CN216956590U - 阵列基板及液晶显示面板 - Google Patents

Abstract

本公开涉及显示技术领域，具体涉及一种阵列基板和液晶显示面板，阵列基板可包括衬底基板和设置在所述衬底基板上的多个子像素，所述子像素包括晶体管及色阻；其中，所述多个子像素包括绿色子像素，所述绿色子像素的色阻为绿色色阻，所述绿色色阻在所述衬底基板上的正投影与所述晶体管在所述衬底基板上的正投影不存在交叠。本公开在设计阵列基板时，通过使得绿色色阻在衬底基板上的正投影与晶体管在衬底基板上的正投影不存在交叠，这样在镭射修复过程中，可减少绿色色阻暴露，从而可避免或缓解绿色色阻中Br离子析出而与液晶成分发生反应并造成液晶成分被污染的情况，继而可达到改善异物暗的情况，提高成盒段镭射修补的成功率，继而提升良率。

Description

阵列基板及液晶显示面板

技术领域

本公开属于显示技术领域，具体涉及一种阵列基板及液晶显示面板。

背景技术

随着整个TFT(薄膜晶体管)行业的快速发展，市场对TFT-LCD(薄膜晶体管液晶显示器)产品提出更多高品质需求。

其中，在生产制造过程中，像素电路容易出现不良的情况，从而容易产生像素亮点等问题。目前，为了改善由于像素电路不良引起的像素亮点，通常在成盒阶段使用镭射修补，但镭射修复时，能量同步击穿绿色阻上的绝缘层，并容易导致绿色色阻中的Br离子析出，在高温作用下呈游离态的Br离子与液晶成分发生反应，造成液晶成分被污染，从而容易出现异物暗的情况，即：造成亮暗点。

实用新型内容

本公开的目的在于提供一种阵列基板及液晶显示面板，能够改善显示过程中出现异物暗的情况。

本公开第一方面提供了一种阵列基板，包括衬底基板和设置在所述衬底基板上的多个子像素，所述子像素包括晶体管及色阻；

所述多个子像素包括绿色子像素，所述绿色子像素的色阻为绿色色阻，所述绿色色阻在所述衬底基板上的正投影与所述晶体管在所述衬底基板上的正投影不存在交叠。

在本公开的一种示例性实施例中，所述绿色色阻在所述衬底基板上的正投影与所述晶体管在所述衬底基板上的正投影存在间隔。

在本公开的一种示例性实施例中，所述绿色色阻在所述衬底基板上的正投影与所述晶体管在所述衬底基板上的正投影之间的间隔大于或等于1μm。

在本公开的一种示例性实施例中，所述绿色色阻在所述衬底基板上的正投影与所述晶体管在所述衬底基板上的正投影之间的间隔小于或等于2μm。

在本公开的一种示例性实施例中，所述多个子像素还包括红色子像素和蓝色子像素，所述红色子像素的色阻为红色色阻，所述蓝色子像素的色阻为蓝色色阻；其中，

所述红色色阻在所述衬底基板上的正投影覆盖所述绿色子像素的晶体管在所述衬底基板上的正投影，并与所述绿色子像素在所述衬底基板上的正投影相接；或

所述蓝色色阻在所述衬底基板上的正投影覆盖所述绿色子像素的晶体管在所述衬底基板上的正投影，并与所述绿色子像素在所述衬底基板上的正投影相接。

在本公开的一种示例性实施例中，所述阵列基板还包括平坦层，所述平坦层覆盖各所述子像素的晶体管；

其中，所述绿色子像素的晶体管与所述平坦层之间无色阻，所述红色子像素的晶体管与所述平坦层之间具有所述红色色阻，所述蓝色子像素的晶体管与所述平坦层之间具有所述蓝色色阻。

