KR102238016B1 - 열 구멍이 마련된 기판 처리 장치 - Google Patents

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최재욱
김상보
문상윤
공한영
최승대
이백주
황재순
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Abstract

본 발명의 기판 처리 장치는 가열 수단이 마련된 챔버 내에 배치되는 디스크부; 상기 디스크부의 일면에 설치되고 기판이 안착되는 포켓부;를 포함하고, 상기 포켓부가 설치되는 상기 디스크부의 설치면에는 상기 가열 수단에 의해 생성된 열이 통과하는 열 구멍이 형성되거나, 상기 디스크부에 대면되는 포켓 기어에 상기 가열 수단의 열이 통과하는 기어 구멍이 형성될 수 있다.

Description

열 구멍이 마련된 기판 처리 장치{APPARATUS FOR PROCESSING SUBSTRATE}
본 발명은 기판에 박막을 증착하거나 기판을 세척 또는 식각하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
복수의 기판을 신속하게 처리하기 위해 하나의 플레이트 상에 복수의 기판이 배치될 수 있다.
복수의 기판이 배치된 플레이트에 따르면, 챔버 내에서 이루어지는 기판의 박막 증착, 식각 등이 복수의 기판에 대해서 복수로 이루어질 수 있다.
그러나, 챔버 내에 존재하는 원료의 확산 범위 또는 분포 범위, 기판의 온도가 균일하지 못하므로, 플레이트 상에 배치된 각 기판의 처리 상태가 불균일한 문제가 발생하기 쉽다. 보통 원료는 플레이트의 중심 영역에 집중되므로, 플레이트 중심에 인접한 기판 영역의 박막 두께가 플레이트 가장자리에 인접한 기판 영역의 박막 두께보다 두꺼울 수 있다.
이와 같은 박막 두께의 불균일로 인해 단일 기판 상에 제작된 소자의 전기적 특성 편차가 커지고, 수율이 저하되는 문제가 발생된다.
한국등록특허공보 제1150698호에는 디스크 상에 기판을 적재한 상태에서 이송 가능한 다수의 서셉터가 개시되고 있으나, 기판에 대한 처리 불균일을 해소하는 데는 무리가 있다.
한국등록특허공보 제1150698호
본 발명은 복수의 기판을 동시에 고르게 처리할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하기 위한 것이다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 기판 처리 장치는 가열 수단이 마련된 챔버 내에 배치되는 디스크부; 상기 디스크부의 일면에 설치되고 기판이 안착되는 포켓부;를 포함하고, 상기 포켓부가 설치되는 상기 디스크부의 설치면에는 상기 가열 수단에 의해 생성된 열이 통과하는 열 구멍이 형성되거나, 상기 디스크부에 대면되는 포켓 기어에 상기 가열 수단의 열이 통과하는 기어 구멍이 형성될 수 있다.
본 발명에 따르면, 디스크부에 형성된 열 구멍을 이용해, 챔버의 가열 수단에 의해 생성된 열을 공급받아 기판에 전달하는 포켓부의 열 전달 효율이 개선될 수 있다.
본 발명의 기판 처리 장치는 엔드 캡(end cap) 또는 포켓 기어를 이용해 열 구멍의 오픈 면적 등을 조절함으로써, 포켓부의 열 전달 효율을 원하는 방향으로 제어할 수 있다.
플라즈마를 이용한 증착, 식각 등의 공정에서는 기판이 안착되는 포켓부가 챔버의 외부와 전기적으로 연결될 필요가 있다.
본 발명에 따르면, 기판 표면의 균일한 플라즈마 처리 등을 위해 디스크부에 대해 포켓부가 회전할 수 있으며, 디스크부에 대해 회전하는 포켓부를 챔버 외부의 접지단에 전기적으로 연결시키는 방안이 제공될 수 있다.
도 1은 본 발명의 기판 처리 장치를 나타낸 개략도이다.
도 2는 본 발명의 디스크부를 나타낸 사시도이다.
도 3은 비교 실시예의 디스크부를 나타낸 사시도이다.
도 4 내지 도 6은 본 발명의 열 구멍을 나타낸 개략도이다.
도 7은 포켓 기어가 설치된 디스크부를 나타낸 개략도이다.
도 8은 본 발명의 포켓 기어를 나타낸 사시도이다.
도 9는 본 발명의 포켓 기어를 나타낸 개략도이다.
도 10은 본 발명의 기판 처리 장치를 나타낸 다른 개략도이다.
도 11은 제1 전기 채널의 제1 실시예를 나타낸 사시도이다.
도 12는 제1 전기 채널의 다른 제1 실시예를 나타낸 평면도이다.
도 13은 고정 부재를 나타낸 개략도이다.
도 14는 제1 전기 채널의 제2 실시예를 나타낸 사시도이다.
도 15는 본 발명의 브러시가 고정 홈에 설치된 상태를 나타낸 평면도이다.
도 16은 제1 전기 채널의 제3 실시예를 나타낸 사시도이다.
도 17은 제1 전기 채널의 다른 제3 실시예를 나타낸 평면도이다.
도 18은 본 발명의 브러시를 나타낸 개략도이다.
도 19는 베어링을 나타낸 사시도이다.
도 20은 베어링을 나타낸 단면도이다.
도 21은 베어링에 결합 수단과 포켓 기어가 설치된 상태를 나타낸 단면도이다.
도 22는 베어링의 분해 사시도이다.
도 23은 제1 전기 채널의 제4 실시예를 나타낸 개략도이다.
도 24는 도 23의 A-A`의 절단면을 나타낸 개략도이다.
도 25는 디스크부의 밑면을 나타낸 개략도이다.
도 26은 디스크부의 밑면을 나타낸 다른 개략도이다.
도 27 및 도 28은 디스크부의 밑면을 나타낸 또 다른 개략도이다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명에 따른 실시예를 상세히 설명한다. 이 과정에서 도면에 도시된 구성요소의 크기나 형상 등은 설명의 명료성과 편의상 과장되게 도시될 수 있다. 또한, 본 발명의 구성 및 작용을 고려하여 특별히 정의된 용어들은 사용자, 운용자의 의도 또는 관례에 따라 달라질 수 있다. 이러한 용어들에 대한 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 한다.
도 1은 본 발명의 기판 처리 장치를 나타낸 개략도이다.
도 1에 도시된 기판 처리 장치는 디스크부(130) 및 포켓부(150)를 포함할 수 있다.
본 발명의 기판 처리 장치는 챔버(110), 챔버(110)의 바닥면에 설치되어 적어도 하나의 기판(10)을 지지하는 디스크부(130), 챔버(110)의 상부를 덮는 챔버(110) 리드(Chamber Lid; 미도시)를 포함할 수 있다.
챔버(110)는 플라즈마 등을 이용해서 기판(10) 처리 공정을 수행할 수 있다. 일 예로, 챔버(110)는 ALD 공정을 위한 반응 공간을 제공할 수 있다. 이때, 챔버(110) 리드(미도시)에 설치되어 소스 가스(Source Gas)(SG)와 반응 가스(ReactantGas)(RG) 및 퍼지 가스(Purge Gas)(PG)를 디스크부(130) 상의 각기 다른 가스 분사 영역에 분사하는 가스 분사부(미도시)가 마련될 수 있다. 물론, 챔버(110)는 ALD, CVD, Etching 외의 다른 방식의 기판(10) 처리 방식에도 적용될 수 있다.
디스크부(130)(130)는 챔버(110)에 대해 고정되거나 회전 가능하게 챔버(110)의 내부 바닥면에 설치될 수 있다.
챔버(110)에 대해 회전 가능하게 설치된 디스크부(130)는 회전을 통해 디스크부(130) 상에 놓인 기판(10)을 고르게 플라즈마 처리할 수 있다. 일 예로, 챔버(110) 내 공간 전체에 한 종류의 가스를 채운 경우, 어느 특정한 하나의 기판(10)은 가공 부위에 상관없이 가공면 전체가 균일하게 세척, 증착, 식각될 수 있다. 또한, 디스크부(130)의 회전을 통해 디스크부(130)에 놓인 복수의 기판(10) 간의 처리(세척, 증착, 식각) 균일도가 개선될 수 있다. 세척, 증착, 식각 등의 기판(10) 처리가 균일하게 이루어지기 위해서는 각 기판(10)은 적절한 온도로 균일하게 가열될 필요가 있다. 기판(10)의 가열을 위해 디스크부(130)는 히터 등의 가열 수단(290)이 마련된 챔버(110) 내에 배치될 수 있다.
ALD 공정의 경우에는 디스크부(130)의 회전을 통해 기판(10)을 설정 순서에 따라 이동시켜가며 소스 가스와 퍼지 가스 및 반응 가스에 순차적으로 노출시킬 수 있다. 이에 따라, 기판(10)은 디스크부(130)의 회전에 따라 소스 가스와 퍼지 가스 및 반응 가스 각각에 순차적으로 노출되고, 이로 인해 기판(10) 상에는 ALD(Atomic Layer Deposition) 공정에 의한 단층 또는 복층의 박막이 증착될 수 있다.
ALD 공정에서 소스 가스는 소스 가스 영역에 대면되는 기판(10)에 분사되고, 퍼지 가스는 퍼지 가스 영역에 대면되는 기판(10)에 분사되며, 반응 가스는 반응 가스 영역에 대면되는 기판(10)에 분사될 수 있다.
ALD 공정에서 어느 특정한 하나의 기판(10)은 디스크부(130)의 회전에 따라, 소스 가스 영역, 퍼지 가스 영역, 반응 가스 영역을 차례로 거치면서 ALD(Atomic Layer Deposition) 공정에 의한 단층 또는 복층의 박막이 증착될 수 있다.
디스크부(130)는 챔버(110) 내에 배치될 수 있다. 챔버(110)에는 가공 대상물에 해당하는 기판(10)이 수용되는 수용 공간이 마련될 수 있다.
