CN110603344A - 用于cvd反应器的基座 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种用于CVD反应器的基座(1)，其由平坦的、圆盘形的基体(1)构成，所述基体在宽侧(2)上具有通道(5)，所述通道分别布置在一个或多个圆形的分别在一个平面内延伸的用于向基板支架(13)上热传递的表面段(3)内、围绕中心(Z)螺旋线延伸且构造为朝所述平面敞开的凹陷部，所述通道在其相对于圆形的表面段(3)的中心(Z)的径向内端部(6)的区域内分别具有通道开口(7)，所述通道开口与布置在气体输入管路(8)的端部上的供给口(9)流体连通。附加地，在表面段(3)内布置有一个或多个影响局部热传递的干扰元件，所述干扰元件设计为在所述平面内敞开的凹陷部(10)或者插入凹陷部(10)内的嵌件(11)。

Description

用于CVD反应器的基座

技术领域

本发明涉及一种用于CVD(化学气相沉积)反应器的基座，该基座由平坦的基体构成，所述基体具有至少一个布置在宽侧上的圆形的表面段，基板支架支承在所述表面段上，其中，所述表面段具有朝向基板支架的方向敞开的通道，这些通道与布置在气体输入管路的端部上的供给口流体连通。

本发明还涉及一种基座的应用和由基板支架和基座构成的基座装置。

背景技术

由文献EP 0 242 898 B1已知一种CVD反应器，其中，在反应器壳体中布置有基座，基座可以被加热装置从下方加热。基座具有多个圆形的表面段，在表面段上分别布置有基板支架，该基板支架具有圆盘形状。气体输入管路通入表面段的中心。在那里，气体输入管路构成三个供给口，供给口分别与螺旋形地围绕中心延伸的通道的径向内端部相连。通道朝表面段所延伸的平面的方向敞开，但是通道向上被基板支架遮盖。如果冲洗气体通过供给口进入基板支架的底侧与表面段的平面之间的空隙内，则基板支架被抬升到通风位置，在该通风位置中基板支架支承在气垫上。通道在平面内的螺旋形的布置方式的结果是，在基板支架和表面段的支承平面之间的气体缝隙内构成定向的气流，使得支承多个基板的基板支架发生转动。在此，气体输入到圆盘形的基座的中心。

在文献DE 10 2014 100 024 A1描述了一种CVD反应器的基座，其描述了供气的另外的方案。在此，处理气体从莲蓬头形状的、在基座的整个面上延伸的排气面输入到处理室内。在此，基座也从下方被输入热能。但是，基板在此不支承在可转动的基板支架上，而是在由直接加工到基座内的凹陷部构成的凹槽内。为了影响从基座至基板的热流，凹槽的底具有深度异性部。基板的边缘在此布置在支撑肋条或另外的支撑凸起上。

文献DE 10 2014 103 505 A1公开了一种基座内的嵌件，在制造涂层时使用该嵌件。

在这种类型的装置中，持续地从基座向基板支架运输热量，热量从基板支架运输到与基板支架相对置的被冷却的处理室。此外，热流受到支承在基板支架上的基板的光学特性的影响。如果基板针对红外辐射是透明的，则这可能导致在基板支架的中心区域内出现温度下降。但是如果基板例如是反射性的硅制基板，则在基板下方中央位置的温度大于基板支架的边缘附近的温度。在这种情况下，中心必须相对于边缘被冷却。与之备选地，边缘也可以相对于中心被加热。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于，在基座中向基座上侧和基板支架的下侧之间的间隙内输入冲洗气体，在这种类型的基座中实现基板支架的局部温度均匀性并且尤其通过简单的手段补偿在基板支架的中心的温度与基板支架的边缘的温度的偏差。

