JP2008226070A

JP2008226070A - 絶縁性金属光沢層付き非接触ｉｃタグ

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Publication number: JP2008226070A
Application number: JP2007066102A
Authority: JP
Inventors: Hiroyuki Asakura; 寛幸朝倉; Kazuyuki Takazawa; 和幸高澤; Minoru Komada; 実駒田
Original assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Current assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority date: 2007-03-15
Filing date: 2007-03-15
Publication date: 2008-09-25

Abstract

【課題】表面基材に金属蒸着を施して非接触ＩＣタグに使用すると、蒸着層が導電性を有することから通信阻害を生じる問題がある。本発明は、この金属蒸着層を絶縁性にして通信阻害を防止し、併せて、ＩＣタグの意匠性を高めることをも目的とする。
【解決手段】本発明の非接触ＩＣタグ１は、半導体チップ上にコイルを形成した構造のコイルオンチップ３が、ベースフィルム１１面に固定されており、当該コイルオンチップ３およびベースフィルム１１面には、外面に蒸着による絶縁性金属光沢層６ｍを有するフィルムまたは紙基材からなる表面基材４が積層されていることを特徴とする。表面基材４のベースフィルム１１面側に隠蔽印刷層を設けてもよく、コイルオンチップ３にブースタアンテナ２を形成してもよい。
【選択図】図１

Description

本発明は、絶縁性金属光沢層付き非接触ＩＣタグに関する。詳しくは、蒸着した金属層からなるが絶縁性である層を有するフィルムまたは紙基材が、コイルオンチップ（登録商標）を固定するベースフィルムに積層されているため、外観が金属光沢を有しながら金属層に基づく、通信性能の阻害または低下を生じない非接触ＩＣタグに関する。

本発明の絶縁性金属光沢層付き非接触ＩＣタグは、通常の非接触ＩＣタグ用途として用いられ、特に金属調の装飾効果が求められる用途に好適に利用できるものである。

本発明の技術分野は非接触ＩＣタグの製造や利用に関し、当該非接触ＩＣタグの利用分野は、運送や流通、販売管理、商品の配送や荷物の取り扱い、遊戯用途等であり、具体的な用途例としては、荷札、ラベル、伝票、チケット、カード類、がある。

非接触ＩＣタグは、情報を記録して保持し非接触で外部装置と交信して情報交換できるので、運送や物流等における認識媒体として、あるいは商品の品質管理、在庫管理等の識別媒体のように、各種目的に多用されるようになってきている。

しかし、従来、金属調の美麗な光沢を有する非接触ＩＣタグが需められる場合があっても、基材にアルミ箔のような金属材料を使用したり、通常の金属蒸着した材料を使用すると通信阻害が生じ実用性のある非接触ＩＣタグが得られないことが知られている。

これは、非接触ＩＣタグ送受信用の電磁波によって生成する交流磁界により金属層内に渦電流が発生し、この渦電流により送受信用の磁束に反発する磁束を生成し、それによって磁束が減衰するためと考えられている。

金属蒸着層を有する非接触ＩＣタグは、印刷では表現できない金属光沢感を持ち意匠性に優れることと、物品に使用した場合に非接触ＩＣタグの位置を明確にできるので、今後採用する要求が増大すると考えられる。そこで、金属蒸着層を使用しながら、かつ非接触ＩＣタグとリーダライタ間の通信阻害が生じない方策が求められる。

半導体チップ上にコイルを一緒に形成した構造のＲＦＩＤ用ＩＣは、コイルオンチップと呼ばれている。このコイルオンチップは、ＩＣチップ自体にアンテナコイルを有するため、ベースフィルムにアンテナを形成する必要がないか、あるいはブースタアンテナを形成してもチップと接続する必要がないため、ＩＣタグの製造が容易になる。

従って、特に長い距離の非接触通信が必要とされる場合以外の用途に好適に使用されている。そこで、本発明は、上記、絶縁性金属光沢層をコイルオンチップの非接触ＩＣタグに利用することを検討するものである。

ところで、従来から特許文献１〜特許文献４のように、金属蒸着に海・島構造を利用した先行技術が存在している。海・島構造（島構造、島状、アイランド状ともいわれる）とは、蒸着金属を微小の孤立した島とする蒸着法であり、このものは蒸着面が絶縁性であることが知られている。しかし、これらの先行文献に、海・島構造の蒸着層を非接触ＩＣタグに利用することについて提案したものはない。なお、海・島構造の生成等について記載した技術文献として、非特許文献１、非特許文献２等がある。また、特許文献５、特許文献６は本願の先願にかかるが、絶縁性金属光沢層を使用した非接触ＩＣタグに関する。
特開昭６２−１７４１８９号公報特開昭６３−１５７８５８号公報特開昭６３−２４９６８８号公報特許２７０３３７０号公報特願２００５−３６４２３５号特願２００６−０４０５４４号「薄膜工学ハンドブック」（オーム社）日本学術振興会薄膜第１３１委員会編集（昭和４７年発行）第１章真空蒸着法（Ｉ−９３〜Ｉ−９５）応用物理学選書３「薄膜」（培風館）［吉田貞史著］１９９０年６月発行第１章真空蒸着法（ページ１０〜１６、５０〜５１）

従来技術では、非接触ＩＣタグに使用するいずれかの基材に金属蒸着した場合には、通信特性の低下が生じるので金属調の光沢感を持たせることは実現できなかった。そこで、本発明では、金属蒸着に海・島構造といわれる絶縁性蒸着層を採用することで、上記問題を解決できることを着想し、鋭意研究の結果、本発明の完成に至ったものである。

特許文献５、特許文献６に提案の非接触ＩＣタグと異なり、本願は特に、コイルオンチップを利用したことを特徴とする。

上記課題を解決する本発明の要旨の第１は、半導体チップ上にコイルを形成した構造のコイルオンチップが、ベースフィルム面に固定されており、当該コイルオンチップおよびベースフィルム面には、外面に蒸着による絶縁性金属光沢層を有するプラスチックフィルムまたは紙基材からなる表面基材が積層されていることを特徴とする絶縁性金属光沢層付き非接触ＩＣタグ、にある。

上記課題を解決する本発明の要旨の第２は、半導体チップ上にコイルを形成した構造のコイルオンチップが、ベースフィルム面に固定されており、当該コイルオンチップおよびベースフィルム面には、外面に蒸着による絶縁性金属光沢層を有し、内面に隠蔽印刷層を有するプラスチックフィルムまたは紙基材からなる表面基材が積層されていることを特徴とする絶縁性金属光沢層付き非接触ＩＣタグ、にある。

上記要旨の第１または第２の発明において、ベースフィルムのコイルオンチップとは反対側の面に、剥離紙で保護された粘着剤層を有する、ようにすることができる。

また、絶縁性金属光沢層表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定した場合の中心線平均粗さＲａが、１４ｎｍ以上であって、１００ｎｍ以下である、ようにすることができる。１４ｎｍ未満では、他の材料との密着性や接着性が低下し、１００ｎｍを超える場合は、金属光沢が失われ意匠性を損ねるからである。

また、絶縁性金属光沢層の表面抵抗率が、１０¹²〜１０²⁵Ω／□の範囲であることも好ましい。表面抵抗率が１０¹²Ω／□よりも小さい場合は通信阻害が生じ、１０²⁵Ω／□を超える場合は、金属光沢が失われ意匠性を損ねるからである。

また、絶縁性金属光沢層が、錫−アルミニウム（Ｓｎ−Ａｌ）、または錫−珪素（Ｓｎ−Ｓｉ）からなる合金、の蒸着層であるようにすれば、色彩的にも優れた金属感を再現できる。さらに、絶縁性金属光沢層が海・島構造からなり、当該海・島構造の、島サイズが２０ｎｍ〜１μｍ、島間の間隔が２５ｎｍ〜５００ｎｍの範囲であることが好ましい。

島サイズが１μｍより大きく、島間の間隔が２５ｎｍより小さいと通信阻害を生じ易く、逆に、島サイズが２０ｎｍより小さく、島間の間隔が５００ｎｍより大きい場合は、金属光沢が失われ意匠性を損ねるからである。

本発明の絶縁性金属光沢層付き非接触ＩＣタグは、表面に蒸着による金属光沢層を有する表面基材が積層されているので金属光沢感の優れた独特の意匠性を有するが、当該金属光沢層が絶縁性であるので、通信性能の阻害または低下を生じることがない。

本発明の絶縁性金属光沢層付き非接触ＩＣタグは、表面に金属光沢層を設けたので、隠蔽性と光反射性を有し、非接触ＩＣタグの位置を明確にできる。

蒸着による金属光沢層は、一般に薄層からなるので、アルミ箔を使用する場合よりも金属使用量の低減を図ることができ、しかも同等の金属光沢感や意匠効果が得られる。

請求項２の絶縁性金属光沢層付き非接触ＩＣタグは、コイルオンチップが外表面から不可視にされているので、チップの存在を隠蔽して利用者に不安感を与えることがない。

請求項４の絶縁性金属光沢層付き非接触ＩＣタグは、適切な範囲の表面粗さにされているので、適度な光沢感を与え、かつ鏡面状態となって加工適性を損なうことがない。

本発明の絶縁性金属光沢層付き非接触ＩＣタグに関し、以下図面を参照して説明する。

図１は、絶縁性金属光沢層付き非接触ＩＣタグの第１の例を示す図、図２は、同第２の例を示す断面図、図３は、コイルオンチップの平面外観図、図４は、絶縁性金属蒸着層の構造を説明する模式平面図、図５は、絶縁性金属蒸着層の模式断面図、図６は、巻取り式の真空蒸着装置の一例を示す概念的構成図である。

図１は、絶縁性金属光沢層付き非接触ＩＣタグ（以下、単に「非接触ＩＣタグ」とも表現する。）の第１の例を示す図であり、図１（Ａ）は平面図、図１（Ｂ）は図１（Ａ）のコイルオンチップ３と容量パターン２３部分を横断する断面図である。

本発明の非接触ＩＣタグ１は、図１（Ｂ）のようにベースフィルム１１面にコイルオンチップ３が固定されており、当該コイルオンチップ３、およびベースフィルム１１面には、外面に蒸着による絶縁性金属光沢層６ｍを有するプラスチックフィルムまたは紙基材からなる表面基材４が接着剤層５を介して積層されている特徴がある。コイルオンチップ３等は実際には外観からは良くは見えないようにされている。接着剤層５とコイルオンチップ３間は隙間が空いているように図示されているが密着しているものである。

表面基材４は、金属光沢層６ｍを有するので意匠性を高めるとともにコイルオンチップ３が直接外面に露出しないようにして保護する効果を有する。ベースフィルム１１のコイルオンチップ３とは反対側面には、非接触ＩＣタグ１を物品に貼着するための粘着剤層７を有し、剥離紙８で覆われて保護されているのが通常である。コイルオンチップ３の周囲にブースタアンテナ２を有するが、これについては後述する。

図２は、非接触ＩＣタグの第２の例を示す断面図である。第２の例の場合も、ベースフィルム１１のコイルオンチップ３側に、蒸着による絶縁性金属光沢層６ｍを有する表面基材４が接着剤層５を介して積層されているが、表面基材４のコイルオンチップ３面側に、隠蔽印刷層９を有する特徴がある。隠蔽印刷層９は酸化チタン顔料による白色印刷インキ等で内部を隠すようにした印刷層のことである。白色でなく他の色てもよい。ただし、アルミ粉入りのいわゆる銀インキは導電膜を形成し易いので使用しないことが好ましい。

隠蔽印刷層９により、コイルオンチップ３を外観から見難くできるため、利用者に不安感を与えない利点がある。当該目的を完全に達成するために、白色等の隠蔽印刷で不十分な場合は、着色した他の紙基材等をラミネートしてもよい。

図２の平面図は省略しているが、図１（Ａ）と同様になる。ただし、外観からは絶縁性金属光沢層６ｍが全面に見え、内部のコイルオンチップ３は完全に隠蔽されるか見難くされている。装飾的な印刷図柄を絶縁性金属光沢層６ｍ上に併用できることは勿論のことである。この場合は、意匠性を一層高いものにできる。図２の場合、ブースタアンテナ２を図示していないが、図１と同様に形成することは可能である。

図３は、コイルオンチップの平面外観図の例である。コイルオンチップ３は超小型無線自動認識ＩＣチップのことであり、良く知られるように、「μチップ（登録商標）」として、日立化成工業株式会社により製造販売されているチップである。

コイルオンチップ３は、厚み２０〜１００μｍ、０．４〜２．５ｍｍ角程度のシリコン基板３１の表面に、精密アンテナ３２とＲＦ回路、制御部、メモリー等とからなる集積回路部３３を一体に形成したものである。アンテナと３２と集積回路部３３が一体にされているので、アンテナとＩＣチップを接続する必要がなく接続の信頼性が得られる。

精密アンテナ３２は、入出力端子の形成面に、ポリイミド樹脂膜等からなる絶縁層を形成して、矩形スパイラル状のアンテナ３２を一体に形成している。すなわち、前記絶縁層形成面に導電性金属材料をスパッタリング又は真空蒸着し、個々のＩＣ素子に分割する前の状態で、フォトレジスト層を形成して所要のアンテナパターンを露光・現像して、フォトレジスト層をマスクとしてエッチングし形成すると言われる。

最新の「μチップ」は一辺が０．１５ミリ角とされ、次世代チップの厚みは７．５ミクロンとされている。１３．５６ＭＨｚや２．４５ＧＨｚ対応型が市販され、９５０ＭＨｚ帯（ＵＨＦ対応）も開発されている。従って、アンテナ形状等も各種あり、外観が図３のものに限られるわけではない。導波器となる金属線やブースタアンテナを併用しないチップ自体の通信距離は数ミリ程度の範囲となる。従って、通信を阻害しないように絶縁性金属光沢層６ｍは通常の非接触ＩＣタグの場合よりは高度の絶縁性とする必要がある。

図１では、コイルオンチップ３の外周にブースタアンテナ２が形成されているが必須の構成ではない。ただし、ブースタアンテナ２を有する場合は通信距離を大きくできる。

ブースタアンテナ２は、通常、コイルオンチップ３の精密アンテナ３２と主に電磁結合する第１コイル２１と、それと接続し外部リーダライタに備えられたアンテナと主に電磁結合する第２コイル２２とからなっている。第１コイル２１の大きさ（差し渡し）は、コイルオンチップ３の精密アンテナ３２の２〜３倍程度にするのが好ましく、第２コイル２２は外部リーダライタとの良好な電磁結合を確保するためベースフィルム１１の大きさ内で比較的大きく、一辺が１ｃｍ〜数ｃｍの大きさにするのが好ましい。巻き数はそれぞれ数回程度のものでよい。第１コイル２１と第２コイル２２の他端間には容量パターン（チップコンデンサでもよい。）２３を直列に挿入する。第１コイル２１の一端はスルーホール２４によりベースフィルム１１の裏側に通じるので、容量パターン２３はベースフィルム１１の表裏間に形成できる。挿入されたコンデンサのキャパシタンスとブースタアンテナ２のインダクタンスとにより所要の周波数の共振を生じさせることができる。

図４は、絶縁性金属蒸着層の構造を説明する模式平面図、図５は、絶縁性金属蒸着層の模式断面図である。なお、本願では絶縁性金属蒸着層であって、後述するように表面粗さが一定の範囲にあって光沢を有する場合を絶縁性金属光沢層と表現するものとする。

絶縁性金属蒸着層は、一般には、海・島構造の金属蒸着層からなるといわれている。この従来から知られている海・島構造は、蒸着材料や蒸着条件等の選定により形成できるもので、絶縁性金属蒸着層には微小な島６ａと島と島間を画する島間の間隔６ｂからなる蒸着層が形成されている。海・島構造からなる蒸着層は、プラスチックや紙基材に直接蒸着しても形成でき、または一旦転写フィルムに蒸着してから必要な基材に転写しても形成できる。いずれの場合も、島サイズや形状等はある範囲のものではあるが、正しく一定のものではない。

このような島６ａのサイズ（平均差し渡し径）は、２０ｎｍ〜１μｍ、島間の間隔（平均間隔）６ｂは、２５ｎｍ〜５００ｎｍの範囲であることが好ましい。島サイズが２０ｎｍより小さいと金属光沢がなくなり十分な装飾効果が得られない。また、１μｍ以上では導電性になってしまい通信阻害を生じるからである。

ただし、島サイズや島間間隔といっても、正しく島と島の間に溝が形成されてはいないで、肉眼でも顕微鏡でも明瞭に識別できない場合もある。その場合には、図４の断面図で示すように、島６ａ部分は金属が密な状態で厚く積層されており、島間６ｂにも金属が粗な構造ではあるが積層されている状態にある。島と島の間の粗な構造部分は結晶粒界（グレインバウンダリー）となる部分であり、電気的にも抵抗値が大きくなっている。

島６ａ自体にも粗密があり抵抗値にもばらつきがあって、導電性ではない場合もある。従って、島間の間隔が明瞭でない場合は、島間の間隔６ｂとは島間の粗な構造部分（結晶粒界またはグレインバウンダリー）と解するのが適当である。

海・島構造は蒸着原子の核の生成や成長、島どうしの合体等複雑な条件が絡み合って成膜される。蒸着金属材料、蒸着速度等の蒸着条件の選定により島サイズや島間隔の設定は可能であるが、かなり複雑な制御が必要であり材料が限定される。

一般に融点の低い金属や貴金属は制御が比較的容易であり、錫（Ｓｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、鉛（Ｐｂ）、ビスマス（Ｂｉ）、の単体金属またはその群から選ばれた二種以上の金属からなる合金、または錫−アルミニウム（Ｓｎ−Ａｌ）、錫−珪素（Ｓｎ−Ｓｉ）が用いられるが、中でも錫（Ｓｎ）は特に容易である。錫−アルミニウムの蒸着は、錫とアルミニウムの単体金属を別個のるつぼに入れて蒸気化し、基材上で合金として蒸着させることができる。錫−珪素も同様である。

アルミニウムは金属光沢に優れるが、アルミニウム自体の単体金属は、表面エネルギーが高く基板上でマイグレーションが生じやすく、島状蒸着になり難い金属材料になる。

絶縁性金属光沢層６ｍの表面抵抗率は、１０¹²〜１０²⁵Ω／□の範囲であることが好ましい。１０¹²Ω／□よりも小さい場合は導体により近くなり通信阻害が生じ、１０²⁵Ω／□より大きい場合は、金属光沢が失われ意匠性も損ねることになる。

表面抵抗率の調整は直接蒸着の場合は、蒸着速度や蒸着時間による膜厚で調整する。

絶縁性金属光沢層表面の表面粗さは、一定の範囲のものであることが好ましい。具体的には、原子間力顕微鏡で測定した場合の中心線平均粗さＲａが、２０ｎｍ〜１００ｎｍの範囲、好ましくは、２０ｎｍ〜７０ｎｍの範囲であることが望ましい。絶縁性金属光沢層６ｍの平滑性を一定範囲にするためであり、１００ｎｍを超えると金属光沢が無くなって意匠性が低下し、２０ｎｍ未満では鏡面状態となりその表面に形成する層との密着性が低下するからである。

本発明においては、凹凸部分の形態の評価として、原子間力顕微鏡（以下「ＡＦＭ」という。）で測定した結果を基に、その表面粗さＲａを測定している。測定に供するＡＦＭは、ＤｉｇｉｔａｌＩｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ製、セイコー電子株式会社製、Ｔｏｐｏｍｅｔｒｉｘ製等を使用できる。例えば、ＤｉｇｉｔａｌＩｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ製のＮａｎｏＳｃｏｐｅIII を使用した場合は、タッピングモードで凹凸処理面を５００ｎｍ×５００ｎｍの面積を測定したＡＦＭ凹凸像についてフラット処理を行った後、粗さ解析を行って表面粗さＲａ（中心線平均粗さ）を求める。海・島構造の島サイズ（平均差し渡し径）と島間隔（平均島間隔）も同様にして測定できる。測定においては、摩耗や汚れのない状態のカンチレバーを使用し、著しい凹みや突起のない均一な凹凸領域を測定個所とした。

なお、タッピングモードとは、Ｑ．ＺｏｎｇらがＳｕｒｆａｃｅＳｃｉｅｎｃｅＬｅｔｔｅｒ，１９９３年Ｖｏｌ．２９０，Ｌ６８８−６９２に説明されている通りであり、ピエゾ加振器を用いて、先端に深針をつけたカンチレバーを共振周波数近傍（約５０〜５００ＭＨｚ）で加振させ、試料表面上を断続的に軽く触れながら操作する方法であって、検出される振幅の変化量を一定に維持するように、カンチレバーの位置を凹凸方向（Ｚ方向）に移動させ、このＺ方向への移動に基づいた信号と平面方向（ＸＹ方向）の信号とによって、３次元表面形状を測定する方法である。また、フラット処理とは２次元データについて、基準面に対して１次、２次または３次元の関数で傾きの補正を処理することであり、この処理データを用いて粗さ解析を行い、以下の数１によって表面粗さＲａを算出した。数１において、Ｌｘ、Ｌｙは、表面のＸ方向、Ｙ方向の寸法であり、ｆ（ｘ，ｙ）は、中心面に対する平均ラフネス曲面である。なお、中心面とは、一般的な表面粗さ測定における粗さ曲線の中心線に相当する面であり、その面の上下の凸部と凹部の体積が等価となるように求めた平均値である。

