TWI523974B - A CVD reactor carried by a multi-zone air cushion, and a method of controlling the temperature of the surface temperature of the substrate base - Google Patents
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Description
本發明係有關於一種包括至少一基板座的CVD反應器，該基板座在一動態氣墊上被一基板座支架承載，該基板座可自底面被一加熱裝置加熱。
本發明此外亦關於一種對多個基板座之表面溫度進行溫度控制的方法，該等基板座承載於動態氣墊上，特定言之係旋轉.驅動且自下方加熱。
DE 10 2006 018 514 A1描述一種CVD反應器，其包括反應器殼體、位於該反應器殼體內之處理室及構成該處理室之底部的基板座支架。此反應器具有多個環繞中心佈置且與進氣通道連通之圓形承載槽。多個各承載一基板之圓盤形基板座內嵌於該等凹槽中。為基板塗覆III-V族半導體層。所需起始材料呈氣態，例如由有機金屬成分及氫化物構成。此等起始材料在混氣系統中與運載氣體混合。該氣體混合物經多個分離通道進入一用於將氣體送入處理室之進氣機構。處理室自下方被加熱。採用射頻加熱裝置或電阻加熱裝置。熱量以熱傳導方式由石墨製基板座支架傳遞至指向處理室的表面。在此過程中，傳向基板之熱量須克服由一動態氣體軸承所構成之間隙的阻礙，基板座位於該氣體軸承上且由其予以旋轉驅動。送入處理室之氣體，例如TMGa或TMIn或TMAl
以及ASH3、NH3或PH3發生熱解。該分解反應主要發生於處理室底部之已加熱表面及自下方受熱之基板的表面。生長率、覆層成分或晶體品質主要取決於各局部表面溫度。DE 10 2006 018 514 A1提出一種使橫向溫度儘可能均勻的方法，亦即，使承載槽底部與基板座底面間之間隙高度不一以使得自基板座支架傳向基板座之熱流因地而異。藉由對徑向間隙高度分佈加以適當選擇，可產生凹陷、凸起甚或平坦之溫度剖面。
DE 10 2007 026 348 A1亦有關於一種包括基板座支架之CVD反應器，該基板座支架指向處理室之表面佈置有多個分別放置於一動態樞軸承上的基板座。每個動態樞軸承皆與一供氣裝置單獨相連以便對氣體品質進行單獨調節。
DE 100 56 029 A1描述一種在CVD反應器內對基板表面溫度進行溫度控制的方法。其中，在不同位置量測表面溫度並求其平均值。透過氣墊高度可調節基板溫度。該調節措施亦可為每一基板座單獨實施。
US 7,156,951 B1揭示一種基板處理裝置，其中，基板放置於基板座表面。基板座之承載面構成多個與進氣管及排氣管連通之同心扁平凹槽。可為此等凹槽加載壓力不等的冷卻氣體。
DE 695 24 640 T2揭示一種CVD反應器，其中，一基板座支架具有三個軸頸，以分別對一旋轉放置於氣墊上的圓盤
形基板座進行旋轉支承。
DD 2 98 435 A5描述一種包含多個開口的工件支架，氣體可經由該等開口排出並形成一動態氣層，以便在支架與工件之間實現熱傳導。
US 2009/0173446 A1描述一種包括基板座之CVD反應器，該基板座具有一承載槽，基板可在該承載槽內被一氣墊所承載。該承載槽底部與多個進氣管連通。
US 2003/0033116 A1描述一種可加熱基板座，其包括兩分離進氣管及多個佈置於承載槽底部且由該等進氣管供氣之氣體通道。
US 6,053,982 A描述一種包括基板座之CVD反應器，基板可在該基板座上被一氣墊所承載。
本發明所涉及之課題為，對用於承載直徑大於等於四英吋之基板的基板座而言，垂直於表面之溫度梯度會導致基板彎曲。由於基板座若非承載基板之中心區域即承載其徑向外側區域，故而基板之此類凹陷或隆起會引發橫向溫度梯度。
自基板座至基板之傳熱因此而不均勻。為了對此加以補償，需使基板座表面產生相應凹陷或凸起之溫度剖面。
本發明之目的在於採取相應措施以在基板座表面產生凸起或凹陷之溫度剖面。
此目的藉由申請專利範圍所述之本發明而達成。
