CN108728823B - 外延生长装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种能使生长速度提高的外延生长装置。外延生长装置包括：反应室，由载置基板的基板载置部、具有透光性的顶板及侧壁部而划分；加热单元，设置于反应室外部，且将载置于反应室内的基板经由所述顶板来进行加热；以及反应气体导入单元，与基板的水平方向相平行地向反应室内导入反应气体；并且顶板的中心与所述基板载置部的距离小于10mm。

Description

外延生长装置
本申请是申请日为2013年10月28日、申请号为201380054803.9、发明名称为“外延生长装置”的发明专利申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及一种外延生长(epitaxial growth)装置。
背景技术
目前，关于利用外延生长而使外延膜在基板上生长的外延生长装置，已知有如下装置，即，包括处理腔室、及能够旋转的基板支撑体，所述基板支撑体配置于所述处理腔室内，且以旋转轴为中心而使基板旋转的方式构成，所述装置以与基板的水平方向平行的方式导入反应气体，在基板支撑体上的基板上进行成膜(例如参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本专利特表2001-520456号公报
发明内容
发明要解决的问题
对所述外延生长装置而言，要求生长速度比现有的生长速度有所提高。所述情况下，为了使生长速度更高而使反应气体中大量地含有第一原料气体，例如存在成膜成本上升或微粒(particle)增加的情况，因而欠佳。
因此，本发明的课题在于解决所述现有技术的问题，而欲提供一种生长速度提高的外延生长装置。
解决问题的技术手段
本发明的外延生长装置的特征在于，包括：反应室，由载置基板的基板载置部、具有透光性的顶板及侧壁部而划分；加热单元，设置于所述反应室外部，且经由所述顶板对载置于所述反应室内的基板进行加热；以及反应气体导入单元，与基板的水平方向平行地向所述反应室内导入反应气体；并且所述外延生长装置构成为所述顶板的中心与载置于所述基板载置部的基板的距离小于10mm。本发明中，因顶板的中心与基板的距离小于10mm，而能够抑制将反应气体导入反应室的情况下的边界层的扩展，由此能够提高生长速度。
优选所述顶板固定于俯视时为形成着贯通孔的环状的支撑部，所述支撑部的贯通孔的直径朝向所述基板侧逐渐减小，且在所述基板侧的端部固定着所述顶板。通过使支撑部成为所述形状，即便在热应力高的状态下也能够以顶板的中心与基板的距离小于10mm的方式来支撑顶板。
优选在所述侧壁部形成着向所述反应室内供给反应气体的供给路径，所述供给路径具有供从所述反应气体导入单元导入的反应气体碰撞的壁部，在所述壁部的至少两端部设置着沿着反应气体的流动方向的整流槽。通过设置整流槽，能够提高在使顶板的中心与基板的距离小于10mm的情况下会降低的反应气体的直进性。
优选所述整流槽以与在整流板的长边方向上并列设置成一列的孔部分别相向的方式而设置，所述整流板以与所述壁部为相反侧的面与所述供给路径相向。通过以所述方式进行设置，能够进一步提高整流性。
优选所述整流板在多个区域中的每个区域形成着并列设置的孔部，与所述区域中的位于两端的区域的孔部对应地设置着所述整流槽。通过以所述方式进行设置，而能够进一步提高整流性。
优选所述整流槽以槽的中心朝向圆环状的侧壁部的中心的方式设置。通过以所述方式进行设置，而能够进一步提高整流性。
优选在所述基板载置部的外周设置着晶座环，晶座环包含：与晶座的外周相隔而设置的第一环部；以及设置于所述第一环部的内周侧且设置于开放的凹部的第二环部。通过如所述那样由两个构件构成，能够降低热的散放量。
优选所述第二环部面向所述晶座与所述第一环部的相隔部而设置。能够抑制反应气体的回绕。
优选所述第二环部覆盖所述晶座与所述第一环部的相隔部而设置。能够进一步抑制反应气体的回绕。
发明的效果
根据本发明的外延生长装置，可实现生长速度提高的优异效果。
附图说明
图1是示出外延生长装置的整体的剖面图
图2是用以说明反应室的外延生长装置的分解立体图。
图3是用以说明侧壁部的外延生长装置的局部立体图。
图4是用以说明供给路径的外延生长装置的一部分剖面图。
图5是用以说明供给路径的外延生长装置的示意图。
图6是用以说明预加热环(pre-heat ring)的外延生长装置的一部分剖面图。
图7是实施方式2的外延生长装置的一部分剖面图。
图8是示出实施例及比较例的结果的曲线图。
实施方式
(实施方式1)
使用图1、2对本发明的实施方式1的外延生长装置进行说明。
外延生长装置1是用以使例如硅等的膜在基板W上外延生长的成膜装置。
外延生长装置1具有反应室2。反应室2包含载置着基板W的晶座(susceptor)3、侧壁部4、及顶部5。
晶座3为俯视时为圆形状的板状构件，且构成为比基板W稍大。晶座3上设置着用以载置基板W的基板用凹部。晶座3由具有多个臂部的晶座支撑部6支撑。晶座支撑部6一边对晶座3进行支撑，一边在成膜位置P1与基板搬送位置P2之间进行升降，所述成膜位置P1是在基板W上进行成膜的成膜位置，所述基板搬送位置P2是进行基板W的朝向外延生长装置1的进出的基板搬送位置。而且，晶座支撑部6构成为能够在所述成膜位置P1旋转且使基板W在成膜位置旋转。而且，所述晶座支撑部6构成为各臂部的粗细比通常的情况要细。由此，抑制来自后述的加热单元62的热被晶座支撑部6遮住，从而能够减小由晶座支撑部6引起的晶座3的辐射热之差，且能够减少来自晶座3的热向晶座支撑部6散放的量，因而可使晶座3的温度分布均匀。
晶座3在成膜位置P1处，在其周围配置着环状的晶座环7。详细来说，晶座环7包含后述的第一环11及载置于所述第一环11上的第二环12。晶座环7由设置于反应室2的侧壁部4的凸缘部13支撑。
顶部5包含顶板21、及对顶板21进行支撑的支撑部22。顶板21具有透过性，且构成为如下，即，能够透过来自设置于顶板21的外侧上方的加热单元23(例如卤素灯(halogenlamp))的热并对反应室2内进行加热。即，本实施方式中的外延生长装置1为冷壁(coldwall)型外延生长装置。本实施方式中，使用石英来作为顶板21。
对顶板进行支撑的支撑部22为环状。支撑部22的贯通孔24的直径朝向基板侧逐渐减小。而且，在贯通孔的基板侧的端部固定着顶板。可列举焊接来作为固定方法。而且，从背面侧(下表面侧)观察支撑部22时，则内周部突出而成为突出部25。所述突出部25也形成为直径朝向突出方向逐渐减小。这样，支撑部包含两个斜面部。
侧壁部4包含环状的上部侧壁部31及环状的下部侧壁部32。在下部侧壁部的内周侧设置着所述凸缘部13。在比所述凸缘部13靠下方侧设置着基板搬送口30。
上部侧壁部31与所述支撑部22的突出部25对应地在其上表面具有倾斜部。因具有所述斜面，从而上部侧壁部31与支撑部22相互嵌合。
下部侧壁部32的上表面的外周部的一部分被切开，未设置着所述切口的区域作为载置上部侧壁部的载置面33而构成。利用下部侧壁部的切口，在下部侧壁部形成着第一凹部34。即，第一凹部34为如下凹部，即，形成于下部侧壁部的上表面的未形成着载置面33的部分。在上部侧壁部31，在朝向下部侧壁部32载置时与所述第一凹部34对应的位置处，以如下方式设置着第一凸部36，即，与第一凹部34的形状对应，且与所述第一凹部34之间形成着间隙35。而且，所述第一凸部36与第一凹部34之间的间隙35作为反应气体供给路径41(供给路径)而发挥功能。关于反应气体供给路径41，详情将于以后进行叙述。
而且，在下部侧壁部32的与第一凹部34相向的区域，下部侧壁部32的上表面的外周部的一部分被切开而形成着第二凹部37。在上部侧壁部31，在朝向下部侧壁部32载置时与所述第二凹部37相对应的位置处，以如下方式形成着第二凸部39，即，与第二凹部37的形状对应，且与所述第二凹部37之间形成着间隙38。由所述第二凹部37与上部侧壁部31的第二凸部39形成气体排出路径42。
这样，反应气体供给路径41与气体排出路径42在反应室2内相向，且在反应室2内，反应气体与基板W的水平方向相平行地流动。
而且，在下部侧壁部32的构成第二凹部37的壁面43形成着将净化气体(purgegas)排出的净化孔44。净化孔44比凸缘部13设置得更靠下方。而且，因所述净化孔44设置于构成第二凹部37的壁面43，所以净化孔44面向气体排出路径42。因此，气体排出路径42中，反应气体与净化气体双方均被排出。
在侧壁部4的下表面侧设置着环状的载置台45，侧壁部4载置于载置台45。
在顶部5、侧壁部4、载置台45的外周侧设置着环状的夹持部51，环状的夹持部51夹紧并支撑这些顶部5、侧壁部4及载置台45。夹持部51上分别设置着与反应气体供给路径41连通的供给侧连通路径52、及与气体排出路径42连通的排出侧连通路径53。
供给侧连通路径52上设置着反应气体导入部54。本实施方式中，从反应气体导入部54导入第一原料气体及第二原料气体。另外，第二原料气体也作为载气而发挥功能。也可混合使用3种以上的气体来作为反应气体。反应气体导入部54上以与气体流路相垂直的方式设置着整流板55。整流板55上多个孔部56沿周向设置成一列，因反应气体通过所述孔部56，从而第一原料气体与第二原料气体得到混合并且得到整流。而且，排出侧连通路径53上设置着气体排出部57。即，反应气体供给路径经由供给侧连通路径而设置着反应气体导入部。而且，气体排出路径经由排出侧连通路径而设置着气体排出部。关于气体排出路径，以使流路与反应室的中心相向的方式而设置。
而且，载置台45的内周侧下部设置着装置底部61。装置底部61的外侧设置着另一加热单元62，也可从下方对基板进行加热。
在装置底部61的中央，插入晶座支撑部6的轴部63，并且设置着导入净化气体的净化气体导入部(未图示)。净化气体从设置于净化气体导入部的未图示的净化气体导入单元而导入到包含装置底部61、下部侧壁部32及载置台45的反应室下部64。所述净化孔44与反应室下部64连通。
对使用所述本实施方式的外延生长装置的成膜方法进行说明。
使晶座3移动到基板搬送位置P2，将基板W从基板搬送口30搬入，且使晶座3移动到成膜位置P1。使用直径例如为200mm的硅基板来作为基板W。然后，一边利用加热单元23、62进行加热，一边从净化气体导入部将净化气体(例如氢气)导入到反应室下部64。而且，使反应气体(例如三氯硅烷(trichlorosilane)作为第一原料气体，氢气作为第二原料气体)从反应气体导入部54经由反应气体供给路径41而导入到反应室2内。反应气体在基板表面形成边界层，且在所述边界层发生反应。由此，使硅膜成膜于基板W上。反应气体从面向反应室2的气体排出路径42排出。而且，净化气体经由净化孔44向气体排出路径42排出。
根据本实施方式的外延生长装置，支撑部22对顶板21进行支撑，由此能够使顶板21的中央部的反应室侧的顶面与基板W的距离H小于10mm。由此，本实施方式的外延生长装置1能够抑制由在所述顶板21与晶座3之间流动的反应气体所形成的边界层向顶侧扩展，从而使边界层变窄。这样，因所述边界层内的气体速度上升，所以使得气体密度提高，从而能够提高基板表面的反应效率。由此，外延生长装置1能够提高生长速度。
顶板21与基板W的距离H小于10mm，优选顶板21与基板W的距离H小于10mm，且基板的从已成膜的膜的表面到顶板21的距离为1mm以上。通过设置为所述范围，能够形成边界层，且使反应气体的气流变得顺畅，因而优选。
即，本实施方式的反应室2中，通过使基板W与顶板21的距离比现有的距离短(现有为20mm左右)，而缩窄边界层并提高基板表面的反应效率，结果使生长速度提高。
本实施方式中，因使支撑部22成为应力不易集中的形状，所以本实施方式中，能够缩小基板W与顶板21的距离H，即小于10mm。具体而言，使来自加热单元23的红外线大致通过顶板21，而顶板21自身吸收来自晶座3或基板W的辐射热。所述经吸收的热从顶板21经由与支撑部22的接合部而输入到支撑部22。尤其在本实施方式中，因缩小基板W与顶板21的距离H，所以所述辐射热的吸收量高，输入到支撑部22的热比现有的情况多，因而如果支撑部22具有大致直角的角部则应力会集中于所述角部，从而会担心产生裂纹等。
因此，本实施方式中，为了使顶板21比现有的情况还靠下方而使支撑部22倾斜，由此能够形成为如下形状，即，尽可能不设置应力容易集中的角部而利用基板侧来支撑顶板21。
而且，本实施方式中，如所述那样为了缩窄边界层而缩小顶板21与基板W的距离H，还要考虑反应气体容易向基板W的外侧散放，且基板上膜厚分布难以均匀化的情况，所以优选防止所述情况的发生。因此，本实施方式中，如以下说明那样在反应气体供给路径41设置着引导部以使气体流动均匀化。
关于设置于反应气体供给路径41的引导部，使用图3－图5进行详细说明。由下部侧壁部32的第一凹部34与上部侧壁部31的第一凸部36形成的反应气体供给路径41具有第一供给路径71，所述第一供给路径71与反应气体导入部相连通，且在与来自反应气体导入部的气体的导入方向相一致的方向上延伸设置。反应气体供给路径41还包括：第二供给路径72，其与第一供给路径71相连通，且在与气体的导入方向相垂直的方向上延伸设置；以及第三供给路径73，其与第二供给路径72相连通，且在与气体的导入方向相一致的方向上延伸设置。第三供给路径73与反应室2相连通。
第二供给路径72如所述那样在与气体的导入方向相垂直的方向上延伸设置，由此，从反应气体导入部导入的气体与第二供给路径72的和反应气体导入部相向的壁面74相接触。由此，反应气体得到扩散，反应气体的混合性提高。即，第二供给路径72作为反应气体的混合室而发挥功能。所述情况下，为了使72气体不会在第二供给路径停滞，本实施方式中，在第二供给路径72的壁面形成着在上下方向上延伸的槽部75。所述槽部75作为引导部而发挥功能。通过如所述那样设置着槽部75，通过与第二供给路径的壁面74相接触而得到扩散的气体也容易向第三供给路径73流入，并进一步沿着所述槽部而得到整流，由此反应气体的直进性提高，从而能够抑制流入到反应室2的情况下的反应气体的扩散。
对槽部75进行详细说明。槽部75在第二供给路径的壁面74的整个面以多个相连的方式形成为凹部。如图5(2)所示，作为凹部的槽部75在槽部的宽度方向上弯曲。本实施方式中，槽部75俯视时为圆弧状。因槽部75在宽度方向上弯曲，所以在反应气体与壁面74，即槽部75的底部相接触的情况下，不易扩散(容易集中)，在反应气体已流入反应室的情况下，更不易向基板的外侧扩散。另外，如果所述槽部75的深度过深则虽能够抑制扩散，但难以进行反应气体中的第一原料气体与第二原料气体的混合。因此，本实施方式中，槽部75的深度为3mm。
而且，槽部75以分别朝向下部侧壁部32的面内方向的中央C的方式设置。即，槽部75沿着下部侧壁部32的周向而设置。通过如所述方式设置，由各槽部75引导的反应气体能够朝向中心侧从而提高整流性，且抑制反应气体在反应室内分散。
此外，在各槽部的宽度方向的中心与设置于反应气体导入部的整流板55的孔部56的中心大致一致的(对应的)位置，设置着各槽部75。即，本实施方式中，壁面74的槽部75的数量与孔部56的数量一致。由此，经整流板55整流的反应气体直接流入到各槽部75中，因而进一步提高整流作用，从而可提高反应气体的直进性。
另外，本实施方式中，在第二供给路径72的壁面74的整个面设置槽部75，但槽部75设置于第二供给路径72的壁面74中的至少端部部分即可。端部部分是指，将整流板的孔部分为多个区域而设置，与所述区域中的最端部的区域相对应的部分。例如，在图5所示的情况下，整流板被分为3个区域81，与所述区域中的最端部的区域82、83的孔部对应地设置槽部75即可。因如所述那样反应气体容易向基板的外侧散放，所以尤其优选在反应气体供给路径的端部部分设置槽部75以提高反应气体的直进性。而且，通过在所述情况下将作为引导部发挥功能的槽部75形成为凹部，而能够简易地获得所述效果。例如，如果将整流构件另外设置于第二供给路径，那么在反应气体的混合性或制造成本等方面会产生问题，因而欠佳，从而优选如本实施方式那样将槽部75形成为凹部。而且，可利用槽部75来对反应气体进行整流来获得所需效果，因而也不再需要对反应气体导入部个别地进行控制。
此外，本实施方式中，因如所述那样为了缩窄边界层而缩小顶板21与基板W的距离，所以要考虑反应气体容易朝向反应室下部回绕并且基板的温度分布不易均匀化的情况，其结果是，还要考虑厚膜形成时的膜厚分布或膜质的降低(例如电阻率的分布或结晶缺陷的产生等)的情况。本实施方式中，为了进一步防止所述情况的发生，晶座环7包含两个构件。对所述点进行说明。
晶座环7作为预加热环而发挥功能。构成晶座环7的第一环11与晶座的外周相隔而设置，在所述第一环的内周侧形成上表面低的阶差部91。阶差部91上载置着第二环12，所述第二环12设置成面向形成于第一环11与晶座3之间的相隔部92，即向相隔部92突出。第二环12设置成其上表面与晶座3的上表面相等。这样，通过第二环12的上表面设置成与晶座3的上表面相等，而对于维持着经反应气体供给路径41等混合并整流的状态的反应气体，无须尽可能地降低速度便能够顺利地供给到基板W。另外，此处提及的晶座3的上表面是指晶座3的未形成基板用凹部(参照图1)的区域的上表面。考虑到导热性，本实施方式的第二环12以碳化硅作为材料。
而且，通过如所述那样使第二环12与第一环11由不同的构件构成，能够精度更优良地构成晶座环7。即，能够使晶座环7与晶座3的距离接近极限，由此，能够减少反应气体朝向基板W的背面侧即反应室下部64的回绕，并且能够使基板的温度分布均匀化。由此，本实施方式中，所形成的膜的膜厚分布或膜质分布得到均匀化。
而且，通过形成为第一环11与第二环12这两个构件，相比于由一个构件构成第一环11与第二环12的情况，能够抑制第一环11与第二环12之间的热移动。
此外，如所述那样第二环12以面向相隔部92的方式构成，由此成膜时能够减少反应气体从晶座环7与晶座3之间向下方漏出的情况，反应气体的流动不易紊乱，而且，能够减少反应气体向下方漏出的情况，因此可减少微粒。
所述情况下，第二环12形成得比第一环11薄。由此，能够抑制来自晶座3的辐射所致的热损耗。而且，因第二环12薄，而能够减少维持第二环12为规定的高温(预加热)所需的加热量。除本实施方式外，在第一环11为导热率小的材质的情况下，第一环11作为隔热材料而发挥功能，从而能够进一步提高所述效果。
另外，本实施方式中第二环12以面向相隔部92的方式构成，但并不限于此。第二环12只要构成为至少载置于第一环11的阶差部91，则能够精度优良地构成晶座环7，因而能够使晶座环7与晶座3的距离接近极限，由此能够减少反应气体朝向基板W的背面侧的回绕，并且能够使基板的温度分布均匀化。
而且，本实施方式中，为了缩窄边界层而缩小顶板21与基板W的距离，因而顶板21的顶面也容易被反应气体所涂布。如果顶面被涂布，则顶面模糊，从而有如下担心，即，在从加热单元23经由顶板21而加热的冷壁型外延装置中无法充分成膜。与此相对，本实施方式中，如所述那样在反应气体供给路径41的壁面设置槽部75，且由两个构件来构成晶座环7，由此反应气体不易滞留于反应室中，结果能够抑制涂布材料的附着。由此，能够连续地进行充分的成膜。
(实施方式2)
使用图7对本发明的另一实施方式进行说明。
本实施方式的外延生长装置1A中，与实施方式1的不同之处在于：第二环12A以覆盖相隔部92A的方式而设置。本实施方式中，第一环11A也载置于侧壁部32A的凸缘部13A。第二环12A载置于所述第一环11A的阶差部91A，且其内周侧面向晶座3A的外周。
本实施方式中，通过将第二环12A以覆盖相隔部92A的方式设置，而能够进一步抑制流入到反应室2A的反应气体向反应室下部64A进入。对于第二环12A而言，为了抑制由图7中未图示的加热单元对晶座3A的加热被遮蔽的情况，而优选第二环12A与晶座3A的重叠量少。
所述本实施方式的第二环12A的厚度约为0.8mm。通过设置为所述厚度，而能够尽可能地抑制从晶座3A向第二环12A的辐射所致的热损耗。
实施例
以下，利用实施例对发明的详情内容进行说明。
实施例1
利用外延生长装置1A(基板表面与顶板21的距离H为9.27mm)，基于以下的生长条件来进行外延生长。
第一原料气体(三氯硅烷)流量8.5SLM
第二原料气体(氢气)流量80.0SLM
净化气体(氢气)流量15.0SLM
生长时间600.0秒
生长温度1100.0℃
旋转速度20.0RPM
实施例2
将第一原料气体量变更为13.5SLM，除此以外在与实施例1相同的条件下进行外延生长。
实施例3
将第一原料气体量变更为17.0SLM，除此以外在与实施例1相同的条件下进行外延生长。
(比较例1)
利用现有的外延生长装置(基板表面与顶板21的距离H为20mm，无槽部75，且晶座环由一个构件构成)，将第二原料气体的流量设置为34.0SLM，旋转速度设置为35.0RPM，除此以外，基于与实施例1相同的生长条件来进行外延生长。
(比较例2)
利用现有的外延生长装置(基板表面与顶板21的距离H为20mm，无槽部75，且晶座环由一个构件构成)，将第二原料气体的流量设置为34.0SLM，旋转速度设置为35.0RPM，除此以外，基于与实施例2相同的生长条件来进行外延生长。
(比较例3)
利用现有的外延生长装置(基板表面与顶板21的距离H为20mm，无槽部75，且晶座环由一个构件构成)，将第二原料气体的流量设置为34.0SLM，旋转速度设置为35.0RPM，除此以外，基于与实施例3相同的生长条件来进行外延生长。
对各实施例及比较例的膜的生长速度进行检测。将所检测到的生长速度与第一原料气体的关系表示于图8。
如图8所示，根据外延生长装置1A，生长速度提高50％以上，如果第一原料气体量越多则生长速度的改善率越提高。因此，通过使用本实施方式的外延生长装置，生长速度得到提高。
附图标记说明
1 外延生长装置
2 反应室
3 晶座
4 侧壁部
5 顶部
6 晶座支撑部
7 晶座环
11 第一环
12 第二环
13 凸缘部
21 顶板
22 支撑部
23 加热单元
24 贯通孔
25 突出部
30 基板搬出口
31 上部侧壁部
32 下部侧壁部
33 载置面
34 第一凹部
35 间隙
36 第一凸部
37 第二凹部
38 间隙
39 第二凸部
41 反应气体供给路径
42 气体排出路径
43 壁面
44 净化孔
45 载置台
51 夹持部
52 供给侧连通路径
53 排出侧连通路径
54 反应气体导入部
55 整流板
56 孔部
57 气体排出部
61 装置底部
62 加热单元
63 轴部
64 反应室下部
71 第一供给路径
72 第二供给路径
73 第三供给路径
74 壁面
75 槽部
81、82、83 区域
91 阶差部
92 相隔部
W 基板

Claims (7)

1.一种使用于处理装置中的顶部，所述顶部包括：
环状支撑部，所述环状支撑部进一步包括：
贯通孔，所述贯通孔具有第一斜面部，所述第一斜面部的直径从所述环状支撑部的上表面朝向所述环状支撑部的底表面减小；和
突出部，所述突出部在所述环状支撑部的径向内侧朝向所述环状支撑部的下侧突出，所述突出部具有第二斜面部，所述第二斜面部的直径朝向所述环状支撑部的中心向下沿突出方向减小；和
顶板，所述顶板耦接至所述环状支撑部的所述突出部。
2.根据权利要求1所述的顶部，其中所述顶板固定于所述贯通孔的基板侧的端部。
3.根据权利要求1所述的顶部，其中所述突出部的周缘在所述顶板的周缘处支撑所述顶板。
4.根据权利要求1所述的顶部，其中所述第一斜面部和所述第二斜面部在所述顶板处相会。
5.根据权利要求1所述的顶部，其中由所述第一斜面部和所述第二斜面部形成的角小于90度。
6.根据权利要求1所述的顶部，其中所述顶板由透光材料制成。
7.根据权利要求1所述的顶部，其中所述顶板被配置为吸收辐射热。
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