JP2005074466A - レーザ加工用ノズル及びレーザ加工機 - Google Patents
レーザ加工用ノズル及びレーザ加工機 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005074466A JP2005074466A JP2003307512A JP2003307512A JP2005074466A JP 2005074466 A JP2005074466 A JP 2005074466A JP 2003307512 A JP2003307512 A JP 2003307512A JP 2003307512 A JP2003307512 A JP 2003307512A JP 2005074466 A JP2005074466 A JP 2005074466A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- workpiece
- laser
- nozzle
- port
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Laser Beam Processing (AREA)
Abstract
【解決手段】 レーザ加工用ノズル18は、底面に中央にレーザ光が通過するレーザ照射口73が開口し、レーザ照射口73の外側には、第1のガス吐出口74,76が開口する。さらに、第1のガス吐出口74,76の外側には、第2のガス吐出口78,80が開口し、第2のガス吐出口78,80の外側には、ガス吸引口82,84が開口する。ガス吸引口82,84は、ガス吸引経路26a,26bと連通されており、内側に配置された第1のガス吐出口74,76及び第2のガス吐出口78,80から吐出されたガス、及びワーク14の移動によりレーザ加工用ノズル18とワーク14との隙間Sに巻き込まれた外気を真空ポンプ30の吸引力により吸い込む。これにより、レーザ光が照射されるワーク14の加工点付近に外気が侵入しないようにシールドすることが可能になる。
【選択図】 図2
Description
Film Transistor:TFT)から、多結晶シリコン半導体であるポリシリコンを用いた薄膜トランジスタへと移行されつつある。
ガス供給装置24は、酸素供給源36と、窒素供給源38と、酸素供給経路40に設けられた質量流量計(マス・フロー・コントローラ:MFC1)42と、窒素供給経路44に設けられた質量流量計(マス・フロー・コントローラ:MFC2)46と、酸素供給経路40からの酸素と窒素供給経路44からの窒素とを混合するミキサ48と、ミキサ48で混合されたガスを供給する第1、第2のガス供給経路A,Bとを有する。
図2及び図3に示されるように、レーザ加工用ノズル18は、ワーク14の幅方向(Y方向)に延在形成されており、且つY方向の全長LYがワーク14のY方向の幅LBよりも長く形成されている(LY>LB)。
レーザ照射口73から吐出されるガス流量をQ1、第1のガス吐出口74,76から吐出されるガス流量をQ2、第2のガス吐出口78,80から吐出されるガス流量をQ3、ガス吸引口82,84から吸引される吸引流量をQ4と、ワーク移動速度をVとする。
尚、上記(1)式のαは、レーザ光の長軸方向の寸法に対する余裕長さである。また、Q3は、予め実験により最適値を求める。
V=B×(1−R)×F …(2)
尚、上記(2)式において、Bは移動方向に対するレーザ光のビーム幅(2mm)、Rはラップ率(90%)、Fはレーザ周波数(20Hz)である。例えば、これらの数値を(2)式に入れると、ワーク速度V=4mm/secとなる。
図5に示されるように、レーザ照射口73からワーク14に吹き付けられたガス(流量Q1)は、ワーク移動方向(Xa方向)への流れaと逆方向(Xb方向)への流れbとなる。また、第1のガス吐出口74からワーク14に吹き付けられたガス(流量Q2)も、ワーク移動方向(Xa方向)への流れaと逆方向(Xb方向)への流れbとなる。
図6のS11で、制御装置70は、ワーク14をチャンバ12内に搬入し、XYステージ16に載置させる。次のS12では、予め設定されたワーク速度Vを読み込む。続いて、S13では、ワーク速度Vに基づいてガス供給装置24により生成された所定酸素濃度を有する窒素ガスの供給量(Q1〜Q3)を算出する。
図7に示されるように、レーザ加工用ノズル18の底面には、凹部110が設けられている。この凹部110は、レーザ加工用ノズル18の長手方向(Y方向)に延在しており、ワーク表面から離間するため、加工点の周囲に隙間Sよりも広い空間112を形成する。そして、凹部110には、レーザ照射口73と、レーザ照射口73の外側にガス濃度検出孔86と第1のガス吐出口74,76が開口する。
12 チャンバ
14 ワーク(ガラス基板)
16 XYステージ
18 レーザ加工用ノズル
20 レーザ発振器
22 光学系ユニット
24 ガス供給装置
26a,26b ガス吸引経路
30 真空ポンプ
34 酸素濃度計
36 酸素供給源
38 窒素供給源
48 ミキサ
56,58 開閉弁
62a〜62c,66a〜66c 流量調整弁
70 制御装置
72 記憶部
73 レーザ照射口
74,76 第1のガス吐出口
78,80 第2のガス吐出口
82,84 ガス吸引口
86 ガス濃度検出孔
88 第1の通路
90,92 第2の通路
94,96 第3の通路
98,100 吸引通路
102 レーザ入射口
106 保護ガラス
110 凹部
112 空間
Claims (7)
- ワークに近接する位置に設けられたノズル本体と、
該ノズル本体の内部に形成され、前記ワーク表面に照射されるレーザ光が通過する第1の通路と、
該第1の通路の外側に設けられ、レーザ光が照射される前記ワークの加工点の周囲にガスを吹き付ける第2の通路と、
該第2の通路の外側に設けられ、前記ワークの加工点より外側に向けてガスを吹き付ける第3の通路と、
該第3の通路の外側に設けられ、前記ワークに吹き付けられたガス及び外気を吸い込む吸引通路と、
を備えたことを特徴とするレーザ加工用ノズル。 - レーザ光が通過するレーザ照射口からワークにレーザ光を照射するノズルを有するレーザ加工機において、
前記レーザ照射口の外側で前記ワークにガスを吹き付けるガス吐出口を前記ノズル先端に設け、