申請專利範圍第1項所述之首要及基本措施如下：位於基板座底面之間的氣墊具有多個區域，該等區域由多個進氣管單獨供氣。該等區域較佳圍繞基板座之旋轉軸同心佈置。在最簡單之情況下，該氣墊由兩區域構成：一中心區及一外區。亦可由多個區域包圍一中心區。各區域彼此分離以降低相鄰區域間的氣體交換。為此，各區域間設有相應構件。較佳用擴散障壁將各區域隔開。若該等區域採用同軸佈置，則該擴散障壁為環形擴散障蔽，其作用在於防止送入某一區域之氣體大量進入其相鄰區域。該擴散障壁可為高度有限的中間區域、迷宮密封結構或經沖洗之中間區域。重點在於，藉該擴散障壁可將兩相鄰區域間之氣體交換降至最低。此類氣體交換主要因擴散而產生，擴散情況則(例如)取決於擴散障壁徑向長度及其截面大小。因此，儘量減小擴散障壁截面面積以及儘量加大擴散障壁長度尤其是徑向長度，皆為有利之舉。兩相鄰區域間之另一種輸氣機制為氣體對流或基於兩區域間壓差而產生的氣流。為避免產生此類氣流，有利者係使兩相鄰區域氣壓相同。送入各區域之氣體由一混氣系統提供。所用氣體之導熱性能差別極大。主要使用氮氣-氫氣、氬氣-氫氣、氮氣-氦氣或氬氣-氦氣等氣體組合。最簡單者係在其中一區域內送入其中一種氣體，在另一區域內送入導熱性能截然不同的另一種氣體。如此便可使兩氣隙具有不同之傳熱性能。藉此可對穿過該氣隙之熱傳導施加影響。然而較佳者係在各區域內送入至少兩種熱導率不同之氣體的混合物。透過該二氣體之混合比可對穿過該氣隙之熱傳導進行調節。舉例而言，若送入中心區之氣體混合物的熱導率高於送入外區的氣體混合物，則該基板座表面中心的受熱強度大於周邊區域，故而周邊區域表面溫度低於中心區域。反之，若送入中心區域之氣體混合物的熱導率低於送入外區之氣體混合物，則周邊區域受熱程度大於中心區域。在此情況下，中心表面溫度將低於外側區域。一位於該基板座支架下方的加熱裝置產生熱量並將該基板座支架加熱。該基板座支架之頂面上方或該等基板座之頂面上方設有一處理室，處理氣體垂直穿過該處理室。該處理氣體較佳由佈置於處理室中央之進氣機構送入處理室，此結構與先前技術基本一致。該處理氣體可具有前述有機金屬成分及前述氫化物。該處理室被一排氣機構包圍，該排氣機構用於排出分解產物或運載氣體。該排氣機構通常與一真空泵相連，以便將處理室內的總壓力控制在數毫巴與大氣壓之間。前述擴散障壁較佳由基板座支架承載面上的一環形突出部構成。由此可減小會引發兩區域間氣體交換的截面面積。該承載面可由用於承載基板座之承載槽的底部構成。該環形件亦可由插在一凹槽內的石墨元件或金屬元件構成。該基板座底面設有一環形槽，供該環形突出部(即該插入式環形件)卡入。該環形槽之壁距大於該環形件之寬度，從而形成一多回轉式密封間隙，即迷宮密封。亦可將該環形件固定在基板座底面，該環形槽則分配給承載槽底部。該內區配有一排氣管，以便將送入內區之運載氣體予以排出，該運載氣體可為前述氣體所組成的混合物。該排氣管可為一貫穿基板座支架直至其底面之鑽孔。該等徑向外側區域亦可分別配備排氣管。根據本發明一種較佳設計方案，每個區域(特別是該內區)皆配有一沿區域外緣分佈的集氣通道，該集氣通道與該排氣鑽孔連通。此外，區域之徑向內側或區域中心可設置與一進氣管連通之供氣通道。該供氣管可為多個特定言之呈螺旋狀分佈的配氣通道供氣。流經該等配氣通道之氣體沿周向流動，故而不僅將基板座頂離承載面，亦對基板座施以角動量從而使其受到旋轉驅動。此種螺旋狀配氣通道可配置於任一區域內。但若僅其中一區域具有此等配氣通道，則亦足以取得預期效果。特定言之，僅其中一徑向外側區域或僅一徑向內側中心區域具有旋轉驅動基板座所需之該等配氣通道。該等配氣通道本身可採用不同設計方案。本發明之CVD反應器具有多個圍繞該基板座支架中心佈置的承載槽，其中各嵌一載有基板之基板座。每個承載槽之每一區域皆單獨配一進氣管。其中每個進氣管皆可與該混氣系統中一對應混氣元件單獨相連，藉此可為每個基板座之每一區域單獨輸送一種氣體混合物。作為替代方案，亦可分別為各中心區及各徑向外側區域統一輸送一氣體混合物。在此情況下，所有中心區將統一獲得一第一氣體混合物，所有徑向外側區域將統一獲得一第二氣體混合物。藉混氣系統實現氣體混合物之提供，該混氣系統具有多個氣體源，該等氣體源可由閥門向各進氣管開通且可由質量流量控制器予以調節。
與同類型的溫度控制方法相比，本發明之改良之處在於：該氣墊具有多個區域，送入該等區域之氣體或氣體混合物導熱性能不同且其導熱性能特定言之可藉由改變氣體之混合方式來加以調節。
該CVD反應器較佳利用一混氣系統進行工作，其中，該混氣系統具有多個氣體流量控制元件，以便為各進氣管提供不同的氣體或氣體混合物。
下文將藉由附圖對本發明之實施例進行說明。
本發明之CVD反應器由一氣密特別是不鏽鋼製反應器殼體31構成，在此不對該反應器殼體進行詳述而僅在圖7中予以註明，如圖7所示，該反應器殼體與一混氣系統及一附圖未繪示之真空泵相連。該反應器殼體內設處理室23，該處理室向上由一石英或石墨製頂部22界定。處理室23係徑向對稱結構，其中心設有供處理氣體進入處理室23之進氣機構21。進氣機構21由該混氣系統提供處理氣體，如TMGa、TMIn、TMA1、砷化氫、磷化氫或甲烷。此外，如氫氣、氮氣或某種稀有氣體等運載氣體亦經由進氣機構21進入處理室。藉由附圖未繪示之該真空裝置可使處理室23內之總壓力保持在一介於1毫巴與大氣壓之間的值上。該處理室徑向外側被一用於排放運載氣體或分解產物之排氣機構24包圍。
