CN109478445B - 图案化导电体、带导电体的片、发热板、交通工具和图案化导电体的制造方法 - Google Patents

图案化导电体、带导电体的片、发热板、交通工具和图案化导电体的制造方法 Download PDF

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Abstract

【课题】图案化导电体具有高导电性，并且具有高透视性。【解决手段】图案化导电体30具备配置在一个配置面上的金属制的线状导电体31。线状导电体31在与其长度方向正交的主切断面中包含两个以上的金属晶体。在线状导电体31的一个主切断面中，包含沿着配置面上的法线方向的长度h0大于沿着配置面上的法线方向的线状导电体31的高度H的三分之一的金属晶体。该金属晶体的沿着配置面上的法线方向的长度h0相对于沿着配置面的长度w0之比(h0/w0)的最小值为1.2以上。

Description

图案化导电体、带导电体的片、发热板、交通工具和图案化导 电体的制造方法
技术领域
本发明涉及图案化导电体、具有该图案化导电体的带导电体的片、具有图案化导电体或带导电体的片的发热板、以及具有发热板的交通工具。另外，本发明涉及图案化导电体的制造方法。
背景技术
一直以来，具有规则或不规则图案的导电体被广泛使用。例如，被用于车辆的前窗(windshield：防风玻璃)中所用的除霜器(除霜装置)或建筑物的玻璃窗用的加热电极、或者触控面板传感器的位置检测电极等。用于其中的图案化导电体被通电而发热，从而作为除霜或暖气设备、或者作为传感器发挥功能。例如，在JP2013-173402A和JP8-72674A中，图案化导电体被组装到具有透视性的发热板而用于玻璃窗。在该发热板中，图案化导电体通过通电而利用其电阻加热而升温。通过由发热板构成的玻璃窗的升温，能够去除玻璃窗的雾，或者融化玻璃窗上附着的雪和冰，能够确保隔着该玻璃窗的透视性。
对于用于这种用途的图案化导电体，在其功能的性质上要求具有高导电性，并且还要求具有高透视性。形成图案化导电体的线状导电体的截面积越大，则图案化导电体的导电性越高；形成图案化导电体的线状导电体的线宽越小，则图案化导电体的透视性越好。
另外，在现有的图案化导电体中，在与形成图案化导电体的线状导电体的长度方向正交的截面(下文中也将其称为“主切断面”)中，沿着支撑图案化导电体的基材的面的线状导电体的长度沿着基材的面的法线方向发生变化。作为具体例，如图15和图16所示，形成图案化导电体的线状导电体131的主切断面形状为梯形形状。并且，梯形形状的较长的底边成为能够从该图案化导电体的法线方向看到的线状导电体的宽度。主切断面为梯形形状的情况下，与该截面为矩形的情况相比，即便能够看到的宽度相同，其截面积也减小，与图3的示意图中所示的主切断面为矩形的图案化导电体相比，其导电性降低。另外，主切断面为梯形形状的情况下，与该截面为矩形的情况相比，即便其截面积相同，能够看到的线状导电体的宽度也变大，与主切断面为矩形的图案化导电体相比，其透视性变差。即，通过使截面为梯形形状，无法兼顾优异的透视性和导电性。但是，线状导电体的主切断面形状为梯形形状是起因于图案化导电体的制造过程的蚀刻工序，难以使线状导电体的主切断面为矩形。
发明内容
本发明是考虑到以上方面而进行的，其目的在于提供一种具有高导电性、并且具有高透视性的图案化导电体。此外，目的在于提供具有该图案化导电体的带导电体的片、具有图案化导电体或带导电体的片的发热板、以及具有该发热板的交通工具。
本发明的第一图案化导电体具备按照位于一个配置面上的方式设置的金属制的线状导电体，
上述线状导电体在与其长度方向正交的截面中包含两个以上的金属晶体，
在与上述线状导电体的长度方向正交的一个截面中，包含沿着上述配置面上的法线方向的长度h0大于沿着上述配置面上的法线方向的上述线状导电体的高度H的三分之一的金属晶体，该金属晶体的沿着上述配置面上的法线方向的长度h0相对于沿着上述配置面的长度w0之比(h0/w0)的最小值为1.2以上。
本发明的第二图案化导电体具备按照位于一个配置面上的方式设置的金属制的线状导电体，
上述线状导电体在与其长度方向正交的截面中包含两个以上的金属晶体，
在与上述线状导电体的长度方向正交的一个截面中，包含沿着上述配置面上的法线方向的长度h0大于沿着上述配置面上的法线方向的上述线状导电体的高度H的三分之一的金属晶体，与上述金属晶体的面积具有相同面积的圆的直径的平均值小于沿着上述配置面上的法线方向的上述线状导电体的高度H的平均值的一半。
本发明的图案化导电体中，
上述线状导电体可以包含铜和铝中的至少一种。
本发明的图案化导电体中，
上述线状导电体以区划形成两个以上的开口区域的图案配置，
上述开口区域的重心间距离的平均值D1相对于上述线状导电体的线宽W之比的值(D1/W)可以为50以上200以下。
本发明的图案化导电体中，
上述线状导电体以区划形成两个以上的开口区域的图案进行配置，
关于上述一个截面中包含的沿着上述配置面上的法线方向的长度h0大于沿着上述配置面上的法线方向的上述线状导电体的高度H的三分之一的金属晶体，上述开口区域的重心间距离的平均值D1相对于该金属晶体在该截面中的沿着上述配置面的长度的平均值w之比的值(D1/w)可以为40以上500以下。
本发明的图案化导电体中，
两个以上的线状导电体在一个方向上隔开间隙而配置，各线状导电体在与上述一个方向不平行的方向上延伸，
上述间隙的沿着一个方向的尺寸的平均值D2相对于上述线状导电体的线宽W之比的值(D2/W)可以为50以上1000以下。
本发明的图案化导电体中，
两个以上的线状导电体在一个方向上隔开间隙而配置，各线状导电体在与上述一个方向不平行的方向上延伸，
关于上述一个截面中包含的沿着上述配置面上的法线方向的长度h0大于沿着上述配置面上的法线方向的上述线状导电体的高度H的三分之一的金属晶体，上述间隙的沿着一个方向的尺寸的平均值D2相对于该金属晶体在该截面中的沿着上述配置面的长度的平均值w之比的值(D2/w)可以为200以上2400以下。
本发明的图案化导电体中，
关于上述一个截面中包含的沿着上述配置面上的法线方向的长度h0大于沿着上述配置面上的法线方向的上述线状导电体的高度H的三分之一的金属晶体，上述线状导电体的线宽W相对于该金属晶体在该截面中的沿着上述配置面的长度的平均值w之比的值(W/w)可以为2以上10以下。
本发明的图案化导电体中，
关于上述一个截面中包含的沿着上述配置面上的法线方向的长度h0大于沿着上述配置面上的法线方向的上述线状导电体的高度H的三分之一的金属晶体，该金属晶体在该截面中的沿着上述法线方向的长度h0相对于该金属晶体在该截面中的沿着上述配置面的长度w0之比的值(h0/w0)的平均值可以为2以上。
本发明的图案化导电体中，
关于上述一个截面中包含的沿着上述配置面上的法线方向的长度h0大于沿着上述配置面上的法线方向的上述线状导电体的高度H的三分之一的金属晶体，该金属晶体在该截面中的沿着上述法线方向的长度的平均值h可以为4.0μm以上11.5μm以下。
本发明的图案化导电体中，
关于上述一个截面中包含的沿着上述配置面上的法线方向的长度h0大于沿着上述配置面上的法线方向的上述线状导电体的高度H的三分之一的金属晶体，该金属晶体在该截面中的沿着上述配置面的长度的平均值w可以为0.5μm以上5.0μm以下。
本发明的带导电体的片具备上述本发明的图案化导电体中的任一种。
本发明的发热板具备上述本发明的图案化导电体中的任一种、或本发明的带导电体的片中的任一种。
本发明的交通工具具备上述本发明的发热板中的任一种。
