JPH09107116A - 堆積膜形成装置 - Google Patents
堆積膜形成装置Info
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- JPH09107116A JPH09107116A JP7289240A JP28924095A JPH09107116A JP H09107116 A JPH09107116 A JP H09107116A JP 7289240 A JP7289240 A JP 7289240A JP 28924095 A JP28924095 A JP 28924095A JP H09107116 A JPH09107116 A JP H09107116A
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- film forming
- film
- vacuum container
- protective sheet
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
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- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】本発明は、層間保護シートに吸着されていた水
分やガス類を効率よく除去して、到達圧力までの排気時
間を短縮すると共に、表面の汚染を防止して膜の密着性
を向上させた堆積膜形成装置を提供することを目的とし
ている。 【解決手段】本発明は、真空容器が連結された中に帯状
基板をその長手方向に連続的に搬送させて該帯状基板に
堆積膜を形成し、該帯状基板を層間保護シートと同時に
巻き取るようにした堆積膜形成装置において、前記層間
保護シート専用の真空容器を備え、該層間保護シート専
用の真空容器は排気手段を有していることを特徴とすも
のである。
分やガス類を効率よく除去して、到達圧力までの排気時
間を短縮すると共に、表面の汚染を防止して膜の密着性
を向上させた堆積膜形成装置を提供することを目的とし
ている。 【解決手段】本発明は、真空容器が連結された中に帯状
基板をその長手方向に連続的に搬送させて該帯状基板に
堆積膜を形成し、該帯状基板を層間保護シートと同時に
巻き取るようにした堆積膜形成装置において、前記層間
保護シート専用の真空容器を備え、該層間保護シート専
用の真空容器は排気手段を有していることを特徴とすも
のである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、堆積膜形成装置に
係り、大面積の機能性堆積膜、特に光起電力素子等の積
層薄膜素子に用いる薄膜を帯状基板上に連続的に形成す
る装置に関する。
係り、大面積の機能性堆積膜、特に光起電力素子等の積
層薄膜素子に用いる薄膜を帯状基板上に連続的に形成す
る装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、基板上に光起電力素子等に用いる
機能性堆積膜を連続的に形成する方法として、各々の半
導体層形成用の独立した成膜室を設け、各成膜室にて各
々の半導体層の形成を行う方法が提案されている。米国
特許第４，４００，４０９号明細書には、ロール・ツー
・ロール（Ｒｏ１ｌｔｏ Ｒｏｌｌ）方式を採用した連
続プラズマＣＶＤ装置が開示されている。この装置によ
れば、複数のグロー放電領域を設け、所望の幅の十分に
長い可撓性の基板を、該基板が前記各グロー放電領域を
順次貫通する経路に沿って配置し、前記各グロー放電領
域において必要とされる導伝型の半導体層を堆積しつ
つ、前記基板をその長手方向に連続的に搬送せしめるこ
とによって、半導体接合を有する素子を連続作成するこ
とができるとされている。なお、該明細書においては、
各半導体層作成時に用いるドーパントガスが他のグロー
放電領域へ拡散、混入するのを防止するにはガスゲート
が用いられている。具体的には、前記各グロー放電領域
同士を、スリット状の分離通路によって相互に分離し、
さらに該分離通路に例えばＡｒ、Ｈ2等の掃気用ガスの
流れを作製させる手段が採用されている。また、特公平
４−３２５３３号公報の明細書には、ロール・ツー・ロ
ール方式の装置における帯状基板の表面保護のための層
間保護シートの使用が開示されている。
機能性堆積膜を連続的に形成する方法として、各々の半
導体層形成用の独立した成膜室を設け、各成膜室にて各
々の半導体層の形成を行う方法が提案されている。米国
特許第４，４００，４０９号明細書には、ロール・ツー
・ロール（Ｒｏ１ｌｔｏ Ｒｏｌｌ）方式を採用した連
