JP3673584B2

JP3673584B2 - ロール・ツー・ロール処理方法および装置

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Publication number: JP3673584B2
Application number: JP02309396A
Authority: JP
Inventors: 雅敏田中; 豪人吉野; 耕平吉田; 博和大利; 裕越前; 正博金井
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Priority date: 1996-01-16
Filing date: 1996-01-16
Publication date: 2005-07-20
Anticipated expiration: 2016-01-16
Also published as: JPH09195055A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は真空中で帯状基体の表面を処理する処理方法および装置に関する。更に詳しくはロール・ツー・ロール（ＲｏｌｌｔｏＲｏｌｌ）タイプのＣＶＤ装置を用いて装置稼働率を向上させる帯状基体の表面の処理方法および装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来の真空処理装置たとえばアッシャー、エッチャー、ＣＶＤ装置等においては、基体を連続して投入する場合特にロール状の帯状基体の場合、基体や処理室の部品を交換する時に基体が連続しているために送り出し室、処理室等の全室をリークして基体や部品を交換する必要があった。
こういった、いわゆるメインテナンス工程の後、もとの状態に復帰するためには処理室内の清掃、処理室壁面に吸着したガスや水分を除去するための真空度出し、前処理たとえばスパッタ装置であれば酸化されたターゲット表面を清掃するためのプレスパッタ、蒸着装置であれば酸化された蒸着材料を加熱蒸発して表面を除去する作業が必要であるので、処理装置の稼働率を著しく下げたり作業の手間が大変であったりした。
特に真空中での処理を高温で行なっている場合においてはリーク前に上記の作業に加えて加熱装置のスイッチを遮断して温度を下げるのに充分な時間を必要とした。更にメインテナンス後、もとの状態に復帰するための加熱に要する時間も高温にするためにより時間を要し、装置の稼働率を著しく下げた。
【０００３】
次に具体的にこうした作業に要する時間について考えてみると、例えば、ＣＶＤ装置においては、個々の装置規模にもよるが通常装置の冷却に３０分から２時間程度、真空チャンバーのリークに１０分から１時間程度、処理室の清掃に１時間から３時間程度、真空度出しに１時間から５時間程度、昇温に１時間から５時間程度を有する。
このような時間の積み重ねは、装置の稼働率を著しく損うに充分な時間である。こうした事情は、スパッタ装置、エッチング装置などにつても同様である。
【０００４】
一方、特開平３−３０４１９号公報あるいは特開平５−２５１３６１号公報にあるように帯状基体をはさみ、各真空チャンバーを仕切ることにより処理室を所定の真空度に維持したまま、基体の送り出し室及び巻き取り室、更には所望する特定の処理室を有する真空チャンバーのみを選択して大気にすることが可能となる。
それにより大気とした以外の真空チャンバー内の圧力、温度等を所望の状態に維持したまま、基体の交換が可能となり、又同時に大気圧とした処理室の清掃作業が行なえるようになる。しかしながら、清掃を必要とする処理室の清掃時間については本質的に変わるところがない。
【０００５】
このような処理室の清掃時間の短縮を図る方法として、例えば特開昭６２−２１８５７０号公報に開示されてる方法がある。
それによれば、清掃の必要な部分を脱着可能なカセット化し、メインテナンス時には清掃を必要とする箇所をカセットごと外して、予め用意した別の清掃済のカセットに交換することにより実質的な時間を減らすことが可能となる。