本发明的图案化导电体的制造方法是具备按照位于一个配置面上的方式设置的金属制的线状导电体的图案化导电体的制造方法，其具备下述工序：
在基材上设置金属膜的工序；
在上述金属膜上设置抗蚀剂图案，以上述抗蚀剂图案为掩模，对上述金属膜进行蚀刻的工序；和
去除上述抗蚀剂图案的工序，
在上述金属膜的一个截面中，上述金属膜包含沿着该金属膜的法线方向的长度h0大于该金属膜的沿着法线方向的厚度H的三分之一的金属晶体，该金属晶体的沿着上述金属膜的法线方向的长度h0相对于沿着上述配置面的长度w0之比(h0/w0)的最小值为1.2以上。
本发明的图案化导电体的制造方法中，可以进一步具备对上述金属膜的金属晶体进行检查的工序。
本发明的图案化导电体的制造方法中，
对上述金属膜的金属晶体进行检查的工序可以包括下述工序：
关于上述一个截面中包含的、沿着上述金属膜的法线方向的长度h0大于上述金属膜的沿着法线方向的厚度H的三分之一的金属晶体，
检查该截面中的沿着上述金属膜的法线方向的该金属晶体的长度h0相对于沿着上述金属膜的该金属晶体的长度w0之比(h0/w0)的最小值为1.2以上。
本发明的图案化导电体的制造方法中，
对上述金属膜的金属晶体进行检查的工序可以进一步包括下述工序中的至少一个工序：
关于上述一个截面中包含的、沿着上述金属膜的法线方向的长度h0大于上述金属膜的沿着法线方向的厚度H的三分之一的金属晶体，
检查该截面中的沿着上述金属膜的法线方向的该金属晶体的长度h0相对于沿着上述金属膜的该金属晶体的长度w0之比的值(h0/w0)的平均值为2以上的工序；
检查沿着上述金属膜的法线方向的该金属晶体的长度的平均值h为4.0μm以上11.5μm以下的工序；和
检查沿着上述金属膜的该金属晶体的长度的平均值w为0.5μm以上5.0μm以下的工序。
根据本发明，图案化导电体可以具有高导电性，并且具有高透视性。
附图说明
图1是用于说明本发明的一个实施方式的图，其是示意性地示出具备发热板的交通工具的立体图。特别是，在图1中，作为交通工具的例子，示意性地示出了具备由发热板构成的前窗的汽车。
图2是从其板面的法线方向示出图1的发热板的图。
图3是沿着图2的III-III线的截面图。
图4是示出图1的发热板中包含的图案化导电体的俯视图，其是示出形成图案化导电体的线状导电体的配置图案的一例的图。
图5是示出图1的发热板中包含的图案化导电体的俯视图，其是示出形成图案化导电体的线状导电体的配置图案的另一例的图。
图6是将图案化导电体的制作中使用的金属膜以沿着其表里面的法线方向的截面示出的照片。
图7是示出图案化导电体的一例的主切断面中的截面图。
图8是用于说明图案化导电体(带导电体的片)的制造方法的一例的图。
图9是用于说明图案化导电体(带导电体的片)的制造方法的一例的图。
图10是用于说明图案化导电体(带导电体的片)的制造方法的一例的图。
图11是用于说明图案化导电体(带导电体的片)的制造方法的一例的图。
图12是将使图6的金属膜图案化而制作的图案化导电体的线状导电体以其主切断面示出的照片。
图13是用于说明图案化导电体的作用的图。
图14是与图6对应的照片，是将现有的图案化导电体的制作中使用的金属膜以沿着其表里面的法线方向的截面示出的照片。
图15与图7相对应，其示出现有的图案化导电体的一例的主切断面的截面图。
图16是将使图14的金属膜图案化而制作的图案化导电体的线状导电体以其主切断面示出的照片。
图17与图13相对应，其用于说明现有的图案化导电体的作用的图。
具体实施方式
下面，参照附图对本发明的一个实施方式进行说明。需要说明的是，在本说明书所附的附图中，为了便于图示和易于理解，将比例尺和纵横尺寸比等相对于实物适当变更、夸张。
另外，关于本说明书中使用的特定形状或几何学条件以及它们的程度的例如“平行”、“正交”、“相同”等术语、或长度、角度的值等，不限于严格的含义，包括可期待同样功能的程度的范围来解释。
图1～图17是用于说明本发明的一个实施方式及其变形例的图。其中，图1是示意性地示出具备发热板的汽车的图，图2是从其板面的法线方向观察发热板的图，图3是图2的发热板的横截面图。
如图1所示，作为交通工具的一例的汽车1具有前窗、后窗、侧窗等玻璃窗。此处，对前窗5由发热板10构成的例子进行说明。另外，汽车1具有以铅蓄电池为代表的电池等电源7。
如图2和图3所示，本实施方式中的发热板10具有一对基板11、12；配置在一对基板11、12之间的带导电体的片20；以及将各基板11、12和带导电体的片20接合的一对接合层13、14。需要说明的是，在图1和图2所示的例子中，发热板10、基板11、12弯曲，但是，在其他图中，为了容易理解，以平板状图示出发热板10和基板11、12。
带导电体的片20具有：基材21；设置于基材21中的与第1基板11相面对的面(其相当于图案化导电体30的配置面21S)上且包含线状导电体31的图案化导电体30；和用于对图案化导电体30通电的一对母线25。
另外，如图2中充分地示出的那样，发热板10具有用于对图案化导电体30通电的布线部15。在图示的例子中，利用电池等电源7由布线部15经由带导电体的片20的母线25对图案化导电体30进行通电，使图案化导电体30通过电阻加热而发热。图案化导电体30中产生的热传递到基板11、12，基板11、12被加温。由此，能够去除基板11、12上附着的因结露带来的雾。另外，在基板11、12上附着有雪或冰的情况下，能够使该雪或冰融化。因此，良好地确保了乘人的视野。
需要说明的是，本说明书中，“板”、“片”、“膜”的用语不能仅根据称呼的差异而相互区分。例如，“带导电体的片”是还包括可被称为板或膜的部件的概念，因此，“带导电体的片”不能仅根据称呼的差异而与被称为“带导电体的板(基板)”、“带导电体的膜”的部件进行区分。
以下，对发热板10的各构成要素进行说明。
首先，对基板11、12进行说明。如图1中所示的例子那样，基板11、12在用于汽车的前窗的情况下，为了不妨碍乘人的视野而优选使用可见光透射率高的基板。作为这种基板11、12的材质，可示例出碱石灰玻璃、青板玻璃。基板11、12的可见光透射率优选为90％以上。其中，可以使基板11、12的一部分或整体着色等，降低该一部分的可见光透射率。这种情况下，能够遮挡太阳光的直射，并且不容易从车外看到车内。
另外，基板11、12优选具有1mm以上5mm以下的厚度。若为这样的厚度，则能够得到强度和光学特性优异的基板11、12。一对基板11、12可以利用相同的材料同样地构成，或者，也可以使材料和结构中的至少一者相互不同。
接着，对接合层13、14进行说明。第1接合层13配置在第1基板11与带导电体的片20之间，将第1基板11和带导电体的片20相互接合。第2接合层14配置在第2基板12与带导电体的片20之间，将第2基板12和带导电体的片20相互接合。
作为这种接合层13、14，能够使用由具有各种粘接性或粘合性的材料构成的层。另外，接合层13、14优选使用可见光透射率高的材料。作为典型的接合层，可示例出由聚乙烯醇缩丁醛(PVB)构成的层。接合层13、14的厚度分别优选为0.15mm以上1mm以下。一对接合层13、14可以利用相同的材料同样地构成，或者，也可以使材料和结构中的至少一者相互不同。或者，也可以在一对接合层13、14的任意一者或两者中添加0.01质量％～10质量％左右的苯并三唑系化合物、二苯甲酮化合物等公知的紫外线吸收剂，赋予后述的紫外线屏蔽功能。
需要说明的是，发热板10不限于图示的例子，也可以设置期待发挥特定功能的其他功能层。另外，也可以使1个功能层发挥两种以上的功能，例如，可以对发热板10的基板11、12、接合层13、14、后述带导电体的片20的基材21的至少一者赋予某种功能。作为能够对发热板10赋予的功能，作为一例，可示例出防反射(AR)功能、具有耐擦伤性的硬涂(HC)功能、红外线屏蔽(反射)功能、紫外线屏蔽(反射)功能、防污功能等。
接着，对带导电体的片20进行说明。带导电体的片20具有：基材21；设置于基材21中的与第1基板11相面对的面上且包含线状导电体31的图案化导电体30；和用于对图案化导电体30通电的一对母线25。带导电体的片20具有与基板11、12大致相同的平面尺寸，可以配置在发热板10的整体，也可以仅配置在图1的例中的驾驶席的正面部分等发热板10的一部分。
基材21作为支撑图案化导电体30的基材发挥功能。基材21的一个面形成配置面21S。基材21是透射可见光线波段的波长(380nm～780nm)的一般来讲透明的电绝缘性的基板。作为基材21，只要能够透射可见光并适当支撑图案化导电体30即可，可以是任意的材质，例如，可以举出聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、乙二醇-对苯二甲酸-间苯二甲酸共聚物等线性或热塑性聚酯树脂、聚乙烯、聚丙烯、环状聚烯烃等聚烯烃树脂、聚碳酸酯树脂、聚苯乙烯、聚氯乙烯等。另外，若考虑透光性、图案化导电体30的适当的支撑性等，基材21优选具有0.03mm以上0.20mm以下的厚度。
需要说明的是，“透明”是指具有能够隔着该发热板从该发热板的一侧透视另一侧的程度的透明性，例如是指具有30％以上、更优选为70％以上的可见光透射率。可见光透射率被特定为使用分光光度计((株式会社)岛津制作所制造的“UV-3100PC”、JISK 0115基准品)在测定波长380nm～780nm的范围内进行测定时的各波长的透射率的平均值。特别是在构成汽车的前窗的发热板的情况下，要求可见光线透射率在如图3那样层积、复合为发热板10的形态的状态下为70％以上。因此，在图案化导电体30单独的形态下，优选其可见光透射率为80％以上。
图案化导电体30具有配置在一对母线25之间的线状导电体31。线状导电体31由电池等电源7经由布线部15和母线25而被通电，通过电阻加热而发热。并且，该热经由接合层13、14传递到基板11、12，由此基板11、12被加温。
线状导电体31可以以各种图案进行排列。在图4所示的例子中，通过线状导电体31以区划形成多个全等正六边形的开口33的网状图案无间隙地填充平面内而配置了图案化导电体30的配置面21S的法线方向(图4中为Z轴方向，通常与发热板10的表面的法线方向一致)俯视的形状，由此形成了图案化导电体30。形成所谓蜂窝或龟甲图案。图案化导电体30包含在两个分岔点32之间延伸而区划形成开口33的两个以上的连接要素34。即，图案化导电体30的线状导电体31作为在两端形成分岔点32的多个连接要素34的集合而构成。另外，网状图案不限定于如图4那样的各开口部的形状和尺寸全等、在平面内开口部33具有一定重复周期的周期格子，也可以是各开口部的形状和尺寸不是全部全等、在平面内没有一定重复周期的不规则的网状图案。
开口33的重心间距离过大时，在图案化导电体30中会产生发热不均，因此优选开口33的重心间距离的平均值为3000μm以下。另外，开口33的重心间距离过小时，透射率变差，透视性受损，因此优选开口33的重心间距离的平均值为50μm以上。
另一方面，如图5所示的例子那样，图案化导电体30可以由连结一对母线25的两个以上的线状导电体31构成。在图5所示的例子中，两个以上的线状导电体31在一个方向上隔开间隙35而配置。各线状导电体31在与上述一个方向不平行的方向上延伸。需要说明的是，在图5所示的例子中，线状导电体31并不是仅一部分在与一个方向不平行的方向上延伸，而是图案化导电体30整体在与一个方向不平行的方向上延伸。各线状导电体31从一个母线25向另一个母线25延伸。另外，两个以上的线状导电体31在与该线状导电体31的延伸方向不平行的方向上相互间隔开而排列。特别是，两个以上的线状导电体31在与该线状导电体31的延伸方向正交的方向上排列。由此，在相邻的2个线状导电体31之间形成间隙35。
间隙35过大时，图案化导电体30中会产生发热不均，因此间隙35的尺寸、即相邻的线状导电体31之间的距离的平均值优选为12000μm以下。另外，间隙35过小时，透射率变差，透视性受损，因此相邻的线状导电体31之间的距离的平均值优选为100μm以上。
作为用于构成这种图案化导电体30的材料，例如，可示例出金、银、铜、铂、铝、铬、钼、镍、钛、钯、铟、钨、以及包含这些金属中的1种以上的合金的一种以上。其中，从稳定地确保后述金属晶体的方面考虑，线状导电体31优选包含铜和铝中的至少一者，即，优选为铜、铝、以及包含这些金属中的1种以上的合金中的任一种。
图案化导电体30可以如上所述使用不透明的金属材料形成。另一方面，未被图案化导电体30覆盖的基材21上的区域的比例、即非被覆率(也称为开口率)高达70％以上99％以下左右。另外，线状导电体31的线宽为2μm以上20μm以下左右。因此，将设有图案化导电体30的区域整体地控制为透明，图案化导电体30的存在不会损害发热板10的透视性。
在图3所示的例子中，线状导电体31整体具有矩形的主切断面。优选线状导电体31的宽度W、即沿着发热板10的板面的宽度W为2μm以上20μm以下，高度(厚度)H、即沿着发热板10的板面上的法线方向的高度(厚度)H为1μm以上40μm以下。通过这种尺寸的线状导电体31，由于该线状导电体31被充分地细线化，因此能够有效地使图案化导电体30不可视。
需要说明的是，由上述材料构成的线状导电体具有优异的导电性，另一方面，具有比较高的反射率。并且，在光被图案化导电体30的线状导电体31反射时，该反射的光会被看到。因此，难以鲜明地看到透过发热板10进行观察的背后的风景，特别是在将该图案化导电体30设置于汽车等交通工具的窗的用途中，有时会妨碍乘人的视野。另外，若从外部看到线状导电体31，则美观性有时会降低。因此，可以使线状导电体31具有由上述材料构成的导电金属层、和至少部分覆盖导电金属层的暗色层(未图示)。暗色层只要是可见光的反射率低于导电性金属层的层即可，例如为呈现出黑色、深灰色等低亮度无彩色、或褐色、深蓝色、深绿色、深紫色、胭脂色等低亮度有彩色等暗色的层。另外，作为暗色层的材料，可以使用氧化铁黑(Fe3O4)、碳(碳)、氧化铜(氧化铜(II)CuO)、氮化铜、氮氧化铜、铜-钴合金等。通过该暗色层，使导电性金属层难以被看到，能够良好地确保乘人的视野。另外，能够防止从外部观察时的美观性的降低。
另外，作为现有技术中的课题，已经说明了线状导电体的主切断面形状中的侧面倾斜的情况。如图15所示，若线状导电体131的主切断面形状中的侧面131a相对于图案化导电体130被支撑的面(基材121的一个表面)上的法线方向(在图示的例子中，为带导电体的片120的法线方向)倾斜，则与能够看到的宽度相比，主切断面积减小，其结果，使导电性劣化。或者，若增大主切断面积则能够看到的宽度变大，会使透视性劣化。在本实施方式中说明的图案化导电体30中，通过控制形成图案化导电体30的线状导电体31的晶体结构，如图7所示，有效地防止了线状导电体31的主切断面形状中的侧面31a相对于图案化导电体30被支撑的面(基材21的一个表面)上的法线方向大幅倾斜。尤其是，在与通过使用后述光刻技术的图案化制作图案化导电体30的组合中，线状导电体31稳定地具有陡峭的侧面。以下，对线状导电体31的晶体结构进行说明。
首先，线状导电体31在与其长度方向正交的截面、即主切断面中包含两个以上的金属晶体。图6是将进行图案化而形成图案化导电体30前的本发明的金属膜20a以沿着其法线方向的截面示出的照片。本说明书中，金属晶体是指被晶界分离的单晶。本实施例中，晶界不包含双晶晶界。双晶是指两个晶体以保持一定的晶体学关系的方式接合而成为一个结晶固体。晶界和金属晶体的形状及尺寸可以使用日本电子公司制造的SEM(型号：JSM-7001F)和TSL公司制造的EBSD(型号：OTM软件Ver.6.2)进行测定。另一方面，图7是示出沿着图案化导电体30的线状导电体31所存在的配置面上的法线方向的截面中的图案化导电体30的图，示意性地示出了线状导电体31、开口区域33或间隙35、以及金属晶体。需要说明的是，本实施方式中，基材21的一个表面相当于该配置面21S。另外，该图也成为了与线状导电体31的长度方向正交的截面、即主切断面。需要说明的是，图案化导电体30不伴有基材21的情况下，配置面21S成为假想面。如图7所示，线状导电体31在其主切断面中具有沿着配置面21S上的法线方向的高度H、沿着配置面21S的宽度W。需要说明的是，线状导电体31的高度H是指主切断面中的线状导电体31的沿着配置面21S上的法线方向的高度中的最小高度。另外，配置面21S在图7等中以平面的方式示出，但在图案化导电体30弯曲的情况下，配置面21S成为曲面。
金属晶体在线状导电体31的主切断面中具有沿着配置面21S的长度w0、沿着图案化导电体30的配置面21S上的法线方向的长度h0。另外，该截面中，包含沿着配置面21S上的法线方向的长度h0大于线状导电体31的高度H的三分之一的金属晶体20a1。另外，关于该金属晶体20a1，例如如图7所示，沿着配置面21S上的法线方向的长度h0相对于沿着配置面21S的长度w0之比h0/w0的最小值为1.2以上、优选为1.9以上、更优选为2.5以上、进一步优选为4.0以上。
另外，在线状导电体31的主切断面中，大于线状导电体31的高度H的三分之一的金属晶体20a1的沿着配置面21S上的法线方向的长度h0的平均值h为4.0μm以上11.5μm以下，沿着配置面21S的长度w0的平均值w为0.5μm以上5.0μm以下，沿着配置面21S上的法线方向的长度h0相对于沿着配置面21S的长度w0之比的值h0/w0的平均值为2以上，优选为4以上。
或者，在线状导电体31的主切断面中，关于沿着配置面21S上的法线方向的长度h0大于线状导电体31的高度H的三分之一的金属晶体20a1，与金属晶体20a1的面积具有相同面积的圆的直径的平均值小于高度H的一半。
另外，在线状导电体31的主切断面中，线状导电体31的宽度W相对于大于线状导电体31的高度H的三分之一的金属晶体20a1的沿着配置面21S的长度w0的平均值w之比的值W/w为2以上10以下。
此处，考虑图案化导电体30以图4所示的区划形成两个以上的开口区域33的图案进行配置的情况。如图7所示，各开口区域33的重心间距离的平均值D1相对于线状导电体31的宽度W之比的值D1/W为50以上200以下。此外，在线状导电体31的主切断面中，各开口区域33的重心间距离的平均值D1相对于大于线状导电体31的高度H的三分之一的金属晶体20a1的沿着配置面21S的长度w0的平均值w之比的值D1/w为40以上500以下。
或者，考虑图案化导电体30以图5所示的在一个方向上隔开间隙35的图案进行配置的情况。如图7所示，各间隙35的沿着一个方向的尺寸的平均值D2相对于线状导电体31的宽度W之比的值D2/W为50以上1000以下。此外，在线状导电体31的主切断面中，各间隙35的沿着一个方向的尺寸的平均值D2相对于大于线状导电体31的高度H的三分之一的金属晶体20a1的沿着配置面21S的长度w0的平均值w之比的值D2/w为200以上2400以下。
需要说明的是，金属晶体的形状、取向可以在其制造过程中进行控制。详细而言，通过将金属膜20a图案化而制作图案化导电体的情况下，通过调节制作金属膜20a时的条件，可以控制金属膜20a中包含的金属晶体的形状、取向。作为一个具体例，金属膜20a可以为通过铜的电解精制得到的膜。在通过电解精制得到的金属膜20a中，金属膜中的金属晶体在基于电场精制的生长方向上伸长。特别是，金属晶体伸长的方向可以通过调节电场精制中使用的液体(也称为浴)的铜化合物和其他浴组合物的组成、和/或电流密度、浴温、浴搅拌条件中的一者以上来控制。作为浴组成，可以使用硫酸铜浴、氰化铜浴、焦磷酸铜浴等。在使用硫酸铜浴的情况下，可以通过调节硫酸铜五水合物的浓度(例如，45g/l以上250g/l以下)、作为硫酸镍供给的镍的浓度(例如，200mg/l以上10000mg/l以下)、硫代硫酸或其钠盐、钾盐等硫代硫酸盐的浓度(例如，100mg/l以上10000mg/l)、硫酸的浓度(例如，30g/l以上250g/l以下)、氯离子的浓度(例如，5mg/l以上80mg/l以下)、液温(例如，15℃以上35℃以下)、电流密度(例如，0.1A/dm2以上6A/dm2以下)中的一者以上来控制。另外，在制作金属膜20a时，可以加入水溶性蛋白质作为添加剂。
图6和图14分别示出了通过铜的电解精制而制作的厚度12μm的金属膜的样品1和样品2。样品1和样品2以相互不同的条件来制作，具有相互不同的晶体结构。在图6所示的样品1中，金属晶体在该图中的上下方向(Z轴方向)具有长度方向，金属晶体的长度方向具有沿着金属膜20a的法线方向的取向性。另一方面，图14所示的样品2是用于现有技术的图案化导电体中的金属膜，与图6的样品1相比不具有明确的金属晶体的取向性和规则性。即，样品1为上述本实施方式的实施例，样品2为相对于本实施方式的比较例。
接着，参照图8～图11，对具有图案化导电体30的带导电体的片20的制造方法的一例进行说明。图8～图11是依次示出具有图案化导电体30的带导电体的片20的制造方法的一例的截面图。
首先，如图8所示，在基材21上设置形成线状导电体31的金属膜20a。作为基材21，从上述例示的物质中选择。
金属膜20a在各种公知的镀铜方法中可以通过调节制作时的条件来控制金属膜20a中的金属晶体的形状和取向。作为一个具体例，金属膜20a可以为通过金属电解精制而得到的金属的膜。通过如上所述调节与用于电场精制的液体有关的条件等，能够制作厚度方向上的金属晶体发生了取向的金属膜。
接着，检查金属膜20a的金属晶体20a1满足上述形状。即，关于金属膜20a的一个截面中包含的沿着金属膜20a的法线方向的长度h0大于金属膜20a的沿着法线方向的线状导电体31的高度H的三分之一的金属晶体20a1，进行如下检查：该截面中的沿着金属膜20a的法线方向的金属晶体20a1的长度h0相对于沿着金属膜20a的金属晶体20a1的长度w0之比(h0/w0)的最小值为1.2以上；该截面中的沿着金属膜20a的法线方向的长度h0相对于沿着金属膜20a的金属晶体20a1的长度w0之比的值(h0/w0)的平均值为2以上；该截面中的沿着金属膜20a的法线方向的长度的平均值h为4.0μm以上11.5μm以下；以及该截面中的沿着金属膜20a的金属晶体20a1的长度的平均值w为0.5μm以上5.0μm以下。
需要说明的是，上述检查工序可以在金属膜20a设置于基材21上之前进行。即，可以仅在金属晶体的检查结果良好的情况下，在基材21上设置金属膜20a。
关于金属晶体的检查结果良好的情况，如图9所示，在金属膜20a上设置抗蚀剂图案40。抗蚀剂图案40成为与所要形成的图案化导电体30对应的形状，但抗蚀剂图案40的宽度宽于形成的图案化导电体30的线状导电体31的宽度。例如，在形成宽度5μm的线状导电体31的情况下，抗蚀剂图案40的宽度为30μm。