続プラズマＣＶＤ装置が開示されている。この装置によ
れば、複数のグロー放電領域を設け、所望の幅の十分に
長い可撓性の基板を、該基板が前記各グロー放電領域を
順次貫通する経路に沿って配置し、前記各グロー放電領
域において必要とされる導伝型の半導体層を堆積しつ
つ、前記基板をその長手方向に連続的に搬送せしめるこ
とによって、半導体接合を有する素子を連続作成するこ
とができるとされている。なお、該明細書においては、
各半導体層作成時に用いるドーパントガスが他のグロー
放電領域へ拡散、混入するのを防止するにはガスゲート
が用いられている。具体的には、前記各グロー放電領域
同士を、スリット状の分離通路によって相互に分離し、
さらに該分離通路に例えばＡｒ、Ｈ2等の掃気用ガスの
流れを作製させる手段が採用されている。また、特公平
４−３２５３３号公報の明細書には、ロール・ツー・ロ
ール方式の装置における帯状基板の表面保護のための層
間保護シートの使用が開示されている。
【０００３】以下に図面を用い、このような装置におけ
るスパッタ装置の従来例について説明する。図５は従来
例を表す図であり、送り出し用真空容器１０１、成膜用
真空容器２０１、巻き取り用真空容器３０１はガスゲー
ト４１１、５１１で接続され排気口１０２、２０２、３
０２より排気ポンプ（不図示）で真空に排気されてい
る。帯状基板１０は送り出し用ボビン１１に巻かれてお
り搬送ローラー１３により搬送方向が変更されて成膜用
真空容器２０１へ搬送される（矢印Ａの方向）。次に成
膜用真空容器２０１内において帯状基板ｌ０は、ランプ
ヒーター２０３により所定の成膜温度まで加熱され各成
膜室２０４、２０６で各種のターゲット２０５、２０７
により成膜等の処理が行われる。そして帯状基板１０
は、巻き取り用真空容器３０１内で搬送ローラー１４に
より搬送方向が変更されて巻き取り用ボビン１２により
巻き取られる。その時帯状基板１０の表面保護のための
層間保護シート１５が送り出しコア１６より送り出され
同時に巻き取られていく。ここでガスゲート４１１、５
１１において掃気用ガス供給管４１２、４１３、５１
２、５１３より掃気用ガスが流されており各真空容器間
でガスが混入するのを防いでいる。また層間保護シート
１５は巻き込まれた時の帯状基板１０の表面保護の為の
ものであり、その機能を果たせばいかなる材料のもので
も使用可能であり、例えば、繊維状のものである紙類や
布類、ポリエチレンやポリエステルなどの樹脂類などで
ある。
るスパッタ装置の従来例について説明する。図５は従来
例を表す図であり、送り出し用真空容器１０１、成膜用
真空容器２０１、巻き取り用真空容器３０１はガスゲー
ト４１１、５１１で接続され排気口１０２、２０２、３
０２より排気ポンプ（不図示）で真空に排気されてい
る。帯状基板１０は送り出し用ボビン１１に巻かれてお
り搬送ローラー１３により搬送方向が変更されて成膜用
真空容器２０１へ搬送される（矢印Ａの方向）。次に成
膜用真空容器２０１内において帯状基板ｌ０は、ランプ
ヒーター２０３により所定の成膜温度まで加熱され各成
膜室２０４、２０６で各種のターゲット２０５、２０７
により成膜等の処理が行われる。そして帯状基板１０
は、巻き取り用真空容器３０１内で搬送ローラー１４に
より搬送方向が変更されて巻き取り用ボビン１２により
巻き取られる。その時帯状基板１０の表面保護のための
層間保護シート１５が送り出しコア１６より送り出され
同時に巻き取られていく。ここでガスゲート４１１、５
１１において掃気用ガス供給管４１２、４１３、５１
２、５１３より掃気用ガスが流されており各真空容器間
でガスが混入するのを防いでいる。また層間保護シート
１５は巻き込まれた時の帯状基板１０の表面保護の為の
ものであり、その機能を果たせばいかなる材料のもので
も使用可能であり、例えば、繊維状のものである紙類や
布類、ポリエチレンやポリエステルなどの樹脂類などで
ある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来例では巻き取り用真空容器３０１内に表面保護のため
の層間保護シート１５の送り出しコア１６が設置されて
いると同時に、この層間保護シート１５は紙類、布類、
樹脂類などであり大気中の水分やガス類を吸着しやすい
性質をもっており各真空容器を排気し圧力を下げて行く
と層間保護シート１５から大気中で吸着していた水分や
ガス類が放出し始める。そのため一般的にスパッタ法で
は、成膜前の到達圧力が低いほうが良いとされているが
この到達圧力に達するまで排気するのに長時間必要であ
るという問題があった。さらに層間保護シート１５から
放出される水分やガス類により帯状基板１０上に成膜な
どの処理が行われた表面が汚染され膜の密着性低下や特
性悪化といった問題があった。
来例では巻き取り用真空容器３０１内に表面保護のため
の層間保護シート１５の送り出しコア１６が設置されて
いると同時に、この層間保護シート１５は紙類、布類、
樹脂類などであり大気中の水分やガス類を吸着しやすい
性質をもっており各真空容器を排気し圧力を下げて行く
と層間保護シート１５から大気中で吸着していた水分や
ガス類が放出し始める。そのため一般的にスパッタ法で
は、成膜前の到達圧力が低いほうが良いとされているが
この到達圧力に達するまで排気するのに長時間必要であ
るという問題があった。さらに層間保護シート１５から
放出される水分やガス類により帯状基板１０上に成膜な
どの処理が行われた表面が汚染され膜の密着性低下や特
性悪化といった問題があった。
【０００５】そこで、本発明は、上記した従来のものに
おける問題を解決し、層間保護シートに吸着されていた
水分やガス類を効率よく除去して、到達圧力までの排気
時間を短縮すると共に、表面の汚染を防止して膜の密着
性を向上させた堆積膜形成装置を提供することを目的と
するものである。
おける問題を解決し、層間保護シートに吸着されていた
水分やガス類を効率よく除去して、到達圧力までの排気
時間を短縮すると共に、表面の汚染を防止して膜の密着
性を向上させた堆積膜形成装置を提供することを目的と
するものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するため、真空容器が連結された中に帯状基板をその
長手方向に連続的に搬送させて該帯状基板に堆積膜を形
成し、該帯状基板を層間保護シートと同時に巻き取るよ
うにした堆積膜形成装置において、前記層間保護シート
専用の真空容器を備え、該層間保護シート専用の真空容
器は排気手段を有していることを特徴とする。本発明に
おいては、前記層間保護シート専用の真空容器に、層間
保護シートの加熱手段を設けるようにすると一層効果的
である。また、本発明は、堆積膜を形成する真空容器を
複数設け、それらをガスゲートにより接続した堆積膜形
成装置に好適に適用することができる。
成するため、真空容器が連結された中に帯状基板をその
長手方向に連続的に搬送させて該帯状基板に堆積膜を形
成し、該帯状基板を層間保護シートと同時に巻き取るよ
うにした堆積膜形成装置において、前記層間保護シート
専用の真空容器を備え、該層間保護シート専用の真空容
器は排気手段を有していることを特徴とする。本発明に
おいては、前記層間保護シート専用の真空容器に、層間
保護シートの加熱手段を設けるようにすると一層効果的
である。また、本発明は、堆積膜を形成する真空容器を
複数設け、それらをガスゲートにより接続した堆積膜形
成装置に好適に適用することができる。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明は、上記したように層間保
護シート専用の真空容器を備え、この層間保護シート専
用の真空容器に排気手段、または層間保護シートの加熱
手段を設けることにより、層間保護シートに吸着されて
いた水分やガス類を効率よく除去することができ、成膜
前における到達圧力まで排気する際の排気時間を短縮す
ることができると共に、帯状基板上における処理された
表面の汚染を防止することができ、膜の密着性を向上さ
せ膜質の向上を図ることが可能となる。
護シート専用の真空容器を備え、この層間保護シート専
用の真空容器に排気手段、または層間保護シートの加熱
手段を設けることにより、層間保護シートに吸着されて
いた水分やガス類を効率よく除去することができ、成膜
前における到達圧力まで排気する際の排気時間を短縮す
ることができると共に、帯状基板上における処理された
表面の汚染を防止することができ、膜の密着性を向上さ
せ膜質の向上を図ることが可能となる。
【０００８】以下、本発明の装置を図を用いて説明す
る。図１は本発明の機能性堆積膜連続形成装置の１例を
示している。この図はスパッタ法の装置であるが、蒸着
法やＣＶＤ法などいかなる成膜方式であっても適用可能
である。図１において送り出し用真空容器１０１、成膜
用真空容器２０１、巻き取り用真空容器３０１はガスゲ
ート４１１、５１１で接続され排気口１０２、２０２、
３０２より排気ポンブ（不図示）で真空に排気されてい
る。帯状基板１０は送り出し用ボビン１１に巻かれてお
り搬送ローラー１３により搬送方向が変更されて成膜用
真空容器２０１へ搬送される（矢印Ａの方向）。次に成
膜用真空容器２０１内において帯状基板１０は、ランプ
ヒーター２０３により所定の成膜温度まで加熱され各成
膜室２０４、２０６で各種のターゲット２０５、２０７
により成膜等の処理が行われる。そして帯状基板１０
