一環形元件支撐在該等凸起上。該等凸起較佳係指半球形突出部。該等凸起可與該主體或該環形元件材料一致地構建。
1‧‧‧環形體
2‧‧‧第一區段
3‧‧‧第二區段，徑向外區段
4‧‧‧寬面區
5‧‧‧安置面
6‧‧‧寬面區
7‧‧‧寬面區
8‧‧‧第三區段
9‧‧‧寬面區
10‧‧‧寬面區
11‧‧‧基板
12‧‧‧基板架
13‧‧‧安置面
14‧‧‧寬面區
15‧‧‧承載面，環形階
16‧‧‧基板座
17‧‧‧頂側
18‧‧‧側面
19‧‧‧製程室頂部
20‧‧‧界面
21‧‧‧中間件
22‧‧‧中間件
23‧‧‧通道
24‧‧‧本體
25‧‧‧環形元件
26‧‧‧環形元件
27‧‧‧反射元件
28‧‧‧間隔元件
29‧‧‧間隙
TS‧‧‧基板座溫度
TC‧‧‧製程室頂部之溫度
Q1‧‧‧熱量
Q2‧‧‧熱流
下面結合實施例對本發明進行詳細說明。其中：圖1為CVD反應器中之基板座佈置方案的示意性俯視圖， 圖2為沿圖1中之線條II-II的截面圖，圖3為第二實施例之根據圖2的示意圖，圖4為第三實施例之根據圖3的示意圖，圖5為根據圖3之本發明的第四實施例，及圖6為根據圖4之第五實施例。
本發明係有關於一種用於將晶體或非晶體層，特別是半導體層沈積在基板11上的裝置，該基板以其底側安置在基板架12的安置面13上。圓盤形基板架12之下寬面區14以接觸式抵靠的方式安置在基板座16之朝上的表面17上，該基板座透過未繪示之加熱元件而被自下而上地加熱。
在基板11上方設有製程室，藉由未繪示之進氣機構將製程氣體饋入該製程室，此等製程氣體在製程室中或者在經加熱之基板11的表面上發生熱解。分解產物間發生反應並形成特別是晶體的層，其可由兩個、三個或更多成分構成。
該製程室往上被製程室頂部19限制，該製程室頂部透過未繪示之冷卻元件而被冷卻。
基板座溫度TS為500至1000攝氏度。製程室頂部19之溫度TC為100至300攝氏度。由於此種溫差，在基板座16之頂側17與製程室頂部19之間產生垂直方向的溫度梯度，其引起熱量自基板座16朝製程室頂部19流動。此種流動一方面透過熱輻射，另一方面透過經由基板架12之導熱來實現，該基板架由熱導率良好的材料(如石墨)構成。
圖1為製程室之底部的俯視圖。在未繪示於圖1中之 被自下而上地加熱的基板座16上，設有多個同樣未予繪示的圓盤形基板架12。在圖1中同樣未予繪示之構成承載面的環形階15上，分別安置有一構成運輸環的環形體1。該等基板架12被中間件21、22包圍，該等中間件充填該等基板架12之間的面且由熱導率良好的材料(如石墨)製成。
相對每個基板架12或運輸環1，在中間件22中設有兩個大致徑向且彼此平行的通道23，未繪示之抓持器的臂部穿過該等通道在環形體1之第一區段2之下寬面區的下方進行抓持，以便將環形體1抬起。環形體1之徑向朝內伸出的區段3上安置有基板11之邊緣，如此便能透過將環形體1抬起而將基板11與基板架12分離。
圖2示出運輸環1的第一實施例，該運輸環具有第一區段2，其相對穿過運輸環1之開口面的軸線而言為徑向外區段2。該徑向外區段2具有指向製程室頂部19的上寬面區4及指向基板座16的下寬面區6，其中下寬面區6直接與基板座16之頂側17相對佈置，因而接收基板座16所發射的熱輻射。熱量Q1沿軸線方向流過第一區段2並大致上透過熱輻射自上寬面區4朝製程室頂部19輸出。
徑向朝內伸出的第二區段3具有相對第一區段2的軸向厚度。第二區段3具有指向下方的寬面區7，該第二區段3藉由該寬面區安置在基板架12之指向上方的環形階15上。基板11之邊緣安置在指向上方之構成安置面5的寬面區上。