接着，如图10所示，以抗蚀剂图案40为掩模，对金属膜20a进行蚀刻。若抗蚀剂图案40的宽度相对于如上所述形成的线状导电体31的宽度充分大，则蚀刻液首先从抗蚀剂图案40的间隙溶解金属膜20a。并且，蚀刻液侵入溶解的金属膜20a的部分，如图10的箭头A所示，在沿着基材21的方向使金属膜20a溶解。即，蚀刻从金属膜20a的侧方进行。本发明人进行了确认，其结果，蚀刻具有以金属晶体单位进行的倾向。因此，如本实施方式这样，若金属膜20a中的金属晶体20a1的伸长方向朝向金属膜20a的法线方向，则通过蚀刻形成的线状导电体31在与其长度方向正交的主切断面成为近似于矩形的形状。推测这是因为，由于蚀刻导致的金属腐蚀以金属晶体单位进行，因而通过蚀刻形成的线状导电体31的侧面31a在成为金属晶体20a1的取向方向的金属膜20a的法线方向上陡峭。具体而言，在与线状导电体31的长度方向正交的截面中，以线状导电体31的侧面31a与配置面21S所成的线状导电体31的外侧的角度θ为约90°、具体而言以70°≤θ≤110°、优选以80°≤θ≤100°的角度陡峭。
需要说明的是，蚀刻工序优选如下进行：在温度40℃以上，以0.1MPa以上的喷雾压力向与金属膜20a垂直的方向、即沿着细长状的金属晶体20a1的长度方向的方向喷出蚀刻液，由此进行蚀刻。这种情况下，蚀刻液进入细长状的金属晶体的晶界之间，能够使蚀刻工序稳定地在每一个伸长方向沿着金属膜的法线方向的各个金属晶体20a1进行。需要说明的是，喷雾压力可以通过在喷出蚀刻液的喷雾器设置压力计来测定。
此处，图12是示出将使图6的金属膜20a(样品1的金属膜)图案化而制作的图案化导电体30(样品1的图案化导电体)的线状导电体31以其主切断面示出的照片。另外，图16是示出将使图14的金属膜120a(样品2的金属膜)图案化而制作的图案化导电体130(样品2的图案化导电体)的线状导电体131以其主切断面示出的照片。如图12所示，在使用金属晶体的长度方向在厚度方向显示出取向性的图6的金属膜20a(样品1的金属膜)的情况下，制作出的图案化导电体30(样品1的图案化导电体)的线状导电体31的侧面31a陡峭，配置面21S与该侧面31a所成的角度θ在图12的左侧和右侧的侧面均为93°。由于主切断面是近似于矩形的形状，因此，图12所示的线状导电体31能够兼顾优异的透视性和导电性。另一方面，如图16所示，在使用金属晶体不具有长度方向的图14的金属膜120a(样品2的金属膜)的情况下，制作出的图案化导电体130(样品2的图案化导电体)的线状导电体131的侧面131a从配置有图案化导电体130的面的法线方向大幅倾斜，配置面121S与该侧面131a所成的角度θ在图16的左侧为117°、并且在图16的右侧的侧面为114°。由于主切断面为梯形形状，因此，图16所示的线状导电体与图12所示的线状导电体31相比无法兼顾优异的透视性和导电性。
另外，下述表1涉及样品1(实施例1)的图案化导电体30的线状导电体31和样品2(比较例)的图案化导电体130的线状导电体131，关于高度H为12μm、宽度W为10μm的该线状导电体31、131的一个截面中包含的金属晶体，示出了对与金属晶体的面积具有相同面积的圆的直径(等面积圆直径、平均粒径)的平均值、金属晶体的沿着对于图案化导电体30的配置面21S上的法线方向的长度h0(纵向长度)、金属晶体的沿着配置面21S的长度w0(横向长度)、以及纵向长度h0相对于横向长度w0之比h0/w0的最大值、最小值和平均值进行计测的结果。此处，表1中的金属晶体中的这些值仅示出了关于在该一个截面中纵向长度h0大于线状导电体31的高度H的三分之一的金属晶体的调查结果。
另外，使用以与样品1同样的条件制作的金属膜的样品3，与样品1的图案化导电体30的制作方法同样地制作样品3的图案化导电体30。即，样品3是不同于样品1的本实施方式的实施例。关于样品3(实施例2)的图案化导电体30的线状导电体31，也对于高度H为12μm、宽度W为10μm的线状导电体31的一个截面中包含的金属晶体，与样品1和样品2同样地进行了调查。将关于样品3的图案化导电体30的线状导电体31的结果一并示于表1。
【表1】
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在样品1的图案化导电体30中，关于纵向长度h0大于线状导电体31的高度H(12μm)的三分之一的金属晶体20a1，纵向长度h0相对于横向长度w0之比(h0/w0)的最小值为1.2以上。另外，与金属晶体20a1的面积具有相同面积的圆的直径(等面积圆直径、平均粒径)的平均值小于线状导电体31的高度H的一半。即，存在有为细长状且高度(纵向)方向上具有取向性的金属晶体20a1。特别是，本实施例中，纵向长度h0相对于横向长度w0之比的值h0/w0的平均值为4.0。即，理解为线状导电体31中的金属晶体20a1整体上在高度(纵向)方向上具有取向性。因此，如上所述，蚀刻以金属晶体单位进行，线状导电体31的主切断面的形状成为近似于矩形的形状。若主切断面成为近似于矩形的形状，则能够制成透视性和导电性均优异的线状导电体31。
另外，在样品3的图案化导电体30中，关于纵向长度h0大于线状导电体31的高度H(12μm)的三分之一的金属晶体20a1，纵向长度h0相对于横向长度w0之比的最小值为1.9以上。在具有这种金属晶体20a1的情况下，上述蚀刻更稳定地以金属晶体单位进行，更稳定地使线状导电体31的主切断面的形状成为近似于矩形的形状。具体而言，若纵向长度h0相对于横向长度w0之比的最小值为1.9以上，则能够形成与线状导电体31的长度方向正交的截面中的线状导电体31的侧面31a与配置面21S所成的线状导电体31的外侧的角度θ以70°≤θ≤110°的角度陡峭的形状。若主切断面成为更近似于矩形的形状，则能够制成透视性和导电性均更优异的线状导电体31。
另一方面，在样品2的图案化导电体130中，纵向长度h0相对于横向长度w0之比的值h0/w0的平均值为1.6。即，理解为线状导电体131中的金属晶体整体上基本不具有取向性。因此，若蚀刻以金属晶体单位进行，则线状导电体131的主切断面形状成为梯形形状。如上所述，若主切断面为梯形形状，则无法兼顾线状导电体的优异的透视性、导电性。
通过上述蚀刻工序，金属膜20a被图案化，制作出图案化导电体30。需要说明的是，蚀刻工序中的蚀刻方法没有特别限定，可以采用公知的方法。作为公知的方法，例如，可以举出使用蚀刻液的湿法蚀刻、等离子体蚀刻等。
在蚀刻工序之后，如图11所示，实施去除抗蚀剂图案40的抗蚀剂图案去除工序，得到带导电体的片20。经过以上说明的各工序，制造出图案化导电体30。需要说明的是，在不需要基材21的情况下，也可以在图8所示的金属膜20a与基材21之间预先设置剥离层，由此之后将基材21剥离。
在现有的图案化导电体30中，如图15所示，与线状导电体31的长度方向正交的截面中的线状导电体31的侧面31a与配置面21S所成的线状导电体31的外侧的角度θ超过110°。若将包含这种图案化导电体30的发热板110用于图17所示的汽车的前窗等中，如图17所示，光L3从汽车的后方入射到前窗时，在图案化导电体130的线状导电体131的外侧的侧面131a反射的光由于反射角小，因此在发热板110的内部发生全反射，可成为朝向汽车内部的光L4。这种光L4会损害汽车乘人的视野。
另一方面，本实施方式中，如图12所示，与线状导电体31的长度方向正交的截面中的线状导电体31的侧面31a与配置面21S所成的线状导电体31的外侧的角度θ以70°≤θ≤110°的角度陡峭。这种情况下，如图13所示，若将包含图案化导电体30的发热板10用于例如一般的汽车的前窗5，在光L1从汽车的后方入射到前窗5时，在图案化导电体30的线状导电体31的外侧的侧面31a反射的光L1容易成为穿出到汽车外部的光L2。因此，即便光从汽车的后方入射到前窗，也难以损害汽车乘人的视野。特别是，在线状导电体31的侧面31a与配置面21S所成的线状导电体31的外侧的角度θ以80°≤θ≤100°的角度陡峭的情况下，不限于一般的汽车，无论何种交通工具的窗，从窗的一侧入射的光L1即使在图案化导电体30线状导电体31的外侧的侧面31a发生反射，均容易成为穿出到另一侧的光L2。因此，更难以损害交通工具的乘人的视野。
如上所述，根据本实施方式，图案化导电体30具备配置于该图案化导电体30所存在的配置面21S(在图示的实施方式中，为基材21的一个表面)上的金属制的线状导电体31，线状导电体31在其主切断面中包含两个以上的金属晶体，在线状导电体31的一个主切断面中，包含沿着配置有图案化导电体30的面上的法线方向的长度h0大于沿着配置有图案化导电体30的面上的法线方向的线状导电体31的高度H的三分之一的金属晶体20a1，使该金属晶体20a1的沿着配置有图案化导电体30的面上的法线方向的长度h0相对于沿着配置有图案化导电体30的面的长度w0之比(h0/w0)的最小值为1.2以上。通过这种图案化导电体30，以金属晶体单位进行图案化。在进行使用了光刻技术的图案化的情况下，蚀刻时，能够以金属晶体单位进行金属膜20a的蚀刻。其结果，制作出的线状导电体31的侧面31a不会相对于配置有图案化导电体30的面的法线方向大幅倾斜。形成图案化导电体的线状导电体在其主切断面近似于矩形。通过使主切断面近似于矩形，能够在增大截面积的同时减小线状导电体31的可看到的宽度。即，能够使图案化导电体30具有高导电性，并且具有高透视性。
或者，根据本实施方式，图案化导电体30具备配置于该图案化导电体30所存在的配置面21S(在图示的实施方式中，为基材21的一个表面)上的金属制的线状导电体31，线状导电体31在其主切断面中包含两个以上的金属晶体，在线状导电体31的一个主切断面中，包含沿着配置有图案化导电体30的面上的法线方向的长度h0大于沿着配置有图案化导电体30的面上的法线方向的线状导电体31的高度H的三分之一的金属晶体20a1，在该一个主切断面中，使与金属晶体的面积具有相同面积的圆的直径的平均值小于沿着配置有图案化导电体的面上的法线方向的线状导电体31的高度H的一半。利用这种图案化导电体30，也能以金属晶体单位进行图案化。其结果，制作出的线状导电体31的侧面31a不会相对于配置有图案化导电体30的面的法线方向大幅倾斜。形成图案化导电体的线状导电体在其主切断面近似于矩形。通过使主切断面近似于矩形，能够在增大截面积的同时减小线状导电体31的可看到的宽度。即，与上述图案化导电体同样地，能够使图案化导电体30具有高导电性，并且具有高透视性。
另外，本实施方式中，形成图案化导电体30的线状导电体31包含铜和铝中的至少一种。通过这样的图案化导电体30，线状导电体31由低成本、且导电性好的金属构成，因此能够降低图案化导电体30的制造成本，并且具有高导电性。
此外，本实施方式中，以区划形成两个以上的开口区域33的图案配置线状导电体31，开口区域33的重心间距离的平均值D1相对于线状导电体31的线宽W之比的值(D1/W)为50以上200以下。通过这种图案化导电体30，开口区域33充分大于线状导电体31的宽度，因此能够充分确保图案化导电体30的透视性。另外，通过使开口区域33相对于线状导电体31的宽度不过大，能够无损地发挥出图案化导电体30的功能、例如在用作除霜器时均匀地发热的功能等。
另外，本实施方式中，线状导电体31以区划形成两个以上的开口区域33的图案进行配置，关于与线状导电体31的长度方向正交的一个主切断面中包含的沿着配置有图案化导电体30的面上的法线方向的长度h0大于沿着配置有图案化导电体30的面上的法线方向的线状导电体31的高度H的三分之一的金属晶体，开口区域33的重心间距离的直径的平均值D1相对于该金属晶体在该主切断面中的沿着图案化导电体存在的配置面21S(在图示的实施方式中，为基材21的一个表面)的长度的平均值w之比的值(D1/w)为40以上500以下。通过这种图案化导电体30，在蚀刻中，成为对于从所形成的线状导电体31的侧部进行蚀刻而言充分的线状导电体的间隔。蚀刻首先从抗蚀剂图案40的间隙进行，若D1/w为40以上，则从侧部通过蚀刻侵蚀金属膜，能够形成具有陡峭的侧面的线状导电体31。另外，若线状导电体31的间隔过大，则难以控制蚀刻。因此，D1/w优选为500以下。
此外，在本实施方式中的图案化导电体30中，两个以上的线状导电体31在一个方向上隔开间隙35而配置，各线状导电体31在与一个方向不平行的方向上延伸，间隙35的沿着一个方向的尺寸的平均值D2相对于线状导电体31的线宽W之比的值(D2/W)为50以上1000以下。通过这种图案化导电体30，间隙35充分大于线状导电体31的宽度，因此能够充分确保图案化导电体30的透视性。另外，通过使间隙35相对于线状导电体31的宽度不过大，能够无损地发挥出图案化导电体30的功能、例如均匀地发热的功能等。
另外，本实施方式中，两个以上的线状导电体31在一个方向上隔开间隙35而配置，各线状导电体31在与一个方向不平行的方向上延伸，关于线状导电体的一个主切断面中包含的沿着配置有图案化导电体30的面上的法线方向的长度h0大于沿着配置有图案化导电体30的面上的法线方向的线状导电体31的高度H的三分之一的金属晶体，间隙35的沿着一个方向的尺寸的平均值D2相对于该金属晶体在该截面中的沿着配置有图案化导电体30的面(在图示的实施方式中，为基材21的一个表面)的长度的平均值w之比的值(D2/w)为200以上2400以下。通过这种图案化导电体30，在蚀刻中，成为对于从所形成的线状导电体31的侧部进行蚀刻而言充分的线状导电体的间隔。蚀刻首先从抗蚀剂图案40的间隙进行，若D2/w为200以上，则从侧部通过蚀刻侵蚀金属膜，能够形成具有陡峭的侧面的线状导电体31。另外，若线状导电体31的间隙35过大，则难以控制蚀刻。因此，D2/w优选为2400以下。
此外，本实施方式中，关于线状导电体31的一个主切断面中包含的沿着配置有图案化导电体30的面上的法线方向的长度h0大于沿着配置有图案化导电体30的面上的法线方向的线状导电体31的高度H的三分之一的金属晶体，线状导电体31的线宽W相对于该金属晶体在该截面中的沿着面(在图示的实施方式中，为基材21的一个表面)的长度的平均值w之比的值(W/w)为2以上10以下。通过这种图案化导电体30，包含相对于线状导电体31的宽度为充分数量的金属晶体。由于蚀刻以金属晶体单位进行，因此能够足够细微地进行蚀刻。因此，对蚀刻进行控制，能够使线状导电体31的主切断面近似于矩形。即，能够使图案化导电体30具有高导电性，并且具有高透视性。另外，若金属晶体相对于线状导电体31的宽度过于细小，则该金属晶体容易倒塌，在蚀刻中无法使线状导电体31的主切断面为矩形。因此，如本实施方式这样，W/w优选为2以上10以下。
另外，本实施方式中，关于线状导电体31的一个主切断面中包含的沿着配置有图案化导电体30的面上的法线方向的长度h0大于沿着配置有图案化导电体30的面上的法线方向的线状导电体31的高度H的三分之一的金属晶体，该金属晶体在该截面中的沿着法线方向的长度h0相对于该截面中的沿着配置有图案化导电体30的面(在图示的实施方式中，为基材21的一个表面)的长度w0之比的值(h0/w0)的平均值为2以上。通过这种图案化导电体30，在该截面中，具有大截面积的金属晶体的取向性沿着该截面中的配置有图案化导电体30的面(在图示的实施方式中，为基材21的一个表面)的法线方向。因此，通过蚀刻，能够使线状导电体31的主切断面近似于矩形。即，能够使图案化导电体30具有高导电性，并且具有高透视性。
此外，本实施方式中，关于线状导电体31的一个主切断面中包含的沿着配置有图案化导电体30的面上的法线方向的长度h0大于沿着配置有图案化导电体30的面上的法线方向的线状导电体31的高度H的三分之一的金属晶体，该截面中的沿着上述法线方向的长度h0的平均值h为4.0μm以上11.5μm以下。通过这种图案化导电体30，使沿着配置有图案化导电体的面(在图示的实施方式中，为基材21的一个表面)上的法线方向的金属晶体的长度h0大于沿着配置有图案化导电体的面(在图示的实施方式中，为基材的一个表面)上的法线方向的线状导电体31的高度H的三分之一，并且能够以该金属晶体单位进行蚀刻。因此，能够使图案化导电体30具有高导电性，并且具有高透视性。
另外，本实施方式中，关于上述一个主切断面中包含的沿着配置有图案化导电体30的面上的法线方向的长度h0大于沿着配置有图案化导电体30的面上的法线方向的线状导电体31的高度H的三分之一的金属晶体，该截面中的沿着配置有图案化导电体30的面(在图示的实施方式中，为基材21的一个表面)的长度w0的平均值w为0.5μm以上5.0μm以下。通过这种图案化导电体30，在比值W/w为2以上10以下时，可以制成线宽W为2μm以上20μm以下的线状导电体31，以使图案化导电体30具有高导电性并且具有高透视性。
需要说明的是，可以对上述一个实施方式进行各种变更。下面，对变形的一例进行说明。
图4中，图案化导电体30的各开口部33均由全等正六边形构成，但本发明中不限定于此。也可以是下述形态：并非图案化导电体30的所有各开口部33的形状和尺寸相同，即这些开口部33中的至少一部分的形状、尺寸、或形状和尺寸与其他开口部33不同。
例如也可以是：图案化导电体30的各开口部33包含四边形、五边形、六边形、七角形和八边形而构成，且各开口部33的面积也不是一定的，在某个上限值与下限值之间具有分布。作为该图案化导电体，例如，可以举出日本专利第5224203号公报、日本特开2012-178556号公报等中公开的图案化导电体。
另外，图3中，带导电体的片20在基材21的一个面上层积形成有图案化导电体30，但本发明中不限定于此。例如也可以为下述形态：没有基材21，仅由图案化导电体30单层构成的带导电体的片20层积在图3中的第1接合层13与第2接合层14之间(其他构成与图3相同)。
若举出该形态的发热板10的制造方法，例如，首先，在第1基板11上，使第1接合层13和如图11所示的在基材21的一个面上层积有图案化导电体30的带导电体的片20按照该图案化导电体30侧与第1接合层13侧对峙的方向进行重叠。接着，一边将该重叠体加热一边加压，使这些各层层积一体化。接着，仅将基材21从所得到的层积体剥离去除，得到在第1基板11上依次层积有第1接合层13和图案化导电体30的层积体。接着，在该层积体的图案化导电体30上依次重叠第2接合层14和第2基板12。之后，一边将该重叠体加热一边加压，使这些各层层积一体化。通过上述工序，得到从第3图的层积体仅省去了基材21的构成的发热板。
图案化导电体30可以组装到发热板10中，用于汽车的前窗、侧窗或天窗。另外，也可以用于汽车以外的铁路车辆、飞机、船舶、宇宙飞船等交通工具的窗或透明门。
另外，除了交通工具以外，组装有图案化导电体30的发热板10还能够用作组装到特别是划分室内和室外的部位、例如大厦、店铺、住宅的窗或透明门等建筑物用窗中的图案化导电体。
此外，图案化导电体30还可以用作用于触控面板传感器的导电体。
符号说明
1 汽车
5 前窗
7 电源
10 发热板
11 第1基板
12 第2基板
13 第1接合层
14 第2接合层
15 布线部
20 带导电体的片
20a 金属膜
20a1 金属晶体
21 基材
25 母线
30 图案化导电体
31 线状导电体
31a 侧面
32 分岔点
33 开口
34 连接要素
35 间隙
40 抗蚀剂图案

Claims (31)

1.一种图案化导电体，其具备按照位于一个配置面上的方式设置的金属制的线状导电体，
所述线状导电体在与其长度方向正交的截面中包含两个以上的金属晶体，
在与所述线状导电体的长度方向正交的一个截面中，包含沿着所述配置面上的法线方向的长度h0大于沿着所述配置面上的法线方向的所述线状导电体的高度H的三分之一的金属晶体，该金属晶体的沿着所述配置面上的法线方向的长度h0相对于沿着所述配置面的长度w0之比h0/w0为1.2以上，
关于所述一个截面中包含的沿着所述配置面上的法线方向的长度h0大于沿着所述配置面上的法线方向的所述线状导电体的高度H的三分之一的金属晶体，所述线状导电体的线宽W相对于该金属晶体在该截面中的沿着所述配置面的长度的平均值w之比的值W/w为2以上10以下。
2.一种图案化导电体，其具备按照位于一个配置面上的方式设置的金属制的线状导电体，
所述线状导电体在与其长度方向正交的截面中包含两个以上的金属晶体，
在与所述线状导电体的长度方向正交的一个截面中，包含沿着所述配置面上的法线方向的长度h0大于沿着所述配置面上的法线方向的所述线状导电体的高度H的三分之一的金属晶体，与该金属晶体的面积具有相同面积的圆的直径的平均值小于沿着所述配置面上的法线方向的所述线状导电体的高度H的一半，
关于所述一个截面中包含的沿着所述配置面上的法线方向的长度h0大于沿着所述配置面上的法线方向的所述线状导电体的高度H的三分之一的金属晶体，所述线状导电体的线宽W相对于该金属晶体在该截面中的沿着所述配置面的长度的平均值w之比的值W/w为2以上10以下。
3.如权利要求1或2所述的图案化导电体，其中，所述线状导电体包含铜和铝中的至少一种。
4.如权利要求1或2所述的图案化导电体，其中，
所述线状导电体以区划形成两个以上的开口区域的图案进行配置，
所述开口区域的重心间距离的平均值D1相对于所述线状导电体的线宽W之比的值D1/W为50以上200以下。
5.如权利要求1或2所述的图案化导电体，其中，
所述线状导电体以区划形成两个以上的开口区域的图案进行配置，
关于所述一个截面中包含的沿着所述配置面上的法线方向的长度h0大于沿着所述配置面上的法线方向的所述线状导电体的高度H的三分之一的金属晶体，所述开口区域的重心间距离的平均值D1相对于该金属晶体在该截面中的沿着所述配置面的长度的平均值w之比的值D1/w为40以上500以下。
6.如权利要求3所述的图案化导电体，其中，
所述线状导电体以区划形成两个以上的开口区域的图案进行配置，
关于所述一个截面中包含的沿着所述配置面上的法线方向的长度h0大于沿着所述配置面上的法线方向的所述线状导电体的高度H的三分之一的金属晶体，所述开口区域的重心间距离的平均值D1相对于该金属晶体在该截面中的沿着所述配置面的长度的平均值w之比的值D1/w为40以上500以下。
7.如权利要求1或2所述的图案化导电体，其中，
两个以上的线状导电体在一个方向上隔开间隙而配置，各线状导电体在与所述一个方向不平行的方向上延伸，
所述间隙的沿着一个方向的尺寸的平均值D2相对于所述线状导电体的线宽W之比的值D2/W为50以上1000以下。
8.如权利要求3所述的图案化导电体，其中，
两个以上的线状导电体在一个方向上隔开间隙而配置，各线状导电体在与所述一个方向不平行的方向上延伸，
所述间隙的沿着一个方向的尺寸的平均值D2相对于所述线状导电体的线宽W之比的值D2/W为50以上1000以下。
9.如权利要求5所述的图案化导电体，其中，
两个以上的线状导电体在一个方向上隔开间隙而配置，各线状导电体在与所述一个方向不平行的方向上延伸，
所述间隙的沿着一个方向的尺寸的平均值D2相对于所述线状导电体的线宽W之比的值D2/W为50以上1000以下。
10.如权利要求6所述的图案化导电体，其中，
两个以上的线状导电体在一个方向上隔开间隙而配置，各线状导电体在与所述一个方向不平行的方向上延伸，
所述间隙的沿着一个方向的尺寸的平均值D2相对于所述线状导电体的线宽W之比的值D2/W为50以上1000以下。
11.如权利要求1或2所述的图案化导电体，其中，
两个以上的线状导电体在一个方向上隔开间隙而配置，各线状导电体在与所述一个方向不平行的方向上延伸，
关于所述一个截面中包含的沿着所述配置面上的法线方向的长度h0大于沿着所述配置面上的法线方向的所述线状导电体的高度H的三分之一的金属晶体，所述间隙的沿着一个方向的尺寸的平均值D2相对于该金属晶体在该截面中的沿着所述配置面的长度的平均值w之比的值D2/w为200以上2400以下。
12.如权利要求1或2所述的图案化导电体，其中，关于所述一个截面中包含的沿着所述配置面上的法线方向的长度h0大于沿着所述配置面上的法线方向的所述线状导电体的高度H的三分之一的金属晶体，该金属晶体在该截面中的沿着所述法线方向的长度h0相对于该金属晶体在该截面中的沿着所述配置面的长度w0之比的值h0/w0的平均值为2以上。
13.如权利要求1或2所述的图案化导电体，其中，关于所述一个截面中包含的沿着所述配置面上的法线方向的长度h0大于沿着所述配置面上的法线方向的所述线状导电体的高度H的三分之一的金属晶体，该金属晶体在该截面中的沿着所述法线方向的长度的平均值h为4.0μm以上11.5μm以下。
14.如权利要求3所述的图案化导电体，其中，关于所述一个截面中包含的沿着所述配置面上的法线方向的长度h0大于沿着所述配置面上的法线方向的所述线状导电体的高度H的三分之一的金属晶体，该金属晶体在该截面中的沿着所述法线方向的长度的平均值h为4.0μm以上11.5μm以下。
15.如权利要求5所述的图案化导电体，其中，关于所述一个截面中包含的沿着所述配置面上的法线方向的长度h0大于沿着所述配置面上的法线方向的所述线状导电体的高度H的三分之一的金属晶体，该金属晶体在该截面中的沿着所述法线方向的长度的平均值h为4.0μm以上11.5μm以下。
16.如权利要求6所述的图案化导电体，其中，关于所述一个截面中包含的沿着所述配置面上的法线方向的长度h0大于沿着所述配置面上的法线方向的所述线状导电体的高度H的三分之一的金属晶体，该金属晶体在该截面中的沿着所述法线方向的长度的平均值h为4.0μm以上11.5μm以下。
17.如权利要求7所述的图案化导电体，其中，关于所述一个截面中包含的沿着所述配置面上的法线方向的长度h0大于沿着所述配置面上的法线方向的所述线状导电体的高度H的三分之一的金属晶体，该金属晶体在该截面中的沿着所述法线方向的长度的平均值h为4.0μm以上11.5μm以下。
18.如权利要求8所述的图案化导电体，其中，关于所述一个截面中包含的沿着所述配置面上的法线方向的长度h0大于沿着所述配置面上的法线方向的所述线状导电体的高度H的三分之一的金属晶体，该金属晶体在该截面中的沿着所述法线方向的长度的平均值h为4.0μm以上11.5μm以下。
19.如权利要求9所述的图案化导电体，其中，关于所述一个截面中包含的沿着所述配置面上的法线方向的长度h0大于沿着所述配置面上的法线方向的所述线状导电体的高度H的三分之一的金属晶体，该金属晶体在该截面中的沿着所述法线方向的长度的平均值h为4.0μm以上11.5μm以下。
20.如权利要求10所述的图案化导电体，其中，关于所述一个截面中包含的沿着所述配置面上的法线方向的长度h0大于沿着所述配置面上的法线方向的所述线状导电体的高度H的三分之一的金属晶体，该金属晶体在该截面中的沿着所述法线方向的长度的平均值h为4.0μm以上11.5μm以下。
21.如权利要求1或2所述的图案化导电体，其中，关于所述一个截面中包含的沿着所述配置面上的法线方向的长度h0大于沿着所述配置面上的法线方向的所述线状导电体的高度H的三分之一的金属晶体，该金属晶体在该截面中的沿着所述配置面的长度的平均值w为0.5μm以上5.0μm以下。
22.如权利要求1或2所述的图案化导电体，其中，在与所述线状导电体的长度方向正交的截面中，所述线状导电体的侧面与配置面所成的线状导电体的外侧的角度θ在70°≤θ≤110°中成立。
23.如权利要求3所述的图案化导电体，其中，在与所述线状导电体的长度方向正交的截面中，所述线状导电体的侧面与配置面所成的线状导电体的外侧的角度θ在70°≤θ≤110°中成立。
24.如权利要求20所述的图案化导电体，其中，在与所述线状导电体的长度方向正交的截面中，所述线状导电体的侧面与配置面所成的线状导电体的外侧的角度θ在70°≤θ≤110°中成立。
25.一种带导电体的片，其具备：
权利要求1～24中任一项所述的图案化导电体；和
支撑所述图案化导电体的基材。
26.一种发热板，其具备权利要求1～24中任一项所述的图案化导电体、或者权利要求25所述的带导电体的片。
27.一种交通工具，其具备权利要求26所述的发热板。
28.一种图案化导电体的制造方法，其为具备按照位于一个配置面上的方式设置的金属制的线状导电体的图案化导电体的制造方法，其具备下述工序：
在基材上设置金属膜的工序；
在所述金属膜上设置抗蚀剂图案，以所述抗蚀剂图案为掩模，对所述金属膜进行蚀刻的工序；和
去除所述抗蚀剂图案的工序，
在所述金属膜的一个截面中，所述金属膜包含沿着该金属膜的法线方向的长度h0大于该金属膜的沿着法线方向的厚度H的三分之一的金属晶体，该金属晶体的沿着所述金属膜的法线方向的长度h0相对于沿着所述配置面的长度w0之比h0/w0为1.2以上，
蚀刻所述金属膜而形成了两个以上的线状导电体，
关于所述一个截面中包含的沿着所述配置面上的法线方向的长度h0大于沿着所述配置面上的法线方向的所述线状导电体的高度H的三分之一的金属晶体，所述线状导电体的线宽W相对于该金属晶体在该截面中的沿着所述配置面的长度的平均值w之比的值W/w为2以上10以下。
29.如权利要求28所述的图案化导电体的制造方法，其进一步具备对所述金属膜的金属晶体进行检查的工序。
30.如权利要求29所述的图案化导电体的制造方法，其中，对所述金属膜的金属晶体进行检查的工序包括下述工序：
关于所述一个截面中包含的沿着所述金属膜的法线方向的长度h0大于所述金属膜的沿着法线方向的厚度H的三分之一的金属晶体，
检查该截面中的沿着所述金属膜的法线方向的该金属晶体的长度h0相对于沿着所述金属膜的该金属晶体的长度w0之比h0/w0为1.2以上。
31.如权利要求30所述的图案化导电体的制造方法，其中，对所述金属膜的金属晶体进行检查的工序进一步包括下述工序中的至少一个工序：
关于所述一个截面中包含的沿着所述金属膜的法线方向的长度h0大于所述金属膜的沿着法线方向的厚度H的三分之一的金属晶体，
检查该截面中的沿着所述金属膜的法线方向的该金属晶体的长度h0相对于沿着所述金属膜的该金属晶体的长度w0之比的值h0/w0的平均值为2以上的工序；
检查该截面中的沿着所述金属膜的法线方向的该金属晶体的长度的平均值h为4.0μm以上11.5μm以下的工序；和
检查该截面中的沿着所述金属膜的该金属晶体的长度的平均值w为0.5μm以上5.0μm以下的工序。
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