CN109581812A - 感放射线性树脂组合物、半导体元件、显示装置、硬化膜及其制造方法 - Google Patents

感放射线性树脂组合物、半导体元件、显示装置、硬化膜及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN109581812A
CN109581812A CN201811098959.8A CN201811098959A CN109581812A CN 109581812 A CN109581812 A CN 109581812A CN 201811098959 A CN201811098959 A CN 201811098959A CN 109581812 A CN109581812 A CN 109581812A
Authority
CN
China
Prior art keywords
structural unit
radiation
resin composition
sensitive resin
acid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201811098959.8A
Other languages
English (en)
Inventor
成子朗人
浅冈高英
松本晃幸
工藤和生
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
JSR Corp
Original Assignee
JSR Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP2018145143A external-priority patent/JP7035889B2/ja
Application filed by JSR Corp filed Critical JSR Corp
Publication of CN109581812A publication Critical patent/CN109581812A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/075—Silicon-containing compounds
    • G03F7/0757—Macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
    • G03F7/2012—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image using liquid photohardening compositions, e.g. for the production of reliefs such as flexographic plates or stamps
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2022—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure
    • G03F7/203—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure comprising an imagewise exposure to electromagnetic radiation or corpuscular radiation

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)

Abstract

本发明提供一种可使放射线感度与所谓的PCD裕度、PED裕度特性并存的感放射线性树脂组合物、半导体元件、显示装置、硬化膜及其制造方法。所述感放射线性树脂组合物，包含：聚合体成分(A)，在相同或不同的聚合体中具有含有芳香环与直接键结于所述芳香环上的烷氧基硅烷基的结构单元(I)及含有酸性基的结构单元(II)(其中，源自芳香族不饱和羧酸及含羟基氟化烷基的单体的结构单元除外)；感放射线性化合物(B)；以及有机溶媒(G)。