透過經由基板架12之導熱並透過經由安置面13之導熱來將基板11加熱至製程溫度。透過經由第二區段3的熱流Q2， 即透過自寬面區7至安置面5的熱流，來加熱基板11之邊緣。自基板座16至第一區段2的熱輸送小於自基板座16至第二區段3的熱輸送，因而存在以下趨勢：熱流自第二區段3流向第一區段2，該第二區段被自寬面區4至製程室頂部19的熱輻射冷卻。為避免在運輸環1內出現此種垂直方向或徑向的熱流，第二區段3的熱導率大於第一區段2的熱導率。
第二區段3可緊鄰第一區段2。
但在圖2所示實施例中，在第一區段2與第二區段3之間設有第三區段8。第三區段8具有指向上方的寬面區9，其與寬面區4齊平。第三區段8之指向下方的寬面區10與第一區段2之寬面區6齊平。
第二區段3鄰接第三區段8之垂直方向界面20的區域，該界面包圍第二區段3之厚度減小區域。界面20構成一階部。
第二區段3之材料特性與第三區段8之材料特性大致相同。第一區段2之材料特性與第二區段3之材料特性的不同之處在於：使得第一區段2之熱流阻力大於第二區段3之熱流阻力。特定言之，第二區段3及(視情況)第三區段8的熱導率大於第一區段2的熱導率。第一區段2及第二區段3或第三區段8可由不同材料製成。環形體1可由多個部分組成。此等部分可形狀配合或壓緊配合地相連。此等部分亦可彼此燒結在一起。亦可採用多組分體。
在圖2所示實施例中，第一區段2與第三區段8間的界限或第三區段8與第二區段3間的界限位於基板架12之環形階15上方。
指向上方之寬面區4、9及5以及指向下方之寬面區 6、10及7具有針對紅外線輻射的發射特性及針對紅外線輻射的反射特性。分配給第一區段2之寬面區4、6(至少指向上方之寬面區4)的發射特性小於分配給第二區段3之寬面區5、7及分配給第三區段8之寬面區9、10的發射特性，其中，至少指向上方之寬面區5的發射特性大於指向上方之寬面區4的發射特性。相應地，寬面區4、6具有大於寬面區5及7或者9及10的反射特性。
亦可僅使得熱導率、發射特性或反射特性等熱輸送特性中的一個彼此不同。
圖3示出本發明的第二實施例，其中環形體1構成本體24，其材料一致地構成該第二區段、該第三區段及該第一區段之下區域。第二區段3與第三區段8的主要不同之處在於：第三區段的軸向厚度大於第二區段3的軸向厚度，使得安置面5鄰接垂直方向階部20，該階部過渡為第三區段8之上寬面區9。下寬面區7、6齊平地過渡為彼此。
在本體24的一區域內，佈置有兩個由透明材料構成的環形元件25、26。環形元件25、26可由石英構成。該等環形元件可具有小於本體24之材料(石墨)的熱導率。
在該二環形元件25、26之間佈置有反射體。其可指封裝在該二環形元件25、26之間的金屬箔。
金屬箔27使得第一區段2或者第一區段2之指向製程室頂部的寬面區4具有較第二區段3或第三區段8之指向上方的寬面區9或5更大的反射率及更小的發射率。
在圖4所示第三實施例中，本體24構成延伸至運輸環1之徑向外緣的突起，其與圖3所示實施例之突起一樣構成指向 上方之安置面，該安置面在安置面5的高度上延伸且透過第三區段8之環形擋片而與安置面5隔開。
在本實施例中，在第一區段2的該安置面上安置有單獨一個環形體。其為由熱導率較小的材料構成之環形元件25。
