CN109075447A - Rfid标签 - Google Patents

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Abstract

本发明的课题在于提供一种能够以简单的结构谋求天线效率提高的RFID标签。具有：用于与读写器进行信号的收发的天线(3)；和连接有该天线(3)的IC芯片(1)，在与形成有天线(3)的绝缘层上的外周端缘相比的内侧部分具有多个连接端子(5A、5B)，将绝缘层上的外周端缘与多个连接端子(5A、5B)之间的距离作为内外方向的宽度，在绝缘层上的外周整个区域或外周大致整个区域具有环状的天线形成区域，天线(3)以多个连接端子中的一个连接端子(5A)作为起点，并以剩余的连接端子中的一个连接端子(5B)作为终点，以导体线在所述天线形成区域内绕圈的方式形成为环状。

Description

RFID标签
本申请主张日本专利申请2016－082202号的优先权，并通过引用纳入本申请说明书的记载中。
技术领域
本发明涉及RFID标签，该RFID标签具备天线，该天线用于以非接触方式与读写器进行信号的收发。
背景技术
该RFID标签具有记录信息的IC芯片和连接于该IC芯片的天线。而且，在RFID标签中，通过天线进行与读写器的无线通信，由此能够对存储于IC芯片的信息进行读取，并向IC芯片进行信息的写入。
在这样的RFID标签中，近年希望其极小型化的要求日渐增强，作为回应该要求的极小RFID标签，例如，已知专利文献1公开的RFID标签。该RFID标签的天线由与所述IC芯片重合并一体地接合的多层天线构成。该多层天线具备：具有与IC芯片大致相同外形尺寸的基体；形成于该基体上的第1线圈；经由绝缘膜层叠于所述第1线圈的第2线圈；对第2线圈进行保护的保护膜。
在专利文献1的RFID标签中，由于天线为多层天线，所以，天线的匝数变多。其结果，所述RFID标签能够谋求天线效率(例如，通信距离)的提高。但是，所述RFID标签还无法满足充分的通信距离，存在改善的余地。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本国专利第4713621号公报
发明内容
发明欲解决的课题
本发明是鉴于该情况作出的发明，其课题在于提供一种能够以简单的结构谋求天线效率提高的RFID标签。
用于解决课题的手段
本发明的RFID标签，为了解决所述课题，
一种RFID标签，具有：用于与读写器进行信号的收发的天线；和连接有该天线的IC芯片，该RFID标签具有：
形成有所述天线的绝缘层；
多个连接端子，该多个连接端子与该绝缘层上的外周端缘相比位于内侧部分，
在该绝缘层上的外周整个区域或外周大致整个区域形成有环状的天线形成区域，
所述天线，以所述多个连接端子中的一个连接端子作为起点，并以剩余的连接端子中的某一个连接端子作为终点，且以导体线在所述天线形成区域内绕圈的方式形成为环状，所述导体线的纵横尺寸比为1.0～5.0的范围，
在与所述天线的绕圈方向正交的径向上相邻的导体线的线宽大致相同，所述线宽被设定在2μm～7μm的范围，并且在所述径向上相邻的导体线彼此间的距离被设定在2μm～7μm的范围。
本发明的RFID标签，还可以为，所述天线匝数为1.5～10匝。
本发明的RFID标签，还可以为，所述绝缘层为所述IC芯片的封装，
在所述IC芯片的封装上具备所述天线。
本发明的RFID标签，还可以为，所述绝缘层为所述IC芯片的封装，
具有与所述天线以大致同一频率工作的增益天线。
本发明的RFID标签，还可以为，所述天线构成为，在UHF带中进行无线通信。
附图说明
图1A是搭载了天线的IC芯片的俯视图。
图1B是图1A的上端部的放大图。
图2A是图1A的上端部左侧的放大图。
图2B是图1A中的II－II线剖视图。
图3A是在增益天线的凹部中收容了IC芯片的纵剖视图。
图3B是图3A的区域A的放大图。
图3C是在增益天线的凹部中收容了IC芯片的俯视图。
图4是通过等高线表示根据电磁场仿真计算的磁场的说明图。
图5A是表示相对于本发明的第一RFID标签和第一式样的频率，磁场的振幅的曲线图。
图5B是表示第一式样的输入/输出端子周边的俯视图。
图6是表示相对于本发明的第一、第二RFID标签与第二式样的频率，磁场的振幅的曲线图。
图7是表示相对于本发明的第一RFID标签与第三式样的频率，磁场的振幅的曲线图。
图8A是表示相对于本发明的第三RFID标签和第四式样的频率，磁场的振幅的曲线图。
图8B是第四式样的俯视图。
具体实施方式
以下，基于附图对本发明的RFID标签的第1实施方式进行说明。在图1A中示出了无源型的RFID标签4，该RFID标签4在IC芯片1的封装(由树脂形成的绝缘层)的上表面的外周缘经由绝缘层2以能够电导通的方式搭载有天线3。
IC芯片1在俯视时大致为正方形。此外，IC芯片1还可以为圆形、椭圆形或多边形等形状。
另外，IC芯片1能够使用0.5mm见方(纵0.5mm×横0.5mm)～0.9mm见方(纵0.9mm×横0.9mm)的芯片，在本实施方式中，使用0.9mm见方(纵0.9mm×横0.9mm)的IC芯片1。
IC芯片1在四个角部具有连接端子5A、5B、5C、5D，该四个连接端子5A、5B、5C、5D相对于外周端缘被设于内侧部分。
此外，在四个连接端子中，图1A中配置于纸面上方侧的两个连接端子5A、5B与天线连接。进一步具体地说明，在一侧(图1A的纸面左上侧)的输入/输出端子5A上连接有天线3的一端，在另一侧(图1A的纸面右上侧)的输入/输出端子5B上连接有天线3的另一端。在四个连接端子中，图1A中配置于纸面下方侧的两个连接端子5C、5D为虚设端子。此外，在本实施方式中，在以下的说明中，有时将连接有天线3的一端的连接端子5A、连接有天线3的另一端的连接端子5B称作输入/输出端子5A、5B。
绝缘层2由聚酰亚胺、环氧树脂或有机硅树脂等构成，通过旋转涂覆法(旋涂法)、印刷法或层合法形成。另外，绝缘层2还能够通过粘贴由感光性聚酰亚胺等感光性树脂形成的片或膜来形成。
在IC芯片1的封装上的外周的大致整个区域设定有环状的天线形成区域。此外，成为所述封装上的外周的大致整个区域是由于：以连接于连接端子5B的导体线3a和相对于该导体线3a向内侧卷绕的导体线3a不重叠的方式，将向内侧卷绕的导体线3a卷绕在连接端子5B的内侧而不是卷绕于封装上的外周端缘与连接端子5B之间。另外，天线形成区域被设定为在相对于自身的周向正交的方向上具有规定的宽度。
天线3具有形成在天线形成区域(封装的上表面(设置面)的外周缘)的螺旋状的导体图案。导体图案以成为大致矩形的方式呈卷绕数次(图1A中为4.75次)的形状，该导体图案的开始卷绕的部分成为从连接端子5B朝向封装的外周端缘笔直地延伸、并在封装的外周端缘的近前弯曲的形状。
此外，在本实施方式中，有时将以导体图案的卷绕开始处作为起点的各周部分称作绕圈部分进行说明。另外，导体图案的最内侧的部分其长度虽未达到1周的量，但将从第一周的部分到第四周的部分同样称作绕圈部分。
导体图案能够使用各种导电材料，但能够使用例如铜、银、铝等。另外，导体图案能够采用涂覆导体糊并进行烧结的厚膜法、溅镀法、蒸镀法、真空镀敷法、光刻法(photolithography)或印刷法等各种制法形成。
导体图案的各绕圈部分中包含与封装的上表面(设置面)的各外周端相适地配置的多根导体线3a。多根导体线3a相互连续，以一侧的输入/输出端子5A为起点，以另一侧的输入/输出端子5B为终点，并以在所述天线形成区域内绕圈的方式形成为螺旋状。
导体线3a的纵横尺寸比被设定为1.0～5.0的范围。天线3，其纵横尺寸比越大则导体线3a的截面积越增大、且天线3的配线的电阻成分越降低，因此优选。
天线3的纵横尺寸比若超过5.0则制造会变得困难。因此，天线3的纵横尺寸比的界限值为5.0。
另一方面，天线3的纵横尺寸比若比1.0小，则为了确保电阻值而需要增加导体线3a的匝数，故会导致导体图案的宽度变宽。因此，变得无法在天线形成区域内确保通信所需要的导体线3a的匝数。因此，纵横尺寸比的最小值为1.0。
此外，如图2B所示，纵横尺寸比是指，在导体线3a的纵截面中，长边的长度(纵尺寸)H相对于短边的长度(横尺寸)L的比(H/L)。在本实施方式中，在以下的说明中，有时会将天线3的设置面的法线方向称作纵方向，将天线3的设置面的面方向称作横方向并进行以下的说明。
导体图案的开口部3K的开口面积，如图1B所示，为由导体线3a…中位于径向最内缘的四根导体线3a、即从导体图案的外侧数第五根导线的绕圈部分所包含的导体线3a(以下，称作第1导体线3A)包围的面积(参照图1A)。
另外，导体线3a的线宽，也就是导体线3a、3a的所述横尺寸L(参照图2A)，在该导体线3a的全长范围内相同或大致相同。导体线3a、3a的线宽L能够被设定为2μm～7μm范围内的任意的值，本实施方式中被设定为2μm。
另外，径向相邻的导体线彼此间的距离(所谓线空间)S能够被设定为2μm～7μm的范围内的任意的值。
导体图案通过导体线3a在IC芯片1的上表面的外周缘以螺旋状卷绕而形成。
而且，导体线3a以每绕一周都向内侧错位的方式卷绕成螺旋状。因此，导体线3a相对于先设于IC芯片1的上表面的部分隔开间隔S而被卷绕成螺旋状。此外，在导体线3a中，在卷绕方向的各位置，间隔S成为恒定的距离。
这里，对于导体线3a来说，由于其一端连接于图1A中右上的输入/输出端子5B，因此，导体图案构成为，以与该连接的导体线3a不接触的方式，卷绕开始的部分从输入/输出端子5B朝向封装的外周端缘延伸、且与该卷绕开始的部分连续的部分通过输入/输出端子5B的内侧。
此外，IC芯片1，如前所述，为0.9mm见方(纵0.9mm×横0.9mm)，从该IC芯片1的最外端到输入/输出端子5A(图1B中示出了左上的输入/输出端子)的间隔Z1、Z2为65μm、65μm。而且，从导体图案的第一周绕圈部分(从卷绕开始处开始一周量的绕圈部分)到第四周绕圈部分所包含的导体线3a以通过IC芯片1的最外端与输入/输出端子5A之间的方式配置。
在IC芯片1的最外端和两个虚设端子5C、5D之间也有从导体图案的第一周绕圈部分到第四周绕圈部分所包含的导体线3a通过。
这样，导体图案的从第一周绕圈部分到第四周绕圈部分所包含的导体线3a，以连接端子5D、5C、5A的外侧(连接端子5D、5C、5A与封装的外周端缘之间)、连接端子5B的内侧的顺序通过并以成为螺旋状的方式被卷绕，由此，导体线3a以在所述内外方向不重合的方式被卷绕成螺旋状。
导体图案的第五周绕圈部分所包含的导体线3a(即，第1导体线3A)通过虚设端子5C、5D的内侧。天线的匝数为4.75，但根据共振频率(这里为920MHz)能够设为1.5～10间的任意的数。
导体线3a的线宽L若不足2μm则无法制造导体图案，若超过7μm则无法确保所需要的匝数，因此，导体线3a的线宽L被设定为2μm～7μm范围的值。
导体线3a、3a彼此间的距离(所谓线空间)S，与导体线3a的线宽L同样地，若不足2μm则无法制造导体图案，若超过7μm则无法确保所需要的匝数，因此，距离S被设定为2μm～7μm范围的值。
此外，从IC芯片1的最外端到输入/输出端子5A的间隔Z1、Z2不限于65μm、65μm，能够设定为30μm～90μm范围内的任意数值。另外，这里表示了从IC芯片1的最外端到输入/输出端子5A的间隔Z1与间隔Z2为相同间隔的情况，但间隔Z1与间隔Z2还可以为不同的间隔。
所述结构的RFID标签的共振频率被设定为920MHz。该共振频率f通过下述式求出。
f＝1/2π×√(LC)
这里，L为等效电感，C为在输入/输出端子5A、5B间发生的IC芯片的等效容量。根据上述式，所需要的线圈的等效电感L能够通过下述式求出。
L＝1/(2πf)2×C
也就是说，若将共振频率f设定为UHF带即920MHz(可以为865MHz～928MHz的任意值)，则只要确定了L或C中一方的值，就能够确定L或C中另一方的值。
此外，C由于是按每个IC芯片1所确定的固有的值，因此，需要基于C的值适当设定L的值，L的值根据导体线3a的纵横尺寸比、线宽L、导体线3a、3a彼此间的距离S确定，这些值被设定在前述的范围内。
而且，通过将导体线3a的纵横尺寸比、线宽L、导体线3a、3a彼此间的距离S的值设定在前述的范围内，而形成靠近绝缘层上的外周缘而配置有导体线3A、3a的导体图案3。由此，不仅能够增大天线的半径，还能够增加匝数。因此，能够抑制对于导体线中流通的电流的电阻，同时由于能够增大天线的半径，故能够提高天线增益(gain)从而谋求天线效率(通信距离)的提高。
另外，线圈的电感L与线圈的截面积S与匝数N的关系为，L＝AN2S。此外，A为常数。根据上述式，若匝数N增多、且线圈的截面积S增大，则能够增大电感L、减小(降低)共振频率。
接下来，对将天线3安装于IC芯片1来制造RFID标签的制造方法进行说明。
通过PI(聚酰亚胺)作为绝缘层对IC芯片1的上表面进行涂层。然后，在绝缘层上通过溅射对用于电镀加工的籽晶层进行涂层。接下来，从籽晶层之上通过光致抗蚀剂形成用于层叠天线图案的模。
接下来，过渡到电镀工序，层叠天线图案。然后，在除去所述模层后，除去露出的不需要的籽晶层。之后，利用PI(聚酰亚胺)涂层出保护天线图案的保护膜，从而结束RFID标签的制造。
接下来，对第2实施方式进行说明。本实施方式的RFID标签4，如图3A、图3C所示，具有设于IC芯片1的上表面的所述的天线3和以大致同一频率工作的增益天线6。本实施方式的RFID标签4由于具有增益天线6，而具有能够提高收发灵敏度从而延长信息传递距离的优点。此外，搭载于IC芯片1的天线3，由于与图1A、图1B及图2A、图2B为相同结构，因此，省略与其相关的说明。另外，图3B、图3C中没有图示天线3。
增益天线6具有导体图案(天线)9，该导体图案(天线)9在作为绝缘层(设置平面)的陶瓷制(还可以为其他各种合成树脂材料)的矩形的台7的外周部上介由陶瓷制的绝缘层8将导体线9a…以螺旋状卷绕大致1.75次(还可以为两次以上且到五次的多次卷绕)。在绝缘层8之上形成有陶瓷制的载置部10，该载置部10形成有用于载置IC芯片1的凹部10A，该凹部10A在俯视图中呈矩形。
所述天线9构成为以与IC芯片1相同的频率进行共振。另外，天线9与IC芯片1的天线3进行电磁结合并通信。也就是说，IC芯片1介由增益天线6与读写器进行通信。因此，虽然IC芯片1的天线3的尺寸较小，但通过介由比IC芯片1的天线3大的增益天线6进行通信而能够延长通信距离。此外，读写器是指能够与IC芯片1进行通信的设备。
另外，IC芯片1的天线3由在IC芯片1自身一体形成有天线3的片上天线构成，因此，不需要用于连接IC芯片1与天线3的接点。
而且，由于IC芯片1与增益天线6被电磁结合，因此，具有耐环境性强的优点。例如，在低温、高温、振动等环境下，在为通常的RFID标签的情况下，天线与IC的连接部(包括粘结剂)、天线的细微的图案部分等，会因天线材料、基体、粘结剂等的热膨胀不同而发生热膨胀或受到振动而断线。对此，在为具有上述的片上天线的IC芯片1与被电磁结合的增益天线6的组合的情况下，只要将IC芯片1设置在增益天线6的中央附近(图3A的凹部10A)即可，因此，不会因热膨胀或振动而断线，可以说是耐环境性强的RFID标签。此外，还可以在将IC芯片1设置在增益天线6的中央附近后，通过具有与陶瓷同等或大致同等的热膨胀率的树脂进行制模。
作为导体图案9能够使用各种导电材料，但能够使用例如铜、银、铝等。另外，导体图案9能够采用涂覆导体糊并进行烧结的厚膜法、溅镀法、蒸镀法、真空镀敷法、光刻法(photolithography)或印刷法等各种制法形成。
导体图案9的开口部9K的开口面积，如图3C所示，是位于径向的导体线9a中的位于最内周缘的四根第1导体线9A、9A、9A、9A(参照图3C)所包围的面积。
另外，在径向上相邻的导体线9a的线宽，也就是短边长(横尺寸)L大致相同。另外，天线匝数为1.75匝，但优选为1.5～10的任意的匝数。
图1A、图1B及图2A、图2B所示的本发明的RFID标签4，将导体图案形成为4.75匝，但本发明的RFID标签4还可以将导体图案的匝数形成为5.75匝。对本发明规格不同的三种RFID标签(匝数同为5.75圈)和作为比较例的、一部分规格与本发明的RFID标签的规格不同的另外四种RFID标签进行电磁场仿真，并将算出的磁场的振幅制成曲线图，以下对其进行考察。图4中，通过等高线表示根据电磁场仿真所计算出的磁场。图4中，将位于沿Z轴方向距RFID标签的封装中心2mm处的点作为Pobs，从715MHz到1115MHz之间按每20MHz算出点Pobs处的磁场。将这些算出的值绘制在横轴取频率(GHz)、纵轴取磁场的振幅(A.U.)的曲线图中。这里，工作频率即915MHz中的磁场的振幅很重要，振幅的值为越大的值，则通信距离越提高。
图5A中，将本发明的第一RFID标签的数据以黑圆点进行绘制，且将作为比较例的第一式样的RFID标签的数据以+进行绘制。这里，本发明的第一RFID标签，在绝缘层上的外周端缘与多个连接端子之间的天线形成区域配置天线，并使纵横尺寸比为1.25、使径向上相邻的导体线3a的线宽为4μm、使导体线3a、3a彼此间的距离(所谓，线空间)S为2.83μm、使匝数为5.75匝。而第一式样的RFID标签，在绝缘层上的外周端缘与多个连接端子之间的天线形成区域配置天线，并使纵横尺寸比为1.25、使径向上相邻的导体线3a的线宽为10μm(本发明的范围外的值)、使导体线3a、3a彼此间的距离(所谓，线空间)S为8μm(本发明的范围外的值)、使匝数为1.75匝。
导体图案的匝数为1.75匝是由于，如图5B所示，若将线宽为10μm的导电材料卷绕一圈，则导体线3a与连接端子5B的距离M成为25μm。而在将导体间距离为8μm且线宽为10μm的导电材料卷绕两圈的情况下，在导体线3a与连接端子5B之间也需要导体线3a彼此间的距离，因此，需要使线宽10μm+导体间距离8μ×2＝26μm，超过距离M的25μm，无法卷绕两圈。
因此，导体图案的匝数被限制为1.75匝。根据图5A的曲线图，可以得到以下结果：相对于本发明的第一RFID标签的工作频率即915MHz中的磁场的大小成为超过100(A.U.)的值的情况，第一式样的RFID标签的工作频率即915MHz中的磁场的大小为不足10(A.U.)，能够使本发明的第一RFID标签的通信距离比第一式样的RFID标签的通信距离长。第一式样的RFID标签中，导体线3a的线宽及导体线3a彼此间的距离不在本发明的范围内，如本发明这样，线宽在2μm～7μm的范围内、且导体线3a彼此间的距离在2μm～7μm的范围内很重要。
图6中，通过涂满(实心)的圆点来绘制所述本发明的第一RFID标签的数据，并通过涂满(实心)的三角来绘制与所述本发明的第一RFID标签不同规格的本发明的第二RFID标签的数据，通过中空的菱形绘制作为比较例与第一式样不同的规格的RFID标签的数据。
这里，本发明的第一RFID标签，与前述同样地，在绝缘层上的外周端缘与所述多个连接端子之间的天线形成区域配置天线，并使纵横尺寸比为1.25、使径向上相邻的各导体线3a的线宽为4μm、使导体线3a、3a彼此间的距离(所谓，线空间)S为2.83μm、使导体图案的匝数为5.75匝。
另外，本发明的第二RFID标签，与本发明的第一RFID标签同样地，在绝缘层上的外周端缘与多个连接端子之间的天线形成区域配置天线，并使纵横尺寸比为2.5(与本发明的第一RFID标签不同的值)、使径向上相邻的各导体线3a的线宽为4μm(与本发明的第一RFID标签相同的值)、使导体线3a、3a彼此间的距离(所谓，线空间)S为2.29μm(与本发明的第一RFID标签不同的值)、使导体图案的匝数为5.75匝。
对此，第二式样的RFID标签，与本发明的第一RFID标签同样地，在绝缘层上的外周端缘与多个连接端子之间的天线形成区域配置天线，并使纵横尺寸比为0.5、使径向上相邻的各导体线3a的线宽为4μm(本发明的范围内的值)、使导体线3a、3a彼此间的距离(所谓，线空间)S为3μm(本发明的范围内的值)、使导体图案的匝数为5.75匝。
根据图6的曲线图，得到以下结果：对于本发明的第一RFID标签及本发明的第二RFID标签的工作频率即915MHz中的磁场的大小都为超过100(A.U.)的值的情况，第二式样的RFID标签的工作频率即915MHz中的磁场的大小为大致80(A.U.)，能够使本发明的第一RFID标签及本发明的第二RFID标签的通信距离比第二式样的RFID标签的通信距离长。第二式样的RFID标签仅纵横尺寸比在本发明的纵横尺寸比的范围即1.0～5.0外，如本发明这样，将纵横尺寸比设定在1.0～5.0的范围内很重要。
图7中，通过涂满(实心)的圆点对所述本发明的第一RFID标签的数据进行绘制，通过×对作为比较例的第三式样的RFID标签的数据进行绘制。这里，本发明的第一RFID标签，与前述同样地，在绝缘层上的外周端缘与多个连接端子之间的天线形成区域配置天线，并使纵横尺寸比为1.25、使在径向上相邻的导体线3a的各线宽为4μm、使导体线3a、3a彼此间的距离(所谓，线空间)S为2.83μm、使导体图案的匝数为5.75匝。
对此，第三式样的RFID标签，在绝缘层上的外周端缘与多个连接端子之间的天线形成区域配置天线，并使纵横尺寸比为0.5(在本发明的范围外的值)、使径向上相邻的各导体线3a的线宽为10μm(在本发明的范围外的值)、使导体线3a、3a彼此间的距离(所谓，线空间)S为8μm(在本发明的范围外的值)，与第一式样同样地使导体图案的匝数为1.75匝。根据图7的曲线图，得到以下结果：对于本发明的第一RFID标签的工作频率即915MHz中的磁场的大小为超过100(A.U.)的值的情况，第三式样的RFID标签的工作频率即915MHz中的磁场的大小不足10(A.U.)，能够使本发明的第一RFID标签的通信距离比第三式样的RFID标签的通信距离长。
第三式样的RFID标签，其纵横尺寸比、导体线3a的线宽及导体线3a彼此间的距离，这些所有的值都不在本发明的范围内，如本发明这样，使纵横尺寸比在1.0～5.0的范围内、使各导体线3a的线宽在2μm～7μm的范围内、且使导体线彼此间的距离在2μm～7μm的范围内很重要。
在图8A中，通过涂满(实心)的四边形对规格与所述本发明的第一RFID标签的规格及本发明的第二RFID标签的规格不同的本发明的第三RFID标签的数据进行绘制，作为比较例通过中空且朝下的三角对第四式样的RFID标签的数据进行绘制。
这里，本发明的第三RFID标签，与前述同样，在绝缘层上的外周端缘与多个连接端子之间的天线形成区域配置天线，且使纵横尺寸比为1.67(与本发明的第一、第二RFID标签不同的值)、使径向上相邻的导体线3a的各线宽为3μm(与本发明的第一、第二RFID标签不同的值)、使导体线3a、3a彼此间的距离(所谓，线空间)S为3.9μm(与本发明的第一、第二RFID标签不同的值)、使导体图案的匝数为5.75匝。
而第四式样的RFID标签，如图8B所示，以位于绝缘层上的外周端缘与两个输入/输出端子5A、5B之间的天线形成区域R的大致一半的方式配置天线，并使纵横尺寸比为1.67(本发明的范围内)、使径向上相邻的各导体线3a的线宽为3μm(本发明的范围内)、使导体线3a、3a彼此间的距离(所谓，线空间)S为2.5μm(本发明的范围内)、使导体图案的匝数为5.75匝。
根据图8A的曲线图，得到以下结果：对于本发明的第一RFID标签的工作频率即915MHz中的磁场的大小为超过100(A.U.)的值的情况，第四式样的RFID标签的工作频率即915MHz中的磁场的大小为大致75(A.U.)，能够使本发明的第一RFID标签的通信距离比第四式样的RFID标签的通信距离长。在第四式样的RFID标签中，由于天线3的大致一半配置在与形成于IC芯片1的外周的天线形成区域R相比向内侧偏移的区域，因此，考虑是由于天线3的外径尺寸变小的缘故。
此外，本发明不限于上述实施方式，在不脱离本发明的主旨的范围内能够进行各种变更。
上述实施方式中，以向内侧卷绕的导体线3a与连接于输入/输出端子5B的导体线3a不重叠的方式，在输入/输出端子5B的内侧卷绕导体线3a并在绝缘层上的外周大致整个区域形成天线形成区域，但还可以为，以连接于输入/输出端子5B的导体线3a与向该导体线3a的内侧卷绕的导体线3a重叠的方式进行卷绕，并在绝缘层上的外周全域形成天线形成区域。该情况下，以使相重叠的导体线3a、3a(连接于输入/输出端子5B的导体线3a和向其内侧卷绕的导体线3a)在上下方向上不接触的方式使一方的导体线3a向上方分离、且以使该向上方移动了的导体线3a维持在其位置上的方式形成绝缘层。
另外，在上述实施方式中，将导体线3a并列配置成螺旋状，由此构成天线，但还可以构成为，将导体线3a在绝缘层上并列配置成环状，将由此形成的单层层叠两层以上从而构成卷绕数圈的天线。
另外，在上述实施方式中，虽在IC芯片的封装的上表面形成了天线，但还可以设置用于安装IC芯片的基板，在该基板上形成天线。此外，在基板上具有用于与IC芯片连接的多个连接端子，并从而进行实施。
附图标记的说明
1…IC芯片，2…绝缘层，3…天线(导体图案)，3a…导体线，3A…第1导体线，3K…开口部，4…RFID标签，5A、5B…输入/输出端子(连接端子)，5C、5D…虚设端子，6…增益天线，7…台，8…绝缘层，9…导体图案(天线)，9a…导体线，9A…第1导体线，9K…开口部，10…载置部，10A…凹部，H…长边长，L…短边长(线宽)，S…距离，Z1、Z2…间隔。

Claims (5)

1.一种RFID标签，具有：用于与读写器进行信号的收发的天线；和连接有该天线的IC芯片，该RFID标签具有：
形成有所述天线的绝缘层；
多个连接端子，该多个连接端子与该绝缘层上的外周端缘相比位于内侧部分，
在该绝缘层上的外周整个区域或外周大致整个区域形成有环状的天线形成区域，
所述天线，以所述多个连接端子中的一个连接端子作为起点，并以剩余的连接端子中的某一个连接端子作为终点，且以导体线在所述天线形成区域内绕圈的方式形成为环状，所述导体线的纵横尺寸比为1.0～5.0的范围，
在与所述天线的绕圈方向正交的径向上相邻的导体线的线宽大致相同，所述线宽被设定在2μm～7μm的范围，并且在所述径向上相邻的导体线彼此间的距离被设定在2μm～7μm的范围。
2.根据权利要求1记载的RFID标签，所述天线匝数为1.5～10匝。
3.根据权利要求1或2记载的RFID标签，所述绝缘层为所述IC芯片的封装，
在所述IC芯片的封装上具备所述天线。
4.根据权利要求1或2记载的RFID标签，所述绝缘层为所述IC芯片的封装，
具有与所述天线以大致同一频率工作的增益天线。
5.根据权利要求1至4的任一项所记载的RFID标签，所述天线构成为，在UHF带中进行无线通信。
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