Description

感放射线性树脂组合物、半导体元件、显示装置、硬化膜及其 制造方法
技术领域
本发明是涉及一种感放射线性树脂组合物、半导体元件、显示装置、硬化膜及其制造方法。
背景技术
在半导体元件中，通常使用层间绝缘膜、隔离片(spacer)、保护膜、彩色滤光片用的经图案化的着色膜(在本说明书中也称为“着色图案膜”)等硬化膜。作为所述硬化膜的形成材料，就用以形成经图案化的硬化膜(在本说明书中也称为“图案膜”)的工序数少且可获得高的表面硬度的方面而言，广泛使用感放射线性树脂组合物。
作为感放射线性树脂组合物，例如已知有包含含有羧基及环氧基的共聚物的感放射线性树脂组合物(参照专利文献1)。另外，已知有含有将具有烷氧基硅烷基的自由基聚合性单体与具有酸性基的自由基聚合性单体自由基共聚而成的聚合物的正型感光性组合物(参照专利文献2)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1日本专利特开2001-354822号公报
专利文献2日本专利特开2013-101240号公报
发明内容
发明所要解决的问题
在现有的感放射线性树脂组合物中，难以使放射线感度与所谓的涂布后延迟(Post Coating Delay，PCD)裕度、曝光后延迟(Post Exposure Delay，PED)裕度特性并存。例如，PED裕度为放射线照射后至显影处理为止的延迟时间的宽度，即便在PED裕度大的情况下，所述组合物也优选为具有高的放射线感度。
本发明的问题在于提供一种可实现所述并存的感放射线性树脂组合物、图案膜及其制造方法、半导体元件以及显示装置。
[解决问题的技术手段]
本发明人为了解决所述问题而进行了努力研究。其结果发现，通过具有以下构成的感放射线性树脂组合物而可解决所述问题，从而完成了本发明。
本发明例如涉及以下的[1]～[13]。
[1]一种感放射线性树脂组合物，包含：聚合体成分(A)，在相同或不同的聚合体中具有含有芳香环与直接键结于所述芳香环上的烷氧基硅烷基的结构单元(I)及含有酸性基的结构单元(II)(其中，源自芳香族不饱和羧酸及含羟基氟化烷基的单体的结构单元除外)；感放射线性化合物(B)；以及有机溶媒(G)。
[2]根据所述[1]记载的感放射线性树脂组合物，其中，所述感放射线性化合物(B)包含选自感放射线性酸产生剂及感放射线性碱产生剂中的至少一种化合物。
[3]根据所述[1]或[2]记载的感放射线性树脂组合物，其还含有选自热酸产生剂及热碱产生剂中的至少一种化合物(C)。
[4]根据所述[1]至[3]中任一项记载的感放射线性树脂组合物，其还含有密接助剂。
[5]根据所述[1]至[4]中任一项记载的感放射线性树脂组合物，其还含有酸扩散控制剂。
[6]根据所述[1]至[5]中任一项记载的感放射线性树脂组合物，其还含有溶解性促进剂。
[7]根据所述[1]至[6]中任一项记载的感放射线性树脂组合物，其中，所述聚合体成分(A)在与具有选自所述结构单元(I)及所述结构单元(II)中的至少一种结构单元的聚合体相同或不同的聚合体中还具有含有交联性基的结构单元(III)。
[8]根据所述[1]至[7]中任一项记载的感放射线性树脂组合物，其中，所述结构单元(I)为包含经取代或未经取代的苯环、萘环或蒽环与直接键结于所述环上的由-SiR3所表示的基(所述R分别独立地为氢原子、卤素原子、羟基、烷基、芳基或烷氧基；其中，所述R的至少一个为烷氧基)的结构单元。
[9]一种经图案化的硬化膜，其由根据所述[1]至[8]中任一项记载的感放射线性树脂组合物形成。
[10]根据所述[9]记载的经图案化的硬化膜，其为层间绝缘膜。
[11]一种经图案化的硬化膜的制造方法，其包括：工序(1)，在基板上形成根据所述[1]至[8]中任一项记载的感放射线性树脂组合物的涂膜；工序(2)，对所述涂膜的一部分照射放射线；工序(3)，对经放射线照射的所述涂膜进行显影；以及工序(4)，对经显影的所述涂膜进行加热。
[12]一种半导体元件，其包括根据所述[9]或[10]记载的经图案化的硬化膜。
[13]一种显示装置，其包括根据所述[12]记载的半导体元件。
[发明的效果]
根据本发明，可提供一种可使放射线感度与所谓的PCD裕度、PED裕度特性并存的感放射线性树脂组合物、图案膜及其制造方法、半导体元件以及显示装置。
具体实施方式
以下，对用以实施本发明的方式进行说明。
[感放射线性树脂组合物]
本发明的感放射线性树脂组合物(以下也称为“本发明的组合物”)包含：聚合体成分(A)，在相同或不同的聚合体中具有含有芳香环与直接键结于所述芳香环上的烷氧基硅烷基的结构单元(I)及含有酸性基的结构单元(II)(其中，源自芳香族不饱和羧酸及含羟基氟化烷基的单体的结构单元除外)；感放射线性化合物(B)；以及有机溶媒(G)。
＜聚合体成分(A)＞
聚合体成分(A)在相同或不同的聚合体中具有结构单元(I)及结构单元(II)。结构单元(I)及结构单元(II)分别可包含于相同的聚合体中，也可包含于不同的聚合体中。
《结构单元(I)》
结构单元(I)包含芳香环与直接键结于所述芳香环上的烷氧基硅烷基。所谓直接键结于芳香环上的烷氧基硅烷基，是指烷氧基硅烷基中的硅原子键结于芳香环的环碳原子上。
在使用后述的感放射线性酸产生剂作为感放射线性化合物(B)的情况下，本发明的组合物通过结构单元(I)而可发挥高感度的正型感放射线特性。其理由推测为如下所述。结构单元(I)包含直接键结于芳香环上的烷氧基硅烷基。当对本发明的组合物的涂膜照射放射线时，通过以自感放射线性酸产生剂产生的酸为催化剂的与大气中或显影液中的水的水解反应而自烷氧基硅烷基产生硅烷醇基(Si-OH)。由于硅烷醇基键结于芳香环上，因此硅烷醇基的缩合反应受到阻碍，从而硅烷醇基可稳定地存在。因此，通过硅烷醇基而提高放射线照射区域相对于碱性显影液的溶解性。如此，本发明的组合物可发挥正型感放射线特性。另一方面，在为烷氧基硅烷基未直接键结于芳香环上的结构的情况下，所形成的硅烷醇基不稳定，且产生向硅氧烷的缩合。因此，放射线照射区域不溶化(负型化)，而不发挥正型感放射线特性。另外，通过结构单元(I)包含芳香环，可进一步提高所获得的图案膜的耐热性等各特性。
另外，在使用后述的感放射线性碱产生剂作为感放射线性化合物(B)的情况下，本发明的组合物通过结构单元(I)而可发挥高感度的负型感放射线特性。推测其原因在于：当对本发明的组合物的涂膜照射放射线时，自感放射线性碱产生剂产生的碱成为催化剂而形成聚硅氧烷。
结构单元(I)可为一种结构单元，也可为多种结构单元。
烷氧基硅烷基优选为-SiR3所表示的基。所述R分别独立地为氢原子、卤素原子、羟基、烷基、芳基或烷氧基。其中，所述R的至少一个、优选为至少两个、更优选为三个全部为烷氧基。在结构单元(I)中，直接键结于芳香环上的烷氧基硅烷基数通常为1～9，优选为1～7，更优选为1～5，进而更优选为1。
作为直接键结有烷氧基硅烷基的芳香环，例如可列举苯环、萘环、蒽环，优选为苯环及萘环，更优选为苯环。
在所述芳香环上也可键结有所述烷氧基硅烷基以外的取代基。作为取代基，例如可列举：卤素原子、羟基、烷基、烷氧基。取代基可为一种，也可为两种以上，可为一个，也可为多个。
以下，对所述R及取代基中的各基进行说明。
作为卤素原子，例如可列举：氟原子、氯原子、溴原子。
作为烷基，例如可列举：甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基。烷基的碳数优选为1～12，更优选为1～6，进而更优选为1～3。更优选为甲基。
作为芳基，例如可列举：苯基、甲苯基、二甲苯基、萘基。芳基的碳数优选为6～20，更优选为6～10。
作为烷氧基，例如可列举：甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基。烷氧基的碳数优选为1～6，更优选为1～3。更优选为甲氧基及乙氧基，进而更优选为甲氧基。
作为所述R中的并非烷氧基的基，优选为烷基或羟基。
作为-SiR3所表示的基，具体而言，优选为三甲氧基硅烷基、三乙氧基硅烷基、三丙氧基硅烷基、二甲氧基羟基硅烷基、二甲氧基甲基硅烷基、二乙氧基乙基硅烷基、甲氧基二甲基硅烷基。
作为结构单元(I)，例如可列举式(1)所表示的结构单元。
[化1]
式(1)中，RA为氢原子、甲基、羟基甲基、氰基或三氟甲基，优选为氢原子或甲基。R1为所述直接键结有烷氧基硅烷基的芳香环，且在X上键结有所述芳香环。X为单键或二价有机基。
作为二价有机基，例如可列举：碳数1～20的二价链状烃基、碳数3～20的二价脂环式烃基、碳数6～20的二价芳香族烃基等二价烃基；酯键(-COO-)、所述二价烃基与氧基(-O-)键结而成的基、将这些基组合而成的基。
作为X，优选为单键及-COO-*(*表示与R1中的芳香环的键结位置)，更优选为单键。
作为结构单元(I)，例如可列举式(I-1)～式(I-20)所表示的结构单元。
[化2]
式(I-1)～式(I-20)中，RA的含义与式(1)中的RA相同。
《结构单元(II)》
结构单元(II)具有酸性基。其中，自结构单元(II)中将源自芳香族不饱和羧酸及含羟基氟化烷基的单体的结构单元除外。例如，聚合体成分(A)可在与具有结构单元(I)的聚合体相同或不同的聚合体中具有结构单元(II)。结构单元(II)可为一种结构单元，也可为多种结构单元。通过结构单元(II)，可提高聚合体成分(A)相对于显影液的溶解性，或提高硬化反应性。
作为酸性基的酸解离常数，例如优选为pKa≤12，更优选为pKa≤10，进而更优选为pKa≤8。作为酸性基，例如可列举选自键结于氮原子上的氢原子的至少一个被取代为拉电子性基的氨基、羧基、磺基、酚性羟基、磷酸基、磺酸基、次膦酸基及磺酰胺基中的至少一种。作为拉电子性基，例如可列举：氟原子、氯原子等卤素原子、硝基、氰基、羰基。作为酸性基，优选为选自马来酰亚胺基、羧基、磺基、酚性羟基、磷酸基、磺酸基及次膦酸基中的至少一种，更优选为选自马来酰亚胺基及羧基中的至少一种。所述酸解离常数可以提供结构单元(II)的单量体中的酸性基在25℃下且在水(H2O)中的酸解离常数的形式来测定。
作为羟基氟化烷基，可列举式(2)：-C(R2)(R3)OH所表示的基。所述式中，R2为氟原子或碳数1～4的氟化烷基。R3为氢原子、氟原子、碳数1～4的烷基或碳数1～4的氟化烷基。作为含羟基氟化烷基的单体，例如可列举1,1,1,3,3,3-六氟-2-(4-乙烯基苯基)-丙烷-2-醇。
作为结构单元(II)，例如可列举：源自不饱和羧酸的结构单元(其中，源自芳香族不饱和羧酸及含羟基氟化烷基的单体的结构单元除外)、源自马来酰亚胺的结构单元、源自乙烯基磺酸的结构单元。
作为所述不饱和羧酸，例如可列举(甲基)丙烯酸、巴豆酸、α-氯丙烯酸等不饱和单羧酸；马来酸、衣康酸、柠康酸、富马酸、中康酸等不饱和二羧酸；琥珀酸单[2-(甲基)丙烯酰氧基乙基]酯等二元以上的多元羧酸的单[(甲基)丙烯酰氧基烷基]酯，优选为不饱和单羧酸，更优选为(甲基)丙烯酸。
在本发明中，通过结构单元(I)与结构单元(II)而产生π-π堆积现象，从而难以显现碱显影性，因此所述不饱和羧酸并非肉桂酸、邻苯二甲酸单[2-(甲基)丙烯酰氧基乙基]酯、4-乙烯基苯甲酸及4-乙烯基苯基丙酸等芳香族不饱和羧酸。芳香族不饱和羧酸为具有芳香环的不饱和羧酸。
《结构单元(III)》
聚合体成分(A)优选为还具有含有交联性基的结构单元(III)。例如，聚合体成分(A)可在与具有结构单元(I)和/或结构单元(II)的聚合体相同或不同的聚合体中具有结构单元(III)。结构单元(III)可为一种结构单元，也可为多种结构单元。通过结构单元(III)而可提高硬化反应性或所获得的图案膜的耐热性。
所谓交联性基，是指烷氧基硅烷基及酸性基以外的基，且为例如可在加热条件下，同种基彼此(例如环氧基彼此)进行反应而形成共价键的基。作为交联性基，例如可列举：氧杂环丙基(1,2-环氧结构)、氧杂环丁基(1,3-环氧结构)等环氧基、环状碳酸酯基、羟甲基、(甲基)丙烯酰基、乙烯基。这些中，优选为氧杂环丙基、氧杂环丁基及羟甲基，更优选为氧杂环丙基及氧杂环丁基，进而更优选氧杂环丙基。
作为包含氧杂环丙基的结构单元(III)，例如可列举式(III-1)～式(III-7)、式(III-18)所表示的结构单元。作为包含氧杂环丁基的结构单元(III)，例如可列举式(III-8)～式(III-11)所表示的结构单元。作为包含环状碳酸酯基的结构单元(III)，例如可列举下述式(III-12)～式(III-16)所表示的结构单元。作为包含羟甲基的结构单元(III)，例如可列举式(III-17)所表示的结构单元。
[化3]
式(III-1)～式(III-18)中，RC为氢原子、甲基或三氟甲基。
作为包含(甲基)丙烯酰基的结构单元(III)，例如可列举源自乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、二乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、三乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、二(甲基)丙烯酸二亚丙酯、二(甲基)丙烯酸三亚丙酯、1,3-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、三丙二醇二丙烯酸酯等二(甲基)丙烯酸酯化合物；三(2-羟基乙基)异氰脲酸酯三(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯等三(甲基)丙烯酸酯化合物；季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯等四(甲基)丙烯酸酯化合物；二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯等五(甲基)丙烯酸酯化合物等单量体的结构单元。
作为包含(甲基)丙烯酰基或乙烯基的结构单元(III)，例如也可列举使含环氧基的不饱和化合物与包含羧基的结构单元反应而获得的结构单元、使(甲基)丙烯酸与包含环氧基的结构单元反应而获得的结构单元、使包含异氰酸酯基的(甲基)丙烯酸酯或乙烯基化合物与包含羟基的结构单元反应而获得的结构单元、使(甲基)丙烯酸与包含酸酐的结构单元反应而获得的结构单元。
《结构单元(IV)》
聚合体成分(A)也可还具有结构单元(I)～结构单元(III)以外的结构单元(IV)。例如，聚合体成分(A)可在与具有结构单元(I)～结构单元(III)中的任一个以上的聚合体相同或不同的聚合体中具有结构单元(IV)。结构单元(IV)可为一种结构单元，也可为多种结构单元。通过结构单元(IV)而可调整聚合体成分(A)的玻璃化温度并提高热硬化时的熔体流动(melt flow)性或所获得的图案膜的机械强度、耐化学品性。
作为提供结构单元(IV)的单量体，例如可列举(甲基)丙烯酸链状烷基酯、(甲基)丙烯酸含脂环的酯、(甲基)丙烯酸芳基酯、N-取代马来酰亚胺化合物、不饱和二羧酸二酯、不饱和芳香族化合物，此外，也可列举：双环不饱和化合物、具有四氢呋喃骨架、呋喃骨架、四氢吡喃骨架或吡喃骨架的不饱和化合物、其他不饱和化合物。
作为(甲基)丙烯酸链状烷基酯，例如可列举：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸仲丁酯、(甲基)丙烯酸叔丁酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸异癸酯、(甲基)丙烯酸正月桂酯、(甲基)丙烯酸十三烷基酯、(甲基)丙烯酸正硬脂酯。
作为(甲基)丙烯酸含脂环的酯，例如可列举：(甲基)丙烯酸环己酯、(甲基)丙烯酸2-甲基环己酯、(甲基)丙烯酸三环[5.2.1.02,6]癸烷-8-基酯、(甲基)丙烯酸三环[5.2.1.02 ,6]癸烷-8-基氧基乙酯、(甲基)丙烯酸异冰片酯。
作为(甲基)丙烯酸芳基酯，例如可列举(甲基)丙烯酸苯酯、(甲基)丙烯酸苄酯。
作为N-取代马来酰亚胺化合物，例如可列举：N-甲基马来酰亚胺、N-乙基马来酰亚胺、N-叔丁基马来酰亚胺等N-烷基取代马来酰亚胺；N-环己基马来酰亚胺等N-环烷基取代马来酰亚胺；N-苯基马来酰亚胺、N-苄基马来酰亚胺、N-(9-吖啶基)马来酰亚胺、N-羟基苯基马来酰亚胺等N-含芳香环的基取代马来酰亚胺。
作为不饱和二羧酸二酯，例如可列举：马来酸二乙酯、富马酸二乙酯、衣康酸二乙酯。作为不饱和芳香族化合物，例如可列举：苯乙烯、α-甲基苯乙烯、乙烯基甲苯、对甲氧基苯乙烯、α-甲基-对羟基苯乙烯。作为其他不饱和化合物，例如可列举：(甲基)丙烯腈、氯乙烯、偏二氯乙烯、(甲基)丙烯酰胺、甲基丙烯酸2-(0-[1'-甲基亚丙基氨基]羧基氨基)乙酯、乙酸乙烯酯。
这些中，作为结构单元(IV)，优选为源自(甲基)丙烯酸链状烷基酯、(甲基)丙烯酸含脂环的酯、N-取代马来酰亚胺化合物及不饱和芳香族化合物的结构单元。
《各结构单元的含有比例》
作为结构单元(I)相对于聚合体成分(A)中的所有结构单元的含有比例的下限，优选为10质量％，更优选为20质量％，进而更优选为25质量％。另一方面，作为其上限，优选为80质量％，更优选为60质量％，进而更优选为40质量％。若为此种方式，则本发明的组合物可发挥更良好的感放射线特性且可进一步提高所获得的图案膜的耐热性或低介电性。
作为结构单元(II)相对于聚合体成分(A)中的所有结构单元的含有比例的下限，优选为3质量％，更优选为5质量％，进而更优选为7质量％；作为其上限，优选为50质量％，更优选为40质量％，进而更优选为30质量％。若为此种方式，则本发明的组合物可发挥更良好的感放射线特性且可进一步提高所获得的图案膜的各特性等。
在聚合体成分(A)具有结构单元(III)的情况下，作为结构单元(III)相对于聚合体成分(A)中的所有结构单元的含有比例的下限，优选为1质量％，更优选为3质量％，进而更优选为5质量％；作为其上限，优选为75质量％，更优选为65质量％，进而优选为55质量％。若为此种方式，则本发明的组合物可进一步平衡良好地提高感放射线特性或所获得的图案膜的各特性。
在聚合体成分(A)具有结构单元(IV)的情况下，作为结构单元(IV)相对于聚合体成分(A)中的所有结构单元的含有比例的下限，优选为3质量％，更优选为5质量％；作为其上限，优选为50质量％，更优选为40质量％。若为此种方式，则可有效地提高耐化学品性等。
关于聚合体成分(A)，例如只要通过核磁共振(Nuclear Magnetic Resonance，NMR)分析而测定的各结构单元的含量满足所述要件，则可包含一种聚合体，也可包含两种以上的聚合体。在包含两种以上的聚合体的情况(掺合物)下，只要各结构单元相对于掺合物整体的含有比例(测定值)满足所述要件即可。
作为聚合体成分(A)，例如可列举：具有结构单元(I)及结构单元(II)的共聚物；具有结构单元(I)的聚合体与具有结构单元(II)的聚合体的混合物；具有结构单元(I)、结构单元(II)及结构单元(III)的共聚物；具有结构单元(I)及结构单元(II)的共聚物与具有结构单元(III)的聚合体的混合物；具有结构单元(I)的聚合体与具有结构单元(II)及结构单元(III)的共聚物的混合物；具有结构单元(I)的聚合体、具有结构单元(II)的聚合体及具有结构单元(III)的聚合体的混合物。所述聚合体或共聚物也可还具有结构单元(IV)。
再者，当为具有结构单元(I)及结构单元(II)的共聚物时，是指相同的聚合体具有结构单元(I)及结构单元(II)。关于其他共聚物，也相同。
另外，也可为具有结构单元(I)及结构单元(II)的共聚物与具有结构单元(II)及结构单元(III)的共聚物的混合物等在不同的聚合体中包含同种的结构单元者。所述共聚物也可还具有结构单元(IV)。
作为聚合体成分(A)，优选为具有结构单元(I)及结构单元(II)的共聚物，更优选为具有结构单元(I)、结构单元(II)及结构单元(III)的共聚物，进而更优选为具有结构单元(I)、结构单元(II)、结构单元(III)及结构单元(IV)的共聚物。
《聚合体成分(A)的合成方法》
聚合体成分(A)例如可通过如下方式来制造：使用自由基聚合引发剂，使与规定的各结构单元对应的单量体在适当的聚合溶媒中进行聚合。再者，通常，聚合时的各单量体的调配比在所获得的聚合体成分(A)中，与对应的结构单元的含有比例一致。另外，作为聚合体成分(A)，也可分别合成多种聚合体，其后，混合使用这些多种聚合体。
聚合温度通常可设为30℃～180℃。
聚合时间通常为30分钟～8小时。
作为自由基聚合引发剂，例如可列举：偶氮双异丁腈(azobisisobutyronitrile，AIBN)、2,2'-偶氮双(4-甲氧基-2,4-二甲基戊腈)、2,2'-偶氮双(2-环丙基丙腈)、2,2'-偶氮双(2,4-二甲基戊腈)、2,2'-偶氮双(2-甲基丙腈)。自由基聚合引发剂可单独使用或组合使用两种以上。
作为聚合溶媒，例如可列举后述的作为有机溶媒(G)所列举的有机溶媒。聚合溶媒可单独使用或组合使用两种以上。
在聚合溶媒与所制备的感放射线性树脂组合物中的有机溶媒(G)相同的情况下，也可直接使用通过所述聚合而获得的聚合体溶液、或在所获得的聚合体溶液中追加有机溶媒(G)，由此供给至感放射线性树脂组合物的制备中。
《聚合体成分(A)的物性、含有比例》
聚合体成分(A)的由凝胶渗透色谱(Gel Penetration Chromatography，GPC)法所得的聚苯乙烯换算的重量平均分子量(Mw)优选为1,000～30,000。另外，聚合体成分(A)的Mw与由GPC法所得的聚苯乙烯换算的数量平均分子量(Mn)的比(Mw/Mn)优选为1～3。
聚合体成分(A)在本发明的组合物的所有固体成分中所占的含量的下限优选为50质量％，更优选为70质量％，进而更优选为90质量％；其上限优选为99质量％，更优选为97质量％。若为此种方式，本发明的组合物可更有效地提高感放射线特性或所获得的图案膜的各特性。再者，所谓所有固体成分，是指有机溶媒(G)以外的所有成分。
＜感放射线性化合物(B)＞
作为感放射线性化合物(B)(以下也称为“成分(B)”)，例如可列举作为通过包括放射线照射的处理而产生酸的化合物的感放射线性酸产生剂、作为通过包括放射线照射的处理而产生碱的化合物的感放射线性碱产生剂，优选为所述酸产生剂。作为放射线，例如可列举紫外线、远紫外线、可见光线、X射线、电子束。作为所述处理，可视成分(B)的种类而仅进行放射线照射，另外，也有时需要水接触处理。
通过对由本发明的组合物形成的涂膜进行放射线照射处理等，基于成分(B)，在照射部产生酸或碱，基于所述酸或碱的作用，聚合体成分(A)在碱性显影液中的溶解性发生改变。
作为感放射线性酸产生剂，例如可列举：肟磺酸酯化合物、鎓盐、磺酰亚胺化合物、含卤素的化合物、二偶氮甲烷化合物、砜化合物、磺酸酯化合物、羧酸酯化合物、醌二叠氮化合物。
作为肟磺酸酯化合物、鎓盐、磺酰亚胺化合物、含卤素的化合物、二偶氮甲烷化合物、砜化合物、磺酸酯化合物及羧酸酯化合物的具体例，例如可列举日本专利特开2014-157252号公报的段落[0078]～段落[0106]或国际公开第2016/124493号中所记载的化合物，将这些酸产生剂记载于本说明书中。另外，也可并用这些酸产生剂与醌二叠氮化合物。
对肟磺酸酯化合物进行例示，例如可列举：(5-丙基磺酰氧基亚氨基-5H-噻吩-2-亚基)-(2-甲基苯基)乙腈、(5-辛基磺酰氧基亚氨基-5H-噻吩-2-亚基)-(2-甲基苯基)乙腈、(樟脑磺酰氧基亚氨基-5H-噻吩-2-亚基)-(2-甲基苯基)乙腈、(5-对甲苯磺酰氧基亚氨基-5H-噻吩-2-亚基)-(2-甲基苯基)乙腈、(2-[2-(4-甲基苯基磺酰氧基亚氨基)]-2,3-二氢噻吩-3-亚基-2-(2-甲基苯基)乙腈)、2-(辛基磺酰氧基亚氨基)-2-(4-甲氧基苯基)乙腈。
作为具体例，可列举巴斯夫(BASF)公司制造的艳佳固(Irgacure)PAG121。
对磺酰亚胺化合物进行例示，例如可列举：N-(三氟甲基磺酰氧基)琥珀酰亚胺、N-(樟脑磺酰氧基)琥珀酰亚胺、N-(4-甲基苯基磺酰氧基)琥珀酰亚胺、N-(2-三氟甲基苯基磺酰氧基)琥珀酰亚胺、N-(4-氟苯基磺酰氧基)琥珀酰亚胺、N-(三氟甲基磺酰氧基)邻苯二甲酰亚胺、N-(樟脑磺酰氧基)邻苯二甲酰亚胺、N-(2-三氟甲基苯基磺酰氧基)邻苯二甲酰亚胺、N-(2-氟苯基磺酰氧基)邻苯二甲酰亚胺、N-(三氟甲基磺酰氧基)二苯基马来酰亚胺、N-(樟脑磺酰氧基)二苯基马来酰亚胺、4-甲基苯基磺酰氧基二苯基马来酰亚胺、三氟甲磺酸-1,8-萘二甲酰亚胺。
对二偶氮甲烷化合物进行例示，例如可列举：双(三氟甲基磺酰基)二偶氮甲烷、双(环己基磺酰基)二偶氮甲烷、双(苯基磺酰基)二偶氮甲烷、双(对甲苯基磺酰基)二偶氮甲烷、双(2,4-二甲苯基磺酰基)二偶氮甲烷、双(对氯苯基磺酰基)二偶氮甲烷、甲基磺酰基-对甲苯磺酰基二偶氮甲烷、环己基磺酰基(1,1-二甲基乙基磺酰基)二偶氮甲烷、双(1,1-二甲基乙基磺酰基)二偶氮甲烷、苯基磺酰基(苯甲酰基)二偶氮甲烷。
作为鎓盐，除日本专利特开2014-157252号公报记载的化合物以外，也可列举以下记载的化合物。
[化4]
作为醌二叠氮化合物，例如可列举萘醌二叠氮化合物，且为具有一个以上的酚性羟基的化合物与1,2-萘醌二叠氮磺酰卤或1,2-萘醌二叠氮磺酰胺的缩合物。
作为具有一个以上的酚性羟基的化合物的具体例，例如可列举日本专利特开2014-186300号公报的段落[0065]～段落[0070]中所记载的化合物，将这些化合物记载于本说明书中。作为1,2-萘醌二叠氮磺酰卤，优选为1,2-萘醌二叠氮磺酰氯，更优选为1,2-萘醌二叠氮-4-磺酰氯、1,2-萘醌二叠氮-5-磺酰氯。作为1,2-萘醌二叠氮磺酰胺，优选为2,3,4-三氨基二苯甲酮-1,2-萘醌二叠氮-4-磺酰胺。
作为醌二叠氮化合物的具体例，例如可列举选自4,4'-二羟基二苯基甲烷、2,3,4,2',4'-五羟基二苯甲酮、三(对羟基苯基)甲烷、1,1,1-三(对羟基苯基)乙烷、1,1-双(4-羟基苯基)-1-苯基乙烷、1,3-双[1-(4-羟基苯基)-1-甲基乙基]苯、1,4-双[1-(4-羟基苯基)-1-甲基乙基]苯、4,6-双[1-(4-羟基苯基)-1-甲基乙基]-1,3-二羟基苯及4,4'-[1-[4-[1-[4-羟基苯基]-1-甲基乙基]苯基]亚乙基]双酚中的化合物、与1,2-萘醌二叠氮-4-磺酰氯或1,2-萘醌二叠氮-5-磺酰氯的酯化合物。
作为感放射线性碱产生剂，优选为通过放射线照射而产生胺的碱产生剂。作为所述胺，例如可列举脂肪族胺、芳香族胺，另外，可为单官能胺、多官能胺的任一种。
作为通过放射线照射而产生胺的碱产生剂，例如可列举：邻硝基苄基氨基甲酸酯化合物、α,α-二甲基-3,5-二甲氧基苄基氨基甲酸酯化合物、其他氨基甲酸酯化合物、酰氧基亚氨基化合物、钴胺络合物。作为通过放射线照射而产生胺的碱产生剂的具体例，例如可列举日本专利特开2017-097378号公报的段落[0104]～段落[0105]、日本专利特开2017-133006号公报的段落[0045]中所记载的化合物，将这些化合物记载于本说明书中。
作为感放射线性碱产生剂的具体例，例如可列举：[〔(2,6-二硝基苄基)氧基〕羰基]环己胺、N-(2-硝基苄基氧基羰基)吡咯烷、双[〔(2-硝基苄基)氧基〕羰基]己烷-1,6-二胺、N-(2-硝基苄基氧基)羰基-N-环己胺、9-蒽基甲基N,N-二乙基氨基甲酸酯、9-蒽基甲基N-环己基氨基甲酸酯、9-蒽基甲基N,N-二环己基氨基甲酸酯、O-氨甲酰基羟基酰胺、O-氨甲酰基肟、4-(甲硫基苯甲酰基)-1-甲基-1-吗啉代乙烷、(4-吗啉代苯甲酰基)-1-苄基-1-二甲基氨基丙烷、2-苄基-2-二甲基氨基-1-(4-吗啉代苯基)-丁酮。
成分(B)可单独使用或组合使用两种以上。
本发明的组合物中的成分(B)的含量相对于聚合体成分(A)100质量份而通常为0.05质量份～30质量份，优选为0.05质量份～20质量份，更优选为0.05质量份～10质量份。再者，也可并用感放射线性的酸产生剂及碱产生剂，例如，其中一者可相对于另一者而以少量使用。在一实施方式中，可相对于感放射线性的酸产生剂及碱产生剂的其中一者100质量份而以10质量份以下使用另一者。
＜化合物(C)：热酸产生剂及热碱产生剂＞
本发明的组合物可含有选自热酸产生剂及热碱产生剂中的至少一种化合物(C)(以下也称为“感热性化合物(C)”)。所谓热酸产生剂为通过热而产生酸的化合物。所谓热碱产生剂为通过热而产生碱的化合物。在加热时，通过自所述产生剂产生的酸或碱，聚合体成分(A)中的残存硅烷醇基的脱水缩合得以促进，图案形状及图案膜的耐化学品性得到改善。
热酸产生剂及热碱产生剂优选为在感放射线性树脂组合物的涂布后，不会因预烘烤时的热而产生酸或碱，或者仅产生少量的酸或碱。
作为热酸产生剂，例如可列举：4-羟基苯基苄基甲基锍双(三氟甲磺酰基)酰亚胺等锍盐、芳基碘鎓盐等碘鎓盐、鏻盐、四级铵盐、铝螯合物、丙二烯-离子络合物、三氟化硼胺络合物、二偶氮甲烷化合物。
作为热碱产生剂，例如可列举：2-(4-联苯基)-2-丙基氨基甲酸酯、1,1-二甲基-2-氰基乙基氨基甲酸酯等氨基甲酸酯衍生物；脲、N,N,N'-三甲基脲等脲衍生物；1,4-二氢烟酰胺等二氢吡啶衍生物；双氰胺；N-(叔丁氧基羰基)-2-苯基咪唑等咪唑类；1,8-二氮杂双环[5.4.0]十一-7-烯的酚盐、辛酸盐、油酸盐、对甲苯磺酸盐或甲酸盐、1,5-二氮杂双环[4.3.0]九-5-烯的辛酸盐等有机盐。这些中，也有如N-(叔丁氧基羰基)-2-苯基咪唑的也可作为后述的酸扩散控制剂发挥功能的化合物。
使用化合物(C)时的本发明的组合物中的化合物(C)的含量相对于聚合体成分(A)100质量份而优选为0.01质量份～20质量份，更优选为0.01质量份～15质量份，进而更优选为0.01质量份～10质量份。再者，也可并用热酸产生剂及热碱产生剂，例如，其中一者可相对于另一者而以少量使用。在一实施方式中，可相对于热酸产生剂及热碱产生剂的其中一者100质量份而以10质量份以下使用另一者。
＜添加剂(X)、其他添加剂(X')＞
本发明的组合物可还含有选自密接助剂、酸扩散控制剂及溶解性促进剂中的至少一种添加剂(X)。另外，所述组合物可还含有选自抗氧化剂、表面活性剂、交联性化合物及聚合引发剂中的至少一种其他添加剂(X')。
再者，在本发明的组合物中，作为添加剂(X)及添加剂(X')在所有固体成分中所占的合计含有比例的上限，优选为20质量％，更优选为15质量％，进而更优选为10质量％。
《密接助剂》
本发明的组合物可含有密接助剂。密接助剂为提高所获得的图案膜与基板的接着性的成分。
作为密接助剂，例如可列举硅烷偶合剂。作为硅烷偶合剂，优选为具有羧基、(甲基)丙烯酰基、乙烯基、异氰酸酯基、异氰脲酸酯基、巯基、氧杂环丙基、氧杂环丁基等反应性官能基的官能性硅烷偶合剂。作为官能性硅烷偶合剂，例如可列举：三甲氧基硅烷基苯甲酸等含羧基的硅烷偶合剂；3-(甲基)丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙酰氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷等含聚合性不饱和双键的硅烷偶合剂；3-异氰酸酯丙基三乙氧基硅烷、三-(三甲氧基硅烷基丙基)异氰脲酸酯等含异氰酸酯基或异氰脲酸酯基的硅烷偶合剂；3-巯基丙基甲基二甲氧基硅烷等含巯基的硅烷偶合剂；3-缩水甘油氧基丙基三甲氧基硅烷、2-(3,4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷、3-乙基-3-氧杂环丁基甲氧基丙基三甲氧基硅烷等含氧杂环丙基或氧杂环丁基的硅烷偶合剂。