カセットを複数個用意して、使用時以外はカセットを清掃するものとする。
これによれば実質的に清掃に要する時間はゼロとなり、カセット交換に要するわずかな時間が必要となるだけである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記のような処理室の清掃時間の短縮を図る方法は、バッチ式の堆積膜製造装置についてなされたものであって、ロール・ツー・ロール処理方式に対する適用については何ら言及されておらず、特に、帯状基体を真空チャンバー内に存在させたまま、メインテナンスの必要な真空チャンバーのみを清掃するようにしたロール・ツー・ロール処理方法または装置は、未だ開発されていなかった。
【０００７】
そこで、本発明は、上記従来技術における課題を解決し、メインテナンスの必要な真空チャンバーのみを清掃可能とし、メインテナンス時における所要時間を大幅に短縮し、装置の稼働率を著しく向上させるようにしたロール・ツー・ロール処理方法および装置を提供するものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記課題を解決するため、ロール・ツー・ロール処理方法および装置をつぎのように構成したものである。
すなわち、本発明のロール・ツー・ロール処理方法は、複数の連結された真空チャンバーの一端に位置する真空チャンバーの送り出し機構から、他端に位置する真空チャンバーの巻き取り機構に向かって帯状基体を張り渡し、前記帯状基体を移動させてこれら一端と他端の真空チャンバー間における処理室を備えた真空チャンバーを通過させ、該処理室で前記帯状基体を処理するロール・ツー・ロール処理方法において、前記処理室がチャンバーに設置された一つのフランジに固定されたプレート上に着脱可能な状態で置かれて前記真空チャンバー内に収容され、前記フランジを前記真空チャンバーから、前記帯状基体の搬送方向と直交方向に引き出して前記処理室を脱着可能に構成すると共に、前記帯状基体を通過させた状態で前記複数の真空チャンバー間に圧力差を設けることのできるゲートバルブを設け、メインテナンス時に前記ゲートバルブを閉じ、メインテナンスの必要な真空チャンバーのみを大気圧として、前記脱着可能な処理室を予備の物と交換し、あるいは送り出し機構または巻き取り機構のボビンを新たなものにセットするようにしたことを特徴としている。
本発明のロール・ツー・ロール処理方法においては、前記処理室での帯状基体の処理は、マイクロ波ＣＶＤ法、またはＲＦＣＶＤ法、あるいはマイクロ波ＣＶＤ法、ＲＦＣＶＤ法を同時に用いて行うことができる。
そして、本発明のロール・ツー・ロール処理方法は、前記帯状基体を、連続的に移動されるように構成することができる。
【０００９】
また、本発明のロール・ツー・ロール処理装置は、複数の連結された真空チャンバーを備え、その一端に位置する真空チャンバーには送り出し機構が、他端に位置する真空チャンバーには巻き取り機構が設けられていると共に、これら一端と他端の真空チャンバー間に位置する真空チャンバーには処理室が収容され、帯状基体を前記送り出し機構から前記巻き取り機構に向かって移動させて前記処理室を備えた真空チャンバーを通過させ、該処理室で前記帯状基体を処理するロール・ツー・ロール処理装置において、
前記処理室がチャンバーに設置された一つのフランジに固定されたプレート上に着脱可能な状態で置かれて前記真空チャンバー内に収容され、前記フランジを前記真空チャンバーから、前記帯状基体の搬送方向と直交方向に引き出して前記処理室を脱着可能とした真空チャンバーを備え、前記複数の真空チャンバー間に前記帯状基体を通過させた状態で圧力差を設けることのできるゲートバルブを配設し、メインテナンス時に前記ゲートバルブを閉じ、メインテナンスの必要な真空チャンバーのみを大気圧として、前記脱着可能な処理室を予備の物と交換し、あるいは送り出し機構または巻き取り機構のボビンを新たなものにセットするようにしたことを特徴としている。
そして、本発明のロール・ツー・ロール処理装置において、前記ゲートバルブは、前記帯状基体を支持部上で真空シールする弁部を備えた可動部により構成し、その可動部の弁部および支持部は、例えばＯリングによって形成することができ、前記帯状基体を、連続的に移動されるように構成することができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】
本発明は上記のように帯状基体を真空チャンバー内に存在させたまま、メインテナンスの必要な真空チャンバーのみを清掃することができるから、メインテナンス時における清掃時間等を大幅に短縮し、装置の稼働率を著しく向上させることができる。
以下に本発明の詳細を説明する。
図１は本発明を構成する脱着可能な処理室の１例である。
ここでは具体的にはマイクロ波ＣＶＤ法を用いて帯状基体に処理を行なう場合の脱着可能な処理室の模式図を示した。実際のメンテナンス時には本処理室を有する真空チャンバーをリークした後に、同図において前フランジ１０２を真空チャンバー１０１に固定しているボルト等の治具を取り外す。
その後、前フランジ１０２を処理室１０３等からなる部品と共に引き出して、処理室１０３が真空チャンバー１０１の外に出るようにする。
次に処理室１０３をプレート１０４に固定しているボルト等の固定治具を外す。この状態になったならば、処理室１０４はカセット状に容易に取り出すことが可能となる。取り外した処理室の代わりに改めて清掃の済んだ処理室をプレート１０４上に固定する。新しい処理室を設置したならば、処理室を真空チャンバー１０１内まで移動し前フランジ１０２を真空チャンバーに、ボルト等を使って固定し真空シールをする。続いて上フタを閉じて真空シールを行なう。
真空チャンバーの全箇所が真空シールされたならば、不図示の排気手段を用いて、系内を減圧する。
図２に、本発明を構成する脱着可能な処理室の別の例としてＲＦＣＶＤ法を用いて帯状基体に処理を行なう場合の脱着可能な処理室の模式図を示した。同図において２０１は真空チャンバー、２０２は前フランジである。
前フランジ２０２にはプレート２０４が設置してあり、プレート２０４上には脱着可能な処理室２０３が置かれている。メインテナンス方法は前記マイクロ波ＣＶＤ法と基本的に変わるところはない。
図３は本発明の複数の真空チャンバー間で圧力差を設けることのできるゲートバルブ（以下、ピンチバルブと略記）の概略図であり、（ａ）は側面図、（ｂ）は可動部の正面図である。
同図において３０４はハウジング、３０２は可動部、３０３は支持部、３０５は駆動機構、３０１は基体である。ピンチバルブの可動部３０２は基体３０１をはさみ、ガス及び堆積不用物を遮断するための弁部３０６及び堆積不用物遮断用の弁部３０７を有し、ピンチバルブ駆動部３０５によって駆動されて、ピンチバルブが開閉されることで、圧力差を設けることが出来る。基体３０１に接する可動部３０２の弁部と支持部３０３の材質としては真空シールのために例えばバイトンゴム等を用いている。
【００１１】
本発明の処理方法においては、既述の容易に脱着可能な処理室と各真空チャンバーを独立してリークできるピンチバルブを有するので、例えばＣＶＤ法により作製された膜の付着が大きな処理室のみを選択的にリークしてメインテナンス出来る。従ってリーク時間を短縮することが出来る。
その後のメインテナンス時においても、リークしなかった真空チャンバーはベーキング状態を維持し続けることが可能なため、メインテナンス後の加熱時間の短縮化が図れる。更にリークしたチャンバーが限られるため、メインテナンス後にあらためて真空引きする際の時間の短縮化が図れる。更に別のメリットとして処理後毎回のメインテナンスを必要としないチャンバーに対しては、大気リークを行なわないために真空中での処理の際に問題になる水分、酸素、窒素等の不純物の混入を低減できる。
【００１２】
次に本発明のピンチバルブと脱着可能な処理室を有したロール・ツー・ロール処理方法を用いて、マイクロ波及びＲＦによる原料ガス分解により、アモルファス太陽電池を作製する方法（以下「Ｒ−ＲＣＶＤ法」と略記）の処理装置の概略について述べる。