챔버(110) 내에서 기판(10)의 박막 증착 공정, 기판(10)의 세척 공정, 기판(10)의 식각 공정 등의 기판(10) 처리가 이루어질 수 있다.
박막 증착 공정의 경우 화학 증착법(CVD, chemical vapor deposition method), 물리 증착법(PVD, physical vapor deposition) 등이 적용되며, 모두 반응 가스 및 소스 가스 등의 박막 원료가 요구된다.
수율 개선을 위해 챔버(110) 내에 배치된 웨이퍼, PCB 등의 기판(10)에는 박막이 전영역에 걸쳐 균일한 두께로 증착되는 것이 좋다. 또한, 챔버(110) 내에 복수의 기판(10)이 함께 배치된 경우, 특정 기판(10)의 박막 두께와 다른 기판(10)의 박막 두께도 균일한 것이 좋다.
박막 증착을 포함한 기판(10) 처리가 균일하게 이루어지기 위해서는 챔버(110) 내에 확산된 원료의 분포 범위가 균일해야 한다. 그러나 챔버(110) 내의 원료 분포, 기판(10) 처리에 필요한 에너지를 제공하는 플라즈마의 분포 등을 고르게 유지시키는 것은 현실적으로 어렵다. 결과적으로, 챔버(110) 내의 원료 분포 또는 플라즈마 분포가 불균일하므로, 기판(10)에 대한 세척, 증착, 식각 등이 균일하게 이루어지기 어렵다.
일 예로, 원료 또는 플라즈마는 평면상으로 챔버(110)의 가운데에 집중적으로 분포되기 쉽다. 따라서, 한 장의 기판(10)을 기준으로, 챔버(110) 가운데에 인접한 영역에 대한 처리가 챔버(110) 가장자리에 인접한 영역에 대한 처리보다 강하게 이루어지게 된다. 따라서, 박막의 증착시 기판(10)의 일측이 타측보다 두껍게 증착되는 불균일 문제가 발생된다. 이러한 문제는 기판(10)의 세척 공정, 식각 공정에서도 동일하게 나타날 수 있다.
다른 예로, 챔버(110) 내에 제1 기판(10)과 제2 기판(10)이 함께 배치된 경우 원료 분포 또는 플라즈마 분포의 불균일로 인해 제1 기판(10)의 박막 두께와 제2 기판(10)의 박막 두께가 달라질 수 있다.
본 발명은 원료의 불균일 분포 또는 플라즈마의 불균일 분포 여부에 상관없이 단일 기판(10)의 영역별 처리 상태를 균일하게 하기 위한 것일 수 있다. 아울러, 동시에 처리되는 복수의 기판(10)의 처리 상태를 서로 균일하게 하기 위한 것일 수 있다.
본 발명의 기판 처리 장치는 복수의 기판(10)을 함께 처리하기 위해 포켓부(150)를 이용할 수 있다.
포켓부(150)는 디스크부(130)의 일면에 설치되고 기판(10)이 안착되는 판 형상으로 형성될 수 있다. 기판(10)에 대면되는 포켓부(150)의 일면에는 기판(10)이 안착되는 안착 홈(138)이 형성될 수 있다. 안착 홈(138)은 기판(10)의 훼손을 방지하고 증착 등의 기판(10) 처리가 확실하게 이루어지도록 하기 위해 기판(10)의 안착 부위와 동일한 형상으로 형성될 수 있다.
포켓부(150)는 디스크부(130)에 하나 이상 설치될 수 있다.
복수의 기판(10)을 함께 처리하기 위해 디스크부(130)에 복수로 형성된 포켓부(150)의 중심은 평면상으로 챔버(110)의 중심과 다를 수 있다. 따라서, 포켓부(150) 및 포켓부(150)에 안착된 기판(10)의 일측은 챔버(110)의 중심에 인접하게 배치되고, 타측은 챔버(110)의 가장자리에 인접하게 배치될 수 있다. 이때, 기판(10)의 불균일 처리를 방지하기 위해 제1 회전부 및 제2 회전부가 이용될 수 있다.
제1 회전부는 포켓부(150)를 제1 회전시킬 수 있다. 이때, 포켓부(150)는 제1 회전에 적합하도록 평면상으로 원 형상으로 형성되는 것이 좋다.
포켓부(150)의 제1 회전은 평면상으로 포켓부(150)의 중심을 회전 중심으로 하여 포켓부(150)가 회전하는 것으로 이하에서는 포켓부(150)의 자전으로 지칭하도록 한다. 포켓부(150)의 제1 회전은 챔버(110)에 대해 포켓부(150)가 360도 이상 회전하는 것일 수 있다.
제2 회전부는 포켓부(150)를 제2 회전시킬 수 있다.
포켓부(150)의 자전과 대비하여 포켓부(150)의 제2 회전은 포켓부(150) 외부에 마련된 가상의 회전축을 회전 중심으로 포켓부(150)가 회전하는 것일 수 있다. 이때, 가상의 회전축은 챔버(110)의 중심 또는 디스크부(130)의 중심에 마련되는 것이 좋다. 이 경우, 포켓부(150)의 제2 회전은 가상의 회전축을 중심으로 회전하는 공전으로 지칭될 수 있다.
일 예로, 제2 회전부는 포켓부(150)를 공전시키기 위해 복수의 포켓부(150)가 설치된 디스크부(130)를 디스크부(130)의 중심을 회전 중심으로 하여 회전시킬 수 있다.
포켓부(150)의 자전에 따르면, 포켓부(150)에 안착된 기판(10)에서 챔버(110)의 중심을 향하는 일측 영역이 고정되지 않고 시시각각 변하게 되므로, 기판(10)의 전 영역이 균일하게 처리될 수 있다. 일 예로, 제1 회전부에 따르면, 기판(10)의 일측과 타측 모두에 균일한 두께의 박막이 증착될 수 있고, 기판(10)은 영역의 구분없이 일정한 두께로 박막이 증착될 수 있다. 세척 또는 식각의 경우 기판(10)의 전체 영역이 고른 깊이로 세척되거나 식각될 수 있을 것이다.
한편, 챔버(110) 내에서 제1 기판(10)이 제1 위치에 배치되고, 제2 기판(10)이 제2 위치에 배치될 때, 제1 위치의 원료 밀도 또는 플라즈마 밀도는 제2 위치의 원료 밀도 또는 플라즈마 밀도와 다를 수 있다. 이에 따르면, 제1 기판(10)에 증착된 박막 두께와 제2 기판(10)에 증착된 박막 두께가 서로 달라질 수 있다. 제1 기판(10)에 증착된 박막 두께와 제2 기판(10)에 증착된 박막 두께가 균일해지도록 제2 회전부는 디스크부(130)를 회전시켜 포켓부(150)를 공전시킬 수 있다.
일 예로, 제2 회전부에 의해 제1 기판(10)과 제2 기판(10)이 제1 위치와 제2 기판(10)을 교대로 지나가게되면, 제1 기판(10)과 제2 기판(10)의 박막 두께가 균일해질 수 있다.
본 발명에 따르면, 제1 회전부에 의해 단일 기판(10)의 처리 균일도가 개선되고, 제2 회전부에 의해 복수 기판(10) 간의 처리 균일도가 개선될 수 있다. 결과적으로, 포켓부(150)의 자전 및 공정에 의하면 기판(10)의 전체 수율이 획기적으로 개선될 수 있다.
제1 회전부와 제2 회전부는 독립적으로 구동되는 것이 바람직하다. 왜냐하면, 제1 회전부가 포켓부(150)를 제1 속도 V1으로 제1 회전시키고, 제2 회전부가 디스크부(130)를 제2 속도 V2로 움직일 때, 박막 두께 등의 균일화를 위해 V1과 V2는 각각 독립적으로 조절되는 것이 좋기 때문이다.
본 발명의 기판 처리 장치에는 제1 회전부와 제2 회전부를 구분해서 제어하는 조절부가 마련될 수 있다. 사용자는 기판(10)에 대한 처리 결과를 확인한 후 사후적으로 조절부를 이용해 제1 회전부의 제1 속도 V1과 제2 회전부의 제2 속도 V2를 구분해서 조절할 수 있다.
비교 실시예로서, 제1 회전부와 제2 회전부가 서로 링크된 경우를 살펴본다. 이 경우, 포켓부(150)의 제1 속도 V1과 디스크부(130)의 제2 속도 V2는 서로 연동될 수 있다.
단일 기판(10)의 처리 균일도 개선을 위해 제1 속도 V1을 a1으로 조절한 경우, 제2 속도 V2 역시 강제로 b1으로 결정될 수 있다. 이 경우, 각 기판(10) 간의 처리 균일도가 만족된다면 별다른 문제가 없지만, 각 기판(10) 간의 처리 균일도가 불만족스럽더라도 어쩔 수 없이 제2 속도 V2를 b1으로 할 수밖에 없다. 따라서, 단일 기판(10)에 대한 처리 균일도는 만족되지만, 복수 기판(10) 간의 처리 균일도를 만족하지 못하는 문제가 발생할 수 있다.
반대로, 복수 기판(10) 간의 처리 균일도 개선을 위해 제2 속도 V2를 b2로 조절한 경우, 제1 속도 V1은 강제로 a2로 결정될 수밖에 없다. 이 경우, 각 기판(10) 간의 처리 균일도는 설계값을 만족할 수 있으나, 단일 기판(10)에 대한 처리 균일도는 설계값을 만족하지 못할 수 있다.
반면, 본 발명의 기판 처리 장치에 따르면, 제1 회전부와 제2 회전부가 서로 독립적으로 구동되므로, 포켓부(150)의 제1 속도 V1을 a1으로 조절하고, 디스크부(130)의 제2 속도 V2를 b2로 조절할 수 있다. 따라서, 본 발명에 따르면, 단일 기판(10)의 처리 균일도가 설계값을 만족하는 동시에 복수 기판(10) 간의 처리 균일도 역시 설계값을 만족할 수 있다.
한편, 포켓부(150)를 자전시키는 제1 회전부가 챔버(110)에 고정된 상태라면, 제1 회전부에 의해 디스크부(130)의 회전 및 디스크부(130)의 회전에 기인한 포켓부(150)의 공전이 제한될 수 있다.
제2 회전부에 의해 디스크부(130)가 원활하게 움직이도록, 제1 회전부는 디스크부(130)와 함께 움직이면서 포켓부(150)를 자전시킬 수 있다.
일 예로, 디스크부(130)가 직선 왕복 운동하는 경우 제1 회전부 역시 디스크부(130)와 함께 직선 왕복 운동할 수 있다. 만약, 디스크부(130)가 회전 운동하는 경우 제1 회전부 역시 디스크부(130)와 함께 회전 운동할 수 있다. 구체적으로, 디스크부(130)와 제1 회전부 간의 상대 속도는 0에 수렴할 수 있다.
제1 회전부에는 포켓부(150)를 회전시키는 제1 모터, 제1 모터와 포켓부(150)의 사이에서 제1 모터의 회전 동력을 포켓부(150)에 전달하는 링크 수단이 마련될 수 있다.
일 예로, 링크 수단에는 포켓부(150)에 연결된 포켓 기어(180), 포켓 기어(180)에 링크된 메인 기어(170), 메인 기어(170), 메인 기어(170)를 회전시키는 제1 모터가 마련될 수 있다. 메인 기어(170)가 제1 회전축(140)과 함께 회전하는 경우, 제1 모터는 제1 회전축(140)을 회전시켜도 무방하다. 단일 기판(10)의 처리 균일도 개선을 위해 제1 회전축(140)은 포켓부(150)의 중심에 형성되는 것이 바람직하다.
제1 모터가 회전하면, 제1 모터의 모터 축에 연결된 제1 회전축(140)이 회전될 수 있다. 제1 회전축(140)의 회전에 의해 메인 기어(170)가 회전하고, 메인 기어(170)에 링크된 포켓 기어(180)가 회전할 수 있다. 포켓 기어(180)가 회전하면, 포켓부(150)는 자전(제1 회전)할 수 있다.
제1 모터의 모터 축이 회전하면, 디스크부(130)의 회전 여부에 상관없이 제1 모터의 모터 축에 연결된 제1 회전축(140)이 회전하면서 포켓부(150)가 디스크부(130)에 대해서 자전할 수 있다.
포켓부(150)의 공전을 제한하지 않으면서, 포켓부(150)를 자전시키기 위해 포켓부(150)를 회전시키는 제1 모터는 포켓부(150)와 함께 제2 회전축(120)을 중심으로 공전할 수 있다.
만약, 제1 회전축(140)과 제2 회전축(120)이 동축 상에 배치되면, 제1 모터는 한자리에 고정될 수 있다.
일 예로, 제2 회전축(120)은 중공 파이프 형상으로 형성될 수 있다. 이때, 제1 회전축(140)은 제2 회전축(120)의 중공에 회전 가능하게 삽입될 수 있다. 이에 따르면, 외형적으로 제2 회전축(120)만이 챔버(110)를 관통할 수 있다. 물론, 제1 회전축(140)이 중공 파이프 형상으로 형성되고 제2 회전축(120)이 제1 회전축(140)의 중공에 삽입되는 실시예도 가능하다.
조절부에 의해 구분되어 제어되는 제1 모터와 제2 모터에 의해 포켓부(150)와 디스크부(130)는 서로 다른 회전 방향, 서로 다른 회전 속도로 회전할 수 있다.
포켓부(150)의 가운데에는 기판(10)을 승강시키는 리프트부(151)가 마련될 수 있다. 기판(10)은 리프트부(151)가 상승하면 포켓부(150)의 안착 홈(138)으로부터 이격되고, 리프트부(151)가 하강하면 안착 홈(138)에 안착될 수 있다.
안착 홈(138)의 바닥면에 안착된 기판(10)에는 박막이 증착될 수 있으며, 이때, 박막 일부는 기판(10)보다 큰 직경을 갖는 포켓부(150)의 가장자리에도 증착될 수 있다. 이에 따르면, 기판(10)과 포켓부(150)는 박막에 의해 일부 접착된 상태가 될 수 있으며, 리프트부(151)에 의해 해당 접착이 떨어질 수 있다. 이때, 접착을 끊기 위해 가해지는 리프트의 압력에 의해 기판(10)이 훼손되기 쉽다. 또한, 리프트부(151)의 승강을 통해 접착을 떼어내는 과정에서 기판(10)이 기울어지면서 리프트부(151)로부터 떨어지는 현상이 발생될 수 있다.
기판(10)의 훼손을 방지하기 위해 본 발명의 리프트부(151)는 특수한 구조를 취할 수 있다.
접착을 떼어내는 과정 등에 의해 기판(10)에 인가되는 압력이 분산되도록, 리프트부(151)에는 포켓부(150)의 안착 홈(138) 바닥면에 평행하게 연장되는 판부가 마련될 수 있다. 판부는 기판(10)에 면접촉되므로 기판(10)에 가해지는 압력을 고르게 분산시킬 수 있으며, 승강 과정에서 기판(10)이 기울어지는 현상을 확실하게 방지할 수 있다.
기판(10)을 보호하기 위해 판부는 항상 포켓부(150)의 안착 홈(138) 바닥면에 평행한 것이 좋다. 판부가 안착 홈(138) 바닥면에 평행하도록, 리프트부(151)에는 판부의 중심으로부터 아래를 향해 연장되는 연장부가 마련될 수 있다. 연장부의 연장 방향은 판부의 승강 방향과 동일할 수 있다. 연장부는 디스크부(130)에 형성된 제1 통공(134)에 관통 설치될 수 있다. 이때, 제1 통공(134)은 디스크부(130)의 윗면으로부터 아랫면까지 연장될 수 있다.
판부 및 연장부에 의해 리프트부(151)의 측면은 'T' 형상으로 형성될 수 있다. 이때, 연장부는 디스크부(130)의 제1 통공(134)에 슬라이딩되면서 상승하거나 하강할 수 있다. 제1 통공(134)에 가이드되는 연장부는 승강 방향에 다르게 기울어지는 것이 방지되며, 연장부에 연결된 판부 역시 항상 포켓부(150)의 안착 홈(138) 바닥면에 평행한 상태를 유지할 수 있다.
챔버(110)에는 연장부를 위로 밀거나 아래로 잡아당기는 리프트 구동부(160)가 마련될 수 있다.
제1 회전부는 디스크부(130)의 밑면에 대면하게 배치될 수 있다. 이때, 리프트 구동부(160)는 디스크부(130) 또는 포켓부(150)가 움직일 때, 제1 회전부로부터 도피되게 아래로 하강한 상태를 유지할 수 있다. 이때, 리프트부(151)는 자중에 의해 하강한 상태가 될 수 있다. 리프트 구동부(160)는 디스크부(130) 및 포켓부(150)가 정지되면 상승해서 디스크부(130)의 밑면에 노출된 리프트부(151)의 연장부를 물리적으로 밀어올릴 수 있다.
포켓부(150)는 디스크부(130)의 제1 통공(134)에 대면하게 설치될 수 있으며, 디스크부(130)의 제1 통공(134)을 통해 포켓 기어(180)에 연결될 수 있다. 이때, 포켓 기어(180)와 제1 통공(134)의 사이 또는 포켓부(150)와 제1 통공(134)의 사이에는 포켓 기어(180) 또는 포켓부(150)의 회전을 허용하는 축부(131)가 개재될 수 있다. 축부(131)는 포켓부(150)에 연결되는 요소로, 디스크부(130)에 회전 가능하게 지지될 수 있다. 일 예로, 축부(131)는 포켓부(150)의 자전 중심이 되는 제1 회전축(140)을 형성할 수 있으며, 베어링을 포함할 수 있다. 베어링은 디스크부(130)에 회전 가능하게 지지될 수 있다.
기판 처리 장치에는 가열 수단(290)이 마련될 수 있다. 가열 수단(290)은 챔버(110) 내에 설치되고 기판(10)을 설정 온도로 가열할 수 있다. 이때의 설정 온도는 박막 증착 등의 기판(10) 처리가 원활하게 수행되는 온도로 결정될 수 있다. 가열 수단(290)은 디스크부(130)와 챔버(110)의 밑면 사이에 설치될 수 있다. 디스크부(130)의 일면에 포켓부(150)가 설치될 때, 가열 수단(290)은 챔버(110) 내에서 디스크부(130)의 타면 측에 설치된 히터 등을 포함할 수 있다.
포켓부(150)는 디스크부(130)의 하측에 설치된 가열 수단(290)으로부터 열을 공급받아 기판(10)에 전달하는 역할을 수행할 수 있다.
그런데, 가열 수단(290)과 기판(10) 사이에 배치된 디스크부(130)에 의해 포켓부(150)에 대해 가열 수단(290)이 가려질 수 있다. 디스크부(130)에 형성된 제1 통공(134)은 축부(131)와 리프트부(151)의 설치를 위한 것이므로, 축부(131)와 리프크부가 설치되면, 폐쇄된 상태가 될 수 있다. 그 결과, 가열 수단(290)은 디스크부(130)에 의해 포켓부(150)에 대해 완전히 가려진 상태가 될 수 있다.
가열 수단(290)의 열이 디스크부(130)를 통과해서 포켓부(150)에 직접 인가되도록, 포켓부(150)가 설치되는 디스크부(130)의 설치면에는 가열 수단(290)에 의해 생성된 열이 통과하는 열 구멍(139)이 별도로 형성될 수 있다. 히터 등의 가열 수단(290)에서 생성된 열은 열 구멍(139)을 통과해서 포켓부(150)로 직접 전달될 수 있다.
포켓부(150)가 디스크부(130)에 복수로 마련될 때, 열 구멍(139)은 각 포켓부(150)에 대면되는 위치마다 형성될 수 있다. 이때, 가열 수단(290)은 열 구멍(139)에 대면되는 위치에 설치될 수 있다. 복수의 열 구멍(139)이 가열 수단(290)의 특정 지점에 대면되는 위치를 번갈아 지나가도록, 가열 수단(290)과 디스크부(130)는 서로 상대 운동하게 형성될 수 있다.
일 예로, 가열 수단(290)이 챔버(110)에 고정된 상태에서 열 구멍(139)은 포켓부(150)와 함께 공전할 수 있다. 가열 수단(290)의 열이 부위별로 다르더라도 공전하는 열 구멍(139)을 통해 복수의 포켓부(150)는 고르게 가열될 수 있다. 복수의 포켓부(150)를 보다 확실하게 균일 가열하기 위해 가열 수단(290)은 디스크부(130)의 회전 중심이 되는 제2 회전축(120)을 중심으로 회전할 수 있다.
도 2는 본 발명의 디스크부(130)를 나타낸 사시도이다.
디스크부(130)의 일면에 포켓부(150)가 안착되는 안착 홈(138)이 형성될 때, 열 구멍(139)은 안착 홈(138)의 바닥면 가운데에 형성될 수 있다. 포켓부(150)의 지지를 위해 열 구멍(139)의 직경은 포켓부(150)의 직경보다 작게 형성될 수 있다.
열 구멍(139)과 포켓부(150) 간의 직경의 차이로 인해 안착 홈(138)에 안착된 포켓부(150)의 가운데는 열 구멍(139)에 대면되며, 안착 홈(138)에 안착된 포켓부(150)의 가장자리는 안착 홈(138)의 바닥면 가장자리에 회전 가능하게 지지될 수 있다.
포켓부(150)가 자전 가능하게 디스크부(130)에 설치되는 경우, 베어링 등의 축부(131)가 디스크부(130)에 지지되어야 한다. 그런데, 축부(131)보다 큰 직경을 갖는 열 구멍(139)에 따르면, 축부(131)는 열 구멍(139) 가운데에 부유하는 비현실적인 상태가 될 수 있다.
축부(131)의 설치를 위해, 본 발명의 기판 처리 장치에는 열 구멍(139)의 가운데에 형성된 설치부(133), 열 구멍(139)을 가로질러 설치부(133)와 디스크부(130)를 연결하는 이음부(135)가 마련될 수 있다.
설치부(133)에는 포켓부(150)의 회전 중심이 되는 축부(131)가 설치될 수 있다. 일 예로, 설치부(133)는 축부(131)가 설치되는 제1 통공(134)을 갖는 링 형상으로 형성될 수 있다. 포켓부(150)는 디스크부(130)에 대해 축부(131)를 중심으로 회전 가능하게 디스크부(130)에 설치될 수 있다.
설치부(133)를 확실하게 지지하기 위해 이음부(135)는 복수로 마련될 수 있다. 각 이음부(135)는 설치부(133)를 중심으로 서로 다른 각도에 마련될 수 있다. 바람직하게 각 이음부(135)는 설치부(133)를 중심으로 등각도로 설치될 수 있다.
열 구멍(139)은 복수의 이음부(135)에 의해 복수로 분할될 수 있다. 이음부(135)는 포켓부(150)에 대해 열 구멍(139)을 가리는 가림판 기능을 수행할 수 있다. 따라서, 이음부(135)에 의한 열 구멍(139)의 가림 면적이 최소화되도록, 각 이음부(135)는 막대 형상으로 형성될 수 있다. 복수로 분할된 각 열 구멍(139)은 막대 형상으로 형성된 이음부(135)로 인해 부채꼴 형상으로 형성될 수 있다.
포켓부(150)의 가운데에 기판(10)을 승강시키는 리프트부(151)가 마련될 때, 축부(131)의 가운데에는 리프트부(151)를 밀어올리거나 아래로 잡아당기는 리프트 구동부(160)가 통과하는 리프트 구멍(132)이 형성될 수 있다.
챔버(110)에 대해 디스크부(130)가 회전 가능하게 설치될 때, 디스크부(130)의 중심에는 제2 회전축(120) 등이 설치되는 제2 통공(137)이 형성될 수 있다.
디스크부(130)는 가열 수단(290)의 열을 받고, 받은 열을 기판(10)에 고르게 전달할 수 있다. 디스크부(130)의 측면에는 매우 좁은 갭(gap)을 두고 열 차단막이 존재할 수 있으며, 열 차단막으로 인해 챔버 내측벽으로의 열손실이 최소화될 수 있다.
도 3은 비교 실시예의 디스크부(130)를 나타낸 사시도이다.
도 3의 비교 실시예는 축부(131)의 설치를 위한 제1 통공(134), 제2 회전축(120)의 설치를 위한 제2 통공(137)만 형성된 상태로, 별도의 열 구멍(139)이 배제된 상태이다.
그 결과, 안착 홈(138)의 바닥면에 의해 가열 수단(290)이 완전히 가려지게 되고, 기판(10)에 대한 가열 수단(290)의 열손실이 커지게 된다.
도 4 내지 도 6은 본 발명의 열 구멍(139)을 나타낸 개략도이다. 도 4 내지 도 6은 챔버(110)의 바닥에 대면되는 디스크부(130)의 타면을 바라본 상태이다. 다시 말해, 밑에서 위로 디스크부(130)를 바라본 상태이다.
포켓부(150)를 통한 기판(10)의 가열 상태에 따라 기판(10)의 처리 결과가 달라질 수 있다. 기판(10)의 처리 결과에 따라, 열 구멍(139)의 크기 및 각도 등의 형상를 조절함으로써 포켓부(150)를 통해 기판(10)으로 전달되는 열을 조절할 수 있다.
일 예로, 도 4와 같이 최대 크기의 열 구멍(139)으로 인해 기판(10)의 과열되는 경우, 도 5와 같이 작은 크기의 열 구멍(139)을 갖는 디스크부(130)를 이용함으로써 기판(10)의 과열을 방지할 수 있다.
열 구멍(139)의 크기가 달라질 때마다 서로 다른 규격의 열 구멍(139)이 형성된 디스크부(130)를 교체하는 것이 어려울 수 있다. 디스크부(130)의 교체 없이 열 구멍(139)의 크기를 조절하기 위해 도 6의 엔드 캡(136)(end cap)이 마련될 수 있다.
엔드 캡(136)(end cap)은 디스크부(130)의 타면에 설치되고 적어도 열 구멍(139)의 일부를 가리도록 형성될 수 있다. 엔드 캡(136)은 디스크부(130)의 타면 측에 노출된 열 구멍(139)의 오픈 면적을 조절할 수 있다. 일 예로, 엔드 캡(136)은 디스크부(130)의 타면에 착탈 가능하게 형성될 수 있으며, 다양한 크기로 형성될 수 있다.
도 6의 엔드 캡(136)을 이용해서 도 4의 열 구멍(139)을 가리면 도 5와 같이 작은 크기의 열 구멍(139)이 제공될 수 있다.
열 구멍(139)은 크기를 줄일 때, 엔드 캡(136)은 열 구멍(139)의 외주측 가장자리부터 막은 후 점차 가운데를 막는 것이 좋다. 열 구멍(139)의 크기를 줄이기 위해 이음부(135)의 폭을 증가하는 비교 실시예의 경우, 포켓부(150)의 온도 균일도가 저하될 수 있다.
디스크부(130)의 측면과 챔버(110) 내측벽 사이로 통과한 열은 주로 기판(10)의 가장자리를 가열하게 되므로, 기판(10)의 가장자리가 기판(10)의 가운데보다 높게 가열되기 쉽다. 열 구멍(139)의 가장자리부터 막아나가는 본 실시예에 따르면, 포켓부(150)를 통해 기판(10)의 가운데가 확실하게 가열되므로, 기판(10)이 전 영역에 걸치 고르게 가열될 수 있다.
도 7은 포켓 기어(180)가 설치된 디스크부(130)를 나타낸 개략도이고, 도 8은 본 발명의 포켓 기어(180)를 나타낸 사시도이다. 도 7 및 도 8은 디스크부(130) 또는 포켓 기어(180)를 밑에서 위로 바라본 상태이다.
도 7 및 도 8에 개시된 포켓 기어(180) 또는 중간 기어(190)는 회전력을 전달할 수 있는 벨트 또는 풀리 등으로 교체되어도 무방하다.
디스크부(130)의 가운데에는 제1 회전축에 연결되는 제1 연결 수단(141), 제2 회전축에 연결되는 제2 연결 수단(121)이 마련될 수 있다.
본 발명의 기판 처리 장치에는 디스크부(130)의 타면 측에 설치되고 포켓부(150)에 연결된 포켓 기어(180), 포켓 기어(180)에 맞물리는 링크 기어, 링크 기어를 회전시키는 제1 구동부가 마련될 수 있다.
제1 구동부는 제1 모터를 포함할 수 있다.
링크 기어는 제1 모터의 모터 축에 설치된 모터 축 기어를 포함할 수 있다. 또는 링크 기어는 모터 축 기어와 포켓 기어(180) 사이에 개재된 중간 기어(190)를 포함할 수 있다.
포켓부(150)는 제1 구동부에 의해 링크 기어가 회전하면, 링크 기어에 맞물린 포켓 기어(180)와 함께 회전할 수 있다. 링크 기어는 디스크부(130)에 평행한 방향 상으로 포켓 기어(180)와 다른 위치에 배치될 수 있다.
디스크부(130)의 일면에 포켓부(150)가 마련될 때, 디스크부(130)의 타면 측에 형성된 포켓 기어(180) 및 링크 기어는 가열 수단(290)에 대해서 열 구멍(139)을 가릴 수 있다.