處理室23的底部由基板座支架1之上表面或基板座2之上表面構成。待塗覆基板3放置於基板座2上。處理室23之底部中心由一中心板25構成，在圖2所示之實施例中，該中心板下方設有一配氣區27。基板座支架1由中心支架26支承，進氣管28及29穿過該中心支架。
基板座支架1之底面由加熱裝置30加熱。在本實施例中，該加熱裝置係為透過渦電流在由石墨構成之基板座支架1內產生熱量的射頻加熱裝置。
前述進氣管28、29繼續延伸成為進氣管7、8並藉由進氣口5、6與基板座支架1之承載槽4的底面4'連通。進氣管28、29透過多個外部管道38與該混氣系統相連。該等管道可分別供不同氣體混合物進入承載槽4。在本實施例中，該混氣系統具有氮氣氣體源35、氫氣氣體源36及氦氣氣體源37。藉由轉換閥34可將該等氣體分別輸送至多個質量控制器32、33，由該等質量控制器對氣體成分進行單獨調節，再經進氣口5、6送入不同位置之承載槽。由質量控制器32、33混合之氣體係兩種導熱性能截然不同的氣體，例如N2-H2、Ar-H2、N2-He、Ar-He等組合。藉由對氣體成分進
行調節，可使氣體混合物的導熱性能得到調整。
承載槽4之底部4'可設計成各種結構。相應示例參見圖5及圖8至圖13。
在所有實施例中，承載槽4之底部4'均被分成兩同心區。內同心區C圍繞中心延伸，該中心設有一嵌入基板座2之定心孔的可選定心銷20。圍繞中心41佈置有第一供氣通道40，其與進氣管7之進氣口5連通。供氣通道40經一狹窄連接通道42與一螺旋狀配氣通道9相連。經配氣通道9湧入的氣體除抬升基板座2並形成間隙之外，亦可使基板座2繞中心41旋轉。
區域C之徑向外側區域佈置有一圓環形集氣通道11，其與排氣管13相連。該排氣管13為一穿過基板座支架1之大直徑垂直鑽孔，經進氣口5送入之氣體可經該排氣管重新排出。
中心區C與外環形區A之分界線由一擴散障壁構成，其結構參見圖6。一密封圈15插在承載槽4之底部4'的一底部環形槽16內。該密封圈突出於底部4'之外並伸入基板座背面一環形槽17內。環形槽17之寬度大於密封圈15之寬度，從而產生一細微密封間隙18。該密封間隙在區域A與C之間形成一種迷宮密封。
在區域A之徑向內側區域，一第一同心圓環在承載槽4之底部4'上延伸，該同心圓環構成一供氣通道39且與進氣口6相連。供氣通道39透過連接通道43與同樣呈螺旋狀分佈的配氣通道10相連。區域A之徑向外側區域設有一集氣通道12，其與一大直徑排氣管14相連，該排氣管同樣為一大直徑垂直鑽孔。經進氣口6送入的氣體可經排氣管14排出。
基板座2之高度大致等於承載槽4之深度，基板座2在其指向處理室23的表面具有一用於容置基板3之凹槽。
在圖2所示之實施例中，進氣管29與一配氣室27連通，透過該配氣室可為所有通入徑向外側區域的進氣管8供氣。用於中心區C之進氣管28亦可被統一供以某種氣體混合物。
在圖8所示之實施例中，僅徑向外側區域A內設有多個螺旋通道10。而在圖9所示之實施例中，內區C及外區A內皆設有多個螺旋通道9、10。
在圖10所示之實施例中，徑向外側區域A內設有多個較寬的螺旋通道10。
在圖11所示之實施例中，徑向外側區域A僅具有單獨一個螺旋狀氣體通道10。與圖8相同，圖12中僅外區A內佈置有多個氣體通道。在圖13所示之實施例中，僅中心區C內設有多個氣體通道9。
前述裝置之工作方式如下：進行塗層處理時，基板3之邊緣會上捲或下凹，從而導致基板3僅中心或邊緣區域平貼於基板座2表面。此外，基板3與基板座2之間存在高低不等的間隙。
沈積在基板3上之覆層的品質及厚度主要取決於基板表面溫度。基板表面溫度取決於相關位置上的熱流。本發明藉由對位於承載槽4底部4'與基板座2底面間之氣隙的導熱性能施加影響來調節相關位置上的熱流。經進氣口5、6進入承載槽4之氣體抬升基板座2以產生間隙，從而形成氣墊19。擴散障壁15將其分為兩分離氣墊19，其分別由經進氣口5、6進入該間隙之氣體構成。進入各區域A、C之氣體混合物熱導率各不相同。舉例而言，若進入中心區C之氣體混合物熱導率較高，進入外區A之氣體混合物熱導率較低，則基板座2表面將形成如圖14中符號a所示之溫度剖面。若進入中心區C之氣體混合物的熱導率僅略高於進入外區A之氣體混合物，則將形成圖14中如符號b所示的溫度剖面。
若進入外區A之氣體混合物的熱導率高於進入中心區C之氣體混合物，則將形成圖14中如符號c所示之溫度剖面。在示例a與b中，中心區域溫度高於周邊區域，此時則與之相反，亦即，外側區域之表面溫度高於中心區域。藉由增大所送入之各氣體混合物的熱導率差異，可進一步提高中心區域與外側區域間之溫差。若使用其他氣體組合，則不僅可對溫度剖面曲線施加定量影響，亦可對其施加定性影響，此處參見符號d所示之溫度剖面。
