KR102572438B1 - 에피택셜 성장장치 및 그에 사용되는 가스공급조절 모듈 - Google Patents

에피택셜 성장장치 및 그에 사용되는 가스공급조절 모듈 Download PDF

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Abstract

본 발명은, 반응 챔버; 상기 반응 챔버 내에 위치하고, 웨이퍼가 안착되는 서셉터; 및 상기 반응 챔버 내로 유입되는 가스의 유동을 조절하는 가스공급조절 모듈을 포함하고, 상기 가스공급조절 모듈은, 상기 웨이퍼의 중앙 영역에 대응하는 센터 포트와, 상기 웨이퍼의 양측 가장자리 영역에 대응하는 한 쌍의 엣지 포트와, 상기 센터 포트와 상기 한 쌍의 엣지 포트 사이에 각각 배치되는 한 쌍의 미들 포트를 구비하는 인젝터; 및 소스 모듈로부터 입력된 가스의 유량을 상기 포트들에 대해 독립적으로 배분하도록 구성되는 유량배분 유닛을 포함하는, 에피택셜 성장장치 및 그에 사용되는 가스공급조절 모듈을 제공한다.

Description

에피택셜 성장장치 및 그에 사용되는 가스공급조절 모듈{EPITAXIAL GROWTH APPARATUS AND GAS SUPPLY CONTROL MODULE USED THEREFOR}
본 발명은 가스공급조절 모듈을 갖는 에피택셜 성장장치에 관한 것이다.
일반적으로, 에피택셜 성장(Epitaxial growth)은 씨드(Seed) 웨이퍼를 밑에 깔고 격자 방향을 유지하면서 단결정으로 성장해 추가로 새로운 층을 쌓아 올리는 것이다. 에피택셜 성장을 위해서는 웨이퍼에 가스가 작용하게 하는 성장장치가 필요하다.
에피택셜 성장장치에 있어서, 가스 공급 계통은, 가스 탱크로부터 챔버 내로 가스가 주입되는 순서에 따라, 인젝터(Injector), 배플(Baffle), 인서트(Insert), 그리고 라이너(Liner)로 구성된다.
가스 공급에 있어서 가장 중요한 점은 챔버 내에 균일한 가스 분포를 형성하는 것이다. 이를 통해, 대면적 기판(6인치 이상의 크기를 갖는 기판)에서 균일한 에피택설 층의 두께를 구현할 수 있다. 이를 통해 성장된 에피택설 층의 균일도 1% 이하가 달성되는 것이 바람직하다. 에피택설 성장 속도 또한 분당 10㎛ 이상이 되는 것이 바람직하다.
그러나, 종래의 가스 공급 계통은 기판의 중심부와 가장 자리에서의 가스 분포가 균일하지 않다. 이로 인해 성장된 에피 층의 두께 불균일도가 5% 이상으로 나빠지는 결과를 보인다.
본 발명의 일 목적은, 대면적 기판에서 균일한 에피텍셜 층을 빠른 속도로 성장시키기 위해 기판 전체 영역에서 균일한 가스 분포를 형성할 수 있는, 가스 주입 장치를 제공하는 것이다.
상기한 과제를 실현하기 위한 본 발명의 일 측면에 따른 에피택셜 성장장치는, 반응 챔버; 상기 반응 챔버 내에 위치하고, 웨이퍼가 안착되는 서셉터; 및 상기 반응 챔버 내로 유입되는 가스의 유동을 조절하는 가스공급조절 모듈을 포함하고, 상기 가스공급조절 모듈은, 상기 웨이퍼의 중앙 영역에 대응하는 센터 포트와, 상기 웨이퍼의 양측 가장자리 영역에 대응하는 한 쌍의 엣지 포트와, 상기 센터 포트와 상기 한 쌍의 엣지 포트 사이에 각각 배치되는 한 쌍의 미들 포트를 구비하는 인젝터; 및 소스 모듈로부터 입력된 가스의 유량을 상기 포트들에 대해 독립적으로 배분하도록 구성되는 유량배분 유닛을 포함할 수 있다.
여기서, 상기 유량배분 유닛은, 상기 한 쌍의 엣지 포트와 상기 한 쌍의 미들 포트들에서의 유량이 상기 센터 포트를 기준으로 서로 대칭되도록 배분하는 것일 수 있다.
