CN109219872A - 用于连续牵引处理的闸阀 - Google Patents

用于连续牵引处理的闸阀 Download PDF

Info

Publication number
CN109219872A
CN109219872A CN201780033953.XA CN201780033953A CN109219872A CN 109219872 A CN109219872 A CN 109219872A CN 201780033953 A CN201780033953 A CN 201780033953A CN 109219872 A CN109219872 A CN 109219872A
Authority
CN
China
Prior art keywords
gate valve
chamber
processing chamber
main body
volume
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201780033953.XA
Other languages
English (en)
Inventor
约瑟夫·尤多夫斯凯
戴维·石川
特拉维斯·特施
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Applied Materials Inc
Original Assignee
Applied Materials Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Applied Materials Inc filed Critical Applied Materials Inc
Publication of CN109219872A publication Critical patent/CN109219872A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67126—Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B5/00—Cleaning by methods involving the use of air flow or gas flow
    • B08B5/02—Cleaning by the force of jets, e.g. blowing-out cavities
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
    • F16K—VALVES; TAPS; COCKS; ACTUATING-FLOATS; DEVICES FOR VENTING OR AERATING
    • F16K3/00—Gate valves or sliding valves, i.e. cut-off apparatus with closing members having a sliding movement along the seat for opening and closing
    • F16K3/02—Gate valves or sliding valves, i.e. cut-off apparatus with closing members having a sliding movement along the seat for opening and closing with flat sealing faces; Packings therefor
    • F16K3/029—Gate valves or sliding valves, i.e. cut-off apparatus with closing members having a sliding movement along the seat for opening and closing with flat sealing faces; Packings therefor with two or more gates
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
    • F16K—VALVES; TAPS; COCKS; ACTUATING-FLOATS; DEVICES FOR VENTING OR AERATING
    • F16K51/00—Other details not peculiar to particular types of valves or cut-off apparatus
    • F16K51/02—Other details not peculiar to particular types of valves or cut-off apparatus specially adapted for high-vacuum installations
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05D—SYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
    • G05D16/00—Control of fluid pressure
    • G05D16/20—Control of fluid pressure characterised by the use of electric means
    • G05D16/2006—Control of fluid pressure characterised by the use of electric means with direct action of electric energy on controlling means
    • G05D16/2066—Control of fluid pressure characterised by the use of electric means with direct action of electric energy on controlling means using controlling means acting on the pressure source
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Fluid Mechanics (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Details Of Valves (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Sliding Valves (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Detergent Compositions (AREA)

Abstract

本文提供闸阀及使用所述闸阀的方法的实施方式。在一些实施方式中，用于处理连续基板的闸阀包括：主体；多个密封件，所述多个密封件设置在所述主体内且经配置以在关闭位置和打开位置之间移动；多个容积，所述多个容积设置在所述多个密封件中的相邻密封件之间且由所述多个密封件和所述主体界定；气体入口，所述气体入口穿过主体的第一侧设置且流体耦接至所述多个容积中的最内部容积；和气体出口，所述气体出口穿过主体的第二侧设置且流体耦接至设置在所述多个容积中的最内部容积的任一侧上的所述多个容积中的其他容积，所述第二侧与所述第一侧相对。