前記ガス吐出口より外側で前記ガスを吸い込むガス吸引口を前記ノズル先端に設けたことを特徴とするレーザ加工機。 - 前記ガス吸引口は、前記ガス吐出口に対して前記ワーク移動方向の上流に配置されたことを特徴とする請求項2記載のレーザ加工機。
- 前記ガス吐出口から吐出されたガスは、周囲の気体を遮断するように前記レーザ光の照射位置を囲むように吐出され、前記ガス吸引口から吸引されることを特徴とする請求項2記載のレーザ加工機。
- 前記ガス吸引口から吸い込まれるガス流量を、前記ガス吐出口から吐出されたガスの流量と前記ワーク移動に伴って流入する外気の流量とを合計した流量とほぼ等しくなるように流量調整を行う流量調整手段を設けたことを特徴とする請求項2記載のレーザ加工機。
- 前記流量調整手段は、前記ワークの移動速度に応じて吸引量を調整することを特徴とする請求項5記載のレーザ加工機。
- レーザ光が通過するレーザ照射口からワークにレーザ光を照射するノズルを有するレーザ加工機において、
前記レーザ照射口の両側に前記ワークにガスを吹き付ける一対のガス吐出口を設け、
前記ガス吐出口の両側に前記ガスを吸い込む一対のガス吸引口を設け、
前記一対のガス吐出口及び前記一対のガス吸引口のうち前記ワークの移動方向に対して上流に位置するガス吐出口からガスを吐出させると共に、前記ワークの移動方向に対して上流に位置するガス吸引口からガスを吸引するように切り替える切替手段を設けたことを特徴とするレーザ加工機。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003307512A JP4130790B2 (ja) | 2003-08-29 | 2003-08-29 | レーザ加工機 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003307512A JP4130790B2 (ja) | 2003-08-29 | 2003-08-29 | レーザ加工機 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005074466A true JP2005074466A (ja) | 2005-03-24 |
JP4130790B2 JP4130790B2 (ja) | 2008-08-06 |
Family
ID=34410284
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003307512A Expired - Fee Related JP4130790B2 (ja) | 2003-08-29 | 2003-08-29 | レーザ加工機 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4130790B2 (ja) |
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006346737A (ja) * | 2005-06-20 | 2006-12-28 | Mitsubishi Electric Corp | レーザ加工装置およびレーザ加工方法 |
JP2007069249A (ja) * | 2005-09-07 | 2007-03-22 | Disco Abrasive Syst Ltd | レーザー加工装置 |
JP2007173782A (ja) * | 2005-11-23 | 2007-07-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | レーザ照射装置 |
JP2007288128A (ja) * | 2006-03-23 | 2007-11-01 | Ihi Corp | レーザアニール装置 |
JP2008244195A (ja) * | 2007-03-28 | 2008-10-09 | Ihi Corp | レーザアニール装置 |
JP2009099917A (ja) * | 2007-10-19 | 2009-05-07 | Ulvac Japan Ltd | レーザーアニール装置 |
JP2012054603A (ja) * | 2011-11-07 | 2012-03-15 | Japan Steel Works Ltd:The | レーザ処理装置 |
JP2012064963A (ja) * | 2011-11-18 | 2012-03-29 | Japan Steel Works Ltd:The | レーザ処理装置のガス噴射手段 |
KR101403459B1 (ko) | 2012-11-13 | 2014-06-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 레이저 열처리 장치 |
JP2014205159A (ja) * | 2013-04-11 | 2014-10-30 | 株式会社ディスコ | レーザー加工装置及びレーザー加工方法 |
WO2018074283A1 (ja) * | 2016-10-20 | 2018-04-26 | 株式会社日本製鋼所 | レーザ処理装置およびレーザ処理方法 |
RU180500U1 (ru) * | 2017-08-01 | 2018-06-14 | Игорь Александрович Зябрев | Технологическая головка для лазерной аддитивной технологии |
US10279430B2 (en) * | 2014-03-18 | 2019-05-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Nozzle of layered object manufacturing apparatus, and layered object manufacturing apparatus |
KR20200089398A (ko) * | 2019-01-17 | 2020-07-27 | 에이피시스템 주식회사 | 레이저 처리 장치 및 방법 |
JP2020179407A (ja) * | 2019-04-25 | 2020-11-05 | 株式会社タマリ工業 | ノズル及びそのノズルを用いたレーザ加工装置 |
US11355364B2 (en) * | 2015-10-26 | 2022-06-07 | Jsw Aktina System Co., Ltd. | Laser treatment device rectifier device and laser treatment device |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH116086A (ja) * | 1997-06-13 | 1999-01-12 | Japan Steel Works Ltd:The | レーザ光を用いた表面不要物除去装置 |
JPH118205A (ja) * | 1997-04-25 | 1999-01-12 | Sharp Corp | 半導体装置の製造方法およびレーザー光照射装置 |
JP2001321976A (ja) * | 2000-05-11 | 2001-11-20 | Hokkaido Univ | レーザ溶接方法、レーザ溶接装置及びレーザ溶接用ガスシールド装置 |
JP2002075904A (ja) * | 2000-09-04 | 2002-03-15 | Toshiba Corp | レーザアニール装置および多結晶シリコンの製造方法 |
-
2003
- 2003-08-29 JP JP2003307512A patent/JP4130790B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH118205A (ja) * | 1997-04-25 | 1999-01-12 | Sharp Corp | 半導体装置の製造方法およびレーザー光照射装置 |
JPH116086A (ja) * | 1997-06-13 | 1999-01-12 | Japan Steel Works Ltd:The | レーザ光を用いた表面不要物除去装置 |
JP2001321976A (ja) * | 2000-05-11 | 2001-11-20 | Hokkaido Univ | レーザ溶接方法、レーザ溶接装置及びレーザ溶接用ガスシールド装置 |
JP2002075904A (ja) * | 2000-09-04 | 2002-03-15 | Toshiba Corp | レーザアニール装置および多結晶シリコンの製造方法 |
Cited By (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006346737A (ja) * | 2005-06-20 | 2006-12-28 | Mitsubishi Electric Corp | レーザ加工装置およびレーザ加工方法 |
JP2007069249A (ja) * | 2005-09-07 | 2007-03-22 | Disco Abrasive Syst Ltd | レーザー加工装置 |
JP2007173782A (ja) * | 2005-11-23 | 2007-07-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | レーザ照射装置 |
JP4618515B2 (ja) * | 2006-03-23 | 2011-01-26 | 株式会社Ihi | レーザアニール装置 |
JP2007288128A (ja) * | 2006-03-23 | 2007-11-01 | Ihi Corp | レーザアニール装置 |
JP2008244195A (ja) * | 2007-03-28 | 2008-10-09 | Ihi Corp | レーザアニール装置 |
JP2009099917A (ja) * | 2007-10-19 | 2009-05-07 | Ulvac Japan Ltd | レーザーアニール装置 |
JP2012054603A (ja) * | 2011-11-07 | 2012-03-15 | Japan Steel Works Ltd:The | レーザ処理装置 |
JP2012064963A (ja) * | 2011-11-18 | 2012-03-29 | Japan Steel Works Ltd:The | レーザ処理装置のガス噴射手段 |
KR101403459B1 (ko) | 2012-11-13 | 2014-06-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 레이저 열처리 장치 |
JP2014112670A (ja) * | 2012-11-13 | 2014-06-19 | Ap Systems Inc | レーザー熱処理装置 |
JP2014205159A (ja) * | 2013-04-11 | 2014-10-30 | 株式会社ディスコ | レーザー加工装置及びレーザー加工方法 |
US10279430B2 (en) * | 2014-03-18 | 2019-05-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Nozzle of layered object manufacturing apparatus, and layered object manufacturing apparatus |
US11355364B2 (en) * | 2015-10-26 | 2022-06-07 | Jsw Aktina System Co., Ltd. | Laser treatment device rectifier device and laser treatment device |
WO2018074283A1 (ja) * | 2016-10-20 | 2018-04-26 | 株式会社日本製鋼所 | レーザ処理装置およびレーザ処理方法 |
CN109844907A (zh) * | 2016-10-20 | 2019-06-04 | 株式会社日本制钢所 | 激光处理装置和激光处理方法 |
JPWO2018074283A1 (ja) * | 2016-10-20 | 2019-08-22 | 株式会社日本製鋼所 | レーザ処理装置およびレーザ処理方法 |
JP7105187B2 (ja) | 2016-10-20 | 2022-07-22 | Jswアクティナシステム株式会社 | レーザ処理装置およびレーザ処理方法 |
US11810799B2 (en) * | 2016-10-20 | 2023-11-07 | Jsw Aktina System Co., Ltd. | Laser processing apparatus and laser processing method |
CN109844907B (zh) * | 2016-10-20 | 2024-02-27 | Jsw阿克迪纳系统有限公司 | 激光处理装置和激光处理方法 |
RU180500U1 (ru) * | 2017-08-01 | 2018-06-14 | Игорь Александрович Зябрев | Технологическая головка для лазерной аддитивной технологии |
KR20200089398A (ko) * | 2019-01-17 | 2020-07-27 | 에이피시스템 주식회사 | 레이저 처리 장치 및 방법 |
KR102599742B1 (ko) * | 2019-01-17 | 2023-11-08 | 에이피시스템 주식회사 | 레이저 처리 장치 및 방법 |
JP2020179407A (ja) * | 2019-04-25 | 2020-11-05 | 株式会社タマリ工業 | ノズル及びそのノズルを用いたレーザ加工装置 |
JP7330449B2 (ja) | 2019-04-25 | 2023-08-22 | 株式会社タマリ工業 | ノズル及びそのノズルを用いたレーザ加工装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4130790B2 (ja) | 2008-08-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4130790B2 (ja) | レーザ加工機 | |
KR100953462B1 (ko) | 막제거 장치, 막제거 방법 및 기판 처리 시스템 | |
US8575515B2 (en) | Laser annealing apparatus | |
EP1918061B1 (en) | Hybrid laser beam machining device | |
KR20030063380A (ko) | 상압 플라즈마 처리 방법 및 그 장치 | |
KR20110109849A (ko) | 기판처리장치 및 기판처리방법 | |
CN109844907B (zh) | 激光处理装置和激光处理方法 | |
US6969822B2 (en) | Laser micromachining systems | |
JP5037926B2 (ja) | レーザアニール装置 | |
JP2011125877A (ja) | レーザ加工方法及び装置 | |
JP5083708B2 (ja) | レーザアニール装置 | |
JP2006108271A (ja) | アモルファスシリコン膜をポリシリコン膜に変換するための方法および装置 | |
KR101101198B1 (ko) | 레이저 처리 장치 | |
JP2006147859A (ja) | 処理装置及び処理方法 | |
JP2006253285A (ja) | レーザ照射装置及びレーザ照射方法 | |
JP4612520B2 (ja) | 大気圧プラズマ処理装置 | |
KR100865479B1 (ko) | 불활성 가스 분위기 형성장치 및 이를 이용한 레이저어닐링 장치 | |
JP5774439B2 (ja) | レーザ処理装置 | |
KR100573144B1 (ko) | 반도체 활성층 결정화 방법, 이에 의한 반도체 활성층 및이를 구비하는 평판 디스플레이 장치 | |
JP2007317699A (ja) | 表面処理装置及び処理方法 | |
KR100533429B1 (ko) | 레이저를 이용한 비정질반도체의 다결정화 장치 및 방법 | |
JP2009170648A (ja) | プラズマエッチング装置 | |
US20220267909A1 (en) | Substrate processing method and substrate processing apparatus | |
JP5467578B2 (ja) | レーザ処理装置 | |
WO2009145030A1 (ja) | 半導体処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060803 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060808 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061010 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070814 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071012 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080513 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080523 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110530 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120530 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120530 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130530 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130530 Year of fee payment: 5 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |