CN105549319B - 掩膜版及掩膜曝光方法、掩膜系统和图形控制装置 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种掩膜版及掩膜曝光方法、掩膜系统和图形控制装置。本发明提供的掩膜版，具有图形控制层，该图形控制层包括透光单元、与各个透过单元相连的控制电路；所述控制电路与各个透光单元相连，用于控制每一个透光单元在透光状态和不透光状态之间进行转换，以形成不同的掩膜图案。这样就可以通过控制电路对各个透光单元进行控制，使得该掩膜版能够提供不同的掩膜图形，从而使得该掩膜版应用于不同的图案化工艺中，从而降低开发制作掩膜版所需的成本。并且本发明中，通过在所述图形控制层的出光方向或入光方向上设置用于将接收到的光线转换为平行光线后出射的光线转换层，能够很好的控制光线入射到被曝光的基板上的位置，从而提高曝光精度。

Description

掩膜版及掩膜曝光方法、掩膜系统和图形控制装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其是涉及一种掩膜版及掩膜曝光方法、掩膜系统和图形控制装置。
背景技术
在显示装置的制作过程中，往往需要采用掩膜版进行曝光显影。比如在制作有机电激光显示(Organic Light-Emitting Diode，OLED)装置时，涉及到采用封框胶对各个基板封装的过程，该过程一般是首先在一块基板上涂覆封框胶，之后再将另一块基板与该基板进行对盒封装后，采用掩膜版对封框胶进行照射固化。一般的，一种掩膜版仅对应于一种掩膜图形，在需要制作新的产品时，就要重新开发和制作掩膜版，成本较高。
发明内容
本发明的一个目的在于提供一种掩膜图形可变化的掩膜版，以降低面板制作过程中掩膜版成本。
第一方面提供了一种掩膜版，包括图形控制层和光线转换层；所述图形控制层包括多个透光单元、与各个透过单元相连的控制电路；
所述控制电路与各个透光单元相连，用于控制每一个透光单元在透光状态和不透光状态之间进行转换，以形成不同的掩膜图案；
所述光线转换层设置在所述图形控制层的出光方向或入光方向上，用于将入射的光线转换为平行光线后出射。
进一步的，每一个透光单元包括盒体，以及设置在所述盒体内的带电遮光颗粒，设置在所述盒体内垂直于入光方向的内壁上的第一电极、第二电极、第三电极和第四电极；所述盒体划分为透光区域和遮光区域；
其中第一电极和第二电极位于所述盒体的遮光区域，第三电极和第四电极位于盒体内的透光区域；各个电极相互平行，第一电极位于遮光区域远离透光区域的一侧，第二电极位于遮光区域靠近透光区域的一侧；第三电极位于透光区域靠近遮光区域的一侧，第四电极位于透光区域远离遮光区域的一侧；
所述控制电路连接各个透光单元的第一电极、第二电极、第三电极和第四电极；用于控制施加在各个电极的电压。
进一步的，所述带电遮光颗粒包括TiO2颗粒。
进一步的，所述带电遮光颗粒为带有正电的颗粒。
进一步的，所述控制电路形成在各个透光单元的遮光区域。
进一步的，所述光线转换层包括第一转换层、第二转换层和第三转换层；所述第二转换层位于所述第一转换层的出光方向上，所述第三转换层位于所述第二转换层的出光方向上；
所述第一转换层与所述第二转换层平行的其中一个表面为采用磨面设计，用于将入射到所述第一转换层的光线发散为面光源并出射到所述第二转换层上；
所述第二转换层用于将第一转换层出射的光线汇聚为多个点光源投射到所述第三转换层；
所述第三转换层包含多个透镜；多个透镜与各个点光源一一对应，用于将对应的点光源出射的光线转换为平行光线出射到所述图形控制层。
进一步的，所述第一转换层为玻璃基底；所述第二转换层通过制膜工艺形成在所述玻璃基底上；
所述图形控制层通过制膜工艺形成在所述第二转换层上。
第二方面，本发明提供了一种掩膜系统，包括：真空腔室、设置在所述真空腔室内的显示基板承载台；
所述真空腔室正对所述显示基板承载台的台面的内壁上设置有与所述显示基板承载台位置相对的掩膜窗口；
所述系统还包括第一石英基板、第二石英基板以及上述任一项所述掩膜版；
所述第一石英基板用于封盖所述掩膜窗口；
所述掩膜版设置在所述第一石英基板背离所述显示基板承载台的一面上；
所述第二石英基板设置在所述掩膜版背离所述第一石英基板的一面上。
进一步的，所述第一石英基板的厚度大于所述第二石英基板的厚度。
第三方面，本发明提供了一种利用上述任一项所述的掩膜版进行掩膜曝光方法，包括：
通过所述控制电路对各个透光单元分别进行控制，使所述掩膜版形成需要的掩膜图形。
进一步的，所述方法包括：
在需要使一个透光单元切换到遮光状态时，在第二电极上不施加电压，在第一电极、第三电极和第四电极上施加电压，使得带电遮光颗粒在第三电极和第四电极之间均匀分布；之后在第二电极上施加电压，将带电遮光颗粒限制在透光区域；
在需要使一个透光单元切换到透光状态时，在第二电极上不施加电压，在第一电极、第三电极和第四电极上施加电压，使得带电遮光颗粒在遮光区域；之后在第二电极上施加电压，将带电遮光颗粒限制在遮光区域内。
第四方面，本发明提供了一种图形控制装置，用于对上述任一项所述的掩膜版进行图形控制，该图形控制装置包括：
图形控制单元，用于通过所述控制电路对各个透光单元分别进行控制，使所述掩膜版形成需要的掩膜图形。
本发明提供的掩膜版，具有图形控制层，该图形控制层包括透光单元、与各个透过单元相连的控制电路；所述控制电路与各个透光单元相连，用于控制每一个透光单元在透光状态和不透光状态之间进行转换，以形成不同的掩膜图案。这样就可以通过控制电路对各个透光单元进行控制，使得该掩膜版能够提供不同的掩膜图形，从而使得该掩膜版应用于不同的图案化工艺中，从而降低开发制作掩膜版所需的成本。并且本发明中，通过在所述图形控制层的出光方向或入光方向上设置用于将接收到的光线转换为平行光线后出射的光线转换层，能够很好的控制光线入射到被曝光的基板上的位置，从而提高曝光精度。
附图说明
通过参考附图会更加清楚的理解本发明的特征信息和优点，附图是示意性的而不应理解为对本发明进行任何限制，在附图中：
图1为本发明一实施例提供的一种掩膜版的整体的结构示意图；
图2a和图2b为图1中的透过单元的一种可能结构的结构示意图；
图3为本发明提供的一种掩膜曝光系统的结构示意图；
图4为本发明通过的掩膜版5可能显示的一种掩膜图形。
具体实施方式
为了能够更清楚地理解本发明的上述目的、特征和优点，下面结合附图和具体实施方式对本发明进行进一步的详细描述。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是，本发明还可以采用其他不同于在此描述的其他方式来实施，因此，本发明的保护范围并不受下面公开的具体实施例的限制。
第一方面，本发明提供了一种掩膜版，包括图形控制层和光线转换层；所述图形控制层包括多个透光单元、与各个透过单元相连的控制电路；
所述控制电路与各个透光单元相连，用于控制每一个透光单元在透光状态和不透光状态之间进行转换，以形成不同的掩膜图案；
所述光线转换层设置在所述图形控制层的出光方向或入光方向上，用于将入射的光线转换为平行光线后出射。
对于本发明提供的掩膜版，可以通过控制电路对各个透光单元进行控制，使得该掩膜版能够提供不同的掩膜图形，从而使得该掩膜版应用于不同的图案化工艺中，从而降低开发制作掩膜版所需的成本。并且本发明中，通过在所述图形控制层的出光方向或入光方向上设置用于将接收到的光线转换为平行光线后出射的光线转换层，能够很好的控制光线入射到被曝光的基板上的位置，从而提高曝光精度。
不难理解的是，这里的控制电路用于控制每一个透光单元在透光状态和不透光状态之间进行转换，以形成不同的掩膜图案是指：控制电路能够对每一个透光单元进行独立的控制，每一个透光单元的状态不受其他的透光状态的影响，从而可以通过该控制电路对各个透光单元进行控制，使得各个透光单元可以组成多种不同的掩膜图形。
第二方面，本发明还提供了一种利用第一方面所述的掩膜版进行掩膜曝光方法，包括：
通过所述控制电路对各个透光单元分别进行控制，使所述掩膜版形成需要的掩膜图形。
在具体实施时，这里的掩膜曝光方法可以借助于相应的图形控制装置实现，具体来说，可以在图形控制装置中设置一个图形控制单元，并设置该图形控制单元用于通过所述控制电路对各个透光单元分别进行控制，使所述掩膜版形成需要的掩膜图形。
在具体实施时，在能够实现相应的功能的前提下，控制电路、光线转换层以及透光单元的结构具体如何设计，并不会影响本发明的保护范围，本发明提供的掩膜版也可能表现为多种不同的形式，相应的利用该掩膜版进行曝光显影的方法也可能存在差异。下面结合附图进行进一步的说明。
参见图1、图2a和图2b，为本发明一实施例提供的掩膜版的结构示意图，包括图形控制层100和设置在图形控制层100下方的光线转换层200，为了方便说明，假设在应用时，用于掩膜曝光的UV光自下向上传播，即光线转换层200位于图形控制层100的入光方向上；
其中图形控制层100，包括多个透光单元110和未在图中示出的控制电路，每一个透光单元110的结构可以参见图2a和图2b，包括盒体115，以及设置在盒体115内的带电遮光颗粒116，设置在盒体111内的内侧底面的第一电极111、第二电极112、第三电极113和第四电极114；其中，盒体115可以划分为透光区域T1和遮光区域T2；其中第一电极111和第二电极112位于遮光区域T2(遮光区域T2内设置有遮光材料117，通过该遮光材料117实现遮光)，第三电极113和第四电极114位于盒体内的透光区域T1；各个电极相互平行，第一电极111位于遮光区域T2远离透光区域T1的一侧(即位于遮光区域T2的左侧)，第二电极112位于遮光区域T2靠近透光区域T1的一侧(即位于遮光区域T2的右侧)；第三电极113位于透光区域T1靠近遮光区域T2的一侧(即位于透光区域T1的左侧)，第四电极114位于透光区域远离遮光区域的一侧(即位于透光区域T1的右侧)；
控制电路连接各个透光单元110的第一电极111、第二电极112、第三电极113和第四电极114；用于控制施加在各个电极的电压。
利用该实施例提供的掩膜版进行掩膜曝光时，可以通过如下方式实现对掩膜版中的每一个透光单元进行控制以使得掩膜版具有特定的图形：
在需要使一个透光单元110切换到透光状态时，在第二电极112上不施加电压，在第一电极111、第三电极113和第四电极114上施加电压，使得第三电极113和第四电极114之间形成电场，从而使得带电遮光颗粒115在第三电极113和第四电极114之间均匀分布；之后在第二电极112上施加电压，将带电遮光颗粒115在遮光区域T2；此时，透光单元110的状态可以参见图2a；
在需要使一个透光单元110切换到遮光状态时，在第二电极112上不施加电压，在第一电极111、第三电极113和第四电极114上施加电压，使得带电遮光颗粒115在第三电极113和第四电极114之间均匀分布；之后在第二电极112上施加电压，将带电遮光颗粒115限制在透光区域T1内；此时，透光单元110的状态可以参见图2b。
图1中的透光单元110中第二电极112起到了闸门的作用，在第二电极112被施加电压时，能够使得带电遮光颗粒115稳定到当前所在区域，从而使得相应的掩膜版能够稳定的掩模图形。另外，由于透光区域T2的两侧设置了两个电极T3和T4，能够形成均匀的电场，使得带电遮光颗粒115在透过区域T2内均匀分布。当然在具体实施时，在能够在相应的控制电路下在透光状态和不透光状态之间转换的前提下，透光单元110具体如何设置不会影响本发明的实施，相应的技术方案均应该落入本发明的保护范围。
在具体实施时，这里的带电遮光颗粒115可以采用TiO2等材料制作。其上施加的电荷可以为正电荷，也可以为负电荷。
另外，在具体实施时，上述的控制电路可以具体形成在遮光区域T2内，比如上述的控制电路可以包含多个子控制电路，每一个子控制电路用于对应的控制一个透光单元，该子控制电路形成在该透光单元的遮光区域内。
同样参见图1，还示出了光线转换层200的一种可选的结构，该光线转换层200具体包括第一转换层210、第二转换层220和第三转换层230，其中第二转换层220位于第一转换层210的出光方向上，第三转换层230位于第二转换层220的出光方向上；
第一转换层210的下表面采用磨面设计，用于将入射到第一转换层210的光线发散为面光源并出射到所述第二转换层220上；
第二转换层220用于将第一转换层210出射的光线汇聚为多个点光源A投射到所述第三转换层230；
第三转换层230包含多个透镜B；多个透镜B与各个点光源A一一对应，用于将对应的点光源出射的光线转换为平行光线出射到图形控制层100。
在具体实施时，这里的第一转换层210本身可以具体为毛玻璃，第二转换层220可以通过制膜工艺(比如图案化工艺)形成在该毛玻璃上。这样可以降低这里的光线转换层200的整体厚度。另外第三转换层230也可以通过制膜工艺形成在第二转换层220上，这样同样可以降低这里的光线转换层200的整体厚度。当然在具体实施时，这里的第一转换层210也可以通过其他结构实现，比如可以在普通的玻璃基底上制作一层散射层，该散射层用于将入射到第一转换层210的光线发散，从而使得第一转换层210作为一个面光源。
不难理解的是，在具体实施时，每一个点光源A应位于其对应的透镜B的焦距处。
另外不难理解的是，虽然在图1中是以光线转换层200位于图形控制层100的入光方向上进行的说明，但是在实际应用中，将光线转换层200设置在图形控制层100的出光方向上时，也能够使得经掩膜版出射的光线为平行光，相应的技术方案也能够达到本发明的基本目的，也应该落入本发明的保护范围。
基于第一方面提供掩膜版，本发明还提供了一种掩膜曝光系统，参见图3，该掩膜曝光系统包括：真空腔室1、设置在所述真空腔室1内的显示基板承载台2；真空腔室1正对显示基板承载台的台面的内壁上设置有与显示基板承载台2位置相对的掩膜窗口；
该系统还包括第一石英基板3、第二石英基板4以及第一方面任一项所述的掩膜版5；
第一石英基板3用于封盖掩膜窗口；
掩膜版5设置在第一石英基板3背离显示基板承载台2的一面上；
第二石英基板4设置在掩膜版5背离第一石英基板3的一面上。
为了方便说明，图中还示出了UV灯6、UV灯光闸7(shutter)、用于控制掩膜版5进行图形变换的图形控制器8；用于封装上述的掩膜版5和第二石英基板4的封装盖板9、以及被曝光的面板10。图3所示的掩膜曝光系统可以配合图形控制器8使用，在不打开真空腔室的前提下实现掩膜版图形的更换。参见图4为上述的掩膜版5所可能显示的一种掩膜图形，该包括透光区域Z1和不透光区域Z2，其中透光区域Z1是由于该区域的透光单元在控制电路的控制下处于透光状态，而不透光区域Z2是由于该区域的透光单元在控制电路的控制下处于不透光状态。
同时在图3中示出的掩膜系统中，使用两个石英基板对掩膜版5进行防护，由于石英基板具有较大的强度，能够很好的对掩膜版5进行保护。另外在具体实施时，可以将这里的第一石英基板3的厚度设置为大于第二石英基板4的厚度，以进一步增强第一石英基板3的强度，避免第一石英基板3被大气压强压断。
另外，图3所示的掩膜曝光系统中，掩膜版5设置在第一石英基板3背离显示基板承载台2的一面上，而第一石英基板3用于封盖掩膜窗口，这样在实际应用中，可以在非真空环境下安装或者调整掩膜版5，降低了掩膜版5的安装难度。
在具体实施时，可以按照如图3所示的方式，将掩膜版5设置在距离显示基板承载台2较远的位置，或者也可以将掩膜版5设置在距离显示基板承载台2较近的位置。具体如何设置掩膜版5相对于显示基板承载台2的距离不是本发明所要的关心的内容，相应的技术方案也均应该落入本发明的保护范围。
虽然结合附图描述了本发明的实施方式，但是本领域技术人员可以在不脱离本发明的精神和范围的情况下做出各种修改和变型，这样的修改和变型均落入由所附权利要求所限定的范围之内。

Claims (11)

1.一种掩膜版，其特征在于，包括图形控制层和光线转换层；所述图形控制层包括多个透光单元和控制电路；
所述控制电路与各个透光单元相连，用于控制每一个透光单元在透光状态和不透光状态之间进行转换，以形成不同的掩膜图案；
所述光线转换层设置在所述图形控制层的出光方向或入光方向上，用于将入射的光线转换为平行光线后出射；
所述光线转换层包括第一转换层、第二转换层和第三转换层；所述第二转换层位于所述第一转换层的出光方向上，所述第三转换层位于所述第二转换层的出光方向上；
所述第一转换层采用磨面设计，用于将入射到所述第一转换层的光线发散为面光源并出射到所述第二转换层上；
所述第二转换层用于将第一转换层出射的光线汇聚为多个点光源投射到所述第三转换层；
所述第三转换层包含多个透镜；多个透镜与各个点光源一一对应，用于将对应的点光源出射的光线转换为平行光线出射到所述图形控制层。
2.如权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，每一个透光单元包括盒体，以及设置在所述盒体内的带电遮光颗粒，设置在所述盒体内垂直于入光方向的内壁上的第一电极、第二电极、第三电极和第四电极；所述盒体划分为透光区域和遮光区域；
其中第一电极和第二电极位于所述盒体的遮光区域，第三电极和第四电极位于盒体内的透光区域；各个电极相互平行，第一电极位于遮光区域远离透光区域的一侧，第二电极位于遮光区域靠近透光区域的一侧；第三电极位于透光区域靠近遮光区域的一侧，第四电极位于透光区域远离遮光区域的一侧；
所述控制电路连接各个透光单元的第一电极、第二电极、第三电极和第四电极；用于控制施加在各个电极的电压。
3.如权利要求2所述的掩膜版，其特征在于，所述带电遮光颗粒包括TiO2颗粒。
4.如权利要求2所述的掩膜版，其特征在于，所述带电遮光颗粒为带有正电的颗粒。
5.如权利要求2所述的掩膜版，其特征在于，所述控制电路形成在各个透光单元的遮光区域。
6.如权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述第一转换层为玻璃基底；所述第二转换层通过制膜工艺形成在所述玻璃基底上；
所述图形控制层通过制膜工艺形成在所述第二转换层上。
7.一种掩膜系统，其特征在于，包括：真空腔室、设置在所述真空腔室内的显示基板承载台；
所述真空腔室正对所述显示基板承载台的台面的内壁上设置有与所述显示基板承载台位置相对的掩膜窗口；
所述系统还包括第一石英基板、第二石英基板以及如权利要求1-6任一项所述掩膜版；
所述第一石英基板用于封盖所述掩膜窗口；
所述掩膜版设置在所述第一石英基板背离所述显示基板承载台的一面上；
所述第二石英基板设置在所述掩膜版背离所述第一石英基板的一面上。
8.如权利要求7所述的掩膜系统，其特征在于，所述第一石英基板的厚度大于所述第二石英基板的厚度。
9.一种利用如权利要求1-6任一项所述的掩膜版进行掩膜曝光方法，其特征在于，包括：
通过所述控制电路对各个透光单元分别进行控制，使所述掩膜版形成需要的掩膜图形。
10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述掩膜版为如权利要求2-4任一项所述的掩膜版，所述方法包括：
在需要使一个透光单元切换到遮光状态时，在第二电极上不施加电压，在第一电极、第三电极和第四电极上施加电压，使得带电遮光颗粒在第三电极和第四电极之间均匀分布；之后在第二电极上施加电压，将带电遮光颗粒限制在透光区域；
在需要使一个透光单元切换到透光状态时，在第二电极上不施加电压，在第一电极、第三电极和第四电极上施加电压，使得带电遮光颗粒在遮光区域；之后在第二电极上施加电压，将带电遮光颗粒限制在遮光区域内。
11.一种图形控制装置，其特征在于，用于如权利要求1-6任一项所述的掩膜版进行图形控制，该图形控制装置包括：
图形控制单元，用于通过所述控制电路对各个透光单元分别进行控制，使所述掩膜版形成需要的掩膜图形。
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105549319B (zh) * 2016-02-25 2019-10-25 京东方科技集团股份有限公司 掩膜版及掩膜曝光方法、掩膜系统和图形控制装置
CN108284672B (zh) * 2018-01-18 2020-08-28 杭州旗捷科技有限公司 一种耗材状态指示系统、方法及其所用模块和耗材容器
CN108873598B (zh) * 2018-08-16 2021-10-12 京东方科技集团股份有限公司 掩模装置及其控制方法
CN109061958B (zh) * 2018-08-30 2021-12-31 京东方科技集团股份有限公司 一种掩膜版及其控制方法
CN114859649A (zh) * 2022-04-11 2022-08-05 西湖大学 掩模版、光刻装置和用于制造掩模版的方法

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4050814A (en) * 1974-12-24 1977-09-27 Rockwell International Corporation Programmable light control matrix device
JPS6266990A (ja) 1985-09-20 1987-03-26 Nippon Oil Co Ltd 記録媒体の記録方法
US6291110B1 (en) * 1997-06-27 2001-09-18 Pixelligent Technologies Llc Methods for transferring a two-dimensional programmable exposure pattern for photolithography
US6775857B2 (en) * 2002-08-08 2004-08-17 John M. Hughes, Jr. Drain fitting device for sealing and facilitating introduction of fluid or gas to pressurize clogged drain
US6994939B1 (en) * 2002-10-29 2006-02-07 Advanced Micro Devices, Inc. Semiconductor manufacturing resolution enhancement system and method for simultaneously patterning different feature types
JP2005003964A (ja) * 2003-06-12 2005-01-06 Fuji Xerox Co Ltd 画像表示媒体、画像表示装置、及び画像表示方法
JP4370924B2 (ja) * 2003-08-27 2009-11-25 株式会社ニコン 真空装置、真空装置の運転方法、露光装置、及び露光装置の運転方法
JP4297103B2 (ja) * 2005-02-17 2009-07-15 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器
US20090023609A1 (en) * 2005-12-08 2009-01-22 Moon Youn Jung Programmable mask for fabricating biomolecule array or polymer array, apparatus for fabricating biomolecule array or polymer array including the programmable mask, and method of fabricating biomolecule array or polymer array using the programmable mask and photochemical synthesis apparatus
CN100418571C (zh) 2006-01-19 2008-09-17 邢法田 治疗心脑血管病的药丸及其制备方法
US20080137032A1 (en) * 2006-12-06 2008-06-12 General Electric Company Optical lens and method of manufacturing
JP4449974B2 (ja) * 2006-12-12 2010-04-14 セイコーエプソン株式会社 電気光学パネル、電気光学装置、及び電気光学装置の駆動方法
CN101813881B (zh) * 2009-02-20 2012-02-29 北京京东方光电科技有限公司 半色调掩模版及其制造方法
CN101840149B (zh) 2009-03-20 2012-05-30 北京京东方光电科技有限公司 掩膜板及其制造方法和掩膜曝光方法
CN101840150B (zh) * 2009-03-20 2012-05-30 北京京东方光电科技有限公司 可调节图形尺寸的掩模版及其制造方法
CN102142362B (zh) 2010-02-02 2012-10-10 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 利用金属化合物的电泳沉积图案进行光刻的方法
FR2959025B1 (fr) * 2010-04-20 2013-11-15 St Microelectronics Rousset Procede et dispositif de photolithographie
CN102466963A (zh) 2010-11-12 2012-05-23 北京京东方光电科技有限公司 一种掩膜版及一种掩膜曝光的方法
KR20120108565A (ko) * 2011-03-24 2012-10-05 엘지디스플레이 주식회사 반사판과 이를 포함하는 디스플레이 장치
TWI438564B (zh) 2011-12-23 2014-05-21 Au Optronics Corp 光罩及其製造方法
CN102646696B (zh) * 2012-01-16 2014-10-22 京东方科技集团股份有限公司 一种有机发光二极管显示装置、制作方法及显示系统
CN202443226U (zh) * 2012-01-20 2012-09-19 京东方科技集团股份有限公司 一种掩模板及其电压控制系统
US8917439B2 (en) * 2012-02-09 2014-12-23 E Ink California, Llc Shutter mode for color display devices
CN102645835A (zh) 2012-05-22 2012-08-22 林璧光 一种单镜头一次拍摄立体影像的成像装置
JP5962229B2 (ja) * 2012-06-05 2016-08-03 三菱電機株式会社 表示装置
US10278676B2 (en) * 2012-06-27 2019-05-07 Michael J. Vaillancourt Safety shield for a needle assembly
CN104076613B (zh) 2013-03-27 2016-12-28 上海微电子装备有限公司 基于圆形掩模的步进扫描光刻机及其曝光方法
WO2016015987A1 (en) * 2014-07-28 2016-02-04 Asml Netherlands B.V. Illumination system, inspection apparatus including such an illumination system, inspection method and manufacturing method
US10170274B2 (en) * 2015-03-18 2019-01-01 Battelle Memorial Institute TEM phase contrast imaging with image plane phase grating
CN105549319B (zh) 2016-02-25 2019-10-25 京东方科技集团股份有限公司 掩膜版及掩膜曝光方法、掩膜系统和图形控制装置

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