圖15所示之混氣系統提供兩種氣體35、36，即氮氣及氫氣。該等氣體由進氣管及轉換閥34送至質量流量控制器32、33。本實施例共設三個基板座，其在中心區C內被分別供以氣體35、36之混合物。因此，各氣流須由質量流量控制器32、33予以相應調節。
外環形區以類似方式由轉換閥34'及質量流量控制器32'、33'提供氣體混合物。在本實施例中，在一通向內區C之進氣管與外區A之間設有一壓力調節器44。該壓力調節器係一壓差噴嘴，其可對兩區域A及C之壓力差進行調節。此外，通向區域A之進氣管中的壓力由流量壓力調節器45進行調節，該流量壓力調節器與一通風管相連。
所有已揭示特徵(自身即)為發明本質所在。故本申請之揭示內容亦包含相關/所附優先權文件(在先申請副本)所揭示之全部內容，該等文件所述特徵亦一併納入本申請之申請專利範圍。附屬項採用可選並列措辭對本發明針對先前技術之改良方案的特徵予以說明，其目的主要在於在該等請求項基礎上進行分案申請。
1‧‧‧基板座支架
2‧‧‧基板座
3‧‧‧基板
4‧‧‧承載槽
4'‧‧‧承載面/底部/底面/槽底
5‧‧‧進氣口
6‧‧‧進氣口
7‧‧‧進氣管
8‧‧‧進氣管
9‧‧‧配氣通道/螺旋通道/氣體通道
10‧‧‧配氣通道/螺旋通道/氣體通道
11．．．集氣通道
12．．．集氣通道
13．．．排氣管
14．．．排氣管
15．．．密封圈/擴散障壁
16．．．底部環形槽
17．．．環形槽
18．．．密封間隙
19．．．氣墊
20．．．定心銷
21．．．進氣機構
22．．．頂部
23．．．處理室
24．．．排氣機構
25．．．中心板
26．．．中心支架
27．．．配氣區/配氣室
28．．．進氣管
29．．．進氣管
30．．．加熱裝置
31．．．反應器殼體
32．．．質量控制器/質量流量控制器
32'．．．質量流量控制器
33．．．質量控制器/質量流量控制器
33'．．．質量流量控制器
34．．．轉換閥
34'．．．轉換閥
35．．．氣體源
36．．．氣體源
37．．．氣體源
38．．．管道
39．．．供氣通道
40．．．第一供氣通道
41．．．中心
42．．．連接通道
43．．．連接通道
44．．．壓力調節器
45．．．流量壓力調節器
a．．．溫度剖面
b．．．溫度剖面
c．．．溫度剖面
d．．．溫度剖面
A．．．外同心區/外環形區/徑向外側區域/外區
C．．．內環形區/內同心區/中心區/內區
圖1為基板座支架1之俯視圖，其上佈置有多個基板座2；圖2為採用第一實施方案之基板座支架1沿圖1中II-II線所截取的半視圖；
圖3為第二實施方案如圖2所示之示意圖；圖4為圖3中IV區域之放大圖；圖5為沿圖4中箭頭V之俯視圖；圖6為圖4中VI區域之放大圖；圖7為混氣系統示意圖；圖8至圖13為承載槽4之底部4'的各種設計方案，其圖示方式與圖5相符；圖14為向區域A或C提供不同熱導率之氣體混合物的效果圖；及圖15為另一混氣系統。
1‧‧‧基板座支架
2‧‧‧基板座
3‧‧‧基板
4‧‧‧承載槽
4'‧‧‧承載面/底部/底面/槽底
5‧‧‧進氣口
6‧‧‧進氣口
7‧‧‧進氣管
8‧‧‧進氣管
9‧‧‧配氣通道/螺旋通道/氣體通道
10‧‧‧配氣通道/螺旋通道/氣體通道
11‧‧‧集氣通道
12‧‧‧集氣通道
13‧‧‧排氣管
14‧‧‧排氣管
15‧‧‧密封圈/擴散障壁
19‧‧‧氣墊
20‧‧‧定心銷
39‧‧‧供氣通道
40‧‧‧第一供氣通道
41‧‧‧中心
42‧‧‧連接通道
43‧‧‧連接通道
A‧‧‧外同心區/外環形區/徑向外側區域/外區
C‧‧‧內環形區/內同心區/中心區/內區
Claims (11)
- 一種CVD反應器，包括一處理室(23)、一佈置於該處理室內之基板座支架(1)及一基板座(2)，該基板座支架具有至少一承載面(4')，多個進氣管(7，8)與該承載面(4')連通，該基板座之背面指向該承載面(4')，其中，經該等進氣管(7，8)到達該承載面(4')與該背面之間的氣體形成一氣墊(19)，該氣墊對該基板座(2)進行承載，其特徵在於，該氣墊具有多個可分別由一對應之進氣管(7，8)單獨供氣的區域(A，C)，該等區域被一用於防止該等區域(A，C)間發生氣體交換的構件(15)隔開，其中，至少一內區(C)配有一排氣管(13，14)，由該進氣管(7，8)送入該內區(C)之氣體可經該排氣管排出。
- 如申請專利範圍第1項之CVD反應器，其中，用於防止該等區域間發生氣體交換之該構件(15)構成一環繞該基板座(2)之旋轉中心的擴散障壁(15)。
- 如申請專利範圍第2項之CVD反應器，其中，該擴散障壁(15)係一突伸於一表面特別是該基板座支架(1)之該承載面(4')以外且特定言之插入一凹槽(16)的環形件(15)，該環形件以某種方式卡入一佈置於相對表面尤其是該基板座(2)之背面的環形槽(17)內，使得該二區域(A，C)之氣墊間僅留存一多回轉間隙(18)。
- 如申請專利範圍第1項之CVD反應器，其中， 多個內區(C)各配一排氣管(13，14)。
- 如申請專利範圍第1項之CVD反應器，其中，該排氣管(13，14)與一特定言之位於徑向外側之集氣通道(11，12)連通，該集氣通道沿該區域(A，C)之邊緣的圓周方向延伸。
- 如申請專利範圍第1項之CVD反應器，其中，該進氣管(7)與一供氣通道(39，40)連通，該供氣通道特定言之在徑向內側沿該區域(A，C)一周邊的邊緣延伸。
- 如申請專利範圍第1項之CVD反應器，其中，該基板座(2)嵌在該基板座支架(1)的一承載槽(4)內，其中，該承載槽(4)之槽底(4')構成該承載面，該基板座(2)之背面與該承載面平行，該基板座朝上指向一處理室(23)之一頂部(22)的面上可佈置一基板(3)，其中，該槽底(4')具有一供氣通道(39，40)及一與該供氣通道連通且特定言之呈螺旋狀分佈的配氣通道(9，10)，該配氣通道(9，10)被一集氣通道(11，12)包圍，該集氣通道與一排氣管(13，14)連通。
- 如申請專利範圍第1項之CVD反應器，其中，多個圍繞該基板座支架(1)一中心呈圓形佈置的承載槽(4)，該等承載槽各容置一基板座(2)，該等基板座分別由一多區域(A，C)式氣墊(19)承載，其中，設有多個用於各區域(A，C)之進氣管(7，8)，該等進氣管若非分別與一供氣裝置單獨相連即與一共用供氣裝置相連。
- 一種對一基板座(2)之表面溫度進行溫度控制的方法，該基板座由一動態氣墊(19)承載，特定言之受到旋轉驅動且自下方加熱，其特徵在於，該氣墊(19)具有多個同軸佈置區域(A，C)，送入該等區域之氣體(35，36，37)或氣體混合物導熱性能不同且其導熱性能特定言之可藉由改變氣體之混合方式來加以調節。
- 一種使用一CVD反應器來處理基板的裝置，該CVD反應器具有一處理室(23)及一佈置於該處理室內之基板座支架(1)，該基板座支架在其指向該處理室(23)一面藉一承載面(4')對一基板座(2)進行承載且可自背面被一加熱裝置(30)加熱，其中，多個進氣管(7，8)與該承載面(4')連通且由一混氣系統供氣，所供氣體形成一可承載該基板座(2)之動態氣墊，其特徵在於，該氣墊(19)具有多個鄰接區域(A，C)，該混氣系統透過多個進氣管(7，8)對該等區域進行單獨供氣，其中，該混氣系統具有多個氣體流量控制元件(32，33)，以便為各進氣管(7，8)提供不同的氣體或氣體混合物。
- 如申請專利範圍第10項之裝置，其中，該混氣系統具有一用於一第一氣體之第一氣體源(35)及一用於一第二氣體之第二氣體源(36)，其中，該二導熱性能不同的氣體可由該等氣體流量控制元件(32，33)進行單獨混合，以便藉由調節氣體成分來對每個區域(A，C)內之氣墊的 導熱性能進行單獨調節。
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Families Citing this family (31)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5409413B2 (ja) * | 2010-01-26 | 2014-02-05 | 日本パイオニクス株式会社 | Ｉｉｉ族窒化物半導体の気相成長装置 |
| KR20110136583A (ko) * | 2010-06-15 | 2011-12-21 | 삼성엘이디 주식회사 | 서셉터 및 이를 구비하는 화학 기상 증착 장치 |
| DE102011055061A1 (de) * | 2011-11-04 | 2013-05-08 | Aixtron Se | CVD-Reaktor bzw. Substrathalter für einen CVD-Reaktor |
| DE102012101923B4 (de) * | 2012-03-07 | 2019-11-07 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Substratträgeranordnung, Beschichtungsanlage mit Substratträgeranordnung und Verfahren zur Durchführung eines Beschichtungsverfahrens |
| TWI506163B (zh) * | 2012-07-13 | 2015-11-01 | Epistar Corp | 應用於氣相沉積的反應器及其承載裝置 |
| DE102012108986A1 (de) | 2012-09-24 | 2014-03-27 | Aixtron Se | Substrathalter einer CVD-Vorrichtung |
| DE102014104218A1 (de) * | 2014-03-26 | 2015-10-01 | Aixtron Se | CVD-Reaktor mit Vorlaufzonen-Temperaturregelung |
| KR102372893B1 (ko) | 2014-12-04 | 2022-03-10 | 삼성전자주식회사 | 발광 소자 제조용 화학 기상 증착 장치 |
| CN104835763B (zh) * | 2015-04-27 | 2018-08-14 | 沈阳拓荆科技有限公司 | 一种花瓣形表面结构的可控温加热盘 |
| US9738975B2 (en) * | 2015-05-12 | 2017-08-22 | Lam Research Corporation | Substrate pedestal module including backside gas delivery tube and method of making |
| CN105047543A (zh) * | 2015-06-17 | 2015-11-11 | 沈阳拓荆科技有限公司 | 一种涡旋形表面结构的可控温加热盘 |
| CN106684029B (zh) * | 2015-11-10 | 2021-01-08 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 承载装置及半导体加工设备 |
| CN105547322B (zh) * | 2016-01-07 | 2018-05-11 | 交通运输部公路科学研究所 | 一种使用卫星定位数据进行车辆行驶里程计算的方法 |
| DE102016110788A1 (de) * | 2016-06-13 | 2017-12-14 | Aixtron Se | Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Bauelementen, insbesondere von Multi-Junction-Solarzellen im Durchlaufverfahren |
| JP7107949B2 (ja) * | 2017-01-27 | 2022-07-27 | アイクストロン、エスイー | 搬送リング |
| DE102017105947A1 (de) * | 2017-03-20 | 2018-09-20 | Aixtron Se | Suszeptor für einen CVD-Reaktor |
| KR102369676B1 (ko) | 2017-04-10 | 2022-03-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치의 제조장치 및 표시 장치의 제조방법 |
| JP7321768B2 (ja) * | 2018-05-23 | 2023-08-07 | 信越化学工業株式会社 | 化学気相成長装置および被膜形成方法 |
| DE102018123281A1 (de) * | 2018-09-21 | 2020-03-26 | Aixtron Se | CVD-Reaktor mit auf einem Gaspolster drehgelagerten Substrathaltern |
| DE102018124957A1 (de) * | 2018-10-10 | 2020-04-16 | Aixtron Se | CVD-Reaktor mit auf Gaspolstern aufliegenden Substrathaltern |
| DE102018131751A1 (de) | 2018-12-11 | 2020-06-18 | Aixtron Se | Suszeptor eines CVD-Reaktors |
| DE102018132673A1 (de) | 2018-12-18 | 2020-06-18 | Aixtron Se | Suszeptor für einen CVD-Reaktor |
| CN109594063A (zh) * | 2018-12-27 | 2019-04-09 | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 | 一种外延反应设备 |
| DE102019104433A1 (de) * | 2019-02-21 | 2020-08-27 | Aixtron Se | CVD-Reaktor mit Mitteln zur lokalen Beeinflussung der Suszeptortemperatur |
| CN110172683A (zh) * | 2019-06-27 | 2019-08-27 | 云谷（固安）科技有限公司 | 加热机构、等离子体腔室及在基片上成膜的方法 |
| KR102238016B1 (ko) * | 2019-11-07 | 2021-04-08 | 주식회사 한화 | 열 구멍이 마련된 기판 처리 장치 |
| DE102020105753A1 (de) | 2020-03-04 | 2021-09-09 | Aixtron Se | Auf einer Unterseite mit einer Vielzahl von Strukturelementen versehener Substrathalter für einen CVD-Reaktor |
| DE102020107517A1 (de) | 2020-03-18 | 2021-09-23 | Aixtron Se | Suszeptor für einen CVD-Reaktor |
| TWI729778B (zh) * | 2020-04-21 | 2021-06-01 | 錼創顯示科技股份有限公司 | 載盤結構 |
| DE102020127662A1 (de) | 2020-10-21 | 2022-04-21 | Aixtron Se | Suszeptor für einen CVD-Reaktor |
| CN115029774A (zh) * | 2022-06-20 | 2022-09-09 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 半导体工艺设备及其承载装置 |
Family Cites Families (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2596070A1 (fr) * | 1986-03-21 | 1987-09-25 | Labo Electronique Physique | Dispositif comprenant un suscepteur plan tournant parallelement a un plan de reference autour d'un axe perpendiculaire a ce plan |
| DE3943482C2 (de) | 1989-05-08 | 1994-07-07 | Balzers Hochvakuum | Werkstückträger für ein scheibenförmiges Werkstück, sowie Vakuumprozeßkammer |
| DE69007733T2 (de) * | 1989-05-08 | 1994-09-29 | Philips Nv | Vorrichtung und verfahren zur behandlung eines flachen, scheibenförmigen substrates unter niedrigem druck. |
| JPH03135014A (ja) * | 1989-10-20 | 1991-06-10 | Furukawa Electric Co Ltd:The | ウエハの成膜装置 |
| JPH07335630A (ja) * | 1994-06-13 | 1995-12-22 | Hitachi Ltd | 真空処理装置 |
| US5468299A (en) | 1995-01-09 | 1995-11-21 | Tsai; Charles S. | Device comprising a flat susceptor rotating parallel to a reference surface about a shaft perpendicular to this surface |
| US6053982A (en) * | 1995-09-01 | 2000-04-25 | Asm America, Inc. | Wafer support system |
| US6170428B1 (en) * | 1996-07-15 | 2001-01-09 | Applied Materials, Inc. | Symmetric tunable inductively coupled HDP-CVD reactor |
| US6040011A (en) * | 1998-06-24 | 2000-03-21 | Applied Materials, Inc. | Substrate support member with a purge gas channel and pumping system |
