CN109844907A - 激光处理装置和激光处理方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种激光处理装置和激光处理方法。激光处理装置包括使被处理体和激光中的一方或双方移动的扫描移动部；将激光照射到被处理体的激光照射部；以及对被处理体上被激光照射的照射区域至少释放第一气体的气体释放部，气体释放部在面向正在被激光照射的被处理体的位置上具有整流面，在整流面上设置有释放第一气体的第一气体释放口；以及至少在扫描方向上在第一气体释放口的双边外侧设有第二气体释放口和气体前后吸引口中的一方或双方，该第二气体释放口对正在被激光照射的被处理体释放第二气体。

Description

激光处理装置和激光处理方法
技术领域
本发明涉及对被处理体照射激光来进行所希望的处理的激光处理装置和激光处理方法。
背景技术
已知一种对基板上的硅半导体膜等照射激光来进行退火处理的装置，其在基板上形成将激光照射的区域包围起来的局部气氛来进行处理(例如参照专利文献1、2)。
图12是表示现有的激光处理装置的一个示例的图。
在该装置中，在处理室100的顶板下部设置有激光照射局部密封箱110，在激光照射局部密封箱110的上部顶板设置有激光导入窗101。在激光照射局部密封箱110的下表面，连续地形成有在基板120的移动方向前后延伸的整流板111。
将氮气导入至激光照射局部密封箱110，氮气通过设置在激光照射局部密封箱110的下表面的激光透过孔112释放到下方。
此外，在处理室100内，设置有对基板进行保持并能在图示左右方向上移动的平台102。在处理室100的侧方部设置有出入口104，通过闸阀103的动作，使出入口104打开关闭。
在进行处理时，通过闸阀103打开出入口104将基板120导入至处理室100内，在导入基板120后，利用闸阀103关闭出入口104。基板120上形成有非单晶半导体膜(未图示)。另外，在打开出入口104时，外部气体会侵入到处理室100内。
基板120由平台102所保持，与平台102一起以规定速度移动到处理室100内，激光130通过激光透过孔112照射到基板120上。基板120上，通过照射激光130，使非单晶的半导体膜进行单晶化。在照射激光130时，从激光照射局部密封箱110的激光透过孔112释放氮气，形成局部气氛包围激光的照射区域，尽可能地排除外部气体的影响。在取出完成处理的基板120时，通过闸阀103打开出入口来将基板120取出到处理室100外。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利特开2002－217124号公报
专利文献2：日本专利第5408678号公报
发明内容
发明所要解决的技术问题
如上所述，现有技术中，在对基板照射激光的照射位置上，气体沿着激光轴朝基板喷出。然而，若气流喷射到激光照射位置，则在激光照射位置周围会产生乱流。
为了防止乱流，将喷射的气流改良为了层流，但仍然无法避免由于对基板的气流碰撞导致产生乱流。此外，虽然也试过减慢气流速度来使乱流平缓，但难以形成作为原本目的的均匀的气氛。若产生乱流则会导致气体压力或温度紊乱。其结果，对于激光的光折射率发生变化，激光照射位置的激光强度变得不均匀，无法均匀地进行激光照射处理。此外，若通过照射激光，由半导体膜(例如Si膜)产生构成元素(例如Si)的蒸汽或微粒，则会带来激光光路上的光折射率变化，或者导致激光被切断。在产生乱流的状态或流速显著变小的状态下，难以从激光光路上去除所述的蒸汽或微粒等由被照射物所产生的物质。该技术问题与本发明的气体吸引口相对应。
并且，存在以下问题：在激光的照射位置周围，由于外部的气流导致在搬入/搬出基板时稳定的气氛紊乱。该技术问题与本发明的第二或第三气体释放口对应。
本发明是为了解决上述的现有的问题而完成的，其目的是提供一种激光处理装置和激光处理方法，能防止气流的乱流，无论哪种气体都能维持均匀的气氛。
解决技术问题的技术方案
即，本发明的激光处理装置中，第一实施方式的本发明对被处理体相对扫描并照射激光，其特征在于，包括：
扫描移动部，该扫描移动部使所述被处理体和所述激光中的一方或双方移动；
激光照射部，该激光照射部将所述激光照射到所述被处理体；以及
气体释放部，该气体释放部对所述被处理体上被所述激光照射的照射区域至少释放第一气体，
所述气体释放部在面向正在被激光照射的所述被处理体的位置具有整流面，在该整流面上设置有释放所述第一气体的第一气体释放口；以及至少在所述扫描方向上设置在所述第一气体释放口的双边外侧的第二气体释放口和气体前后吸引口中的一方或双方，该第二气体释放口对正在被激光照射的所述被处理体释放第二气体。
并且，另一个实施方式的激光处理装置的发明是在上述实施方式的本发明中，所述第一气体释放口在覆盖所述照射区域的范围内释放第一气体。
并且，另一个实施方式的激光处理装置的发明是在上述实施方式的本发明中，所述第二气体释放口和所述气体前后吸引口具有在两侧超出所述照射区域的宽度方向形状的形状。
另一个实施方式的激光处理装置的发明是在上述实施方式的本发明中，所述气体释放部在所述扫描方向的双侧方侧设置有对进行移动的所述被处理体释放第三气体的第三气体释放口和气体侧方吸引口中的一方或双方。
并且，另一个实施方式的激光处理装置的发明是在上述实施方式的本发明中，所述第三气体释放口和所述气体前后吸引口具有在两侧超出所述照射区域的扫描方向形状的形状。
并且，另一个实施方式的激光处理装置的发明是在上述实施方式的本发明中，所述气体释放部在所述第一气体释放口的双边外侧的一方或双方具有所述第二气体释放口和所述气体前后吸引口，所述气体前后吸引口位于所述第二气体释放口的内侧。
并且，另一个实施方式的激光处理装置的发明是在上述实施方式的本发明中，所述第二气体释放口具有以第一气体释放口为基准朝向下方外侧释放第二气体的规定的释放角。
并且，另一个实施方式的激光处理装置的发明是在上述实施方式的本发明中，所述释放角为45度以上。
并且，另一个实施方式的激光处理装置的发明是在上述实施方式的本发明中，所述整流面与进行移动的被处理体之间的间隔为10mm以下。
并且，另一个实施方式的激光处理装置的发明是在上述实施方式的本发明中，所述整流面以所述第一释放口为基准在扫描方向上延伸的长度比照射面上的激光的长度长10mm以上。
并且，另一个实施方式的激光处理装置的发明是在上述实施方式的本发明中，所述第二气体释放口设置在以第一气体释放口为基准沿着扫描方向离开1mm以上的位置处。
并且，另一个实施方式的激光处理装置的发明是在上述实施方式的本发明中，所述激光在所述被处理体的照射面上具有线束形状。
并且，另一个实施方式的激光处理装置的发明是在上述实施方式的本发明中，所述被处理体是非单晶半导体，所述激光处理装置是使所述非单晶半导体进行单晶化的装置。
并且，另一个实施方式的激光处理装置的发明是在上述实施方式的本发明中，消除静电后提供到第二气体释放口和第三气体释放口。
并且，另一个实施方式的激光处理装置的发明是在上述实施方式的本发明中，从所述整流面释放的气体是非活性气体。
并且，另一个实施方式的激光处理装置的发明是在上述实施方式的本发明中，所述第三气体是非活性气体。
本发明的激光处理方法中，第一实施方式的本发明是对被处理体相对扫描并照射激光的激光处理方法，
在面向位于照射位置的所述被处理体的位置上具有整流面，
从该整流面对照射所述激光的照射区域释放第一气体，并且至少在扫描方向上在所述整流面的释放第一气体的的区域的双边外侧，进行第二气体的释放和气体的吸引中的一方或双方。
另一个实施方式的激光处理方法的发明是在上述实施方式的本发明中，在释放所述第一气体时，在所述整流面的释放第一气体的区域的双侧方侧，还进行第三气体的释放和气体的吸引中的一方或双方。
另一个实施方式的激光处理方法的发明是在上述实施方式的本发明中，所述气体的吸引根据所述第一气体的释放量来规定吸引量。
发明效果
即，根据本发明，能在被处理体的至少激光照射区域附近形成气体的局部气氛，并且能使气流稳定以避免产生乱流，能在稳定的气氛中进行激光照射的处理。
附图说明
图1是表示本发明一实施方式的激光处理装置的概要的主视图。
图2是表示同一实施方式的激光照射局部密封箱周围的结构的放大后的主视图。
图3是表示同一实施方式的激光照射局部密封箱的底面的图。
图4是表示本发明的另一个实施方式的激光处理装置的概要的主视图。
图5是表示同一实施方式的激光照射局部密封箱周围的结构的放大后的主视图。
图6是表示同一实施方式的激光照射局部密封箱的底面的图。
图7是表示本发明的另一个实施方式的激光处理装置的概要的主视图。
图8是表示同一实施方式的激光照射局部密封箱周围的结构的放大后的主视图。
图9是表示同一实施方式的激光照射局部密封箱的底面的图。
图10是表示本发明的另一个实施方式的设置于激光处理装置的激光照射局部密封箱的图。
图11是表示本发明的另一个实施方式的设置于激光处理装置的激光照射局部密封箱的图。
图12是表示现有的激光处理装置的概要的主视图，是表示导入基板时和设置基板后的激光处理时的状态的图。
具体实施方式
(实施方式1)
以下基于附图1～3对本发明的一个实施方式进行说明。
激光处理装置1包括处理室2和设置于处理室2外的激光源3，能将从激光源3输出的激光50通过光学系统4导波到处理室2。在光学系统4中具备衰减器、透镜、反射镜等，作为本发明并不特别限定于该结构。
在处理室2内，具有能在图1的左右方向移动的平台5，能通过该平台5保持基板120。平台5上，在远离基板120的设置面的移动方向前后，设置有平台整流板5A、5B。在将基板120设置于设置面时，将平台整流板5A、5B安装于基板120使得平台整流板5A、5B的高度与基板120的高度基本一致。更优选为，可以使所述高度彼此一致，或者可以使平台整流板5A、5B的高度比基板120的高度稍高。平台整流板5A、5B的长度优选为：即使平台5移动到基板传送初始位置，平台整流板5A也不会离开激光透过孔11，即使平台5移动到门阀(door valve)6的相反侧终点为止，平台整流板5B也不会离开激光透过孔11，更优选为在上述各位置处，在扫描方向上平台整流板5A、5B至少延伸到延及激光透过孔11全长的位置为止。
另外，该实施方式中，激光的相对扫描是通过利用平台使被处理体移动来进行，但作为本发明也可以使激光侧移动，此外也可以使激光和被处理体双方移动。
在基板120的表面侧形成有未图示的非单晶半导体膜。该实施方式中，基板120相当于本发明的被处理体。平台5相对于被处理体移动装置，但被处理体移动装置并不限于平台，例如可以通过气体悬浮来使被处理体移动，作为本发明并不特别限定移动装置的结构、移动方法。
此外，在处理室2的侧方，具有使基板120进出的出入口7，出入口7的打开关闭通过门阀6的动作来进行。
此外，处理室2中，在顶板位置具有将从光学系统4射出的激光50从处理室2外导入到处理室2内的激光导入窗8。
在激光导入窗8的下方侧的处理室2内，设置有激光照射局部密封箱10，激光50通过设置在激光照射局部密封箱10的下表面的激光透过孔11向下方侧照射。在激光50利用光学系统4从光学系统4射出时，具有线束形状，激光透过孔11具有用于激光50透过的长孔形状。此时，也可以用激光透过孔11来遮挡激光50的短轴或长轴的端部。
此外，在激光照射局部密封箱10形成有气体导入孔12，通过气体导入孔12能够将氮气从激光照射局部密封箱10外提供到激光照射局部密封箱10内。
在激光照射局部密封箱10的下表面沿着平台5的移动方向上延伸有整流板13，其超出了激光照射局部密封箱10的两侧壁，在该整流板13上形成有激光透过孔11。激光照射局部密封箱10兼用作本发明的气体释放部，激光透过孔11兼用作第一气体释放口。也可以与激光透过孔11分开设置第一气体释放口。
整流板13的下表面面向通过平台5进行移动的基板120，并且具有沿着基板120的整流面。希望整流面与通过平台5进行移动的基板120之间具有10mm以下的间隔。
在整流板13上沿着平台5的移动方向在激光照射局部密封箱10的双边外侧分别具有气体前后吸引口15。气体前后吸引口15具有沿着激光透过孔11而形成的相仿的长孔形状，具有分别超出激光透过孔11的长边方向两端的形状。此外，希望气体前后吸引口15设置在靠近激光透过孔11的位置。
接着，对激光处理装置1的动作进行说明。
随着开始处理，使门阀6动作并打开出入口7，将基板120从处理室2外导入至处理室2内，并设置于平台5上。在导入基板120时，一旦基板120被收纳到处理室2内，立即通过门阀6关闭出入口7。
导入基板120的同时，将氮气从气体导入孔12导入至激光照射局部密封箱10内。氮气相当于本发明的第一气体。氮气从激光透过孔11向下方侧释放。此外，气体前后吸引口15中，经由未图示的泵进行气体的吸引。希望将气体的吸引量设定为与从激光透过孔11释放的气体量相适应的量。由此，从激光透过孔11释放的气体几乎都被从气体前后吸引口15吸引，从而形成稳定的气流。另外，气体前后吸引口15与激光透过孔11之间的距离若过小，无法形成足够的气流，若所述距离过大则气流难以稳定
另一方面，平台5载着基板120朝图1的右方向以规定速度移动。
安装于平台5的平台整流板5A到达气流位置时，抑制下方侧的气流，从激光透过孔11到气体前后吸引口15的气流进一步稳定。此外，激光源3输出激光50，利用光学系统4调整能量、射束成形、使射束状的能量强度均匀等，使激光50成为线束形状并从光学系统4射出。成为线束形状的激光50通过激光导入窗8被导入到激光照射局部密封箱10内，通过激光透过孔11向下方侧照射。
基板120利用平台5进行移动，并在激光透过孔11的下方侧被照射激光50。通过平台5进行移动，激光50对基板120进行相对扫描。此时，在基板120上，激光的照射区域50A被氮气覆盖，并且形成有氮气稳定地流动的局部气氛，从而进行良好的激光处理。此外，在基板120通过激光透过孔11后，在激光透过孔11的下方侧，平台整流板5B会停留一段时间，从激光透过孔11到前方侧的气体前后吸引口15的气流变为更稳定的状态，更好地进行结晶化。
该实施方式中，形成有非单晶半导体膜(例如非晶质硅膜、多晶硅膜等)，通过照射激光能获得单晶化后的半导体膜。因而，该实施方式中，激光处理装置可称为激光结晶装置。
在处理后，能通过门阀6打开出入口7来将完成处理的基板120搬出到处理室外。
另外，在该实施方式中，说明了相对于第一气体释放口在移动方向的前后具有气体前后吸引口的情况，但也可以在此基础上还具备第一气体释放口的侧方的气体侧方吸引口。
(实施方式2)
下面，基于附图4～附图6，对另一个的实施方式的激光处理装置1A进行说明。
另外，在该实施方式2中，对于具有与上述实施方式相同结构的部位，标注相同的标号，并省略或简化其说明。
在该实施方式2中，在处理室2也具有激光照射局部密封箱10，在激光照射局部密封箱10的下表面也具有整流板13。此外，在整流板13上具有激光透过孔11。该实施方式中，整流板13的下表面侧的整流面与利用平台5进行移动的基板120之间也设定为具有10mm以下的间隔。
在实施方式2中，在整流板13上沿着平台5的移动方向在激光照射局部密封箱10的双边外侧分别具有释放第二气体的第二气体释放口16，在激光照射局部密封箱10的双侧方侧分别具有释放第三气体的第三气体释放口17。
第二气体释放口16具有沿着激光透过孔11而形成的相仿的长孔形状，具有分别超出激光透过孔11的长边两端的形状。此外，希望第二气体释放口16的中心设置于激光照射局部密封箱10的端部。
此外，第二气体释放口16希望具有以激光透过孔11为基准向外侧释放气体的释放角θ。在铅直方向设为0度时，希望释放角θ具有45度以上的角度。由此，能朝外侧释放气体。
此外，第三气体释放口17具有沿着激光透过孔11的侧方而形成的相仿的长孔形状，具有分别超出激光透过孔11的短边两端的形状。并且，希望第三气体释放口17延伸到第二气体释放口16的附近。另外，在该实施方式中，说明了第二气体释放口16与第三气体释放口17非连续的情况，但也能设为第二气体释放口16与第三气体释放口17是连续的形状。
此外，第一气体、第二气体、第三气体可以是相同种类，也可以是不同种类。此外，也可以是相同种类但纯度不同的气体。例如，可以将纯度较高的非活性气体(氮气等)用于第一气体，将纯度相对较低的非活性气体(氮气等)用于第二气体、第三气体。希望将第二气体、第三气体消除静电后提供到激光照射局部密封箱10(以下也相同)。此外，第二气体与第三气体的释放量并无特别限定，但希望使第二气体的释放量比第三气体的释放量更多。
接着，对激光处理装置1A的动作进行说明。
与上述实施方式相同，导入基板120的同时，将氮气从气体导入孔12导入至激光照射局部密封箱10内。氮气从激光透过孔11向下方侧释放。此外，从第二气体释放口16和第三气体释放口17释放第二气体和第三气体。由此，能减轻从激光透过孔11释放的气体所形成的局部气氛受到的气氛外的影响。
尤其是，在将基板120导入到处理室2内时，外部气体会侵入，但通过释放第二气体和第三气体，能有效地排除由于外部气体侵入导致的影响，维持稳定的局部气氛。
此外，从第二气体释放口16以朝向外侧的释放角θ释放气体，因此能更可靠地排除来自气氛外的影响。另外，第三气体释放口17也可以同样设置朝向外侧的释放角(>0度)来释放气体。
(实施方式3)
下面，基于附图7～附图9，对另一个的实施方式的激光处理装置1B进行说明。
另外，在该实施方式3中，对于具有与上述实施方式1、2相同结构的部位，标注相同的标号，并省略或简化其说明。
在该实施方式中，在处理室2也具有激光照射局部密封箱10，并具有整流板13。整流板13具有激光透过孔11。该实施方式中，整流板13的下表面侧的整流面与利用平台5进行移动的基板120之间也设定成具有10mm以下的间隔。
在该实施方式3中，在整流板13沿着平台5的移动方向在激光照射局部密封箱10的双边外侧分别设置气体前后吸引口18，在其外侧还分别形成有第二气体释放口16。此外，在激光照射局部密封箱10的双侧方侧分别具有释放第三气体的第三气体释放口17。
气体前后吸引口18和第二气体释放口16具有沿着激光透过孔11而形成的相仿的长孔形状，具有分别超出激光透过孔11的长边两端的形状。此外，希望气体前后吸引口18靠近激光透过孔11与第二气体释放口16或者释放第三气体的第三气体释放口17。此外，希望第二气体释放口16靠近激光照射局部密封箱10的外壁来进行设置。
此外，第二气体释放口16具有以激光透过孔11为基准向外侧释放气体的释放角θ1。希望释放角θ1设为45度以上。
第三气体释放口17具有沿着激光透过孔11的侧方而形成的相仿的长孔形状，具有分别超出激光透过孔11的短边两端的形状。并且，希望第三气体释放口17延伸到第二气体释放口16的附近。
此外，第一气体、第二气体、第三气体可以是相同种类，也可以是不同种类。此外，也可以是相同种类但纯度不同的气体。例如，可以将纯度较高的非活性气体(氮气等)用于第一气体，将纯度相对较低的非活性气体(氮气等)用于第二气体、第三气体。
接着，对激光处理装置1B的动作进行说明。
与上述实施方式相同，导入基板120的同时，将氮气从气体导入孔12导入至激光照射局部密封箱10内。氮气从激光透过孔11向下方侧释放。此外，从第二气体释放口16和第三气体释放口17释放第二气体和第三气体。并且，在气体前后吸引口18吸引气体。
导入基板120的同时，将氮气从气体导入孔12导入至激光照射局部密封箱10内。氮气从激光透过孔11向下方侧释放。此外，气体前后吸引口18中进行气体的吸引，从激光透过孔11释放的气体被从气体前后吸引口18吸引，形成稳定的气流。
此外，从第二气体释放口16和第三气体释放口17释放第二气体和第三气体。由此，能减小从激光透过孔11释放并流到气体前后吸引口18的氮气所形成的局部气氛内受到的来自气氛外的影响，对局部气氛的稳定化尤其有效。
尤其是，在将基板120导入到处理室2内时，会有外部气体侵入，但能有效地排除由于外部气体侵入导致的影响，维持稳定的局部气氛。
此外，从第二气体释放口16以朝向外侧的释放角θ1释放气体，因此能更可靠地排除来自气氛外的影响。另外，在第三气体释放口17也可以同样设置朝向外侧的释放角(>0度)。
并且，可以在第三气体释放口17与激光透过孔11之间设置气体侧方吸引口。
(实施方式4)
下面，基于图10对另一个实施方式4进行说明。
该实施方式中，对激光照射局部密封箱的形状进行变更，将激光照射局部密封箱20的下表面作为整流面。整流面与进行移动的基板120之间具有10mm以下的间隔。
在激光照射局部密封箱20的下表面中央具有长条形的激光透过孔22，沿着所述移动方向在激光透过孔22的双边外侧具有气体前后吸引孔23。气体前后吸引口23利用穿过激光照射局部密封箱20的壁部的通路与设置于激光照射局部密封箱20的气体吸引口23A连通，气体吸引口23A与未图示的泵等相连接。气体前后吸引口23具有沿着激光透过孔22而形成的相仿的长孔形状，具有分别超出激光透过孔22的长边两端的形状。此外，希望气体前后吸引口23设置在靠近激光透过孔22的位置。
并且，在气体前后吸引口23的双边外侧分别形成有第二气体释放口24。第二气体释放口24利用穿过激光照射局部密封箱20的下壁部的通路与设置于激光照射局部密封箱20的气体供给口24A连通，气体供给口24A与未图示的气体供给部等相连接。
此外，虽然未图示，在激光透过孔22的双侧方侧具有释放第三气体的第三气体释放口。
第二气体释放口24具有沿着激光透过孔22而形成的相仿的长孔形状，具有分别超出激光透过孔22的长边两端的形状。此外，希望第二气体释放口24设置在比气体前后吸引口23更远离激光透过孔22的位置。并且，第三气体释放口具有沿着激光透过孔22的侧面而形成的相仿的长孔形状，具有分别超出激光透过孔22的短边两端的形状。
该实施方式中，将氮气从气体导入孔21导入至激光照射局部密封箱20内。氮气从激光透过孔22向下方侧释放。此外，从第二气体释放口24和第三气体释放口释放第二气体和第三气体。并且，在气体前后吸引口23吸引气体。
从激光透过孔11释放的气体被气体前后吸引口23吸引，从而形成稳定的气流。
此外，从第二气体释放口24和第三气体释放口释放第二气体和第三气体。由此，能减小从激光透过孔22释放并流到气体前后吸引口23的氮气所形成的局部气氛内受到的来自气氛外的影响。
此外，从第二气体释放口24朝下方释放气体，排除了来自气氛外的影响。
(实施方式5)
下面，基于图11对另一个实施方式5进行说明。
另外，对于与上述实施方式相同的结构，标注相同的标号，并省略或简化其说明。
该实施方式中，与实施方式4相同，将激光照射局部密封箱20A的下表面作为整流面。整流面与进行移动的基板120之间具有10mm以下的间隔。
在激光照射局部密封箱20A的下表面中央具有长条形的激光透过孔22，沿着上述移动方向在激光透过孔22的双边外侧具有气体前后吸引口23。气体前后吸引口23利用穿过激光照射局部密封箱20的壁部的通路与设置于激光照射局部密封箱20A的气体吸引口23A连通，气体吸引口23A与未图示的泵等相连接。气体前后吸引口23具有沿着激光透过孔22而形成的相仿的长孔形状，具有分别超出激光透过孔22的长边两端的形状。
并且，在气体前后吸引口23的双边外侧分别形成有第二气体释放口25。第二气体释放口25利用穿过激光照射局部密封箱20A的下壁部的通路与设置于激光照射局部密封箱20A的气体供给口25A连通，气体供给口24A与未图示的气体供给部等相连接。
此外，虽然未图示，在激光透过孔22的双侧方侧具有释放第三气体的第三气体释放口。
第二气体释放口25具有沿着激光透过孔22而形成的相仿的长孔形状，具有分别超出激光透过孔22的长边两端的形状。此外，希望第二气体释放口25设置在比气体前后吸引口23更远离激光透过孔22的位置。并且，第三气体释放口具有沿着激光透过孔22的侧面而形成的相仿的长孔形状，具有分别超出激光透过孔22的短边两端的形状。
此外，第二气体释放口25希望具有以激光透过孔22为基准沿着基板120的移动方向向外侧倾斜的释放角θ，该释放角θ希望在45度以上。
若将氮气从气体导入孔21导入至激光照射局部密封箱20A内，则氮气从激光透过孔22向下方侧释放。此外，从第二气体释放口25和第三气体释放口释放第二气体和第三气体。并且，在气体前后吸引口23吸引气体。
从激光透过孔22释放的气体被气体前后吸引口23吸引，从而形成稳定的气流。
此外，从第二气体释放口25和第三气体释放口释放第二气体和第三气体。由此，能减小从激光透过孔22释放并流到气体前后吸引口23的氮气形成的局部气氛内受到的来自气氛外的影响。
此外，从第二气体释放口25以朝向外侧的释放角释放气体，因此能更可靠地排除来自气氛外的影响。另外，在第三气体释放口也可以同样设置朝向外侧的释放角(>0度)。
在上述各实施方式中，能获得以下效果。
1.不会从激光照射位置朝基板喷射气体，因此不会因任意气体导致层流紊乱。
2.能将形成层流的整流板设计得较长而不用折弯整流板，因此能进行更好的整流。
3.将蒸汽或微粒等由被照射物产生的物质朝向同一方向排出，因此能迅速地从激光的光路上去除该物质。
4.在蒸汽或微粒等由被照射物产生的物质较多的情况下，能通过提高流速来应对。
5.去除来自外部的颗粒
6.缩短稳定化时间
7.去除静电
即，根据上述各实施方式，通过使任意气体在被处理体和与被处理体平行地设置的整流面之间流过，从而能利用任意气体形成均匀的流速和压力分布。并且，通过利用该气流将蒸汽或微粒等由被处理体产生的物质从激光的光路上排出，来实现均匀的照射气氛，并且不会使通过在整流面设置气体喷射部来实现的稳定气氛紊乱，能防止外部的气流进入到照射位置。
另外，在各实施方式中，对于将基板作为被处理体的情况进行了说明，但作为本发明的被处理体并不限定于基板。此外，本发明中，将激光处理装置作为使非单晶进行结晶的装置进行了说明，但激光处理装置的处理内容并不限定于此，还能用于金属基板或塑料基板等柔性基板等。
[实施例1]
以下，针对本发明的实施例进行说明。
实施例在下述的条件下进行试验。
气体输入部B设置在激光照射位置的周围，气体吸入部的排气速度根据流到密封箱内的非活性气体的流量来调整，以使照射气氛成为非活性气氛。
如上所述，通过在激光的照射区域周围，形成稳定的局部气氛，确保在更换基板时氧气浓度不会上升，从而不必耗费时间以达到稳定状态，能提高生产率。
以上，基于上述各实施方式和实施例对本发明进行了说明，但只要不脱离本发明的范围，就可以对各实施方式做出适当的变更。
标号说明
1 激光处理装置
1A 激光处理装置
1B 激光处理装置
2 处理室
3 激光光源
4 光学系统
5 平台
6 门阀
7 出入口
8 激光导入窗
10 激光照射局部密封箱
11 激光透过孔
12 气体导入孔
13 整流板
15 气体前后吸引口
16 第二气体释放口
17 第三气体释放口
18 气体前后吸引口
20 激光照射局部密封箱
22 激光透过孔
23 气体前后吸引口
24 第二气体释放口
25 第二气体释放口
50 激光
50A 照射区域。

Claims (18)

1.一种激光处理装置，对被处理体相对地扫描并照射激光，其特征在于，包括：
扫描移动部，该扫描移动部使所述被处理体和所述激光中的一方或双方移动；
激光照射部，该激光照射部将所述激光照射到所述被处理体的激光照射部；以及
气体释放部，该气体释放部对所述被处理体上被所述激光照射的照射区域至少释放第一气体，
所述气体释放部在面向正在被激光照射的所述被处理体的位置具有整流面，
在所述整流面上设置有释放所述第一气体的第一气体释放口、以及至少在扫描方向上设置在所述第一气体释放口的双边外侧的第二气体释放口和气体前后吸引口中的一方或双方，该第二气体释放口对正在被激光照射的所述被处理体释放第二气体。
2.如权利要求1所述的激光处理装置，其特征在于，
所述第一气体释放口在覆盖所述照射区域的范围内释放第一气体。
3.如权利要求1或2所述的激光处理装置，其特征在于，
所述第二气体释放口和所述气体前后吸引口具有在两侧超出所述照射区域的宽度方向形状的形状。
4.如权利要求1至3中任一项所述的激光处理装置，其特征在于，
所述气体释放部在所述扫描方向的双侧方侧设置有对进行移动的所述被处理体释放第三气体的第三气体释放口和气体侧方吸引口中的一方或双方。
5.如权利要求4所述的激光处理装置，其特征在于，
所述第三气体释放口和所述气体侧方吸引口具有在两侧超出所述照射区域的扫描方向形状的形状。
6.如权利要求1至5中任一项所述的激光处理装置，其特征在于，
所述气体释放部在所述第一气体释放口的双边外侧中的一方或双方具有所述第二气体释放口和所述气体前后吸引口，所述气体前后吸引口位于所述第二气体释放口的内侧。
7.如权利要求1至6中任一项所述的激光处理装置，其特征在于，
所述第二气体释放口具有以第一气体释放口为基准朝向下方外侧释放第二气体的规定的释放角。
8.如权利要求7所述的激光处理装置，其特征在于，
所述释放角为45度以上。
9.如权利要求1至8中任一项所述的激光处理装置，其特征在于，
所述整流面与进行移动的被处理体之间的间隔为10mm以下。
10.如权利要求1至9中任一项所述的激光处理装置，其特征在于，
以第一气体释放口为基准的情况下，所述整流面在扫描方向上延伸的长度比照射面上的激光的长度长10mm以上。
11.如权利要求1至10中任一项所述的激光处理装置，其特征在于，
所述第二气体释放口设置在以第一气体释放口为基准沿扫描方向离开1mm以上的位置处。
12.如权利要求1至11中任一项所述的激光处理装置，其特征在于，
所述激光在所述被处理体的照射面上具有线束形状。
13.如权利要求1至12中任一项所述的激光处理装置，其特征在于，
所述被处理体是非单晶半导体，所述激光处理装置是使所述非单晶半导体进行单晶化的装置。
14.如权利要求4所述的激光处理装置，其特征在于，
所述第二气体和所述第三气体被消除静电后提供到第二气体释放口和第三气体释放口。
15.如权利要求1至14中任一项所述的激光处理装置，其特征在于，
从所述整流面释放的气体是非活性气体。
16.一种激光处理方法，对被处理体相对地扫描并照射激光，其特征在于，
在面向位于照射位置的所述被处理体的位置上具有整流面，
从该整流面对被所述激光照射的照射区域释放第一气体，并且至少在扫描方向上在所述整流面的释放第一气体的区域的双边外侧，进行第二气体的释放和气体的吸引中的一方或双方。
17.如权利要求16所述的激光处理方法，其特征在于，
在释放所述第一气体时，在所述整流面的释放第一气体的区域的双侧方侧，还进行第三气体的释放和气体的吸引中的一方或双方。
18.如权利要求16或17所述的激光处理方法，其特征在于，
所述气体的吸引根据所述第一气体的释放量来决定吸引量。
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