这些中，就促进聚合体成分(A)间的交联而进一步提高所获得的图案膜的耐化学品性的方面而言，优选为3-缩水甘油氧基丙基三甲氧基硅烷、2-(3,4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷等含氧杂环丙基的硅烷偶合剂；3-异氰酸酯丙基三乙氧基硅烷、三-(三甲氧基硅烷基丙基)异氰脲酸酯等含异氰酸酯基或异氰脲酸酯基的硅烷偶合剂；3-巯基丙基甲基二甲氧基硅烷等含巯基的硅烷偶合剂。
密接助剂可单独使用或组合使用两种以上。例如优选为并用含氧杂环丙基或氧杂环丁基的硅烷偶合剂与选自含异氰酸酯基或异氰脲酸酯基的硅烷偶合剂及含巯基的硅烷偶合剂中的至少一种。
使用密接助剂时的本发明的组合物中的密接助剂的含量相对于聚合体成分(A)100质量份而优选为0.1质量份以上，更优选为0.1质量份～10质量份。
《酸扩散控制剂》
本发明的组合物可含有酸扩散控制剂。酸扩散控制剂在对本发明的组合物的涂膜照射放射线时，抑制自感放射线性酸产生剂产生的酸在涂膜中的扩散现象，并抑制未照射部中的欠佳的化学反应。通过使用酸扩散控制剂，可提高作为图案膜的解析度，并且抑制由后述的PED的变动所引起的图案膜的线宽变化，可获得工艺稳定性优异的组合物。
作为酸扩散控制剂，优选为含氮有机化合物，例如可列举：三级胺化合物、含酰胺基的化合物、四级氢氧化铵化合物、含氮杂环化合物。作为这些化合物的具体例，例如可列举日本专利特开2015-118385号公报的段落[0205]～段落[0207]中所记载的化合物，将这些化合物记载于本说明书中。
对含氮杂环化合物的具体例进行记载，可列举咪唑类、吡啶类、哌啶类，作为咪唑类，例如可列举：咪唑、4-甲基咪唑、1-苄基-2-甲基咪唑、4-甲基-2-苯基咪唑、苯并咪唑、2-苯基苯并咪唑、N-(叔丁氧基羰基)-2-苯基咪唑。
酸扩散控制剂可单独使用或组合使用两种以上。
使用酸扩散控制剂时的本发明的组合物中的酸扩散控制剂的含量相对于聚合体成分(A)100质量份而优选为0.001质量份～5质量份，更优选为0.001质量份～3质量份，进而更优选为0.001质量份～1质量份。
《溶解性促进剂》
本发明的组合物可含有溶解性促进剂。作为溶解性促进剂，例如可列举二羧酸化合物。在本说明书中，所谓二羧酸化合物，是指其中一羧基所键结的碳原子与另一羧基所键结的碳原子邻接(即键结)的化合物。通过使用二羧酸化合物，可提高所获得的组合物的放射线感度。
作为二羧酸化合物，例如可列举：琥珀酸、富马酸等脂肪族二羧酸；环丁烷-1,2-二羧酸、环戊烷-1,2-二羧酸、环己烷-1,2-二羧酸等具有脂环式结构的二羧酸。
使用溶解性促进剂时的本发明的组合物中的溶解性促进剂的含量相对于聚合体成分(A)100质量份而优选为1质量份～20质量份，更优选为1质量份～15质量份，进而更优选为1质量份～10质量份。
＜有机溶媒(G)＞
作为有机溶媒(G)，可使用将本发明的组合物所含有的各成分均匀地溶解或分散并不与所述各成分反应的有机溶媒。
作为有机溶媒(G)，例如可列举：异丙醇、丁醇、异戊醇、辛醇、乙二醇单甲醚、乙二醇单丁醚、二乙二醇单甲醚、丙二醇单甲醚等醇溶媒；乙酸丁酯、乳酸乙酯、γ-丁内酯、丙二醇单甲醚乙酸酯、丙二醇单乙醚乙酸酯、3-甲氧基丙酸甲酯、3-乙氧基丙酸乙酯等酯溶媒；乙二醇乙基甲基醚、二乙二醇甲基乙基醚等醚溶媒；N,N-二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮等酰胺溶媒；甲基异丁基酮、环己酮等酮溶媒；甲苯、二甲苯等芳香族烃溶媒。
这些中，作为有机溶媒(G)，优选为酯溶媒、醚溶媒及醇溶媒。若有机溶媒(G)包含醇溶媒，则可提高本发明的组合物的保存稳定性。
有机溶媒(G)可单独使用或组合使用两种以上。
本发明的组合物中的有机溶媒(G)的含有比例通常为5质量％～95质量％，优选为10质量％～90质量％，更优选为15质量％～85质量％。
＜感放射线性树脂组合物的制备方法＞
本发明的组合物例如是将聚合体成分(A)、成分(B)及视需要的其他成分以规定的比例混合并溶解于有机溶媒(G)中来制备。所制备的感放射线性树脂组合物例如优选为利用孔径0.2μm左右的过滤器进行过滤。
＜感放射线性树脂组合物的用途＞
本发明的组合物发挥良好的感放射线特性并且放射线感度优异，而且保存稳定性优异。通过使用所述组合物，可获得解析度高、对于基板的密接性、透明性及耐化学品性优异的图案膜。尤其，所述组合物的后述的实施例中记载的涂布后延迟(Post CoatingDelay，PCD)裕度及曝光后延迟(Post Exposure Delay，PED)裕度大，可降低图案膜的不良率而提高良率，且图案膜的制造作业性优异。
因此，所述组合物可合适地用作层间绝缘膜、隔离片、保护膜、彩色滤光片用着色图案膜等半导体元件用硬化膜的形成材料、尤其是层间绝缘膜的形成材料。作为所述半导体元件，例如可列举显示元件。
[图案膜]
本发明的图案膜由本发明的组合物形成。作为所述图案膜，例如可列举层间绝缘膜、隔离片、保护膜、彩色滤光片用着色图案膜等半导体元件用硬化膜。作为所述图案膜的制造方法，优选为可列举下述制造方法。所述图案膜的膜厚通常为0.1μm～10μm，优选为0.5μm～5μm，更优选为0.5μm～3μm。
[图案膜的制造方法]
本发明的图案膜的制造方法包括：工序(1)，在基板上形成本发明的组合物的涂膜；工序(2)，对所述涂膜的一部分照射放射线；工序(3)，对经放射线照射的所述涂膜进行显影；以及工序(4)，对经显影的所述涂膜进行加热。
＜工序(1)＞
工序(1)中，使用本发明的组合物而在基板上形成涂膜。具体而言，将溶液状的所述组合物涂布于基板表面，优选为进行预烘烤，由此去除有机溶媒(G)而形成涂膜。
作为基板，例如可列举：玻璃基板、硅基板、塑料基板及在这些的表面形成有各种金属薄膜的基板。作为塑料基板，例如可列举包含聚对苯二甲酸乙二酯、聚对苯二甲酸丁二酯、聚醚砜、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚环烯烃等塑料的树脂基板。为了提高与涂膜的密接性，基板也可实施六甲基二硅氮烷(Hexamethyl Disilazane，HMDS)处理等疏水化表面处理。
作为涂布方法，例如可列举：喷雾法、辊涂法、旋转涂布法(旋涂法)、缝模涂布法、棒涂布法、喷墨法。
作为预烘烤的条件，也视各含有成分的种类、含有比例等而不同，例如可设为在60℃～130℃下进行30秒～10分钟左右。所形成的涂膜的膜厚以预烘烤后的值计，优选为0.1μm～10μm。
＜工序(2)＞
工序(2)中，对所述涂膜的一部分照射放射线。具体而言，介隔具有规定的图案的掩模来对工序(1)中形成的涂膜照射放射线。作为此时所使用的放射线，例如可列举：紫外线、远紫外线、可见光线、X射线、电子束。作为紫外线，例如可列举：g射线(波长436nm)、h射线(波长405nm)、i射线(波长365nm)。这些放射线中，优选为紫外线，紫外线中，更优选为包含g射线、h射线及i射线中的任一者以上的放射线。作为放射线的曝光量，优选为0.1J/m2～10,000J/m2。为了实现高感度化，也可在放射线照射前利用水等液体润湿涂膜。
另外，在使用负型的感放射线性树脂组合物的情况下，也可在放射线照射后进行加热处理。以下，也将所述处理称为“曝光后烘烤(Post Exposure Bake，PEB)处理”。PEB条件视感放射线性树脂组合物中的各成分的种类、调配比例、树脂膜的厚度等而不同，通常是在70℃～150℃、优选为80℃～120℃下进行1分钟～60分钟左右。
＜工序(3)＞
工序(3)中，对经放射线照射的所述涂膜进行显影。具体而言，使用显影液对工序(2)中经放射线照射的涂膜进行显影，在为正型的情况下，将放射线的照射部分去除，在为负型的情况下，将放射线的未照射部分去除。为了实现高感度化，也可在显影前利用水等液体润湿涂膜。
显影液通常为碱性显影液，例如可列举碱性化合物的水溶液。作为碱性化合物，例如可列举：氢氧化钠、氢氧化钾、碳酸钠、硅酸钠、偏硅酸钠、氨、乙胺、正丙胺、二乙胺、二乙胺乙醇、二正丙胺、三乙胺、甲基二乙基胺、二甲基乙醇胺、三乙醇胺、四甲基氢氧化铵、四乙基氢氧化铵、吡咯、哌啶、1,8-二氮杂双环[5.4.0]-7-十一烯、1,5-二氮杂双环[4.3.0]-5-壬烯。所述水溶液中的碱性化合物的浓度例如为0.1质量％～10质量％。也可将在所述水溶液中添加适量的甲醇、乙醇等水溶性有机溶媒或表面活性剂而成的水溶液、或者包含少量的可溶解感放射线性树脂组合物的各种有机溶媒的碱性水溶液用作显影液。
作为显影方法，例如可列举：覆液法、浸渍法、摇动浸渍法、喷淋法。作为显影温度及显影时间，例如分别可设为20℃～30℃、30秒～120秒。
再者，优选为在显影后，对经图案化的涂膜进行利用流水清洗的淋洗处理。另外，继而，也可利用高压水银灯等对整个面照射放射线(后曝光)，由此进行残存于涂膜中的感放射线性化合物(B)的分解处理。作为所述后曝光中的曝光量，优选为2,000J/m2～5,000J/m2。
＜工序(4)＞
工序(4)中，对经显影的所述涂膜进行加热。由此，可促进聚合体成分(A)的硬化反应而形成硬化膜。作为加热方法，例如可列举使用烘箱或加热板等加热装置来进行加热的方法。加热温度例如为120℃～250℃。加热时间视加热机器的种类而不同，例如当在加热板上进行加热处理时，为5分钟～40分钟，当在烘箱中进行加热处理时，为10分钟～80分钟。
以如上所述的方式进行，可在基板上形成目标图案膜。作为图案膜中的图案的形状，只要为具有凹凸结构的形状，则并无特别限定，例如可列举：线与空间图案、点图案、孔图案、格子图案。
[半导体元件]
本发明的半导体元件包括所述图案膜、优选为包含所述图案膜的层间绝缘膜。所述层间绝缘膜作为将半导体元件中的配线间加以绝缘的膜而发挥功能。本发明的半导体元件可使用公知的方法来制造。本发明的半导体元件由于包括所述图案膜，因此可合适地用于显示元件、发光二极管(Light Emitting Diode，LED)、太阳电池等电子器件中。
[显示装置]
本发明的显示装置包括所述半导体元件。本发明的显示装置由于包括所述半导体元件，因此作为显示装置而满足实用方面所要求的通常特性。作为本发明的显示装置，例如可列举液晶显示装置、有机电致发光(electroluminescence，EL)显示装置。
[实施例]
以下，基于实施例，对本发明进行具体说明，但本发明并不限定于这些实施例。只要未特别提及，则“份”是指“质量份”。
[重量平均分子量(Mw)及数量平均分子量(Mn)]
聚合体成分的Mw及Mn是通过下述方法而测定。
·测定方法：凝胶渗透色谱(GPC)法
·装置：昭和电工公司的GPC-101
·GPC管柱：将岛津GLC公司的GPC-KF-801、GPC-KF-802、GPC-KF-803及GPC-KF-804结合
·移动相：四氢呋喃
·管柱温度：40℃
·流速：1.0mL/min
·试样浓度：1.0质量％
·试样注入量：100μL
·检测器：示差折射计
·标准物质：单分散聚苯乙烯
[单量体]
聚合体成分的合成中所使用的单量体如下所述。
《提供结构单元(I)的单量体》
·STMS：苯乙烯基三甲氧基硅烷
·SDMS：苯乙烯基二甲氧基羟基硅烷
·STES：苯乙烯基三乙氧基硅烷
《提供结构单元(II)的单量体》
·MA：甲基丙烯酸
·AA：丙烯酸
·HOMS：琥珀酸2-甲基丙烯酰氧基乙酯(共荣社化学公司制造)
·MI：马来酰亚胺
《提供结构单元(III)的单量体》
·OXMA：OXE-30(大阪有机化学工业公司制造)
甲基丙烯酸(3-乙基氧杂环丁烷-3-基)甲酯
·GMA：甲基丙烯酸缩水甘油酯
·VBG：对乙烯基苄基缩水甘油醚
·ECHMA：甲基丙烯酸3,4-环氧环己基甲酯
·EDCPMA：甲基丙烯酸[3,4-环氧三环(5.2.1.02,6)癸烷-9-基]酯
《提供结构单元(IV)的单量体》
·MMA：甲基丙烯酸甲酯
·ST：苯乙烯
·MOI-BM：甲基丙烯酸2-(0-[1'-甲基亚丙基氨基]羧基氨基)乙酯(昭和电工公司制造的卡伦茨(karenz)MOI-BM)
·MPTMS：3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷
·MPTES：3-甲基丙烯酰氧基丙基三乙氧基硅烷
·VPPA：4-乙烯基苯基丙酸
·HFVP：1,1,1,3,3,3-六氟-2-(4-乙烯基苯基)-丙烷-2-醇
＜聚合体成分(A)的合成＞
[合成例1]聚合体成分(A-1)的合成
在包括冷却管及搅拌机的烧瓶中投入10份的2,2'-偶氮双(2,4-二甲基戊腈)及200份的丙二醇单甲醚乙酸酯。继而，投入30份的苯乙烯基三甲氧基硅烷、10份的甲基丙烯酸、30份的甲基丙烯酸缩水甘油酯及30份的甲基丙烯酸甲酯，进行氮气置换后，缓慢地进行搅拌，并使溶液的温度上升至70℃，将所述温度保持5小时，由此获得含有聚合体成分(A-1)的聚合体溶液。所述聚合体溶液的固体成分浓度为34.1质量％，聚合体成分(A-1)的Mw为11,000，分子量分布(Mw/Mn)为2.1。
[合成例2～合成例13、比较合成例1～比较合成例2]
聚合体成分(A-2)～聚合体成分(A-13)、聚合体成分(CA-1)～聚合体成分(CA-2)的合成
除使用表1中所示的种类及调配量(质量份)的各成分以外，通过与合成例1相同的方法而获得包含具有与聚合体成分(A-1)同等的固体成分浓度的聚合体成分(A-2)～聚合体成分(A-13)、聚合体成分(CA-1)～聚合体成分(CA-2)的聚合体溶液。
[表1]
＜感放射线性树脂组合物的制备＞
以下示出感放射线性树脂组合物的制备中所使用的聚合体成分(A)、感放射线性化合物(B)、感热性化合物(C)、添加剂(X)及有机溶媒(G)。
《聚合体成分(A)》
A-1～A-13：合成例1～合成例13中合成的聚合体成分(A-1)～聚合体成分(A-13)
CA-1～CA-2：比较合成例1～比较合成例2中合成的聚合体成分(CA-1)～聚合体成分(CA-2)
《感放射线性化合物(B)》
B-1：三氟甲磺酸-1,8-萘二甲酰亚胺
B-2：艳佳固(Irgacure)PAG121(巴斯夫(BASF)公司制造)(2-[2-(4-甲基苯基磺酰氧基亚氨基)]-2,3-二氢噻吩-3-亚基-2-(2-甲基苯基)乙腈)
B-3：4,4'-[1-[4-[1-[4-羟基苯基]-1-甲基乙基]苯基]亚乙基]双酚(1.0摩尔)与1,2-萘醌二叠氮-5-磺酰氯(2.0摩尔)的缩合物
B-4：1,1,1-三(对羟基苯基)乙烷(1.0摩尔)与1,2-萘醌二叠氮-5-磺酰氯(2.0摩尔)的缩合物
B-5：国际公开第2016/124493号记载的OS17
B-6：国际公开第2016/124493号记载的OS25
B-7：9-蒽基甲基N,N-二乙基氨基甲酸酯
(和光纯药工业公司制造的WPBG-018)
B-8：2-羟基苯甲酸二苯基(4-(苯硫基)苯基)锍
《感热性化合物(C)》
C-1：N-(叔丁氧基羰基)-2-苯基咪唑
C-2：4-羟基苯基苄基甲基锍双(三氟甲磺酰基)酰亚胺
《添加剂(X)》
X-1：3-缩水甘油氧基丙基三甲氧基硅烷
X-2：2-(3,4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷
X-3：三-(三甲氧基硅烷基丙基)异氰脲酸酯
(信越化学工业公司制造)
X-4：3-异氰酸酯丙基三乙氧基硅烷(信越化学工业公司制造)
X-5：3-巯基丙基甲基二甲氧基硅烷(信越化学工业公司制造)
X-6：顺式(cis)-环己烷二羧酸
X-7：4-甲基-2-苯基咪唑
《有机溶媒(G)》
G-1：丙二醇单甲醚乙酸酯(Propylene Glycol Monomethyl Ether Acetate，PGMEA)
G-2：二乙二醇甲基乙基醚(diethylene glycol methyl ethyl ether，EDM)
G-3：丙二醇单甲醚(PGME)
G-4：异戊醇
＜感放射线性树脂组合物的制备＞
[实施例1]
在含有聚合体成分(A-1)的聚合体溶液中，相对于与聚合体成分(A-1)100份(固体成分)相当的量，混合1份的感放射线性化合物(B-1)，利用有机溶媒(G-1)进行稀释，以使最终的固体成分浓度成为30质量％。继而，利用孔径0.2μm的薄膜滤器进行过滤，从而制备感放射线性树脂组合物。
[实施例2～实施例30、比较例1～比较例2]
除使用表2中所示的种类及调配量(质量份)的各成分以外，通过与实施例1相同的方法而制备实施例2～实施例30、比较例1～比较例2的感放射线性树脂组合物。表2中记载的有机溶媒(G)为用于稀释中的有机溶媒种。
[表2]
＜评价＞
由实施例1～实施例30及比较例1～比较例2的感放射线性树脂组合物形成硬化膜，并通过以下所说明的方法来评价下述项目。将评价结果示于表2中。
[放射线感度]
使用旋转器，将感放射线性树脂组合物涂布于在60℃下进行了60秒HMDS处理的硅基板上后，在加热板上以90℃预烘烤2分钟，从而形成平均膜厚3.0μm的涂膜。介隔具有宽度10μm的线与空间图案的图案掩模，利用水银灯对所述涂膜照射规定量的紫外线。继而，使用包含四甲基氢氧化铵2.38质量％水溶液的显影液在25℃下进行60秒显影处理后，利用超纯水进行1分钟流水清洗。此时，对可形成宽度10μm的线与空间图案的最小曝光量进行测定。当所述测定值未满300J/m2时，可评价为放射线感度良好，当为300J/m2以上时，可评价为放射线感度不良。
[保存稳定性的评价]
将所制备的感放射线性树脂组合物封入至遮光·密闭性的容器中。在25℃下经过7天后，将容器开封，进行[放射线感度]的测定，并计算保管7天前后的放射线感度(最小曝光量)的增加率。将所述值未满5％的情况判定为AA，将5％以上、未满10％的情况判定为A，将10％以上、未满20％的情况判定为B，将20％以上的情况或无法解析而未评价的情况判定为C。当为AA、A或B时，可评价为保存稳定性良好，当为C时，可评价为保存稳定性不良。
[基板密接性的评价]
使用旋转器，将感放射线性树脂组合物涂布于未实施HMDS处理的硅基板上后，在加热板上以90℃预烘烤2分钟，从而形成平均膜厚3.0μm的涂膜。介隔具有宽度1μm～50μm的线与空间图案的图案掩模，利用水银灯对所述涂膜照射365nm下的曝光量为400J/m2的紫外线。继而，使用包含四甲基氢氧化铵2.38质量％水溶液的显影液在25℃下进行60秒显影处理后，利用超纯水进行1分钟流水清洗。此时，对未自基板上剥落而残留的线与空间图案的最小宽度进行测定。将所述测定值为2μm以下的情况判定为AA，将大于2μm、5μm以下的情况判定为A，将大于5μm、10μm以下的情况判定为B，将大于10μm、30μm以下的情况判定为C，将大于30μm的情况或无法解析而未评价的情况判定为D。当为AA、A、B或C时，可评价为基板密接性良好，当为D时，可评价为基板密接性不良。
[PCD裕度及PED裕度的评价]
使用旋转器，将感放射线性树脂组合物涂布于在60℃下进行了60秒HMDS处理的硅基板上后，(1a)在加热板上以90℃预烘烤2分钟，从而形成平均膜厚3.0μm的涂膜，(2a)介隔具有宽度10μm的线与空间图案的图案掩模，利用水银灯对所述涂膜照射规定量的紫外线，(3a)使用包含四甲基氢氧化铵2.38质量％水溶液的显影液，在25℃下对紫外线照射后的涂膜进行60秒显影处理后，利用超纯水进行1分钟流水清洗。再者，在进行涂布后延迟(PostCoating Delay，PCD)裕度评价的情况下，在所述(1a)之后且所述(2a)之前追加将所述涂膜在室温下放置1小时的工序，另外，在进行曝光后延迟(Post Exposure Delay，PED)裕度评价的情况下，在所述(2a)之后且所述(3a)之前追加将所述涂膜在室温下放置1小时的工序。此时，对可形成宽度10μm的线与空间图案的最小曝光量进行测定。将所述测定值与[放射线感度]的测定值加以比较，将最小曝光量的增加率未满5％的情况判定为AA，将5％以上、未满10％的情况判定为A，将10％以上、未满20％的情况判定为B，将20％以上的情况或无法解析而未评价的情况判定为C。当为AA、A、B时，可评价为PCD裕度、PED裕度良好，当为C时，可评价为PCD裕度、PED裕度不良。
[硬化膜的耐化学品性的评价]
硬化膜的耐化学品性以由剥离液所引起的膨润的形式进行评价。使用旋转器，将感放射线性树脂组合物涂布于硅基板上后，在加热板上以90℃预烘烤2分钟，从而形成平均膜厚3.0μm的涂膜。继而，使用接近式曝光机(佳能公司的“MA-1200”(ghi射线混合))对基板整个面照射3000J/m2的光后，使用加温至230℃的烘箱煅烧30分钟而形成硬化膜。使所述膜在加温至40℃的N-甲基吡咯烷酮溶剂中浸渍6分钟，求出浸渍前后的膜厚变化率(％)，并设为耐化学品性的指标。将膜厚变化率设为AA：膜厚变化率未满2％；A：膜厚变化率2％以上、未满5％；B：膜厚变化率5％以上、未满10％；C：膜厚变化率10％以上、未满15％；D：膜厚变化率15％以上；当为AA、A、B或C时，评价为耐化学品性良好，当为D时，评价为耐化学品性不良。膜厚是使用光干涉式膜厚测定装置(拉姆达艾斯(Lambda Ace)VM-1010)在25℃下进行测定。
如表2所示，可知：实施例的各感放射线性树脂组合物具有良好的放射线感度，且作为实用特性的保存稳定性、基板密接性、PCD裕度、PED裕度、耐化学品性的任一者均良好。另一方面，在比较例的感放射线性树脂组合物中，不存在所有的特性均良好者。

Claims (13)

1.一种感放射线性树脂组合物，其特征在于，包含：
聚合体成分(A)，在相同或不同的聚合体中具有含有芳香环与直接键结于所述芳香环上的烷氧基硅烷基的结构单元(I)及含有酸性基的结构单元(II)，其中，源自芳香族不饱和羧酸及含羟基氟化烷基的单体的结构单元除外；
感放射线性化合物(B)；以及
有机溶媒(G)。
2.根据权利要求1所述的感放射线性树脂组合物，其中：所述感放射线性化合物(B)包含选自感放射线性酸产生剂及感放射线性碱产生剂中的至少一种化合物。
3.根据权利要求1或2所述的感放射线性树脂组合物，其中：还含有选自热酸产生剂及热碱产生剂中的至少一种化合物(C)。
4.根据权利要求1或2所述的感放射线性树脂组合物，其中：还含有密接助剂。
5.根据权利要求1或2所述的感放射线性树脂组合物，其中：还含有酸扩散控制剂。
6.根据权利要求1或2所述的感放射线性树脂组合物，其中：还含有溶解性促进剂。
7.根据权利要求1或2所述的感放射线性树脂组合物，其中：所述聚合体成分(A)在与具有选自所述结构单元(I)及所述结构单元(II)中的至少一种结构单元的聚合体相同或不同的聚合体中，还具有含有交联性基的结构单元(III)。
8.根据权利要求1或2所述的感放射线性树脂组合物，其中：所述结构单元(I)为包含经取代或未经取代的苯环、萘环或蒽环与直接键结于所述环上的由-SiR3所表示的基的结构单元，所述R分别独立地为氢原子、卤素原子、羟基、烷基、芳基或烷氧基；其中，所述R的至少一个为烷氧基。
9.一种经图案化的硬化膜，其中：由根据权利要求1至8中任一项所述的感放射线性树脂组合物形成。
10.根据权利要求9所述的经图案化的硬化膜，其中：为层间绝缘膜。
11.一种经图案化的硬化膜的制造方法，包括：工序(1)，在基板上形成根据权利要求1至8中任一项所述的感放射线性树脂组合物的涂膜；工序(2)，对所述涂膜的一部分照射放射线；工序(3)，对经放射线照射的所述涂膜进行显影；以及工序(4)，对经显影的所述涂膜进行加热。
12.一种半导体元件，包括：根据权利要求9或10所述的经图案化的硬化膜。
13.一种显示装置，包括：根据权利要求12所述的半导体元件。
CN201811098959.8A 2017-09-28 2018-09-20 感放射线性树脂组合物、半导体元件、显示装置、硬化膜及其制造方法 Pending CN109581812A (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017187880 2017-09-28
JP2017-187880 2017-09-28
JP2018145143A JP7035889B2 (ja) 2017-09-28 2018-08-01 感放射線性樹脂組成物およびその用途
JP2018-145143 2018-08-01

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN109581812A true CN109581812A (zh) 2019-04-05

Family

ID=65919861

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201811098959.8A Pending CN109581812A (zh) 2017-09-28 2018-09-20 感放射线性树脂组合物、半导体元件、显示装置、硬化膜及其制造方法

Country Status (2)

Country Link
KR (1) KR102654731B1 (zh)
CN (1) CN109581812A (zh)

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200811600A (en) * 2006-08-17 2008-03-01 Hitachi Chem Dupont Microsys Post type photoresist composition, method of manufacturing pattern and electronic part
CN102859439A (zh) * 2010-04-27 2013-01-02 Jsr株式会社 正型感射线性组合物、显示元件用层间绝缘膜及其形成方法
CN102870047A (zh) * 2010-04-28 2013-01-09 Jsr株式会社 正型感射线性组合物、显示元件用层间绝缘膜及其形成方法
CN104011596A (zh) * 2011-12-26 2014-08-27 东丽株式会社 感光性树脂组合物和半导体元件的制造方法
CN104685416A (zh) * 2012-09-28 2015-06-03 富士胶片株式会社 感光性树脂组合物、使用其的硬化膜的制法、硬化膜、液晶显示装置及有机el显示装置
JP2015118385A (ja) * 2015-01-15 2015-06-25 Jsr株式会社 液浸露光用感放射線性樹脂組成物、硬化パターン形成方法及び硬化パターン
CN104914668A (zh) * 2014-03-13 2015-09-16 Jsr株式会社 硬化性树脂组合物、显示元件用硬化膜、显示元件用硬化膜的形成方法及显示元件
CN105764993A (zh) * 2013-10-21 2016-07-13 Az电子材料（卢森堡）有限公司 含硅的热或光固化性组合物
JP2017107024A (ja) * 2015-12-08 2017-06-15 Jsr株式会社 感放射線性樹脂組成物、硬化膜の形成方法、硬化膜、半導体素子及び表示素子
CN107077070A (zh) * 2014-09-30 2017-08-18 东丽株式会社 感光性树脂组合物、固化膜、具备固化膜的元件及半导体器件的制造方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3965868B2 (ja) 2000-06-12 2007-08-29 Ｊｓｒ株式会社 層間絶縁膜およびマイクロレンズ
JP2012113227A (ja) * 2010-11-26 2012-06-14 Jnc Corp 感光性樹脂組成物、パターン状透明膜、及び表示素子
JP5935297B2 (ja) 2011-11-09 2016-06-15 Jnc株式会社 ポジ型感光性組成物
JP6136491B2 (ja) * 2012-04-24 2017-05-31 Jsr株式会社 感放射線性樹脂組成物、表示素子用層間絶縁膜及びその形成方法
JP6318957B2 (ja) * 2014-07-31 2018-05-09 Jsr株式会社 感放射線性樹脂組成物、硬化膜及びその形成方法、並びに表示素子
JP6658167B2 (ja) * 2016-03-18 2020-03-04 Jsr株式会社 感放射線性樹脂組成物、硬化膜、硬化膜の形成方法及び電子デバイス

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200811600A (en) * 2006-08-17 2008-03-01 Hitachi Chem Dupont Microsys Post type photoresist composition, method of manufacturing pattern and electronic part
CN102859439A (zh) * 2010-04-27 2013-01-02 Jsr株式会社 正型感射线性组合物、显示元件用层间绝缘膜及其形成方法
CN102870047A (zh) * 2010-04-28 2013-01-09 Jsr株式会社 正型感射线性组合物、显示元件用层间绝缘膜及其形成方法
CN104011596A (zh) * 2011-12-26 2014-08-27 东丽株式会社 感光性树脂组合物和半导体元件的制造方法
CN104685416A (zh) * 2012-09-28 2015-06-03 富士胶片株式会社 感光性树脂组合物、使用其的硬化膜的制法、硬化膜、液晶显示装置及有机el显示装置
CN105764993A (zh) * 2013-10-21 2016-07-13 Az电子材料（卢森堡）有限公司 含硅的热或光固化性组合物
CN104914668A (zh) * 2014-03-13 2015-09-16 Jsr株式会社 硬化性树脂组合物、显示元件用硬化膜、显示元件用硬化膜的形成方法及显示元件
CN107077070A (zh) * 2014-09-30 2017-08-18 东丽株式会社 感光性树脂组合物、固化膜、具备固化膜的元件及半导体器件的制造方法
JP2015118385A (ja) * 2015-01-15 2015-06-25 Jsr株式会社 液浸露光用感放射線性樹脂組成物、硬化パターン形成方法及び硬化パターン
JP2017107024A (ja) * 2015-12-08 2017-06-15 Jsr株式会社 感放射線性樹脂組成物、硬化膜の形成方法、硬化膜、半導体素子及び表示素子

Also Published As

Publication number Publication date
KR20190037117A (ko) 2019-04-05
KR102654731B1 (ko) 2024-04-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102053493B (zh) 放射线敏感性组合物、保护膜、层间绝缘膜以及它们的形成方法
CN104062849B (zh) 绝缘膜用感光性树脂组合物及固化物
CN103116232B (zh) 阵列基板、液晶显示元件及阵列基板的制造方法
CN101965542B (zh) 感光性聚有机硅氧烷组合物
JP5507208B2 (ja) ポジ型感光性樹脂組成物、硬化膜、層間絶縁膜、有機ｅｌ表示装置、及び液晶表示装置
CN104298074B (zh) 透明像素形成用感光性树脂组合物及使用其形成的滤色器
CN109863206A (zh) 树脂组合物、树脂片材、固化膜、有机el显示装置、半导体电子部件、半导体器件及有机el显示装置的制造方法
TWI791622B (zh) 感放射線性樹脂組成物、半導體元件、顯示裝置、硬化膜及其製造方法
JP2017116834A (ja) 感放射線性樹脂組成物、硬化膜、その形成方法、及び表示素子
JP7035889B2 (ja) 感放射線性樹脂組成物およびその用途
CN105917274B (zh) 感光性树脂组合物、硬化膜的制造方法、硬化膜、液晶显示装置及有机el显示装置
JP2017181928A (ja) ポジ型感放射線性樹脂組成物、層間絶縁膜、層間絶縁膜の形成方法、半導体素子及び表示素子
CN109581812A (zh) 感放射线性树脂组合物、半导体元件、显示装置、硬化膜及其制造方法
TWI835823B (zh) 感放射線性組成物、硬化膜、硬化膜的製造方法及顯示元件
CN102890352B (zh) 阵列基板、液晶显示元件及阵列基板的制造方法
JP7494785B2 (ja) 感放射線性組成物、硬化膜及びその製造方法、半導体素子並びに表示素子
CN109581811A (zh) 感放射线性树脂组合物、半导体元件、显示装置、硬化膜及其制造方法
CN110320746A (zh) 感放射线性组合物、硬化膜及其制造方法、显示元件及显示装置
KR102676693B1 (ko) 감방사선성 조성물 및 그의 용도
JP2023023223A (ja) 硬化性組成物、硬化膜及びその製造方法、並びに重合体
KR20170113150A (ko) 착색 경화물의 형성 방법
WO2020012753A1 (ja) 硬化性組成物、並びに構造体及びその形成方法
TW202140632A (zh) 感放射線性組成物、硬化膜及其製造方法、半導體元件、顯示元件以及聚合物
TW202407464A (zh) 感放射線性組成物、硬化膜及其製造方法、顯示裝置以及硬化性樹脂組成物
KR20090072835A (ko) 수계 현상형 실리콘계 감광성 수지 및 이로부터 제조된절연막

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination