CN109415625A - 用于有机光电装置的化合物、用于有机光电装置的组成物以及有机光电装置及显示装置 - Google Patents

用于有机光电装置的化合物、用于有机光电装置的组成物以及有机光电装置及显示装置 Download PDF

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Abstract

本发明揭示一种由化学式1表示的用于有机光电装置的化合物、用于有机光电装置的组成物、包含其的有机光电装置以及显示装置。化学式1的详情与在说明书中所定义的相同。

Description

用于有机光电装置的化合物、用于有机光电装置的组成物以 及有机光电装置及显示装置
技术领域
本发明揭示一种用于有机光电装置的化合物、用于有机光电装置的组成物、有机光电装置以及显示装置。
背景技术
有机光电装置(organic optoelectronic diode)为将电能转换成光能且反之亦然的装置。
有机光电装置可根据其驱动原理分类如下。一种为光电装置，其中由光能产生激子(exciton)，分离成电子及空穴且转移至不同电极以产生电能，且另一种为发光装置，其中将电压或电流供应至电极以由电能产生光能。
有机光电装置的实例可为有机光电装置、有机发光二极管、有机太阳电池及有机感光鼓(organic photo conductor drum)。
其中，有机发光二极管(organic light emitting diode，OLED)近来已由于对平板显示器(flat panel display device)的需求增加而引起关注。有机发光二极管为通过施加电流至有机发光材料而将电能转换成光的装置，且具有其中在阳极(anode)与阴极(cathode)之间安置有机层的结构。在本文中，有机层可包括发光层及视需要辅助层，且辅助层可为例如选自空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、电子传输层、电子注入层以及空穴阻挡层的至少一者以用于提高有机发光二极管的效率及稳定性。
有机发光二极管的效能可受有机层的特征影响，且其中可主要受有机层的有机材料的特征影响。
尤其，需要开发一种能够增加空穴及电子迁移率且同时增加电化学稳定性的有机材料，以使得有机发光二极管可应用于大尺寸的平板显示器。
发明内容
[技术问题]
本发明一实施例提供一种用于有机光电装置的化合物，所述化合物能够达成具有高效率及长寿命的有机光电装置。
本发明另一实施例提供一种用于有机光电装置的组成物，所述组成物包含所述用于有机光电装置的化合物。
本发明再一实施例提供一种包含所述化合物的有机光电装置。
本发明又一实施例提供一种包括所述有机光电装置的显示装置。
[技术方案]
根据一实施例，提供一种用于有机光电装置的化合物，其由化学式1表示。
[化学式1]
在化学式1中，
X1至X3独立地为N或CRa，
X1至X3中的至少两者为N，
Y1及Y2独立地为O或S，
n1及n2独立地为0或1的整数，
Ra以及R1至R8独立地为氢、氘、氰基、硝基、经取代或未经取代的C1至C10烷基、经取代或未经取代的C6至C30芳基、经取代或未经取代的C2至C30杂环基或其组合，且
所述“经取代”是指至少一个氢经氘、C1至C20烷基、C6至C30芳基或C2至C30杂芳基置换。
根据另一实施例，一种用于有机光电装置的组成物，其包含用于有机光电装置的第一化合物；以及由化学式2表示的用于有机光电装置的第二化合物。
[化学式2]
在化学式2中，
L1及L2独立地为单键、经取代或未经取代的C6至C30亚芳基、经取代或未经取代的C2至C30亚杂芳基或其组合，
Ar1及Ar2独立地为经取代或未经取代的C6至C30芳基、经取代或未经取代的C2至C30杂环基或其组合，
R9至R14独立地为氢、氘、经取代或未经取代的C1至C20烷基、经取代或未经取代的C6至C30芳基、经取代或未经取代的C2至C30杂环基或其组合，且
m为0至2的整数；
其中所述“经取代”是指至少一个氢经氘、C1至C4烷基、C6至C18芳基或C2至C30杂芳基置换。
根据另一实施例，一种有机光电装置包括面向彼此的阳极及阴极以及安置于所述阳极与所述阴极之间的至少一个有机层，其中所述有机层包含所述用于有机光电装置的化合物或所述用于有机光电装置的组成物。
根据另一实施例，提供一种包括所述有机光电装置的显示装置。
[有利功效]
可达成一种具有高效率及长寿命的有机光电装置。
附图说明
图1及图2为示出根据实施例的有机发光二极管的剖视图。
具体实施方式
以下，详细阐述本发明的实施例。然而，该些实施例为示范性的，本发明并非仅限于此且本发明由权利要求的范围所界定。
当不另外提供定义时，本文所用的“经取代”是指取代基或化合物的至少一个氢经氘、卤素、羟基、胺基、经取代或未经取代的C1至C30胺基、硝基、经取代或未经取代的C1至C40硅烷基、C1至C30烷基、C1至C10烷基硅烷基、C6至C30芳基硅烷基、C3至C30环烷基、C3至C30杂环烷基、C6至C30芳基、C2至C30杂芳基、C1至C20烷氧基、氟基、C1至C10三氟烷基、氰基或其组合置换。
在本发明的一个实例中，“经取代”是指取代基或化合物的至少一个氢经氘、C1至C30烷基、C1至C10烷基硅烷基、C6至C30芳基硅烷基、C3至C30环烷基、C3至C30杂环烷基、C6至C30芳基或C2至C30杂芳基置换。在本发明的具体实例中，“经取代”是指取代基或化合物的至少一个氢经氘、C1至C20烷基、C6至C30芳基或C2至C30杂芳基置换。在本发明的具体实例中，“经取代”是指至少一个氢经氘、C1至C20烷基、C6至C30芳基、经取代或未经取代的吡啶基、经取代或未经取代的喹啉基、经取代或未经取代的异喹啉基、经取代或未经取代的二苯并呋喃基或者经取代或未经取代的二苯并噻吩基置换。在本发明的具体实例中，“经取代”是指至少一个氢经氘、C1至C5烷基、C6至C18芳基、吡啶基、喹啉基、异喹啉基、二苯并呋喃基或二苯并噻吩基置换。在本发明的另一具体实例中，“经取代”是指至少一个氢经氘、C1至C5烷基或C6至C12芳基置换。
当不另外提供定义时，本文所用的“杂”是指在一个官能基中包含选自N、O、S、P及Si的1至3个杂原子且其余为碳。
当不另外提供定义时，本文所用的“烷基(alkyl)”是指脂族烃基。烷基可为无任何双键或三键的“饱和烷基(saturated alkyl)”。
烷基可为C1至C30烷基。更具体而言，烷基可为C1至C20烷基或C1至C10烷基。举例而言，C1至C4烷基可在烷基链中具有1至4个碳原子，且可选自甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、异丁基、第二丁基及第三丁基。
烷基的具体实例可为甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基、第三丁基、戊基、己基、环丙基、环丁基、环戊基、环己基等。
本文所用的“芳基(aryl)”是指包含至少一个烃芳族部分的基团，且
烃芳族部分的所有元素均具有形成共轭(conjugation)的p轨道，例如苯基、萘基等，
二或更多个烃芳族部分可通过西格玛(sigma)键连接，且可为例如联苯基、三联苯基、四联苯基等，且
二或更多个烃芳族部分直接或间接稠合以提供非芳族稠环。举例而言，其可为茀基。
芳基可包含单环、多环或稠环多环(即，共享相邻碳原子对的环)官能基。
本文所用的“杂环基(heterocyclic group)”为一般概念的杂芳基，且可包含选自N、O、S、P及Si的至少一个杂原子代替环状化合物中的碳(C)，例如芳基、环烷基、其稠环或其组合。当杂环基为稠环时，杂环基的整个环或每个环可包含一或多个杂原子。
举例而言，“杂芳基(heteroaryl)”可指包含选自N、O、S、P及Si的至少一个杂原子的芳基。二或更多个杂芳基通过西格玛键直接连接，或当杂芳基包含二或更多个环时，所述二或更多个环可稠合。当杂芳基为稠环时，每个环可包含1至3个杂原子。
杂芳基的具体实例可为吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基等。
更具体而言，经取代或未经取代的C6至C30芳基和/或经取代或未经取代的C2至C30杂环基可为经取代或未经取代的苯基、经取代或未经取代的萘基、经取代或未经取代的蒽基、经取代或未经取代的菲基、经取代或未经取代的稠四苯基、经取代或未经取代的芘基、经取代或未经取代的联苯基、经取代或未经取代的对三联苯基、经取代或未经取代的间三联苯基、经取代或未经取代的邻三联苯基、经取代或未经取代的基、经取代或未经取代的联三亚苯基、经取代或未经取代的苝基、经取代或未经取代的茀基、经取代或未经取代的茚基、经取代或未经取代的呋喃基、经取代或未经取代的噻吩基、经取代或未经取代的吡咯基、经取代或未经取代的吡唑基、经取代或未经取代的咪唑基、经取代或未经取代的三唑基、经取代或未经取代的恶唑基、经取代或未经取代的噻唑基、经取代或未经取代的恶二唑基、经取代或未经取代的噻二唑基、经取代或未经取代的吡啶基、经取代或未经取代的嘧啶基、经取代或未经取代的吡嗪基、经取代或未经取代的三嗪基、经取代或未经取代的苯并呋喃基、经取代或未经取代的苯并噻吩基、经取代或未经取代的苯并咪唑基、经取代或未经取代的吲哚基、经取代或未经取代的喹啉基、经取代或未经取代的异喹啉基、经取代或未经取代的喹唑啉基、经取代或未经取代的喹恶啉基、经取代或未经取代的萘啶基、经取代或未经取代的苯并恶嗪基、经取代或未经取代的苯并噻嗪基、经取代或未经取代的吖啶基、经取代或未经取代的啡嗪基、经取代或未经取代的啡噻嗪基、经取代或未经取代的啡恶嗪基、经取代或未经取代的二苯并呋喃基或者经取代或未经取代的二苯并噻吩基或其组合，但并非仅限于此。
在本说明书中，空穴特征是指当施加电场(electric field)时施予电子以形成空穴的能力，并且由于依据于最高占用分子轨道(HOMO)能级的传导特征，在阳极中形成的空穴可易于注入发光层中且在发光层中形成的空穴可易于传输至阳极中并在发光层中传输。
另外，电子特征是指当施加电场时接受电子的能力，并且由于依据于最低未占用分子轨道(LUMO)能级的传导特征，在阴极中形成的电子可易于注入发光层中且在发光层中形成的电子可易于传输至阴极中并在发光层中传输。
以下，阐述一种根据一实施例的用于有机光电装置的化合物。
根据一实施例的用于有机光电装置的化合物由化学式1表示。
[化学式1]
在化学式1中，
X1至X3独立地为N或CRa，
X1至X3中的至少两者为N，
Y1及Y2独立地为O或S，
n1及n2独立地为0或1的整数，
Ra以及R1至R8独立地为氢、氘、氰基、硝基、经取代或未经取代的C1至C10烷基、经取代或未经取代的C6至C30芳基、经取代或未经取代的C2至C30杂环基或其组合，且
所述“经取代”是指至少一个氢经氘、C1至C20烷基、C6至C30芳基或C2至C30杂芳基置换。
根据本发明的一种用于有机光电装置的化合物包含ET核心，所述ET核心包括含N六元环，所述含N六元环包含在第3号位置处与至少两个二苯并呋喃或二苯并噻吩直接连接而无需连接基的取代基，且藉此LUMO能带有效地扩张，分子结构的平面度提高，且所述化合物可变成能够在施加电场时接受电子的结构，且因此包含所述用于有机光电装置的化合物的有机光电装置可表现为驱动电压降低。此种LUMO扩张及环稠合会提高ET核心的电子的稳定性且装置的寿命亦得以有效提高。
另外，可抑制与相邻分子的交互作用，并且结晶化因由至少一个间位(meta)键结的亚芳基所引起的立体阻碍特征而减少，且因此包含所述用于有机光电装置的化合物的有机光电装置的效率及寿命特征可得以改良。
扭结的部分(例如间位键结(meta)的亚芳基)会使化合物的玻璃转化温度(Tg)升高，并且当其应用于装置时可提高化合物的稳定性且可抑制劣化。
在本发明的一示例性实施例中，由X1至X3组成的ET核心可为嘧啶或三嗪，且可例如由化学式1-I、化学式1-II或化学式1-III表示。更具体而言，所述ET核心可由化学式1-I或化学式1-II表示。
[化学式1-I]
[化学式1-II]
[化学式1-III]
在化学式1-I、化学式1-II及化学式1-III中，Y1及Y2、n1及n2以及R1至R8与上述相同。
在本发明的一示例性实施例中，R1至R8可独立地为氢或者经取代或未经取代的C6至C30芳基，且
具体而言为氢、经取代或未经取代的苯基、经取代或未经取代的联苯基、经取代或未经取代的萘基、经取代或未经取代的对三联苯基、经取代或未经取代的间三联苯基、经取代或未经取代的邻三联苯基、经取代或未经取代的蒽基、经取代或未经取代的菲基、经取代或未经取代的联三亚苯基或者经取代或未经取代的茀基，且更具体而言为氢、苯基、联苯基、三联苯基或萘基。
举例而言，R1至R3可独立地为氢、氘、苯基、联苯基或萘基。
在本发明的一个实例中，R4至R8中的一者可为氘、苯基、联苯基或三联苯基且其余为氢。
在本发明的一个实例中，R5及R7中的一者或R5及R7中的一者可为氘、氢、苯基、联苯基或三联苯基，且所有R4、R6及R8可为氢。
举例而言，R1可为氢或苯基，所有R2及R3可为氢，且所有R4至R8可为氢抑或R4至R8中的一者可为苯基、联苯基或三联苯基且其余可为氢。
在本发明的一个实例中，R1可为苯基。
化学式1可例如由化学式1A、化学式1B或化学式1C表示。
[化学式1C]
在化学式1A、化学式1B及化学式1C中，n1及n2、R1至R8与上述相同，且
X1至X3独立地为N或CH，限制条件是X1至X3中的至少两者为N。
如在化学式1A至化学式1C中所示，当含N六元环包含在二苯并呋喃基和/或二苯并噻吩基的第3号位置处直接连接而无需连接基的取代基时，可通过在一个平面上定位最低未占用分子轨道载体(LUMO phore)且因此使扩张效果最大化来获得驱动电压降低及寿命增加方面的最佳效果。然而，当二苯并呋喃和/或二苯并噻吩与含N六元环不在第3号位置处而是在其他位置处或经由其之间的亚芳基连接基团等连接时，可能会减弱经由LUMO扩张来降低驱动电压以及经由环的稠合来提高稳定性的效果。
在本发明的一示例性实施例中，化学式1可由化学式1A或化学式1B(例如，化学式1A)表示。
在本发明的一示例性实施例中，n1及n2两者均为0抑或n1＝1，n2＝0；或者n1＝0，n2＝1，且化学式1具有包含间位(meta)键结的亚芳基的结构，且可例如由化学式1-1或化学式1-2表示且更具体而言由化学式1-1表示。
在化学式1-1至化学式1-2中，X1至X3、Y1及Y2、n2以及R1至R8与上述相同。
具体而言，化学式1-1及化学式1-2的R2可为经取代或未经取代的C1至C10烷基、经取代或未经取代的C6至C30芳基或者经取代或未经取代的C2至C30杂环基，且更具体而言R2可在间位(meta position)被取代，其可由化学式1-1a或化学式1-2a表示。在本文中，R2经取代的亚苯基可包含扭结的三联苯基(kinked terphenyl)。
在本发明的一示例性实施例中，R2可为经取代或未经取代的C1至C4烷基或者经取代或未经取代的C6至C30芳基(例如，苯基、联苯基、三联苯基或萘基)，且更具体而言为经取代或未经取代的苯基。在本发明的一个实施方案中，n2＝0至2，例如n2＝0或n2＝1。
当有包含扭结的三联苯基(kinked terphenyl)时，玻璃转化温度(Tg)可有效地升高，并且可设计出具有高玻璃转化温度(Tg)的低分子量化合物，且藉此可确保热特征且可确保稳定性等。
玻璃转化温度(Tg)可与化合物及包含所述化合物的装置的热稳定性有关。亦即，当以薄膜形式将具有高玻璃转化温度(Tg)的用于有机光电装置的化合物施加至有机发光二极管时，在沉积用于有机光电装置的化合物之后的后续制程中，可防止因温度造成的劣化且可确保有机化合物以及装置的寿命特征。
在化学式1-1及化学式1-2中，由表示的连接基可通过间位(meta)键或对位(para)键来连接。
在本发明的一个实施方案中，化学式(1)中n1＝0且n2＝0或1。上述的化学结构比当化学式1的n1＝0和n2＝1时之化学结构具有更好的效果。也就是说，更优选所有亚苯基通过间位键彼此连接。
此外，在本发明的一个例示性的实施例中，化学式(1-1a)可以是更理想的，其中R2可以是C6-C12的芳基，更具体地是苯基。由化学式1表示的用于有机光电装置的化合物可例如选自群组1的化合物，但并非仅限于此。
[群组1]
用于有机光电装置的第一化合物可单独或与用于有机光电装置的其他化合物一起施加至有机光电装置。当用于有机光电装置的化合物与用于有机光电装置的其他化合物一起使用时，所述化合物及所述其他化合物可以组成物的形式施加。
以下，阐述包含用于有机光电装置的第一化合物的用于有机光电装置的组成物的一个实例。
根据本发明另一实施例的用于有机光电装置的组成物包含用于有机光电装置的第一化合物；以及由化学式2表示的用于有机光电装置的第二化合物。
[化学式2]
在化学式2中，
L1及L2独立地为单键、经取代或未经取代的C6至C30亚芳基、经取代或未经取代的C2至C30亚杂芳基或其组合，
Ar1及Ar2独立地为经取代或未经取代的C6至C30芳基、经取代或未经取代的C2至C30杂环基或其组合，
R9至R14独立地为氢、氘、经取代或未经取代的C1至C20烷基、经取代或未经取代的C6至C30芳基、经取代或未经取代的C2至C30杂环基或其组合，且
m为0至2的整数；
其中所述“经取代”是指至少一个氢经氘、C1至C4烷基、C6至C18芳基或C2至C30杂芳基置换。
在本发明的一示例性实施例中，化学式2的L1及L2可独立地为单键或者经取代或未经取代的C6至C18亚芳基。
在本发明的一示例性实施例中，化学式2的Ar1及Ar2可独立地为经取代或未经取代的苯基、经取代或未经取代的联苯基、经取代或未经取代的三联苯基、经取代或未经取代的萘基、经取代或未经取代的蒽基、经取代或未经取代的联三亚苯基、经取代或未经取代的吡啶基、经取代或未经取代的嘧啶基、经取代或未经取代的喹唑啉基、经取代或未经取代的异喹唑啉基、经取代或未经取代的二苯并噻吩基、经取代或未经取代的二苯并呋喃基、经取代或未经取代的三嗪基、经取代或未经取代的喹啉基、经取代或未经取代的异喹啉基、经取代或未经取代的咔唑基、经取代或未经取代的茀基或其组合。
在本发明的一示例性实施例中，化学式2的Ar1及Ar2可独立地为经取代或未经取代的苯基、经取代或未经取代的联苯基、经取代或未经取代的三联苯基、经取代或未经取代的萘基、经取代或未经取代的蒽基、经取代或未经取代的联三亚苯基、经取代或未经取代的吡啶基、经取代或未经取代的喹唑啉基、经取代或未经取代的异喹唑啉基、经取代或未经取代的二苯并噻吩基、经取代或未经取代的二苯并呋喃基、经取代或未经取代的喹啉基、经取代或未经取代的异喹啉基、经取代或未经取代的咔唑基、经取代或未经取代的茀基或其组合。
在本发明的一示例性实施例中，化学式2的R9至R14可独立地为氢、氘或者经取代或未经取代的C6至C12芳基。
在本发明的一示例性实施例中，化学式2的m可为0或1，这化学结构优于m＝0的化学结构。
此外，在本发明的一个实施方案中，Ar1和Ar2可各自独立地为取代或未取代的C6-C30芳基。
在本发明的一具体示例性实施例中，化学式2可为群组II的结构中的一者，且*-L1-Ar1及*-L2-Ar2可为群组III的取代基中的一者。
[群组II]
[群组III]
在群组II及群组III中，*是连接点。
由化学式2表示的用于有机光电装置的第二化合物可例如选自群组2的化合物。
[群组2]
第一主体化合物及第二主体化合物可以各种方式加以组合而提供各种组成物。
根据本发明一示例性实施例的组成物包含由化学式1-I或化学式1-II表示的化合物作为第一主体，且包含由群组II的化学式C-8或化学式C-17表示的化合物作为第二主体。
另外，可包含由化学式1-A或化学式1-B表示的第一主体以及由群组II的化学式C-8或化学式C-17表示的第二主体。
可包含由化学式1-1表示的第一主体及由群组II的化学式C-8或化学式C-17表示的第二主体。
举例而言，化学式2的*-L1-Ar1及*-L2-Ar2可选自群组III的B-1、B-2、B-3及B-16。
用于有机光电装置的第二化合物与用于有机光电装置的第一化合物一起用于发光层中，且因而会提高电荷迁移率及稳定性，并且改良发光效率及寿命特征。另外，对用于有机光电装置的第二化合物与用于有机光电装置的第一化合物之间的比率进行控制，且因而可控制电荷迁移率。
举例而言，可包含重量比为约1∶9至9∶1、具体而言2∶8至8∶2、3∶7至7∶3、4∶6至6∶4或5∶5的用于有机光电装置的第一化合物及用于有机光电装置的第二化合物，且举例而言，可包含重量比为3∶7的用于有机光电装置的第一化合物及用于有机光电装置的第二化合物。在所述范围内，可同时提高效率及寿命。
所述组成物除用于有机光电装置的第一化合物及用于有机光电装置的第二化合物之外可更包含一或多种有机化合物。
用于有机光电装置的化合物可更包含掺杂剂。掺杂剂可为红色掺杂剂、绿色掺杂剂或蓝色掺杂剂。
掺杂剂是引起光发射的少量材料，且一般可为通过多次激发至三重态(multipleexcitation)或多于三重态而发光的材料，例如金属错合物(metal complex)。掺杂剂可为例如无机化合物、有机化合物或有机/无机化合物，且可使用其一或多个种类。
掺杂剂的一个实例可为磷光掺杂剂，且磷光掺杂剂的实例可为包含Ir、Pt、Os、Ti、Zr、Hf、Eu、Tb、Tm、Fe、Co、Ni、Ru、Rh、Pd或其组合的有机金属化合物。磷光掺杂剂可为例如由化学式Z表示的化合物，但并非仅限于此。
[化学式Z]
L2MX
在化学式Z中，M为金属，且L与X为相同或不同的，且为与M形成错合化合物的配位体。
M可为例如Ir、Pt、Os、Ti、Zr、Hf、Eu、Tb、Tm、Fe、Co、Ni、Ru、Rh、Pd或其组合，且L及X可为例如双牙配位体。
以下，阐述包含所述用于有机光电装置的化合物或所述用于有机光电装置的组成物的有机光电装置。
根据另一实施例的有机光电装置包括面向彼此的阳极及阴极以及安置于所述阳极与所述阴极之间的至少一个有机层，其中所述有机层包含所述用于有机光电装置的化合物或所述用于有机光电装置的组成物。
举例而言，所述有机层可包括发光层，且所述发光层可包含所述用于有机光电装置的化合物或所述用于有机光电装置的组成物。
具体而言，可包含所述用于有机光电装置的化合物或所述用于有机光电装置的组成物作为所述发光层的绿色主体。
另外，所述有机层包括发光层及至少一个辅助层，所述至少一个辅助层选自空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、电子传输层、电子注入层及空穴阻挡层，且所述辅助层可包含所述用于有机光电装置的化合物或所述用于有机光电装置的组成物。
所述辅助层可更包括相邻于所述发光层的电子传输辅助层，且所述电子传输辅助层可包含所述用于有机光电装置的化合物或所述用于有机光电装置的组成物。
在本发明的一示例性实施例中，电子传输辅助层中的用于有机光电装置的化合物可由化学式1-I、化学式1A或化学式1-1表示。
所述有机光电装置可为将电能转换成光能并且反之亦然的任何装置，但并无特别限制，并且可为例如有机光电二极管、有机发光二极管、有机太阳电池及有机感光鼓。
在本文中，参考附图阐述作为有机光电装置的一个实例的有机发光二极管。
图1及图2为示出根据实施例的有机发光二极管的剖视图。
参考图1，根据一实施例的有机发光二极管(100)包括面向彼此的阳极(120)及阴极(110)以及位于阳极(120)与阴极(110)之间的有机层(105)。
阳极(120)可由具有大功函数的导体制成以帮助空穴注入，且可为例如金属、金属氧化物和/或导电聚合物。阳极(120)可为例如金属镍、铂、钒、铬、铜、锌、金等或其合金；金属氧化物，例如氧化锌、氧化铟、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等；金属与氧化物的组合，例如ZnO与Al或SnO2与Sb；导电聚合物，例如聚(3-甲基噻吩)、聚(3，4-(亚乙基-1，2-二氧)噻吩)(polyehtylenedioxythiophene：PEDT)、聚吡咯及聚苯胺，但并非仅限于此。
阴极(110)可由具有小功函数的导体制成以帮助电子注入，且可为例如金属、金属氧化物和/或导电聚合物。阴极(110)可为例如金属或其合金，例如镁、钙、钠、钾、钛、铟、钇、锂、钆、铝、银、锡、铅、铯、钡等；多层结构材料，例如LiF/Al、LiO2/Al、LiF/Ca、LiF/Al及BaF2/Ca，但并非仅限于此。
有机层(105)包括发光层(130)，发光层(130)包含用于有机光电装置的化合物。
图2为根据另一实施例的有机发光二极管的剖视图。
参考图2，有机发光二极管(200)除发光层(130)之外更包括空穴辅助层(140)。空穴辅助层(140)可在阳极(120)与发光层(130)之间进一步增加空穴注入和/或空穴迁移率且阻挡电子。空穴辅助层(140)可为例如空穴传输层、空穴注入层和/或电子阻挡层，且可包括至少一个层。
尽管未示出以下层，但图1或图2所示有机层(105)可更包括电子注入层、电子传输层、电子传输辅助层、空穴传输层、空穴传输辅助层、空穴注入层或其组合。在该些有机层中可包含用于本发明的有机光电装置的化合物。有机发光二极管(100)及有机发光二极管(200)可通过以下方式来制造：在基板上形成阳极或阴极；利用例如真空沉积方法(evaporation)、溅镀(sputtering)、等离子体镀敷(plasma plating)及离子镀敷等干膜形成方法或者例如旋涂(spin coating)、浸渍(dipping)及流涂(flow coating)等湿式涂布方法形成有机层；以及在其上形成阴极或阳极。
有机发光二极管可应用于有机发光二极管显示器。
以下，参考实例更详细地说明实施例。然而，该些实例在任何情况下均不应解释为限制本发明的范围。
具体实验例
以下，实例及合成例中所用的起始材料及反应物只要不存在特别注释，则购自西格玛-奥德里奇有限公司(Sigma-Aldrich Co.Ltd.)或TCI有限公司(TCI Inc.)，或者是通过已知方法而合成。
(用于有机光电装置的化合物的制备)
通过以下步骤合成了作为本发明的一个具体实例的化合物。
(用于有机光电装置的第一化合物)
合成例1：化合物A-1的合成
[反应流程1]
a)中间物A-1-1的合成
将三聚氯化氰(15克，81.34毫摩尔)溶解在了500毫升圆底烧瓶中的无水四氢呋喃(200毫升)中，在氮气气氛下在0℃下，逐滴地向其中添加了1当量的3-联苯基溴化镁溶液(0.5M四氢呋喃)，且将温度缓慢升高至室温。在室温下将反应溶液搅拌了1小时，且接着添加至了冰水(500毫升)中以使层分离。自其分离了有机层，用无水硫酸镁进行了处理并进行了浓缩。用四氢呋喃及甲醇对浓缩的残余物进行了再结晶以获得中间物A-1-1(17.2克)。
b)化合物A-1的合成
向500毫升圆底烧瓶中的四氢呋喃(200毫升)及蒸馏水(100毫升)中添加了中间物A-1-1(17.2克，56.9毫摩尔)，向其中添加了2当量的二苯并呋喃-3-硼酸(cas：395087-89-5)、0.03当量的四-三联苯基膦钯以及2当量的碳酸钾，且将混合物进行了加热并在氮气气氛下进行了回流。在18小时后，冷却了反应溶液且对其中沈淀的固体进行了过滤并用水(500毫升)进行了洗涤。用一氯苯(500毫升)对所述固体进行了再结晶以获得化合物A-1(12.87克)。
液相层析法/质谱法(liquid chromatography/mass spectrometry，LC/MS)计算得到：C39H23N3O2精确质量：565.1790(从566.18[M+H]得知)。
合成例2：化合物A-2的合成
[反应流程2]
a)中间物A-2-1的合成
在氮气环境下向四氢呋喃(THF，0.1升)中添加了镁(7.86克，323毫摩尔)及碘(1.64克，6.46毫摩尔)并与之混合了30分钟，且历时30分钟，在0℃下逐滴地向其中缓慢添加了溶解于四氢呋喃(0.3升)中的3-溴-第三苯基(100克，323毫摩尔)。历时30分钟，在0℃下逐滴地向溶解于四氢呋喃(0.5升)中的三聚氯化氰(64.5克，350毫摩尔)中缓慢添加了此混合溶液。在反应完成后，向反应溶液中添加了水，用二氯甲烷(DCM)对混合物进行了萃取并用无水MgSO4进行了处理以移除水分，且过滤了所得物并在减压下进行了浓缩。经由快速管柱层析法对所获得的残余物进行了分离及纯化以获得中间物A-2-1(85.5克，70％)。
b)化合物A-2的合成
根据与合成例1的b)相同的方法通过使用中间物A-2-1合成了化合物A-2。
液相层析法/质谱法计算得到：C45H27N3O2精确质量：641.2103(从642.21[M+H]得知)
合成例3：化合物A-5的合成
[反应流程3]
a)中间物A-5-1的合成
在氮气环境下向四氢呋喃(THF，0.1升)中添加了镁(7.86克，323毫摩尔)及碘(1.64克，6.46毫摩尔)并与之一起搅拌了30分钟，且历时30分钟，在0℃下逐滴地向其中缓慢添加了溶解于四氢呋喃(0.3升)中的1-溴-3，5-二苯基苯(100克，323毫摩尔)。历时30分钟，在0℃下逐滴地向溶解于四氢呋喃(0.5升)中的三聚氯化氰(cyanuric chloride)(64.5克，350毫摩尔)中缓慢添加了此混合溶液。在反应完成后，向反应溶液中添加了水，用二氯甲烷(DCM)对所述混合物进行了萃取并用无水MgSO4进行了处理以移除水分，且过滤了所得物并在减压下进行了浓缩。经由快速管柱层析法对所获得的残余物进行了分离及纯化以获得中间物A-5-1(79.4克，65％)。
b)化合物A-5的合成
根据与合成例1的b)相同的方法通过使用中间物A-5-1合成了化合物A-5。
液相层析法/质谱法计算得到：C45H27N3O2精确质量：641.2103(从642.21[M+H]得知)
合成例4：化合物A-6的合成
[反应流程4]
a)化合物A-6的合成
根据与合成例1的b)相同的方法通过使用二苯并噻吩-3-硼酸(Cas No.：108847-24-1)来代替中间物A-1-1以及二苯并呋喃-3-硼酸(Cas No.：395087-89-5)合成了化合物A-6。
液相层析法/质谱法计算得到：C39H23N3S2精确质量：597.1333(从598.13[M+H]得知)
合成例5：化合物A-15的合成
[反应流程5]
a)中间物A-15-1的合成
向500毫升圆底烧瓶中的四氢呋喃(200毫升)及蒸馏水(100毫升)中添加了2，4，6-三氯嘧啶(18.3克，100毫摩尔)，向其中添加了1.9当量的二苯并呋喃-3-硼酸(Cas No.：395087-89-5)、0.03当量的四-三联苯基膦钯及2当量的碳酸钾，且将混合物进行了加热并在氮气气氛下进行了回流。在18小时后，冷却了反应溶液，且对其中沈淀的固体进行了过滤并用水(500毫升)进行了洗涤。用一氯苯(500毫升)对所述固体进行了再结晶以获得中间物A-15-1(26.8克，60％的产率)。
b)化合物A-15的合成
根据与合成例1的b)相同的方法通过使用中间物A-15-1及1.1当量的3，5-二苯基苯硼酸合成了化合物A-15。
液相层析法/质谱法计算得到：C46H28N2O2精确质量：640.2151(从641.21[M+H]得知)
合成例6：化合物A-21的合成
[反应流程6]
a)中间物A-21-1的合成
根据与合成例5的a)相同的方法通过使用二苯并噻吩-3-硼酸(Cas No.108847-24-1)代替二苯并呋喃-3-硼酸(cas：395087-89-5)合成了中间物A-21-1。
b)化合物A-21的合成
根据与合成例5的b)相同的方法通过使用中间物A-21-1及1.1当量的联苯基-3-硼酸合成了化合物A-21。
液相层析法/质谱法计算得到：C40H24N2S2精确质量：596.1381(从597.14[M+H]得知)