Ｒ−ＲＣＶＤ法による処理装置は、ロール状に巻かれたボビンから帯状基体を連続的に送り出して太陽電池を構成する少なくともｎ型ａ−Ｓｉ層、ｉ型ａ−ＳｉＧｅ層、ｐ型ａ−Ｓｉ層等を含む層からなる複数の層を各々別個の反応容器である処理室内で形成するものであるが、各々の処理空間においては減圧状態を維持しながら、基体の複数の処理室間での移動を可能にし、かつ各々の処理室内に供給される。例えば、ｎ型ａ−Ｓｉ層、ｐ型ａ−Ｓｉ層等の原料となるガスが相互に拡散、混入する事を防止する機構を有する連結部材（一般に「ガス・ゲート」あるいは単に「ゲート」と呼称される。）を具備している。
【００１３】
図４は、前記メインテナンスチャンバー及びピンチバルブを具備した、Ｒ−ＲＣＶＤ法によるａ−ＳｉＧｅの太陽電池等の半導体素子の処理装置を示す模式図であり、成堆積膜厚の厚く、ハイ・スループットの要求されるｉ型ａ−ＳｉＧｅ層をμＷ法で作製し、又堆積膜厚が薄くｉ型ａ−ＳｉＧｅ層ほどのハイ・スループットを要求されないｎ型およびｐ型のａ−Ｓｉ層をＲＦ法で作製している。
図４において、４０１は膜を堆積する帯状基体であり、通常変形可能な導電性基体、例えばステンレス、アルミニウム等の薄板あるいは非導電性薄板に導電性薄膜等をコーティングした部材が用いられる。
帯状基体４０１は円形のボビン４１１に巻きつけられ、内部に送り出し機構を有するチャンバー（以下「送り出し室」と略記）４１０内に備えつけられる。
送り出し室に設置されたボビンから送り出された帯状基体４０１はガス・ゲート（以下「ゲート」と略記）４２０、内部にｎ型ａ−Ｓｉ処理室を有するチャンバー（以下「ｎ型ａ−Ｓｉ処理室」と略記）４３０、ゲート４４０、内部にｉ型ａ−ＳｉＧｅ処理室を有するチャンバー（以下「ｉ型ａ−ＳｉＧｅ処理室」と略記）４５０、ゲート４６０、内部にｐ型ａ−Ｓｉ処理室を有するチャンバー（以下「ｐ型ａ−Ｓｉ処理室」と略記）４７０、ゲート４８０を通過し、内部に巻き取り機構を有するチャンバー（以下「巻き取り室」と略記）４９０内に設置された巻き取りボビン４９１に巻き取られる。
【００１４】
４３０ａ、４７０ａは各々ＲＦ電源であり、４３０ｂ、４７０ｂは各々ＲＦ放電を励起するためのカソード電極であり、各々ｎ型ａ−Ｓｉ層、ｐ型ａ−Ｓｉ層を堆積するための電力が供給される。４５０ａはマイクロ波を放電空間に放射するための誘電体窓からなるアプリケーターであり、誘電体窓に垂直方向に設置された矩形導波管４５０ｂを通して不図示のマイクロ波電源より電力を印加され、ｉ型ａ−ＳｉＧｅ処理室内の放電空間でグロー放電が生起される。
４０２ａ〜４０６ａは各々堆積膜形成の原料となるガスが充填されており、４０２ａはＳｉＨ4ガス、４０３ａはＧｅＨ4ガス、４０４ａはＨ2ガス、４０５ａはＰＨ3ガス、４０６ａはＢＦ3ガスが充填されている。
各々のガスは開閉バルブ４０２ｂ〜４０６ｂ及び減圧器４０２ｃ〜４０６ｃを通って混合器４３０ｃ、４５０ｃ、４７０ｃに導かれる。ガス混合器４３０ｃ〜４７０ｃで所望の流量、及び混合比とされた原料ガスは、ガス導入ライン４３０ｄ、４５０ｄ、４７０ｄを通って各処理室内に噴出する。処理室内に導入されたガスは、油拡散ポンプ、メカニカル・ブースター・ボンプ及びロータリー・ポンプ等からなる排気装置４１０ｅ、４３０ｅ、４５０ｅ、４７０ｅ、４９０ｅにより各室内での圧力を所望のものとするように調整されながら排気され、不図示の排ガス処理装置へ導かれる。
【００１５】
又４３０ｆ、４５０ｆ、４７０ｆは各々基体加熱用赤外線ランプヒーターであり、各々電源４３０ｇ、４５０ｇ、４７０ｇより電力が供給される。
４４１、４６１はゲートの開口断面積を調節する部品であり、ガス流路を狭くして、各処理室間同志でのガスの相互拡散を減少させている。
更にゲートにはガス導入口４４２、４６２より膜形成に悪影響を与えないガス、例えば、Ｈ2、Ｈｅ等のガスがボンベ４０７ａから減圧器４０７ｂ、流量調節器４０７ｃ、４０７ｄを通って供給され、各処理室内の原料ガスの相互拡散を更に抑えている。
４２３、４４３、４６３、４８３はピンチバルブであり、処理時にはバルブは開いており処理が終了すると、メインテナンスを要するチャンバーの両側のバルブを閉じることによって、所望するチャンバーのみ大気圧にすることが可能である。
【００１６】
送り出し室４１０より送り出された帯状基体４０１は、次々と各処理室を進み、その表面にｎ型ａ−Ｓｉ膜、ｉ型ａ−ＳｉＧｅ膜、ｐ型ａ−Ｓｉ膜を形成されて最終的に巻き取り室４９０に入る。
まず、ｎ型ａ−Ｓｉ処理室４３０内では帯状基体４０１は赤外線ランプヒーター４３０ｆにより加熱され、所望の温度にされる。又ガス混合器４３０ｃによりｎ型ａ−Ｓｉ膜の原料になるＳｉＨ4、Ｈ2、ＰＨ3等のガスが各々最適の流量で混合され、処理室４３０に導入される。同時にＲＦ電力がＲＦ電源４３０ａよりカソード４３０ｂに与えられ、処理空間内にグロー放電を生起させ、帯状基体４０１の表面にｎ型ａ−Ｓｉ膜を形成する。
次に、帯状基体４０１はゲート４４０内を進み、ｉ型ａ−ＳｉＧｅ処理室４５０内に入る。
処理室４５０内では先述と同様に最適流量に設定されたＳｉＨ4、ＧｅＨ4、Ｈ2ガスに最適パワーを与え、前記ｎ型ａ−Ｓｉ膜上に所望のｉ型ａ−ＳｉＧｅ膜を形成する。
以下同様に、帯状基体４０１はゲート４６０、ｐ型ａ−Ｓｉ処理室４７０を経て巻き取り室４９０内のボビン４９１に巻き取られる。
処理が終了すると、ピンチバルブを閉じることによって、メインテナンスの必要なチャンバーのみ大気圧とし、脱着可能な処理室を予備の物と交換した後、再び減圧としあらためて処理を行なう。
具体的にはピンチバルブ４２３、４４３、４６３、４８３を閉じて処理室４５０、送り出し室４１０及び巻き取り室４９０を大気圧までリークする。そして処理室４５０の予備の処理室に交換すると同時に送り出し室４１０のボビンを新規のボビンに交換し且つ、巻き取り室４９０の処理後のボビンを取り出して空ボビンを設置する。
以上述べたように、容易に脱着可能な処理室とピンチバルブとを併せ持つ本発明のロール・ツー・ロール処理方法は、装置の稼働率が激的に向上し、良質な処理を連続して行なうことが出来る。
【００１７】
【実施例】
以下に本発明の実施例について説明する。
［実施例１］
本発明の実施例１におけるＲ−ＲＣＶＤ法の処理装置を利用してシングルセル太陽電池を作製する方法について述べる。
太陽電池の構成はマイクロ波法で作製するａ−ＳｉＧｅの光起電変換層を用いており、又その他の層はすべてＲＦ法で作製している。
図４の帯状基体１０１は幅３５０ｍｍ、厚さ０．１５ｍｍ、長さ３５０ｍのＳＵＳ４３０ＢＡ製であり、既に前工程にて洗浄と、下地処理が行なわれている。下地処理は、具体的には反射増大により光利用効率を向上させるための金属コーティング等を含んでいるが、詳しくは表１に示す。
【００１８】
【表１】

前記帯状基体４０１は、送り出し室１１０に設置された送り出しボビン４１１からゲート４２０、ｎ型ａ−Ｓｉ処理室４３０、ゲート４４０、ｉ型ａ−ＳｉＧｅ処理室４５０、ゲート４６０、ｐ型ａ−Ｓｉ処理室４７０、ゲート４８０を通過し、巻き取り室４９０内に設置された巻き取りボビン４９１まで通し、帯状基体４０１がたるまないように張力調整を行なった。
そして、送り出し室４１０、巻き取り室４９０、各処理室４３０、４５０、４７０のそれぞれを、油拡散ポンプ、メカニカル・ブースター・ポンプ及びロータリー・ポンプ等からなる排気装置４１０ｅ、４３０ｅ、４５０ｅ、４７０ｅ、４９０ｅにより各室内での圧力１Ｔｏｒｒまで排気した。
その後、各赤外線ランプヒーター４３０ｆ、４５０ｆ、４７０ｆを点灯させ帯状基体４０１の表面温度が４００℃になるように温度制御を行ない、加熱、脱ガスを行なった。
充分に加熱脱ガスが行なわれたところで、表１に示す条件により、堆積膜を連続的に形成した。
このとき、帯状基体４０１の移動速度は５００ｍｍ／ｍｉｎとした。
長さ３５０ｍの帯状基板４０１が終了しボビン交換が必要になるごと（以下「１処理サイクル」と呼ぶ）に、各処理室内のパージを行ない、次の処理のメインテナンスを行なう。
【００１９】
メインテナンスは、厚膜が必要とされ堆積速度の速いマイクロ波で作製するａ−ＳｉＧｅ処理室、送り出しボビン４１１及び、堆積膜を形成した帯状基体４０１が巻きつけられた巻き取りボビン４９１の交換は１処理サイクルごとに行なうため、ピンチバルブ４２３、４４３、４６３、４８３を閉じてａ−ＳｉＧｅ処理室４５０、送り出し室４１０及び巻き取り室４９０、各々を大気圧に戻す。
しかしながら、他の処理室は１０処理サイクルごとに行なうため加熱用赤外線ランプヒーター４３０ｆ、４７０ｆは点灯したまま真空保持とする。
【００２０】
ａ−ＳｉＧｅ処理室は、堆積膜の着いたカセットを取り出し、予め清掃準備していたカセットの交換を行ない、送り出しボビンは、帯状基体４０１を１ｍほど残し切断して取り出し、新規の帯状基体が巻きつけられたボビンをセットする。新規の帯状基体５０１は図５のごとく端を丸め、既存の帯状基体４０１とスポット溶接などで接合する。堆積膜が形成された帯状基体が巻き取られたボビン４９１は、帯状基体４０１を２、３周分残し切断して取り出し、新たな巻き取りボビンをセットし２、３周残した帯状基体４０１を巻きつける。
以上のメインテナンスが終われば、各々排気装置４１０ｅ、４５０ｅ、４９０ｅで真空引きを行ない、真空保持した処理室と同圧力となった時ピンチバルブ４２３、４４３、４６３、４８３を開け、再び処理を開始する。
本発明のロール・ツー・ロール処理方法と従来の処理方法との装置稼働率の結果を表２に示す。稼働率は処理時間／（処理時間＋休止時間）×１００％で表す。
【００２１】
【表２】

本発明では、処理室の交換はカセットタイプのため処理室清掃、帯状基体を再び装置内に通すための時間又、メンテナンスが必要でない所はピンチバルブにより真空保持出来るため加熱真空出しの時間が大幅に短縮でき、装置の稼働率が８１％に向上した。
また、この実施例で形成された堆積膜についての特性を調べた。サンプルを３０ｍごとに５ｃｍ角の面積で１０個切り出し、透明電極（ＩＴＯ）、集中電極（Ａｌ）を蒸着し、太陽電池変換効率を評価した。１０個のサンプルの特性評価結果は、変換効率７．８１〜８．０３％内に収まり従来の変換効率７．９５％と比べて、何ら遜色はない。
【００２２】
［実施例２］
本発明の実施例２におけるＲ−ＲＣＶＤ法の処理装置を利用してトリプルセル太陽電池を作製する方法について述べる。
太陽電池の構成は、ボトムセル及びミドルセルにマイクロ波法で作製するａ−ＳｉＧｅ、トップセルにＲＦ法で作製するａ−Ｓｉの光起電変換層を用いており、又その他の層は全てＲＦ法で作製している。
図６に、こうした太陽電池を作製する本発明の処理装置の典型例の模式図を示す。
図６の６０１は帯状基体である。帯状基体６０１は、幅３５０ｍｍ、厚さ０．１５ｍｍ、長さ４００ｍのＳＵＳ４３０ＢＡ製であり、既に前工程にて洗浄と、下地処理が行なわれている。下地処理は、具体的には反射増大により光利用効率を向上させるための金属コーティング等を含んでいるが、詳しくは表３に示す。
【００２３】
【表３】

前記帯状基体６０１は、送り出し室６０２に設置された送り出しボビン６０３から、ボトムセル用のｎ型ａ−Ｓｉ処理室６１１、ｎ／ｉ拡散防止用処理室６１２、ｉ型ａ−ＳｉＧｅ処理室６１３、ｉ／ｐ拡散防止用処理室６１４、ｐ型ａ−Ｓｉ処理室６１５、およびミドルセル用のｎ型ａ−Ｓｉ処理室６１６、ｎ／ｉ拡散防止用処理室６１７、ｉ型ａ−ＳｉＧｅ処理室６１８、ｉ／ｐ拡散防止用処理室６１９、ｐ型ａ−Ｓｉ処理室６２０、トップセル用のｎ型ａ−Ｓｉ処理室６２１、ｉ型ａ−Ｓｉ処理室６２２、ｐ型ａ−Ｓｉ処理室６２３を各々通過し、巻き取り室６０４内に設置された巻き取りボビン６０５まで通し、帯状基体６０１がたるまないように張力調整を行なった。
各々処理室６１１〜６２３は、送り出し室６０２、巻き取り室６０４と共に全てのチャンバーが図のごとくガスゲートで連結されている。且つマイクロ波で作製するｉ型ａ−ＳｉＧｅ処理室の両端、送り出し室、巻き取り室のゲートには、ピンチバルブ６３１、６３２、６３３、６３４、６３５、６３６が設置されている。
又、チャンバーの数が増え装置の全長が拡大するのに伴って帯状基体６０１の重力による垂れ下がりが無視出来なくなるので予め全チャンバーの配置がカテナリー状になる様に設置してある。
この様な本発明の処理装置を利用して、トリプルセル太陽電池を作製するが、その具体的な手順は既に実施例１及び詳細な説明の項に記したのでここでは省略する。
又、その詳細な処理条件については表３に示しておく。
メインテナンスも実施例１と同様、ａ−ＳｉＧｅ処理室、送り出し室及び巻き取り室は１処理サイクルで行ない、他の処理室は１０処理サイクルとした。
本発明のロール・ツー・ロール処理方法と従来の処理方法との装置稼働率を比較し、その結果を表４に示す。
【００２４】
【表４】

本発明によると、清掃を行なう処理室の数が減り清掃時間及び加熱真空出しの時間が大幅に短縮でき、装置の稼働率が７６％に向上した。
また、この実施例で形成された堆積膜についての特性を調べた。サンプルを３０ｍごとに５ｃｍ角の面積で１０個切り出し、透明電極（ＩＴＯ）、集中電極（Ａｌ）を蒸着し、トリプルセルの太陽電池変換効率を評価した。
１０個のサンプルの特性評価結果は、変換効率１０．５８〜１０．７５％内に収まり従来の変換効率１０．７１％と比べて、何ら遜色はない。
【００２５】
【発明の効果】
本発明は、以上のように、前記処理室を真空チャンバーに脱着可能に構成し、複数の真空チャンバー間に前記帯状基体を通過させた状態で圧力差を設けることができるように構成されているから、メインテナンス時に前記ゲートバルブを閉じ、メインテナンスの必要な真空チャンバーのみを大気圧として、前記脱着可能な処理室を予備の物と交換し、あるいは送り出し機構または巻き取り機構のボビンを新たなものにセットすることが可能となり、ロール・ツー・ロール処理装置におけるメインテナンス時の多大な時間が削減でき、装置稼働率を飛躍的に向上させ、製品のコストダウンを図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】マイクロ波ＣＶＤ法を用いて帯状基体を処理する脱着可能な処理室の模式図である。
【図２】ＲＦ波ＣＶＤ法を用いて帯状基体を処理する脱着可能な処理室の模式図である。
【図３】本発明を構成するピンチバルブの模式図である。
【図４】本発明のロール・ツー・ロール処理方法を用いたシングルセル作製装置の模式図である。
【図５】帯状基体の接合方法の模式図である。
【図６】本発明のロール・ツー・ロール処理方法を用いたトリプルセル作製装置の模式図である。
【符号の説明】
１０１：真空チャンバー
１０２：前フランジ
１０３：脱着可能な処理室
１０４：プレート
２０１：真空チャンバー
２０２：前フランジ
２０３：脱着可能な処理室
２０４：プレート
３０１：帯状基体
３０２：可動部
３０３：支持部
３０４：ハウジング
３０５：駆動機構
３０６、３０７：ガス及び堆積不用物遮断用の弁部
４０１：帯状基体
４１１、１９１：各々基体１０１を巻きつけるボビン
４１０：送り出し室
４３０：ｎ型ａ−Ｓｉ処理室
４５０：ｉ型ａ−ＳｉＧｅ処理室
４７０：ｐ型ａ−Ｓｉ処理室
４９０：巻き取り室
４２０、４４０、４６０、４８０：ゲート
４４１、４６１：ギャップ調整部品
４４２、４６２：ゲートガス導入口
４２３、４４３、４６３、４８３：ピンチバルブ
４３０ａ、４７０ａ：ＲＦ電源
４５０ａ：マイクロ波アプリケーター
４３０ｂ、４７０ｂ：カーソド電極
４５０ｂ：導波管
４０２ａ：ＳｉＨ4ガス・ボンベ
４０３ａ：ＧｅＨ4ガス・ボンベ
４０４ａ：Ｈ2ガス・ボンベ
４０５ａ：ＰＨ3ガス・ボンベ
４０６ａ：ＢＦ3ガス・ボンベ
４０２ｂ〜４０６ｂ：ガスボンベの開閉バルブ
４０２ｃ〜４０６ｃ：減圧器
４３０ｃ、４５０ｃ、４７０ｃ：ガス混合器
４３０ｄ、４５０ｄ、４７０ｄ：ガス導入ライン
４１０ｅ、４３０ｅ、４５０ｅ、４７０ｅ、４９０ｅ：排気ポンプ
４３０ｆ、４５０ｆ、４７０ｆ：基体加熱用赤外線ランプヒーター
４３０ｇ、４５０ｇ、４７０ｇ：基体加熱用赤外線ランプヒーターの電源
４０７ａ：ゲート用パージ・ガス・ボンベ
４０７ｂ：減圧器
４０７ｃ、４０７ｄ：ガス流量調節器
５０１：新規の帯状基体
５０２：スポット溶接部
６０１：帯状基体
６０２：送り出し室
６０３、６０５：各々基体を巻きつけるボビン
６０４：巻き取り室
６１１：ボトムセルｎ型ａ−Ｓｉ処理室
６１２：ボトムセルｎ／ｉ拡散防止用処理室
６１３：ボトムセルｉ型ａ−ＳｉＧｅ処理室
６１４：ボトムセルｉ／ｐ拡散防止用処理室
６１５：ボトムセルｐ型ａ−Ｓｉ処理室
６１６：ミドルセルｎ型ａ−Ｓｉ処理室
６１７：ミドルセルｎ／ｉ拡散防止用処理室
６１８：ミドルセルｉ型ａ−ＳｉＧｅ処理室
６１９：ミドルセルｉ／ｐ拡散防止用処理室
６２０：ミドルセルｐ型ａ−Ｓｉ処理室
６２１：トップセルｎ型ａ−Ｓｉ処理室
６２２：トップセルｉ型ａ−Ｓｉ処理室
６２３：トップセルｐ型ａ−Ｓｉ処理室
６３１〜６３６：ピンチバルブ

Claims

複数の連結された真空チャンバーの一端に位置する真空チャンバーの送り出し機構から、他端に位置する真空チャンバーの巻き取り機構に向かって帯状基体を張り渡し、前記帯状基体を移動させてこれら一端と他端の真空チャンバー間における処理室を備えた真空チャンバーを通過させ、該処理室で前記帯状基体を処理するロール・ツー・ロール処理方法において、
前記処理室がチャンバーに設置された一つのフランジに固定されたプレート上に着脱可能な状態で置かれて前記真空チャンバー内に収容され、前記フランジを前記真空チャンバーから、前記帯状基体の搬送方向と直交方向に引き出して前記処理室を脱着可能に構成すると共に、前記帯状基体を通過させた状態で前記複数の真空チャンバー間に圧力差を設けることのできるゲートバルブを設け、メインテナンス時に前記ゲートバルブを閉じ、メインテナンスの必要な真空チャンバーのみを大気圧として、前記脱着可能な処理室を予備の物と交換し、あるいは送り出し機構または巻き取り機構のボビンを新たなものにセットするようにしたことを特徴とするロール・ツー・ロール処理方法。
前記処理室での帯状基体の処理は、マイクロ波ＣＶＤ法を用いて行われることを特徴とする請求項１に記載のロール・ツー・ロール処理方法。
前記処理室での帯状基体の処理は、ＲＦＣＶＤ法を用いて行われることを特徴とする請求項１に記載のロール・ツー・ロール処理方法。
前記処理室での帯状基体の処理は、マイクロ波ＣＶＤ法、ＲＦＣＶＤ法を同時に用いて行われることを特徴とする請求項１に記載のロール・ツー・ロール処理方法。
前記帯状基体は、連続的に移動されることを特徴とする請求項１に記載のロール・ツー・ロール処理方法。
複数の連結された真空チャンバーを備え、その一端に位置する真空チャンバーには送り出し機構が、他端に位置する真空チャンバーには巻き取り機構が設けられていると共に、これら一端と他端の真空チャンバー間に位置する真空チャンバーには処理室が収容され、帯状基体を前記送り出し機構から前記巻き取り機構に向かって移動させて前記処理室を備えた真空チャンバーを通過させ、該処理室で前記帯状基体を処理するロール・ツー・ロール処理装置において、
前記処理室がチャンバーに設置された一つのフランジに固定されたプレート上に着脱可能な状態で置かれて前記真空チャンバー内に収容され、前記フランジを前記真空チャンバーから、前記帯状基体の搬送方向と直交方向に引き出して前記処理室を脱着可能とした真空チャンバーを備え、前記複数の真空チャンバー間に前記帯状基体を通過させた状態で圧力差を設けることのできるゲートバルブを配設し、メインテナンス時に前記ゲートバルブを閉じ、メインテナンスの必要な真空チャンバーのみを大気圧として、前記脱着可能な処理室を予備の物と交換し、あるいは送り出し機構または巻き取り機構のボビンを新たなものにセットするようにしたことを特徴とするロール・ツー・ロール処理装置。
前記ゲートバルブは、前記帯状基体を支持部上で真空シールする弁部を備えた可動部により構成されていることを特徴とする請求項６に記載のロール・ツー・ロール処理装置。
前記可動部の弁部および支持部は、Ｏリングによって形成されていることを特徴とする請求項７に記載のロール・ツー・ロール処理装置。
前記帯状基体を連続的に移動させる手段を有することを特徴とする請求項６に記載のロール・ツー・ロール処理装置。