は、巻き取り用真空容器３０１内で搬送ローラー１４に
より搬送方向が変更されて巻き取り用ボビン１２により
巻き取られる。その時帯状基板１０の表面保護のための
層間保護シート１５が層間保護シート用真空容器１内の
送り出しコア１６より送り出され同時に巻き取られてい
く。層間保護シート用真空容器１内は層間保護シート１
５からの水分やガスの放出を促進させる為のランプヒー
ターなどの加熱手段３が設置されており排気口２より排
気ポンプ（不図示）で真空に排気されている。またガス
ゲート４１１、５１１においては掃気用ガス供給管４１
２、４１３、５１２、５１３より掃気用ガスが流されて
おり各真空容器間でガスが混入するのを防いでいる。
る。図１は本発明の機能性堆積膜連続形成装置の１例を
示している。この図はスパッタ法の装置であるが、蒸着
法やＣＶＤ法などいかなる成膜方式であっても適用可能
である。図１において送り出し用真空容器１０１、成膜
用真空容器２０１、巻き取り用真空容器３０１はガスゲ
ート４１１、５１１で接続され排気口１０２、２０２、
３０２より排気ポンブ（不図示）で真空に排気されてい
る。帯状基板１０は送り出し用ボビン１１に巻かれてお
り搬送ローラー１３により搬送方向が変更されて成膜用
真空容器２０１へ搬送される（矢印Ａの方向）。次に成
膜用真空容器２０１内において帯状基板１０は、ランプ
ヒーター２０３により所定の成膜温度まで加熱され各成
膜室２０４、２０６で各種のターゲット２０５、２０７
により成膜等の処理が行われる。そして帯状基板１０
は、巻き取り用真空容器３０１内で搬送ローラー１４に
より搬送方向が変更されて巻き取り用ボビン１２により
巻き取られる。その時帯状基板１０の表面保護のための
層間保護シート１５が層間保護シート用真空容器１内の
送り出しコア１６より送り出され同時に巻き取られてい
く。層間保護シート用真空容器１内は層間保護シート１
５からの水分やガスの放出を促進させる為のランプヒー
ターなどの加熱手段３が設置されており排気口２より排
気ポンプ（不図示）で真空に排気されている。またガス
ゲート４１１、５１１においては掃気用ガス供給管４１
２、４１３、５１２、５１３より掃気用ガスが流されて
おり各真空容器間でガスが混入するのを防いでいる。
【０００９】
【実施例】以下に本発明の実施例を示すが、本発明はこ
れらの実施例によって何ら限定されるものではない。 ［実施例１］本発明の実施例１においては、図１の装置
を用い光起電力素子用のバックリフレクターとしての下
部電極および光反射層のＡｇ薄膜およびＺｎＯ薄膜を成
膜し、 その後半導体素子を積層し光起電力素子を製造
した。帯状基板１０として、ＳＵＳ４３０ＢＡ（幅１２
０ｍｍ×長さ１００ｍ×厚さ０．１３ｍｍ）を用い十分
に脱脂及び洗浄を行い、図１のように張ってたるみの無
い程度に張力調整を行った。層間保護シート１５とし
て、絶縁性のアラミド紙を用いた。そこで各真空容器１
０１、２０１、３０１、１の排気口１０２、２０２、３
０２、２より排気ポンプ（不図示）で排気しながら、層
間保護シート１５を加熱手段３により１５０℃に加熱し
た。ここで４．０×１０-6Ｔｏｒｒの到達圧力になるま
で４５分間要した。
れらの実施例によって何ら限定されるものではない。 ［実施例１］本発明の実施例１においては、図１の装置
を用い光起電力素子用のバックリフレクターとしての下
部電極および光反射層のＡｇ薄膜およびＺｎＯ薄膜を成
膜し、 その後半導体素子を積層し光起電力素子を製造
した。帯状基板１０として、ＳＵＳ４３０ＢＡ（幅１２
０ｍｍ×長さ１００ｍ×厚さ０．１３ｍｍ）を用い十分
に脱脂及び洗浄を行い、図１のように張ってたるみの無
い程度に張力調整を行った。層間保護シート１５とし
て、絶縁性のアラミド紙を用いた。そこで各真空容器１
０１、２０１、３０１、１の排気口１０２、２０２、３
０２、２より排気ポンプ（不図示）で排気しながら、層
間保護シート１５を加熱手段３により１５０℃に加熱し
た。ここで４．０×１０-6Ｔｏｒｒの到達圧力になるま
で４５分間要した。
【００１０】次にランプヒーター２０３により成膜温度
である４００℃に加熱され掃気用ガス供給管４１２、４
１３、５１２、５１３より掃気用ガスとしてＡｒが導入
される。各成膜室２０４、２０６にスパッタ用ガスとし
てＡｒを各々５０ｓｃｃｍの流速で導入し、主弁（不図
示）を閉じながらコンダクタンスを小さくし２．０×１
０-3Ｔｏｒｒの成膜圧力に保持する。そしてＡｇターゲ
ット２０５およびＺｎＯターゲット２０７に外部からの
直流電源（不図示）により直流電位を印加し放電を生起
させ、スパッタによりＡｇ薄膜およびＺｎＯ薄膜を随時
積層させて行く。その後層間保護シート１５と同時に巻
き取り用ボビン１２により巻き取られバックリフレクタ
ー膜が完成する。
である４００℃に加熱され掃気用ガス供給管４１２、４
１３、５１２、５１３より掃気用ガスとしてＡｒが導入
される。各成膜室２０４、２０６にスパッタ用ガスとし
てＡｒを各々５０ｓｃｃｍの流速で導入し、主弁（不図
示）を閉じながらコンダクタンスを小さくし２．０×１
０-3Ｔｏｒｒの成膜圧力に保持する。そしてＡｇターゲ
ット２０５およびＺｎＯターゲット２０７に外部からの
直流電源（不図示）により直流電位を印加し放電を生起
させ、スパッタによりＡｇ薄膜およびＺｎＯ薄膜を随時
積層させて行く。その後層間保護シート１５と同時に巻
き取り用ボビン１２により巻き取られバックリフレクタ
ー膜が完成する。
【００１１】本発明の装置を用い上記方法で得られたバ
ックリフレクター膜を堆積した帯状基板をロール・ツー
・ロール装置から取り出し、５ｃｍ×５ｃｍの大きさに
切り離し、シングルチャンバーの真空ＣＶＤ装置にセッ
トし、ＣＶＤ法により表１に示す条件でＮ型アモルファ
スシリコン膜、Ｉ型アモルファスシリコン膜、Ｐ型アモ
ルファスシリコン膜を随時積層させ半導体素子を完成さ
せる。
ックリフレクター膜を堆積した帯状基板をロール・ツー
・ロール装置から取り出し、５ｃｍ×５ｃｍの大きさに
切り離し、シングルチャンバーの真空ＣＶＤ装置にセッ
トし、ＣＶＤ法により表１に示す条件でＮ型アモルファ
スシリコン膜、Ｉ型アモルファスシリコン膜、Ｐ型アモ
ルファスシリコン膜を随時積層させ半導体素子を完成さ
せる。
【００１２】
【表１】 次にシングルチャンバーの真空蒸着装置に図２のような
直径６ｍｍの穴９０２が２５個あるステンレス製のマス
ク９０１と一緒にセットし、真空蒸着法により表２に示
す条件でＩＴＯ透明導電膜を堆積し、図３の模式断面図
に示す光起電力素子を作製した。
直径６ｍｍの穴９０２が２５個あるステンレス製のマス
ク９０１と一緒にセットし、真空蒸着法により表２に示
す条件でＩＴＯ透明導電膜を堆積し、図３の模式断面図
に示す光起電力素子を作製した。
【００１３】
【表２】 図３において、１０は帯状基板、９１１はバックリフレ
クター膜、９１２はＡｇ薄膜、９１３はＺｎＯ薄膜、９
２１は半導体素子、９２２はＮ型アモルファスシリコ
ン、９２３はＩ型アモルファスシリコン、９２４はＰ型
アモルファスシリコン、９３１はＩＴＯ透明導電膜であ
る。この方法により作製した光起電力素子をＪＩＳ規格
に記載の碁盤目テープ法により膜の密着性を評価したと
ころ評価点数１０点で全く剥れは発生しなかった。
クター膜、９１２はＡｇ薄膜、９１３はＺｎＯ薄膜、９
２１は半導体素子、９２２はＮ型アモルファスシリコ
ン、９２３はＩ型アモルファスシリコン、９２４はＰ型
アモルファスシリコン、９３１はＩＴＯ透明導電膜であ
る。この方法により作製した光起電力素子をＪＩＳ規格
に記載の碁盤目テープ法により膜の密着性を評価したと
ころ評価点数１０点で全く剥れは発生しなかった。
【００１４】（比較例１）従来の図５のような装置（実
施例１と比較して層間保護シート用真空容器および加熱
手段の無い装置）において、実施例１と同一条件で光起
電力素子を作製した。この方法では、バックリフレクタ
ーを作製する時４．０×１０-6Ｔｏｒｒの到達圧力にな
るまで２時間要した。また完成した光起電力素子をＪＩ
Ｓ規格に記載の碁盤目テープ法により膜の密着性を評価
したところ評価点数６点で切り傷の両側と交点とに少し
の剥れが発生した。
施例１と比較して層間保護シート用真空容器および加熱
手段の無い装置）において、実施例１と同一条件で光起
電力素子を作製した。この方法では、バックリフレクタ
ーを作製する時４．０×１０-6Ｔｏｒｒの到達圧力にな
るまで２時間要した。また完成した光起電力素子をＪＩ
Ｓ規格に記載の碁盤目テープ法により膜の密着性を評価
したところ評価点数６点で切り傷の両側と交点とに少し
の剥れが発生した。
【００１５】［実施例２］本発明の実施例２において
は、図１および図４の装置を用い光起電力素子を製造し
た。まず実施例１と同一条件で図１の装置を用いバック
リフレクター膜を作製した。その後バックリフレクター
膜が積層された帯状基板を図１の装置より取り出し、図
４の装置に取り付けた。図４は本発明の他の実施例を表
すＣＶＤ装置である。送り出し用真空容器１０１、Ｎ層
成膜用真空容器６０１、Ｉ層成膜用真空容器７０１、Ｐ
層成膜用真空容器８０１、巻き取り用真空容器３０１は
ガスゲート１５１、６５１、７５１、８５１で接続され
排気口１０２、６０２、７０２、８０２、３０２、より
排気ポンプ（不図示）で真空に排気されている。バック
リフレクター膜が積層された帯状基板２０は送り出し用
ボビン１１に巻かれており搬送ローラー１３により搬送
方向が変更されてＮ層成膜用真空容器６０１、Ｉ層成膜
用真空容器７０１、Ｐ層成膜用真空容器８０１へ搬送さ
れる（矢印Ａの方向）。そして各真空容器内で成膜等の
処理が行われた帯状基板２０は搬送ローラー１４により
搬送方向が変更されて巻き取り用ボビン１２により巻き
取られる。その時帯状基板２０の表面保護のための層間
保護シート１５が層間保護シート用真空容器１内の送り
出しコア１６より送り出され同時に巻き取られていく。
層間保護シート用真空容器１内は層間保護シート１５か
らの水分やガスの放出を促進させる為のランプヒーター
などの加熱手段３が設置されており排気口２より排気ポ
ンプ（不図示）で真空に排気されている。
は、図１および図４の装置を用い光起電力素子を製造し
た。まず実施例１と同一条件で図１の装置を用いバック
リフレクター膜を作製した。その後バックリフレクター
膜が積層された帯状基板を図１の装置より取り出し、図
４の装置に取り付けた。図４は本発明の他の実施例を表
すＣＶＤ装置である。送り出し用真空容器１０１、Ｎ層
成膜用真空容器６０１、Ｉ層成膜用真空容器７０１、Ｐ
層成膜用真空容器８０１、巻き取り用真空容器３０１は
ガスゲート１５１、６５１、７５１、８５１で接続され
排気口１０２、６０２、７０２、８０２、３０２、より
排気ポンプ（不図示）で真空に排気されている。バック
リフレクター膜が積層された帯状基板２０は送り出し用
ボビン１１に巻かれており搬送ローラー１３により搬送
方向が変更されてＮ層成膜用真空容器６０１、Ｉ層成膜
用真空容器７０１、Ｐ層成膜用真空容器８０１へ搬送さ
れる（矢印Ａの方向）。そして各真空容器内で成膜等の
処理が行われた帯状基板２０は搬送ローラー１４により
搬送方向が変更されて巻き取り用ボビン１２により巻き
取られる。その時帯状基板２０の表面保護のための層間
保護シート１５が層間保護シート用真空容器１内の送り
出しコア１６より送り出され同時に巻き取られていく。
層間保護シート用真空容器１内は層間保護シート１５か
らの水分やガスの放出を促進させる為のランプヒーター
などの加熱手段３が設置されており排気口２より排気ポ
ンプ（不図示）で真空に排気されている。
【００１６】ここでガスゲート１５１、６５１、７５
１、８５１において掃気用ガス供給管１５２、１５３、
６５２、６５３、７５２、７５３、８５２、８５３より
掃気用ガスが流されており各真空容器間でガスが混入す
るのを防いでいる。そして層間保護シート１５として
は、絶縁性のアラミド紙を用い、各真空容器１０１、６
０１、７０１、８０１、３０１、１の排気口１０２、６
０２、７０２、８０２、２より排気ポンプ（不図示）で
排気しながら、層間保護シート１５を加熱手段３により
１５０℃に加熱した。次に各成膜用真空容器でランプヒ
ーター６０３、７０３、８０３により所定の温度まで加
熱され、成膜用ガス導入口６０４、７０４、８０４より
成膜用ガスが、また掃気用ガス供給管１５２、１５３、
６５２、６５３、７５２、７５３、８５２、８５３より
掃気用ガスとしてＨ2ガスがそれぞれ導入されている。
そして放電電極６０５、８０５に１３．５６ＭＨｚのＲ
Ｆ電力が印加され、またマイクロ波導入手段７０５より
２．４５ＧＨｚのマイクロ波が導入されそれぞれグロー
放電を生起させてＣＶＤ法により各層を成膜した。各層
の成膜条件を表３に示す。
１、８５１において掃気用ガス供給管１５２、１５３、
６５２、６５３、７５２、７５３、８５２、８５３より
掃気用ガスが流されており各真空容器間でガスが混入す
るのを防いでいる。そして層間保護シート１５として
は、絶縁性のアラミド紙を用い、各真空容器１０１、６
０１、７０１、８０１、３０１、１の排気口１０２、６
０２、７０２、８０２、２より排気ポンプ（不図示）で
排気しながら、層間保護シート１５を加熱手段３により
１５０℃に加熱した。次に各成膜用真空容器でランプヒ
ーター６０３、７０３、８０３により所定の温度まで加
熱され、成膜用ガス導入口６０４、７０４、８０４より
成膜用ガスが、また掃気用ガス供給管１５２、１５３、
６５２、６５３、７５２、７５３、８５２、８５３より
掃気用ガスとしてＨ2ガスがそれぞれ導入されている。
そして放電電極６０５、８０５に１３．５６ＭＨｚのＲ
Ｆ電力が印加され、またマイクロ波導入手段７０５より
２．４５ＧＨｚのマイクロ波が導入されそれぞれグロー
放電を生起させてＣＶＤ法により各層を成膜した。各層
の成膜条件を表３に示す。
【００１７】
【表３】 本発明の装置を用い上記方法で得られたアモルファスシ
リコン膜を堆積した帯状基板２０をロール・ツー・ロー
ル装置から取り出し５ｃｍ×５ｃｍの大きさに切り離
し、シングルチャンバーの真空蒸着装置に図２のような
直径６ｍｍの穴９０２が２５個あるステンレス製のマス
ク９０１と一緒にセットし、真空蒸着法により表２に示
す条件でＩＴＯ透明導電膜を堆積し、図３の模式断面図
に示す光起電力素子を作製した。
リコン膜を堆積した帯状基板２０をロール・ツー・ロー
ル装置から取り出し５ｃｍ×５ｃｍの大きさに切り離
し、シングルチャンバーの真空蒸着装置に図２のような
直径６ｍｍの穴９０２が２５個あるステンレス製のマス
ク９０１と一緒にセットし、真空蒸着法により表２に示
す条件でＩＴＯ透明導電膜を堆積し、図３の模式断面図
に示す光起電力素子を作製した。
【００１８】（比較例２）ＣＶＤ装置において、実施例
２と比較し層間保護シート用真空容器および加熱手段の
無い装置を用い実施例２と同一の条件において光起電力
素子を作製した。実施例２と比較例２で作製した光起電
力素子の特性を評価したところ、実施例２で作製した光
起電力のほうが５％程度と若干ではあるがＶＯＣが向上
していた。これは層間保護シートから放出されるガスが
減った結果であるものと推察される。
２と比較し層間保護シート用真空容器および加熱手段の
無い装置を用い実施例２と同一の条件において光起電力
素子を作製した。実施例２と比較例２で作製した光起電
力素子の特性を評価したところ、実施例２で作製した光
起電力のほうが５％程度と若干ではあるがＶＯＣが向上
していた。これは層間保護シートから放出されるガスが
減った結果であるものと推察される。
【００１９】
【発明の効果】本発明は、以上のように、真空容器が連
結された中に帯状基板をその長手方向に連続的に搬送さ
せて該帯状基板に堆積膜を形成し、該帯状基板を層間保
護シートと同時に巻き取るようにした堆積膜形成装置に
おいて、層間保護シート専用の真空容器を備え、この層
間保護シート専用の真空容器に排気手段、または層間保
護シートの加熱手段を設けることにより、層間保護シー
トに吸着されていた水分やガス類を効率よく除去するこ
とができる。それにより成膜前における到達圧力まで排
気する際の排気時間を短縮することが可能となり、さら
に帯状基板上における処理された表面の汚染を防止する
ことができ、膜の密着性を高めてその膜質の向上を図る
ことができる。
結された中に帯状基板をその長手方向に連続的に搬送さ
せて該帯状基板に堆積膜を形成し、該帯状基板を層間保
護シートと同時に巻き取るようにした堆積膜形成装置に
おいて、層間保護シート専用の真空容器を備え、この層
間保護シート専用の真空容器に排気手段、または層間保
護シートの加熱手段を設けることにより、層間保護シー
トに吸着されていた水分やガス類を効率よく除去するこ
とができる。それにより成膜前における到達圧力まで排
気する際の排気時間を短縮することが可能となり、さら
に帯状基板上における処理された表面の汚染を防止する
ことができ、膜の密着性を高めてその膜質の向上を図る
ことができる。
【図１】本発明の堆積膜連続形成装置の１例の模式断面
図である。
図である。
【図２】ＩＴＯ透明導電膜用マスクを示す図である。
【図３】光起電力素子の模式断面図である。
【図４】本発明の堆積膜連続形成装置のもう１つの例の
模式断面図である。
模式断面図である。
【図５】従来の堆積膜連続形成装置の１例の模式断面図
である。
である。
１ 層間保護シート用真空容器 ３ 層間保護シートの加熱手段 １０、２０ 帯状基板 １１ 送り出し用ボビン １２ 巻き取り用ボビン １３、１４ 搬送ローラー １５ 層間保護シート １６ 送り出しコア １０１ 送り出し用真空容器 ２０１ 成膜用真空容器 ３０１ 巻き取り用真空容器 ２、１０２、２０２、３０２、６０２、７０２、８０２
排気口 ２０３、６０３、７０３、８０３ランプヒーター ２０４、２０６ 成膜室 ２０５ Ａｇターゲット ２０７ ＺｎＯターゲット ４１１、５１１、１５１、６５１、７５１、８５１ガス
ゲート ４１２、４１３、５１２、５１３、１５２、１５３、６
５２、６５３、７５２、７５３、８５２、 ８５３掃気
用ガス供給管 ９０１ ステンレス製のマスク ９０２ 穴 ９１１ バックリフレクター膜 ９１２ Ａｇ薄膜 ９１３ ＺｎＯ薄膜 ９２１ 半導体素子 ９２２ Ｎ型アモルファスシリコン ９２３ Ｉ型アモルファスシリコン ９２４ Ｐ型アモルファスシリコン ９３１ ＩＴＯ透明導電 ６０１ Ｎ層成膜用真空容器 ７０１ Ｉ層成膜用真空容器 ８０１ Ｐ層成膜用真空容器 ６０４、７０４、８０４成膜用ガス導入口 ６０５、８０５ 放電電極 ７０５ マイクロ波導入手段
排気口 ２０３、６０３、７０３、８０３ランプヒーター ２０４、２０６ 成膜室 ２０５ Ａｇターゲット ２０７ ＺｎＯターゲット ４１１、５１１、１５１、６５１、７５１、８５１ガス
ゲート ４１２、４１３、５１２、５１３、１５２、１５３、６
５２、６５３、７５２、７５３、８５２、 ８５３掃気
用ガス供給管 ９０１ ステンレス製のマスク ９０２ 穴 ９１１ バックリフレクター膜 ９１２ Ａｇ薄膜 ９１３ ＺｎＯ薄膜 ９２１ 半導体素子 ９２２ Ｎ型アモルファスシリコン ９２３ Ｉ型アモルファスシリコン ９２４ Ｐ型アモルファスシリコン ９３１ ＩＴＯ透明導電 ６０１ Ｎ層成膜用真空容器 ７０１ Ｉ層成膜用真空容器 ８０１ Ｐ層成膜用真空容器 ６０４、７０４、８０４成膜用ガス導入口 ６０５、８０５ 放電電極 ７０５ マイクロ波導入手段
Claims (4)
- 【請求項１】 真空容器が連結された中に帯状基板をそ
の長手方向に連続的に搬送させて該帯状基板に堆積膜を
形成し、該帯状基板を層間保護シートと同時に巻き取る
ようにした堆積膜形成装置において、前記層間保護シー
ト専用の真空容器を備え、該層間保護シート専用の真空
容器は排気手段を有していることを特徴とする堆積膜形
成装置。 - 【請求項２】 前記層間保護シート専用の真空容器は、
層間保護シートの加熱手段を有していることを特徴とす
る請求項１に記載の堆積膜形成装置。 - 【請求項３】 前記堆積膜を形成する真空容器は、ガス
ゲートにより接続されていることを特徴とする請求項１
または請求項２に記載の堆積膜形成装置。 - 【請求項４】 前記堆積膜を形成する真空容器は、複数
設けられていることを特徴とする請求項１〜請求項３の
いずれか１項に記載の堆積膜形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7289240A JPH09107116A (ja) | 1995-10-11 | 1995-10-11 | 堆積膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7289240A JPH09107116A (ja) | 1995-10-11 | 1995-10-11 | 堆積膜形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09107116A true JPH09107116A (ja) | 1997-04-22 |
Family
ID=17740601
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7289240A Pending JPH09107116A (ja) | 1995-10-11 | 1995-10-11 | 堆積膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09107116A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6620288B2 (en) | 2000-03-22 | 2003-09-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Substrate treatment apparatus |
| JP2006294536A (ja) * | 2005-04-14 | 2006-10-26 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機ｅｌ素子の製造方法、有機ｅｌ素子 |
| JP2015525298A (ja) * | 2012-06-15 | 2015-09-03 | ピコサン オーワイＰｉｃｏｓｕｎ Ｏｙ | 原子層堆積法による基板ウェブのコーティング |
-
1995
- 1995-10-11 JP JP7289240A patent/JPH09107116A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6620288B2 (en) | 2000-03-22 | 2003-09-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Substrate treatment apparatus |
| JP2006294536A (ja) * | 2005-04-14 | 2006-10-26 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機ｅｌ素子の製造方法、有機ｅｌ素子 |
| JP2015525298A (ja) * | 2012-06-15 | 2015-09-03 | ピコサン オーワイＰｉｃｏｓｕｎ Ｏｙ | 原子層堆積法による基板ウェブのコーティング |
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