CN115298351A - 用于cvd反应器的基座 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种CVD反应器，其具有能够围绕旋转轴线(A)由旋转驱动装置(24)旋转驱动的基座(2)，基座具有朝向处理室(4)的第一宽侧面(2′)，在第一宽侧面上围绕旋转轴线(A)布置有多个用于容纳待处理的基板(21)的放置位(22)，基座还具有背离第一宽侧面指向的第二宽侧面(2")，第二宽侧面与用于将基座(2)加热到处理温度的加热装置(8)相对置，基座还具有通入加热装置(8)和基座(2)的第二宽侧面(2")之间的间隔空间中的多个气体排出口(10、15、18)，用于将调温气体输入到间隔空间中。为了能够局部地影响加热装置(8)和基座(2)之间的热传输，在此规定，这些气体排出口(10、15、18)布置在基座(2)的第二宽侧面(2")中并且每个放置位(22)在空间上配属有多个气体排出口(10、15、18)中的至少一个。

Description

用于CVD反应器的基座
技术领域
本发明涉及一种用于CVD(化学气相沉积)反应器的基座，所述基座具有两个彼此背离的宽侧面。两个宽侧面中的第一宽侧面具有多个放置位，分别用于容纳一个或多个基板。这些放置位围绕基座的旋转轴线布置成圆形。
本发明还涉及一种用于对基板进行热处理的CVD反应器，所述CVD反应器具有这种基座，其中，基座的第一宽侧面朝向处理室，处理气体被输入到处理室中。第二宽侧面朝向加热装置，通过所述加热装置将基座加热到处理温度。加热装置与第二宽侧面相对置。在第二宽侧面和加热装置之间存在间隔空间。气体排出口通入所述间隔空间中，气体通过这些气体排出口被输入到所述间隔空间中。
本发明还涉及一种用于在这种CVD反应器中对基板进行热处理的方法，其中，将气体输入到加热装置和基座的第二宽侧面之间的间隔空间中。
背景技术
在文献DE 10 2019 104 433 A1中描述了一种具有基座的CVD反应器。可以保持一个或多个基板的基板支架位于基座上。基板支架位于分别构成放置位的凹穴中并且被驱动旋转。在加热装置和基座的第二宽侧面之间存在密封板，CVD反应器的壳体内部的存在加热装置的空间通过该密封板相对于输入到处理室中的处理气体被隔离。调温气体被输入到加热装置和基座的第二宽侧面之间的间隔空间中。通过调温气流可以在局部受限的热影响区改变向基座的供热或者从基座的散热。调温气体的输入通过位置固定的气体排出口实现。气体排出口布置在密封板上。通过周期性脉动地输入调温气体可以独立地改变从加热装置到基板的热流。
文献US 6,569,250 B2描述了一种具有气体排出口的基座。现有技术还包括文献DE 10 2005 056 536 A1、DE 10 2009 043 960 A1、DE 10 2011 053 498 A1、DE 10 2013109 155 A1、DE 10 2014 104 218 A1、DE 10 2017 105 333 A1、US 2018/0182635 A1、US5,468,299 A、DE 10 2011 055 061 A1。
文献DE 10 2009 044 276 A1描述了一种通入基座和加热装置之间的间隔空间中的排出管路，通过该排出管路可以将气体从布置在基板支架下方的槽排出。
文献DE 10 2018 130 138 A1描述了一种具有基座的CVD反应器，其中，基座在其外周边缘中具有气体排出口。
文献DE 10 2018 132 673 A1描述了一种CVD反应器，其中，气体排出口通入基座的朝向处理室的宽侧面中。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是，提供备选的方法或备选的设备，通过该方法或设备可以局部地影响基座温度，以便能够单独地调整布置在放置位上的基板的表面温度。
