CN109509715A - 基片处理装置、基片处理方法和存储介质 - Google Patents

基片处理装置、基片处理方法和存储介质 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种基片处理装置(10)，其包括：能够保持正面(Wa)形成有覆膜(F)的晶片(W)并使其旋转的旋转保持部(20)；对由旋转保持部(20)保持的晶片(W)的正面(Wa)的周缘部供给覆膜(F)的蚀刻处理用的第一药液的第一供给部(30)；对晶片W的背面(Wb)的周缘部供给第一药液的第二供给部(40)；和对晶片W的背面(Wb)的周缘部供给能够与第一药液进行放热反应的第二药液的第三供给部(50)。由此，能够以简单的结构，提高基片周缘部的蚀刻处理的进行速度。

Description

基片处理装置、基片处理方法和存储介质
技术领域
本发明涉及基片处理装置、基片处理方法和存储介质。
背景技术
专利文献1公开了一种基片处理装置，其包括：水平地保持基片的基片保持部；使基片保持部旋转的旋转驱动部；对由基片保持部保持的基片的周缘部分供给第一处理液的第一处理液喷嘴；将第一气体加热后，供给到由基片保持部保持的基片的周缘部分的第一气体供给单元。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2013-153135号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
本发明的目的在于提供一种能够用简单的结构来提高基片的周缘部上的蚀刻处理的进行速度的基片处理装置。
用于解决问题的技术方案
本发明的一个方面的基片处理装置，包括：能够保持正面形成有覆膜的基片并使基片旋转的旋转保持部；第一供给部，其对由旋转保持部保持的基片的正面的周缘部供给覆膜的蚀刻处理用的第一药液；第二供给部，其对基片的背面的周缘部供给第一药液；和第三供给部，其对基片的背面的周缘部供给能够与第一药液进行放热反应的第二药液。
发明的效果
根据本发明，能够用简单的结构来提高基片的周缘部上的蚀刻处理的进行速度。
附图说明
图1是表示基片处理系统的概略结构的图。
图2是表示基片处理装置的概略结构的示意图。
图3是表示控制装置的功能上的结构的块图。
图4是表示基片处理工序的流程图。
图5是表示蚀刻处理工序的流程图。
图6是表示冲洗处理工序的流程图。
图7是表示干燥处理工序的流程图。
图8是表示基片处理工序的执行中的晶片状态的示意图。
图9是将基片处理工序的执行中的晶片的周缘部放大表示的示意图。
附图标记说明
4：控制装置，20：旋转保持部，30：第一供给部，40：第二供给部，50：第三供给部，F：覆膜，W：晶片(基片)，Wa：正面，Wb：背面。
具体实施方式
以下，参照附图详细说明实施方式。在说明中，对相同要素或者具有相同功能的要素标注相同的附图标记，省略重复的说明。
(基片处理系统)
图1是表示本实施方式的基片处理系统的概略结构的图。以下，为了明确位置关系，规定相互正交的X轴、Y轴和Z轴，令Z轴正向为铅垂向上方向。如图1所示，基片处理系统1包括送入送出站2和处理站3。送入送出站2和处理站3相邻设置。
送入送出站2包括载体载置部11和输送部12。载体载置部11载置有以水平状态收纳多个基片、本实施方式中为半导体晶片(以下晶片W)的多个载体C。
输送部12与载体载置部11相邻设置，在内部具有基片输送装置13和交接部14。基片输送装置13具有保持晶片W的晶片保持机构。另外，基片输送装置13能够进行向水平方向和铅垂方向的移动以及以铅垂轴为中心的旋转，使用晶片保持机构在载体C与交接部14之间进行晶片W的输送。
处理站3与输送部12相邻设置。处理站3包括输送部15和多个处理单元16。多个处理单元16并排设置在输送部15的两侧。
输送部15在内部具有基片输送装置17。基片输送装置17具有保持晶片W的晶片保持机构。另外，基片输送装置17能够进行向水平方向和铅垂方向的移动以及以铅垂轴为中心的旋转，使用晶片保持机构在交接部14与处理单元16之间进行晶片W的输送。
处理单元16对由基片输送装置17输送的晶片W进行规定的基片处理。
另外，基片处理系统1具备控制装置4。控制装置4例如是计算机，具备控制部18和存储部19。存储部19收纳有控制在基片处理系统1中执行的各种的处理的程序。控制部18通过读取存储在存储部19的程序并执行，来控制基片处理系统1的动作。
此外，上述程序是存储于计算机可读取的存储介质的程序，也可以是从该存储介质安装于控制装置4的存储部19的程序。作为计算机可读取的存储介质，例如有硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、磁光盘(MO)、存储卡等。
在上述那样构成的基片处理系统1中，首先，送入送出站2的基片输送装置13从载置于载体载置部11的载体C取出晶片W，将取出的晶片W载置到接收部14。利用处理站3的基片输送装置17从接收部14取出载置于接收部14的晶片W，送入处理单元16。
送入到处理单元16的晶片W由处理单元16处理后，由基片输送装置17从处理单元16送出，载置到接收部14。然后，载置在接收部14的处理完成的晶片W由基片输送装置13送回到载体载置部11的载体C。
(基片处理装置)
接着，例示基片处理系统1所包含的基片处理装置10的结构。基片处理装置10，以正面形成有金属膜等的覆膜F的晶片W为处理对象，进行除去覆膜F中的位于晶片W的周缘部(周缘Wc的附近部分)的部分的处理。作为覆膜F的一个例子，能够列举包含钨的钨膜。作为覆膜F的其他的例子，能够列举钛膜、硅化物膜、氧化钛膜、氮化钛膜、钌膜、金膜、铂膜等。覆膜F可以为多层膜(具有彼此组成不同的多个层的膜)。
如图2所示，基片处理装置10包括处理单元16和控制其的控制装置4。处理单元16包括旋转保持部20、第一供给部30、第二供给部40、第三供给部50、第四供给部60和第五供给部70。
旋转保持部20将正面Wa上形成有覆膜F的晶片W保持并使其旋转。例如旋转保持部20包括保持部21和旋转驱动部22。保持部21支承以覆膜F为上被水平配置的晶片W，例如通过真空吸附等保持该晶片W。旋转驱动部22例如是以电动马达等为动力源的致动器，绕铅垂的轴线Ax1使保持部21和晶片W旋转。
第一供给部30对由旋转保持部20保持的晶片W的正面Wa的周缘部(周缘Wc的附近部分)供给覆膜F蚀刻处理用的第一药液。第一供给部30例如具有喷嘴31、液供给源32和阀33。
喷嘴31配置在晶片W的正面Wa的上方，将第一药液向下方(包含斜下方)排出。第一药液例如是双氧水(过氧化氢水溶液)。在第一药液为双氧水的情况下，通过羟基的附着而使覆膜F的成分变得可溶。第一药液为能够溶解覆膜F的药液即可，不限于双氧水。作为第一药液的其他例子，能够列举氢氟酸、盐酸等。
液供给源32对喷嘴31供给第一药液。液供给源32例如包括收纳第一药液的罐(未图示)和从该罐向喷嘴31压送第一药液的泵(未图示)。阀33例如是AIR-OPERATED VALVE(气动阀)，开闭从液供给源32向喷嘴31的第一药液的流路。喷嘴驱动部34例如以电动马达等为动力源，使喷嘴31沿与晶片W的旋转中心(轴线Ax1)交叉(例如正交)的方向移动。
第二供给部40向晶片W的背面Wb的周缘部(周缘Wc的附近部分)供给第一药液。第二供给部40例如具有喷嘴41、液供给源42和阀43。
喷嘴41配置在晶片W的背面Wb的周缘部的下方，将第一药液向上方(包括斜上方)排出。液供给源42对喷嘴41供给第一药液。液供给源42例如包括收纳第一药液的罐(未图示)和从该罐向喷嘴41压送第一药液的泵(未图示)。阀43例如是AIR-OPERATED VALVE(气动阀)，开闭从液供给源42向喷嘴41的第一药液的流路。
第三供给部50对晶片W的背面Wb的周缘部供给能够与第一药液进行放热反应的第二药液。第三供给部50排出没有与第一药液混合的第二药液，使该第二药液在晶片W的背面Wb的周缘部与第一药液混合。第三供给部50使第二药液到达比来自第二供给部40的第一药液到达晶片W的位置靠晶片W的旋转中心(轴线Ax1)附近的位置。
第三供给部50例如包括喷嘴51、液供给源52和阀53。喷嘴51配置在晶片W的背面Wb的周缘部的下方，将第二药液向上方(包括斜上方)排出。喷嘴51位于比第二供给部40的喷嘴41靠晶片W的旋转中心附近，以使得第二药液到达比从第二供给部40排出的第一药液到达晶片W的位置靠晶片W的旋转中心附近的位置。
第二药液只要为能够与第一药液进行放热反应的药液即可。第一药液为双氧水或氢氟酸的情况下，作为能够与第一药液组合的第二药液的一个例子能够列举硫酸。在第一药液为盐酸的情况下，作为能够与第一药液组合的第二药液的一个例子能够列举硝酸溶液。
液供给源52对喷嘴51供给第二药液。液供给源52例如包括收纳第二药液的罐(未图示)和从该罐向喷嘴51压送第二药液的泵(未图示)。阀53例如是AIR-OPERATED VALVE(气动阀)，开闭从液供给源52向喷嘴51的第二药液的流路。
第四供给部60将冲洗第一药液、第二药液和覆膜F的溶解成分的冲洗处理用的处理液(以下称为“冲洗液”。)供给到晶片W的正面Wa的周缘部。第四供给部60例如包括喷嘴61、液供给源62和阀63。喷嘴61配置在晶片W的正面Wa的上方，将冲洗液向下方(包含斜下方)排出。作为冲洗液的具体例，能够列举纯水(DIW)。液供给源62向喷嘴61供给冲洗液。例如液供给源62包含收纳冲洗液的罐(未图示)和从该罐向喷嘴61压送冲洗液的泵(未图示)。阀63例如是AIR-OPERATED VALVE(气动阀)，开闭从液供给源62向喷嘴61的冲洗液的流路。喷嘴驱动部64例如以电动马达等为动力源，使喷嘴61沿着与晶片W的旋转中心(轴线Ax1)交叉(例如正交)的方向移动。
第五供给部70对晶片W的背面Wb的周缘部供给冲洗液。例如第五供给部70包括喷嘴71、液供给源72和阀73。喷嘴71配置在晶片W的背面Wb的周缘部的下方，将冲洗液向上方(包括斜上方)排出。液供给源72对喷嘴71供给冲洗液。液供给源72例如包含收纳冲洗液的罐(未图示)和从该罐向喷嘴71压送冲洗液的泵(未图示)。阀73例如是气动阀，开闭从液供给源72向喷嘴71的冲洗液的流路。
控制装置4(控制部)进行以下控制，即：控制第一供给部30向晶片W的正面Wa的周缘部供给第一药液；在第一药液被供给到晶片W的正面Wa的周缘部时，控制第二供给部40向该晶片W的背面Wb的周缘部供给第一药液；在第一药液被供给到晶片W的正面Wa的周缘部和背面Wb的周缘部时，控制第三供给部50向该晶片W的背面Wb的周缘部供给第二药液。控制装置4还进行以下控制，即：控制第二药液供给部和第三药液供给部，使得根据处理对象的覆膜的种类来调节到达晶片W的背面Wb的第一药液和第二药液的比率。
如图3所示，控制装置4作为功能上的结构(以下称为“功能模块”。)例如包括蚀刻控制部110、冲洗控制部120、干燥控制部130和处理方案存储部140。
蚀刻控制部110控制处理单元16，使得对晶片W的正面Wa的周缘部供给第一药液，对晶片W的背面Wb的周缘部供给第一药液和第二药液的蚀刻处理。蚀刻控制部110作为更细化的功能模块包括旋转控制部111、第一供给控制部112、第二供给控制部113、第三供给控制部114和比率调节部115。
旋转控制部111控制旋转保持部20，使晶片W以蚀刻处理用的旋转速度旋转。第一供给控制部112控制第一供给部30对晶片W的正面Wa的周缘部供给第一药液。在第一药液被供给到晶片W的正面Wa的周缘部时，第二供给控制部113控制第二供给部40对该晶片W的背面Wb的周缘部供给第一药液。在第一药液被供给到晶片W的正面Wa的周缘部和背面Wb的周缘部时，第三供给控制部114控制第三供给部50对该晶片W的背面Wb的周缘部供给第二药液。
比率调节部115控制第二供给部40和第三供给部50，使得根据处理对象的覆膜F的种类来调节到达晶片W的背面Wb的第一药液和第二药液的比率。在覆膜F为多层膜的情况下，比率调节部115可以根据多层膜的哪一层为处理对象来变更到达晶片W的背面Wb的第一药液和第二药液的比率。例如比率调节部115根据覆膜F的种类来设定到达晶片W的背面Wb的第一药液和第二药液的比率的目标值(以下“目标混合比率”。)，经由第二供给控制部113和第三供给控制部114控制第二供给部40和第三供给部50，使得来自喷嘴41的第一药液的排出量和来自喷嘴51的第二药液的排出量的比率(以下称为“排出量比率”。)接近目标混合比率。此外，与覆膜F的种类相应的目标混合比率能够通过参照预先存储的表来进行设定。
冲洗控制部120控制处理单元16使得执行对晶片W的正面Wa的周缘部和背面Wb的周缘部供给冲洗液的冲洗处理。冲洗控制部120作为更细化的功能模块包括旋转控制部121、第四供给控制部122和第五供给控制部123。旋转控制部121控制旋转保持部20使晶片W以冲洗处理用的旋转速度旋转。第四供给控制部122控制第四供给部60对晶片W的正面Wa的周缘部供给冲洗液。在冲洗液被供给到晶片W的正面Wa的周缘部时，第五供给控制部123控制第五供给部70对该晶片W的背面Wb的周缘部供给冲洗液。
干燥控制部130控制处理单元16使得执行冲洗处理后的晶片W的干燥处理。干燥控制部130作为更细化的功能模块包括旋转控制部131。旋转控制部131控制旋转保持部20使晶片W以干燥处理用的旋转速度旋转。
处理方案存储部140存储有以确定上述蚀刻处理、冲洗处理和干燥处理的条件的方式预先设定的参数。该参数包括各处理用的晶片W的旋转速度、蚀刻处理中的第一药液和第二药液的供给继续时间(以下称为“蚀刻时间”。)、冲洗处理中的冲洗液的供给继续时间(以下称为“冲洗时间”。)、干燥处理中的晶片W的旋转的继续时间(以下称为“干燥时间”。)等。
(基片处理方法)
接着，作为基片处理方法的一个例子，说明基片处理装置10所执行的基片处理工序。该基片处理工序包括：保持正面Wa形成有覆膜F的晶片W并使其旋转的步骤；向晶片W的正面Wa的周缘部供给第一药液的步骤；在第一药液被供给到晶片W的正面Wa的周缘部时，对晶片W的背面Wb的周缘部供给第一药液和第二药液的步骤。
在该基片处理工序中，控制装置4依次执行图4所示的步骤S01、S02、S03。在步骤S01中，蚀刻控制部110控制处理单元16以执行上述蚀刻处理。在步骤S02中，冲洗控制部120控制处理单元16以执行上述冲洗处理。在步骤S03中，干燥控制部130控制处理单元16以执行上述干燥处理。以下，例示步骤S01的蚀刻处理工序、步骤S02的冲洗处理工序和步骤S03的干燥处理工序的具体内容。
(蚀刻处理工序)
图5是例示了覆膜F为多层膜的情况下的蚀刻处理工序的流程图。如图5所示，蚀刻控制部110首先依次执行步骤S11、S12、S13。在步骤S11中，旋转控制部111控制旋转保持部20使晶片W以存储于处理方案存储部140中的蚀刻处理用的旋转速度ω1开始旋转(参照图8的(a))。在步骤S12中，第一供给控制部112控制第一供给部30使得通过喷嘴驱动部34将喷嘴31配置在晶片W的正面Wa的上方。在步骤S13中，比率调节部115参照存储于处理方案存储部140中的覆膜F的种类的信息，根据处理对象的覆膜的种类(覆膜F的最上层的种类)设定上述目标混合比率。例如比率调节部115设定上述目标混合比率使得晶片W的周缘部的温度成为适合处理对象的覆膜的处理的温度。此外，步骤S11、S12、S13的执行顺序能够适当变更。
接在，蚀刻控制部110执行步骤S14。在步骤S14中，第一供给控制部112控制第一供给部30使得打开阀33开始从喷嘴31排出第一药液，第二供给控制部113控制第二供给部40使得打开阀43开始从喷嘴41排出第一药液，第三供给控制部114控制第三供给部50使得打开阀53开始从喷嘴51排出第二药液(参照图8的(a))。
之后，第二供给控制部113和第三供给控制部114控制第二供给部40和第三供给部50(例如调节阀43、53的开度)，使上述排出量比率接近由比率调节部115设定的上述目标混合比率。即，比率调节部115经由第二供给控制部113和第三供给控制部114控制第二供给部40和第三供给部50使排出量比率接近目标混合比率。另外，此时，也可以如图9所示控制装置4控制第一供给部30、第二供给部40和第三供给部50的流量，使得从第二供给部40供给的第一药液和从第三供给部50供给的第二药液的混合液LM从晶片的背面Wb的周缘部绕到晶片W的正面Wa的周缘部，与从第一供给部30供给的第一药液L1在正面Wa的周缘部碰撞。正面Wa中的混合液LM到达的区域Wd，在处理期间中可以固定也可以变化，优选位于比覆膜F的外周端的位置更靠外侧的位置。
接着，蚀刻控制部110执行步骤S15。在步骤S15中，比率调节部115确认覆膜F整层的蚀刻处理是否结束。在步骤S15中，在判定为残留有蚀刻处理未结束的层的情况下，蚀刻控制部110执行步骤S16。在步骤S16中，比率调节部115确认对处理对象的层的蚀刻处理是否结束。例如比率调节部115确认是否经过了存储于处理方案存储部140中的该层用的上述蚀刻时间。
在步骤S16中，在判定为对处理对象的层的蚀刻处理未结束的情况下，蚀刻控制部110使处理返回步骤S15。在步骤S16中，在判定为对处理对象的层的蚀刻处理结束的情况下，蚀刻控制部110执行步骤S17。在步骤S17中，比率调节部115根据处理对象的层的下层的种类变更目标混合比率。之后，蚀刻控制部110使处理返回步骤S15。之后，至覆膜F整层的蚀刻处理结束为止，一边根据多层膜的哪一层为处理对象来变更排出量比率，一边继续对正面Wa的周缘部供给第一药液以及对背面Wb的周缘部供给第一药液和第二药液。
在步骤S15中，在判定覆膜F整层的蚀刻处理结束的情况下，蚀刻控制部110执行步骤S18、S19。在步骤S18中，第一供给控制部112控制第一供给部30使得将阀33关闭而停止来自喷嘴31的第一药液的排出，第二供给控制部113控制第二供给部40使得将阀43关闭而停止来自喷嘴41的第一药液的排出，第三供给控制部114控制第三供给部50使得将阀53关闭而停止来自喷嘴51的第二药液的排出。在步骤S19中，第一供给控制部112控制第一供给部30使得通过喷嘴驱动部34使喷嘴31从正面Wa的周缘部上退避。由此，蚀刻处理工序结束。此外，步骤S18、S19的执行顺序能够适当变更。
(冲洗处理工序)
如图6所示，蚀刻控制部110首先依次执行步骤S31、S32、S33。在步骤S31中，旋转控制部121控制旋转保持部20使晶片W的旋转速度改变为存储于处理方案存储部140中的冲洗处理用的旋转速度ω2(参照图8的(b))。在步骤S32中，第四供给控制部122控制第四供给部60通过喷嘴驱动部64将喷嘴61配置在晶片W的正面Wa的上方。在步骤S33中，第四供给控制部122控制第四供给部60使得打开阀63开始来自喷嘴61的冲洗液的排出(参照图8的(b))。此外，步骤S31、S32的执行顺序能够适当变更。
接着，蚀刻控制部110依次执行步骤S34、S35、S36。在步骤S34中，第四供给控制部122待机经过存储于处理方案存储部140中的上述冲洗时间。在步骤S35中，第四供给控制部122控制第四供给部60使得将阀63关闭而停止来自喷嘴61的冲洗液的排出。在步骤S36中，第四供给控制部122控制第四供给部60使得通过喷嘴驱动部64使喷嘴61从正面Wa的周缘部上退避。由此，冲洗处理工序结束。此外，步骤S35、S36的执行顺序能够适当变更。
(干燥处理工序)
如图7所示，干燥控制部130依次执行步骤S41、S42、S43。在步骤S41中，旋转控制部131控制旋转保持部20使得晶片W的旋转速度变更为存储于处理方案存储部140中的干燥处理用的旋转速度ω3(参照图8的(c))。在步骤S42中，旋转控制部131待机经过存储于处理方案存储部140中的上述干燥时间。在步骤S43中，旋转控制部131控制旋转保持部20以使晶片W的旋转停止。由此，干燥处理工序结束。
(本实施方式的效果)
如以上说明的那样，基片处理装置10包括：保持正面Wa形成有覆膜F的晶片W并使其旋转的旋转保持部20；对由旋转保持部20保持的晶片W的正面Wa的周缘部供给覆膜F的蚀刻处理用的第一药液的第一供给部30；对晶片W的背面Wb的周缘部供给第一药液的第二供给部40；和对晶片W的背面Wb的周缘部供给能够与第一药液进行放热反应的第二药液的第三供给部50。
根据基片处理装置10，在第一供给部30对晶片W的正面Wa的周缘部供给第一药液时，能够通过第二供给部40和第三供给部50对该晶片W的背面Wb的周缘部供给第一药液和第二药液。供给到晶片W的背面Wb的第一药液和第二药液彼此混合进行放热反应。由此，晶片W的周缘部被加热，从而能够促进晶片W的正面Wa中的用第一药液进行的蚀刻处理。如上所述，通过将第一药液和第二药液供给到背面Wb的简单结构，就能够加热晶片W的周缘部，提高液处理的进行速度。
第三供给部50构成为使第二药液到达比来自第二供给部40的第一药液到达晶片W的位置靠晶片W的旋转中心附近的位置。在该情况下，在晶片W的周缘和晶片W的正面Wa侧，能够抑制第一药液被第二药液稀释。因此，能够更可靠地提高液处理的进行速度。
基片处理装置10还包括控制装置4，该控制装置4执行以下控制，即：控制第一供给部30使得对晶片W的正面Wa的周缘部供给第一药液的步骤；在第一药液被供给到晶片W的正面Wa的周缘部时，控制第二供给部40使得对该晶片W的背面Wb的周缘部供给第一药液的步骤；和在第一药液被供给到晶片W的正面Wa的周缘部和背面Wb的周缘部时，控制第三供给部50使得对该晶片W的背面Wb的周缘部供给第二药液。在该情况下，在第一药液被供给到晶片W的正面Wa的周缘部时，能够由第二供给部40和第三供给部50自动地执行对该晶片W的背面Wb的周缘部供给第一药液和第二药液的步骤，因此能够提高基片处理装置10的便利性。
控制装置4还执行以下控制，即：控制第二供给部40和第三供给部50，以根据处理对象的覆膜F的种类来调节到达晶片W的背面Wb的第一药液和第二药液的比率。在该情况下，能够根据处理对象的覆膜F的种类来调节晶片W的周缘部的加热量。
覆膜F是多层膜，控制装置4根据多层膜的哪一层为处理对象，来变更到达晶片W的背面Wb的第一药液和第二药液的比率。在该情况下，能够对多层膜的每一层调节晶片W的周缘部的加热量。
控制装置4还执行以下控制，即：控制第一供给部30、第二供给部40和第三供给部50，使得从第二供给部40供给的第一药液与从第三供给部50供给的第二药液的混合液，从晶片W的背面Wb的周缘部绕到晶片W的正面Wa的周缘部，与从第一供给部30供给的第一药液在正面Wa的周缘部冲突。在该情况下，从第一供给部30供给的第一药液容易保持被加热地停留在被晶片W的正面Wa的周缘部，能够进一步提高液处理的进行速度。
以上，对实施方式进行了说明，但是，本发明并不限于上述实施方式，在不脱离其主旨的范围内能够进行各种变更。例如，处理对象的基片不限于半导体晶片，例如也可以为玻璃基板、掩模基板、FPD(Flat Panel Display，平板显示器)等。

Claims (10)

1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：
能够保持基片并使基片旋转的旋转保持部，其中，在所述基片的正面形成有覆膜；
第一供给部，其对由所述旋转保持部保持的所述基片的正面的周缘部供给所述覆膜的蚀刻处理用的第一药液；
第二供给部，其对所述基片的背面的周缘部供给所述第一药液；和
第三供给部，其对所述基片的背面的周缘部供给能够与所述第一药液进行放热反应的第二药液。
2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
所述第三供给部使所述第二药液到达比来自所述第二供给部的所述第一药液到达所述基片的位置靠所述基片的旋转中心的位置。
3.如权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于，
还包括控制装置，其进行以下控制：
控制所述第一供给部来对所述基片的正面的周缘部供给所述第一药液；
在所述第一药液被供给到所述基片的正面的周缘部时，控制所述第二供给部来对该基片的背面的周缘部供给所述第一药液；
在所述第一药液被供给到所述基片的正面的周缘部和背面的周缘部时，控制所述第三供给部来对该基片的背面的周缘部供给所述第二药液。
4.如权利要求3所述的基片处理装置，其特征在于：
所述控制装置还控制所述第二供给部和所述第三供给部，以根据处理对象的覆膜的种类来调节到达所述基片的背面的所述第一药液与所述第二药液的比率。
5.如权利要求4所述的基片处理装置，其特征在于：
所述覆膜是多层膜，
所述控制装置根据所述多层膜中的哪一层为处理对象，来变更到达所述基片的背面的所述第一药液与所述第二药液的比率。
6.如权利要求3所述的基片处理装置，其特征在于：
所述控制装置还控制所述第一供给部、所述第二供给部和所述第三供给部，使得从所述第二供给部供给的所述第一药液和从所述第三供给部供给的所述第二药液的混合液从所述基片的背面的周缘部绕到所述基片的正面的周缘部，与从所述第一供给部供给的所述第一药液在所述基片的正面的周缘部碰撞。
7.如权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于：
所述覆膜含有钨，
所述第一药液含有过氧化氢，所述第二药液含有硫酸。
8.一种基片处理方法，其特征在于，包括：
保持基片并使所述基片旋转的步骤，其中，在所述基片的正面形成有覆膜；
对所述基片的正面的周缘部供给所述覆膜的蚀刻处理用的第一药液的步骤；和
在所述第一药液正在被供给到所述基片的正面的周缘部时，对该基片的背面的周缘供给所述第一药液和能够与所述第一药液进行放热反应的第二药液的步骤。
9.如权利要求8所述的基片处理方法，其特征在于：
还包括根据处理对象的覆膜的种类来调节到达所述基片的背面的所述第一药液与所述第二药液的比率的步骤。
10.一种计算机可读取的存储介质，其特征在于：
存储有用于使装置执行权利要求8或9所述的基片处理方法的程序。
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