가열 수단(290)에 대해 열 구멍(139)이 노출되도록, 포켓 기어(180)에서 열 구멍(139)에 대면되는 부위에는 가열 수단(290)의 열이 통과하는 기어 구멍(189)이 형성될 수 있다. 이때, 링크 기어의 일부가 열 구멍(139)에 대면된다면, 기어 구멍(189)을 통한 열의 통과 효율이 낮아지거나, 열 구멍(139)을 통과하는 열의 제어가 어려워질 수 있다. 열 통과 효율 및 열 제어 개선을 위해 링크 기어는 평면상으로 열 구멍(139)으로부터 이격된 위치에 배치되는 것이 좋다. 다시 말해, 링크 기어는 열 구멍(139)으로부터 벗어나, 열 구멍(139)을 가리지 않는 위치에 배치될 수 있다.
링크 기어가 열 구멍(139)으로 이격되도록, 포켓 기어(180)는 열 구멍(139)을 덮을 수 있는 직경 또는 크기로 형성될 수 있다.
포켓 기어(180)는 기어 구멍(189)을 갖도록 특수한 구조로 형성될 수 있다.
일 예로, 포켓 기어(180)에는 링 형상으로 형성되고 다른 기어에 맞물리는 이빨이 형성된 링부(181), 축부(131)에 착탈되는 중심부(183), 기어 구멍(189)을 가로질러 링부(181)와 중심부(183)를 연결하는 연결부(185)가 마련될 수 있다. 이때, 링부(181)는 1개 포켓부(150) 위치에 형성된 열 구멍(139) 전체를 덮을 수 있는 크기 또는 직경을 가질 수 있다.
연결부(185)에 의해 기어 구멍(189)은 복수로 분할되고, 각 기어 구멍(189)은 부채꼴 형상 등으로 형성될 수 있다.
본 발명의 포켓 기어(180)는 포켓부(150)와 함께 열 구멍(139)에 대해 회전하는 요소로, 포켓 기어(180)에 형성된 기어 구멍(189)은 기판(10)의 온도에 영향을 줄 수 있다. 또한, 기어 구멍(189)은 디스크부(130)의 전체 하중을 감소시켜, 디스크부(130)의 회전에 필요한 필요 동력을 감소시키는 동시에 디스크부(130) 가장자리의 처짐 현상을 방지할 수 있다.
포켓 기어(180)가 회전하면, 연결부(185)는 열 구멍(139)을 주기적으로 가릴 수 있다.
포켓 기어(180)는 연결부(185)의 형성 위치, 개수, 면적, 형상 중 적어도 하나가 서로 다른 복수 종류로 마련될 수 있다.
복수 종류로 마련된 포켓 기어(180)는 열 구멍(139)을 통과하는 열량의 조절을 위해 축부(131)에 대해 교체 가능하게 형성될 수 있다.
도 9는 본 발명의 포켓 기어(180)를 나타낸 개략도이다.
회전을 통해 열 구멍(139)을 주기적으로 가리는 연결부(185)의 변경을 통해 열 구멍(139)을 통과하는 열량이 조절될 수 있다.
일 예로, 도 9의 (a)와 같이 포켓 기어(180)의 외주측과 내주측에 각각 기어 구멍(189)을 형성하면, 포켓부(150)의 가장자리와 가운데에 서로 다른 열량이 인가될 수 있다.
도 9의 (b) 내지 (e)에 도시된 바와 같이 중심부(183)와 링부(181)를 연결하는 연결부(185)의 개수를 증가시키면, 열 구멍(139)을 통과하는 열량이 점진적으로 줄어들 수 있다.
가열 수단(290)이 복사 열원인 경우, 포켓 기어(180)는 도 9의 (f)에 도시된 바와 같이, 쿼츠(quartz) 등의 투명 재질을 포함할 수 있다. 디스크부(130) 전체의 하중 감소를 위해 투명 재질의 포켓 기어(180)의 경우에도 기어 구멍(189)이 형성되는 것이 바람직하다.
중심부(183)의 가운데에는 리프트부(151)가 통과하는 통과 구멍(182)이 형성될 수 있다.
중심부(183)의 가장자리에는 축부(131)의 가장자리에 착탈되는 착탈 구멍(188)이 형성될 수 있다. 도 8는 나사를 통해 착탈 구멍(188)이 축부(131)에 장착된 상태이다.
리프트부(151) 또는 리프트 구동부(160)가 설치부(133)에 형성된 리프트 구멍(132) 및 중심부(183)에 형성된 통과 구멍(182)을 통해 정상적으로 동작하도록, 리프트 구멍(132)과 통과 구멍(182)은 동축 상에 형성될 수 있다.
도 10은 본 발명의 기판 처리 장치를 나타낸 다른 개략도이다.
세척, 증착, 식각 등의 공정에서 기판(10)이 안착되는 포켓부(150)는 전기적으로 챔버(110) 외부와 연결되어야 한다.
일 예로, 플라즈마를 이용한 기판(10) 처리시 챔버(110)의 상측에는 대전력 고주파 전원에 연결되고, 고주파 전력이 인가되는 상부 전극(250) 또는 안테나가 마련될 수 있다. 이때, 포켓부(150)는 고주파 전력과 함께 챔버(110) 내 플라즈마 발생을 유도하는 하부 전극 또는 접지단에 전기적으로 연결될 필요가 있다. 경우에 따라, 포켓부(150)에는 기판(10)을 흡착시키는 전자기력을 유발하는 직류 전력이 인가될 수도 있다.
그런데, 본 발명에 따르면 포켓부(150)는 디스크부(130)에 회전 가능하게 설치되므로, 회전물과 고정물 사이에서 전기적 연결을 수행하는 별도의 전기적 연결 수단이 마련되어야 한다.
포켓부(150)는 전기가 소통되는 제1 전기 채널 ①, 제2 전기 채널 ②, 제3 전기 채널 ③ 중 적어도 하나를 통해 접지단에 접지될 수 있다.
제1 전기 채널 ①은 접지단에 전기적으로 연결된 전도성의 디스크부(130)(전도성 패턴이 형성된 디스크부(130) 포함)가 마련될 때, 포켓부(150)와 디스크부(130)에 물리적으로 접촉되는 브러시(270)를 이용해서 포켓부(150)가 디스크부(130)에 전기적으로 연결되는 전기 채널일 수 있다.
제2 전기 채널 ②는 접지단에 전기적으로 연결된 전도성의 디스크부(130)가 마련될 때, 축부(131)에 해당하는 베어링 또는 부싱을 통해 포켓부(150)가 디스크부(130)에 전기적으로 연결되는 전기 채널일 수 있다.
제3 전기 채널 ③은 접지단에 전기적으로 연결된 포켓 기어(180)가 마련될 때, 베어링을 통해 포켓부(150)가 포켓 기어(180)에 전기적으로 연결되는 전기 채널일 수 있다.
도 11은 제1 전기 채널의 제1 실시예를 나타낸 사시도이다.
열 구멍(139)의 가운데에 형성된 설치부(133)에서 포켓부(150)에 대면되는 일면에는 포켓부(150)에 마련된 결합 수단(260)이 삽입되는 결합 홈(234)이 형성될 수 있다. 결합 수단(260)은 포켓부(150)와 함께 회전하는 요소일 수 있으며, 포켓부(150)와 별도로 준비된 후 포켓부(150)에 체결되거나, 포켓부(150)와 일체로 형성될 수 있다. 결합 수단(260)은 포켓부와 함께 회전하는 자전축, 포켓, 기어 등을 포함할 수 있다.
결합 홈(234)의 바닥면 가운데에는 결합 홈(234)보다 작은 직경을 가지며 축부(131)가 삽입되는 제1 통공(134)이 형성될 수 있다.
결합 홈(234)에 삽입된 결합 수단(260)은 축부(131)와 함께 회전되도록 축부(131)에 연결될 수 있다.
일 예로, 축부(131)에 해당하는 베어링은 상대 회전하는 외륜(310)과 내륜(330)을 포함할 수 있다. 이때, 외륜(310)은 제1 통공(134)에 고정되고, 내륜(330)은 결합 수단(260)에 고정될 수 있다. 외륜(310)에 대해 내륜(330)이 회전하면, 결과적으로 제1 통공(134)이 형성된 디스크부(130)에 대해 결합 수단(260)이 형성된 포켓부(150)가 회전하게 된다.
결합 홈(234)의 직경은 결합 수단(260)의 직경보다 클 수 있다. 직경의 차이로 인해, 결합 홈(234)의 내벽과 결합 수단(260)의 측면 사이에는 틈이 형성될 수 있다. 이때의 틈을 이용해 결합 홈(234)의 내벽과 결합 수단(260)의 측면 사이에 개재되는 브러시(270)가 마련될 수 있다.
브러시(270)는 전기가 소통되는 전도성 재질을 포함할 수 있다.
브러시(270)의 일단은 전도성의 디스크부(130)에 고정될 수 있다. 브러시(270)의 타단은 결합 홈(234)의 내벽으로부터 결합 수단(260)의 측면을 향해 돌출되고 돌출된 방향과 다르게 휘어지면서, 회전하는 결합 수단(260)의 측면에 슬라이딩 접촉되게 형성될 수 있다. 이와 반대로, 브러시(270)의 일단은 결합 수단(260)의 측면에 고정되고, 결합 수단(260)과 함께 회전될 수 있다. 이때, 브러시(270)의 타단은 전도성의 디스크부(130)에 슬라이딩 접촉될 수 있다.
브러시(270)는 와이어 형상 또는 판 형상을 기본으로 탄성을 유지할 수 있는 다양한 형상으로 형성될 수 있다.
브러시(270)가 디스크부(130)로부터 이탈되어 결합 수단(260)과 결합 홈(234)의 내벽 사이에서 자유롭게 움직이면 결합 수단(260) 또는 포켓부(150)가 훼손될 수 있으므로, 확실하게 브러시(270)를 지지하는 방안이 마련되는 것이 좋다.
일 예로, 결합 홈(234)의 내벽 일부에는 축부(131)로부터 방사 방향을 따라 움푹 파인 고정 홈(240)이 형성될 수 있다. 이때, 기판 처리 장치에는 고정 홈(240)에 설치되는 고정 부재(280)가 마련될 수 있다. 고정 부재(280)에는 브러시(270)의 일단이 삽입되는 삽입 홈(281)이 형성될 수 있다. 고정 부재(280)는 나사 등의 체결 부재(241)를 통해 고정 홈(240)에 체결될 수 있다. 고정 부재(280)의 삽입 홈(281)에 일단이 삽입된 브러시(270)는 고정 부재(280)를 통해 결과적으로 고정 홈(240)에 나사 체결 또는 억지끼워맞춤, 용접 등을 통해 고정된 것과 같은 상태가 될 수 있다.
도 12는 제1 전기 채널의 다른 제1 실시예를 나타낸 평면도이다.
브러시(270)가 확실하게 고정 홈(240)에 고정되도록, 브러시(270)의 일단은 고정 홈(240)에 체결된 체결 부재(241)에 감길 수 있다. 체결 부재(241)에 일단이 감긴 브러시(270)는 토션 스프링과 같은 형상을 가질 수 있다.
고정 부재(280)의 삽입 홈(281) 또는 체결 부재(241)에 일단이 고정된 브러시(270)는 탄성적으로 결합 수단(260)에 접촉될 수 있다.
포켓부(150)와 함께 회전하는 결합 수단(260)은 브러시(270)의 타단에 슬라이딩 접촉되면서, 브러시(270)에 전기적으로 연결될 수 있다. 브러시(270)는 디스크부(130)를 통해 접지단 또는 하부 전극에 전기적으로 연결될 수 있다.
도 13은 고정 부재(280)를 나타낸 개략도이다.
고정 부재(280)에는 브러시(270)의 일단이 삽입되는 삽입 홈(281) 및 체결 부재(241)가 통과하는 제1 체결 홀(289)이 형성될 수 있다. 이때, 삽입 홈(281)은 체결 부재(241)가 통과하는 제1 체결 홀(289)을 감는 형상으로 형성될 수 있다. 고정 부재(280)가 고정 홈(240)에 삽입되고, 삽입 홈(281)에 브러시(270)의 일단이 삽입되며, 제1 체결 홀(289)에 체결 부재(241)가 설치되면, 브러시(270)의 일단은 체결 부재(241)를 감는 형태가 될 수 있다. 따라서, 브러시(270)의 일단은 체결 부재(241)에 걸리므로, 고정 홈(240)으로부터 브러시(270)가 이탈하려는 현상이 확실하게 방지될 수 있다.
도 14는 제1 전기 채널의 제2 실시예를 나타낸 사시도이다.
결합 수단(260)에 슬라이딩 접촉되는 브러시(270)의 타단은 결합 수단(260)의 회전 방향을 따라 연장되는 것이 좋다. 일 예로, 결합 수단(260)이 시계 방향에 해당하는 정방향으로 회전할 때, 브러시(270)의 타단은 정방향을 추종하는 방향을 따라 연장되는 것이 좋다.
그런데, 이 경우, 결합 수단(260)이 반시계 방향에 해당하는 역방향으로 회전할 때, 브러시(270)의 타단이 튐 현상에 의해 결합 수단(260)으로부터 순간적으로 이격될 수 있다.
결합 수단(260)의 회전 방향에 상관없이 브러시(270)가 확실하게 결합 수단(260)에 밀착되도록, 브러시(270)는 정방향을 따라 연장되는 제1 브러시(270)와 역방향을 따라 연장되는 제2 브러시(270)를 포함할 수 있다.
한편, 고정 홈(240)에 설치되는 별도의 고정 부재(280)를 배제하는 방안이 마련될 수 있다.
도 18은 본 발명의 브러시(270)를 나타낸 개략도이다.
브러시(270)의 일단에는 고정 홈(240)에 삽입된 판 형상의 고정부(273)가 마련될 수 있다. 고정부(273)는 평면상으로 고정홈과 동일한 형상 및 크기로 형성될 수 있다.
고정부(273)에는 체결 부재(241)가 설치되는 제2 체결 홀(275)이 형성될 수 있다.
고정부(273)의 일측에는 결합 수단(260)에 접촉되는 몸체부(271)가 형성될 수 있다. 몸체부(271)는 고정부(273)의 일측으로부터 결합 수단(260)을 향해 연장될 수 있다. 몸체부(271)는 결합 수단(260)의 측면에 선접촉 또는 면접촉되게 고정부(273)에 수직하게 꺾여질 수 있다.
도 15는 본 발명의 브러시(270)가 고정 홈(240)에 설치된 상태를 나타낸 평면도이다.
고정 홈(240)에 고정부(273)를 삽입하고 제2 체결 홀(275)에 체결 부재(241)를 설치하면, 브러시(270)의 일단에 해당하는 고정부(273)는 고정 홈(240)에 체결될 수 있다.
고정 홈(240)으로부터 결합 수단(260)을 향해 돌출된 몸체부(271)는 정방향 또는 역방향을 따라 휘어지고 결합 수단(260)의 측면에 탄성적으로 밀착될 수 있다.
도 16은 제1 전기 채널의 제3 실시예를 나타낸 사시도이다.
결합 수단(260)의 측면에 슬라이딩 접촉되게 형성된 브러시(270)의 타단은 결합 홈(234)의 내벽을 향해 휘어지면서 폐곡선 현상으로 말리게 형성될 수 있다.
폐곡선 형상으로 말린 브러시(270)의 타단은 일측이 결합 수단(260)의 측면에 접촉되고, 타측이 결합 홈(234)의 내벽에 접촉되는 탄성력을 가질 수 있다.
이때, 폐곡선 형상으로 말린 브러시(270)의 타단은 고정 홈(240)을 기준으로 정방향 및 역방향으로 연장되게 형성될 수 있다.
도 17은 제1 전기 채널의 다른 제3 실시예를 나타낸 평면도이다.
폐곡선 형상의 타단을 갖는 브러시(270)는 정방향 또는 역방향 중 어느 일방향으로만 연장되더라도, 결합 수단(260)의 회전 방향에 상관없이 확실하게 결합 수단(260)에 접촉될 수 있다.
폐곡선 형상으로 형성된 브러시(270)는 결합 수단(260)의 측면 및 결합 홈(234)의 내벽에 일측과 타측이 동시에 접촉되는 탄성력을 통해 결합 수단(260)의 측면에 면접촉될 수 있다. 이때의 면접촉이 결합 수단(260)의 회전 방향에 상관없이 일정하게 유지되도록, 브러시(270)는 다음과 같이 형성될 수 있다.
고정 홈(240)으로부터 돌출된 브러시(270)는 정방향을 따라 제1 길이 L1만큼 연장되며 결합 수단(260)의 측면에 밀착될 수 있다.
제1 길이 L1만큼 연장된 브러시(270)는 결합 홈(234)의 내벽을 향해 휘어진 후 역방향을 따라 제2 길이 L2만큼 연장되며 결합 홈(234)의 내벽에 밀착될 수 있다.
제2 길이 L2만큼 연장된 브러시(270)는 다시 결합 수단(260)을 향해 휘어진 후 정방향을 따라 제3 길이 L3만큼 연장되며, 결합 수단(260)에 밀착될 수 있다.
제3 길이 L3만큼 연장된 브러시(270)는 다시 결합 홈(234)의 내벽을 향해 휘어진 후 역방향 따라 연장되며, 결합 홈(234)의 내벽에 밀착될 수 있다.
본 실시예에 따르면, 브러시(270)가 복수 횟수로 휘어지면서 겹겹이 적층되므로, 결합 수단(260) 및 결합 홈(234)의 내벽에 밀착되려는 브러시(270)의 탄성력이 강화될 수 있다. 강화된 탄성력으로 인해 브러시(270)는 긴 구간에 걸쳐 결합 수단(260)에 면접촉될 수 있다. 또한, 결합 수단(260)이 역방향으로 회전하더라도 폐곡선 형상으로 말린 브러시(270)의 상태가 유지되면서 결합 수단(260)과 디스크부(130) 간의 전기적 연결이 유지될 수 있다.
도 19는 베어링을 나타낸 사시도이고, 도 20은 베어링을 나타낸 단면도이다. 도 21은 베어링에 결합 수단(260)과 포켓 기어(180)가 설치된 상태를 나타낸 단면도이다.
축부(131)에 해당하는 베어링에는 제1 통공(134)에 고정되는 외륜(310), 외륜(310)에 회전 가능하게 설치되는 내륜(330)이 마련될 수 있다.
그라파이트(graphite) 베어링과 같이 접촉면의 슬라이딩을 통해 외륜(310)에 대해 내륜(330)이 회전하는 슬라이딩 베어링의 경우, 반드시 외륜(310)과 내륜(330) 사이의 접촉면이 형성될 수 있다. 이때, 외륜(310)과 내륜(330)이 전도성 재질을 포함한다면, 베어링은 외륜(310)에 연결된 각 요소와 내륜(330)에 연결된 각 요소를 전기적으로 연결시킬 수 있다.
일 예로, 외륜(310)이 고정 설치되는 제1 통공(134)이 디스크부(130)에 마련될 때, 외륜(310)은 제1 통공(134) 및 디스크부(130)에 전기적으로 연결될 수 있다.
내륜(330)에는 결합 수단(260)을 통해 포켓부(150)가 연결되거나, 포켓 기어(180)가 연결될 수 있다.
내륜(330)에 연결된 포켓부(150)는 전기적으로 내륜(330)에 연결되므로, 내륜(330)과 외륜(310)을 통해 결과적으로 디스크부(130)에 전기적으로 연결될 수 있다. 이 경우, 제2 전기 채널 ②가 형성될 수 있다.
또는, 내륜(330)에 포켓부(150)와 포켓 기어(180)가 함께 연결된 경우, 포켓부(150)와 포켓 기어(180)는 내륜(330)을 통해 서로 전기적으로 연결될 수 있다. 이 경우, 제3 전기 채널 ③이 형성될 수 있다.
도 22는 베어링의 분해 사시도이다.
외륜(310)의 내주면에는 내륜(330)의 일부가 삽입되는 홈 형상의 제1 슬라이딩부(313)가 형성될 수 있다.
제1 슬라이딩부(313)가 내주를 따라 연속적으로 형성되도록, 외륜(310)은 서로 결합되는 제1 외륜(311)과 제2 외륜(312)을 포함할 수 있다.
제1 외륜(311)에는 제1 슬라이딩부(313)의 상부가 형성되고, 제2 외륜(312)에는 제2 슬라이딩부(333)의 하부가 형성될 수 있다.
내륜(330)의 외주면(331)에는 제1 슬라이딩부(313)에 삽입되는 돌기 형상의 제2 슬라이딩부(333)가 형성될 수 있다.
내륜(330)의 외주면(331)에는 설정 각도마다 홈에 해당하는 음각 가공면(332)이 마련될 수 있다. 음각 가공면(332)은 내륜(330)과 외륜(310) 간의 마찰 부하를 감소시킬 수 있다.
음각 가공면(332)은 제1 외륜(311)에 대면되는 제2 슬라이딩부(333)의 상측면 또는 제2 외륜(312)에 대면되는 제2 슬라이딩부(333)의 하측면에도 마련될 수 있다.
도 23은 제1 전기 채널의 제4 실시예를 나타낸 개략도이고, 도 24는 도 23의 A-A`의 절단면을 나타낸 개략도이다.
본 발명의 포켓부(150)는 자전 가능하게 디스크부(130)에 설치될 수 있다. 포켓부(150)의 자전이 제한되지 않도록, 포켓부(150)는 디스크부(130)로부터 이격되게 형성될 수 있다.
포켓부(150) 상부의 파티클이 포켓부(150)와 디스크부(130)의 사이로 유입되는 현상을 방지하기 위해, 포켓부(150)에 대면되는 디스크부(130)의 안착 홈(138) 바닥면 또는 안착 홈(138)에 대면되는 포켓부(150)의 타면에는 라비린스 실(Labyrinth seal)이 형성될 수 있다.
포켓부(150)의 밑면과 디스크부(130)의 상면 사이의 미세한 틈에 브러시(270)가 설치될 수 있다.
브러시(270)의 일단은 포켓부(150)의 밑면 또는 포켓부(150)의 상면 중 어느 하나에 체결되고, 브러시(270)의 타단은 포켓부(150)의 밑면 또는 포켓부(150)의 상면 중 나머지 하나에 슬라이딩 접촉되게 형성될 수 있다.
유지 보수의 편의를 위해 디스크부(130)로부터 분리될 수 있는 포켓부(150)에 브러시(270)의 일단이 체결되는 것이 좋다.
도 25는 디스크부(130)의 밑면을 나타낸 개략도이다.
제1 회전부에는 메인 기어(170)와 포켓 기어(180) 사이에 개재되는 중간 기어(190)가 추가로 마련될 수 있다. 메인 기어(170)와 중간 기어(190)는 모터의 동력을 포켓 기어(180)로 전달하는 링크 기어에 해당할 수 있다.
중간 기어(190)에 의해 제1 메인 기어(170), 포켓 기어(180), 포켓부(150)는 서로 동일한 방향으로 회전할 수 있다.
일 예로, 도 25에서 메인 기어(170)가 시계 방향으로 회전하는 경우를 가정한다.
포켓 기어(180)가 메인 기어(170)에 직접 맞물리면 포켓 기어(180) 및 포켓부(150)는 메인 기어(170)와 반대인 반시계 방향으로 회전하게 된다.
반면, 중간 기어(190)가 개재되면, 포켓 기어(180)와 포켓부(150) 역시 시계 방향으로 회전하게 된다.
도 26은 디스크부(130)의 밑면을 나타낸 다른 개략도이다.
중간 기어(190)는 도 25와 같이 포켓 기어(180)의 개수에 맞춰 복수로 마련될 수 있다. 이때, 중간 기어(190)의 직경 및 배치 위치의 조절을 통해 필요한 중간 기어(190)의 개수를 줄일 수 있다.
일 예로, 1개의 중간 기어(190)는 서로 이격된 2개의 포켓 기어(180)와 제1 회전축(140)에 맞물리도록 형성될 수 있다. 본 실시예에 따르면, 짝수개의 포켓부(150)가 디스크부(130)에 설치되는 것이 좋으며, 중간 기어(190)의 개수는 포켓부(150) 개수의 절반이면 충분하다.
도 27 및 도 28은 디스크부(130)의 밑면을 나타낸 또 다른 개략도이다.
복수의 포켓 기어(180)는 서로 맞물리게 형성될 수 있다. 이 경우 어느 하나의 포켓 기어(180)만 모터에 의해 회전하면 전체 포켓 기어(180)가 함께 회전할 수 있다.
메인 기어(170)는 디스크부(130)의 회전 중심이 되는 제2 회전축(120)과 동축에 설치되거나 다른 축에 설치될 수 있다.
도 27에서 메인 기어(170)는 제2 회전축(120)과 다른 위치에 형성되고, 도 28에서 메인 기어(170)는 제2 회전축(120)과 동축에 형성되고 있다.
이상에서 본 발명에 따른 실시예들이 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 분야에서 통상적 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 범위의 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 다음의 특허청구범위에 의해서 정해져야 할 것이다.
10...기판 110...챔버
120...제2 회전축 130...디스크부
131...축부(베어링) 140...제1 회전축
150...포켓부 151...리프트부
160...리프트 구동부 170...메인 기어
180...포켓 기어 190...중간 기어
210...조절부 230...업다운부
250...상부 전극 260...결합 수단
270...브러시 280...고정 부재
290...가열 수단

Claims (14)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 가열 수단이 마련된 챔버 내에 배치되는 디스크부;
    상기 디스크부의 일면에 설치되고 기판이 안착되는 포켓부;를 포함하고,
    상기 포켓부가 설치되는 상기 디스크부의 설치면에는 상기 가열 수단에 의해 생성된 열이 통과하는 열 구멍이 형성되거나, 상기 디스크부에 대면되는 포켓 기어에 상기 가열 수단의 열이 통과하는 기어 구멍이 형성되며,
    상기 포켓부는 상기 디스크부에 복수로 마련되고,
    상기 열 구멍은 각 포켓부에 대면되는 위치마다 형성되며,
    상기 가열 수단은 상기 열 구멍에 대면되는 위치에 설치되고,
    복수의 열 구멍이 상기 가열 수단의 특정 지점에 대면되는 위치를 번갈아 지나가도록, 상기 가열 수단과 상기 디스크부가 상대 운동하는 기판 처리 장치.
  4. 가열 수단이 마련된 챔버 내에 배치되는 디스크부;
    상기 디스크부의 일면에 설치되고 기판이 안착되는 포켓부;를 포함하고,
    상기 포켓부가 설치되는 상기 디스크부의 설치면에는 상기 가열 수단에 의해 생성된 열이 통과하는 열 구멍이 형성되거나, 상기 디스크부에 대면되는 포켓 기어에 상기 가열 수단의 열이 통과하는 기어 구멍이 형성되며,
    상기 디스크부의 일면에는 상기 포켓부가 안착되는 안착 홈이 형성되고,
    상기 열 구멍은 상기 안착 홈의 바닥면 가운데에 형성되며,
    상기 열 구멍의 직경은 상기 포켓부의 직경보다 작게 형성되고,
    상기 열 구멍과 상기 포켓부 간의 직경의 차이로 인해 상기 안착 홈에 안착된 상기 포켓부의 가운데는 상기 열 구멍에 대면되며, 상기 안착 홈에 안착된 상기 포켓부의 가장자리는 상기 안착 홈의 바닥면 가장자리에 회전 가능하게 지지되는 기판 처리 장치.
  5. 가열 수단이 마련된 챔버 내에 배치되는 디스크부;
    상기 디스크부의 일면에 설치되고 기판이 안착되는 포켓부;를 포함하고,
    상기 포켓부가 설치되는 상기 디스크부의 설치면에는 상기 가열 수단에 의해 생성된 열이 통과하는 열 구멍이 형성되거나, 상기 디스크부에 대면되는 포켓 기어에 상기 가열 수단의 열이 통과하는 기어 구멍이 형성되며,
    상기 열 구멍의 가운데에 형성된 설치부, 상기 열 구멍을 가로질러 상기 설치부와 상기 디스크부를 연결하는 이음부가 마련되고,
    상기 설치부에는 상기 포켓부의 회전 중심이 되는 축부가 설치되며,
    상기 포켓부는 상기 디스크부에 대해 상기 축부를 중심으로 회전 가능하게 상기 디스크부에 설치되는 기판 처리 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 이음부는 복수로 마련되고,
    각 이음부는 막대 형상으로 형성되고, 상기 설치부를 중심으로 서로 다른 각도에 마련되며,
    상기 열 구멍은 복수의 상기 이음부에 의해 복수로 분할되고,
    복수로 분할된 각 열 구멍은 부채꼴 형상으로 형성된 기판 처리 장치.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 포켓부의 가운데에는 상기 기판을 승강시키는 리프트부가 마련되고,
    상기 축부의 가운데에는 상기 리프트부를 밀어올리거나 아래로 잡아당기는 리프트 구동부가 통과하는 리프트 구멍이 형성된 기판 처리 장치.
  8. 가열 수단이 마련된 챔버 내에 배치되는 디스크부;
    상기 디스크부의 일면에 설치되고 기판이 안착되는 포켓부;를 포함하고,
    상기 포켓부가 설치되는 상기 디스크부의 설치면에는 상기 가열 수단에 의해 생성된 열이 통과하는 열 구멍이 형성되거나, 상기 디스크부에 대면되는 포켓 기어에 상기 가열 수단의 열이 통과하는 기어 구멍이 형성되며,
    상기 디스크부의 타면에 설치되고 적어도 상기 열 구멍의 일부를 가리는 엔드 캡(end cap)이 마련된 기판 처리 장치.
  9. 가열 수단이 마련된 챔버 내에 배치되는 디스크부;
    상기 디스크부의 일면에 설치되고 기판이 안착되는 포켓부;를 포함하고,
    상기 포켓부가 설치되는 상기 디스크부의 설치면에는 상기 가열 수단에 의해 생성된 열이 통과하는 열 구멍이 형성되거나, 상기 디스크부에 대면되는 포켓 기어에 상기 가열 수단의 열이 통과하는 기어 구멍이 형성되며,
    상기 디스크부의 타면 측에 설치되고 상기 포켓부에 연결된 상기 포켓 기어, 상기 포켓 기어에 맞물리는 링크 기어, 상기 링크 기어를 회전시키는 제1 구동부가 마련되고,
    상기 포켓부는 상기 제1 구동부에 의해 링크 기어가 회전하면, 상기 링크 기어에 맞물린 상기 포켓 기어와 함께 회전하며,
    상기 링크 기어는 상기 디스크부에 평행한 방향 상으로 상기 포켓 기어와 다른 위치에 배치되고,
    상기 포켓 기어는 상기 열 구멍을 덮을 수 있는 크기로 형성되며,
    상기 포켓 기어에서 상기 열 구멍에 대면되는 부위에는 상기 열이 통과하는 상기 기어 구멍이 형성된 기판 처리 장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 포켓부에 연결되는 축부가 마련되고,
    상기 축부는 상기 디스크부에 회전 가능하게 지지되며,
    상기 포켓 기어에는 링 형상으로 형성된 링부, 상기 축부에 착탈되는 중심부, 상기 기어 구멍을 가로질러 상기 링부와 상기 중심부를 연결하는 연결부가 마련되고,
    상기 포켓 기어가 회전하면 상기 연결부는 상기 열 구멍을 주기적으로 가리며,
    상기 포켓 기어는 상기 연결부의 형성 위치, 개수, 면적, 형상 중 적어도 하나가 서로 다른 복수 종류로 마련되고,
    복수 종류로 마련된 상기 포켓 기어는 상기 열 구멍을 통과하는 열량의 조절을 위해 상기 축부에 대해 교체 가능한 기판 처리 장치.
  11. 제9항에 있어서,
    상기 포켓부에 연결되고 상기 디스크부에 회전 가능하게 지지되는 축부가 마련되고,
    상기 포켓 기어에는 상기 축부에 착탈되는 중심부가 마련되며,
    상기 포켓부의 가운데에는 상기 기판을 승강시키는 리프트부가 마련되고,
    상기 축부의 가운데에는 상기 리프트부를 밀어올리거나 아래로 잡아당기는 리프트 구동부가 통과하는 리프트 구멍이 형성되며,
    상기 중심부의 가운데에는 상기 리프트부가 통과하는 통과 구멍이 형성되고,
    상기 리프트 구멍과 상기 통과 구멍은 동축 상에 형성된 기판 처리 장치.
  12. 가열 수단이 마련된 챔버 내에 배치되는 디스크부;
    상기 디스크부의 일면에 설치되고 기판이 안착되는 포켓부;를 포함하고,
    상기 포켓부가 설치되는 상기 디스크부의 설치면에는 상기 가열 수단에 의해 생성된 열이 통과하는 열 구멍이 형성되거나, 상기 디스크부에 대면되는 포켓 기어에 상기 가열 수단의 열이 통과하는 기어 구멍이 형성되며,
    상기 포켓부에 연결된 축부, 디스크부의 타면 측에 설치되고 상기 축부를 회전시키는 포켓 기어가 마련되고,
    상기 포켓부는 전기가 소통되는 제1 전기 채널, 제2 전기 채널, 제3 전기 채널 중 하나를 통해 접지단에 접지되고,
    상기 제1 전기 채널은 상기 접지단에 전기적으로 연결된 전도성의 상기 디스크부가 마련될 때, 상기 포켓부와 상기 디스크부에 접촉되는 브러시부를 이용해서 상기 포켓부가 상기 디스크부에 전기적으로 연결되는 전기 채널이며,
    상기 제2 전기 채널은 상기 접지단에 전기적으로 연결된 전도성의 상기 디스크부가 마련될 때, 상기 축부를 통해 상기 포켓부가 상기 디스크부에 전기적으로 연결되는 전기 채널이고,
    상기 제3 전기 채널은 상기 접지단에 전기적으로 연결된 상기 포켓 기어가 마련될 때, 상기 축부를 통해 상기 포켓부가 상기 포켓 기어에 전기적으로 연결되는 전기 채널인 기판 처리 장치.
  13. 가열 수단이 마련된 챔버 내에 배치되는 디스크부;
    상기 디스크부의 일면에 설치되고 기판이 안착되는 포켓부;를 포함하고,
    상기 포켓부가 설치되는 상기 디스크부의 설치면에는 상기 가열 수단에 의해 생성된 열이 통과하는 열 구멍이 형성되거나, 상기 디스크부에 대면되는 포켓 기어에 상기 가열 수단의 열이 통과하는 기어 구멍이 형성되며,
    상기 열 구멍의 가운데에 형성된 설치부, 상기 열 구멍을 가로질러 상기 설치부와 상기 디스크부를 연결하는 이음부가 마련되고,
    상기 설치부에는 상기 포켓부의 회전 중심이 되는 축부가 설치되며,
    상기 포켓부에 대면되는 상기 설치부의 일면에는 상기 포켓부에 마련된 결합 수단이 삽입되는 결합 홈이 형성되며,
    상기 결합 홈의 바닥면 가운데에는 상기 결합 홈보다 작은 직경을 가지며 상기 축부가 삽입되는 제1 통공이 형성되고,
    상기 결합 홈에 삽입된 상기 결합 수단은 상기 축부와 함께 회전되도록 상기 축부에 연결되며,
    상기 결합 홈의 직경은 상기 결합 수단의 직경보다 크고,
    상기 결합 홈의 내벽과 상기 결합 수단의 측면 사이에 개재되는 브러시가 마련되며,
    상기 브러시의 일단은 상기 디스크부 또는 상기 결합 수단의 측면에 고정되고,
    상기 브러시의 타단은 상기 디스크부 또는 상기 결합 수단에 슬라이딩 접촉되는 기판 처리 장치.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 결합 수단의 측면에 슬라이딩 접촉되게 형성된 상기 브러시의 타단은 다시 상기 결합 홈의 내벽을 향해 휘어지면서 폐곡선 형상으로 말리게 형성되고,
    상기 폐곡선 형상으로 말린 브러시의 타단은 일측이 상기 결합 수단의 측면에 접촉되고, 타측이 상기 결합 홈의 내벽에 접촉되는 탄성력을 갖는 기판 처리 장치.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023080368A1 (ko) * 2021-11-03 2023-05-11 주식회사 한화 샤워 헤드 및 이를 포함하는 기판 처리 장치

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20100083046A (ko) * 2009-01-12 2010-07-21 주성엔지니어링(주) 기판안치수단 및 이를 포함하는 기판처리장치
KR20100106129A (ko) * 2009-03-23 2010-10-01 주식회사 테스 기판처리장치
KR101150698B1 (ko) 2009-10-16 2012-06-08 주성엔지니어링(주) 기판안치수단과 이를 포함하는 기판처리장치 및 기판처리모듈
KR20120083470A (ko) * 2009-10-16 2012-07-25 아익스트론 에스이 복수의 구역을 포함하는 가스 쿠션 상에 놓인 기판 홀더를 구비한 ｃｖｄ 반응기
KR20190129917A (ko) * 2017-03-20 2019-11-20 아익스트론 에스이 Cvd-반응기의 서셉터

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100513104B1 (ko) * 2002-04-16 2005-09-07 엘지.필립스 엘시디 주식회사 기판 건조장치
US10167571B2 (en) * 2013-03-15 2019-01-01 Veeco Instruments Inc. Wafer carrier having provisions for improving heating uniformity in chemical vapor deposition systems
KR101466816B1 (ko) * 2013-09-23 2014-12-10 국제엘렉트릭코리아 주식회사 히터 부재 및 그것을 갖는 기판 처리 장치
KR101832253B1 (ko) * 2016-11-24 2018-02-26 주식회사 한화 기판 처리 장치

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20100083046A (ko) * 2009-01-12 2010-07-21 주성엔지니어링(주) 기판안치수단 및 이를 포함하는 기판처리장치
KR20100106129A (ko) * 2009-03-23 2010-10-01 주식회사 테스 기판처리장치
KR101150698B1 (ko) 2009-10-16 2012-06-08 주성엔지니어링(주) 기판안치수단과 이를 포함하는 기판처리장치 및 기판처리모듈
KR20120083470A (ko) * 2009-10-16 2012-07-25 아익스트론 에스이 복수의 구역을 포함하는 가스 쿠션 상에 놓인 기판 홀더를 구비한 ｃｖｄ 반응기
KR20190129917A (ko) * 2017-03-20 2019-11-20 아익스트론 에스이 Cvd-반응기의 서셉터

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023080368A1 (ko) * 2021-11-03 2023-05-11 주식회사 한화 샤워 헤드 및 이를 포함하는 기판 처리 장치

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