Description

用于连续牵引处理的闸阀
技术领域
本公开内容的实施方式大体涉及基板处理设备。
背景技术
在基板处理设备内，可使用闸阀(gate valve)，例如用在多腔室处理系统中以选择性地隔离或耦接相邻的容积。例如，当前的多腔室处理设备通常包括半导体处理狭缝阀和闸阀，以在工作部件的移送期间或在一个或更多个流体连接的处理区域修复期间隔离压力受控的处理容积。然而，本发明人已经观察到，传统阀的密封件和密封表面的密封能力有所受限，特别是当如果干扰材料(interfering material)(如连续基板)存在于密封接口(sealing interface)处时。当每个腔室中的工艺使用不同压力时，或者当只有一个处理容积由于维护或因为紧急工艺停止而需要被排放和冷却时，多个处理容积中的无效(ineffective)泄漏控制尤其成问题。
因此，本发明人提供了一种改良的闸阀。
发明内容
本文提供闸阀及使用此闸阀的方法的实施方式。在一些实施方式中，闸阀包括：主体；多个密封件，所述多个密封件设置在所述主体内且经配置以在关闭位置和打开位置之间移动；由所述多个密封件和所述主体界定的多个容积；气体入口，所述气体入口穿过所述主体的第一侧设置且流体耦接至所述多个容积中最内部的容积；和气体出口，所述气体出口穿过所述主体的第二侧设置且流体耦接至所述多个容积中的其他容积，第二侧与第一侧相对。
在一些实施方式中，用于处理连续基板的闸阀包括：主体，所述主体具有第一壁、与第一壁相对的第二壁、从主体的第一表面到相对的第二表面设置的开口，其中所述开口被配置为保持和输送连续基板；多个密封件，所述多个密封件可移动地设置在所述第一壁和所述第二壁之间，所述多个密封件经配置以在关闭位置与打开位置之间移动，移动到关闭位置以密封所述开口，和移动到打开位置以露出(reveal)所述开口；多个容积，所述多个容积设置在所述多个密封件中的相邻密封件之间且由所述多个密封件和所述主体界定；气体入口，所述气体入口穿过所述主体的第一侧设置且流体耦接至在所述主体的所述第一侧上的所述多个容积中最内部的容积，其中所述气体入口流体耦接至所述多个容积中最内部的容积；和气体出口，所述气体出口穿过所述主体的第二侧设置且流体耦接至设置在所述多个容积中最内部的容积的任一侧上的所述多个容积中的其他容积，所述第二侧与所述第一侧相对。
在一些实施方式中，用于处理连续基板的处理系统包括：用于处理连续基板的第一腔室；用于处理连续基板的第二腔室；和闸阀，所述闸阀将所述第一腔室耦接至所述第二腔室且具有在所述第一腔室与所述第二腔室之间的开口，所述连续基板可以延伸穿过所述开口，其中所述闸阀如本文所披露的任何实施方式中所描述的，并且其中主体的第一侧耦接至第一腔室，主体的第二侧耦接至第二腔室。
在一些实施方式中，处理连续基板的方法包括：在第一处理腔室或第二处理腔室的至少一者中处理连续基板，所述第二处理腔室通过闸阀耦接至所述第一处理腔室，其中所述连续基板同时穿过所述第一处理腔室、所述闸阀和所述第二处理腔室的每一者设置；和当所述连续基板穿过所述闸阀设置时，关闭所述闸阀以将所述第一处理腔室与所述第二处理腔室实质隔离。
下面描述本公开内容的其他和进一步的实施方式。
附图说明
本公开内容的实施方式已简要概述于上，并在以下有更详尽的讨论，可以藉由参考附图中绘示的本公开内容的说明性实施方式来理解。然而，附图仅绘示了本公开内容的典型实施方式，而由于本公开内容可允许其他等效的实施方式，因此附图并不被视为本公开内容的范围的限制。
图1绘示根据本公开内容的至少一些实施方式的具有闸阀的多腔室反应器的示意图。
图2A绘示根据本公开内容的至少一些实施方式的处于打开位置的闸阀的示意性侧视图。
图2B绘示根据本公开内容的至少一些实施方式的图2A的闸阀处于关闭位置的示意性侧视图。
图3A绘示根据本公开内容的至少一些实施方式的处于打开位置的闸阀的示意性侧视图。
图3B绘示根据本公开内容的至少一些实施方式的图3A的闸阀处于关闭位置的示意性侧视图。
为便于理解，在可能的情况下，使用相同的参考数字代表各图中共有的相同元件。为了清楚起见，各图未依比例绘示且可能被简化。一个实施方式的元件和特征可有利地用于其他实施方式中而无需进一步叙述。
具体实施方式
本文提供闸阀及使用此闸阀的方法的实施方式。所披露的闸阀及使用此闸阀的方法有利于连续卷材(web)、膜、片、带状纤维和其他薄的或平坦基板的真空处理。对于一些应用，在没有断裂或接头的情况下，在跨越一个或多个密封接口处维持连续基板是有利的，一个或多个密封接口对应于材料移送进出处理容积处的一个或多个开口。传统的半导体处理狭缝阀和闸阀用于将离散的工作部件移送到压力受控的处理容积中。如果干扰材料存在于密封接口处，这些传统设计，具体是密封件和密封表面在维持足够的泄漏完整性(leakintegrity)方面的能力有所受限。对于一些应用(如陶瓷纤维的化学气相渗透)，跨越多个真空断裂(vacuum break)输送一个或更多个牵引(tow)，使得牵引的开头(如未扭转的(untwisted)连续长纤维(filament)束)可在大气压力下，中间部分在减压下，且牵引的末端在大气压力下是有利的。前述布置允许工艺暂停和用于基板装载调整，或者进行修复，而不使炉受到大气压力的影响。所披露的闸阀能够产生压力梯度而不损害连续基板在密封接口处的物理完整性。此外，当不使用处理容积时维持炉热，有利于系统利用率和炉部件的可靠性。