(用于有机光电装置的第二化合物的合成)
合成例7：化合物E-130的合成
[反应流程7]
在氮气气氛下在配备有搅拌器的500毫升圆底烧瓶中将3-溴-6-苯基-N-间联苯基咔唑(20.00克，42.16毫摩尔)及N-苯基咔唑-3-硼酸酯(17.12克，46.38毫摩尔)与四氢呋喃：甲苯(1∶1，175毫升)及2M-碳酸钾水溶液(75毫升)的混合物进行了混合，向其中添加了四-三联苯基膦钯(0)(1.46克，1.26毫摩尔)，且将所获得的混合物进行了加热并在氮气流下回流了12小时。在反应完成后，将反应物倾入甲醇中，且对其中产生的固体进行了过滤、用水及甲醇进行了充分洗涤并进行了干燥。经由加热将所得材料溶解在了氯苯(700毫升)中，对所述溶液进行了硅凝胶过滤，且在自其完全移除溶剂之后，经由加热将自其获得的固体溶解在了氯苯(400毫升)中并进行了再结晶以获得化合物E-130(18.52克，69％的产率)。
计算得到C42H32N2：C，90.54；H，5.07；N，4.40；得到：C，90.54；H，5.07；N，4.40
合成例8：化合物E-137的合成
[反应流程8]
在250毫升圆形烧瓶中将N-苯基-3，3-联咔唑(6.3克，15.4毫摩尔)、4-(4-溴苯基)二苯并[b，d]呋喃(5.0克，15.4毫摩尔)、第三丁醇钠(3.0克，30.7毫摩尔)、三(二苯亚甲基丙酮)二钯(0.9克，1.5毫摩尔)及三第三丁基膦(1.2毫升，在甲苯中为50％)与二甲苯(100毫升)进行了混合，且将混合物进行了加热并在氮气流下回流了15小时。将所获得的混合物添加至了甲醇(300毫升)中，且将其中结晶化的固体溶解在了二氯苯中，用硅凝胶/硅藻土进行了过滤，并在移除适量有机溶剂之后用甲醇进行了再结晶以获得化合物E-137(7.3克，73％的产率)。
计算得到C48H30N2O：C，88.59；H，4.65；N，4.30；O，2.46；得到：C，88.56；H，4.62；N，4.20；O，2.43
比较合成例1：比较化合物1的合成
[反应流程9]
a)比较化合物1的合成
根据与合成例1的b)相同的方法通过使用2-氯-4，6-二苯基三嗪及二苯并噻吩-3-硼酸合成了比较化合物1。
液相层析法/质谱法计算得到：C27H17N3S精确质量：415.1143(从416.11[M+H]得知)
比较合成例2：比较化合物2的合成
[反应流程10]
a)比较化合物2的合成
根据与合成例1的b)相同的方法通过使用2，4-双([1，1′-联苯基]-4-基)-6-氯-1，3，5-三嗪及二苯并噻吩-3-硼酸合成了比较化合物2。液相层析法/质谱法计算得到：C39H25N3S精确质量：567.1769(从568.18[M+H]得知)
比较合成例3：比较化合物3的合成
[反应流程11]
a)比较化合物3的合成
根据与合成例1的b)相同的方法通过使用中间物A-1-1及二苯并呋喃-2-硼酸合成了比较化合物3。
液相层析法/质谱法计算得到：C39H23N3O精确质量：565.1790(从566.18[M+H]得知)
比较合成例4：比较化合物4的合成
[反应流程12]
a)比较化合物4的合成
根据与合成例1的b)相同的方法通过使用2，4-二氯-6-苯基-1，3，5-三嗪及二苯并呋喃-2-基-3-苯基硼酸合成了比较化合物4。
液相层析法/质谱法计算得到：C39H23N3O精确质量：565.1790(从566.18[M+H]得知)
比较合成例5：比较化合物5的合成
[反应流程13]
a)中间物5-1的合成
根据与合成例1的b)相同的方法通过使用1-溴-4-氯苯及二苯并呋喃-3-硼酸合成了中间物5-1。
b)中间物5-2的合成
将中间物5-1(328毫摩尔)溶解在了二甲基甲酰胺(DMF，1.0升)中，向其中添加了双联(频哪醇基)二硼(100克，394毫摩尔)、(1，1′-双(二苯基膦)二茂铁)二氯钯(II)(2.68克，3.28毫摩尔)以及乙酸钾(96.6克，984毫摩尔)，且在150℃下将混合物进行了加热并回流了20小时。在反应完成后，向反应溶液中添加了水，且过滤了所述混合物并在真空烘箱中进行了干燥。经由快速管柱层析法对所获得的残余物进行了分离及纯化以获得中间物5-2(71％)。
c)比较化合物5的合成
根据与合成例1的b)相同的方法通过使用中间物5-2及4，6-二氯-2-苯基-1，3-嘧啶合成了比较化合物5。
液相层析法/质谱法计算得到：C46H28N2O2精确质量：640.2151(从641.22[M+H]得知)
(有机发光二极管的制造)
实例1
用蒸馏水洗涤了涂布有成为1500埃厚的薄膜的氧化铟锡(ITO)的玻璃基板。在用蒸馏水洗涤之后，用例如异丙醇、丙酮、甲醇等溶剂对玻璃基板进行了超音波洗涤且进行了干燥，移至等离子体清洁器，用氧等离子体清洁了10分钟，并移至真空沉积器。使用获得的此种ITO透明电极作为阳极，将化合物A真空沉积在了ITO基板上以形成700埃厚的空穴注入层，将化合物B在所述注入层上沉积至50埃厚，且将化合物C沉积至1020埃厚以形成空穴传输层。通过同时真空沉积合成例1的化合物A-1及合成例7的化合物E-130作为主体以及沉积10重量％的三(2-苯基吡啶)铱(III)[Ir(ppy)3]作为掺杂剂，在空穴传输层上形成了400埃厚的发光层。本文中，使用了重量比为3∶7的化合物A-1及化合物E-130，且在以下实例中，单独阐述了比率。随后，将化合物D及Liq以1∶1的比率同时真空沉积在了发光层上以形成300埃厚的电子传输层，且通过依序在电子传输层上将Liq真空沉积至15埃厚以及将Al真空沉积至1200埃厚来形成了阴极，从而制造出有机发光二极管。
有机发光二极管具有五层有机薄层，且具体而言为
ITO/化合物A(700埃)/化合物B(50埃)/化合物C(1020埃)/EML[化合物A-1：E-130：Ir(ppy)3＝27重量％：63重量％：10重量％](400埃)/化合物D：Liq(300埃)/Liq(15埃)/Al(1200埃)。
化合物A：N4，N4′-二苯基-N4，N4′-双(9-苯基-9H-咔唑-3-基)联苯基-4，4′-二胺
化合物B：1，4，5，8，9，11-六氮杂联三亚苯-六甲腈(HAT-CN)
化合物C：N-(联苯-4-基)-9，9-二甲基-N-(4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-茀-2-胺