在本公开的一种示例性实施例中，所述阵列基板还包括扫描信号线和公共信号线；

所述扫描信号线和所述公共信号线均在行方向上延伸，并在列方向上间隔排布；

所述晶体管的栅极与所述扫描信号线和所述公共信号线同层设置，且所述晶体管的栅极与所述扫描信号线相连接；

其中，所述绿色色阻在所述衬底基板上的正投影与所述扫描信号线和所述公共信号线在所述衬底基板上的正投影均不存在交叠。

在本公开的一种示例性实施例中，所述绿色色阻在所述衬底基板上的正投影与所述公共信号线和所述扫描信号线在所述衬底基板上的正投影之间的间隔取值范围为1μm至2μm。

本公开第二方面提供了一种液晶显示面板，所述液晶显示面板包括上述任一项所述的阵列基板、与所述阵列基板对盒设置的对置基板及位于所述阵列基板与所述对置基板之间的液晶分子，所述对置基板包括遮挡层，所述遮挡层至少遮挡所述晶体管。

在本公开的一种示例性实施例中，所述绿色色阻的边缘被所述遮挡层遮挡。

本公开方案的有益效果：

本公开在设计阵列基板时，通过使得绿色色阻在衬底基板上的正投影与晶体管在衬底基板上的正投影不存在交叠，这样在镭射修复过程中，可减少绿色色阻暴露，从而可避免或缓解绿色色阻中Br离子析出而与液晶成分发生反应并造成液晶成分被污染的情况，继而可达到改善异物暗的情况，提高成盒段镭射修补的成功率，继而提升良率。

本公开的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然，或部分地通过本公开的实践而习得。

应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。

附图说明

此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1示出了本公开实施例一所述的一种阵列基板的截面示意图；

图2示出了本公开实施例一所述的另一种阵列基板的截面示意图；

图3示出了本公开实施例一所述的一种阵列基板与遮挡层的平面关系示意图；

图4示出了本公开实施例一所述的另一种阵列基板与遮挡层的平面关系示意图；

图5示出了本公开实施例二所述的一种阵列基板的截面示意图；

图6示出了本公开实施例三所述的一种液晶显示面板的截面示意图。

附图标记说明：

10、衬底基板；11a、绿色子像素；11b、红色子像素；11c、蓝色子像素；110、红色色阻；111、绿色色阻；112、蓝色色阻；113、晶体管；1130、有源层；1130a、源掺杂区；1130b、漏掺杂区；1131、栅极；1132、源极；1133、漏极；114、绝缘层；115、扫描信号线；116、公共信号线；117、钝化层；118、平坦层；119、像素电极；20、隔垫物；21、基底；22、遮挡层；23、公共电极；X、行方向；Y、列方向。

具体实施方式

现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的范例；相反，提供这些实施方式使得本公开将更加全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。

在本公开中，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本公开的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

此外，所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施例中。在下面的描述中，提供许多具体细节从而给出对本公开的实施例的充分理解。然而，本领域技术人员将意识到，可以实践本公开的技术方案而没有特定细节中的一个或更多，或者可以采用其它的方法、组元、装置、步骤等。在其它情况下，不详细示出或描述公知方法、装置、实现或者操作以避免模糊本公开的各方面。

实施例一

本公开实施例一提供了一种阵列基板，此阵列基板可应用于液晶显示面板中。结合图1至图4所示，阵列基板可包括衬底基板10和设置在衬底基板10上的多个子像素，子像素包括晶体管113及色阻；其中，多个子像素包括绿色子像素11a，绿色子像素11a的色阻为绿色色阻111，绿色色阻111在衬底基板10上的正投影与晶体管113在衬底基板10上的正投影不存在交叠。

本公开在设计阵列基板时，通过使得绿色色阻111在衬底基板10上的正投影与晶体管113在衬底基板10上的正投影不存在交叠，这样在镭射修复过程中，可减少绿色色阻111暴露，从而可避免或缓解绿色色阻111中Br离子析出而与液晶成分发生反应并造成液晶成分被污染的情况，继而可达到改善异物暗的情况，提高成盒段镭射修补的成功率，继而提升良率。

应当理解的是，由于色阻与晶体管113设置在同一衬底基板10上，因此可知，本公开实施例的显示技术可为COA(Color Filter on Array，色彩滤镜矩阵)技术。

此外，还需要说明的是，本公开实施例的阵列基板除了包括前面提到的结构，还可包括扫描信号线、公共信号线、数据信号线、绝缘层、平坦层、隔垫物等等。

下面结合附图对本公开实施例的阵列基板的结构进行详细说明。

衬底基板10可单层结构，例如：单层玻璃基板，但不限于此，也可为多层结构，例如：玻璃与PI(聚酰亚胺)堆叠在一起等等，视具体情况而定。

多个子像素可阵列排布在衬底基板10上。具体地，子像素可包括晶体管113及色阻，但不限于此，还可包括像素电极和存储电容。

其中，如图3和图4所示，晶体管113可包括有源层1130、栅极1131、源极1132和漏极1133，此源极1132和漏极1133同层设置。举例而言，本公开实施例的晶体管113可为底栅型，即：栅极1131可位于有源层1130靠近衬底基板10的一侧，并与有源层1130之间可设置有绝缘层114，此绝缘层114可为无机绝缘层。源极1132和漏极1133分别与有源层1130两端的源掺杂区1130a和漏掺杂区1130b搭接；但不限于此，此晶体管也可为顶栅型，即：栅极可位于有源层远离衬底基板的一侧，并与有源层之间可设置有绝缘层，而源极和漏极位于栅极远离衬底基板的一侧，且与栅极之间设置有绝缘层，其中，源极和漏极可通过绝缘层上的过孔结构与有源层两端的源掺杂区和漏掺杂区连接。

在本公开的实施例中，栅极1131、源极1132、漏极1133等可采用金属材料制作而成，例如包括钼、铝及钛等等，以保证其良好的导电性能，但不限于此，也可采用其他具有良好导电性能的材料制作而成。

存储电容的第一极(图中未示出)可采用金属材料制作而成。举例而言，在本公开的晶体管113为底栅型时，存储电容的第一极可与晶体管113的栅极1131同层设置。

应该理解的是，在本公开中，“同层设置”指的是采用同一成膜工艺形成用于形成特定图形的膜层，然后利用同一掩模板通过一次构图工艺形成的层结构。即一次构图工艺对应一道掩模板(mask，也称光罩)。根据特定图形的不同，一次构图工艺可能包括多次曝光、显影或刻蚀工艺，而形成的层结构中的特定图形可以是连续的也可以是不连续的，这些特定图形还可能处于不同的高度或者具有不同的厚度，从而简化制作工艺，节省制作成本，提高生产效率。

应当理解的是，为了避免信号串扰，存储电容的第一极与晶体管113的栅极1131应间隔设置。且存储电容的第一极整体可呈环形线框状，光线可穿过环形线框所围的区域射出。

如图3和图4所示，扫描信号线115和公共信号线116均在行方向X上延伸，并在列方向Y上间隔排布。举例而言，此扫描信号线115和公共信号线116同层设置。其中，扫描信号线115与晶体管113的栅极1131相连接，也可理解为栅极1131为扫描信号线115的一部分；公共信号线116可与存储电容的第一极连接。

数据信号线(图中未标示出)可在列方向Y上延伸，并与晶体管113的源漏极1133同层设置。其中，数据信号线可与晶体管113的源极1132连接，以为子像素提供数据信号。

其中，如图1和图2所示，在形成完晶体管113的源极1132、漏极1133和数据信号线之后，可在衬底基板10上制作一层钝化层117，此钝化层117可覆盖晶体管113的源极1132、漏极1133和数据信号线。

色阻可在钝化层117之后形成。具体地，结合图1至图4所示，本公开实施例的子像素除了包括前述提到的绿色子像素11a之外，还可包括红色子像素11b和蓝色子像素11c，红色子像素11b对应的色阻为红色色阻110，蓝色子像素11c对应的色阻为蓝色色阻112。也就是说，本公开实施例可存在三种颜色的子像素，因此，对应三种颜色色阻，其中，红色色阻110、绿色色阻111和蓝色色阻112可依次形成在衬底基板10上，应当理解的是，本公开实施例不对红色色阻110、绿色色阻111和蓝色色阻112的形成顺序做具体限定。

举例而言，在行方向X上依次排布的红、绿、蓝色子像素11a、11b、11c可构成一个像素单元，此像素单元可设置多个，并在行方向X和列方向Y上阵列排布。换言之，每列像素单元可包括一列红色子像素，一列绿色子像素和一列蓝色子像素。其中，一列红色子像素中对应的红色色阻110、一列蓝色子像素中对应的蓝色色阻112均可呈条状设计，也就是说，一列红色子像素可共用一条在列方向Y上延伸的红色色阻110，一列蓝色子像素可共用一条在列方向Y上延伸的蓝色色阻112。

但基于前述内容可知，为了避免或缓解在镭射修复过程中由于绿色色阻111中Br离子析出而与液晶成分发生反应并造成液晶成分被污染的情况，需要使得绿色色阻111在衬底基板10上的正投影与晶体管113在衬底基板10上的正投影不存在交叠，因此，在一列绿色子像素中，各绿色子像素11a的绿色色阻111呈断开设计，也可以理解为，各绿色子像素11a的绿色色阻111呈岛状设计。

可选地，绿色色阻111在衬底基板10上的正投影与晶体管113在衬底基板10上的正投影存在间隔，这样在镭射修复过程中，可减小绿色色阻111暴露的情况，从而降低液晶分子被污染的情况，改善异物暗，降低良率损失。

举例而言，此绿色色阻111在衬底基板10上的正投影与晶体管113在衬底基板10上的正投影之间的间隔大于或等于1μm，以进一步减小绿色色阻111在镭射修复过程暴露的情况。

进一步地，绿色色阻111在衬底基板10上的正投影与晶体管113在衬底基板10上的正投影之间的间隔小于或等于2μm，这样在减小绿色色阻111在镭射修复过程暴露情况的同时，还可保证绿色色阻111的面积，从而保证绿色光线的强度，继而可保证整体良好显示效果。

示例地，绿色色阻111在衬底基板10上的正投影与晶体管113在衬底基板10上的正投影之间的间隔可为1μm、1.2μm、1.4μm、1.6μm、1.8μm、2μm等等。

在一些实施例中，如图3和图4所示，绿色色阻111在衬底基板10上的正投影也可与扫描信号线115和公共信号线116在衬底基板10上的正投影均不存在交叠，这样在镭射修复扫描信号线115和公共信号线116的过程中，也可缓解或改善由于绿色色阻111中Br离子析出而与液晶成分发生反应并造成液晶成分被污染的情况。

进一步地，绿色色阻111在衬底基板10上的正投影与公共信号线116和扫描信号线115在衬底基板10上的正投影之间的间隔取值范围为1μm至2μm，比如：1μm、1.2μm、1.4μm、1.6μm、1.8μm、2μm等等，这样在减小绿色色阻111在镭射修复过程暴露情况的同时，还可保证绿色色阻111的面积，从而保证绿色光线的强度，继而可保证整体良好显示效果。

需要说明的是，由于数据信号线处很少会需要进行镭射修补，因此，绿色色阻111在衬底基板10上的正投影与数据信号线在衬底基板10上的正投影可存在交叠，也可不存在交叠，视具体情况而定，在此不作特殊限定。

其中，前述提到为了避免或缓解在镭射修复过程中由于绿色色阻111中Br离子析出而与液晶成分发生反应并造成液晶成分被污染的情况，需要使得绿色子像素11a的晶体管113处没有绿色色阻111覆盖，基于此，为了保证各晶体管113处平整且厚度一致，以便于设置隔垫物保持盒厚，可采用红色色阻110(如图1所示)或者蓝色色阻112(如图2所示)对绿色子像素11a的晶体管113处进行平整处理。

也就是说，红色色阻110在衬底基板10上的正投影覆盖绿色子像素11a的晶体管113在衬底基板10上的正投影；或蓝色色阻112在衬底基板10上的正投影覆盖绿色子像素11a的晶体管113在衬底基板10上的正投影，这样不需要额外的掩膜工序即可实现绿色子像素11a的晶体管113处的平整处理，以降低成本。

应当理解的是，在采用红色色阻110对绿色子像素11a的晶体管113处进行平整处理时，此时需要重新设计与红色色阻110和绿色色阻111对应的掩膜板，而蓝色色阻112对应的掩膜板可不需要重新设计；同理，在采用蓝色色阻112对绿色子像素11a的晶体管113处进行平整处理时，此时需要重新设计与蓝色色阻112和绿色色阻111对应的掩膜板，而红色色阻110对应的掩膜板可不需要重新设计。

进一步地，在采用红色色阻110对绿色子像素11a的晶体管113处进行平整处理时，红色色阻110可与绿色子像素11a在衬底基板10上的正投影相接，以降低红色色阻110对应掩膜板的设计难度。同理，在采用蓝色色阻112对绿色子像素11a的晶体管113处进行平整处理时，蓝色色阻112可与绿色子像素11a在衬底基板10上的正投影相接，以降低蓝色色阻112对应掩膜板的设计难度。

在设计完整个色阻所在层之后，如图1和图2所示，本公开实施例可设置平坦层118，此平坦层118可覆盖各子像素的晶体管113，应当理解的是，各子像素的晶体管113处的平坦层118顶面可平齐。此外，还应当理解的是，此平坦层118还可覆盖其他结构，在此不作具体详细说明。

像素电极119可与存储电容的第一极在衬底基板上的正投影相对，并作为存储电容的第二极。此像素电极119可采用透明导电材料制作而成，例如：ITO(氧化铟锡)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)等，以提高光透过率。其中，像素电极119可通过过程结构与晶体管113的漏极1133电连接。

举例而言，此像素电极119可为狭缝电极，也可为无缝隙的平面电极，视具体情况而定。

隔垫物20可设置在晶体管113处对应的平坦层118上，此隔垫物20可用于维持盒厚。

实施例二

本公开实施例二又提供了另一种阵列基板，其与实施例一的主要区别在于：实施例一采用红色色阻110或者蓝色色阻112对绿色子像素11a的晶体管113处进行平整处理，而实施例二直接利用平坦层118对绿色子像素11a的晶体管113处进行平整处理，如图5所示。

具体地，在本实施例二中，平坦层118覆盖各子像素的晶体管113，应当理解的是，各子像素的晶体管113处的平坦层118顶面可平齐。

其中，绿色子像素11a的晶体管113与平坦层118之间无色阻，而红色子像素11b的晶体管113与平坦层118之间具有红色色阻110，绿色子像素11a的晶体管113与平坦层118之间具有绿色色阻111。

也就是说，本实施例二直接利用平坦层118对绿色子像素11a的晶体管113处进行平整处理，并未利用红色色阻110或蓝色色阻112进行平整处理，这样设计无需对红色色阻110和蓝色色阻112对应的掩膜板进行重新设计，只需要重新设计绿色色阻111对应的掩膜板即可，以降低设计成本。

应当理解的是，本实施例二的其与设计可参考实施例一，在此不作重复赘述。

实施例三

本公开实施例三还提供了一种液晶显示面板，液晶显示面板包括实施例一或实施例二所描述的阵列基板，以及还包括与阵列基板对盒设置的对置基板，及位于阵列基板与对置基板之间的液晶分子(图中未示出)。

在本公开的实施例中，如图6所示，对置基板还包括基底21和设于基底21靠近阵列基板一侧的遮挡层22，基底21可为玻璃基底，但不限于此，遮挡层22可为黑矩阵(BM)，此遮挡层22可对晶体管113进行遮挡，另外，还可对数据信号线、公共信号线116、扫描信号线115等进行遮挡，以保证显示效果。

进一步地，本公开实施例的绿色色阻111的边缘也可被遮挡层22遮挡，这样可改善绿色色阻111处出现漏光的情况。

其中，对置基板还可包括公共电极23，此公共电极23可位于遮挡层22靠近阵列基板的一侧，此公共电极与像素电极119之间磁场产生变化，以用于驱动之间的液晶分子偏转。

应当理解的是，此公共电极23整面设置。其可为透明材料制作而成。

本公开实施例的液晶显示面板可配合背光模组形成液晶显示器，此液晶显示器可应用于电视、手机、平板、笔记本电脑等电子设备，在此不再赘述。

在本说明书的描述中，参考术语“一些实施例”、“示例地”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本公开的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。

尽管上面已经示出和描述了本公开的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本公开的限制，本领域的普通技术人员在本公开的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型，故但凡依本公开的权利要求和说明书所做的变化或修饰，皆应属于本公开专利涵盖的范围之内。

Claims (10)

1.一种阵列基板，包括衬底基板和设置在所述衬底基板上的多个子像素，所述子像素包括晶体管及色阻；其特征在于，

所述多个子像素包括绿色子像素，所述绿色子像素的色阻为绿色色阻，所述绿色色阻在所述衬底基板上的正投影与所述晶体管在所述衬底基板上的正投影不存在交叠。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述绿色色阻在所述衬底基板上的正投影与所述晶体管在所述衬底基板上的正投影存在间隔。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述绿色色阻在所述衬底基板上的正投影与所述晶体管在所述衬底基板上的正投影之间的间隔大于或等于1μm。

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述绿色色阻在所述衬底基板上的正投影与所述晶体管在所述衬底基板上的正投影之间的间隔小于或等于2μm。

5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述多个子像素还包括红色子像素和蓝色子像素，所述红色子像素的色阻为红色色阻，所述蓝色子像素的色阻为蓝色色阻；其中，

所述红色色阻在所述衬底基板上的正投影覆盖所述绿色子像素的晶体管在所述衬底基板上的正投影，并与所述绿色子像素在所述衬底基板上的正投影相接；或

所述蓝色色阻在所述衬底基板上的正投影覆盖所述绿色子像素的晶体管在所述衬底基板上的正投影，并与所述绿色子像素在所述衬底基板上的正投影相接。

6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括平坦层，所述平坦层覆盖各所述子像素的晶体管；

其中，所述绿色子像素的晶体管与所述平坦层之间无色阻，所述红色子像素的晶体管与所述平坦层之间具有所述红色色阻，所述蓝色子像素的晶体管与所述平坦层之间具有所述蓝色色阻。

7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括扫描信号线和公共信号线；

所述扫描信号线和所述公共信号线均在行方向上延伸，并在列方向上间隔排布；

所述晶体管的栅极与所述扫描信号线和所述公共信号线同层设置，且所述晶体管的栅极与所述扫描信号线相连接；

其中，所述绿色色阻在所述衬底基板上的正投影与所述扫描信号线和所述公共信号线在所述衬底基板上的正投影均不存在交叠。

8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述绿色色阻在所述衬底基板上的正投影与所述公共信号线和所述扫描信号线在所述衬底基板上的正投影之间的间隔取值范围为1μm至2μm。

9.一种液晶显示面板，其特征在于，所述液晶显示面板包括如权利要求1至8中任一项所述的阵列基板、与所述阵列基板对盒设置的对置基板及位于所述阵列基板与所述对置基板之间的液晶分子，所述对置基板包括遮挡层，所述遮挡层至少遮挡所述晶体管。

10.根据权利要求9所述的液晶显示面板，其特征在于，所述绿色色阻的边缘被所述遮挡层遮挡。

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