JPH01287277A - Cvd装置の原料ガス供給部 - Google Patents
Cvd装置の原料ガス供給部Info
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- JPH01287277A JPH01287277A JP11509988A JP11509988A JPH01287277A JP H01287277 A JPH01287277 A JP H01287277A JP 11509988 A JP11509988 A JP 11509988A JP 11509988 A JP11509988 A JP 11509988A JP H01287277 A JPH01287277 A JP H01287277A
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- 238000010926 purge Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000013022 venting Methods 0.000 claims 1
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- 239000007789 gas Substances 0.000 description 22
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 101100215641 Aeromonas salmonicida ash3 gene Proteins 0.000 description 1
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明はCVD装置の原料ガス供給部において、毒性ガ
スあるいは燃焼ガス等原料のボンベ、あるいはボトルを
交換する時、安全に自動操作されるC V I)装置ガ
ス供給部に関する。
スあるいは燃焼ガス等原料のボンベ、あるいはボトルを
交換する時、安全に自動操作されるC V I)装置ガ
ス供給部に関する。
[従来技術と課題]
CVD装置の原料ガス供給部の概略を第4図に示す。
図示のように、各手動弁V hが各原料ガスのボ/べ、
ボI・ルA、 B、 C,Dに具えられている。ボンベ
系原料としては、例えばAはアルシン(ASH3) I
Bはボスフィン(PH3)、Cはセレン化水素(H2S
e)、Dはモノンラン(SiHn)等であり、ボトル系
原料は、Aはトリメチルガリウム(TMGα)IBは)
・リメチルアルミニウム(TMAQ )、 Cは)・リ
メチルイノジウム(TMI n ) 、 I)はジメヂ
ル亜鉛(DMZn)等である。
ボI・ルA、 B、 C,Dに具えられている。ボンベ
系原料としては、例えばAはアルシン(ASH3) I
Bはボスフィン(PH3)、Cはセレン化水素(H2S
e)、Dはモノンラン(SiHn)等であり、ボトル系
原料は、Aはトリメチルガリウム(TMGα)IBは)
・リメチルアルミニウム(TMAQ )、 Cは)・リ
メチルイノジウム(TMI n ) 、 I)はジメヂ
ル亜鉛(DMZn)等である。
各手動弁Vhは、配管Pmと連結され、配管Pmは分岐
され、分岐された配管Pxにそれぞれバルブvl、 V
21 V31 V、+が連結され、バルブV4は図示し
ていないが真空ラインの配管に連結され、バルブV3は
ベントラインに連5111され、バルブV2はパージラ
インに連結され、バルブV+は分岐配管Pyによりバル
ブV5と連結され、バルブV5に連結された配管Pzは
成長室1に至る。又、分岐配管Pyはバルブv6と連結
され、バルブV6はベントライノVLと連結されている
。なお、各原料ボンベA、 B。
され、分岐された配管Pxにそれぞれバルブvl、 V
21 V31 V、+が連結され、バルブV4は図示し
ていないが真空ラインの配管に連結され、バルブV3は
ベントラインに連5111され、バルブV2はパージラ
インに連結され、バルブV+は分岐配管Pyによりバル
ブV5と連結され、バルブV5に連結された配管Pzは
成長室1に至る。又、分岐配管Pyはバルブv6と連結
され、バルブV6はベントライノVLと連結されている
。なお、各原料ボンベA、 B。
C,Dとつながる配管Pzはそれぞれが共通になるよう
にして、前記成長室1のノスル2に至り、バルブ■6に
つながるそれぞれの配管Pwは共通となるようにベン]
・ラインVLに連結されている。
にして、前記成長室1のノスル2に至り、バルブ■6に
つながるそれぞれの配管Pwは共通となるようにベン]
・ラインVLに連結されている。
薄膜の成長は、プログラムに従って原料ガスを変更して
、成長室1内の基板」−で行われる。
、成長室1内の基板」−で行われる。
前記真空引ライン、ベントライン、パージライ/は配管
内の残存ガスを配管内より追い出したり、配管内をiF
J /I化するために用いられる。
内の残存ガスを配管内より追い出したり、配管内をiF
J /I化するために用いられる。
危険性のある原料ガスボンベ、あるいはボI・ルを交換
する場合、原料供給ライン、真空引ライン、ベントライ
ン、パージラインを自動プログラムに従い、順次バルブ
1ゲ作のみて開閉しているが、バルブlFi作のみでは
、真空引、ベント等の確認が不1分となり、事故の原因
となる。実際、危険性ガスによる事故はボンベ、あるい
はボトル交換作業時に、多く、中でもボンベ、あるいは
ボトルの口金部を取り外したときに集中している。
する場合、原料供給ライン、真空引ライン、ベントライ
ン、パージラインを自動プログラムに従い、順次バルブ
1ゲ作のみて開閉しているが、バルブlFi作のみでは
、真空引、ベント等の確認が不1分となり、事故の原因
となる。実際、危険性ガスによる事故はボンベ、あるい
はボトル交換作業時に、多く、中でもボンベ、あるいは
ボトルの口金部を取り外したときに集中している。
[課題を解決するための手段]
本発明は、ボンベ、あるいはボトルの取り替え時に、」
二連のような問題が全く生しないように構成したもので
あり、原料ガスのボンベの口金接続部に連結される配管
が分岐され、それぞれ成長室への原料ガス供給ライン、
パージライン、ベントライン、真空ラインにつながる間
に設けられたバルブによって区画され、この区画された
配管に減圧域から加圧域まで計測可能な圧力計器を取り
付け、この圧力計器よりの圧力電気信号をバルブ切換え
操作の要件とすることによって、事故の発生を未然に防
止できるように構成するものである。
二連のような問題が全く生しないように構成したもので
あり、原料ガスのボンベの口金接続部に連結される配管
が分岐され、それぞれ成長室への原料ガス供給ライン、
パージライン、ベントライン、真空ラインにつながる間
に設けられたバルブによって区画され、この区画された
配管に減圧域から加圧域まで計測可能な圧力計器を取り
付け、この圧力計器よりの圧力電気信号をバルブ切換え
操作の要件とすることによって、事故の発生を未然に防
止できるように構成するものである。
以下第1図に示す実施例により本発明を説明する。
図は11ス)の原料ガスボンベについての構成について
示している。3は原料ガスボンベを示し、4はその手動
弁を示し、5は配管6との口金接続部を示す。口金接続
部5より延びる配管6を分岐し、バルブ■1を介し成長
室への供給ライン■、バルブV2を介しパージライン■
、バルブV3を介しベントライン■、バルブV4を介し
真空ライン■にそれぞれつながり、またこのように1」
全接続部5、バルブV+ −V4で区画された配管6に
減圧域から加圧域まで計測可能な圧力計器7が取り付I
Jられる。圧力計器7の一例は第2図に示される構成の
ものである。図において10はダイヤフラムであり、1
1は半導体歪ゲージであり、圧力に応答してダイヤフラ
ム10の曲面はその曲率を変え、これに固着されている
半導体歪ゲージ11は電気信号を発生する。このような
歪ゲージによるもののほか、ブルドン管式のものも用い
ることができるが、デッドスペースのないものが好まし
い。
示している。3は原料ガスボンベを示し、4はその手動
弁を示し、5は配管6との口金接続部を示す。口金接続
部5より延びる配管6を分岐し、バルブ■1を介し成長
室への供給ライン■、バルブV2を介しパージライン■
、バルブV3を介しベントライン■、バルブV4を介し
真空ライン■にそれぞれつながり、またこのように1」
全接続部5、バルブV+ −V4で区画された配管6に
減圧域から加圧域まで計測可能な圧力計器7が取り付I
Jられる。圧力計器7の一例は第2図に示される構成の
ものである。図において10はダイヤフラムであり、1
1は半導体歪ゲージであり、圧力に応答してダイヤフラ
ム10の曲面はその曲率を変え、これに固着されている
半導体歪ゲージ11は電気信号を発生する。このような
歪ゲージによるもののほか、ブルドン管式のものも用い
ることができるが、デッドスペースのないものが好まし
い。
圧力と電気信号の関係はリニア特性を具えるものが望ま
しく、その好ましい特性は低圧力、大気圧、高圧力、す
なわち減圧域から加圧域に対し第3図に示すように明確
に区分される電気信号を発生するものが必要である。第
1図で8は制御器(旧算機)を示す。圧力4器7よりの
圧力電気信号は制御器8に入力し、制御器8よりは後述
のようにプログラムに従い、バルブV+ −V4にバル
ブ開閉信号を出力してバルブV1〜V4を開閉する。
しく、その好ましい特性は低圧力、大気圧、高圧力、す
なわち減圧域から加圧域に対し第3図に示すように明確
に区分される電気信号を発生するものが必要である。第
1図で8は制御器(旧算機)を示す。圧力4器7よりの
圧力電気信号は制御器8に入力し、制御器8よりは後述
のようにプログラムに従い、バルブV+ −V4にバル
ブ開閉信号を出力してバルブV1〜V4を開閉する。
[動作]
原料ガスボンベ3内のガスを消尽し、新ボンベに交換す
る場合、次のような手順で行なわれる。
る場合、次のような手順で行なわれる。
圧力計器7からそれぞれの圧力に対応した電気信号が得
られ、この信号を制御器8にとりこみ、確認したうえで
、次ステツプへ進ませる。従って閉ループ制御となり確
実な制御ができる。
られ、この信号を制御器8にとりこみ、確認したうえで
、次ステツプへ進ませる。従って閉ループ制御となり確
実な制御ができる。
る。
(へ)場合によって、に)、(ホ)を数回繰返す。
これにより、配管6内の残存ガスを十分に1ノ1し、t
n浄にする。
n浄にする。
(ト)そこで、口金接続部5を外し、ボ/べ3を取り替
える。
える。
前記(イ)〜に)の各状態に移る際、例えば(ロ)にお
しλてはバルブV3を開くというステ、プになっていて
も、圧力81器7から前ステップの高圧力(Jj’ ”
rカ’制御器8にフィードバックされこれを確認しない
かぎり、このステップは動作せす、また(ハ)において
はバルブV3を閉じ、V4を開くというステップになっ
ていても、圧力計器7からの大気圧(1iシ;か制御器
8にフィードバックされ、これを確認しないかぎり、こ
のステップは動作せす、次のステップには進めないプロ
グラム構成となっている。
しλてはバルブV3を開くというステ、プになっていて
も、圧力81器7から前ステップの高圧力(Jj’ ”
rカ’制御器8にフィードバックされこれを確認しない
かぎり、このステップは動作せす、また(ハ)において
はバルブV3を閉じ、V4を開くというステップになっ
ていても、圧力計器7からの大気圧(1iシ;か制御器
8にフィードバックされ、これを確認しないかぎり、こ
のステップは動作せす、次のステップには進めないプロ
グラム構成となっている。
ボンベ等の手動弁を除き、このガス供給部のバルブの切
換えは前記手順によって自動的に行われる。
換えは前記手順によって自動的に行われる。
「発明の効果コ
以」二説明したように、本発明においては、従来のよう
に、バルブ切換えの各ステップ間に適当な時間を設定し
てプログラムによって順に各ラインに入っているバルブ
の開閉を行うのではなく、圧力計器を原料ガスボンベの
口金接続部の近傍、つまり、口金接続部とこれと近接す
る成長室への供給ライン、パージライン、ベントライン
、i’c空ラインを開閉するバルブによって区画された
配管に取すイ−1けた圧力計器よりの高圧力、大気圧、
低圧力電気的圧力信号を得ることができ、これらの信号
により切り換えの都度、そのバルブ切り換えステップを
進行させてよいか確認してそのステップを進行させるの
で、極めて安全に原料ガスボンベ、ボトルの取り換えを
行うことができ、特に原料ガスが打i+1ガスである場
合効果は大きい。
に、バルブ切換えの各ステップ間に適当な時間を設定し
てプログラムによって順に各ラインに入っているバルブ
の開閉を行うのではなく、圧力計器を原料ガスボンベの
口金接続部の近傍、つまり、口金接続部とこれと近接す
る成長室への供給ライン、パージライン、ベントライン
、i’c空ラインを開閉するバルブによって区画された
配管に取すイ−1けた圧力計器よりの高圧力、大気圧、
低圧力電気的圧力信号を得ることができ、これらの信号
により切り換えの都度、そのバルブ切り換えステップを
進行させてよいか確認してそのステップを進行させるの
で、極めて安全に原料ガスボンベ、ボトルの取り換えを
行うことができ、特に原料ガスが打i+1ガスである場
合効果は大きい。
第1図は本発明の実施例を示す。
第2図は、前記実施例で用いられる圧力、il器の−・
例を示す。 第3図は、前記圧力計器の出力信号特性を示す。 第4図は、CVD装置における原料ガス供給部の概略説
明図である。 3・・・原料ガスボンベ、4・・・原料ガスボンベの手
動弁、5・・・口金接続部、6・・・配管、7・・・圧
力4器。
例を示す。 第3図は、前記圧力計器の出力信号特性を示す。 第4図は、CVD装置における原料ガス供給部の概略説
明図である。 3・・・原料ガスボンベ、4・・・原料ガスボンベの手
動弁、5・・・口金接続部、6・・・配管、7・・・圧
力4器。
Claims (2)
- (1)CVD装置の原料ガス供給部に連結される原料ガ
スボンベあるいはボトルの口金接続部に連結される配管
が分岐され、それぞれ成長室への原料ガス供給ライン、
パージライン、ベントライン、真空ラインにつながる間
に設けられたそれぞれのバルブによって区画され、この
区画された配管に減圧域より加圧域まで計測可能な圧力
計器を取り付け、該計器より前記配管内圧力に従い圧力
電気信号を発生することを特徴とするCVD装置の原料
ガス供給部。 - (2)請求項(1)の原料ガス供給部に取り付けられた
圧力計器よりの圧力電気信号を制御器に入力し、真空引
、ベント、パージステップの圧力確認を行うことを特徴
とするCVD装置の原料ガス供給部。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11509988A JPH01287277A (ja) | 1988-05-11 | 1988-05-11 | Cvd装置の原料ガス供給部 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11509988A JPH01287277A (ja) | 1988-05-11 | 1988-05-11 | Cvd装置の原料ガス供給部 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01287277A true JPH01287277A (ja) | 1989-11-17 |
Family
ID=14654192
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11509988A Pending JPH01287277A (ja) | 1988-05-11 | 1988-05-11 | Cvd装置の原料ガス供給部 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01287277A (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0550058A2 (en) * | 1991-12-30 | 1993-07-07 | Texas Instruments Incorporated | A programmable multizone gas injector for single-wafer semiconductor processing equipment |
US5453124A (en) * | 1992-12-30 | 1995-09-26 | Texas Instruments Incorporated | Programmable multizone gas injector for single-wafer semiconductor processing equipment |
US5571329A (en) * | 1993-02-09 | 1996-11-05 | Gi Corporation | Gas flow system for CVD reactor |
JPH1028855A (ja) * | 1996-07-12 | 1998-02-03 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | ガス供給装置及び気相成長用設備 |
US6660094B2 (en) * | 2001-05-30 | 2003-12-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Apparatus and method for forming deposited film |
US6733621B2 (en) * | 2002-05-08 | 2004-05-11 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Venting apparatus and method for vacuum system |
US7001640B2 (en) | 2000-05-31 | 2006-02-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Apparatus and method for forming deposited film |
CN108216385A (zh) * | 2017-12-27 | 2018-06-29 | 重庆长安汽车股份有限公司 | 一种车身地板座椅安装点结构 |
-
1988
- 1988-05-11 JP JP11509988A patent/JPH01287277A/ja active Pending
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0550058A2 (en) * | 1991-12-30 | 1993-07-07 | Texas Instruments Incorporated | A programmable multizone gas injector for single-wafer semiconductor processing equipment |
US5453124A (en) * | 1992-12-30 | 1995-09-26 | Texas Instruments Incorporated | Programmable multizone gas injector for single-wafer semiconductor processing equipment |
US5571329A (en) * | 1993-02-09 | 1996-11-05 | Gi Corporation | Gas flow system for CVD reactor |
JPH1028855A (ja) * | 1996-07-12 | 1998-02-03 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | ガス供給装置及び気相成長用設備 |
US7001640B2 (en) | 2000-05-31 | 2006-02-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Apparatus and method for forming deposited film |
US6660094B2 (en) * | 2001-05-30 | 2003-12-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Apparatus and method for forming deposited film |
US6733621B2 (en) * | 2002-05-08 | 2004-05-11 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Venting apparatus and method for vacuum system |
CN108216385A (zh) * | 2017-12-27 | 2018-06-29 | 重庆长安汽车股份有限公司 | 一种车身地板座椅安装点结构 |
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