化合物D：8-(4-(4，6-二(萘-2-基)-1，3，5-三嗪-2-基)苯基)喹啉
实例2
根据与实例1相同的方法通过仅使用化合物A-2制造了根据实例2的有机发光二极管。
实例3至实例10
根据与实例1相同的方法通过使用如表2及表3所示的本发明的第一主体及第二主体制造了根据实例3至实例10的有机发光二极管。
比较例1及比较例2
根据与实例1相同的方法通过分别仅使用比较化合物1及比较化合物2制造了根据比较例1及比较例2的有机发光二极管。
比较例3至比较例7
根据与实例1相同的方法通过使用如表2及表3所示比率为3∶7的比较化合物1至比较化合物5中的任一者与化合物E-31制造了根据比较例3至比较例7的有机发光二极管。
评估1：发光效率及寿命改良效果
测量了根据实例1至实例10以及比较例1至比较例7的每一有机发光二极管的发光效率及寿命特征。具体测量方法如下，且结果显示于表1中。
(1)测量相依于电压变化的电流密度变化
使用电流-电压计(吉时利(Keithley)2400)，在使电压自0伏特增加至10伏特的同时针对流入单元装置中的电流值测量了所获得的有机发光二极管，且所测量的电流值除以面积从而得到结果。
(2)测量相依于电压变化的亮度变化
通过使用亮度计(美能达(Minolta)Cs-1000A)在有机发光二极管的电压自0伏特增加至10伏特的同时测量了亮度。
(3)测量发光效率
通过使用来自项目(1)及项目(2)的亮度、电流密度及电压(伏特)计算出了相同电流密度(10mA/cm2)下的电流效率(cd/A)。
(4)测量寿命
将根据实例1至实例10以及比较例1至比较例7的有机发光二极管的T90寿命测量为如下所述的时间：在以5000cd/m2作为初始亮度(cd/m2)发射光，使用Polanonix寿命测量系统测量其亮度相依于时间降低之后，当其亮度相对于初始亮度降低至90％时的T90时间。
[表1]单一主体装置
参考表1，将使用单一主体的情形中的实例与比较例1及比较例2进行比较，尽管二苯并呋喃在相同的第3号位置处与三嗪连接，但结构特征为另外包含经间位取代的芳基的实例示出了较比较例高出大于或等于1.2倍的效率以及长出至多大于或等于4倍的寿命。
[表2]混合主体装置效果：三嗪
[表3]混合主体装置效果：嘧啶
参考表2及表3，使用根据本发明的第一主体及第二主体以及结构特征为二苯并呋喃在第3号位置处与三嗪连接和/或另外包含经间位取代的芳基的实例示出了较使用具有相同的第二主体的混合主体的比较例长出至多5倍的寿命。
同样地在嘧啶核心及三嗪核心中获得了此种寿命增加效果。因此，参考对应的装置数据，当二苯并呋喃或二苯并噻吩与ET核心基直接连接时，装置中的对应材料的寿命被证明经由LUMO扩张及环状稠合(cyclic fusion)的效果而得以改良。
评估2：驱动电压降低效果
[测量驱动电压]
在15毫安/平方厘米下通过使用电流-电压计(Keithley 2400)测量了每一装置的驱动电压，且结果示于表4中。
[表4]
参考表4，将使用根据本发明的主体组合的实例4、实例5及实例8与比较例5及比较例6进行了比较，相较于当尽管在间位处包含芳基连接基团而二苯并呋喃或二苯并噻吩的其他位置被取代并与三嗪连接时以及当二苯并呋喃或二苯并噻吩未被直接取代而是经由芳基连接基团被取代并与三嗪连接时，当二苯并呋喃或二苯并噻吩的第3号位置直接被取代并与三嗪连接时在驱动电压方面获得了优异的效果。因此，二苯并呋喃或二苯并噻吩的第3号位置的直接取代被证明在驱动方面带来有益的效果。
实例11(电子传输辅助层)
将氧化铟锡(ITO)在玻璃基板上涂布至1500埃厚，并用蒸馏水对经涂布的玻璃进行了超音波洗涤。在用蒸馏水洗涤之后，用例如异丙醇、丙酮、甲醇等溶剂对玻璃基板进行了超音波洗涤且进行了干燥，移至等离子体清洁器，用氧等离子体清洁了10分钟，并移至真空沉积器。使用获得的此种ITO透明电极作为阳极，通过真空沉积化合物A在ITO基板上形成了700埃厚的空穴注入层，且通过将化合物B沉积至50埃厚以及将化合物C沉积至1020埃厚在所述注入层上形成了空穴传输层。然后，通过真空沉积BH113及BD370(制造商：SFC有限公司)作为蓝色荧光发光主体及掺杂剂浓度为5重量％的掺杂剂而在其上形成了200埃厚的发光层。在发光层上，真空沉积了化合物A-5以形成50埃厚的电子传输辅助层。可通过仅使用由化学式1表示的材料或将所述材料与群组E的化合物进行混合来形成电子传输辅助层。在电子传输辅助层上，通过以1∶1的重量比同时真空沉积化合物D及Liq而形成了300埃厚的电子传输层，且在电子传输层上，通过依序真空沉积Liq至15埃厚及真空沉积Al至1200埃厚而形成了阴极，从而制造了有机发光二极管。有机发光二极管具有由5层有机薄膜层构成的结构，且具体而言为ITO/化合物A(700埃)/化合物B(50埃)/化合物C(1020埃)/EML[BH113：BD370＝95∶5(重量：重量)](200埃)/化合物A-5(50埃)/化合物D：Liq 300埃＝1∶1/Liq(15埃)/Al(1200埃)。
化合物A：N4，N4′-二苯基-N4，N4′-双(9-苯基-9H-咔唑-3-基)联苯基-4，4′-二胺
化合物B：1，4，5，8，9，11-六氮杂联三亚苯-六甲腈(HAT-CN)
化合物C：N-(联苯-4-基)-9，9-二甲基-N-(4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-茀-2-胺
化合物D：8-(4-(4，6-二(萘-2-基)-1，3，5-三嗪-2-基)苯基)喹啉
实例12
除使用化合物A-15外，根据与实例11相同的方法制造了有机发光二极管。
比较例8
除使用比较化合物1外，根据与实例11相同的方法制造了有机发光二极管。
评估3
测量了根据实例11及实例12以及比较例8的每一有机发光二极管的相依于电压的电流密度变化、亮度变化及发光效率。
具体测量方法与在评估1中相同，测量寿命的方法如下，且结果示于表5中。
[测量寿命]
将根据实例11、实例12及比较例8的有机发光二极管的T97寿命测量为如下所述的时间：在以750坎德拉/平方米作为初始亮度(cd/m2)发射光且用博兰诺克寿命测量系统测量其亮度相依于时间的降低之后，当其亮度相对于初始亮度(cd/m2)降至97％时的时间。
[表5]
参考表5，根据实例11及实例12的有机发光二极管相较于根据比较例8的有机发光二极管，示出了同时得以改良的发光效率及寿命特征。
虽然本发明已结合目前视为实用的示例性实施例加以阐述，但应理解，本发明并非仅限于所揭示的实施例，而是相反地意欲涵盖包含在权利要求及范围内的各种修改及等效配置。因此，应理解上述实施例为示范性的，而不以任何方式限制本发明。
【符号说明】
100、200：有机发光二极管
105：有机层
110：阴极
120：阳极
130：发光层
140：空穴辅助层

Claims (15)

1.一种用于有机光电装置的化合物，其由化学式1表示：
[化学式1]
其中，在化学式1中，
X1至X3独立地为N或CRa，
X1至X3中的至少两者为N，
Y1及Y2独立地为O或S，
n1及n2独立地为0或1的整数，
Ra以及R1至R8独立地为氢、氘、氰基、硝基、经取代或未经取代的C1至C10烷基、经取代或未经取代的C6至C30芳基、经取代或未经取代的C2至C30杂环基或其组合，且
所述“经取代”是指至少一个氢经氘、C1至C20烷基、C6至C30芳基或C2至C30杂芳基置换。
2.根据权利要求1所述的用于有机光电装置的化合物，其中所述用于有机光电装置的化合物由化学式1-I、化学式1-II或化学式1-III表示：
[化学式1-I]
[化学式1-II]
[化学式1-III]
其中，在化学式1-I、化学式1-II及化学式1-III中，
Y1及Y2独立地为O或S，
n1及n2独立地为0或1的整数，且
R1至R8独立地为氢、氘、氰基、硝基、经取代或未经取代的C1至C10烷基、经取代或未经取代的C6至C30芳基、经取代或未经取代的C2至C30杂环基或其组合。
3.根据权利要求1所述的用于有机光电装置的化合物，其中所述用于有机光电装置的化合物由化学式1A、化学式1B或化学式1C表示：
[化学式1A]
[化学式1B]
[化学式1C]
其中，在化学式1A、化学式1B及化学式1C中，
X1至X3独立地为N或CH，
X1至X3中的至少两者为N，
n1及n2独立地为0或1的整数，且
R1至R8独立地为氢、氘、氰基、硝基、经取代或未经取代的C1至C10烷基、经取代或未经取代的C6至C30芳基、经取代或未经取代的C2至C30杂环基或其组合。
4.根据权利要求1所述的用于有机光电装置的化合物，其中所述化合物由化学式1-1或化学式1-2表示：
[化学式1-1]
[化学式1-2]
其中，在化学式1-1至化学式1-2中，
X1至X3独立地为N或CH，
X1至X3中的至少两者为N，
Y1及Y2独立地为O或S，
n2为0或1的整数，且
R1至R8独立地为氢、氘、氰基、硝基、经取代或未经取代的C1至C10烷基、经取代或未经取代的C6至C30芳基、经取代或未经取代的C2至C30杂环基或其组合。
5.根据权利要求1所述的用于有机光电装置的化合物，其中R1至R8独立地为氢、经取代或未经取代的苯基、经取代或未经取代的联苯基、经取代或未经取代的萘基、经取代或未经取代的对三联苯基、经取代或未经取代的间三联苯基、经取代或未经取代的邻三联苯基、经取代或未经取代的蒽基、经取代或未经取代的菲基、经取代或未经取代的联三亚苯基或者经取代或未经取代的茀基。
6.根据权利要求1所述的用于有机光电装置的化合物，其中所述用于有机光电装置的化合物选自群组1的化合物：
[群组1]
7.一种用于有机光电装置的组成物，包含
如权利要求1所述的用于有机光电装置的第一化合物；以及
用于有机光电装置的第二化合物，所述第二化合物由化学式2表示：
[化学式2]
其中，在化学式2中，
L1及L2独立地为单键、经取代或未经取代的C6至C30亚芳基、经取代或未经取代的C2至C30亚杂芳基或其组合，
Ar1及Ar2独立地为经取代或未经取代的C6至C30芳基、经取代或未经取代的C2至C30杂环基或其组合，
R9至R14独立地为氢、氘、经取代或未经取代的C1至C20烷基、经取代或未经取代的C6至C30芳基、经取代或未经取代的C2至C30杂环基或其组合，且
m为0至2的整数；
其中所述“经取代”是指至少一个氢经氘、C1至C4烷基、C6至C18芳基或C2至C30杂芳基置换。
8.根据权利要求7所述的用于有机光电装置的组成物，其中化学式2的Ar1及Ar2独立地为经取代或未经取代的苯基、经取代或未经取代的联苯基、经取代或未经取代的三联苯基、经取代或未经取代的萘基、经取代或未经取代的蒽基、经取代或未经取代的联三亚苯基、经取代或未经取代的吡啶基、经取代或未经取代的嘧啶基、经取代或未经取代的三嗪基、经取代或未经取代的喹啉基、经取代或未经取代的异喹啉基、经取代或未经取代的喹唑啉基、经取代或未经取代的异喹唑啉基、经取代或未经取代的二苯并噻吩基、经取代或未经取代的二苯并呋喃基、经取代或未经取代的咔唑基、经取代或未经取代的茀基或其组合。
9.根据权利要求7所述的用于有机光电装置的组成物，其中化学式2是群组II的结构中的一者，且
*-L1-Ar1及*-L2-Ar2是群组III的取代基中的一者：
[群组II]
[群组III]
其中，在群组II及群组III中，*为连接点。
10.根据权利要求9所述的用于有机光电装置的组成物，其中化学式2由群组II的化学式C-8或化学式C-17表示，且
*-L1-Ar1及*-L2-Ar2选自群组III的B-1、B-2、B-3及B-16。
11.一种有机光电装置，包括
面向彼此的阳极及阴极，以及
至少一个有机层，安置于所述阳极与所述阴极之间，
其中所述有机层包含如权利要求1至6中任一项所述的用于有机光电装置的化合物；或
如权利要求7至10中任一项所述的用于有机光电装置的组成物。
12.根据权利要求11所述的有机光电装置，其中所述有机层包括发光层，且
所述发光层包含所述用于有机光电装置的化合物或所述用于有机光电装置的组成物。
13.根据权利要求12所述的有机光电装置，其中包含所述用于有机光电装置的化合物或所述用于有机光电装置的组成物作为所述发光层的主体。
14.根据权利要求12所述的有机光电装置，其中所述有机层还包括选自空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、电子传输层、电子注入层及空穴阻挡层的至少一个辅助层，
所述辅助层还包括相邻于所述发光层的电子传输辅助层，且
所述电子传输辅助层包含所述用于有机光电装置的化合物；或所述用于有机光电装置的组成物。
15.一种显示装置，包括如权利要求11所述的有机光电装置。
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