所述技术问题通过在权利要求中提供的本发明解决。首先和本质上建议，在为了支承基板支架而设的表面段内不仅设有尤其螺旋形地围绕中心布置的、用于形成旋转式气体轴承的通道，而且也设有热传递干扰元件。干扰元件布置成，使得干扰元件在局部可以影响从基板至基板支架的热流。干扰元件或者设计为凸起部、凹陷部，或者设计为插入凹陷部内的嵌件。在第一变形方案中干扰元件设计为敞开的凹陷部，其中，凹陷部构造有凹陷底，所述凹陷部底优选平行于表面段的延伸平面延伸或者适合地成型。如果干扰元件涉及凸起部，则凸起部支柱形式地从表面段突起，其中，凸起部的底位于尤其平坦的表面段之上。所述底通过间隔段与平面相间隔并且可以被连续环绕的壁围绕。所述壁在凸起部的底或凹陷部的底与构成凹陷部的边缘的平面之间具有连贯的间隔(间隔段)高度。与底一样地，所述壁也优选通常被封闭并且优选不构成开口，使得气体既不会通过壁也不会通过底进入凹陷部，气体也不能从壁或者底从凹陷部流出。但是，凹陷部尽管也可以与通道之一流体连通，但是其中这种流动技术的连接设计成，使得在凹陷部的内部不形成明显的气流。但是，在这些通道内应产生气体流动，气体流动的目的是旋转驱动基板支架。为此，通道产生出具有沿方向角方向的速度分量的气流。为了使输入中央的气流具备实现旋转驱动的速度分量，通道可以在螺旋弧线上延伸。但是，通道也可以仅仅由开口构成，定向的气流从这些开口流出。在运行时，基板支架通过输入通道内的气流被抬升到通风位置，其中，在所述平面与基板支架的底侧之间的空隙引起在气体从通道流出方面的一定的密封性，为此尤其规定，基板支架的底侧在其整个面积上基本上平坦地延伸。但是，所述底侧也可以是弯曲的或者具有其它结构。由此，在通道内基本构成所述流动。通道的方向迫使气流具有等距方位角方向的分量。这优选实现的方式是，通道以阿基米德螺旋形式延伸。在本发明的变形方案中设有嵌件，所述嵌件插入凹陷部内。所述嵌件优选由塑料制成，所述塑料具有与基座不同的导热性，所述基座优选由石墨构成。优选围绕中心多重地、优选三重对称布置的通道分别在弧线上延伸，其中，所述通道可以具有这样的长度并且所述弧线可以具有这样的延伸方向，使得多条通道可以与穿过中心的经线相交，从而径线延伸穿过第一通道的沿径向位于内侧的部段并且穿过第二通道的沿径向位于外侧的部段。表面段优选构成第一扇形区，至少两个通道在第一扇形区内延伸。该第一扇形区可以与第二扇形区相邻，分别仅一个通道延伸穿过第二扇形区。在本发明的优选的设计方案中，干扰元件优选完整地或至少局部在第一扇形区内延伸。但是，干扰元件也可以完整地或局部地在第二扇形区内延伸。第一扇形区以某角度延伸，所述角度的总和优选大于180°。第二扇形区以某角度延伸，所述角度的总和优选大于90°。第一扇形区的角度总和优选大于第二扇形区的角度总和。干扰元件的两个端部可以位于彼此不同的第一扇形区内，使得干扰元件延伸穿过第二扇形区。在本发明的改进方案中规定，干扰元件在第一扇形区和/或第二扇形区内在两条通道之间延伸，但是或者也在两条通道的径向外侧延伸。干扰元件可以在弧线上延伸，所述弧线类似于通道所沿的弧线延伸。由此，干扰元件可以在螺旋形延伸的弧线上延伸，但是也可在自由成型的弧线上延伸。干扰元件可以在螺旋形的弧线上延伸地与通道的径向外端部紧邻，也就是尤其在弧线的延长段上延伸，所述通道在该弧线上延伸。但是也规定，凹陷部沿径向向内错移地从通道的径向外端部开始在螺旋形的弧线上延伸。在表面段内补充地置入的干扰元件的作用是，局部地影响至基板支架的热流，所述基板支架被置入基座的凹槽中，所述基板支架的底由表面段构成。进行局部影响热流的方式或者是通过干扰元件构造为凹陷部降低热流，或者是通过干扰元件是嵌件升高热流，所述嵌件具有比基座更高的比热导率。实现热流的局部升高的方式也可以是，干扰元件设计为凸起部。所述凸起部突伸入基板支架的底侧与表面段之间的空隙内。在基板支架的底侧与表面段之间形成旋转式气体轴承的空隙由此局部是更小的。所述凸起部尤其可以由在凹陷部内延伸的嵌件构成。在此尤其涉及在由基板支架覆盖的表面段内部的岛状的突出部。所述通道在除了凹陷部以外的平坦或平整的表面段内具有这样的延伸走向，从而构成具有沿等距方位角方向的速度分量的气流，所述气流旋转驱动基板支架。所述通道优选螺旋形地围绕相应的表面段的中心延伸。在本发明的变形方案中规定，凹陷部具有不同的高度。由此尤其规定，凹陷部的深度在中央区域比在边缘区域更高，使得在中央区域实现较高的热传递阻力并且在边缘区域具有较低的热传递阻力。由于基板支架在表面段之上旋转，具有不同传热特性的区域可以沿等距方位角方向相邻地布置。干扰元件尤其在相邻的通道之间的间隙内布置。所述干扰元件也可以由一个或多个岛状的凹陷部构成，其中，优选多个岛状的凹陷部成列地依次布置，其中，多个这样的凹陷部在纵长形的平面上延伸。在此也可以涉及圆弧面。所述凹陷部优选由圆形的开口构成，使得所述凹陷部能够以简单的方式通过端面铣削或钻头制成。此外，凹陷部也可以平行地或侧向错移地布置。干扰元件也可以具有多边形的、尤其三角形的轮廓。干扰元件在表面段内的布置方式可以相应地实现多重的对称。但是也提供非对称的变形方案，其中，干扰元件非对称地布置。嵌件由此可以设计为，嵌件的自由端部齐平地位于围绕嵌件的平面内。但是，所述嵌件也可以具有比凹陷部的深度更小或更大的高度，使得嵌件的端面可以构成凹陷部的底或者可以构成凸起部的底。可以使用一些嵌件，所述一些嵌件具有比围绕嵌件的基座更高的比导热率，但是也可以使用一些嵌件，所述一些嵌件具有比基座更低的比导热率。

如果一个或多个、影响局部热传递的干扰元件是凹陷部，则这种凹陷部在结构上与通道不同，使得在通道内在设备正常运行时没有构成主动的流动，在所述设备中通过向各个通道内供给气流而将基板支架抬升到通风位置并且被旋转驱动。敞开的凹陷部如此构造和布置，使得在其中在任何情况下构成感应的流动或者实现压力平衡的流动，但是这种流动绝不足以在没有输入通道内的气流情况下使基板支架抬升或者旋转驱动。由此，尤其没有穿过凹陷部的流动。至少可以构成流向凹陷部内的压力平衡流动或者从凹陷部流出的压力平衡流动。

附图标记

以下结合附图阐述本发明的实施例。在附图中：

图1示出基座的立体图，如基座在CVD反应器中使用那样，所述基座具有五个圆形的分别用于构成凹槽的底的表面段3，所述凹槽用于容纳基板支架，为了简化绘图在视图中每个圆形的表面段分别具有另外设计的干扰元件，但优选地配属于基座的圆形的表面段3彼此相同地设计，

图2示出基座1的俯视图，

图3示出图2中的截图III，

图4示出图3中的根据剖切线IV-IV所得的剖视图，

图5示出图2中的截图V，

图6示出图2中的截图VI，

图7示出根据图4的视图，其中，在凹陷部10中插入嵌件11，

图8示出剖切CVD反应器所得的纵剖视图，所述CVD反应器具有根据实施例之一的基座，

图9示出根据图5的另外的实施例的视图，其中，凹陷部10与气体分配凹穴12流体连通，

图10示出另外的实施例，其中，凹陷部10与通道5流体连通，

图11示出另外的实施例，其中，凹陷部具有三角形状，

图12示出另外的实施例，其中，凹陷部10作为柱形孔以行列形式依次布置。

具体实施方式

图8示意性地示出CVD反应器的基本结构。反应室布置在向外气密封闭的反应器壳体内并且通过进气机构14被供给处理气体。从下方被加热的基座1具有多个表面段3，所述表面段分别构成凹槽16的底，在凹槽中布置有基板支架13，基板支架的上侧指向处理室并且支承一个或多个基板。通过向基板支架13的底侧和表面段3之间输入冲洗气体而产生气垫，基板支架13悬浮在气垫上。通过围绕表面段3的中心Z螺旋形地布置的通道5，使输入的气流发生转动，这种气流的转动旋转驱动基板支架13。

通过位于中心Z区域的供给口9实现的冲洗气体的供给可能导致对基板支架的指向处理室一侧的表面上的温度变化的均匀性产生通常较小的影响。但重要的是，通道5对温度变化的影响，因为间隙尽可能地作为绝热件发挥作用。基板对基板支架的指向处理室的表面上的温度曲线具有明显的影响。如果基板具有反射特性，则基板可以在中心区域导致温度超高，从而使中心相对于边缘必须被冷却。但备选地，边缘也可以相对于中心被加热。如果使用针对热辐射可透过的基板，则存在相反的问题。在此，在边缘侧可能出现温度超高。这种温度的非均匀性按照本发明应通过适合的措施被平衡。

为此，本实施例示出热流干扰元件，所述热流干扰元件构造为凹陷部10或者由插入凹陷部10内的嵌件11构成。如果热干扰元件构造为插入凹陷部内的嵌件，则嵌件优选由一种材料制成，该材料的导热性大于构成凹陷部的材料的导热性、也就是大于基板支架13的材料的导热性，使得随后热干扰元件导致在基板支架的上侧上温度局部升高。而如果热干扰元件仅仅设计为凹陷部，则由于位于凹陷部内的气体的绝热作用，凹陷部导致在基板支架的上侧上出现温度下降。

在图4所示的横截面中示出凹陷部10形式的干扰元件，其中，凹陷部10具有底10’和壁10”。所述壁10”分别由连续的面构成，所述面向下由底10’限定边界并且向上由凹陷部10的边缘限定边界。凹陷部10的底10’同样由连续的面构成，所述面通过底的边缘限定边界。由此，不会有气体或类似物从壁10”和底10’流入凹陷部10内。同样地，气体较少地从壁10”或壁板10’从凹陷部10流出。

图7示出干扰元件的备选的布置方式。在此，干扰元件设计为由固体构成的实体的嵌件11，所述嵌件本质上形状填充地以镶嵌件的形式置入凹陷部10中。嵌件11具有与围绕嵌件的基座1的材料不同的比热导率。

在附图2、3、5和6中示出的凹陷部10在各个备选实施方式中也可以装入嵌件11。但是凹陷部10以下被描述为用于热流影响而布置的凹陷部10。

图2中所示的基座1由石墨构成并且具有圆盘形状。但是，基座1也可以具有另外的形状，例如基座可以设计为多边形的。由此，基座1的结构设计也规定为矩形或三角形。多边形的基座的边棱和角部的数量在此可以与表面段3的数量相同，表面段已容纳基板支架13。尤其涉及对称的多边形，其中，对称性的多样变化与表面段2的数量相匹配。在对称的布置方式中，多个、在本实施例中五个分别通过分界线4限定边界的表面段3位于径向外侧的环形区域中，所述表面段可以分别构成凹槽16的底(参见图8)。设有气体输入管路8的供给口9位于表面段3的中心Z，所述气体输入管路设计为在基座1内的孔。供给口9通入圆形的气体分配凹穴12，所述气体分配凹穴设计为围绕中心Z的圆形对称的凹陷。

气体分配凹穴12具有多个与通道5的数量相应的通道开口7，气体分配凹穴12通过通道开口7分别与通道5流体连通。在实施例中设有三个通道5。所述通道开口7在附图中视作变窄部。但是不要求，通道开口具有比通道5的宽度5更小的开口宽度(参见附图11)。

通道5具有径向内端部6，所述径向内端部通过通道开口7与气体分配凹穴12流体连通。通道5沿围绕中心Z的螺旋线延伸直至径向外端部6’。所述通道5在此围绕中心Z在大于180°的圆弧角度上延伸。在此，分别在彼此相邻延伸的通道5之间延伸有此处作为凹陷部10的干扰元件。凹陷部10围绕中心Z在至少30°、优选至少60°、优选至少90°的圆弧长度上延伸。在本实施例中，通道5的宽度比凹陷部10的宽度略大。凹陷部10的径向内端部17大约以相同的径向距离布置，通道的径向内端部6也以该径向距离布置。凹陷部10在其径向外端部17’的区域中大约居中地在两个相邻的通道5之间延伸。

凹陷部10在图3至7所示的实施例中具有长形的沟槽形状。但是也规定，在长形的基面上依次布置有多个彼此分离的单独的凹陷部。这些单独的凹陷部例如可以设计为孔并且具有圆形的轮廓。这种气囊可以设计为扩散阻隔，而不必制造为连续的沟槽。

表面段3分布在不同的扇形区内。大约在90°的角度上延伸的第一扇形区A在其整个弧形区域内具有两个通道5。在两个第一扇形区A之间延伸有第二扇形区B，正好一个通道5延伸穿过第二扇形区。在该实施例中，凹陷部10局部位于第一扇形区A内并且局部位于第二扇形区B内。

有利地的是，凹陷部10的径向内端部17位于第一扇形区A内，并且凹陷部10的径向外端部17’位于另一个第一扇形区A内，使得凹陷部10延伸穿过第二扇形区B。

在图3所示的实施例中，凹陷部10的径向外端部17’径向地位于通道5的径向外端部6’以内。

通道5和凹陷部10在此构成围绕中心Z的三重对称。

在图5所示的实施例中，凹陷部10与通道5紧邻。它们位于延长的螺旋弧线上，通道5在该螺旋弧线上延伸。在此，凹陷部与通道5的径向外端部6’紧邻。在此也形成三重对称。凹陷部10在此可以或者在螺旋线上延伸，或者在圆弧线上延伸。

在图6所示的实施例中，凹陷部10同样与通道5的径向外端部6’紧邻，但是径向向前错位地布置。凹陷部10在此可以沿螺旋线上或者在圆弧线上延伸。

在图9所示的实施例中，凹陷部10与气体分配凹穴12流体连通。凹陷部10具有基本上三角形的轮廓，但是所述凹陷部布置成，使得通过凹陷部仅有微不足道的气流穿过。如前述的实施例一样，也可以在凹陷部10内插入嵌件。在该实施例中，凹陷部10与用于旋转驱动基板支架的气体流体连通。在此，凹陷部10的布置方式也具有如通道5的布置方式一样的多重对称性。

在图10所示的实施例中，在边缘区域内长形的凹陷部10与通道5流体连通。在此，在凹陷部10内也可以插入嵌件。在此也可以规定，凹陷部设计成，使得插入凹陷部中的嵌件构成通道5的壁。

在图11所示的实施例中，多个凹陷部10分别三角形地设计。在图10和11所示的实施例中，在凹陷部10内也可以插入嵌件。气体分配凹穴12在此没有变细地过渡到通道5内。

在图12所示的实施例中，也可以在凹陷部10内插入嵌件。在此，多个具有圆形轮廓的凹陷部10成列地依次布置。由盲孔构成的凹陷部10沿弧线或直线延伸，该弧线或直线沿等距方位角的方向延伸。

在所有实施例中，凹陷部10也可以在与通道5中的通道的螺旋线相反走向的螺旋线上延伸。凹陷部可以是纵长形的缝隙，其中，长度比缝隙宽度大数倍。但是，凹陷部也可以具有简单的环绕轮廓。

如果按照前述地谈及凹陷部10，则本发明也包括以下这样的实施例，其中在凹陷部10中不仅插入嵌件，而是也包括以下这种实施例，其中附图标记10标记出凸起，所述凸起在表面段3中隆起并且具有底面，该底面在表面段3的平坦面的上方延伸。通过去除各个干扰元件，干扰元件的布置方式也可以是非对称的布置方式。

上述实施方式用于阐述在申请中整体包含的发明，该发明至少通过以下特征组合分别独立地扩展现有技术，其中，两个、多个或所有的特征组合也可以相互结合，即：

一种基座，其特征在于，在所述表面段3内布置有一个或多个影响局部热传递的干扰元件，所述干扰元件构造为凸起部、在平面内敞开的凹陷部10或者插入凹陷部10的嵌件11。

一种基座，其特征在于，所述干扰元件10、11和通道5沿等距方位角的方向彼此相邻地布置。

一种基座，其特征在于，所述凸起部或凹陷部10、尤其插有嵌件11的凹陷部在空间上与所述通道5相间隔或者在空间上与所述通道5相连。

一种基座，其特征在于，布置在圆弧线上的干扰元件10、11在围绕中心Z的至少40°、优选60°且尤其80°的圆弧角度上延伸。

一种基座，其特征在于，所述通道5和干扰元件10、11具有围绕中心Z的多重对称的布置方式。

一种基座，其特征在于，所述供给口9通入相对于圆形的表面段3的中心位于中央的气体分配凹穴12，所述气体分配凹穴12通过沿径向延伸的通道开口7与尤其在螺旋弧线上延伸的通道5相连。

一种基座，其特征在于，设计为凸起部或凹陷部10的干扰元件具有封闭的底，所述底被连续的壁围绕，所述壁从凸起部或凹陷部10的底延伸至平面的边缘。

一种基座，其特征在于，所述嵌件11由塑料制成，所述塑料具有与所述基座1不同的比热导率。

一种基座，其特征在于，多个、尤其圆形的、尤其插有嵌件11的凹陷部10沿等距方位角的方向依次地布置。

一种基座，其特征在于，所述凹陷部10具有多边形轮廓。

一种基座，其特征在于，所述凹陷部10的深度从表面段3的中心至表面段3的边缘减小。

一种基座，其特征在于，设有围绕中心Z的第一扇形区A，至少两个通道5延伸穿过所述第一扇形区，并且设有围绕中心Z的第二扇形区B，仅一个通道5延伸穿过所述第二扇形区，其中，所有第一扇形区A的角度总和大于180°，和/或所有第二扇形区B的角度总和大于90°，和/或所有第一扇形区A的角度总和大于所有第二扇形区B的角度总和，其中，尤其在至少一个、优选每个第一扇形区A内在至少两个通道5之间或者在径向最外侧的通道5的径向外侧，干扰元件10、11至少在子扇区延伸，和/或其中，在至少一个、优选每个第二扇形区B内尤其在通道5的径向内侧，干扰元件10、11在至少一个子扇区延伸、优选在整个扇区延伸，和/或其中，被至少两个通道5延伸穿过的所有第一扇形区A围绕中心Z的角度总和大于180°，和/或其中，在至少一个、优选每个第一扇形区A内在至少两个通道5之间或者在径向最外侧的通道5的径向外侧，干扰元件10、11在至少一个子扇区延伸。

一种应用，其特征在于在CVD反应器中应用基座，其中，表面段3构成凹槽16的底，基板支架13置入所述凹槽内。

一种基板支架装置，其特征在于，表面段3构成凹槽16的底，圆盘形状的基板支架13置入所述凹槽内，所述基板支架通过经由供给口9供给的冲洗气体能使支承在气垫上地围绕中心Z转动。

所有公开的特征(本身及其相互组合)都有发明意义或发明价值。在本申请的公开文件中，所属/附属的优先权文本(在先申请文件)的公开内容也完全包括在内，为此也将该优先权文本中的特征纳入本申请的权利要求书中。从属权利要求的特征即使没有相应权利要求的技术特征也都是对于现有技术有独立发明意义或价值的改进设计，尤其能以这些从属权利要求为基础提出分案申请。在每个权利要求中提供的发明可以附加地具有一个或多个在前述说明中、尤其设有附图标记和/或在附图标记列表中提供的技术特征。本发明也涉及一些设计形式，其中，在前述说明书中提到的个别技术特征不能实现，尤其就此可被识别出对于各个应用目的是不必要的或者可被其它技术上可同样实现的手段替代。

附图标记列表

1 基座

2 宽侧

3 表面段

4 分界线

5 通道

6 径向内端部

6’ 径向外端部

7 通道开口

8 气体输入管路

9 供给口

10 凹陷部

10’ 底

10” 壁

11 嵌件

12 气体分配凹穴

13 基板支架

14 进气机构

15 盖板

16 凹槽

17 径向内端部

17’ 径向外端部

A 扇形区

B 扇形区

Z 中心

Claims (15)

1.一种用于CVD反应器的基座(1)，所述基座(1)由平坦的基体(1)构成，所述基体具有至少一个布置在宽侧(2)上的圆形的表面段(3)，基板支架(13)支承在所述表面段上，其中，所述表面段(3)具有朝向基板支架(13)的方向敞开的通道(5)，所述通道与布置在气体输入管路(8)的端部上的供给口(9)流体连通，从而通过向各个通道(5)内供给气流而将基板支架(13)抬升到通风位置并且旋转驱动基板支架(13)，其特征在于，在所述表面段(3)内布置有一个或多个影响局部热传递的干扰元件，所述干扰元件构造为凸起部、在所述平面内敞开的凹陷部(10)或者插入凹陷部(10)的嵌件(11)，其中，敞开的凹陷部(10)设计为，在向所述通道(5)内供给气流时在所述凹陷部(5)内没有形成气体流动。

2.按照权利要求1所述的基座，其特征在于，所述干扰元件(10、11)和通道(5)沿等距方位角的方向相邻地布置。

3.按照前述权利要求之一所述的基座，其特征在于，所述凸起部或凹陷部(10)、尤其是插入嵌件(11)的凸起部或凹陷部在空间上与所述通道(5)相间隔或者在空间上与所述通道(5)相连。

4.按照前述权利要求之一所述的基座，其特征在于，布置在圆弧线上的干扰元件(10、11)在围绕中心(Z)的至少40°、优选60°且尤其80°的圆弧角度上延伸。

5.按照前述权利要求之一所述的基座，其特征在于，所述通道(5)和干扰元件(10、11)具有围绕中心(Z)的多重对称的布置方式。

6.按照前述权利要求之一所述的基座，其特征在于，所述供给口(9)通入相对于圆形的表面段(3)的中心位于中央的气体分配凹穴(12)，所述气体分配凹穴(12)通过沿径向延伸的通道开口(7)与尤其在螺旋弧线上延伸的通道(5)相连。

7.按照前述权利要求之一所述的基座，其特征在于，设计为凸起部或凹陷部(10)的干扰元件具有封闭的底，所述封闭的底被连续的壁围绕，所述连续的壁从凸起部或凹陷部(10)的底部延伸至平面的边缘。

8.按照前述权利要求之一所述的基座，其特征在于，所述嵌件(11)由塑料制成，所述塑料具有与所述基座(1)不同的比热导率。

9.按照前述权利要求之一所述的基座，其特征在于，多个、尤其圆形的、尤其插有嵌件(11)的凹陷部(10)沿等距方位角的方向依次地布置。

10.按照前述权利要求之一所述的基座，其特征在于，所述凹陷部(10)具有多边形轮廓。

11.按照前述权利要求之一所述的基座，其特征在于，所述凹陷部(10)的深度从表面段(3)的中心至表面段(3)的边缘减小。

12.按照前述权利要求之一所述的基座，其特征在于，设有围绕中心(Z)的第一扇形区(A)，至少两个通道(5)延伸穿过所述第一扇形区，并且设有围绕中心(Z)的第二扇形区(B)，仅一个通道(5)延伸穿过所述第二扇形区，其中，所有第一扇形区(A)的角度总和大于180°，和/或所有第二扇形区(B)的角度总和大于90°，和/或所有第一扇形区(A)的角度总和大于所有第二扇形区(B)的角度总和，其中，尤其在至少一个、优选每个第一扇形区(A)内在至少两个通道(5)之间或者在径向最外侧的通道(5)的径向外侧，干扰元件(10、11)至少在子扇区延伸，和/或其中，在至少一个、优选每个第二扇形区(B)内尤其在通道(5)的径向内侧，干扰元件(10、11)在至少一个子扇区延伸、优选在整个扇区延伸，和/或其中，被至少两个通道(5)延伸穿过的所有第一扇形区(A)围绕中心(Z)的角度总和大于180°，和/或其中，在至少一个、优选每个第一扇形区(A)内在至少两个通道(5)之间或者在径向最外侧的通道(5)的径向外侧，干扰元件(10、11)在至少一个子扇区延伸。

13.一种按照前述权利要求之一所述的基座在CVD反应器中的应用，其中，表面段(3)构成凹槽(16)的底，基板支架(13)置入所述凹槽内。

14.一种基板支架装置，具有按照权利要求1至12之一所述的基板支架(13)，其特征在于，表面段(3)构成凹槽(16)的底，圆盘形状的基板支架(13)置入所述凹槽内，所述基板支架通过经由供给口(9)供给的冲洗气体能够在气垫上平放地围绕中心(Z)发生转动。

15.一种基座或应用或基板支架装置，其特征在于前述权利要求中一项或多项所述的技术特征。