本公开内容的闸阀可用于可以使用传统闸阀的任何应用中，例如在两个相邻容积之间对气流作节流的应用中是合乎期望的或有利的。在非限制性的应用中，所披露的闸阀可设置在双处理腔室系统中的腔室与腔室之间，或者可设置在需要闸阀的其他合适的处理腔室之间。例如，图1绘示可用于实施如本文所讨论的本公开内容的实践实施方式的这种类型的双腔室系统的示意图。
示例性的双处理腔室系统100包括第一腔室110(如处理腔室)，第一腔室110在第一腔室主体(壁120)内具有第一腔室容积114。在一些实施方式中，可提供基板馈通件(feedthrough)150，基板馈通件150用于在第一腔室容积114和设置在第一腔室110外部的容积(如相邻的处理腔室、基板处理器(substrate handler)或类似者)之间输送连续基板。系统100还包括第二腔室130(如处理腔室)，第二腔室130在第二腔室主体(壁140)内具有第二腔室容积134。在一些实施方式中，可提供基板馈通件170，基板馈通件170用于在第二腔室容积134和设置在第二腔室130外部的容积(如相邻的处理腔室、基板处理器或类似者)之间输送连续基板。第一腔室110和第二腔室130经由闸阀102彼此选择性地流体耦接。
在操作中，连续基板154经由闸阀的开口106输送经过基板馈通件150和170。可在第一腔室容积114中在第一腔室压力下处理连续基板154，通过闸阀102将连续基板154输送到第二腔室容积134，并且在第二腔室容积134中在第二腔室压力下处理连续基板154。在一些实施方式中，第一腔室压力和第二腔室压力相同。在其他实施方式中，第一腔室压力和第二腔室压力不同。
闸阀102被配置为提供第一腔室容积114和第二腔室容积134之间的选择性隔离。例如，当腔室容积的一者需要处于大气压力和温度下以便修复受影响的腔室、在腔室的一者中执行基板装载调整或由于紧急停止时，第一腔室容积与第二腔室容积之间可能需要隔离。闸阀102包括多个密封构件(图1所示的四个密封构件104)。在一些实施方式中，密封构件可以是可膨胀以形成密封及放气以打开的顺应性的(compliant)囊(bladder)。在连续基板154穿过闸阀设置时，密封构件104可以关闭而不损坏连续基板154。在一些实施方式中，可以提供净化气体(如惰性气体，例如氮气(N2)气体)到两个密封构件104之间的容积108。在一些实施方式中，可提供真空(例如从真空源116)给两个密封构件104之间的一个或更多个容积。在一些实施方式中，真空源116耦接至设置在容积108任一侧上的容积112和114，以在提供给容积108的净化气体的任一侧上的相应容积中提供真空。
图2A和图2B更详细地绘示适于用作闸阀102的闸阀200，及绘示处于打开(图2A)和关闭(图2B)位置中的闸阀200。为了便于说明，从图2B的视图中省略了图2A所示的某些元件(如净化气体源、阀和导管)，以便不会混乱图示。
图2A绘示根据本公开内容的一些实施方式的闸阀200的示意性侧视图。闸阀200包括主体202，主体202具有穿过主体202设置的开口206(例如，从主体202的第一表面208到主体202的相对的第二表面210)。闸阀200耦接至(在开口206的一侧上的)第一腔室110和(在开口206的另一侧上的)第二腔室130。主体亦可包括第一侧218和与第一侧218相对的第二侧220，第一侧218和第二侧220与第一表面208和第二表面210一起形成主体的形状。主体202可具有针对特定应用所需的任何合适的形状，例如，主体202可具有适合于将闸阀200耦接至第一腔室110和第二腔室130或视情况而定耦接至另一腔室的适当形状。主体202可由一个或更多个工艺兼容的材料制成，包括非限制性实例，如不锈钢或铝。
闸阀200可进一步包括多个密封件212，多个密封件212设置在靠近开口206的主体202的第一表面208和第二表面210之间。在一些实施方式中，例如，如图2A和图2B中所示，多个密封件平行于主体202的第一表面208和第二表面210设置。例如，多个密封件212可以是主体202的一部分，或者可以被焊接、螺栓连接或以其他方式固定到主体202。多个密封件212可由弹性或可拉伸材料制成，如橡胶囊。多个密封件212设置在主体内，且经配置以在关闭位置和打开位置之间移动。多个容积238由多个密封件212和主体202界定。每个相应的容积238设置在相邻的密封件212之间。例如，如图2A至2B所示，有四个密封件212，及因此有三个容积238。
闸阀可进一步包括气体入口232，气体入口232具有穿过主体的第一侧218设置的阀且流体耦接至多个容积238中最内部的一个容积(如容积238中的中心容积)。闸阀亦可包括气体出口234，气体出口234穿过主体的第二侧220设置且流体耦接至设置在中心容积238的相对侧上的多个容积238中的其他容积。净化气体源242(图2B所示)耦接至气体入口232，以将净化气体输送到多个容积238中最内部的容积。净化气体可以是氮气(N2)，但可以使用其他合适的处理惰性气体(包括作为非限制性实例的氦(He)、氩(Ar)或类似气体)或惰性气体的混合物作为净化气体。真空泵244(如涡轮泵或类似者)流体耦接至气体出口234。
