CN109061958B - 一种掩膜版及其控制方法 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例提供一种掩膜版及其控制方法，涉及掩膜版技术领域，能够解决现有技术中因一种掩膜版仅能用于形成一种掩膜图案而导致的生产成本增加的问题；该掩膜版包括：相对设置的第一基板和第二基板，以及位于第一基板和第二基板之间的功能层；该功能层主要由功能颗粒均匀排列而成，且功能颗粒在垂直电场的作用下能够发生聚集重排；且该功能颗粒不透光；第一基板上设置有第一电极，第二基板上设置有第二电极；第一电极和第二电极构成多个均匀分布的垂直电压发生单元。

Description

一种掩膜版及其控制方法
技术领域
本发明涉及掩膜版技术领域，尤其涉及一种掩膜版及其控制方法。
背景技术
电子产品在制作过程中，往往需要采用掩膜版来形成各种图案膜层，由于一张掩膜版只能形成一种图案膜层，从而使得对于不同的电子产品或者即使同一电子产品的生产过程中，往往需要针对不同的图案膜层设计不同的掩膜版，从而导致了生产成本的增加。
发明内容
本发明的实施例提供一种掩膜版及其控制方法，能够解决现有技术中因一种掩膜版仅能用于形成一种掩膜图案而导致的生产成本增加的问题。
为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：
本发明实施例另一方面提供一种掩膜版，所述掩膜版包括：相对设置的第一基板和第二基板，以及位于所述第一基板和所述第二基板之间的功能层；所述功能层主要由功能颗粒均匀排列而成，且所述功能颗粒在垂直电场的作用下能够发生聚集重排，且所述功能颗粒不透光；所述第一基板上设置有第一电极，所述第二基板上设置有第二电极；所述第一电极和所述第二电极构成多个均匀分布的垂直电压发生单元。
可选的，所述功能层为主要由纳米晶磁颗粒均匀排布而成的纳米晶磁层。
可选的，所述第一电极包括：分散设置的条状电极和/或块状电极；所述第二电极包括：与所述第一电极中的所有条状电极和/或块状电极相对设置的面状电极；或者，所述第二电极包括：与所述第一电极中的所述条状电极和/或所述块状电极相对设置的条状电极和/或块状电极。
可选的，所述第一电极和所述第二电极均由条状电极构成；所述第一电极中的条状电极包括：多个等间距平行设置、且至少贯穿所述掩膜版的有效掩膜区域的第一条状电极；以及多个等间距平行设置、且至少贯穿所述掩膜版的有效掩膜区域的第二条状电极；所述第一条状电极和所述第二条状电极垂直；所述第二电极中的条状电极包括：与每一所述第一条状电极一一相对设置、且至少贯穿所述掩膜版的有效掩膜区域的多个第三条状电极；以及与每一所述第二条状电极一一相对设置、且至少贯穿所述掩膜版的有效掩膜区域的多个第四条状电极；相对设置的一组所述第一条状电极和所述第三条状电极构成一个所述垂直电压发生单元；相对设置的一组所述第二条状电极和所述第四条状电极构成一个所述垂直电压发生单元。
可选的，所述第一电极和所述第二电极均由块状电极构成；所述第一电极中的块状电极包括：均匀分布的多个第一块状电极；所述第一电极中的块状电极包括：与每一所述第一块状电极一一相对设置的多个第二块状电极；相对设置的一组所述第一块状电极和所述第二块状电极构成一个所述垂直电压发生单元。
可选的，所述第二电极为面状电极；所述第一电极包括：均匀分布的多个块状电极；且该多个块状电极与所述面状电极构成所述多个均匀分布的垂直电压发生单元；或者，所述第一电极包括：多个等间距平行设置、且至少贯穿所述掩膜版的有效掩膜区域的第五条状电极，以及多个等间距平行设置、且至少贯穿所述掩膜版的有效掩膜区域的第六条状电极；所述第五条状电极和所述第六条状电极垂直；多个所述第五条状电极和多个所述第六条状电极，与所述面状电极构成所述多个均匀分布的垂直电压发生单元。
可选的，所述面状电极为透明电极。
可选的，所述条状电极和/或所述块状电极为金属电极。
可选的，所述条状电极的宽度为2μm～50μm；沿所述条状电极的宽度方向上相邻两个条状电极的间距为条状电极的宽度5倍～10倍。
本发明实施例另一方面还提供一种前述的掩膜版的控制方法，该控制方法包括：向所述掩膜版的第一电极和第二电极分别输入第一电压和第二电压，以控制部分垂直电压发生单元形成垂直电场，使得形成有垂直电场的区域构成所述掩膜版的遮光区，未形成垂直电场的区域构成所述掩膜版的透光区，所述第一电压与所述第二电压不同。
本发明实施例一种掩膜版及其控制方法，该掩膜版包括：相对设置的第一基板和第二基板，以及位于第一基板和第二基板之间的功能层；该功能层主要由功能颗粒均匀排列而成，且功能颗粒在垂直电场的作用下能够发生聚集重排；且该功能颗粒不透光；第一基板上设置有第一电极，第二基板上设置有第二电极；第一电极和第二电极构成多个均匀分布的垂直电压发生单元。
相比于现有技术中，针对不同的掩膜需求，需要设计不同图案的掩膜版而言，本发明中的掩膜版，根据实际的需要，通过控制第一电极和第二电极之间的功能层中的功能颗粒聚集重排，使得第一电极和第二电极构成的多个均匀分布的垂直电压发生单元中的部分，形成垂直电场，并在垂直电场的作用下不透光的功能颗粒从未形成垂直电场的区域聚集至形成垂直电场的区域，进而使得形成有垂直电场的区域构成掩膜版的遮光区，未形成垂直电场的区域构成掩膜版的透光区；也即本发明中的掩膜版可以根据实际的掩膜图案需求，通过控制垂直电压发生单元是否产生电场，来实现掩膜版中透光区和遮光区的界定和调整，从而得到满足不同掩膜图案需求的掩膜版。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的一种掩膜版的结构示意图；
图2为图1沿O-O’位置的剖面示意图；
图3为图2在工作状态下的结构示意图；
图4为本发明实施例提供的一种掩膜版的中电极的设计结构示意图；
图5为本发明实施例提供的另一种掩膜版的中电极的设计结构示意图；
图6为本发明实施例提供的另一种掩膜版的中电极的设计结构示意图；
图7为本发明实施例提供的另一种掩膜版的中电极的设计结构示意图。
附图标记：
01-掩膜版；10-第一基板；20-第二基板；30-功能层；100-第一电极；200-第二电极；11-第一条状电极；12-第二条状电极；13-第三条状电极；14-第四条状电极；15-第五条状电极；16-第六条状电极；110-第一块状电极；210-第二块状电极；A-有效掩膜区域；B1-遮光区；B2-透光区；S、S’-垂直电压发生单元。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
除非另外定义，本发明实施例中使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本发明实施例中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
首先，本领域的技术人员应当理解到，对于掩膜版而言，一般包括有效掩膜区域，以及位于有效掩膜区域四周的边缘区域；当然，有效掩膜区域作为掩膜版的实际进行掩膜的区域，在有效掩膜区域一般设置有镂空图案，该镂空图案构成掩膜版的透光区，镂空图案四周的非镂区构成掩膜版的遮光区，并在实际的曝光掩膜中，利用该镂空图案来形成实际需要的掩膜图案。
本发明实施例提供一种掩膜版，如图1和图2(图1沿O-O’位置的剖面图)所示，该掩膜版01包括相对设置的第一基板10和第二基板20，以及位于第一基板10和第二基板20之间的功能层30；其中，该功能层30主要由功能颗粒分布排列而成，且该功能颗粒不透光；实际中，优选的，该功能层30主要由纳米晶磁颗粒均匀排布而成纳米晶磁层；但本发明并不限制于此，以下实施例均是以此为例，对本发明做进一步的说明。
在此基础上，参考图2，第一基板10上设置有第一电极100，第二基板20上设置有第二电极200；第一电极100和第二电极200构成多个均匀分布于垂直电压发生单元S；可以理解的是，需要进行实际的掩膜，该多个均匀分布于垂直电压发生单元S至少应均匀分布于有效掩膜区域A中。
在此情况下，参考图3(图2中掩膜版在工作状态下的示意图)，在有效掩膜区域A中的部分垂直电压发生单元S’形成的垂直电场的作用下(灰色电极代表施加有电信号，形成垂直电场)，功能层30(纳米晶磁层)中位于未形成垂直电场的区域的功能颗粒(纳米晶磁颗粒)移动至形成有垂直电场的区域、并发生聚集重排，以使得形成有垂直电场的区域构成掩膜版01的遮光区B1，未形成垂直电场的区域构成掩膜版A的透光区B2。
相比于现有技术中，针对不同的掩膜需求，需要设计不同图案的掩膜版而言，本发明中的掩膜版，根据实际的需要，通过控制第一电极和第二电极之间的功能层中的功能颗粒聚集重排，使得第一电极和第二电极构成的多个均匀分布的垂直电压发生单元中的部分，形成垂直电场，并在垂直电场的作用下不透光的功能颗粒从未形成垂直电场的区域聚集至形成垂直电场的区域，进而使得形成有垂直电场的区域构成掩膜版的遮光区，未形成垂直电场的区域构成掩膜版的透光区；也即本发明中的掩膜版可以根据实际的掩膜图案需求，通过控制垂直电压发生单元是否产生电场，来实现掩膜版中透光区和遮光区的界定和调整，从而得到满足不同掩膜图案需求的掩膜版。
需要说明的是，本发明中，对于形成多个均匀分布的垂直电压发生单元S的第一电极100和第二电极200的具体设置形式不作限定。
具体的，上述第一电极100可以包括：分散设置的条状电极；也可以包括：分散设置的块状电极；还可以包括：分散设置条状电极和块状电极。
对于上述第二电极200而言：
在一些实施例中，第二电极200可以包括：与第一电极100中的所有条状电极、块状电极相对设置的面状电极，也即第二电极200包括与第一电极100整体相对设置的面状电极；该面状电极与第一电极100中条状电极、块状电极分别形成前述的垂直电压发生单元S，通过控制各条状电极、块状电极是否施加电信号以及施加的电信号的大小，来控制各垂直电压发生单元S是否产生电场以及电场强度的大小。
在一些实施例中，上述第二电极200还可以包括：与第一电极100中的每一条状电极一一相对设置的条状电极；相对设置的一组条状电极构成前述的一个垂直电压发生单元S，通过控制一组相对设置的条状电极上是否施加电信号以及施加的电信号的大小，来控制各垂直电压发生单元S是否产生垂直电场以及电场强度的大小。
在一些实施例中，上述第二电极200还可以包括：与第一电极100中的每一块状电极一一相对设置的块状电极；相对设置的一组块状电极构成前述的一个垂直电压发生单元S，通过控制一组相对设置的块状电极上是否施加电信号以及施加的电信号的大小，来控制各垂直电压发生单元S是否产生垂直电场以及电场强度的大小。
在一些实施例中，上述第二电极200还可以包括：与第一电极100中的条状电极相对设置的多个块状电极，也即每一条状电极分别与多个块状电极相对设置，此时一个条状电极与多个块状电极构成多个垂直电压发生单元S，可以通过对的多个块状电极分别进行控制，来控制各垂直电压发生单元S是否产生垂直电场以及电场强度的大小。
在一些实施例中，第一电极100同时包括条状电极和块状电极，第二电极200可以是面状电极，也可以是同时包括条状电极和块状电极；对于第一电极100和第二电极200均同时包括条状电极和块状电极的情况下，可以是条状电极与条状电极相对，块状电极与块状电极，也可以是一个条状电极与多个块状电极相对等等，本发明对此不作具体限定。
此处需要说明的是，对于前述的条状电极、块状电极、面状电极的具体区分，实际是以整个有效掩膜区域A为参考的，对于面状电极而言，是指至少覆盖整个有效掩膜区域A的电极，对于条状电极和块状电极，并不覆盖有效掩膜区域A，至少需要保证在有效掩膜区域A中分散的设置有多个条状电极、块状电极以保证形成前述的多个均匀分布与有效掩膜区域A的垂直电压发生单元S。
在此基础上，对于上述面状电极、块状电极、条状电极而言，应当理解到，对于面状电极而言，由于其覆盖掩膜版的整个有效掩膜区域A，为了保证光线能够正常透过掩膜版，该面状电极一般为透明电极，可以是采用透明导电材料形成的导电膜层，示意的，如ITO(氧化铟锡，Indium tin oxide)；也可以采用进行金属材料形成的导电薄膜。
对于块状电极、条状电极而言，其可以透明电极，也可以是非透明电极，本发明对此不作具体限定，只要保证电极本身不对透过掩膜版的光线造成太大的干扰，影响正常的掩膜即可。
当然，一般考虑到金属材料的电阻较小，优选的，块状电极、条状电极为采用金属材料形成的金属电极，例如铜、铝等；可以理解的是，金属电极本身不具有透光性，或者透光性很差；因此需要保证相邻的金属电极之间设置有足够的间隙，以保证掩膜版的正常透光性。
示意的，在一些实施例中，对于条状电极为金属电极的情况下，可以设置条状电极的宽度为2μm～50μm；并且沿条状电极的宽度方向上相邻两个条状电极的间距为金属电极的宽度5倍～10倍，也即为10μm～500μm。
具体的，如果条状电极的宽度小于2μm，条状电极太窄，使得形成电场的区域太窄，不利于遮光区宽度的控制；如果条状电极的宽度大于50μm，条状电极太宽，使得掩膜版在电极位置形成不透光区域，进而对掩膜造成不良影响，并且对于一些需要形成较窄的遮光区的图案则无法满足，因此，实际中优选的条状电极的宽度为2μm～50μm。
另外，如果沿条状电极的宽度方向上相邻两个条状电极的间距小于金属电极的宽度5倍，也即条状电极密度过大，使得掩膜版的透光效果较差；如果沿条状电极的宽度方向上相邻两个条状电极的间距大于金属电极的宽度10倍，也即条状电极密度过小，对于一些需要形成较密集的遮光区的图案则无法满足，因此，实际中优选的沿条状电极的宽度方向上相邻两个条状电极的间距为金属电极的宽度5倍～10倍。
在另一些实施例中，对于块状电极为金属电极的情况下，可以设置块状电极的长度和宽度均小于2μm，且沿块状电极的长度和宽度方向，相邻两个块状电极的间距为块状电极的长度或宽度的5倍～10倍，具体理由同前述条状电极采用金属电极的情形，此处不再具体赘述。
另外，还需要说明的，对于相邻的垂直电压发生单元S之间的位置，实际中，通过控制垂直电压发生单元S产生的电场强度，控制纳米晶磁颗粒的聚集程度，实现对相邻的垂直电压发生单元S之间位置处的遮光或透光的效果的控制。
另外，以下通过具体实施例对上述“第一电极100和第二电极200构成多个均匀分布的垂直电压发生单元S”做进一步的说明。
需要说明的是，本发明中对于第一基板10和第二基板20中一个作为上基板，另一个作为下基板，说明书附图中仅是示意的以第一基板10为上基板，第二基板20为下基板为例进行说明的；另外，本发明附图中的图4、图5、图6、图7，仅是为了清楚的对电极的设置情况进行说明，而将两个基板分别示出，且并未示出其中的功能层，而并不应该视为不合理或者不清楚。
实施例一
如图4所示，位于第一基板10上的第一电极100和位于第二基板20上的第二电极200均由条状电极构成。
其中，第一电极100中的条状电极包括：多个等间距平行设置、且至少贯穿有效掩膜区域A的第一条状电极11，以及多个等间距平行设置、且至少贯穿有效掩膜区域A的第二条状电极12，且第一条状电极11和第二条状电极12的延伸方向不同，一般优选的，第一条状电极11和第二条状电极12垂直。
第二电极200中的条状电极包括：与每一第一条状电极11一一相对设置、且至少贯穿有效掩膜区域A的多个第三条状电极13，以及与每一第二条状电极12一一相对设置、且至少贯穿有效掩膜区域A的多个第四条状电极14；必然的，第三条状电极13与第一条状电极11的延伸方向一致，第四条状电极14与第二条状电极12的延伸方向一致。
可以理解的是，第一条状电极11和第二条状电极12之间通过绝缘层隔离，以保证第一条状电极11和第二条状电极12能够正常的进行电信号的传输；同理如第三条状电极13和第四条状电极14。
在此情况下，参考图4，相对设置的一组第一条状电极11和第三条状电极13构成一个垂直电压发生单元S；相对设置的一组第二条状电极12和第四条状电极14构成一个垂直电压发生单元S。
其中，需要说明的是，本发明中“相对设置”是指描述关联对象的相对位置，表示两者之间正对设置；或者说，两者在第一基板或者第二基板上的正投影至少具有重叠区域；当然优选的，一般为，两者在第一基板或者第二基板上的正投影至少一个覆盖另一个，或者重合)。
示意的，参考图4，以上述掩膜版在采用负性光刻胶通过曝光掩膜形成矩阵排列的彩色滤光图案为例。
上述第一条状电极11和第三条状电极13的延伸方向为栅线的延伸方向，也即行方向；第二条状电极12和第四条状电极14的延伸方向为数据线的延伸方向，也即列方向。
可以向掩膜版01中，对应相邻行彩色滤光图案之间的位置处设置的第一条状电极11和第三条状电极13分别施加不同的电信号，同时向相邻列彩色滤光图案之间的位置处设置的第二条状电极12和第四条状电极14分别施加不同的电信号，以使得掩膜版在相邻行彩色滤光图案之间以及相邻列彩色滤光图案之间的位置形成垂直电场，进而使得纳米晶磁层中位于未形成垂直电场的区域的纳米晶磁颗粒移动至形成有垂直电场的区域、并发生聚集重排，从而使得该掩膜版在对应相邻行彩色滤光图案之间以及相邻列彩色滤光图案之间的位置形成遮光区B1，对应彩色滤光图案的位置形成透光区B2。
这样一来，通过曝光工艺即可对位于彩色滤光层上方的光阻层(负性光刻胶)对应彩色滤光图案的位置进行曝光，然后在通过显影液对光阻层位于相邻行彩色滤光图案之间以及相邻列彩色滤光图案之间的位置的非曝光区域进行溶解，从而通过后续的刻蚀、剥离等工艺完成对彩色滤光图案的制作。
可以理解的是，实际中可以通过控制各电极上施加的电信号的大小，来控制形成的电场强度的大小，进而控制纳米晶磁颗粒的聚集程度，来满足不同尺寸、不同规格的不同产品中对彩色滤光图案的要求；例如，可以通过增大电极上施加的电压，来提高电场的强度，进而可以增大形成的遮光区的宽度。
实施例二
如图5所示，位于第一基板10上的第一电极100和位于第二基板20上的第二电极200均由块状电极构成。
其中，第一电极100包括：均匀分布(例如可以是成矩阵排布)的多个第一块状电极110；第二电极200包括：与每一第一块状电极110一一相对设置的多个第二块状电极210(可以理解的是，第二块状电极210与第一块状电极110的分布方式相同)，相对设置的一组第一块状电极110和第二块状电极210构成一个垂直电压发生单元S。
当然，在该设置方式下，应当理解到，由多个第一块状电极110和多个第二块状电极210的构成的多个垂直电压发生单元S，可以进行单独控制，以根据实际的需求，在有效掩膜区域A形成具有任一图案的遮光区和透光区的掩膜版01。
另外，对于第一块状电极110和第二块状电极210而言，可以采用金属材料，也可以采用透明导电材料；其中，为了避免块状电极(包括第一块状电极110和第二块状电极210)自身影响有效掩膜区域A的透光性，造成实际需要形成透光区的位置，光线无法正常透过，进而对正常掩膜造成不良影响，实际中，优选的，第一块状电极110和第二块状电极210采用透明导电材质形成，例如ITO。
实施例三
如图6、图7所示，位于第二基板20上的第二电极200为面状电极。
对于位于第一基板10上的第一电极100而言：
在一些实施例中，如图6所示，第一电极100包括：均匀分布的多个块状电极，且该多个块状电极与作为第二电极200的面状电极构成多个均匀分布的垂直电压发生单元S。
在一些实施例中，如图7所示，该第一电极100包括：多个等间距平行设置、至少贯穿有效掩膜区域A的多个第五条状电极15，以及多个等间距平行设置、且至少贯穿有效掩膜区域A的多个第六条状电极16；其中，第五条状电极15和第六条状电极16的延伸方向不同，一般优选的两者垂直；在此情况下，多个第五条状电极15和多个第六条状电极16，与面状电极(第二电极200)构成多个均匀分布的垂直电压发生单元S。
当然可以理解的是，第五条状电极15和第六条状电极16之间通过绝缘层隔离，以保证第五条状电极15和第六条状电极16能够正常的进行电信号的传输。
本发明实施例还提供一种对前述实施例提供的掩膜版01的控制方法，该控制方法包括：
向掩膜版01的第一电极100和第二电极200分别输入第一电压和第二电压，以控制位于部分垂直电压发生单元S形成垂直电场，使得形成有垂直电场的区域构成掩膜版01的遮光区，未形成垂直电场的区域构成掩膜版01的透光区，第一电压与第二电压不同。
以前述实施例一提供的第一电极100和第二电极200设计方式为例，也即，第一电极100包括：沿第一方向上贯穿有效掩膜区域A的多个平行设置、且均匀分散的第一条状电极11，以及沿第二方向上贯穿有效掩膜区域A的多个平行设置、且均匀分散的第二条状电极12；第二电极200包括：与每一第一条状电极11一一相对设置的多个第三条状电极13，以及与每一第二条状电极12一一相对设置的多个第四条状电极14的情况下，该掩膜版在采用正性光刻胶通过曝光掩膜形成位于彩膜基板上的黑矩阵图案BM(位于彩色滤光图案的四周)为例，对上述控制方法做进一步的说明。
上述控制方法具体包括：
向掩膜版中，对应相邻行亚像素开口之间的位置处设置的第一条状电极11和第三条状电极13分别施加不同的电信号(第一电压与第二电压)。
同时向相邻列亚像素开口之间的位置处设置的第二条状电极12和第四条状电极14分别施加不同的电信号(第一电压与第二电压)。
这样一来，掩膜版在相邻行亚像素开口之间以及相邻列亚像素开口之间的位置形成垂直电场，进而使得纳米晶磁层中位于未形成垂直电场的区域的纳米晶磁颗粒移动至形成有垂直电场的区域、并发生聚集重排，从而使得该掩膜版在对应相邻行亚像素之间以及相邻列亚像素开口之间的位置形成遮光区B1，对应亚像素开口的位置形成透光区B2。
通过曝光工艺即可对位于黑矩阵层上方的光阻层(正性光刻胶)亚像素开口的位置进行曝光，然后在通过显影液对光阻层位于亚像素开口的位置的曝光区域进行溶解，从而通过后续的刻蚀、剥离等工艺完成对网格状的黑矩阵图案的制作。
当然，实际中通过调整不同位置的电极实际电信号来满足，不同尺寸、不同规格的不同产品中对黑矩阵图案的要求。
本领域普通技术人员可以理解：实现上述方法实施例的全部或部分步骤可以通过程序指令相关的硬件来完成，前述的程序可以存储于一计算机可读取存储介质中，该程序在执行时，执行包括上述方法实施例的步骤；而前述的存储介质包括：ROM、RAM、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (3)

1.一种掩膜版，其特征在于，所述掩膜版包括：相对设置的第一基板和第二基板，以及位于所述第一基板和所述第二基板之间的功能层；
所述功能层主要由功能颗粒均匀排列而成，且所述功能颗粒在垂直电场的作用下能够发生聚集重排，且所述功能颗粒不透光；
所述第一基板上设置有第一电极，所述第二基板上设置有第二电极；所述第一电极和所述第二电极构成多个均匀分布的垂直电压发生单元；
所述第一电极和所述第二电极均由条状电极构成；
所述条状电极为金属电极；
所述条状电极的宽度为2μm~50μm；
沿所述条状电极的宽度方向上相邻两个条状电极的间距为条状电极的宽度5倍~10倍；
所述第一电极中的条状电极包括：多个等间距平行设置、且至少贯穿所述掩膜版的有效掩膜区域的第一条状电极；以及多个等间距平行设置、且至少贯穿所述掩膜版的有效掩膜区域的第二条状电极；
所述第一条状电极和所述第二条状电极垂直；
所述第二电极中的条状电极包括：与每一所述第一条状电极一一相对设置、且至少贯穿所述掩膜版的有效掩膜区域的多个第三条状电极；以及与每一所述第二条状电极一一相对设置、且至少贯穿所述掩膜版的有效掩膜区域的多个第四条状电极；
相对设置的一组所述第一条状电极和所述第三条状电极构成一个所述垂直电压发生单元；相对设置的一组所述第二条状电极和所述第四条状电极构成一个所述垂直电压发生单元。
2.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述功能层为主要由纳米晶磁颗粒均匀排布而成的纳米晶磁层。
3.一种权利要求1-2任一项所述的掩膜版的控制方法，其特征在于，所述控制方法包括：
向所述掩膜版的第一电极和第二电极分别输入第一电压和第二电压，以控制部分垂直电压发生单元形成垂直电场，使得形成有垂直电场的区域构成所述掩膜版的遮光区，未形成垂直电场的区域构成所述掩膜版的透光区，所述第一电压与所述第二电压不同。
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