CN116324027A - 具有可调温的进气区域的cvd反应器 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种CVD反应器，所述反应器具有布置在反应器壳体中的基座(2)，所述基座形成过程室(1)的底部，所述反应器具有带至少一个进气区域(4、4')的进气机构(3)，所述反应器具有布置在基座(2)下方用于在基体(7)和过程室顶部(15)之间产生温度差的加热装置(6)，所述反应器具有多个在流动方向上与进气机构(3)间隔的基片载体(12)，基片载体分别用于容纳待涂层的基片(14)，并且所述反应器具有多个布置在进气机构(3)和基片载体(12)之间的前置区板(10)，其中，可以通过分别选择或者设置传热手段(11)设置前置区板(10)分别面向过程室(1)的表面的前置区温度。为了前置区温度的个性化，前置区板(10)可以换成其他具有不同传热特性的前置区板(10)。

Description

具有可调温的进气区域的CVD反应器
技术领域
本发明涉及一种CVD反应器，所述反应器具有布置在反应器壳体中的基座，所述基座形成过程室的底部，所述反应器具有带至少一个进气区域的进气机构，所述反应器具有布置在基座下方用于在基体和过程室顶部之间产生温度差的加热装置，所述反应器具有多个在流动方向上与进气机构间隔的基片载体，基片载体分别用于容纳待涂层的基片，并且所述反应器具有多个布置在进气机构和基片载体之间的前置区板，其中，可以通过分别选择或调整布置在基体和前置区板之间的传热手段分别设置前置区板面向过程室的表面的前置区温度，其中，在流动方向上直接布置在多个基片载体之一上游的传热手段是与相邻的传热手段无关地调整的。
本发明还涉及一种用于在CVD反应器中的基片上沉积、尤其掺杂层的方法，其中，过程气体被馈入进气机构并从进气机构的进气区域进入过程室，该过程室的底部由基座形成，基座由布置在基座下方的加热装置加热，以便在过程室顶部和基座之间形成温度差，其中，过程气体沿流动方向朝支承在基片载体上的基片流动并在过程室的在进气机构和基片载体之间的前置区中在前置区板上方预分解，并且分解产物形成层，其中，通过分别选择或设置布置在基座的基体和前置区板之间的传热手段调整在流动方向上分别直接布置在基片载体之一上游的前置区板的面向过程室的表面的前置区温度。
背景技术
在专利文献DE 10 2014 104 218 Al中说明了一种CVD反应器和方法。在进气机构和布置在围绕进气机构的圆弧线上的基片载体之间有前置区板，其中，每个前置区板与两个基片载体相邻。前置区板位于基座的基体上。水平间隙在基体和前置区板之间延伸，传热气体可以被送入水平间隙中，以便通过改变气体的导热性影响从被加热装置加热的基座到冷却的过程室顶部的热传输。通过该影响可以设置前置区温度。
专利文献DE 10323 085A1中说明了一种CVD反应器。基片位于多部件式的基座上，基片被用半导体层涂层。为此，由有机金属III组分和V组分构成的过程气体通过进气机构被引入过程室。这通过载气，例如氢气完成。基座从下方被加热到500至超过1000℃之间的温度。由于过程室顶部是被主动冷却的，所以在基座内形成垂直的温度梯度。基片载体的表面的温度和前置区板的表面的温度由从基座下方的加热装置到基座上方的冷却装置的永久的垂直热流确定。因此，对于基片载体或支承在基片载体上的基片的表面温度和前置区的表面温度有关的是基体和基片载体或前置区板之间的传热特性。前置区板在垂直方向上与基体间隔。由此形成水平间隙，其形成热传输屏障。在此现有技术中，前置区板的表面温度取决于水平间隙的可预先设置的垂直的间隙宽度。
文献DE 102010000554 A1说明了一种MOCVD反应器，其中顶板和散热元件之间的导热耦合是局部的，尤其在径向上不同。吹扫气体应流过在顶板和散热元件之间形成的水平间隙。吹扫气体可以由具有不同导热性的气体，例如氢气和氮气的混合物形成。
文献DE 102011 002146A1说明了前置区温度和前置区内的气相反应对在流动方向上邻接在前置区上的生长区中的层生长的影响，基片布置在该生长区中。
文献US 6,001,183或DE 36 33386Al中也说明了带有气态热交换器流经的通道的基片支架。
文献DE 10 2006 018 514 A1说明了一种装置和一种方法，用于控制过程室中基片的表面温度，其中尤其规定，气态热量载体被送入水平间隙中，其形成气垫，基片载体在该气垫上旋转。
尤其在掺杂SiC层的沉积中，前置区温度的微小变化对掺杂物加入有重大影响。因此，在一个层同时沉积在支承在与其对应的基片载体上的多个基片上的沉积过程中，前置区温度与目标值的很小偏差导致沉积的层中掺杂物浓度的显著差异。由于进气机构的进气区域和基座的其他部件的公差，导致了相邻的前置区的前置区温度的差异。因此，在沉积过程期间沉积的层会具有相互不同的掺杂物浓度。
发明内容
本发明要解决的技术问题是给出一些措施，通过这些措施可以为每个基片或每个基片载体个性化地或者单独设置或者说调整前置区温度。
在现有技术中，前置区温度只能通过气流速设置，而根据本发明，以此对例如尤其单个的、必要时相邻的前置区的公差导致的前置温度偏离目标温度或平均温度作出反应，也即在每个前置区中都能单独地或者说个性化地预设到前置区板的热传输。传热手段可以是在实体上配属于前置区的元件或特性。传热手段的设置可以在执行沉积过程之前完成，例如通过使用合适的前置区板或单独选择水平间隙的间隙高度。但这也可以在执行沉积过程期间完成，方式是将单独的混合的传热气体送入水平间隙中。为此，在每个基片载体的上游设置有用于传热气体的入口。馈送通道在那里通入，单独混合的传热气体通过馈送通道送入水平间隙。在气体混合装置中设置有多个质量流控制器，其中至少每个馈送通道具有至少一个单独配属的质量流控制器。通过所述至少一个质量流控制器，单独混合的传热气体可以被送入相应的馈送通道。因此可行的是，单独为每个布置在基片载体前的前置区设置前置区板的表面温度。根据本发明规定，前置区板的数量与基片载体的数量对应。前置区温度可以通过被动设置手段，例如间隔元件设置。传热气体可以被送入可以通过间隔元件设置高度的水平缝隙中。相对于此替选地可以在前置区板和基体之间布置传热元件。传热元件具有单独的导热性。为了提高前置区温度，该传热元件可以换成其他具有更高导热性的传热元件。为了降低前置区温度，该传热元件可以换成其他具有更低导热性的传热元件。水平间隙的高度可以单独通过不同的定义水平间隙的高度的间隔元件设置。水平间隙甚至可以是零，方式是前置区板直接支承在基体上。间隔元件可以产生0.5mm、0.75mm、1mm等的间隙高度。但也可以产生非常狭窄的水平间隙，其具有小于0.5mm的间隙高度。例如与0mm的间隙高度相比，0.7mm大的间隙高度产生约20K的温差。当在沉积碳化硅时使用该方法或装置的情况下，间隙高度的变化可以以50％的程度影响掺杂物水平。通过选择流过水平间隙的气体混合物可以实现精确调节。根据本发明设计的CVD反应器可以具有多个彼此相同成形的前置区板，其中，各个、尤其其中两个前置区板在传热特性方面彼此不同。还可以规定，至少两个前置区板在材料厚度方面或在间隔元件方面不同。然而根据本发明的类型的前置区板也可以是彼此相同设计的。于是规定间隙高度不同，为此，具有不同厚度的间隔元件分别布置在两个不同的前置区板下方。此外可以规定在基体和前置区板之间在两个不同的前置区处布置传热元件，传热元件具有彼此不同的传热特性。根据本发明的方法尤其规定，在沉积过程之前单个前置区板可以换成具有不同传热特性的其他前置区板，或者替换间隔元件或传热元件。
在上述实施例中，采取无源的措施调整前置区温度适应相应的基片载体。本发明的另一方面涉及有源的温度影响元件。这些温度影响元件可以是局部布置的加热装置。这种前置区加热装置可以是激光加热器，例如激光二极管加热器。然而前置区加热装置也可以是局部电阻加热器。前置区加热装置可以位置固定地固定在CVD反应器壳体上或过程室顶部上。如果前置区加热装置在过程室外固定在壳体上，过程室顶部可以具有开口，由前置区加热装置产生的激光束通过该开口射到前置区板的面向过程室的表面上。激光束的射入位置在前置区板上。在激光束命中前置区板的位置处，前置区板的表面温度提高。形成前置区加热装置的激光器可以通过控制装置与基座的旋转运动同步，使得激光束可以被打开和关闭并且只局部加热所选择的前置区板。然而也可以规定前置区板或前置区板的区域具有电阻加热器。这种电阻加热器可以集成在基座的基体中。它也可以集成在前置区板中。然而电阻加热器也可以布置在前置区板和基座的基体之间的间隙中。还可以规定，前置区加热装置可以布置在基座下方。该前置区加热装置也可以具有激光器，通过该激光器可以局部加热基座的底侧。这种前置区加热装置可以与基座一起旋转。加热装置例如可以布置在固定在支撑体上并与基座一起旋转的臂的端部上。可单独给每个基片载体配设加热装置，以便单独对基片载体上游布置的前置区调温。本发明还涉及一种方法，通过该方法借助独立的加热装置单独对至少一些前置区输送热量，其中，可以用多个加热装置或只用一个加热装置完成。优选的是，加热装置分别配属于基片载体，以使加热装置给布置在相应基片载体上游的前置区输送补充的热量，加热装置由控制装置控制。然而这种控制装置也可以控制唯一的加热装置，使其在基座的旋转循环中给选择的前置区输送热量。
关于CVD反应器的另外的设计特征，参考开头所述文献DE 10 2014 104218Al，其公开内容包含在本申请公开内容中。
根据本发明的方法特别适用于在CVD反应器中在基片上沉积SiC层。然而，本发明也包括GaN层、GaAs层的沉积，GaP层的沉积或Ga、N、As、P、In元素或第三和第五主族的其他元素的混合晶体。此外，该方法不仅包括第四主族元素的沉积，还包括第六和第二主族元素层的沉积。
附图说明
下面根据附图进一步阐述本发明的实施例。附图中：
图1基本上以示意图示出根据本发明的MOCVD反应器的半剖图，
图2示出基本上根据剖切线II-II对基座2的俯视图，
图3示出第二实施例的根据图1的视图，
图4示出根据图2对基座2的俯视图的局部，但涉及第二实施例，
图5示出第三实施例的根据图1的视图，
图6示意性示出用于提供气体的气体混合系统，
图7以根据图1的视图示出本发明的第四实施例，
图8以按照图1的视图示出第五实施例，
图9以按照图2的视图示出本发明的第六实施例。
具体实施方式
图1和2示意性示出用于解释本发明的MOCVD反应器的基本元素。未示出MOCVD反应器的壳体，图1和图2中所示的装置位于其中。在此是向外气密封闭的壳体，多个气体输入线路、冷却剂输入线路和气体输出线路通入壳体中。未示出的气体输入线路将输入线路部段5、5’与气体混合系统连接，气体混合系统具有储存罐，其中储存有过程气体和载气。但也可以远离气体混合系统储存过程气体和载气，例如储存在中央供气装置中。中央供气装置就通过供应线路与气体混合系统相连。含碳的气体和含硅的气体，例如碳氢化合物或硅氢化合物作为过程气体储存在那里。在替选方法中，AsH3、NH3、PH3、三甲基镓、三甲基铟、三甲基铝和其他氢化物或有机金属化合物以及掺杂物可以储存在那里。在使用阀门和质量流控制器的情况下，它们通过输入线路部段5、5'送入进气机构3，其中过程气体分开地从垂直相叠布置的进气区域4、4’流入过程室1。可以设置三个或更多的输入线路部段5、5'。
能量供应装置与具有一个或多个加热区的加热装置连接，该加热装置产生热量，热量从下方送入基座2的基体7中。从加热装置6到冷却的过程室顶部15形成永久的热流，由此在基座2内形成垂直温度梯度。
基体7承载多个以均匀角度分布布置的基片载体12。基片载体12具有圆盘形状并可围绕旋转轴13旋转。它们可以支承在气垫上，该气垫也使基片载体12强制旋转。气垫通过气体形成，该气体在馈送位置19处通过馈送通道20送入基片载体12的底侧和基体7的顶侧之间的水平间隙中。
基体7的未被基片载体12覆盖的表面区域被板10、27覆盖，表面区域所有部分可以由石墨、石英或合适的金属制成。在本实施例中，径向外部区域由外板27覆盖。
径向内部区域由多个前置区板10覆盖。在本实施例中设置有六个前置区板10和六个基片载体12。在此每个基片载体12都单独分配前置区板10。前置区板10在此分别填充填满圆盘形基座2的整个区段，基片载体12布置在其中。基片载体12和中央的进气机构3之间的整个面由前置区板10填充。前置区板10彼此相邻形成在径向方向延伸的接合部22。接合部22可以与两个外板27之间的接合缝对齐。接合部22居中穿过两个相邻的基片载体12之间的空间。前置区板12可以单独更换。
前置区板10或外板27的材料可以是构成基体7的同一材料。中央板8优选由石英制成。环形体、基片载体12和前置区板10相反优选由石墨构成，尤其由涂层的石墨构成。
前置区板10在形成垂直间隙的情况下邻接在基片载体12上并通过垂直间隙邻接在进气机构3上。前置区板10通过未示出但从开头引用的文献中可知的间隔装置保持与基体7的垂直距离。由此形成由多个部段11、11'构成的水平间隙。水平间隙11可以形成直接邻接在进气机构3上的冷却的部段和直接邻接在基片载体12上的加热的部段。
前置区板10的底侧可以设计成平的。在未示出的实施例中，前置区板10的底侧可以设计成阶梯状的。
在径向上，在每个基片载体12和进气机构3之间有至少一个用于传热气体的馈送位置8，该传热气体通过馈送通道21输送到馈送位置8。
图6示意性示出具有总共六个成对布置的质量流控制器30、31的气体混合系统27，只示出其中两个。通过质量流控制器30、31可以将由两种惰性气体、例如氮气和氢气组成的传热气体混匀，其中这两种惰性气体具有不同的比导热性。由质量流控制器30、31单独提供的混合气体被送入总共六个馈送通道21中的一个。在实施例中六个前置区板10中的每一个都配设有馈送通道21，使得相对于每个基片载体12单独的传热气流可以送入基体7和前置区板10之间的水平间隙11、11'中。
在图1所示的实施例中，水平间隙11'的一部段位于馈送位置8的径向内侧，而水平间隙11的一部段位于馈送位置8的下游。传热气体的输入可以通过柱状的支撑体18完成，该支撑体可被驱动旋转，以将基座2围绕旋转轴17旋转。通过气体可以相互独立地输入馈送通道21，每个前置区都可以单独调温。两种在导热特性方面非常不同的气体的混合物可以相互独立地送入馈送通道21。通过两种气体的混合比例导致水平缝隙11'的部段的导热特性改变，气体被送入该部段中。
可以规定，单个前置区板10可以替换为具有不同导热特性的前置区板10。根据本发明的装置因此可以具有彼此具有不同导热特性并且尤其由不同的材料构成的前置区板10。
气体混合系统23还具有质量流控制器32，其数量与基片载体12的数量相对应。由质量流控制器32提供的气体被送入馈送通道20，馈送通道20在馈送位置19处通入。
在图3和4所示的实施例中，水平间隙11的高度由间隔元件23、24定义。间隔元件可以具有0.5mm、0.75mm和1mm或其若干倍的高度。尤其可以使用由陶瓷或其他材料制成的间隔元件23、24。尤其可以规定，前置区板10由三个间隔元件23、24支撑。间隔元件23、24可以从一组间隔元件中选择，这些间隔元件具有彼此不同的厚度，其中，间隔元件23、25的厚度分别通过在0.1mm至0.5mm之间的范围内相同的距离尺寸区分，以便实现水平间隙11精细分级的高度设置。
不同厚度的间隔元件23、24可以与具有不同材料厚度的前置区板10结合，以便前置区板10面向过程室1的顶侧在统一水平上延伸。相邻的前置区板10因此可以具有彼此不同的材料厚度并支承在不同高度的间隔元件23、24上。
然而也可以规定，间隔元件23、24是材料统一或者至少与前置区板10的底侧固定连接的。具有不同高度的水平间隙11可以在本实施例中通过更换单个前置区板10实现。
在图5所示的实施例中，前置区板10的底侧和基体7的顶侧之间的空间由传热元件25填充。传热元件25在此可以具有与前置区板10相同的平面轮廓。在此也可以规定传热元件25具有彼此不同的材料厚度并与具有不同材料厚度的前置区板10相结合，以便前置区板10的顶侧在统一水平上延伸。不同的传热元件25可以由不同的材料构成。这些材料区别在于它们的导热性。根据本发明的CVD反应器因此可以有相同成形的传热元件25，它们具有彼此不同的导热性。不同的前置区板10也可以具有不同的比导热性。在图5所示的实施例中可能不需要在前置区板10和基体7之间输入传热气体。
图7示出本发明的第四实施例，其中前置区板10面向过程室的表面可以被主动加热。设置有加热装置36，它是激光器。激光器36固定在CVD反应器9的壳体上。由激光器36产生的激光束38可以通过过程室顶部15的开口37射入直到前置区板10的表面上。前置区板10的表面在激光束38的射入位置上局部加热。
设置有未示出的控制装置，激光器36通过控制装置与基体2的旋转运动同步，使基体2每次转圈时都分别通过激光束38对相同的前置区板10局部加热。激光器36因此由控制装置随基座2旋转的循环一次或多次开启和关闭。
然而也可以将激光器36固定在过程室顶部15上。在此激光束38也可以穿过过程室顶部15的开口37。如果激光器36固定在过程室顶部15的下方，这就不需要了。
在图8所示的实施例中通过局部加热装置36从下方加热基座2。局部加热装置36可以是激光器，激光器产生激光束38，该激光束在前置区板10的区域中入射到基座2的底侧并且尤其入射到基体7的底侧。在本实施例中规定激光器36与基座2一起旋转。为此激光器牢固地固定在基座2上，或者如图8所示通过臂39固定在杆18上。
在本实施例中可以设置多个加热装置36。尤其规定给每个基片载体12单独配设加热装置36。
在图9所示的实施例中，给多个基片载体12中的每个单独配设电阻加热装置40。电阻加热装置40分别布置在基片载体12的上游并且可以是前置区板10的一部分。然而电阻加热装置40也可以布置在基座2的基体7中。还可行的是，电阻加热装置40布置在前置区板10和基体7之间的间隙11中。
设置有控制装置，通过该控制装置可以运行加热装置36、40，并且给加热装置36、40供应加热功率，以使支承在基片载体12上的所有基片的表面温度基本相同。
在图7至图9所示的实施例中不需要给每单个基片载体12配设单独的前置区板10。在这些实施例中，单个前置区板10也可以与多个基片载体12对应，如现有技术中的情况。
关于根据本发明的CVD反应器的设计或关于另外的方法特征，参考开头提到的DE102014 104218A1，其公开内容完全包括在本公开内容中，尤其也为了将特征纳入权利要求。
上述实施方式用于阐述由本申请总体上包括的发明，该发明至少通过下述特征组合也分别单独地改进现有技术，其中，这些特征组合的两个、多个或者全部也可以组合，即：
一种CVD反应器，其特征在于，为多个基片载体12中的每一个所配设的前置区板10与其他前置区板10分开。
一种CVD反应器，其特征在于，在前置区板10和基体7之间延伸的水平间隙11、11'的间隙高度是可调整的。
一种CVD反应器，其特征在于，间隙高度可通过彼此不同的间隔元件23、24或通过用其他前置区板11替换前置区板10设置。
一种CVD反应器，其特征在于，具有彼此不同的导热性的彼此不同的传热元件25可插入前置区板10的基体7之间。
一种CVD反应器，其特征在于，至少一个馈送通道20、21通入基体7和前置区板10之间的水平间隙11、11'中，传热气体可以通过该馈送通道送入水平间隙11、11'中，传热气体由气体混合装置提供。
一种CVD反应器，其特征在于，至少一个馈送通道20、21沿流动方向在每个基片载体12之前通入，由两种具有相互不同的导热性的气体组成的传热气体的个性化的混合物可以送入其中的每个馈送通道20、21中，为此，每个馈送通道20、21具有至少一个质量流控制器31、32用于控制传热气体的质量流量。
一种CVD反应器，其特征在于，前置区板10布置成围绕进气机构3的圆形布局，并且基片载体12分别布置在前置区板10的径向外部，流动方向是径向，并且气体出口26布置在基片载体12的径向外部。
一种方法，其特征在于，给多个基片载体12中的每一个基片载体配设的前置区板10与其他前置区板10分开。
一种方法，其特征在于，使用根据权利要求1至7中任一项所述的CVD反应器，并且通过选择合适的间隔元件23、24、合适的前置区板10、合适的传热元件和/或合适的传热气体调整前置区温度。
一种CVD反应器，其特征在于前置区可单独加热。
一种方法，其特征在于，通过独立的加热装置36、40单独地向至少一些前置区输送热量。
一种CVD反应器或方法，其特征在于，前置区可通过前置区加热装置加热，其中，前置区加热装置可以是激光器36或电阻加热装置40。
一种CVD反应器，其特征在于，前置区加热装置36位置不变地布置在CVD反应器9的壳体上或过程室顶部15上，和/或前置区加热装置36抗扭地与基座2连接和/或布置在基座7下方。
所有公开的特征(本身，或者相互组合地)都是发明本质。因此本申请的公开内容也包含附属的/所附的优先权文件(在先申请副本)的全部公开内容，目的也是将这些文件的特征也纳入本申请的权利要求中。从属权利要求甚至在没有被引用的权利要求的特征的情况下也利用其特征表征了对现有技术的独立的创造性的改进设计方案，尤其用于基于这些权利要求进行分案申请。在所有权利要求中给出的发明可以额外地具有一个或者多个在上述说明、尤其带附图标记的和/或在附图标记列表中给出的特征。本发明也涉及单个在上述说明中所述特征不被实现的设计方式，尤其只要它们对于相应使用目的明显不必要或者能通过其他技术上作用相同的器件替代。
附图标记列表
1过程室
2基座
3进气机构
4进气区域
4'进气区域
5输入线路部段
5'输入线路部段
6加热装置
7基体
8馈送位置
9CVD反应器
10 前置区板
11 水平间隙
11'水平间隙
12 基片载体
13 旋转轴
14 基片
15 过程室顶部
16 冷却通道
17 旋转轴
18 支撑体
19 馈送位置
20 馈送通道
21 馈送通道
22 接合部
23 间隔元件
24 间隔元件
25 传热元件
26 气体出口
27 气体混合系统
28 质量流控制器
29 质量流控制器
30 质量流控制器
31 质量流控制器
32 质量流控制器
33 控制器
35 气体源
36 激光器加热元件
37 开口
38 激光束
39 臂
40 电阻加热装置

Claims (15)

1.一种CVD反应器，所述反应器具有布置在反应器壳体中的基座(2)，所述基座形成过程室(1)的底部，所述反应器具有带至少一个进气区域(4、4')的进气机构(3)，所述反应器具有布置在基座(2)下方用于在基体(7)和过程室顶部(15)之间产生温度差的加热装置(6)，所述反应器具有多个在流动方向上与进气机构(3)间隔的基片载体(12)，基片载体分别用于容纳待涂层的基片(14)，并且所述反应器具有多个布置在进气机构(3)和基片载体(12)之间的前置区板(10)，其中，能够通过分别选择或调整传热手段(11)分别设置前置区板(10)的面向过程室(1)的表面的前置区温度，其中，分别在流动方向上直接布置在多个基片载体之一上游的传热手段(11)是相互无关地可调整的，其特征在于，为多个基片载体(12)中的每一个基片载体所配设的前置区板(10)与其他前置区板(10)分开。
2.按照权利要求1所述的CVD反应器，其特征在于，在前置区板(10)和基体(7)之间延伸的水平间隙(11、11')的间隙高度是可调整的。
3.按照权利要求2所述的CVD反应器，其特征在于，间隙高度能够通过彼此不同的间隔元件(23、24)或通过用其他前置区板(11)替换前置区板(10)来调整。
4.按照上述权利要求之一所述的CVD反应器，其特征在于，可替换的传热元件(25)布置在基体(7)和前置区板(10)之间。
5.按照上述权利要求之一所述的CVD反应器，其特征在于，至少一个馈送通道(21)通入基体(7)和前置区板(10)之间的水平间隙(11、11')中，传热气体能够通过该馈送通道送入水平间隙(11、11')中，所述传热气体由气体混合装置提供。
6.按照权利要求4所述的CVD反应器，其特征在于，至少一个馈送通道(21)沿流动方向在每个基片载体(12)之前通入，并且由两种具有相互不同的导热性的气体组成的传热气体的个性化的混合物能够送入每个馈送通道(21)中，为此，每个馈送通道(21)具有至少一个质量流控制器(31、32)用于控制传热气体的质量流量。
7.按照上述权利要求之一所述的CVD反应器，其特征在于，前置区板(10)布置成围绕进气机构(3)的圆形布局，并且基片载体(12)分别布置在前置区板(10)的径向外部，流动方向是径向，并且气体出口(26)布置在基片载体(12)的径向外部。
8.按照上述权利要求之一所述的CVD反应器，其特征在于，具有相互不同传热特性的前置区板(11)、具有相互不同厚度的间隔元件(23、24)或具有相互不同传热特性的传热元件(25)布置在至少两个相互不同的前置区中。
9.一种用于在CVD反应器中的基片(14)上沉积尤其掺杂层、尤其SiC层的方法，其中，过程气体被馈入进气机构(3)并从进气机构(3)的进气区域(4、4')进入过程室(1)，该过程室的底部由基座(2)形成，基座(2)由布置在基座(2)下方的加热装置(6)加热，以便在过程室顶部(15)和基座(2)之间形成温度差，其中，过程气体沿流动方向朝支承在基片载体(12)上的基片(14)流动并在过程室(1)的在进气机构(3)和基片载体(12)之间的前置区中在前置区板(10)上方预分解，并且分解产物形成层，其中，通过分别选择或调整传热手段(11)来调整在流动方向上分别直接布置在基片载体(12)之一上游的前置区板(10)的面向过程室(1)的表面的前置区温度，其特征在于，为多个基片载体(12)中的每一个基片载体所配设的前置区板(10)与其他前置区板(10)分开。
10.按照权利要求9所述的方法，其特征在于，使用根据权利要求1至7中任一项所述的CVD反应器，并且通过选择合适的间隔元件(23、24)、合适的前置区板(10)、合适的传热元件和/或合适的传热气体来调整前置区温度。
11.一种CVD反应器，所述反应器具有布置在反应器壳体中的基座(2)，所述基座形成过程室(1)的底部，所述反应器具有带至少一个进气区域(4、4')的进气机构(3)，所述反应器具有布置在基座(2)下方用于在基体(7)和过程室顶部(15)之间产生温度差的加热装置(6)，所述反应器具有多个在流动方向上与进气机构(3)间隔的基片载体(12)，基片载体分别用于容纳待涂层的基片(14)，并且所述反应器具有多个布置在进气机构(3)和基片载体(12)之间的前置区板(10)，其中，能够相互无关地调整前置区板(10)面向过程室(1)的表面的前置区温度，其特征在于，前置区是能够单独加热的。
12.一种用于在CVD反应器中的基片(14)上沉积尤其掺杂层、尤其SiC层的方法，其中，过程气体被馈入进气机构(3)并从进气机构(3)的进气区域(4、4')进入过程室(1)，该过程室的底部由基座(2)形成，基座(2)由布置在基座(2)下方的加热装置(6)加热，以便在过程室顶部(15)和基座(2)之间形成温度差，其中，过程气体沿流动方向朝支承在基片载体(12)上的基片(14)流动并在过程室(1)的在进气机构(3)和基片载体(12)之间的前置区中在前置区板(10)上方预分解，并且分解产物形成层，其中，调整在流动方向上分别布置在基片载体(12)之一上游的前置区的面向过程室(1)的表面的前置区温度，其特征在于，通过独立的加热装置(36、40)单独地向至少一些前置区输入热量。
13.按照权利要求11所述的CVD反应器或者按照权利要求12所述的方法，其特征在于，前置区能够通过前置区加热装置加热，其中，前置区加热装置可以是激光器(36)或电阻加热装置(40)。
14.按照权利要求12所述的CVD反应器或者按照权利要求12或13之一所述的方法，其特征在于，前置区加热装置(36)位置固定地布置在CVD反应器(9)的壳体上或过程室顶部(15)上，和/或前置区加热装置(36)抗扭地与基座(2)连接和/或布置在基座(7)下方。
15.一种CVD反应器或者一种方法，其特征在于，上述权利要求之一的一个或多个特征。
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