在操作中，连续基板154可如上所述在第一腔室容积114和第二腔室容积134中处理。如图2A所示，在闸阀200的打开位置，耦接至净化气体源242的气体入口232和耦接至真空泵244的气体出口234被关闭，并且第一腔室压力与第二腔室压力相同，因为连续基板被处理。在第一腔室压力需要与第二腔室压力不同的情况下，例如用于基板装载调整或修理的情况下，闸阀200移动到关闭位置，有助于建立第一腔室和第二腔室之间的压力差。为了清楚起见，图2A中未绘示净化气体源242和真空泵244。
如图2B所示，在关闭位置，多个密封件212部分地密封开口206且沿着开口206产生相应的多个小泄漏(small leak)216。如图2B所示，在闸阀200的关闭位置，可打开耦接至净化气体源242的气体入口232和耦接至真空泵244的气体出口234，使得多个容积238中最内部的容积维持在压力P1，所述压力P1不同于多个容积238中的其他容积的压力(如P2和P3)。例如，由于来自净化气体源242的净化气体的流动，多个容积238中最内部的一个容积可维持在高于多个容积238中的其他容积的压力。通过泄漏216排出的任何净化气体可经由真空泵244被带走。如此一来，如果例如一个腔室正在大气压力下修复、执行，则不受影响的腔室可维持在不同于大气条件下的压力的处理压力(如低于大气压力)。因此，维持或实质维持压力差，并且完成其中一个腔室的修复，而不会使整个系统处于大气压力。此外，所披露的闸阀产生所需的压力梯度而不损害连续基板在密封接口(当存在时)处的物理完整性。
图3A-3B分别绘示根据本公开内容的至少一些实施方式的处于打开和关闭位置的闸阀的示意性侧视图。如图3A-3B所示，在一些实施方式中，多个密封件可由具有相应开口306的多个成角度的(angled)壁312提供，这些开口可以经由可移动的密封构件305被选择性地密封。例如，密封构件305可类似于设置在多个成角度的壁312中的每个壁下方的狭缝阀操作，且经配置在第一位置(如图3A所示的打开位置)和第二位置(如图3B所示的关闭位置)之间移动。
每个密封构件305可被独立地控制而为多个容积238中的其他容积的各者提供个体化的(individualized)流动条件(如质量流量、体积流量、压力等的个体化控制)。因此，在一些实施方式中，质量流量控制器、体积流量控制器或压力调节器可耦接至设置在成角度的壁312之间的容积。
在一些实施方式中，密封构件305至少在阀完全打开的第一位置和阀完全关闭的第二位置之间以气动方式控制。在一些实施方式中，密封构件305可由其他机构(如伺服马达)控制。在图3A所示的示例性打开位置中，密封构件305处于第一位置，且闸阀完全打开以维持第一腔室110和第二腔室130之间的共同压力(如图1所示)。为了清楚起见，仅在图3B中示出净化气体源242和真空泵244。
在图3B所示的示例性关闭位置中，密封构件305部分地密封开口206且沿着开口206产生相应的多个泄漏216。多个密封件212和密封构件305有利地倾斜以增进气体流动并维持所需的压力梯度。倾斜的量取决于气体入口232和气体出口234之间的垂直偏移。如图3A和3B所示，气体出口234设置在气体入口232下方的一高度处。
在图3B所示的示例性关闭位置中，多个密封构件305在与倾斜角相反的方向上从第一位置移动到第二位置，以啮合多个密封件212并密封开口206。类似于图2B中的说明性实施方式，沿着开口206产生相应的多个泄漏216。类似于图2B中的说明性实施方式，耦接至净化气体源242的气体入口232和耦接至真空泵244的气体出口234打开，使得多个容积238中最内部的容积可以维持在一压力下，所述压力不同于多个容积238中的其他容积的压力。例如，由于来自净化气体源242的净化气体的流动，多个容积238中最内部的一个容积可维持在高于多个容积238中的其他容积的压力。类似地，本发明的包括密封构件305的闸阀有利地产生压力梯度而不损害连续基板在密封接口处的物理完整性。
在操作中，使用上述披露的设备处理连续基板的方法包括：在第一处理腔室或第二处理腔室的至少一者中处理连续基板，所述第二处理腔室通过闸阀耦接至所述第一处理腔室。连续基板同时穿过所述第一处理腔室、所述闸阀和所述第二处理腔室中的每一者设置。当所述连续基板穿过所述闸阀设置时，可以关闭所述闸阀以将所述第一处理腔室与所述第二处理腔室实质隔离。在一些实施方式中，第一处理腔室维持在真空压力下，且可增加第二处理腔室的压力，同时实质维持第一处理腔室中的压力。在一些实施方式中，第二处理腔室的压力可以实质增加到大气压力，同时实质维持第一处理腔室中的压力。在一些实施方式中，可以在第二处理腔室上进行维护，同时实质维持第一处理腔室中的压力。
因此，本文提供了改良的闸阀及使用此改良的闸阀的方法的实施方式。本发明的闸阀和使用此闸阀的方法可有利地确保腔室系统中不受影响的腔室可维持在一处理压力，所述处理压力不同于受影响腔室所需的例如大气条件。
虽然前述内容针对本公开内容的实施方式，但是可以在不背离本公开内容的基本范围的情况下，设计出本公开内容的其他和进一步的实施方式。

Claims (14)

1.一种用于处理连续基板的闸阀，包括：
主体；
多个密封件，所述多个密封件设置在所述主体内且经配置以在关闭位置和打开位置之间移动；
多个容积，所述多个容积设置在所述多个密封件中的相邻密封件之间且由所述多个密封件和所述主体界定；
气体入口，所述气体入口穿过所述主体的第一侧设置且流体耦接至所述多个容积中的最内部的容积；和
气体出口，所述气体出口穿过所述主体的第二侧设置且流体耦接至设置在所述多个容积中的所述最内部的容积的任一侧上的所述多个容积中的其他容积，所述第二侧与所述第一侧相对。
2.如权利要求1所述的闸阀，其中所述多个密封件为四个密封件。
3.如权利要求1所述的闸阀，其中所述多个密封件包括橡胶囊。
4.如权利要求1所述的闸阀，其中所述多个密封件分别包括成角度的壁，所述壁具有相应的开口，所述开口可以经由可移动的密封构件被选择性地密封。
5.如权利要求1所述的闸阀，进一步包括设置在所述气体入口中的第一阀。
6.如权利要求5所述的闸阀，进一步包括耦接至所述气体入口的净化气体源。
7.如权利要求1至6中任一项所述的闸阀，进一步包括设置在所述气体出口中的第二阀。
8.如权利要求7所述的闸阀，进一步包括耦接至所述气体出口的真空源。
9.一种用于处理连续基板的处理系统，包括：
第一腔室，所述第一腔室用于处理连续基板；
第二腔室，所述第二腔室用于处理所述连续基板；和
闸阀，所述闸阀将所述第一腔室耦接至所述第二腔室且具有在所述第一腔室与所述第二腔室之间的开口，所述连续基板能够延伸穿过所述开口，其中所述闸阀如前述权利要求中任一项所述，并且其中所述主体的第一侧耦接至所述第一腔室且所述主体的第二侧耦接至所述第二腔室。
10.如权利要求9所述的处理系统，进一步包括：
净化气体源，所述净化气体源耦接至所述气体入口；和
真空源，所述真空源耦接至所述气体出口。
11.一种处理连续基板的方法，包括以下步骤：
在第一处理腔室或第二处理腔室中的至少一者中处理连续基板，所述第二处理腔室通过闸阀耦接至所述第一处理腔室，其中所述连续基板同时穿过所述第一处理腔室、所述闸阀和所述第二处理腔室中的每一者设置；和
当所述连续基板穿过所述闸阀设置时，关闭所述闸阀以将所述第一处理腔室与所述第二处理腔室实质隔离。
12.如权利要求11所述的方法，其中所述第一处理腔室维持在真空压力下，且进一步包括以下步骤：
增加所述第二处理腔室的压力，同时实质维持所述第一处理腔室中的压力。
13.如权利要求12所述的方法，其中所述第二处理腔室的压力实质上为大气压力。
14.如权利要求11所述的方法，进一步包括以下步骤：
在所述第二处理腔室上执行维护，同时实质维持所述第一处理腔室中的压力。
CN201780033953.XA 2016-06-02 2017-06-02 用于连续牵引处理的闸阀 Pending CN109219872A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201662344970P 2016-06-02 2016-06-02
US62/344,970 2016-06-02
PCT/US2017/035735 WO2017210590A1 (en) 2016-06-02 2017-06-02 Gate valve for continuous tow processing

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN109219872A true CN109219872A (zh) 2019-01-15

Family

ID=60478984

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201780033953.XA Pending CN109219872A (zh) 2016-06-02 2017-06-02 用于连续牵引处理的闸阀

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20200292084A1 (zh)
EP (1) EP3465746A4 (zh)
JP (1) JP7068197B2 (zh)
CN (1) CN109219872A (zh)
SG (2) SG10202011719QA (zh)
TW (1) TWI739846B (zh)
WO (1) WO2017210590A1 (zh)

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3833018A (en) * 1973-02-21 1974-09-03 Pass Port Syst Corp Low leakage vacuum valve and chamber using same
US4663009A (en) * 1985-02-08 1987-05-05 Hewlett-Packard Company System and method for depositing plural thin film layers on a substrate
US5016562A (en) * 1988-04-27 1991-05-21 Glasstech Solar, Inc. Modular continuous vapor deposition system
EP0606263A1 (en) * 1991-10-02 1994-07-20 United Solar Systems Corp CLAMPING SHUTTER VALVE.
JPH076994A (ja) * 1993-06-15 1995-01-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd 化学反応装置およびその使用方法
JP2001077169A (ja) * 1999-06-29 2001-03-23 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 真空処理装置
US6298685B1 (en) * 1999-11-03 2001-10-09 Applied Materials, Inc. Consecutive deposition system
US20030153177A1 (en) * 2002-02-11 2003-08-14 Applied Materials, Inc. Variable flow deposition apparatus and method in semiconductor substrate processing
US20050238464A1 (en) * 2002-05-10 2005-10-27 Tokyo Electron Limited Substrate processing device
US20090304924A1 (en) * 2006-03-03 2009-12-10 Prasad Gadgil Apparatus and method for large area multi-layer atomic layer chemical vapor processing of thin films
JP2012099723A (ja) * 2010-11-04 2012-05-24 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
US20140072725A1 (en) * 2012-09-07 2014-03-13 Applied Materials, Inc. Load lock chamber with slit valve doors

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4480585A (en) * 1983-06-23 1984-11-06 Energy Conversion Devices, Inc. External isolation module
JP3673584B2 (ja) * 1996-01-16 2005-07-20 キヤノン株式会社 ロール・ツー・ロール処理方法および装置
JPH09307128A (ja) * 1996-05-20 1997-11-28 Fuji Electric Co Ltd 薄膜光電変換素子の製造装置および製造方法
JP2000065249A (ja) 1998-08-20 2000-03-03 Irie Koken Kk 真空ゲートバルブ
US7207766B2 (en) * 2003-10-20 2007-04-24 Applied Materials, Inc. Load lock chamber for large area substrate processing system
JP4398262B2 (ja) 2004-01-08 2010-01-13 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
US8794896B2 (en) * 2005-12-14 2014-08-05 Tokyo Electron Limited Vacuum processing apparatus and zonal airflow generating unit
JP2009535514A (ja) 2006-05-02 2009-10-01 ダウ・コーニング・アイルランド・リミテッド 流体交換システム
JP4714714B2 (ja) 2007-07-30 2011-06-29 株式会社ブイテックス 気密を保持するゲートバルブ、このゲートバルブを使用したフィルム製造装置およびフィルム製造方法
US20100252602A1 (en) 2009-04-03 2010-10-07 United Solar Ovonic Llc Continuous processing system with pinch valve
KR101293590B1 (ko) * 2011-12-16 2013-08-13 주식회사 뉴파워 프라즈마 양방향 게이트 밸브 및 이를 구비한 기판 처리 시스템

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3833018A (en) * 1973-02-21 1974-09-03 Pass Port Syst Corp Low leakage vacuum valve and chamber using same
US4663009A (en) * 1985-02-08 1987-05-05 Hewlett-Packard Company System and method for depositing plural thin film layers on a substrate
US5016562A (en) * 1988-04-27 1991-05-21 Glasstech Solar, Inc. Modular continuous vapor deposition system
EP0606263A1 (en) * 1991-10-02 1994-07-20 United Solar Systems Corp CLAMPING SHUTTER VALVE.
JPH076994A (ja) * 1993-06-15 1995-01-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd 化学反応装置およびその使用方法
JP2001077169A (ja) * 1999-06-29 2001-03-23 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 真空処理装置
US6298685B1 (en) * 1999-11-03 2001-10-09 Applied Materials, Inc. Consecutive deposition system
US20030153177A1 (en) * 2002-02-11 2003-08-14 Applied Materials, Inc. Variable flow deposition apparatus and method in semiconductor substrate processing
US20050238464A1 (en) * 2002-05-10 2005-10-27 Tokyo Electron Limited Substrate processing device
US20090304924A1 (en) * 2006-03-03 2009-12-10 Prasad Gadgil Apparatus and method for large area multi-layer atomic layer chemical vapor processing of thin films
JP2012099723A (ja) * 2010-11-04 2012-05-24 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
US20140072725A1 (en) * 2012-09-07 2014-03-13 Applied Materials, Inc. Load lock chamber with slit valve doors

Also Published As

Publication number Publication date
US20200292084A1 (en) 2020-09-17
EP3465746A4 (en) 2020-03-04
JP7068197B2 (ja) 2022-05-16
SG11201810635YA (en) 2018-12-28
TWI739846B (zh) 2021-09-21
SG10202011719QA (en) 2020-12-30
JP2019526751A (ja) 2019-09-19
TW201802382A (zh) 2018-01-16
WO2017210590A1 (en) 2017-12-07
EP3465746A1 (en) 2019-04-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI384574B (zh) 去耦合之腔體
US20100054905A1 (en) Load lock chamber for large area substrate processing system
CN101652851B (zh) 真空处理装置和真空处理装置的运行方法
US5217053A (en) Vented vacuum semiconductor wafer cassette
KR100280689B1 (ko) 열처리 장치
CN101627244A (zh) 控制狭缝门密封压力的方法和设备
US20040237244A1 (en) Purge system for product container and interface seal used in the system
JP2018133364A (ja) 基板処理システム及び基板搬送方法
CN108700223A (zh) 以两件式阀盘关闭流路的真空阀
CN109219872A (zh) 用于连续牵引处理的闸阀
KR101099603B1 (ko) 챔버 및 이를 이용한 기판 처리 방법
JP2015513338A (ja) チャンバ間逆圧防止手段を備えた真空処理装置
WO2021156934A1 (ja) 制御弁、基板処理装置及び半導体装置の製造方法
JPH01287277A (ja) Ｃｖｄ装置の原料ガス供給部
KR101668687B1 (ko) 퍼니스형 기판 처리 설비
CN219930242U (zh) 气体输送系统及半导体处理装置
CN117628207A (zh) 闸阀和基板处理装置以及基板处理方法
KR101939221B1 (ko) 공정 튜브 및 이를 갖는 퍼니스형 기판 처리 장치
US20210016952A1 (en) Storage device with maintained atmospheric control
KR102067697B1 (ko) 대형 oled 엔클로져 박스
JPH08976B2 (ja) 気相成長装置における真空排気管及びガス導入管の接続装置
CN103858207B (zh) 腔室之间具备反压防止机构的真空处理装置
CN115772653A (zh) Hdms处理机构及处理工艺
JP4214228B2 (ja) 複合高圧処理装置及びそれに用いる高圧バルブ
KR101587016B1 (ko) 보트 승강 장치 및 퍼니스형 기판 처리 설비

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20190115

WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication