CN109478464A - 用于对干扰信号滤波的滤波器件 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种用于对干扰信号滤波的滤波器件，其具有：至少一个陶瓷的多层电容器(2，3，5)，所述多层电容器具有基本体(6)，在所述基本体中上下堆叠多个陶瓷层(9)和内电极(10，11，12)，并且其中在基本体(6)处设置有端子接触件(7，8)。陶瓷层(9)例如具有铅‑镧‑锆酸盐‑钛酸盐‑陶瓷。

Description

用于对干扰信号滤波的滤波器件
技术领域
本发明涉及一种用于对干扰信号滤波的滤波器件，尤其EMT滤波器件(电磁干涉滤波器件)。这种滤波器例如构成用于在汽车领域、尤其在混合和电动车(xEV)中使用。滤波器件例如从文献DE 10 2013 101 323 B4中已知。
背景技术
在高温环境中，例如在xEV应用中，需要滤波部件、尤其电容器的高的热稳定性。滤波器件应尤其适合于在150℃和更高的温度中使用。此外，电容器应具有相对于湿气的高的鲁棒性、相对高的电容值和小的结构尺寸。
所述特性借助通常用于高压EMI滤波器的薄膜电容器仅难以实现。通常，薄膜电容器具有大的结构尺寸或要求冷却，以便将温度保持在可接受的水平上。大多陶瓷的电容器也不具有对于在EMI滤波器中使用期望的特性，如在需要的电容值的同时的高的热稳定性、良好的滤波能力和机械的鲁棒性。
发明内容
本发明的目的是，提出一种具有改进的特性的滤波器件。
根据本发明的滤波器件具有至少一个陶瓷的多层电容器(MLCC，multi layerceramic capacitor)。多层电容器具有基本体，在所述基本体中多个陶瓷层和内电极上下堆叠。在基本体处、尤其在基本体的相对置的侧处设置有端子接触件。
基本体也能够由多个子体组成，所述子体例如并联地彼此连接。子体例如设置在两个共同的端子接触件之间。
在一个实施方式中，陶瓷层具有改性的铅-锆酸盐-钛酸盐(PZT)陶瓷。例如，陶瓷层能够具有铅-镧-锆酸盐-钛酸盐(PZT)陶瓷。
陶瓷的组分尤其选择成，使得陶瓷具有反铁电的表现。在反铁电的表现中，介电常数随着电场强度增大而升高。介电常数尤其在电场强度的值大于零时具有最大值并且随后在电场强度增大时再次下降。相应地，多层电容器的电容在大于零的电压范围中在电压增大时升高。
例如，电容至少在200伏特至300伏特的范围中升高。电容例如在300V和1000V之间的范围中具有最大值并且随后再次下降。
这种电容器已经针对在DC环节和缓冲器应用中使用来开发。在所述应用中，载流能力具有更重要的意义。现在令人惊讶地证实的是，这种电容器也对于在EMI滤波器中使用具有尤其有利的特性。在所述应用领域中，更少地要求高的载流能力，而是要求高的耐电强度，尤其在高温下如此。例如，电容器应允许直至2000V、尤其直至2500V的电压峰值。
已经证实的是，在这种电容器中能够满足对EMI滤波器中的耐电强度的要求，例如根据常见的X或Y分类。
在DC环节和缓冲器应用中，电容器通常在开关场(Schaltfeld)处、即在电容的最大值处运行。因此，描述的电容器最初开发用于在开关场处运行。在用作为EMI滤波器的情况下，电容器根据优选的实施方式明显在开关场之下运行，即在如下区域中，电容器不开发用于所述区域。例如，工作电压最高为电容的最大值处的电压的一半大。尤其地，电容器在相对低的场或电压下运行。
例如，电容器在300V至500V直流电压的范围中、尤其在400V的直流电压处运行。最大值例如大于1000V，例如为1500V。
这在高温下正面地作用于使用寿命。同时，电容器能够在低损耗的范围中运行。
在一个实施方式中，电容器具有至少一个外电极，所述外电极设置在基本体的外侧上，并且在所述外电极处固定有端子接触件。例如，外电极具有至少一个溅射层。外电极能够直接施加在陶瓷上。在一个实施方式中，外电极具有多层构造。在多层构造中，各个层能够关于其在陶瓷处的附着强度、其作为扩散阻挡的特性和关于安置另外接触部方面优化。例如，溅射的外电极具有Cr/Ni/Ag层构造。
在一个实施方式中，端子接触件的至少一个由板形成。其尤其能够为引线框。端子接触件能够具有端子区域，所述端子区域构成用于电容器与载体、例如电路板的电连接和/或机械连接。端子接触件例如具有弯曲形状。尤其地，端子区域关于基本体的俯视图向内或向外弯曲。
在一个实施方式中，端子接触件能够具有中断结构。例如，端子接触件能够蜿蜒状地构成。端子接触件也能够具有呈接触指形式的区域。
在一个实施方式中，端子接触件中的至少一个具有热膨胀系数小的材料，例如殷钢。端子接触件也能够具有多层构造。例如，端子接触件具有CIC(铜-殷钢-铜)层构造。
在一个实施方式中，端子接触件中的至少一个通过烧结的连接材料固定在基本体处。对此，连接材料作为膏涂覆到基本体和/或端子接触件上。膏例如包含银。此后，将端子接触件设置在基本体处，并且加热该装置。尤其地，执行低温烧结工艺，其中温度例如位于150℃和350℃之间。
在一个实施方式中，多层电容器具有：第一内电极，所述第一内电极与第一端子接触件连接；第二内电极，所述第二内电极与第二端子接触件连接；和第三内电极，所述第三内电极不与端子接触件连接。
电容器的这种内部构造对应于两个电容器的串联。电容器因此也能够称作为串联的电容器(MLSC，Multi Layer Serial Ceramic Capacitor，多层串联陶瓷电容器)。通过串联，能够提高电容器的耐电强度。
对内部串联连接替代地或替选地，多个这种电容器也能够串联地彼此连接，以便提高耐电强度。根据本发明的一个方面，提出一种电容器装置，其中两个或更多个这种电容器串联地彼此连接。电容器能够经由电阻彼此连接。
在一个实施方式中，在基本体中构成有至少一个卸荷区域，以用于多层电容器的机械卸荷。陶瓷层在卸荷区域中例如不彼此连接或仅以小的强度彼此连接。卸荷区域能够构成为层之间的间隙。
多层电容器例如固定在电路板处。例如，端子接触件与电路板通过烧结的连接材料或通过焊料材料连接。
在一个实施方式中，滤波器件具有至少一个汇流排。汇流排能够具有两个端部部段，所述端部部段从滤波器件的壳体中伸出。汇流排的中间部段例如设置在壳体中。尤其地，滤波器件具有至少两个这种汇流排。
为了将滤波器件联接到电导线处，汇流排例如在其端部部段处具有端子。借助端子，能够将汇流排例如联接到电源、例如电池和负载处。
例如电路板固定在汇流排处，在所述电路板上设置有多层电容器。尤其地，电路板能够与汇流排旋紧。
在一个实施方式中，滤波器件具有壳体，尤其金属壳体。滤波器件的电部件设置在壳体之内。壳体尤其用于电磁屏蔽。
滤波器件能够具有一个或多个在上文中描述的多层电容器。多层电容器例如连接在LC级中。多层电容器能够朝向地连接和/或到电源的端子和到负载的端子之间连接。尤其在连接到地的情况下，需要高的耐电强度。
根据本发明的另一方面，提出陶瓷的多层电容器在滤波器件中的应用，以对干扰信号滤波。多层电容器和滤波器件能够如在上文中描述的那样构成。尤其地，多层电容器具有基本体，在所述基本体中，多个陶瓷层和内电极上下堆叠，并且其中在基本体处设置有端子接触件。例如，陶瓷层具有铅-镧-锆酸盐-钛酸盐陶瓷。
根据将陶瓷的多层电容器用于对干扰信号滤波的应用的实施方式，将多层电容器在工作电压下运行，所述工作电压明显低于如下电压，在所述电压下，电容器具有电容的最大值。在这种运行中，因此电容位于最大值之下，然而这对于作为EMI滤波器的运行是足够的。通过在最大值之下的运行，提高击穿电压和使用寿命。
例如，工作电压最高为最大值处的电压的一半。
整体上，描述的电容器在用作为EMI滤波器时由于其高的电容密度能够实现紧凑的结构方式连同高的耐温性、高的使用寿命和高的耐电强度。
在本公开中，描述本发明的多个方面。全部关于滤波器件和多层电容器的应用公开的特性也相应地关于其他方面公开，即使相应的特性未明确地在其他方面的上下文中提到也如此。此外，在此提出的主题的描述不限制于各个具体的实施方式。更确切地说，各个实施方式的特征只要技术上有意义就能够彼此组合。
附图说明
下面，在此描述的主题根据示意实施例详细阐述。
附图示出：
图1示出EMI滤波器的实例电路图，
图2示出用于EMI滤波器的陶瓷的多层电容器的立体图，
图3示出用于EMIT电容器的另一陶瓷的多层电容器的立体图，
图4示出用于EMI滤波器的陶瓷的多层电容器的基本体的剖面图，
图5示出端子接触件到用于EMI滤波器的陶瓷的多层电容器的基本体处的联接的剖面图，
图6示出用于EMI滤波器的陶瓷的多层电容器的端子接触件到电路板和汇流板处的联接的剖面图，
图7示出用于EMI滤波器的陶瓷的多层电容器的电容-电压图表，
图8示出借助EMI滤波器滤波的功率电子装置的干扰电压曲线，所述EMI滤波器具有陶瓷的多层电容器，
图9示出在作为EMI滤波器运行时的两个陶瓷的多层电容器的电容-电压图表，
图10示出在作为EMI滤波器运行时的两个陶瓷的多层电容器的电压-失效图表，
图11示出在HAL测试中的两个陶瓷的多层电容器的失效-时间图表。
优选地，在下面的附图中相同的附图标记表示不同的实施方式的功能上或结构上相应的部分。
具体实施方式
图1示出EMI滤波器1的示例性的电路图，尤其直流EMI滤波器。这种滤波器1也能够称作为EMV(Elektromagnetisch电磁兼容性)或EMC(ElectromagneticCompatibility，电磁兼容性)滤波器。滤波器1用于对干扰信号滤波，所述干扰信号连同有效信号在电导线上传递。其尤其能够为高压滤波器。例如，滤波器1构成用于在汽车领域中、尤其在混合和电动车辆(xEV)中使用。电容器1也能够称作为滤波器件1。
滤波器1具有到电源(LINE)的端子L+和L-和到负载(LOAD)的端子L+’和L-’。电源例如为高压电池。例如，所需要的电压位于400VDC至100VDC之间。负载例如为车辆的驱动单元。此外，滤波器1具有到保护导线或地或者壳体的端子PE。
滤波器1具有多个第一和第二电容器2、3。第一电容器2连接在端子L+、L-、L+’和L-’之间。第二电容器3朝地连接。此外，滤波器1具有带有磁芯的多个电感4。
滤波器1的电部件、尤其电容器2、3和电感4能够设置用于壳体中的屏蔽。
在高温环境中，例如在xEV应用中，要求滤波器1的高的热稳定性。部件、尤其电容器2、3在大于85℃的温度下应仍能可靠地使用。例如，部件应能够至少直至125℃的温度、优选至少直至150℃的温度使用。
第一电容器2的所需要的电容值例如处于100nF至若干μF，并且第二电容器3的所需要的电容值位于若干nF至1μF，尤其为4.7nF。
图2示出陶瓷的多层电容器5的一个实施方式，所述多层电容器适合于在高温EMI滤波器中使用。例如，图1中的EMI滤波器1中的一个或多个电容器2、3构成为这种陶瓷的多层电容器5。
多层电容器5具有基本体6。基本体6构成为陶瓷芯片。基本体6具有陶瓷材料。
例如，使用下式的陶瓷材料：
Pb(1-1.5a-0.5b+1.5d+e+0.5f)AaBb(Zr1-xTix)(1-c-d-e-f)LidCeFefSicO3+y·PbO，
其中A选自如下：La、Nd、Y、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er和Yb；B选自如下：Na、K和Ag；C选自如下：Ni、Cu、Co和Mn；并且其中适用的是0＜a＜0.12；0.05≤x≤0.3；0≤b＜0.12；0≤c＜0.12；0≤d＜0.12；0≤e＜0.12；0≤f＜0.12；0≤y＜1，其中b+d+e+f＞0。
例如对于组分如下关系的至少一个适用：
0.1＜x＜0.2；
0.001＜b＜0.12；并且优选地d＝e＝f＝0；
0.001＜e＜0.12；并且优选地b＝d＝f＝0。
尤其地，能够使用PLZT(铅-镧-锆酸盐-钛酸盐)陶瓷。在该情况下，因此在上式中适用的是A＝La。此外，能够适用的是B＝Na。例如，材料具有下面的组分：Pb0.87La0.07Na0.05Zr0.86Ti0.14O3。
陶瓷的组分尤其选择成，使得陶瓷具有反铁电的表现。反铁电的表现结合图7更详细地描述。
此外，陶瓷材料在高温下具有高的绝缘能力。例如，对于绝缘电阻Ris和电容C的乘积适用的是：在150℃下Ris×C＞1×104ΩF。
多层电容器5具有两个端子接触件7、8，所述端子接触件设置在基本体6的相对置的侧面处。端子接触件7、8分别以弯曲的接触板(引线框)的形式构成。端子接触件7、8向外、即远离基本体6的方向弯曲。端子接触件7、8的所述形状也称作为L形状。
端子接触件7、8具有端子区域24、25。端子区域24、25在俯视图中设置在基本体6的侧向。
端子接触件7、8例如构成用于SMD安装。例如，端子接触件7、8、尤其端子区域24、25通过焊接与电路板连接。端子区域24、25在高度方向上与基本体6的下侧间隔开地设置，使得在基本体6和电路板之间形成自由空间。这能够实现更好的散热。
电路板例如与EMI滤波器的汇流排连接，尤其旋紧。端子接触件7、8例如具有铜和/或多层的金属复合件。
基本体6具有长度L、高度H和宽度B。长度L是基本体6从一个端子接触件7至相对置的端子接触件8的延伸，高度H是垂直于电路板的延伸，并且宽度B是沿垂直于高度H和垂直于长度L的方向的延伸。例如，高度H远小于宽度B和长度L。例如，长度L位于6.0mm至8.0mm的区域中。尤其地，长度L能够为7mm。例如，宽度B位于7.0mm至9.0mm的范围中。尤其地，宽度B能够为8mm。例如，高度H位于2.0mm和4.0mm的范围中。尤其地，高度H能够为3.0mm。
图1中的电容器2、3也能够分别具有多个彼此连接的陶瓷本体。对此，例如多个基本体能够设置在两个端子接触件(引线框)之间并且连接至电容器单元。
图3示出用于EMI滤波器的多层电容器5的另一实施方式，其中与图2中的多层电容器不同地，端子接触件7、8向内弯曲。端子区域24、25在俯视图中处于基本体6之下。端子区域24、25在高度方向上与基本体6间隔开。端子接触件7、8的所述形状能够称作为J形状。
图4示出基本体6的剖面图。基本体6具有多个陶瓷层9和内电极10、11、12。优选地，全部陶瓷层9和内电极10、11、12共同地烧结。陶瓷层9具有在上文中描述的组分。内电极10、11、12具有铜或以高的纯度由铜构成。
第一内电极10引导直至基本体6的侧面，并且在那里与第一端子接触件7电连接。第二内电极11引导直至基本体6的相对置的侧面，并且与第二端子接触件8电连接。
第一内电极10分别连同第二内电极11设置在共同的陶瓷层9上。因此，第一内电极10和第二内电极11分别设置在基本体6的相同高度上。第一内电极10和第二内电极11在正交投影中不叠加。
第三内电极12构成为所谓的浮动电极(“floating electrodes”)。第三内电极12不与端子接触件7、8中的任一个电连接。第三内电极12在正交投影中与第一和第二内电极10、11叠加。第三内电极12沿堆叠方向交替地与处于共同的层9上的第一和第二内电极10、11设置。
相反极性的内电极10、11不引导至基本体6的共同的侧面。
内电极10、11、12的设置和尤其浮动内电极12的构成能够实现多层电容器5的尤其高的电容密度。因此，在小的结构尺寸下能够实现高的电容值。例如，在400VDC工作电压下能够实现直至1μF的电容。此外，通过所述设计能够提高耐电强度。由于该设计，陶瓷层9能够具有更小的厚度，并且能够实现更高的抗击穿强度。
基本体6具有一个或多个卸荷区域13，在所述卸荷区域中陶瓷层9不彼此连接。卸荷区域13用于多层电容器5的机械卸荷从而有助于提高机械稳定性。尤其地，通过卸荷区域13能够降低机械应力。卸荷区域13能够环绕地沿着基本体6的侧面构成。
图5示出图2或3中的放大的局部图，在所述局部图中，详细地可见第一端子接触件7固定基本体6处和端子接触件7的构造。
端子接触件7具有多层构造。第一层14具有电导性和热导性尤其好的第一材料。其例如在此为铜。端子接触件具有由第二材料构成的第二层15。第二材料具有小的热膨胀系数。此外，第二层15确保例如端子接触件7的机械强度。例如第二材料为殷钢，特定的铁-镍合金。
端子接触件7此外能够具有第三层16。第三层16能够具有与第一层14相同的材料。通过第三层16能够防止端子接触件7的双金属表现。
尤其地，端子接触件7能够具有CIC(铜-殷钢-铜)层构造。
第二层15例如比第一层14和第三层16明显更厚。例如，第三层16具有与第一层14相同的厚度。例如第二层15具有90μm的厚度，第一层14具有30μm的厚度并且第三层16具有30μm的厚度。
端子接触件7此外能够具有一个或多个另外的层17、18。另外的层17、18例如形成端子接触件7的外侧。例如为电镀层，尤其为银层。电镀层例如分别具有在5μm至10μm的范围中的厚度。另外的层17、18例如用于第一或第三层14、16的钝化。尤其地，所述层能够提供起动保护。此外，所述层能够提供可焊接的表面或者改进与烧结材料的连接。
为了制造端子接触件7，例如提供第二层15并且随后在其上设置有第一层14和可能设置第三层16。第二层15尤其作为板提供。例如，第一和第三层14、16滚压到第二层15上。随后，例如在两侧施加电镀层17、18。随后，由多层板例如冲出工件并且弯曲成期望的形状。
端子接触件7优选固定在基本体6的外电极19处。外电极19直接邻接于基本体9的陶瓷。外电极19例如具有至少一个溅射的层。外电极19能够具有多个上下设置的层，尤其多个溅射的层。例如能够为Cr/Ni/Ag层构造。
例如，外电极19具有在1μm的范围中的厚度。
端子接触件7通过连接材料20与外电极19连接。连接材料20应具有高的电导率和热导率。此外，连接材料20应具有相对于温度交变负荷的高的鲁棒性和高的附着力。例如连接材料20具有烧结材料，尤其烧结银。端子接触件7于是与基本体6通过烧结、尤其低温烧结连接材料20来固定。在此，将烧结理解成在连接材料20的液相环境下的连接。烧结因此作为扩散工艺进行。
例如，烧结在150℃和350℃之间、尤其在200℃和300℃之间的温度烧结。例如，连接材料20具有在20μm范围中的厚度。
图6示出多层电容器5(图2和3)的端子接触件7在电路板21和汇流排26处的固定的局部图。端子接触件7例如如在图5中那样构成。出于概览的原因，未示出端子接触件7的所有可能的层。
电路板21例如构成为FR4-或陶瓷基底。电路板21例如借助于螺钉27与EMI滤波器的汇流排26连接。汇流排26例如构成为金属板。
电路板21具有接触区域22，在所述接触区域处固定有端子接触件7。例如接触区域22为焊盘、Cu接触件或Ni-Au接触件。端子接触件7与接触区域22经由连接材料23烧结或焊接。作为连接材料23例如使用烧结银或SAC焊料。
总体上，上述多层电容器5由于其结构构造和其材料具有高的耐温性和相对于湿气的高的鲁棒性。不需要电容器5的附加的密封，这有助于小的装入尺寸。
图7示出电容C与用于EMI滤波器的多层电容器的直流电压VDC的相关的变化曲线，例如根据图3或4的多层电容器。测量在电介质的不同的层厚度A、B、C下执行。实线在此为在准静态迟滞测量下的测量结果，并且虚线示出在1kHz、0.5VRMS下的测量结果。
多层电容器具有反铁电的表现。在电压升高时，电容提高。电容达到最大值并且之后再次下降。相应地，对于陶瓷材料，介电常数表现得与电场相关。在铁电表现下，电容在V＝0开始下降。
电容在电压增大时的升高例如至少在200V和300V之间的电压范围中发生。在全部层厚度A、B、C中，电容在电压继续增大时具有最大值，并且随后再次下降。电容的最大值针对全部层厚度A、B、C在相同的电场强度下、然而在不同电压下构成。
图8示出EMI滤波器的干扰电压曲线，所述EMI滤波器具有在上文中描述的多层电容器5。EMI滤波器具有图1中的构造。EMI滤波器替选地也能够仅构成为具有电感4和第二电容器3的LC级。
测量根据CISPR 25标准执行。执行峰值(Pk)、准峰值(QP)和平均值(AV)测量。相对于以Hz为单位的频率f绘制以dBμV为单位的干扰电压U。此外，绘制相应的边界值PkL、AVL和QPL。
如在图表中可见的，EMI滤波器在整个频率范围中、即从长波范围直至超短波范围具有良好的滤波特性。
已经证实的是，尤其EPCOS股份公司的以产品名称“CeraLink”出售的电容器适合于在DC-EMI滤波器中使用。例如，在此能够使用LP系列的CeraLink电容器(例如参见具有2016年8月2号状态的产品数据页)。所述电容器初始为DC环节或缓冲器应用开发，使得电容器针对高的电容器电流优化。
现在令人惊讶地已经证实的是，这种电容器也适合于在DC-EMI滤波器中使用，并且也对于所述应用领域具有尤其有利的特性。在EMI滤波器中使用时，载流能力更可能具有次要意义。更确切地说，电容器应具有高的耐电强度，尤其也在高温下如此。这在CeraLink电容器中是这种情况。
图9示出在作为EMI滤波器运行时的两个在上文中描述的陶瓷的多层电容器中C1、C2的两个的电容-电压图表。
多层电容器C1、C2的陶瓷不同。多层电容器C1具有材料Pb0.87La0.07Na0.05Zr0.86Ti0.1 4O3。多层电容器C2具有材料Pb0.881La0.06Na0.058Zr0.90Ti0.10O3。
在用作为EMI滤波器中时，电容器C1、C2远在开关场(Schaltfeld)之下运行。例如，施加的直流电压Ubias处于400V处。电容的最大值明显更高，例如在1500V处。
电容C对于C1略微小于40nF，在C2中为大约50nF。通过调整陶瓷材料，因此电容能够设定于所需要的值。
图10示出图9中的陶瓷的多层电容器C1、C2在电压峰值下的电压失效图表。电压U相对于以％为单位的失效率绘制。
对于两个电容器，达到2500V的耐电强度。电容器C2在此具有比电容器C1更高的耐电强度。
使用寿命也能够通过使用更厚的陶瓷层来提高，使得也能够优化层厚度以调整使用寿命。
图11示出图9中的陶瓷多层电容器C1、C2在200℃的温度和1200V的电压下的HAL测试(英语为highly accelerated life-test，高加速寿命测试)中的失效-时间图表。失效率A以％相对于以分钟为单位的时间T绘制。电容器C2具有更高的使用寿命。
附图标记列表：
1 滤波器/滤波器件
2 第一电容器
3 第二电容器
4 电感
5 多层电容器
6 基本体
7 第一端子接触件
8 第二端子接触件
9 陶瓷层
10 第一内电极
11 第二内电极
12 浮动内电极
13 卸荷区域
14 第一层
15 第二层
16 第三层
17 另外的层
18 另外的层
19 外电极
20 连接材料
21 电路板
22 接触区域
23 连接材料
24 第一端子区域
25 第二端子区域
26 汇流排
27 螺钉
L+ 到电源处的端子
L- 到电源处的端子
L+’ 到负载的端子
L-’ 到负载的端子
PE 到保护导线的端子
Pk 峰值
QP 准峰值
AV 平均值
PkL Pk的边界值
QPL QP的边界值
AVL AV的边界值
C1 具有第一材料的电容器
C2 具有第二材料的电容器

Claims (16)

1.一种用于对干扰信号滤波的滤波器件，所述滤波器件具有陶瓷的多层电容器(2，3，5)，所述多层电容器具有基本体(6)，在所述基本体中，多个陶瓷层(9)和内电极(10，11，12)上下堆叠，其中在所述基本体(6)处设置有端子接触件(7，8)。
2.根据权利要求1所述的滤波器，
其中所述多层电容器(2，3，5)的电容在大于零的电压范围中在电压增大时上升。
3.根据权利要求1或2所述的滤波器，
其中所述陶瓷层(9)具有铅-镧-锆酸盐-钛酸盐陶瓷。
4.根据上述权利要求中任一项所述的滤波器，
a)其中所述端子接触件(7，8)的至少一个端子接触件具有殷钢。
5.根据上述权利要求中任一项所述的滤波器，
其中所述端子接触件(7，8)的至少一个端子接触件由板形成。
6.根据上述权利要求中任一项所述的滤波器，
其中所述端子接触件(7，8)的至少一个端子接触件通过烧结的连接材料(20)固定在所述基本体(6)处。
7.根据上述权利要求中任一项所述的滤波器，
其中在所述基本体(6)的至少一个外侧上设置有外电极(19)，其中所述外电极(19)具有至少一个溅射层。
8.根据上述权利要求中任一项所述的滤波器件，
其中所述多层电容器(2，3，5)具有：第一内电极(10)，所述第一内电极与第一端子接触件(7)电连接；第二内电极(11)，所述第二内电极与第二端子接触件(8)连接；和第三内电极(12,)，所述第三内电极不与端子接触件(7，8)连接。
9.根据上述权利要求中任一项所述的滤波器件，
其中在所述基本体(6)中构成有至少一个卸荷区域(13)用于机械卸荷。
10.根据上述权利要求中任一项所述的滤波器件，
所述滤波器件具有电路板(21)，其中所述端子接触件(7，8)与所述电路板(21)通过烧结的连接材料(23)连接。
11.根据权利要求10所述的滤波器件，
其具有汇流排(26)，其中所述电路板(21)与所述汇流排旋紧。
12.根据上述权利要求中任一项所述的滤波器件，
其中所述多层电容器(3，5)朝向地连接。
13.根据上述权利要求中任一项所述的滤波器件，
其中所述陶瓷的多层电容器(2，5)连接在到电源(LINE)的端子(L+，L-)和到负载(LOAD)的端子(L+’，L-’)之间。
14.一种根据上述权利要求中任一项所述的陶瓷的多层电容器用于对干扰信号滤波的应用，其中所述多层电容器(2，3，5)的电容在电压大于零时具有最大值，其中所述多层电容器在工作电压下运行，所述工作电压明显小于最大值处的电压。
15.根据权利要求14所述的应用，
其中所述工作电压最高是最大值处的电压的一半。
16.一种陶瓷的多层电容器(2，3，5)在滤波器件中用于对干扰信号滤波的应用，其中所述多层电容器(2，3，5)具有基本体(6)，在所述基本体中多个陶瓷层(9)和内电极(10，11，12)上下堆叠，其中在所述基本体(6)处设置有端子接触件(7，8)，并且其中所述陶瓷层(9)具有铅-镧-锆酸盐-钛酸盐陶瓷。
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