여기서, 상기 유량배분 유닛은, 상기 포트들 각각에 연결된 유량제어기(Mass Flow Controller)들을 포함할 수 있다.
여기서, 상기 가스공급조절 모듈은, 상기 포트들을 통해 입력된 가스가 통과하는 통과홀들을 구비하는 배플을 더 포함하고, 상기 통과홀들은, 상기 센터 포트에 대응하는 제1 통과홀; 상기 미들 포트에 대응하는 제2 통과홀; 및 상기 엣지 포트에 대응하는 제3 통과홀을 구비하고, 상기 제1 내지 제3 통과홀은, 서로 간에 다른 형태를 가질 수 있다.
여기서, 상기 제1 통과홀의 입력단은, 상기 제2 통과홀의 입력단 보다 작은 단면을 갖고, 상기 제1 통과홀의 출력단은, 상기 제2 통과홀의 출력단 보다 큰 단면을 가질 수 있다.
여기서, 상기 제3 통과홀의 입력단은, 상기 제2 통과홀의 입력단 보다 작은 단면을 갖고, 상기 제3 통과홀의 출력단은, 상기 제2 통과홀의 출력단 보다 작은 단면을 가질 수 있다.
여기서, 상기 제1 통과홀은, 그의 입력단에서 출력단까지 동일한 크기의 단면을 가질 수 있다.
여기서, 상기 제2 통과홀 및 상기 제3 통과홀은, 각각의 입력단에서 출력단으로 갈수록 작아지는 단면을 가질 수 있다.
본 발명의 다른 일 측면에 따른 에피택셜 성장장치용 공급조절 모듈은, 에피택셜 성장장치의 반응 챔버 내로 투입되는 가스의 유동을 조절하는 가스공급조절 모듈로서, 상기 반응 챔버 내에 배치되는 웨이퍼의 중앙 영역에 대응하는 센터 포트와, 상기 웨이퍼의 양측 가장자리 영역에 대응하는 한 쌍의 엣지 포트와, 상기 센터 포트와 상기 한 쌍의 엣지 포트 사이에 각각 배치되는 한 쌍의 미들 포트를 구비하는 인젝터; 및 상기 가스를 생성하는 소스 모듈로부터 입력된 가스의 유량을 상기 포트들에 대해 독립적으로 배분하도록 구성되는 유량배분 유닛을 포함할 수 있다.
여기서, 상기 포트들을 통해 입력된 가스가 통과하는 통과홀들을 구비하는 배플이 더 포함되고, 상기 통과홀들은, 상기 센터 포트에 대응하는 제1 통과홀; 상기 미들 포트에 대응하는 제2 통과홀; 및 상기 엣지 포트에 대응하는 제3 통과홀을 구비하고, 상기 제1 내지 제3 통과홀은, 서로 간에 다른 형태를 갖는 것일 수 있다.
여기서, 상기 제1 통과홀의 입력단은, 상기 제2 통과홀의 입력단 보다 작은 단면을 갖고, 상기 제1 통과홀의 출력단은, 상기 제2 통과홀의 출력단 보다 큰 단면을 가질 수 있다.
여기서, 상기 제3 통과홀의 입력단은, 상기 제2 통과홀의 입력단 보다 작은 단면을 갖고, 상기 제3 통과홀의 출력단은, 상기 제2 통과홀의 출력단 보다 작은 단면을 가질 수 있다.
상기와 같이 구성되는 본 발명에 따른 에피택셜 성장장치 및 그에 사용되는 가스공급조절 모듈에 의하면, 반응 챔버 내의 서셉터에 안착된 웨이퍼에 대해 가스를 공급하는 가스공급조절 모듈은 센터 포트와 그를 기준으로 좌우에 배치되는 한 쌍의 엣지 포트 그리고 미들 포트를 구비하는 인젝터를 통해 각 포트별로 독립적으로 가스의 유량을 배분하기에, 대면적 기판 전체 영역에서 균일한 가스 분포를 형성하여 균일한 에피텍셜 층이 빠른 속도로 성장해 나갈 수 있게 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 에피택셜 성장장치에 대한 개념도이다.
도 2는 도 1의 에피택셜 성장장치의 일부 구성을 보인 사시도이다.
도 3은 도 2의 인젝터 관련 구성을 보인 횡 단면도이다.
도 4는 도 2의 배플과 인젝터에 대한 정면도이다.
도 5는 도 4의 제1 통과홀 내지 제3 통과홀의 형상을 보인 단면도이다.
도 6은 도 1의 에피택셜 성장장치에 의해 구현된 균일한 가스 유동의 모습을 보인 이미지도이다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 에피택셜 성장장치 및 그에 사용되는 가스공급조절 모듈에 대하여 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 본 명세서에서는 서로 다른 실시예라도 동일·유사한 구성에 대해서는 동일·유사한 참조번호를 부여하고, 그 설명은 처음 설명으로 갈음한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 에피택셜 성장장치에 대한 개념도이고, 도 2는 도 1의 에피택셜 성장장치의 일부 구성을 보인 사시도이다.
본 도면들을 참조하면, 에피택셜 성장장치(100)는, 반응 챔버(110), 서셉터(150), 가스공급조절 모듈(200), 그리고 소스 모듈(300)을 포함할 수 있다.
반응 챔버(110)는 에피택셜 반응이 일어나는 반응 공간을 갖는 구성이다. 반응 공간은, 도면상 간단히 네모 박스로 표시되어 있으나, 구체적으로는 하부 하우징(미도시)과 상부 하우징(미도시)이 상하 방향으로 서로 마주보고 배치된 것일 수 있다. 하부 하우징과 하부 하우징은 석영 유리와 같이 투명한 재질로 형성될 수 있다. 반응 공간의 좌측으로는 가스공급조절 모듈(200)을 통해 가스 공급이 이루어지고, 우측으로는 가스 배출이 이루어질 수 있다.
서셉터(150)는 반응 공간에 위치하며 웨이퍼(W)가 안착되는 대상이 된다. 서셉터(150)는 평탄한 원판 형상을 가질 수 있다. 서셉터(150)는 카본 그래파이트(Carbon graphite) 또는 카본 그래파이트에 탄화규소가 코팅된 재료로 제작될 수 있다. 또한, 웨이퍼(W)는 6 인치, 또는 8 인치 이상의 크기를 가져서, 대면적으로 분류되는 것이다.
가스공급조절 모듈(200)은 반응 챔버(110) 내로 가스를 제공하며, 해당 가스의 유동을 조절하는 구성이다. 가스공급조절 모듈(200)은, 인젝터(210), 유량배분 유닛(230), 배플(250), 인서트(270), 및 라이너(290)를 포함할 수 있다.
인젝터(210)는 소스 모듈(300)로부터 입력된 가스를 반응 챔버(110)를 향한 방향으로 주입하는 구성이다. 인젝터(210)는 웨이퍼(W)의 영역에 따라 가스량을 다르게 주입하도록 형성될 수 있다. 그를 위한 구체적 구성은 도 3을 참조하여 설명한다.
유량배분 유닛(230)은 인젝터(210)에 입력되는 가스 유량을 인젝터(210)의 영역 별로 배분하는 구성이다. 상기 영역별 가스 유량은 서로 다를 수 있다. 이 역시 도 3을 참조하여 구체적으로 설명한다.
배플(250)은 인젝터(210)를 통해 입력된 가스가 통과하는 통과홀들(251,253,255)을 구비하는 구성이다. 통과홀들(251,253,255)의 형상은 인젝터(210)의 영역 별로 각기 다르게 형성될 수 있다. 이는 도 4 및 도 5에서 보다 구체적으로 설명한다.
인서트(270)는 배플(250)과 라이너(290) 사이에 되어, 배플(250)을 통과한 가스를 라이너(290)로 안내하는 구성이다. 인서트(270) 역시 가스를 통과시키는 복수의 구역들을 가질 수 있다.
라이너(290)는 서셉터(150)를 둘러싸서 가스가 웨이퍼(W)로 유동하도록 유도하는 구성이다. 그를 위해, 라이너(290)는 대체로 링 형상을 가질 수 있다. 라이너(290)의 일측에는 가스가 웨이퍼(W)를 향해 유입되는 부분이, 그리고 타측에는 가스가 웨이퍼(W)를 벗어나 배출되는 부분이 형성된다.
소스 모듈(300)은 반응 챔버(110)에 공급되어야 하는 가스를 저장하는 가스 탱크이거나, 그와 연결된 중간 분배기일 수 있다.
이하에서, 인젝터(210) 및 유량배분 유닛(230)에 대해서는 도 3을 참조하여 설명한다. 도 3은 도 2의 인젝터 관련 구성을 보인 횡 단면도이다.
본 도면을 추가로 참조하면, 인젝터(210)는, 가스가 유동하는 영역들로서, 센터 포트(211), 엣지 포트(213), 그리고 미들 포트(215)를 가질 수 있다.
센터 포트(211)는 웨이퍼(W)의 중앙 영역에 대응하여 위치한다. 엣지 포트(213)는 웨이퍼(W)의 양측 가장자리 영역에 대응하여 한 쌍으로 구비될 수 있다. 미들 포트(215)는 센터 포트(211)와 엣지 포트(213) 사이에 배치될 수 있다. 미들 포트(215) 역시 센터 포트(211)를 기준으로 좌우 양측에 배치되는 한 쌍으로 구비될 수 있다. 센터 포트(211)의 중심을 지나는 가상의 선(L)에 대하여, 센터 포트(211)의 좌우 부분들, 한 쌍의 엣지 포트(213) 및 한 쌍의 미들 포트(215)는 서로 대칭적인 배치를 이룰 수 있다.
유량배분 유닛(230)은 유입 라인(231)과 분기 라인(235)을 가질 수 있다. 유입 라인(231)은 소스 모듈(300)에 연통되어 가스를 입력받는 라인이다. 그에 반해, 분기 라인(235)는 하나의(단일) 유입 라인(231)에서 분기되어, 각 포트들(211,213,215)에 연결된다. 따라서 분기 라인(235)은 다섯 개로 구비될 수 있다.
유량배분 유닛(230)은 포트들(211,213,215) 각각에 연결된 유량제어기(Mass Flow Controller, 미도시)를 가질 수 있다. 그에 따라, 유량제어기 역시 다섯 개로 구비될 수 있다. 상기 유량제어기 각각에 대한 설정을 통해서, 각 포트들(211,213,215)에 대한 가스의 투입량이 독립적으로 배분될 수 있다. 예를 들어, 미들 포트(215)에 대한 투입량을 제일 낮게 하고, 한 쌍의 엣지 포트(213)에 대한 투입량을 가장 높게 할 수 있다. 한 쌍의 미들 포트(215)에 대한 투입량은 그들의 중간 수준이 될 수 있다. 유량배분 유닛(230)은 또한 한 쌍의 엣지 포트(213)와 한 쌍의 미들 포트(215)에서의 투입량이 센터 포트(211)를 기준으로 서로 대칭되게 가스를 배분할 수 있다.
다음으로, 인젝터(210)를 통해 다섯 개 영역으로 구분되어 유동하는 가스를 반응 챔버(110) 측을 향해 통과시키는 배플(250)에 대해 도 4 및 도 5를 참조하여 설명한다. 도 4는 도 2의 배플과 인젝터에 대한 정면도이고, 도 5는 도 4의 제1 통과홀 내지 제3 통과홀의 형상을 보인 단면도이다.
본 도면들을 참조하면, 각 포트들(211,213,215)을 통해 배플(250)에 입력되는 가스는 통과홀들(251,253,255)을 통과하게 된다.
통과홀들(251,253,255)은, 제1 통과홀(251), 제2 통과홀(253), 그리고 제3 통과홀(255)을 가질 수 있다.
제1 통과홀(251)은 센터 포트(211)에 대응하여 형성된다. 제2 통과홀(253)은 미들 포트(215)에 대응하여 형성된다. 제3 통과홀(255)은 엣지 포트(213)에 대응하여 형성된다.
제1 통과홀(251) 내지 제3 통과홀(255)은 서로 다른 형태를 가질 수 있다. 구체적으로, 제1 통과홀(251)은 입력단(251a)에서 출력단(251b)까지 동일한 단면을 갖는 실린더형 단면을 갖는 반면에, 제2 통과홀(253) 및 제3 통과홀(255)은 콘 형상의 단면을 가질 수 있다. 제2 통과홀(253)과 제3 통과홀(255)의 단면은 인젝터(210)에서 인서트(270) 방향으로 갈수록 크기가 작아지도록 형성된다.
제1 통과홀(251)과 제2 통과홀(253)을 대비하면, 제1 통과홀(251)의 입력단(251a)은 제2 통과홀(253)의 입력단(253a) 보다 작은 단면을 가질 수 있다. 그러나, 제1 통과홀(251)의 출력단(251b)은 제2 통과홀(253)의 출력단(253b) 보다 큰 단면을 가질 수 있다. 이는 제2 통과홀(253)을 통과하는 가스의 속도를 제1 통과홀(251)을 통과하는 가스의 속도보다 높일 수 있게 한다.
제3 통과홀(255)의 입력단(255a)은 제2 통과홀(253)의 입력단(253a) 보다 작거나 동일한 단면을 가지나, 출력단(255b)은 제2 통과홀(253)의 출력단(253b) 보다 작은 단면을 가질수 있다. 이는 제3 통과홀(255)을 통과하는 가스의 속도를 제2 통과홀(253)을 통과하는 가스의 속도보다 높일 수 있게 한다.
이상의 구성에 따른 반응 챔버(110) 내에서의 가스 흐름은 도 6과 같다. 도 6은 도 1의 에피택셜 성장장치에 의해 구현된 균일한 가스 유동의 모습을 보인 이미지도이다.
본 도면을 추가 참조하면, 전산 모의 실험에서 웨이퍼(W)에 대한 가스의 흐름은 웨이퍼(W)의 전 영역에서 균일한 것을 알 수 있다. 구체적으로, 웨이퍼(W)의 중심 영역, 가장자리 영역, 및 그들 사이의 영역에서 가스 흐름이 균일해질 수 있다.
이는 대면적 웨이퍼(W)에 대한 가스 공급시에, 그 웨이퍼(W)에 대응하여 인젝터(210)에서 포트들(211,213,215)을 다섯 개로 나누어 가스를 서로 다르게 주입하는 점, 그리고 배플(250)에서 가스의 통과 유량을 포트들(211,213,215)로 다르게 제어하는 점 등에 따른 것이다. 또한, 가스 흐름을 웨이퍼(W) 표면에 집중시킴에 의해, 웨이퍼(W)에 작용하는 가스 농도가 최대화될 수 있다.
이러한 가스 유량 배분은, 웨이퍼(W)의 중심 영역에서 가장자리 영역으로 갈수록 가스의 양이 미세하게나마 줄어들며 또한 가스의 속도도 저하되는 문제를 해소할 수 있게 한다. 이는 특히 8인치 이상의 기판에서 가스 분포의 균일화를 위해 중요하다.
또한, 통과홀들(251,253,255)의 형태에 따라서, 가스의 속도는 100 내지 250 cm/sec로 유지할 수 있다. 이는 대면적 웨이퍼(W) 상에서 균일한 가스 흐름을 얻을 수 있게 한다.
상기와 같은 에피택셜 성장장치 및 그에 사용되는 가스공급조절 모듈은 위에서 설명된 실시예들의 구성과 작동 방식에 한정되는 것이 아니다. 상기 실시예들은 각 실시예들의 전부 또는 일부가 선택적으로 조합되어 다양한 변형이 이루어질 수 있도록 구성될 수도 있다.
100: 에피택셜 성장장치 110: 반응 챔버
150: 서셉터 200: 가스공급조절 모듈
210: 인젝터 230: 유량배분 유닛
250: 배플 270: 인서트
290: 라이너

Claims (12)

  1. 반응 챔버;
    상기 반응 챔버 내에 위치하고, 웨이퍼가 안착되는 서셉터; 및
    상기 반응 챔버 내로 유입되는 가스의 유동을 조절하는 가스공급조절 모듈을 포함하고,
    상기 가스공급조절 모듈은,
    상기 웨이퍼의 중앙 영역에 대응하는 센터 포트와, 상기 웨이퍼의 양측 가장자리 영역에 대응하는 한 쌍의 엣지 포트와, 상기 센터 포트와 상기 한 쌍의 엣지 포트 사이에 각각 배치되는 한 쌍의 미들 포트를 구비하는 인젝터;
    소스 모듈로부터 가스를 입력받는 단일 유입 라인과, 상기 단일 유입 라인에서 분기되어 상기 포트들 각각에 연결되는 다섯 개의 분기 라인과, 상기 포트들 각각에 연결된 유량제어기(Mass Flow Controller)들을 구비하여, 상기 가스를 상기 포트들에 대해 독립적으로 배분하도록 구성되는 유량배분 유닛; 및
    상기 포트들을 통해 입력된 가스가 통과하는 통과홀들을 구비하는 배플을 포함하고,
    상기 통과홀들은, 상기 센터 포트에 대응하는 제1 통과홀; 상기 미들 포트에 대응하는 제2 통과홀; 및 상기 엣지 포트에 대응하는 제3 통과홀을 구비하고,
    상기 제1 내지 제3 통과홀은, 서로 간에 다른 형태를 갖는 것인, 에피택셜 성장장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 유량배분 유닛은,
    상기 한 쌍의 엣지 포트와 상기 한 쌍의 미들 포트들에서의 유량이 상기 센터 포트를 기준으로 서로 대칭되도록 배분하는 것인, 에피택셜 성장장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1 통과홀의 입력단은, 상기 제2 통과홀의 입력단 보다 작은 단면을 갖고,
    상기 제1 통과홀의 출력단은, 상기 제2 통과홀의 출력단 보다 큰 단면을 갖는, 에피택셜 성장장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제3 통과홀의 입력단은, 상기 제2 통과홀의 입력단 보다 작은 단면을 갖고,
    상기 제3 통과홀의 출력단은, 상기 제2 통과홀의 출력단 보다 작은 단면을 갖는, 에피택셜 성장장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제1 통과홀은, 그의 입력단에서 출력단까지 동일한 크기의 단면을 갖는, 에피택셜 성장장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제2 통과홀 및 상기 제3 통과홀은,
    각각의 입력단에서 출력단으로 갈수록 작아지는 단면을 갖는, 에피택셜 성장장치.
  7. 에피택셜 성장장치의 반응 챔버 내로 투입되는 가스의 유동을 조절하는 가스공급조절 모듈로서,
    상기 반응 챔버 내에 배치되는 웨이퍼의 중앙 영역에 대응하는 센터 포트와, 상기 웨이퍼의 양측 가장자리 영역에 대응하는 한 쌍의 엣지 포트와, 상기 센터 포트와 상기 한 쌍의 엣지 포트 사이에 각각 배치되는 한 쌍의 미들 포트를 구비하는 인젝터;
    상기 가스를 생성하는 소스 모듈로부터 가스를 입력받는 단일 유입 라인과, 상기 단일 유입 라인에서 분기되어 상기 포트들 각각에 연결되는 다섯 개의 분기 라인과, 상기 포트들 각각에 연결된 유량제어기(Mass Flow Controller)들을 구비하여, 상기 가스를 상기 포트들에 대해 독립적으로 배분하도록 구성되는 유량배분 유닛; 및
    상기 포트들을 통해 입력된 가스가 통과하는 통과홀들을 구비하는 배플을 더 포함하고,
    상기 통과홀들은, 상기 센터 포트에 대응하는 제1 통과홀; 상기 미들 포트에 대응하는 제2 통과홀; 및 상기 엣지 포트에 대응하는 제3 통과홀을 구비하고,
    상기 제1 내지 제3 통과홀은, 서로 간에 다른 형태를 갖는 것인, 에피택셜 성장장치용 가스공급조절 모듈.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 제1 통과홀의 입력단은, 상기 제2 통과홀의 입력단 보다 작은 단면을 갖고,
    상기 제1 통과홀의 출력단은, 상기 제2 통과홀의 출력단 보다 큰 단면을 갖는, 에피택셜 성장장치용 가스공급조절 모듈.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 제3 통과홀의 입력단은, 상기 제2 통과홀의 입력단 보다 작은 단면을 갖고,
    상기 제3 통과홀의 출력단은, 상기 제2 통과홀의 출력단 보다 작은 단면을 갖는, 에피택셜 성장장치용 가스공급조절 모듈.
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