如前述文献DE 10 2019 104 433，在本发明的变型中，将导热性可改变的气体、尤其调温气体输入到放置位和加热装置之间的空间中，热导率通过改变形成调温气体的两种吹扫气体的混合比例可以改变，其中一种吹扫气体具有高热导率，并且另一种吹扫气体具有低热导率。从基座即通过气体排出口进行输入，该气体排出口与基座一起旋转并且相对于放置位具有不变的空间位置，基板可以支撑在放置位上。根据本发明，每个放置位配属有至少一个气体排出口。与基座一起旋转的每个气体排出口与具有供给口的输入管路连接。可以规定，配属于同一放置位的一个或多个气体排出口配属于共同的供给口。但也可以规定，每个供给口仅与一个气体排出口连接。优选地，根据本发明的设备具有气体混合装置，通过该气体混合装置提供调温气体。气体混合装置可以具有多个质量流量控制器，其中优选地，每个质量流量控制器仅与一个供给口流动连接，从而配属于同一放置位的多个排出口中的每个排出口可以分配有独立的气流、尤其独立的气体混合物。由此可以在每个用于基板的放置位和加热装置之间调节形成独立的调温气体环境。由此可以局部地改变向基板的供热或者从基板的散热。布置于放置位下方的热影响区相对于基座固定。所述基座在反应器壳体中旋转，相对于该反应器壳体，热影响区围绕基座的旋转轴线偏移。在根据本发明的方法中，每个放置位配属有布置在基座的第二宽侧面中的多个气体排出口中的至少一个。该配属是空间上的配属。此外，该配属也是功能上的，因为从气体排出口流出的调温气流入布置在放置位和加热装置之间的热影响区。在每个热影响区中可以独立地设定形成调温气体环境，方式是改变与周围环境气体混合的调温气体的质量流量或者改变由多种成分构成的调温气体的组成，其中，不同的成分可以具有不同的导热性，例如可以由氢气和氮气构成。处理室由基座的上部的第一宽侧面向下限定边界并且向上由顶板限定边界。顶板可以主动或被动冷却。设有进气机构，处理气体通过该进气机构供给到处理室中。进气机构可以在旋转轴线的区域中延伸。中央的进气机构具有布置在外周面中的多个气体排出口，处理气体可以通过这些气体排出口流入处理室中。处理气体在气体混合系统中提供并且可以包含各种不同的反应气体，这些反应气体在处理室内、优选在基板表面上相互反应，从而将层沉积基板上。处理气体可以包含III主族的氢化物和V主族的有机金属化合物。但处理气体也可以包含IV主族的元素或II主族和VI主族的元素。在基板上优选沉积半导体单晶层。处理气体沿径向流过处理室并且通过排气机构排出，该排气机构环形地围绕优选圆盘形的基座。排气机构可以具有开口等，以便也将调温气体排出。放置位可以由布置在基座的第一宽侧面中的凹穴构成。在凹穴的底部中设有排出口，吹扫气体通过该排出口进入凹穴中。吹扫气体形成气垫，该气垫承载基板支架，待涂层的基板支撑在基板支架上。通过吹扫气流也使基板支架旋转。根据优选的设计方案，每个放置位设有至少一个气体排出口，其中，该气体排出口布置在基座的中心和放置位之间。从气体排出口流出的调温气体在放置位下方沿径向向外流动。气体排出口的开口宽度可以等于输入管路的直径，例如可以是圆形的。但该排出口也可以是纵长延伸的。该排出口可以直线形或弯曲地延伸。优选地，气体排出口在扇形区域上延伸，放置位也在该扇形区域上延伸。可以设置多个气体排出口，这些气体排出口沿径向依次地布置，即相对于中心处于彼此不同的径向距离上。第二气体排出口可以例如竖直地布置在放置位下方。另外的气体排出口可以布置在放置位的径向外部。如果为每个放置位设置多个气体排出口，则这些气体排出口在每个放置位处相同地布置。即使仅提供一个气体排出口，所有这些气体排出口相对中心优选具有同一径向距离。优选穿过基座并且优选另外通过承载基座的杆部向气体排出口供应调温气体。为此，由孔构成的输入管路在基座内部例如沿径向延伸。其中，每个气体排出口优选配有输入管路。输入管路可以在杆部的区域中具有向外指向的供给口。在基座旋转的过程中，供给口围绕旋转轴线旋转。通过合适的环形包围杆部的气体分配室可以在旋转期间为每个供给口供应调温气体。配属于不同的气体排出口的供给口优选地相对于旋转轴线的轴向上下相叠。在根据本发明的方法中可以设置光学的或其它测温器，通过该测温器可以测量每个基板或每个放置位的表面温度。基板温度可以穿过处理室顶部的开口通过位置固定的、尤其光学的测温器、例如用高温计来测量。在基座旋转时基板移动经过测温器下方，从而可以相继确定所有基板的温度。通过调节装置可以改变配属于各个基板的调温气流，使得基板具有基本上相同的表面温度。通过供给第二调温气体也可以改变基板上的横向温度分布或基板下游的基座的表面温度。在根据本发明的CVD反应器的变型方案中，能量通过交变电磁场从加热装置传输至基座，该交变电磁场在基座中感应出涡流，涡流加热基座。加热装置可以是冷却的感应线圈。该感应线圈可以在平面中螺旋形延伸地位于基座下方。线圈可以由冷却剂流过的管子构成。热量从基座传输至如此冷却的线圈部分地通过由位于基座和加热装置之间的间隔空间中的气体实现的热传导进行。因此，通过改变调温气体的组成可以局部地并且针对每个放置位独立地设定或影响从基座到加热装置的热量流出。
还可以规定，将吹扫气流输入到基座的下宽侧面和密封板之间的间隙中。吹扫气流的输入可以在放置位的径向内侧处进行并且尤其在相对于基座的中央载体的紧邻处进行。在那里，一个或多个吹扫气体输入管路可以通入间隙中，从而在基座和密封板之间形成径向气流。从上述气体排出口流出的气流可以进入该吹扫气流中。吹扫气流和从通入间隙中的气体排出口流出的气流混合。可以规定，两种气体具有不同的导热性，从而这两种气流的混合物形成调温气流，该调温气流的热导率通过改变两种气体中的至少一种气体的质量流量可以被调节。在本发明的一个变型方案中规定，通入基座的下宽侧面中的气体排出口通入基座的下侧的凹空中。该凹空可以在放置位占据的扇形区域上延伸。该凹空尤其朝基座的外周边缘敞开。由此在基座和密封板之间形成间隙的区段，该区段在放置位的区域中具有较大的间隙宽度。凹空可以沿径向变宽并且具有沿径向延伸的壁。
附图说明
以下借助附图阐述本发明的实施例。在附图中：
图1以通过基座2的旋转轴线A剖切的方式示意性地示出第一实施例的CVD反应器的剖视图；
图2以沿图1中的剖切线II-II剖切的方式示出基座2的俯视图；
图3与图1类似地示出第二实施例的CVD反应器的剖视图；
图4在第三实施例的仰视图中示出基座2的扇形区域；和
图5示出气体混合系统的截图；
图6示出第三实施例的对应于图3的视图；
图7在对应于图4的示图中示出第三实施例；
图8示出沿图7中的观察方向VIII的第三实施例。
具体实施方式
图1和图3以剖视图的方式示意性地示出具有向外气密的壳体1的CVD反应器。在壳体1中存在基座2，该基座由尤其被涂覆的石墨板构成，该石墨板由杆部14承载，该杆部围绕旋转轴线A由旋转驱动装置24旋转驱动。在基座2下方存在加热装置8，加热装置可以是红外线加热装置、射频加热装置等。加热装置8提供能够将基座2加热到500至1500℃的处理温度的热量。在加热装置8和基座2的由宽侧面2"构成的下侧之间有圆盘形的密封盘9，该密封盘可以由陶瓷材料、石英、金属或涂层的石墨制成。密封盘9在其中心具有开口，在设备运行期间被旋转驱动的杆部14穿过该开口突伸出。密封盘9相对于壳体1和固定在壳体上的加热装置8位置固定。基座2因此相对于密封盘9旋转。在密封盘9和基座2之间存在间隙23。在设备运行期间，间隙23具有沿相反方向移动的间隙壁，即基板支架的向下指向的宽侧2"和密封板9的向上指向的宽侧。在该间隙中，吹扫气体一般沿径向向外方向流动。为此，吹扫气体输入管路28以吹扫气体排出口27连通间隙。通过图1中的排出口10或者通过图3中的排出口10、15、18输入到间隙23中的气体通过吹扫气体向外运输。此外施加剪切力，从而例如通过气体排出口10输入到间隙23中的气流在其沿径向向外方向的路径上沿着基座旋转的方向偏转。
基座2的第一宽侧面2'面向处理室4并且与基座2的第二宽侧面2"相对置并且具有构成放置位的凹穴22，基板支架3位于该凹穴中，基板21支撑在该基板支架上。通过未示出的、布置在凹穴22的底部的气体喷嘴可以供给吹扫气体，通过该吹扫气体产生气垫，由该气垫同样旋转驱动的基板支架3悬浮在该气垫上。
进气机构6位于处理室4的中央，通过该进气机构可以将上述处理气体供给到处理室中。处理气体流过基座2和基板21并且到达排气机构7，该排气机构环形地包围基座2。处理室4向上由主动或被动地冷却或加热的处理室顶部5限定边界。
密封盘的外边缘支撑在排气机构7的径向内边缘上。密封盘9因此将CVD反应器的壳体的空间相对于处理气体密封。
多个供给口13彼此相叠并且周向偏移地位于杆部14中，调温气体可以输入到这些供给口中。每个供给口13都与输入管路连接，该输入管路将每个供给口13单独地与通入间隙23中的气体排出口10、15或18相连接。为此，杆部具有沿轴向延伸的输入管路12、17和20，并且基座具有与之连接的、沿径向延伸的输入管路11、16、19。
每个输入管路或供给口13可以与两个质量流量控制器25、26流动连接。通过这两个质量流量控制器24、26可以分别提供由强导热气体例如氢气和弱导热气体例如氮气构成的气体混合物。但也规定，输入管路或供给口13仅与提供吹扫气体的气体源或质量流量控制器连接，该吹扫气体具有与此外存在于壳体内部的气体不同的热导率。
在图1和图2所示的实施例中，每个放置位12单独分配有气体排出口10，独立的调温气流或独立的调温气体混合物可以通过该气体排出口输入到基座2下方的空间中，该空间位于放置位22下方。由此影响加热装置8和基座2之间的热传输。气体排出口10相对于放置位22沿径向向内方向偏移，使得从气体排出口10流出的调温气流沿径向向外方向顺着放置位22下方流动。在图2中，气体排出口10布置在放置位22或基板支架3的中心与旋转轴线A之间的连接线上。但气体排出口10也可以沿周向相对于该连接线偏移地布置并且尤其如此偏移，使得上述剪切力将调温气体在其流动期间朝向放置位22下方输送。
在图3所示的实施例中，除了第一气体排出口10之外，还设有大致布置在放置位22的中间的另外的气体排出口15。此外设有布置在放置位2的径向外部或放置位22的径向外边缘上的另外的气体排出口18，通过该气体排出口通过供给合适的气体混合物或合适的气流可以进一步影响温度分布。这些另外的气体排出口15、18也可以布置在放置位22的中心与旋转轴线A的连接线上或者相对于该连接线偏移布置。
图4示例性地示出气体排出口10、15、18的构造变型。它们布置为基座2的下侧2"中的弯曲的、直线形或弧形延伸的凹部。这些凹部尤其沿围绕旋转轴线A的周向延伸。这些凹部可以具有大致在放置位22占据的扇形区域上延伸的长度。
在图6至图8所示的第三实施例中，吹扫气体输入管路28的吹扫气体排出口27通入基座2的宽侧面22'和密封板9之间的间隙23中。通过吹扫气体输入管路28可以将吹扫气体输入到间隙23中，该吹扫气体沿径向流过间隙。吹扫气体排出口27相对于放置位22径向向内偏移地布置，使得从吹扫气体排出口27流出的吹扫气体沿着放置位22下方流动。在基座2的面向密封板9的宽侧面22'中布置有用于输入另外的气体的气体排出口10。热导率与通过吹扫气体排出口27进入间隙23中的气体的热导率不同的气体可以通过气体排出口10流出。通过改变这两种气体中的至少一种气体的质量流量，可以改变放置位22下方的气体的热导率。
在图6至图8所示的实施例中，在每个放置位下方在基座2的背离该放置位22的宽侧22'上设有凹空29。凹空29具有平行于基座2的宽侧面22'延伸的底面。凹空29朝基座2的外周边缘敞开并且具有基本上沿径向延伸的两个壁。气体排出口10在放置位22的径向内部通入凹空29中。从气体排出口10流出的气体进入凹空29中并且沿径向流过凹空29直至该凹空的开口，气体从那里流入排气机构7中。凹空29的基本上沿径向延伸的两个侧壁29'位于放置位22的外周之外。凹空29的底部29"与包围凹空29的宽侧面22'具有距离，该距离明显小于基座2的材料厚度的一半并且尤其小于基座2的材料厚度的四分之一。通过凹空29将从气体排出口10流出的气流保持在外周区域中，该外周区域位于放置位22下方。凹空的壁29'具有导气功能。
加热装置8可以由一根或多根螺旋形延伸的管子构成，冷却液流过这些管子。在基座2的热的第二宽侧面2"和较冷的加热装置8之间产生热流。螺旋形延伸的管子构成线圈，该线圈产生交变电磁场，该交变电磁场在导电的基座2中感应出涡流，通过该涡流加热基座2。可以设置第一输入管路，气流穿流该第一输入管路，该气流产生气垫，基板支架3悬浮在该气垫上。根据本发明的输入管路是与第一输入管路分开并且不同的第二输入管路。
通入基座2的第二宽侧面2"中的气体排出口10、15、18直接与沿径向延伸的输入管路11、16、19连接。径向延伸的输入管路又直接与在杆部中沿轴向延伸的输入管路12、17和20连接，从而供给到输入管路12、17、20或输入管路11、16、19中的气流仅通过气体排出口10、15或18进入加热装置8与基座2的下宽侧面2"之间的空间23中。
用于产生气垫的吹扫气体可以输入到第一输入管路中，而调温气体可以输入到第二输入管路中。输入到第一输入管路中的吹扫气体可以由第一气体源提供。可以输入到第二输入管路中的调温气体可以由与第一气体源不同的第二气体源提供。
因此，本发明还涉及一种用于CVD反应器的基座2形式的设备，所述基座能够围绕旋转轴线A被旋转驱动并且具有第一宽侧面2'和背离第一宽侧面2'的第二宽侧面2"，在第一宽侧面上围绕所述旋转轴线A布置有多个用于容纳待处理的基板21的放置位22，其中，每个放置位22在空间上分配有至少一个通入第二宽侧面2"中的气体排出口10、15、18，其特征在于，设有通过间隙23与基座2的第二宽侧面22"间隔的密封板9。
前述实施方式用于阐述总体包括在本申请中的发明，所述发明至少通过以下特征组合、也分别独立地对现有技术进行扩展设计，其中，两个、多个或者所有这些特征组合也可以相互结合，即：
一种设备，其特征在于，在第二宽侧面2”中设有多个气体排出口10、15、18，其中，每个放置位22在空间上配属有多个气体排出口10、15、18中的至少一个。
一种设备，其特征在于，多个气体排出口10、15、18布置在基座2的第二宽侧面2”中并且每个放置位22在空间上配属有多个气体排出口10、15、18中的至少一个。
一种方法，其特征在于，每个放置位22分配有布置在基座2的第二宽侧面2"中的、被气流流过的多个气体排出口10、15、18中的至少一个。
一种设备，其特征在于，所述间隔空间由密封板9和基座2的第二宽侧面2"之间的间隙23形成，和/或密封板9位于基座2和加热装置8之间。
一种方法，其特征在于，所述基座2相对于所述密封板9被旋转驱动，所述密封板位于所述基座2的第二宽侧面2"与加热装置8之间并且相对于壳体1位置固定，并且将气体输入到由密封板9与基座2的第二宽侧面2"之间的间隙形成的间隔空间中。
一种设备，其特征在于，设有沿旋转轴线A布置的进气机构6和围绕具有圆形平面轮廓的基座2布置的环形的排气机构7，和/或至少一个气体排出口10布置在旋转轴线A和所配属的放置位22之间，和/或每个气体排出口10、15、18与至少一个具有供给口13的输入管路11、12、16、17、19、20流动连接，通过质量流量控制器25可独立调节的调温气体的气流能够输入到所述供给口中。
一种方法，其特征在于，通过沿旋转轴线A布置的进气机构6将包含处理气体的气流输入到处理室4中，该气流沿径向穿流所述处理室4并且通过围绕具有圆形平面轮廓的基座2布置的环形的排气机构7排出，和/或气体通过排气机构7排出，和/或从至少一个布置在旋转轴线A和所配属的放置位2之间的气体排出口10流出的调温气体的气流通过质量流量控制器25被独立地调节，和/或气体在所述放置位22下方穿流。
一种设备，其特征在于，在位于旋转轴线A与放置位22之间的第一气体排出口10和所述基座2的径向外边缘之间布置有至少一个第二气体排出口15、18，和/或在所述放置位22下方或者在所述放置位22和所述基座2的径向外边缘之间布置有第二气体排出口15、18，和/或，所述第一和/或第二气体排出口10、15、18由所述第二宽侧面2"中的纵长形的、直线形或弧形延伸的凹部构成，和/或，构成所述气体排出口10、15、18的凹部在被放置位22占据的扇形区域中延伸，和/或，气体混合系统通过第一气源至少提供第一吹扫气体和/或通过第二气源提供第二吹扫气体，其中，两种吹扫气体的热导率不同，和/或通过气体混合系统将气流和/或两种吹扫气体的可调节的混合气流分配到多个质量流量控制器25上，和/或，至少被输入到多个气体排出口10、15、18中的、形成气流的吹扫气体能够被独立地调节，这些气体排出口在空间上配属于不同的放置位22，和/或，在基座2和密封板9之间的间隙23中在放置位22的径向内侧设有用于将吹扫气体输入到所述间隙23中的吹扫气体排出口27，和/或，所述基座2的朝向所述加热装置8的宽侧面2'具有在被放置位22占据的扇形区域中延伸的凹空29，所述气体排出口10通入所述凹空中。
一种方法，其特征在于，在旋转轴线A与放置位22之间将第一气流输入到所述间隔空间中，并且在放置位2下方或者在放置位2与基座2的外边缘之间将第二气流输入到所述间隔空间中，和/或，所述第一气流和/或第二气流通过纵长形、直线形或弧形地延伸的凹部被输入到所述第二宽侧面2"中，和/或，所述凹部在被放置位22占据的扇形区域中延伸，和/或，气体混合系统通过第一气源至少提供第一吹扫气体和/或通过第二气源提供第二吹扫气体，其中，两种吹扫气体的热导率不同，和/或通过气体混合系统将气流和/或两种吹扫气体的可调节的混合气流分配到多个质量流量控制器25上，和/或，至少输入到在空间上配属于不同放置位22的气体排出口10、15、18中的、形成气流的吹扫气体能够被独立地调节。
所有公开的特征(作为单个特征或特征组合)都为发明本质所在。因此，本申请的公开内容也包含相关/所附的优先权文件(在先申请副本)公开的全部内容，为此，优先权文件的特征也一并纳入本申请的权利要求中。从属权利要求以其特征即使在不具有被引用的权利要求的技术特征时也能表征现有技术的独有的创造性的改进方案，尤其用于基于该技术特征进行分案申请。每项权利要求中给出的发明可以另外具有在前述说明中尤其设有附图标记和/或在附图标记列表中给出的一个或多个特征。本发明还涉及多种设计方式，其中，在上述说明中提到的某些特征并未实施，尤其在其被认为对于相应的使用目的无关紧要或能够被其它技术作用相同的手段替换时。
附图标记列表
1 壳体
2 基座
2' 宽侧面
2" 宽侧面
3 基板支架
4 处理室
5 处理室顶部
6 进气机构
7 排气机构
8 加热装置
9 密封板
10 气体排出口
11 输入管路
12 输入管路
13 供给口
14 杆部
15 气体排出口
16 输入管路
17 输入管路
18 气体排出口
19 输入管路
20 输入管路
21 基板
22 凹穴；放置位
23 间隙
24 旋转驱动装置
25 质量流量控制器
26 质量流量控制器
27 吹扫气体排出口
28 吹扫气体输入管路
29 凹空
29' 侧壁
A 旋转轴线

Claims (21)

1.一种用于CVD反应器的基座(2)形式的设备，所述基座能够围绕旋转轴线(A)被旋转驱动并且具有第一宽侧面(2')和背离第一宽侧面(2')指向的第二宽侧面(2")，在所述第一宽侧面上围绕所述旋转轴线(A)布置有多个用于容纳待处理的基板(21)的放置位(22)，其中，每个放置位(22)在空间上配属有至少一个通入所述第二宽侧面(2")的气体排出口(10、15、18)，其特征在于，所述气体排出口(10、15、18)布置在所述旋转轴线(A)和所配属的放置位(22)之间。
2.一种用于对基板(21)进行热处理的设备，所述设备具有能够围绕旋转轴线(A)由旋转驱动装置(24)旋转驱动的基座(2)，所述基座具有
朝向处理室(4)的第一宽侧面(2')，在所述第一宽侧面上围绕所述旋转轴线(A)布置有多个用于容纳待处理的基板(21)的放置位(22)，
背离所述第一宽侧面指向的第二宽侧面(2")，所述第二宽侧面与用于将基座(2)加热到处理温度的加热装置(8)相对置，和
多个气体排出口(10、15、18)，所述气体排出口通入所述加热装置(8)与所述基座(2)的第二宽侧面(2")之间的间隔空间，所述气体排出口用于将调温气体输入到所述间隔空间中，其中，这些气体排出口(10、15、18)布置在所述基座(2)的第二宽侧面(2、2')中并且在空间上分别与放置位(22)相配属，
其特征在于，所述气体排出口(10、15、18)布置在所述旋转轴线(A)和所配属的放置位(22)之间。
3.一种对基板(21)进行热处理的方法，其中，基座(2)围绕旋转轴线(A)被旋转驱动，所述基座在朝向处理室(4)的第一宽侧面(2')上承载着多个围绕旋转轴线(A)布置在放置位(22)上的基板(21)，并且通过加热装置(8)将所述基座加热到处理温度，所述加热装置与背离所述第一宽侧面(2')指向的第二宽侧面(2")相对置，其中，通过多个通入基座(2)的第二宽侧面(2")的气体排出口(10、15、18)将气体输入到所述加热装置(8)与所述第二宽侧面(2")之间的间隔空间中，其中，每个放置位(22)分配有布置在所述基座(2)的第二宽侧面(2")中的、被气流流过的多个气体排出口(10、15、18)中的至少一个，其特征在于，用于所述放置位(22)的独立调节的调温气体流动穿过这些气体排出口(10、15、18)，通过所述调温气体影响所述放置位(22)与所述加热装置(8)之间的热流。
4.一种用于CVD反应器的基座(2)形式的设备，所述基座能够围绕旋转轴线A被旋转驱动并且具有第一宽侧面(2')和背离第一宽侧面(2')指向的第二宽侧面(2")，在所述第一宽侧面上围绕所述旋转轴线(A)布置有多个用于容纳待处理的基板21的放置位22，其中，每个放置位(22)在空间上配属有至少一个通入所述第二宽侧面(2")的气体排出口(10、15、18)，其特征在于，设有通过间隙(23)与所述基座(2)的第二宽侧面(22")相间隔的密封板(9)。
5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述基座(2)相对于所述密封板(9)被旋转驱动，所述密封板位于所述基座(2)的第二宽侧面(2")与加热装置(8)之间并且相对于壳体(1)位置固定，并且将气体输入到由密封板(9)与基座(2)的第二宽侧面(2")之间的间隙形成的间隔空间中。
6.根据前述权利要求中任一项所述的设备，其特征在于，设有沿旋转轴线(A)布置的进气机构(6)和围绕具有圆形平面轮廓的基座(2)布置的环形的排气机构(7)。
7.根据前述权利要求中任一项所述的设备，其特征在于，每个气体排出口(10、15、18)与至少一个具有供给口(13)的输入管路(11、12、16、17、19、20)流动连接，通过质量流量控制器(25)可独立调节的调温气体的气流能够输入到所述供给口中。