| DE10056029A1 (de) | 2000-11-11 | 2002-05-16 | Aixtron Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Temperatursteuerung der Oberflächentemperaturen von Substraten in einem CVD-Reaktor |
| JP2002280373A (ja) * | 2001-03-19 | 2002-09-27 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
| DE10133914A1 (de) * | 2001-07-12 | 2003-01-23 | Aixtron Ag | Prozesskammer mit abschnittsweise unterschiedlich drehangetriebenem Boden und Schichtabscheideverfahren in einer derartigen Prozesskammer |
| US6853953B2 (en) * | 2001-08-07 | 2005-02-08 | Tokyo Electron Limited | Method for characterizing the performance of an electrostatic chuck |
| US6797069B2 (en) * | 2002-04-08 | 2004-09-28 | Cree, Inc. | Gas driven planetary rotation apparatus and methods for forming silicon carbide layers |
| JP2004014952A (ja) * | 2002-06-10 | 2004-01-15 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置および処理方法 |
| US7156951B1 (en) | 2002-06-21 | 2007-01-02 | Lam Research Corporation | Multiple zone gas distribution apparatus for thermal control of semiconductor wafer |
| DE102006018514A1 (de) | 2006-04-21 | 2007-10-25 | Aixtron Ag | Vorrichtung und Verfahren zur Steuerung der Oberflächentemperatur eines Substrates in einer Prozesskammer |
| US8440049B2 (en) * | 2006-05-03 | 2013-05-14 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for etching high aspect ratio features |
| US7674636B2 (en) * | 2007-03-12 | 2010-03-09 | Tokyo Electron Limited | Dynamic temperature backside gas control for improved within-substrate process uniformity |
| DE102007026348A1 (de) * | 2007-06-06 | 2008-12-11 | Aixtron Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Temperatursteuerung der Oberflächentemperaturen von Substraten in einem CVD-Reaktor |
| KR101405346B1 (ko) * | 2008-01-04 | 2014-06-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 기판 지지대, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 정렬방법 |
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