JP6341456B1 - パターン導電体、導電体付きシート、発熱板、乗り物及びパターン導電体の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
一つの配置面上に位置するように設けられた金属製の線状導電体を備え、
前記線状導電体はその長手方向に直交する断面において、複数の金属結晶を含み、
前記線状導電体の長手方向に直交する一つの断面において、前記配置面への法線方向に沿った長さh0が、前記配置面への法線方向に沿った前記線状導電体の高さHの3分の1よりも大きくなっている金属結晶を含み、当該金属結晶の、前記配置面に沿った長さw0に対する前記配置面への法線方向に沿った長さh0の比(h0/w0)の最小値が、1.2以上である。
一つの配置面上に位置するように設けられた金属製の線状導電体を備え、
前記線状導電体は、その長手方向に直交する断面において、複数の金属結晶を含み、
前記線状導電体の長手方向に直交する一つの断面において、前記配置面への法線方向に沿った長さh0は、前記配置面への法線方向に沿った前記線状導電体の高さHの3分の1よりも大きくなっている金属結晶を含み、前記金属結晶の面積と同一の面積を有する円の直径の平均は、前記配置面への法線方向に沿った前記線状導電体の高さHの平均の半分よりも小さい。
前記線状導電体は、銅及びアルミニウムのうちの少なくとも一つを含んでもよい。
複数の開口領域を画成するパターンで前記線状導電体が配置され、
前記線状導電体の線幅Wに対する、前記開口領域の重心間距離の平均D1の比の値(D1/W)は、50以上200以下であってもよい。
前記線状導電体は、複数の開口領域を画成するパターンで配置され、
前記一つの断面に含まれる、前記配置面への法線方向に沿った長さh0が、前記配置面への法線方向に沿った前記線状導電体の高さHの3分の1よりも大きくなっている金属結晶についての当該断面での前記配置面に沿った長さの平均wに対する、前記開口領域の重心間距離の平均D1の比の値(D1/w)は、40以上500以下であってもよい。
複数の線状導電体が、一方向に隙間を空けて配置され、各線状導電体は、前記一方向と非平行な方向に延び、
前記線状導電体の線幅Wに対する、前記隙間の一方向に沿った寸法の平均D2の比の値(D2/W)は、50以上1000以下であってもよい。
複数の線状導電体が、一方向に隙間を空けて配置され、各線状導電体は、前記一方向と非平行な方向に延び、
前記一つの断面に含まれる、前記配置面への法線方向に沿った長さh0が、前記配置面への法線方向に沿った前記線状導電体の高さHの3分の1よりも大きくなっている金属結晶についての当該断面での前記配置面に沿った長さの平均wに対する、前記隙間の一方向に沿った寸法の平均D2の比の値(D2/w)は、200以上2400以下であってもよい。
前記一つの断面に含まれる、前記配置面への法線方向に沿った長さh0が、前記配置面への法線方向に沿った前記線状導電体の高さHの3分の1よりも大きくなっている金属結晶についての当該断面での前記配置面に沿った長さの平均wに対する、前記線状導電体の線幅Wの比の値(W/w)は、2以上10以下であってもよい。
前記一つの断面に含まれる、前記配置面への法線方向に沿った長さh0が、前記配置面への法線方向に沿った前記線状導電体の高さHの3分の1よりも大きくなっている金属結晶についての当該断面での前記配置面に沿った長さw0に対する、当該金属結晶についての当該断面での前記法線方向に沿った長さh0の比の値(h0/w0)の平均は、2以上であってもよい。
前記一つの断面に含まれる、前記配置面への法線方向に沿った長さh0が、前記配置面への法線方向に沿った前記線状導電体の高さHの3分の1よりも大きくなっている金属結晶についての当該断面での前記法線方向に沿った長さの平均hは、4.0μm以上11.5μm以下であってもよい。
前記一つの断面に含まれる、前記配置面への法線方向に沿った長さh0が、前記配置面への法線方向に沿った前記線状導電体の高さHの3分の1よりも大きくなっている金属結晶についての当該断面での前記配置面に沿った長さの平均wは、0.5μm以上5.0μm以下であってもよい。
基材上に金属膜を設ける工程と、
前記金属膜上にレジストパターンを設け、前記レジストパターンをマスクとして前記金属膜をエッチングする工程と、
前記レジストパターンを除去する工程と、を備え、
前記金属膜の一つの断面において、前記金属膜は、当該金属膜の法線方向に沿った長さh0が当該金属膜の法線方向に沿った厚さHの3分の1よりも大きくなっている金属結晶を含み、当該金属結晶の、前記配置面に沿った長さw0に対する前記金属膜の法線方向に沿った長さh0の比(h0/w0)の最小値が、1.2以上である。
前記金属膜の金属結晶を検査する工程は、前記一つの断面に含まれ、前記金属膜の法線方向に沿った長さh0が前記金属膜の法線方向に沿った厚さHの3分の1よりも大きくなっている金属結晶について、
当該断面での前記金属膜に沿った当該金属結晶の長さw0に対する前記金属膜の法線方向に沿った当該金属結晶の長さh0の比(h0/w0)の最小値が1.2以上となっていることを検査する工程を含んでもよい。
前記金属膜の金属結晶を検査する工程は、前記一つの断面に含まれ、前記金属膜の法線方向に沿った長さh0が前記金属膜の法線方向に沿った厚さHの3分の1よりも大きくなっている金属結晶について、
当該断面での前記金属膜に沿った当該金属結晶の長さw0に対する前記金属膜の法線方向に沿った当該金属結晶の長さh0の比の値(h0/w0)の平均が2以上となっていることを検査する工程、
前記金属膜の法線方向に沿った当該金属結晶の長さの平均hが4.0μm以上11.5μm以下となっていることを検査する工程、および
前記金属膜に沿った当該金属結晶の長さの平均wが0.5μm以上5.0μm以下となっていることを検査する工程、のうち少なくとも1つをさらに含んでもよい。
5 フロントウィンドウ
7 電源
10 発熱板
11 第1基板
12 第2基板
13 第1接合層
14 第2接合層
15 配線部
20 導電体付きシート
20a 金属膜
20a1 金属結晶
21 基材
25 バスバー
30 パターン導電体
31 線状導電体
31a 側面
32 分岐点
33 開口
34 接続要素
35 隙間
40 レジストパターン
Claims (29)
- パターン導電体を備える発熱板であって、
前記パターン導電体は、一つの配置面上に位置するように設けられた金属製の線状導電体を有し、
前記線状導電体はその長手方向に直交する断面において、複数の金属結晶を含み、
前記線状導電体の長手方向に直交する一つの断面において、前記配置面への法線方向に沿った長さh0が、前記配置面への法線方向に沿った前記線状導電体の高さHの3分の1よりも大きくなっている金属結晶を含み、当該金属結晶の、前記配置面に沿った長さw0に対する前記配置面への法線方向に沿った長さh0の比(h0/w0)の最小値が、1.2以上であり、
前記線状導電体は、複数の開口領域を画成するパターンで配置され、
前記一つの断面に含まれる、前記配置面への法線方向に沿った長さh 0 が、前記配置面への法線方向に沿った前記線状導電体の高さHの3分の1よりも大きくなっている金属結晶についての当該断面での前記配置面に沿った長さの平均wに対する、前記開口領域の重心間距離の平均D1の比の値(D1/w)は、40以上500以下である、発熱板。 - パターン導電体を備える発熱板であって、
前記パターン導電体は、一つの配置面上に位置するように設けられた金属製の線状導電体を有し、
前記線状導電体はその長手方向に直交する断面において、複数の金属結晶を含み、
前記線状導電体の長手方向に直交する一つの断面において、前記配置面への法線方向に沿った長さh 0 が、前記配置面への法線方向に沿った前記線状導電体の高さHの3分の1よりも大きくなっている金属結晶を含み、当該金属結晶の、前記配置面に沿った長さw 0 に対する前記配置面への法線方向に沿った長さh 0 の比(h 0 /w 0 )の最小値が、1.2以上であり、
複数の線状導電体が、一方向に隙間を空けて配置され、各線状導電体は、前記一方向と非平行な方向に延び、
前記一つの断面に含まれる、前記配置面への法線方向に沿った長さh 0 が、前記配置面への法線方向に沿った前記線状導電体の高さHの3分の1よりも大きくなっている金属結晶についての当該断面での前記配置面に沿った長さの平均wに対する、前記隙間の一方向に沿った寸法の平均D2の比の値(D2/w)は、200以上2400以下である、発熱板。 - パターン導電体を備える発熱板であって、
前記パターン導電体は、一つの配置面上に位置するように設けられた金属製の線状導電体を有し、
前記線状導電体は、その長手方向に直交する断面において、複数の金属結晶を含み、
前記線状導電体の長手方向に直交する一つの断面において、前記配置面への法線方向に沿った長さh0は、前記配置面への法線方向に沿った前記線状導電体の高さHの3分の1よりも大きくなっている金属結晶を含み、当該金属結晶の面積と同一の面積を有する円の直径の平均は、前記配置面への法線方向に沿った前記線状導電体の高さHの半分よりも小さく、
前記線状導電体は、複数の開口領域を画成するパターンで配置され、
前記一つの断面に含まれる、前記配置面への法線方向に沿った長さh 0 が、前記配置面への法線方向に沿った前記線状導電体の高さHの3分の1よりも大きくなっている金属結晶についての当該断面での前記配置面に沿った長さの平均wに対する、前記開口領域の重心間距離の平均D1の比の値(D1/w)は、40以上500以下である、発熱板。 - パターン導電体を備える発熱板であって、
前記パターン導電体は、一つの配置面上に位置するように設けられた金属製の線状導電体を有し、
前記線状導電体は、その長手方向に直交する断面において、複数の金属結晶を含み、
前記線状導電体の長手方向に直交する一つの断面において、前記配置面への法線方向に沿った長さh 0 は、前記配置面への法線方向に沿った前記線状導電体の高さHの3分の1よりも大きくなっている金属結晶を含み、当該金属結晶の面積と同一の面積を有する円の直径の平均は、前記配置面への法線方向に沿った前記線状導電体の高さHの半分よりも小さく、
複数の線状導電体が、一方向に隙間を空けて配置され、各線状導電体は、前記一方向と非平行な方向に延び、
前記一つの断面に含まれる、前記配置面への法線方向に沿った長さh 0 が、前記配置面への法線方向に沿った前記線状導電体の高さHの3分の1よりも大きくなっている金属結晶についての当該断面での前記配置面に沿った長さの平均wに対する、前記隙間の一方向に沿った寸法の平均D2の比の値(D2/w)は、200以上2400以下である、発熱板。 - 前記線状導電体の線幅Wに対する、前記開口領域の重心間距離の平均D1の比の値(D1/W)は、50以上200以下である、請求項1または3のいずれか一項に記載の発熱板。
- 前記線状導電体の線幅Wに対する、前記隙間の一方向に沿った寸法の平均D2の比の値(D2/W)は、50以上1000以下である、請求項2または4のいずれか一項に記載の発熱板。
- 隣り合う前記線状導電体の間の距離の平均は、100μm以上12000μm以下である、請求項2,4または6のいずれか一項に記載の発熱板。
- 前記一つの断面に含まれる、前記配置面への法線方向に沿った長さh0が、前記配置面への法線方向に沿った前記線状導電体の高さHの3分の1よりも大きくなっている金属結晶についての当該断面での前記配置面に沿った長さの平均wに対する、前記線状導電体の線幅Wの比の値(W/w)は、2以上10以下である、請求項1〜7のいずれか一項に記載の発熱板。
- パターン導電体を備える発熱板であって、
前記パターン導電体は、一つの配置面上に位置するように設けられた金属製の線状導電体を有し、
前記線状導電体はその長手方向に直交する断面において、複数の金属結晶を含み、
前記線状導電体の長手方向に直交する一つの断面において、前記配置面への法線方向に沿った長さh 0 が、前記配置面への法線方向に沿った前記線状導電体の高さHの3分の1よりも大きくなっている金属結晶を含み、当該金属結晶の、前記配置面に沿った長さw 0 に対する前記配置面への法線方向に沿った長さh 0 の比(h 0 /w 0 )の最小値が、1.2以上であり、
前記一つの断面に含まれる、前記配置面への法線方向に沿った長さh 0 が、前記配置面への法線方向に沿った前記線状導電体の高さHの3分の1よりも大きくなっている金属結晶についての当該断面での前記配置面に沿った長さの平均wに対する、前記線状導電体の線幅Wの比の値(W/w)は、2以上10以下である、発熱板。 - パターン導電体を備える発熱板であって、
前記パターン導電体は、一つの配置面上に位置するように設けられた金属製の線状導電体を有し、
前記線状導電体は、その長手方向に直交する断面において、複数の金属結晶を含み、
前記線状導電体の長手方向に直交する一つの断面において、前記配置面への法線方向に沿った長さh 0 は、前記配置面への法線方向に沿った前記線状導電体の高さHの3分の1よりも大きくなっている金属結晶を含み、当該金属結晶の面積と同一の面積を有する円の直径の平均は、前記配置面への法線方向に沿った前記線状導電体の高さHの半分よりも小さく、
前記一つの断面に含まれる、前記配置面への法線方向に沿った長さh 0 が、前記配置面への法線方向に沿った前記線状導電体の高さHの3分の1よりも大きくなっている金属結晶についての当該断面での前記配置面に沿った長さの平均wに対する、前記線状導電体の線幅Wの比の値(W/w)は、2以上10以下である、発熱板。 - 前記一つの断面に含まれる、前記配置面への法線方向に沿った長さh0が、前記配置面への法線方向に沿った前記線状導電体の高さHの3分の1よりも大きくなっている金属結晶についての当該断面での前記配置面に沿った長さw0に対する、当該金属結晶についての当該断面での前記法線方向に沿った長さh0の比の値(h0/w0)の平均は、2以上である、請求項1〜10のいずれか一項に記載の発熱板。
- 前記一つの断面に含まれる、前記配置面への法線方向に沿った長さh0が、前記配置面への法線方向に沿った前記線状導電体の高さHの3分の1よりも大きくなっている金属結晶についての当該断面での前記法線方向に沿った長さの平均hは、4.0μm以上11.5μm以下である、請求項1〜11のいずれか一項に記載の発熱板。
- 前記一つの断面に含まれる、前記配置面への法線方向に沿った長さh0が、前記配置面への法線方向に沿った前記線状導電体の高さHの3分の1よりも大きくなっている金属結晶についての当該断面での前記配置面に沿った長さの平均wは、0.5μm以上5.0μm以下である、請求項1〜12のいずれか一項に記載の発熱板。
- 前記パターン導電体の非被覆率は、70%以上である、請求項1〜13のいずれか一項に記載の発熱板。
- 70%以上の可視光透過率を有している、請求項1〜14のいずれか一項に記載の発熱板。
- 前記線状導電体の線幅は、2μm以上20μm以下である、請求項1〜15のいずれか一項に記載の発熱板。
- 前記線状導電体は、銅及びアルミニウムのうちの少なくとも一つを含む、請求項1〜16のいずれか一項に記載の発熱板。
- 前記パターン導電体を支持する基材をさらに備える、請求項1〜17のいずれか一項に記載の発熱板。
- 一対の基板と、
前記一対の基板と前記パターン導電体とを接合する接合層と、をさらに備える、請求項1〜18のいずれか一項に記載の発熱板。 - 請求項1〜19のいずれか一項に記載の発熱板を含む窓。
- 請求項20に記載の窓を備える乗り物。
- 請求項2,4,6または7のいずれか一項に記載の発熱板を含む窓を備え、
複数の線状導電体が、水平方向に隙間を空けて配置され、各線状導電体は、鉛直方向に離間した一対のバスバーの間を延びる、乗り物。 - 前記窓は、鉛直方向に対して傾斜している、請求項21または22に記載の乗り物。
- パターン導電体を備える発熱板の製造方法であって、
前記パターン導電体は、一つの配置面上に位置するように設けられた金属製の線状導電体を有し、
基材上に金属膜を設ける工程と、
前記金属膜上にレジストパターンを設け、前記レジストパターンをマスクとして前記金属膜をエッチングする工程と、
前記レジストパターンを除去する工程と、を備え、
前記金属膜の一つの断面において、前記金属膜は、当該金属膜の法線方向に沿った長さh0が当該金属膜の法線方向に沿った厚さHの3分の1よりも大きくなっている金属結晶を含み、当該金属結晶の、前記配置面に沿った長さw0に対する前記金属膜の法線方向に沿った長さh0の比(h0/w0)の最小値が、1.2以上であり、
前記金属膜がエッチングされることで形成される複数の線状導電体は、複数の開口領域を画成するパターンで配置され、
前記一つの断面に含まれる、前記配置面への法線方向に沿った長さh 0 が、前記配置面への法線方向に沿った前記線状導電体の高さHの3分の1よりも大きくなっている金属結晶についての当該断面での前記配置面に沿った長さの平均wに対する、前記開口領域の重心間距離の平均D1の比の値(D1/w)は、40以上500以下である、発熱板の製造方法。 - パターン導電体を備える発熱板の製造方法であって、
前記パターン導電体は、一つの配置面上に位置するように設けられた金属製の線状導電体を有し、
基材上に金属膜を設ける工程と、
前記金属膜上にレジストパターンを設け、前記レジストパターンをマスクとして前記金属膜をエッチングする工程と、
前記レジストパターンを除去する工程と、を備え、
前記金属膜の一つの断面において、前記金属膜は、当該金属膜の法線方向に沿った長さh 0 が当該金属膜の法線方向に沿った厚さHの3分の1よりも大きくなっている金属結晶を含み、当該金属結晶の、前記配置面に沿った長さw 0 に対する前記金属膜の法線方向に沿った長さh 0 の比(h 0 /w 0 )の最小値が、1.2以上であり、
前記金属膜がエッチングされることで形成される複数の線状導電体は、一方向に隙間を空けて配置され、各線状導電体は、前記一方向と非平行な方向に延び、
前記一つの断面に含まれる、前記配置面への法線方向に沿った長さh 0 が、前記配置面への法線方向に沿った前記線状導電体の高さHの3分の1よりも大きくなっている金属結晶についての当該断面での前記配置面に沿った長さの平均wに対する、前記隙間の一方向に沿った寸法の平均D2の比の値(D2/w)は、200以上2400以下である、発熱板の製造方法。 - パターン導電体を備える発熱板の製造方法であって、
前記パターン導電体は、一つの配置面上に位置するように設けられた金属製の線状導電体を有し、
基材上に金属膜を設ける工程と、
前記金属膜上にレジストパターンを設け、前記レジストパターンをマスクとして前記金属膜をエッチングする工程と、
前記レジストパターンを除去する工程と、を備え、
前記金属膜の一つの断面において、前記金属膜は、当該金属膜の法線方向に沿った長さh 0 が当該金属膜の法線方向に沿った厚さHの3分の1よりも大きくなっている金属結晶を含み、当該金属結晶の、前記配置面に沿った長さw 0 に対する前記金属膜の法線方向に沿った長さh 0 の比(h 0 /w 0 )の最小値が、1.2以上であり、
前記金属膜がエッチングされることで複数の線状導電体が形成され、
前記一つの断面に含まれる、前記配置面への法線方向に沿った長さh 0 が、前記配置面への法線方向に沿った前記線状導電体の高さHの3分の1よりも大きくなっている金属結晶についての当該断面での前記配置面に沿った長さの平均wに対する、前記線状導電体の線幅Wの比の値(W/w)は、2以上10以下である、発熱板の製造方法。 - 前記金属膜の金属結晶を検査する工程をさらに備える、請求項24〜26のいずれか一項に記載の発熱板の製造方法。
- 前記金属膜の金属結晶を検査する工程は、前記一つの断面に含まれ、前記金属膜の法線方向に沿った長さh0が前記金属膜の法線方向に沿った厚さHの3分の1よりも大きくなっている金属結晶について、
当該断面での前記金属膜に沿った当該金属結晶の長さw0に対する前記金属膜の法線方向に沿った当該金属結晶の長さh0の比(h0/w0)の最小値が1.2以上となっていることを検査する工程を含む、請求項27に記載の発熱板の製造方法。 - 前記金属膜の金属結晶を検査する工程は、前記一つの断面に含まれ、前記金属膜の法線方向に沿った長さh0が前記金属膜の法線方向に沿った厚さHの3分の1よりも大きくなっている金属結晶について、
当該断面での前記金属膜に沿った当該金属結晶の長さw0に対する前記金属膜の法線方向に沿った当該金属結晶の長さh0の比の値(h0/w0)の平均が2以上となっていることを検査する工程、
当該断面での前記金属膜の法線方向に沿った当該金属結晶の長さの平均hが4.0μm以上11.5μm以下となっていることを検査する工程、および
当該断面での前記金属膜に沿った当該金属結晶の長さの平均wが0.5μm以上5.0μm以下となっていることを検査する工程、のうち少なくとも1つをさらに含む、請求項28に記載の発熱板の製造方法。
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