特定言之，該等表面，特別是運輸環1之指向經冷卻之製程室的該等表面具有不同的發射率。徑向外寬面區具有較小的發射率，因而具有較高的反射率。而徑向內寬面區具有較小的反射率及較高的發射率。為達到穩定的熱特性，該等表面或表面塗層的發射率不應被化學反應或寄生沈積改變。透過以下方式來實現此點：使用環形元件，其由熱導率較小的透明材料(如石英玻璃)構成。將某種反射性特別是金屬的層封裝在該環形體中，該層的各側被某種保護性透明材料包圍。該反射率應大於百分之60。
特定言之，在由低熱導率材料構成之環形元件與安置面5之間佈置有環形擋片，其具有較高的熱導率，即較小的特定熱流阻力。從而確保基板之邊緣區域內的溫度有所提高且基板自該肋片出發亦可受到側向加熱。透過經由環形階15之導熱來加熱該構成第三區段8的肋片。第一區段2之表面至少應具有第三區段8之表面的大小，其中，該構成第三區段8的環形擋片的徑向寬度至少應為0.5mm。
在圖2至4中，基板架12係大致安置在基板座16上。基板架12亦可嵌入在基板座16的一凹槽中。基板架12亦可可旋轉地分配給基板座16。例如在基板架12之寬面區14下方可連通有排氣通道，用來將沖洗氣體送入基板架12與基板座16之間的空隙，該沖洗氣體形成用來安置基板架12的氣墊。透過該沖洗氣體 之適宜的流動方向可使得基板架12發生旋轉。
圖5示出類似於圖3所示實施例的實施例。本體24構成一徑向外部的安置面，其大致上為水平面。在該安置面上安置有第一環形元件25。第一環形元件25可由用來構成本體24的材料構成。在第一環形元件25上支撐有第二環形元件26。第二環形元件26可由用來構成本體24的材料構成。在本體24與直接安置於其上的第一環形元件25之間延伸有間隙29。間隙29的間隙高度由間隔元件28定義。該間隔元件28係指伸出該二寬面區中的一個的某些突出部，在該二寬面區之間延伸有間隙29。
在本實施例中，間隔元件28為第一環形元件25之某些半球形突出部，在該等突出部上安置有第二環形元件26。該裝置工作時，間隙29用作熱流絕緣間隙。
在第四實施例的一未繪示變體中，可設有若干附加之間隔元件，從而在第一環形元件25與第二環形元件26之間形成第二間隙。
圖6所示第五實施例與圖4所示第三實施例基本相同。在本體24之水平面上，在徑向外區域內支撐有環形元件25，其可由用來構成本體24的材料構成。本體24與環形元件25的材料亦可有所不同。實質之處在於，在環形元件25之下寬面區與本體24之上寬面區之間存在間隙29。間隙29的間隙高度由間隔元件28定義。在圖6所示實施例中，由環形元件25出發來構建間隔元件28。該間隔元件係指該指向下方之寬面區的塊狀突出部。該等塊體亦可呈半球形。
前述實施方案係用於說明本申請整體所包含之發 明，該等發明至少透過以下特徵組合分別獨立構成相對於先前技術之進一步方案，其中，該等特徵組合中的兩個、多個或所有特徵皆可加以組合：一種裝置，其特徵在於，該第一區段2的至少一個熱輸送特性不同於該第二區段3的該熱輸送特性，使得在該第一區段2中，沿軸向流過一單位面積元件的熱量小於該第二區段3中的該熱量。
一種裝置，其特徵在於，該熱輸送特性為該區段之比熱導率，其中，該第一區段2之比熱導率小於該第二區段3之比熱導率。
一種裝置，其特徵在於，該熱輸送特性為該等區段2、3之至少一個沿軸向指向之表面的發射率，其中，該第一區段2之表面的發射率小於該第二區段3之表面的發射率。
一種裝置，其特徵在於佈置在該第一區段2與該第二區段3之間的第三區段8，其熱輸送特性與該第二區段3之熱輸送特性基本相同。
一種裝置，其特徵在於，該第二區段3及視情況該第三區段8安置在基板架12之環形階15上。
一種裝置，其特徵在於，該基板架12被自下而上地加熱的基板座16承載且該第一區段2自由地伸出該基板架12之側面18。
一種裝置，其特徵在於，該環形體1由多個相連之元件24、25、26構成，該等元件具有互不相同的特定熱輸送特性以及/或者被間隔元件(28)隔開。
一種裝置，其特徵在於，一或多個分配給該第一區段2之環形元件25、26具有較小的比熱導率且特別是由石英或氧化鋯構成，以及，至少分配給該第二區段的本體24具有較高的比熱導率且特別是由石墨或碳化矽構成。
一種裝置，其特徵在於，該等表面之彼此不同的發射率由彼此不同的表面塗層或由至少一個反射元件27決定。
一種裝置，其特徵在於，一或多個分配給該第一區段2之環形元件25、26由熱導率較小的透明材料構成，在該材料中封裝有反射層27，特別是金屬層。
一種裝置，其特徵在於，該第二區段3之比熱導率至少為該第一區段2之比熱導率的十倍，以及/或者，該第一區段2之表面4的發射率小於0.3且該第二區段3及/或該第三區段8之表面5、9的發射率大於0.3。
一種裝置，其特徵在於，該環形體1由一在該第一區段2及該第二區段3內延伸的本體24構成，其中，該第一區段2具有至少一個環形元件25、26，該至少一個環形元件具有不同於該本體24的熱輸送特性。
一種裝置，其特徵在於，該第一區段2及該第三區段8分別具有一個指向製程室頂部19的表面4、9，其中，該第一區段2之表面4的大小至少為該第三區段8之表面9的兩倍。
一種裝置，其特徵在於，該第二區段3之指向該製程室頂部19的表面5構成用於安置該基板11之邊緣的安置區，其中，該安置區被該第三區段8之界面20包圍，該第三區段與該第二區段3一樣以其指向該基板座16的表面10、7安置在該基板架12之 環形階15上。
所有已揭露特徵(自身以及在彼此之組合中)為發明本質所在。故本申請之揭露內容亦包含相關/所附優先權檔案(在先申請副本)所揭露之全部內容，該等檔案所述特徵亦一併納入本申請之申請專利範圍。附屬項以其特徵對本發明針對先前技術之獨有改良方案予以界定，其目的主要在於在該等請求項基礎上進行分案申請。
1‧‧‧環形體
2‧‧‧第一區段
3‧‧‧第二區段，徑向外區段
4‧‧‧寬面區
5‧‧‧安置面
6‧‧‧寬面區
7‧‧‧寬面區
8‧‧‧第三區段
9‧‧‧寬面區
10‧‧‧寬面區
11‧‧‧基板
12‧‧‧基板架
13‧‧‧安置面
14‧‧‧寬面區
15‧‧‧承載面，環形階
16‧‧‧基板座
17‧‧‧頂側
18‧‧‧側面
19‧‧‧製程室頂部
20‧‧‧界面
21‧‧‧中間件
TS‧‧‧基板座溫度
TC‧‧‧製程室頂部之溫度
Q1‧‧‧熱量
Q2‧‧‧熱流

Claims (15)

  1. 一種在化學氣相沉積(CVD)反應器中的環形體(1)之用途，其中該環形體(1)至少部分地圍繞一環孔並且包括：一第一區段(2)，其相對於該環孔而言徑向地朝外伸出，並且具有指向上方之一第一上寬面區(4)及指向下方之一第一下寬面區(6)；以及一第二區段(3)，其相對於該環孔而言徑向地朝內伸出，並且具有指向上方之一第二寬面區(5)及指向下方之一第二寬面區(7)；其中該第一及第二區段(2、3)分別具有熱輸送特性，在相對於該環孔之表面的表面法線而言存在軸向溫差的情況下，該熱輸送特性定義通過該第一與第二區段自相應的指向下方之該第一及第二寬面區(6、7)到相應的指向上方之該第一及第二寬面區(4、5)的軸向熱輸送；其中該第一區段(2)的至少一個熱輸送特性不同於該第二區段(3)的熱輸送特性，使得沿軸向流過一單位面積元件的熱量在該第一區段(2)中較在該第二區段(3)中來得小；其特徵在於，該環形體(1)位於經加熱之一基板座(16)承載的一基板架(12)的一環形階(15)上；其中，該第一區段(2)徑向地朝外伸出該基板架(12)且自該基板座(16)之一頂側(17)接收呈熱輻射形式的一第一熱流(Q1)；以及支撐一基板(11)之一邊緣的該第二區段(3)及指向下方之該第二下寬面區(7)位於指向上方之該環形階(15)上，使得該基板(11)之該邊緣透過經由該第二區段(3)的一第二熱流(Q2)而被加熱；以及其中該第一及第二熱流(Q1、Q2)是由該基板座(16)的該頂側(17) 與製程室頂部(19)之間的溫差引起的。
  2. 如請求項1之用途，其中，該熱輸送特性為該等區段之比熱導率，其中，該第一區段(2)之比熱導率小於該第二區段(3)之比熱導率。
  3. 如請求項1之用途，其中，該熱輸送特性為該等區段(2、3)之至少一個沿軸向指向之表面的發射率，其中，該第一區段(2)之表面的發射率小於該第二區段(3)之表面的發射率。
  4. 如請求項1之用途，其中，佈置在該第一區段(2)與該第二區段(3)之間的第三區段(8)，該第三區段之熱輸送特性與該第二區段(3)之熱輸送特性基本相同。
  5. 如請求項4之用途，其中，該第二區段(3)及視情況該第三區段(8)安置在該基板架(12)之該環形階(15)上。
  6. 如請求項5之用途，其中，該基板架(12)被自下而上地加熱的該基板座(16)承載且該第一區段(2)自由地伸出該基板架(12)之側面(18)。
  7. 如請求項1之用途，其中，該環形體(1)由多個相連之元件(24、25、26)構成，該等元件具有互不相同的特定熱輸送特性以及/或者被間隔元件(28)隔開。
  8. 如請求項1之用途，其中，一或多個分配給該第一區段(2)之環形元件(25、26)具有較小的比熱導率且是由石英或氧化鋯構成，以及，至少分配給該第二區段的本體(24)具有較高的比熱導率且是由石墨或碳化矽構成。
  9. 如請求項3之用途，其中，該等表面之彼此不同的發射率由彼此不同的表面塗層或由至少一個反射元件(27)決定。
  10. 如請求項1之用途，其中，一或多個分配給該第一區段(2)之環形元件(25、26)由熱導率較小的透明材料構成，在該材料中封裝有反射層(27)，該反射層(27)是金屬層。
  11. 如請求項1之用途，其中，該第二區段(3)之比熱導率至少為該第一區段(2)之比熱導率的十倍。
  12. 如請求項4之用途，其中，該第一區段(2)之表面(4)的發射率小於0.3且該第二區段(3)及/或該第三區段(8)之表面(5、9)的發射率大於0.3。
  13. 如請求項1之用途，其中，該環形體(1)由一在該第一區段(2)及該第二區段(3)內延伸的本體(24)構成，其中，該第一區段(2)具有至少一個環形元件(25、26)，該至少一個環形元件具有不同於該本體(24)的熱輸送特性。
  14. 如請求項4之用途，其中，該第一區段(2)及該第三區段(8)分別具有一個指向製程室頂部(19)的表面(4、9)，其中，該第一區段(2)之表面(4)的大小至少為該第三區段(8)之表面(9)的兩倍。
  15. 如請求項4之用途，其中，該第二區段(3)之指向該製程室頂部(19)的表面(5)構成用於安置該基板(11)之邊緣的安置區，其中，該安置區被該第三區段(8)之界面(20)包圍，該第三區段與該第二區段(3)一樣以其指向該基板座(16)的表面(10、7)安置在該基板架(12)之該環形階(15)上。
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