8.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，通过沿旋转轴线(A)布置的进气机构(6)将包含处理气体的气流输入到处理室(4)中，该气流沿径向穿流所述处理室(4)并且通过围绕具有圆形平面轮廓的基座(2)布置的环形的排气机构(7)排出。
9.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，从至少一个布置在旋转轴线(A)和所配属的放置位(2)之间的气体排出口(10)流出的调温气体的气流通过质量流量控制器(25)被独立地调节，和/或气体在所述放置位(22)下方穿流。
10.根据前述权利要求中任一项所述的设备，其特征在于，在位于旋转轴线(A)与放置位(22)之间的第一气体排出口(10)和所述基座(2)的径向外边缘之间布置有至少一个第二气体排出口(15、18)，和/或在所述放置位(22)下方或者在所述放置位(22)和所述基座(2)的径向外边缘之间布置有第二气体排出口(15、18)。
11.根据前述权利要求中任一项所述的设备，其特征在于，所述第一和/或第二气体排出口(10、15、18)由所述第二宽侧面(2")中的纵长形的、直线形或弧形延伸的凹部构成。
12.根据前述权利要求中任一项所述的设备，其特征在于，构成所述气体排出口(10、15、18)的凹部在被放置位(22)占据的扇形区域中延伸。
13.根据前述权利要求中任一项所述的设备，其特征在于，气体混合系统通过第一气源至少提供第一吹扫气体和/或通过第二气源提供第二吹扫气体，其中，两种吹扫气体的热导率不同，和/或通过气体混合系统将气流和/或两种吹扫气体的可调节的混合气流分配到多个质量流量控制器(25)上。
14.根据前述权利要求中任一项所述的设备，其特征在于，至少被输入到多个气体排出口(10、15、18)中的、形成气流的吹扫气体能够被独立地调节，这些气体排出口在空间上配属于不同的放置位(22)。
15.根据前述权利要求中任一项所述的设备，其特征在于，在基座(2)和密封板(9)之间的间隙(23)中在放置位(22)的径向内侧设有用于将吹扫气体输入到所述间隙(23)中的吹扫气体排出口(27)。
16.根据前述权利要求中任一项所述的设备，其特征在于，所述基座(2)的朝向所述加热装置(8)的宽侧面(2')具有在被放置位(22)占据的扇形区域中延伸的凹空(29)，所述气体排出口(10)通入所述凹空中。
17.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，在旋转轴线(A)与放置位(22)之间将第一气流输入到所述间隔空间中，并且在放置位(2)下方或者在放置位(2)与基座(2)的外边缘之间将第二气流输入到所述间隔空间中。
18.根据权利要求17所述的方法，其特征在于，所述第一气流和/或第二气流通过纵长形、直线形或弧形地延伸的凹部被输入到所述第二宽侧面(2")中。
19.根据权利要求18所述的方法，其特征在于，所述凹部在被放置位(22)占据的扇形区域中延伸。
20.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，气体混合系统通过第一气源至少提供第一吹扫气体和/或通过第二气源提供第二吹扫气体，其中，两种吹扫气体的热导率不同，和/或通过气体混合系统将气流和/或两种吹扫气体的可调节的混合气流分配到多个质量流量控制器(25)上。
21.一种设备或方法，其特征在于，具有前述权利要求中任一项的一个或多个特征。
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