CN102656294A - 带有位于具有多个区域的气垫上的基板保持件的cvd反应器 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种带有处理腔(23)和布置在该处理腔中的基板保持件支架(1)的CVD反应器，该基板保持件支架(1)具有至少一个支承面(4)，其中，在所述支承面(4')中通入多个气体输入管道(7,8)；所述CVD反应器还具有一以其背面指向所述支承面(4')的基板保持件(2)，其中，通过气体输入管道(7,8)供入支承面(4')与背面之间空间中的气体形成支撑所述基板保持件(2)的气垫(19)。重要的是，气垫具有多个分别能够通过对应配设的气体输入管道(7,8)个别供气的区域(A,C)，所述区域(A,C)通过防止各区域之间气体交换的器件(15)分隔，其中，至少一个位于内部的区域(C)配有一气体排出管道(13,14)，通过气体排出管道(13,14)，位于内部的区域(C)能够排出由输入管道(7,8)供入的气体。不同导热率的气体输入这些区域中。
Description
技术领域
本发明涉及一种带有至少一个由基板保持件支架支撑在动态气垫上的基板保持件的CVD反应器，该基板保持件能从背面用加热装置加热。
此外，本发明涉及一种用于基板保持件表面温度的温度控制的方法，该基本保持件支撑在动态气垫上并且尤其是旋转驱动，且被从下部加热。
背景技术
德国专利文献DE102006018514Al描述一种带有反应器外壳的CVD反应器，其具有布置在该反应器外壳中的处理腔和形成处理腔底板的基板保持件支架。该CVD反应器具有多个环形围绕中心布置的圆形承载腔，气体输入通道通入该承载腔中。在该承载腔中具有圆盘形的、分别支撑基板的基板保持件支架。基板用III-V半导体层涂层。为之所需的原材料是气态的并且由例如金属有机物成分和氢化物组成。原材料在混合系统中与惰性气体混合。混合气经由分隔的通道进入进气装置中，气体通过该进气装置导入处理腔中。处理腔从下部加热。这借助射频加热装置或电阻加热装置实现。通过导热装置，热量通过由石墨组成的基板保持件支架传导至其指向处理腔的表面。传输至基板的热量必须在此克服由动态气体轴承形成的缝隙的阻碍，基板保持件支承在该气体轴承上并且借助该气体轴承将它可转动地驱动。导入处理腔中的气体，例如TMGa或TMIn或TMAl以及ASH3、NH3或PH3热分解。分解反应首先发生在处理腔底板热的表面上并且在下部加热的基板表面上。生长率和/或涂层组分或者晶体质量在很大程度上与各局部表面温度有关。为了获得尽可能高的侧边温度均匀性，由德国专利文献DE102006018514Al建议，缝隙高度在承载腔的底部和基板保持件背面之间设计得不一样高，因此，从基板保持件支架到基板保持件的热流局部由于该高度差而不同。但也可以通过适合地选择径向的缝隙高度变化，调节凹形或凸形或平坦的温度变化曲线。
德国专利文献DE102007026348Al同样涉及一种带有基板保持件支架的CVD反应器，在其指向处理腔的表面上设置多个分别支承在动态的枢轴承上的基板保持件。各动态枢轴承在此与单独的气体供应装置连接，以便能够个别地改变气体的质量。
德国专利文献DE10056029Al涉及一种用于CVD反应器中基板的表面温度控制的方法。由不同部位测得的表面温度形成平均值。通过气垫高度可以调节基板的温度。这也可以为基板保持件个别地实现。
从美国专利文献US7,156,951B1中已知一种基板处理设备，其中，基板支承在基板保持件的表面上。基板保持件的支承面形成多个彼此同心的延伸的平坦槽，气体输入管道通入该平坦槽中并且气体排出管道从平坦槽离开。该槽施加有不同压力的冷却气体。
由德国专利文献DE69524640T2已知一种CVD反应器，其中，基板保持件支架支撑三个轴承颈，以便分别可转动地支承圆盘形的基板保持件，该基板保持件可转动地支承在气垫上。
专利文献DD298435A5描述一种带有多个可以排出气体的开口的工件支架，该气体形成一个动态的气体层，通过该气体层可以实现支架与工件之间的热传递。
美国专利文献US2009/0173446Al描述一种带有基板保持件的CVD反应器，该基板保持件具有轴瓦，在该轴瓦中，基板可以支承在气垫上。多个气体输入管道通入承载腔的底板中。
美国专利文献US2003/0033116Al描述一种可加热的基板保持件，它具有两个相互分离的气体输入管道和布置在承载腔底板上的气体通道，该气体通道由气体输入管道供气。
美国专利文献US6，053，982A描述一种带有基板保持件的CVD反应器，在该基板保持件上，基板可以支承在气垫上。
但存在的问题是，在直径为4英寸或更大的用于基板的基板保持件中，由于垂直于表面的温度梯度，在基板上形成弯曲。基板的碗形拱曲或向上隆起导致侧边的温度梯度，因为基板要么支承在基板保持件上的中心区域内要么仅支承在基板保持件上的径向外部区域内。
从而导致从基板保持件到基板的热量传递是不均匀的。为了补偿热量传递的不均匀性，在基板保持件表面上形成相应凹形或凸形的温度变化曲线。
发明内容
因此本发明所要解决的技术问题是，提供一种措施，通过该措施在基板保持件表面上形成凹形或凸形的温度变化曲线。
该技术问题通过权利要求书中给出的发明解决。
权利要求1首先主要规定，气垫在基板保持件下侧之间具有分别由个别的气体输入管道供气的多个区域。这些区域优选同心地围绕基板保持件的转轴对中。在最简单的情况下，气垫由两个区域组成，即，一个中央区域和一个外部区域。但也可以有多个区域包围一个中央区域。各区域彼此分隔为使相邻区域之间的气体交换得以避免。为此，在这些区域之间设置相应的器件。各区域优选借助扩散阻挡件相互分隔。这些区域的同轴布置是防止供入一区域中的大量气体进入相邻区域的环形的扩散阻挡件。扩散阻挡件可以是高度减小的中间区域、迷宫式密封装置或冲洗过的的中间区域。重要的是，借助扩散阻挡件将两个彼此相邻的区域之间的气体交换减至最小。这种气体交换的原因主要是与扩散阻挡件的例如径向长度和横截面有关的扩散。相应的优点是，将扩散阻挡件的横截面和长度减至最小，也就是最大化扩散阻挡件的长度，尤其是扩散阻挡件的径向长度。另一种在两个相邻区域之间的气体输送机制是对流或由于这两个区域之间压力差造成的可逆流动。为避免这种流动，有利的是，在相邻的区域中充斥同样大小的气压。导入各区域中的气体在气体混合系统中供使用。此处是指导热率相差很大的气体。尤其是一方面使用氮气另一方面使用氢气，或者一方面使用氩气另一方面使用氢气，或者一方面使用氮气另一方面使用氦气，以及一方面使用氩气另一方面使用氦气。在最简单的情况下，气体分别引入这些区域之一中并且另一种具有与其导热率大为不同的气体引入另一个区域中。然后两种气缝具有不同的导热率。由此，经过气缝的热传输局部受损。但优选至少两种不同导热率的气体的混合物导入到各区域中。通过两种气体的混合比，可以调节经过气缝的热传输。若引入中央区域的气体混合物具有比导入外部区域的气体混合物更大的导热率，则基板保持件的表面的中心比外围加热更强，因此外围具有比中心更低的表面温度。另一方面，若导入中心的气体混合物比导入外部区域中的气体混合物导热率更小，则外围加热比中心加热更强烈。因此，中央的表面比外部区域的表面更冷。热量由位于基板保持件支架下方并且加热基板保持件支架的加热装置产生。在基板保持件支架或基板保持件上侧的上方具有由工艺气体沿垂直方向流经的处理腔。工艺气体优选(如原则上由现有技术已知)通过布置在处理腔中央的进气装置导入处理腔中。工艺气体可以具有开头所述的金属有机物成分和开头所述的氢化物。处理腔由气体出口装置包围，借助该气体出口装置排出分解产物和/或惰性气体。气体出口装置一般与真空泵连接，以便可以在几毫巴至大气压力之间范围内调节处理腔中的总压力。上述的扩散阻挡件优选由基板保持件支架的支承面的环形凸起构成。由此减小可以在两个区域之间发生气体交换的横截面。支承面可以由嵌有基板保持件的承载腔的底板构成。但环也可以由装入槽中的石墨体或金属体构成。基板保持件的下侧具有环形的槽，槽中嵌接有环形的凸起，也就是必要时的垫圈。该槽具有比环状物宽度更大的壁间距，以便构成迷宫式密封装置形式的多次转向的密封缝隙。但同样可行的是，环固定地与基板保持件的下侧连接并且槽配给承载腔的底板。位于内部的区域配有气体排出管道，导入内部区域中的、可以是由上述气体组成的混合物的运载气体从该气体排出管道排出。该气体排出管道是朝基板保持件支架的下侧开口的孔。径向外部的区域也可以分别配备气体排出管道。在本发明优选的实施方案中，各并且尤其是内部区域配设沿外部区域边缘延伸的集气通道，该集气通道与排气孔连通。此外，气体输入管道通入的供气通道可以位于区域径向内部或中央。供气通道可以给多个尤其是螺旋形延伸的气体供应通道供应气体。通过该气体供应通道气体以沿圆周方向指向的流动方向流动，以便该气体不仅从支承面上抬起基板保持件，而且还强加给基板保持件一个角动量，以便旋转驱动该基板保持件。该螺旋线形的气体供应通道可以设置在各区域中。但足够的是，仅区域之一具有该气体供应通道。因此尤其规定，仅一个径向外部区域或仅一个径向内部中央区域具有旋转驱动基板保持件所需的气体供应通道。气体供应通道本身可以具有不同的构造。按本发明的CVD反应器具有多个围绕基板保持件支架中央布置的承载腔，在这些承载腔中分别嵌有带有基板的基板保持件。各承载腔具有分别用于各区域的各个气体输入管道。各个气体输入管道可以与气体混合系统的各个混合部件连接，以便可以给各基板保持件的区域加载个别的气体混合物。但作为备选，也可以共同地给各中央区域和各径向外部区域输送气体混合物。在该变型中，所有中央区域共同获得第一气体混合物，所有径向外部区域共同获得第二气体混合物。为了提供气体混合物，设置具有多个气源的气体混合系统，这些气源能够通过阀门与各输入管道接通并且可以通过质量流控制器调节。
按本发明类型的用于温度控制的方法通过具有多个区域的气垫来改进，将具有彼此不同且尤其可通过混合物变化调节导热率的气体或气体混合物输入这些区域中。
CVD反应器优选借助气体混合系统运行，其中，气体混合系统具有可给各气体输入管道提供不同气体或混合气的气流控制元件。
附图说明
下列根据附图进一步阐述本发明的实施例。附图中：
图1是布置在基板保持件2中的基板保持件支架的简略俯视图，
图2是沿图1中的线II-II平分基板保持件支架1的第一种变型的剖面图，
图3是按照图2的图示的第二种变型，
图4是图3中局部IV的放大图，
图5是按图4中箭头V的俯视图，
图6是图4中局部VI的放大图，
图7是气体混合系统的简略图，
图8至图13是在按图5的图形中承载腔4的底板4`构造的多种变型，
图14是不同导热率的气体混合物在区域A和/或C中供应效果的简略图，以及
图15是另一种气体混合系统。
具体实施方式
CVD反应器由未详细表示的，而在图7中仅表示为气体密封的，尤其是特种钢组成的反应器外壳31，该外壳31与图7所示的气体混合系统和未示出的真空泵连接。被由石英或石墨制成的盖板22向上限定边界的处理腔23位于反应器外壳以内。处理腔23具有径向对称的结构并且在其中央具有气体入口21，工艺气体可以从该气体入口21引入处理腔23。气体入口21供给气体混合系统的工艺气体，其中，工艺气体可以是指TMGa、TMIn、TMAI、砷化氢、磷化氢或甲烷。附加地，运载气体，例如氢气、氮气或惰性气体从气体入口21引入。通过未示出的真空装置，处理腔23内部的总压力保持为在1毫巴和大气压力之间的值。处理腔径向外部被气体出口24包围，运载气体和/或分解产物从该气体出口24抽出。
处理腔23的底板由基板保持件支架1指向上的表面或基板保持件2指向上的表面形成。待涂层的基板3支承在基板保持件2上。处理腔23的底板的中央由中心板25形成，在图2中未示出的实施例情况下，在中心板25的下方具有一个分配体积27。基板保持件支架1由中央支架26支承，气体输入管道28和29也延伸经过中央支架26。
基板保持件支架1的下侧由加热装置30加热。在该实施例中，该加热装置是通过在石墨制成的基板保持件支架1中形成的涡流而产生热量的射频加热装置。
上述的输入管道28、29延伸到借助进入口5、6通入基板保持件支架1的承载腔4的底面4`中的输入管道7，8中。输入管道28、29通过外部管道38与气体混合系统连接。气体混合物可以通过该管道流入承载腔4中。在该实施例中，气体混合系统具有氮气源35、氢气源36和氦气源37。气体可以通过其换向阀34、35分别接通到质量控制器32、33上，从不同部位处的进入口5、6流入承载腔的气体组分可以通过该质量控制器32、33个别调节。
质量控制器32、33混合的气体由两种导热率很大不同的气体组成，例如气体对：N2-H2、Ar-H2、N2-He，Ar-He。通过气体组分的调节可以调整气体混合物的导热率。
承载腔4的底板4'可以以不同的方式构造。为此图5或图8至图13给出例子。
在所有实施例中，承载腔4的底板4'分成两个同心的区域。同心的内部区域C围绕具有可选的定心销20的中心延伸，该定心销嵌接在基板保持件2的定心孔中。围绕中心41设有输入管道7的进入口5通入的第一供气通道40。供气通道40通过狭窄的连接通道42与在螺旋曲线上延伸的气体分配通道9连接。流动经过气体分配通道9的气体不仅将基板保持件2抬高到缝隙位置，而且也使基板保持件2围绕中心41转动。
在区域C的径向外部区域内具有一在圆周线上延伸的与排出管道13连接的集气通道11。该排出管道13是穿过基板保持件支架1的大直径垂直孔，从进入口5输入的气体又可以经过该垂直孔排出。
在中央区域C与外部环形区域A之间的边界由扩散阻挡件形成，该扩散阻挡件的结构从图6中得知。环15插入承载腔4的底板4'的底板环槽16中。该环15突出底板4`并且突伸入基板保持件背面的环槽17中。环槽17的宽度大于密封圈15的宽度，以便获得微小的密封缝隙18。该密封缝隙构成一种在区域A和C之间的迷宫式密封装置。
在区域A径向内部的区域中，在承载腔4的底板4`上延伸有构成供气通道39并且与进入口6连接的第一同心环。供气通道39通过连接通道43与同样在螺旋线上延伸的气体分配通道10连接。在区域A的径向外部区域中，存在一个与大直径的排出管道14连接的集气通道12，其中，它同样是大直径的垂直孔。通过排出管道14可以排出经由进入口6进入的气体。
基板保持件2的高度大致与承载腔4的深度相当并且基板保持件2在其指向处理腔23的表面上具有凹处，基板3位于该凹处中。在图2所示的实施例中，输入管道29通入气体分配腔27中，从气体分配腔27中供给所有通入径向外部区域的输入管道8。用于中央区域C的输入管道28也可以共同地输送气体混合物。
在图8中示出的实施例中，仅在径向外部区域A中具有螺旋通道10。在图9中示出的实施例中，在内部区域C和外部区域A中均具有螺旋通道9、10.
在图10中示出的实施例中，在径向外部区域A中具有宽的螺旋通道。
在图11所示的实施例中，径向外部区域A仅具有一个螺旋形延伸的气体通道10。图12与图8相同地示出仅布置在外部区域A中的气体通道。图13示出仅在中央区域C中设有多个气体通道9的实施例。
之前描述的设备的工作原理如下：
在涂层过程中，基板3的边缘可以向上隆起或下沉，以便要么仅基板的中心要么仅基板3的边缘平面地支承在基板保持件2的表面。不然，在基板3与基板保持件2之间存在一条可能局部缝隙高度不同的缝隙。
沉积在基板3上的涂层的质量和涂层厚度很大程度地与基板表面温度有关。后者与局部热量流入有关。局部热量流入按本发明通过承载腔4的底板4`与基板保持件2的下侧之间的气缝导热率的影响来调节。经过进入口5、6进入承载腔4的气体将基板保持件2升高到缝隙间隔位置，以便形成气垫19。由于扩散阻挡件15，它是两个分隔的、个别地由从进入口5、6进入缝隙中间腔的气体构成的气垫19。在各区域A、C中导入的气体混合物具有不同的导热率。若将具有高导热率的气体混合物带入中央区域C中并且将具有低导热率的气体混合物带入外部区域A中，则在基板保持件2的表面上形成温度变化曲线，如在图14中简略示出那样。若导入中央区域C中的气体具有比外部区域A仅略高的导热率，则图14中形成用b标记的温度变化曲线。
若导入外部区域A中的气体混合物具有比导入中央区域C中的气体混合物更大的导热率，则形成图14中用c表示的温度变化曲线。现在与例子a和b不同，中央区域并不比外部区域热，而是外部区域具有比中央区域更大的表面温度。通过扩大导入气体混合物的导热率之差，中央区域与外部区域之间的温度差还可以提高。通过其他气体配对的使用，温度变化曲线不仅在量上而且在质上受到影响，这例如示出用d表示的温度变化曲线。
在图15中示出的气体混合系统中，提供两种气体35、36，即，氮气和氢气。这些气体分别通过输入管道和换向阀34传送给质量流控制器32、33。在该实施例中，设置三个分别在中央区域10中分开地供应有气体35、36的混合物的基板保持件。以相应的方式，气流可以通过质量流控制器32、33调节。
外部环形区域以相似的方式通过换向阀34'和质量流控制器32'、33'供应有气体混合物。在该实施例中，在通向内部区域C的输入管道和通向外部区域A的输入管道之间设置调压器44。该调压器是膜盒式压差计，以便可以调节在两个区域A和C中的压差。此外，通过与排气管连接的流量压力调节器45调节通入区域A的输入管道的压力。
所有公开的特征（本身）对本发明都是重要的。对此，相应/附上的优先权材料（在先申请副本）公开的内容包含了本申请公开文本中的所有内容，也为此目的，将该材料的特征加入本发明的权利要求书中。从属权利要求的附加技术特征是现有技术独立完整的创造性扩展设计方案，尤其便于根据该权利要求进行分案申请。
附图标记列表
1基板保持件支架
2基板保持件
3基板
4承载腔
4'支承面
5进入口
6进入口
7输入管道
8输入管道
9气体分配通道
10气体分配通道
11集气通道
12集气通道
13排出管道
14排出管道
15密封圈(扩散阻挡件)
16环槽
17环槽
18缝隙
19气垫
20定心销
21气体入口
22盖板
23处理腔
24气体出口
25定心板
26支架
27分配腔
28输入管道
29输入管道
30加热装置
31反应器外壳
32质量流控制器32'质量流控制器
33质量流控制器33'质量流控制器
34换向阀34'换向阀
35气源
36气源
37气源
38管道
39供气通道
40转轴
41连接通道
42连接通道
43连接通道
44压力调节器
45压力调节器
A同心的外部区域
C环形的内部区域
a温度变化曲线
b温度变化曲线
C温度变化曲线
Claims (11)
1.一种带有处理腔(23)和设在该处理腔中的基板保持件支架(1)的CVD反应器，该基板保持件支架(1)具有至少一个支承面(4)，其中，在所述支承面(4')中通入多个气体输入管道(7,8)，该CVD反应器还具有以其背面指向所述支承面(4')的基板保持件(2)，其中，由所述气体输入管道(7,8)通入支承面(4')与背面之前的空间中的气体形成支撑所述基板保持件(2)的气垫(19)，其特征在于，所述气垫具有多个可分别通过对应配设的气体输入管道(7,8)个别供气的区域(A,C)，所述各区域(A,C)通过防止各区域(A,C)之间气体交换的器件(15)相互隔开，其中，至少一个位于内部的区域(C)配有气体排出管道(13,14)，由所述输入管道(7,8)输入所述位于内部的区域(C)中的气体能够通过所述气体排出管道(13,14)导出。
2.按权利要求1或尤其是以下所述的CVD反应器，其特征在于，所述防止各区域之间气体交换的器件(15)形成环形包围所述基板保持件(2)的旋转中心的扩散阻挡件(15)。
3.按权利要求1或2或尤其是以下所述的CVD反应器，其特征在于，所述扩散阻挡件(15)是突伸出一个表面、尤其是所述基板保持件支架(1)的支承面(4')的，尤其是插入一个槽(16)中的环(15)，该环这样嵌接到布置在所述基板保持件(2)的对置面、尤其是背面的环槽(17)中，使得所述两个区域(A,C)的气垫之间仅保留一个多次转向的缝隙(18)。
4.按前述权利要求之一或尤其是如下所述的CVD反应器，其特征在于，多个位于内部的区域(C)分别配有一个气体排出管道(13,14)。
5.按前述权利要求之一或尤其是如下所述的CVD反应器，其特征在于，所述气体排出管道(13,14)与尤其位于径向外部的、在圆周方向上沿所述区域(A,C)的边缘延伸的集气通道(11,12)相连通。
6.按前述权利要求之一或尤其是如下所述的CVD反应器，其特征在于，所述输入管道(7)与尤其位于径向内部的沿所述区域(A,C)的圆周边缘延伸的供气通道(39,40)连通。
7.按前述权利要求之一或尤其是如下所述的CVD反应器，其特征在于，所述基板保持件(2)位于所述基板保持件支架(1)的承载腔(4)中，其中，所述承载腔(4)的底板(4')形成所述支承面，所述基板保持件(2)的背面平行于所述支承面延伸，在其沿处理腔(23)的盖板(22)的方向向上指向的侧面能够设有基板(3)，其中，所述承载腔的底板(4')具有供气通道(39,40)和与之连通的，尤其是以螺旋线走向的气体分配通道(9,l0)并且其中，所述气体分配通道(9,l0)由与排出管道(13,14)连通的集气通道(11,12)包围。
8.按前述权利要求之一或尤其是如下所述的CVD反应器，其特征在于，具有多个围绕所述基板保持件支架(1)的中心圆形布置的承载腔(4)，所述承载腔(4)分别容纳基板保持件(2)，所述基板保持件(2)分别由具有多个区域(A,C)的气垫(19)支承，其中，设置用于各区域(A,C)的输入管道(7,8)，所述输入管道(7,8)要么个别地与气体供应装置连接要么与一个公共的气体供应装置连接。
9.一种用于支承在动态的气垫(19)上的并且尤其是被旋转驱动的、从下面加热的基板保持件(2)的表面温度的温度控制的方法，其特征在于，所述气垫(19)具有多个尤其是彼此同轴布置的区域(A,C)，具有彼此不同的并且尤其是可通过气体混合物的变化来调节的导热率的气体(35，36，37)或气体混合物输入所述区域(A,C)中。
10.一种用于处理基板的设备，其具有CVD反应器，该CVD反应器具有处理腔(23)和布置在该处理腔中的基板保持件支架(1)，该基板保持件支架(1)在其指向所述处理腔(23)的一侧的支承面(4')上支承基板保持件(2)并且能够借助加热装置(30)从其背面加热，其中，由气体混合系统供气的气体输入管道(7,8)通入所述支承面(4')，所述气体形成支承所述基板保持件(2)的动态气垫，其特征在于，所述气垫(19)具有多个彼此邻接的、由所述气体混合系统分别通过个别气体输入管道(7,8)供气的区域(A,C)，其中，所述气体混合系统具有气流控制元件(32,33,34,35)，通过这些气流控制元件，能够将彼此不同的气体或气体混合物提供给各自的所述气体输入管道(7,8)。
11.按权利要求10或尤其是以下所述的设备，其特征在于，所述气体混合系统具有用于第一气体的第一气源(35)和用于第二气体的第二气源(36)，其中，所述两个具有不同导热率的气体能够借助所述气流控制元件(32,33,34)个别地混合，以便通过调整所述气体组分个别调节在所述各区域(A,C)中的所述气垫的导热率。
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Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104835763A (zh) * | 2015-04-27 | 2015-08-12 | 沈阳拓荆科技有限公司 | 一种花瓣形表面结构的可控温加热盘 |
| CN105047543A (zh) * | 2015-06-17 | 2015-11-11 | 沈阳拓荆科技有限公司 | 一种涡旋形表面结构的可控温加热盘 |
| CN105547322A (zh) * | 2016-01-07 | 2016-05-04 | 交通运输部公路科学研究所 | 一种使用卫星定位数据进行车辆行驶里程计算的方法 |
| CN106684029A (zh) * | 2015-11-10 | 2017-05-17 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 承载装置及半导体加工设备 |
| CN109594063A (zh) * | 2018-12-27 | 2019-04-09 | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 | 一种外延反应设备 |
| CN110172683A (zh) * | 2019-06-27 | 2019-08-27 | 云谷（固安）科技有限公司 | 加热机构、等离子体腔室及在基片上成膜的方法 |
| CN110536976A (zh) * | 2017-01-27 | 2019-12-03 | 艾克斯特朗欧洲公司 | 运输环 |
| CN110603344A (zh) * | 2017-03-20 | 2019-12-20 | 艾克斯特朗欧洲公司 | 用于cvd反应器的基座 |
| CN113454264A (zh) * | 2019-02-21 | 2021-09-28 | 艾克斯特朗欧洲公司 | 具有用于局部影响基座温度的器件的cvd反应器 |
Families Citing this family (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5409413B2 (ja) * | 2010-01-26 | 2014-02-05 | 日本パイオニクス株式会社 | Ｉｉｉ族窒化物半導体の気相成長装置 |
| KR20110136583A (ko) * | 2010-06-15 | 2011-12-21 | 삼성엘이디 주식회사 | 서셉터 및 이를 구비하는 화학 기상 증착 장치 |
| DE102011055061A1 (de) * | 2011-11-04 | 2013-05-08 | Aixtron Se | CVD-Reaktor bzw. Substrathalter für einen CVD-Reaktor |
| DE102012101923B4 (de) * | 2012-03-07 | 2019-11-07 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Substratträgeranordnung, Beschichtungsanlage mit Substratträgeranordnung und Verfahren zur Durchführung eines Beschichtungsverfahrens |
| TWI506163B (zh) * | 2012-07-13 | 2015-11-01 | Epistar Corp | 應用於氣相沉積的反應器及其承載裝置 |
| DE102012108986A1 (de) | 2012-09-24 | 2014-03-27 | Aixtron Se | Substrathalter einer CVD-Vorrichtung |
| DE102014104218A1 (de) * | 2014-03-26 | 2015-10-01 | Aixtron Se | CVD-Reaktor mit Vorlaufzonen-Temperaturregelung |
| KR102372893B1 (ko) | 2014-12-04 | 2022-03-10 | 삼성전자주식회사 | 발광 소자 제조용 화학 기상 증착 장치 |
| US9738975B2 (en) | 2015-05-12 | 2017-08-22 | Lam Research Corporation | Substrate pedestal module including backside gas delivery tube and method of making |
| DE102016110788A1 (de) * | 2016-06-13 | 2017-12-14 | Aixtron Se | Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Bauelementen, insbesondere von Multi-Junction-Solarzellen im Durchlaufverfahren |
| KR102369676B1 (ko) | 2017-04-10 | 2022-03-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치의 제조장치 및 표시 장치의 제조방법 |
| JP7321768B2 (ja) * | 2018-05-23 | 2023-08-07 | 信越化学工業株式会社 | 化学気相成長装置および被膜形成方法 |
| DE102018123281A1 (de) * | 2018-09-21 | 2020-03-26 | Aixtron Se | CVD-Reaktor mit auf einem Gaspolster drehgelagerten Substrathaltern |
| DE102018124957A1 (de) * | 2018-10-10 | 2020-04-16 | Aixtron Se | CVD-Reaktor mit auf Gaspolstern aufliegenden Substrathaltern |
| DE102018131751A1 (de) | 2018-12-11 | 2020-06-18 | Aixtron Se | Suszeptor eines CVD-Reaktors |
| DE102018132673A1 (de) | 2018-12-18 | 2020-06-18 | Aixtron Se | Suszeptor für einen CVD-Reaktor |
| KR102238016B1 (ko) * | 2019-11-07 | 2021-04-08 | 주식회사 한화 | 열 구멍이 마련된 기판 처리 장치 |
| DE102020105753A1 (de) | 2020-03-04 | 2021-09-09 | Aixtron Se | Auf einer Unterseite mit einer Vielzahl von Strukturelementen versehener Substrathalter für einen CVD-Reaktor |
| DE102020107517A1 (de) | 2020-03-18 | 2021-09-23 | Aixtron Se | Suszeptor für einen CVD-Reaktor |
| TWI729778B (zh) * | 2020-04-21 | 2021-06-01 | 錼創顯示科技股份有限公司 | 載盤結構 |
| DE102020127662A1 (de) | 2020-10-21 | 2022-04-21 | Aixtron Se | Suszeptor für einen CVD-Reaktor |
| CN115029774A (zh) * | 2022-06-20 | 2022-09-09 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 半导体工艺设备及其承载装置 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5177878A (en) * | 1989-05-08 | 1993-01-12 | U.S. Philips Corporation | Apparatus and method for treating flat substrate under reduced pressure in the manufacture of electronic devices |
| US6040011A (en) * | 1998-06-24 | 2000-03-21 | Applied Materials, Inc. | Substrate support member with a purge gas channel and pumping system |
| WO2003008675A1 (de) * | 2001-07-12 | 2003-01-30 | Aixtron Ag | Prozesskammer mit abschnittsweise unterschiedlich drehangetriebenem boden und schichtabscheideverfahren in einer derartigen prozesskammer |
| US20080227227A1 (en) * | 2007-03-12 | 2008-09-18 | Tokyo Electron Limited | Dynamic temperature backside gas control for improved within-substrate process uniformity |
| DE102007026348A1 (de) * | 2007-06-06 | 2008-12-11 | Aixtron Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Temperatursteuerung der Oberflächentemperaturen von Substraten in einem CVD-Reaktor |
| CN101426954A (zh) * | 2006-04-21 | 2009-05-06 | 艾克斯特朗股份公司 | 用于控制工艺过程腔室内的基片表面温度的装置和方法 |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2596070A1 (fr) * | 1986-03-21 | 1987-09-25 | Labo Electronique Physique | Dispositif comprenant un suscepteur plan tournant parallelement a un plan de reference autour d'un axe perpendiculaire a ce plan |
| DE3915039A1 (de) * | 1989-05-08 | 1990-11-15 | Balzers Hochvakuum | Hubtisch |
| JPH03135014A (ja) * | 1989-10-20 | 1991-06-10 | Furukawa Electric Co Ltd:The | ウエハの成膜装置 |
| JPH07335630A (ja) * | 1994-06-13 | 1995-12-22 | Hitachi Ltd | 真空処理装置 |
| US5468299A (en) | 1995-01-09 | 1995-11-21 | Tsai; Charles S. | Device comprising a flat susceptor rotating parallel to a reference surface about a shaft perpendicular to this surface |
| AU6962196A (en) * | 1995-09-01 | 1997-03-27 | Advanced Semiconductor Materials America, Inc. | Wafer support system |
| US6170428B1 (en) * | 1996-07-15 | 2001-01-09 | Applied Materials, Inc. | Symmetric tunable inductively coupled HDP-CVD reactor |
| DE10056029A1 (de) * | 2000-11-11 | 2002-05-16 | Aixtron Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Temperatursteuerung der Oberflächentemperaturen von Substraten in einem CVD-Reaktor |
| JP2002280373A (ja) * | 2001-03-19 | 2002-09-27 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
| US6853953B2 (en) * | 2001-08-07 | 2005-02-08 | Tokyo Electron Limited | Method for characterizing the performance of an electrostatic chuck |
| US6797069B2 (en) * | 2002-04-08 | 2004-09-28 | Cree, Inc. | Gas driven planetary rotation apparatus and methods for forming silicon carbide layers |
| JP2004014952A (ja) * | 2002-06-10 | 2004-01-15 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置および処理方法 |
| US7156951B1 (en) | 2002-06-21 | 2007-01-02 | Lam Research Corporation | Multiple zone gas distribution apparatus for thermal control of semiconductor wafer |
| US8440049B2 (en) * | 2006-05-03 | 2013-05-14 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for etching high aspect ratio features |
| KR101405346B1 (ko) * | 2008-01-04 | 2014-06-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 기판 지지대, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 정렬방법 |
-
2009
- 2009-10-16 DE DE102009044276A patent/DE102009044276A1/de not_active Withdrawn
-
2010
- 2010-10-08 EP EP10763696.1A patent/EP2488679B1/de active Active
- 2010-10-08 US US13/502,356 patent/US9447500B2/en active Active
- 2010-10-08 JP JP2012533582A patent/JP5732466B2/ja active Active
- 2010-10-08 CN CN201080057579.5A patent/CN102656294B/zh active Active
- 2010-10-08 WO PCT/EP2010/065105 patent/WO2011045241A1/de active Application Filing
- 2010-10-08 KR KR1020127012630A patent/KR101770577B1/ko active IP Right Grant
- 2010-10-11 TW TW099134552A patent/TWI523974B/zh active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5177878A (en) * | 1989-05-08 | 1993-01-12 | U.S. Philips Corporation | Apparatus and method for treating flat substrate under reduced pressure in the manufacture of electronic devices |
| US6040011A (en) * | 1998-06-24 | 2000-03-21 | Applied Materials, Inc. | Substrate support member with a purge gas channel and pumping system |
| WO2003008675A1 (de) * | 2001-07-12 | 2003-01-30 | Aixtron Ag | Prozesskammer mit abschnittsweise unterschiedlich drehangetriebenem boden und schichtabscheideverfahren in einer derartigen prozesskammer |
| CN101426954A (zh) * | 2006-04-21 | 2009-05-06 | 艾克斯特朗股份公司 | 用于控制工艺过程腔室内的基片表面温度的装置和方法 |
| US20080227227A1 (en) * | 2007-03-12 | 2008-09-18 | Tokyo Electron Limited | Dynamic temperature backside gas control for improved within-substrate process uniformity |
| DE102007026348A1 (de) * | 2007-06-06 | 2008-12-11 | Aixtron Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Temperatursteuerung der Oberflächentemperaturen von Substraten in einem CVD-Reaktor |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104835763A (zh) * | 2015-04-27 | 2015-08-12 | 沈阳拓荆科技有限公司 | 一种花瓣形表面结构的可控温加热盘 |
| CN104835763B (zh) * | 2015-04-27 | 2018-08-14 | 沈阳拓荆科技有限公司 | 一种花瓣形表面结构的可控温加热盘 |
| CN105047543A (zh) * | 2015-06-17 | 2015-11-11 | 沈阳拓荆科技有限公司 | 一种涡旋形表面结构的可控温加热盘 |
| CN106684029A (zh) * | 2015-11-10 | 2017-05-17 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 承载装置及半导体加工设备 |
| CN105547322A (zh) * | 2016-01-07 | 2016-05-04 | 交通运输部公路科学研究所 | 一种使用卫星定位数据进行车辆行驶里程计算的方法 |
| CN105547322B (zh) * | 2016-01-07 | 2018-05-11 | 交通运输部公路科学研究所 | 一种使用卫星定位数据进行车辆行驶里程计算的方法 |
| CN110536976A (zh) * | 2017-01-27 | 2019-12-03 | 艾克斯特朗欧洲公司 | 运输环 |
| CN110536976B (zh) * | 2017-01-27 | 2022-03-15 | 艾克斯特朗欧洲公司 | 运输环 |
| CN110603344A (zh) * | 2017-03-20 | 2019-12-20 | 艾克斯特朗欧洲公司 | 用于cvd反应器的基座 |
| CN109594063A (zh) * | 2018-12-27 | 2019-04-09 | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 | 一种外延反应设备 |
| CN113454264A (zh) * | 2019-02-21 | 2021-09-28 | 艾克斯特朗欧洲公司 | 具有用于局部影响基座温度的器件的cvd反应器 |
| CN110172683A (zh) * | 2019-06-27 | 2019-08-27 | 云谷（固安）科技有限公司 | 加热机构、等离子体腔室及在基片上成膜的方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20120204796A1 (en) | 2012-08-16 |
| CN102656294B (zh) | 2014-06-11 |
| JP2013507779A (ja) | 2013-03-04 |
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