なお、本願において、ＪＩＳＢ０６０１やその対応国際規格ＩＳＯ４６８等を用いて表面粗さを測定しなかったのは、本願で形成される絶縁性金属蒸着層表面の凹凸が極めて微細であり、従来の測定方法ではその凹凸を表す物性値が得られないことが明白であったためである。

次に、本発明の絶縁性金属光沢層付き非接触ＩＣタグの製造工程について、金属蒸着層を有する表面基材の製造工程と、非接触ＩＣタグの製造工程と、に分けて説明する。
［金属蒸着層を有する表面基材の製造工程］
表面基材４には、プラスチックフィルムや紙基材を使用する。絶縁性が必要であり、プラスチックフィルムが好ましく使用される。プラスチックフィルムに対する蒸着は容易に行われるが、紙基材では、通常以下のような問題がある。
（１）紙に含まれている水分により蒸着時に真空度が上がらないため、コンデンサーペーパのように水分の少ない特殊紙を除いては紙に処理を施す必要があり、プラスチックフィルムのようにそのままでは蒸着できない。
（２）通常の紙の場合、蒸着する前に紙を乾燥する必要があるが長時間を要するので大幅なコストアップになる。また、乾燥すると、紙本来の性質が失われるので、蒸着後に水分量を調整する必要が生じる。
（３）紙表面は粗であり、蒸着粒子が紙層内に入り込んでしまうので、蒸着前に紙表面にアンダーコートを施す必要が生じる。

しかし、近年、蒸着装置や蒸着方法の進化、材料の改善に伴い、紙材料に対する直接蒸着もかなりの量が行われている。金属蒸着層をプラスチックフィルムに形成し、別室の蒸着室内で接着剤の付いた紙基材にインラインで転写する方法等も行われている。

紙に直接蒸着する場合は、基材の前処理→乾燥→真空蒸着→後処理→加湿→蒸着製品→印刷→裁断、の工程を行う。基材の前処理とは、目止めコートを行うことである。

各種のプラスチックフィルムについても、蒸着膜との密着性等を向上させるため、予め、所望の表面処理層を設けることが好ましい。上記の表面処理層としては、例えば、コロナ放電処理、オゾン処理、酸素ガスもしくは窒素ガス等を用いた低温プラズマ処理、グロー放電処理、化学薬品を用いて処理する酸化処理、を適用できる。上記の表面前処理は、別工程で実施してもよく、また、例えば、低温プラズマ処理やグロー放電処理等による表面前処理の場合は、蒸着膜を形成する前処理としてインライン処理により前処理で行うことができる。

上記の密着性を改善する方法として、その他、例えば、各種の樹脂フィルムの表面に、予め、プライマーコート剤層、アンダーコート剤層、アンカーコート剤層、接着剤層を任意に形成して表面処理層とすることもできる。

上記の前処理のコート剤層としては、例えば、ポリエステル系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリウレタン系樹脂、エポキシ系樹脂、フェノール系樹脂、（メタ）アクリル系樹脂、ポリ酢酸ビニル系樹脂、ポリエチレン、あるいはポリプロピレン等のポリオレフィン系樹脂あるいはその共重合体ないし変性樹脂、セルロース系樹脂、等をビヒクルの主成分とする樹脂組成物を使用することができる。

なお、上記の樹脂組成物には、密接着性を向上させるために、エポキシ系のシランカップリング剤、あるいは基材フィルムのブロッキング等を防止するために、ブロッキング防止剤、その他等の添加剤を任意に添加することができる。その添加量は、０．１質量％〜１０質量％程度が好ましいものである。

上記において、コート剤層の形成法としては、例えば、溶剤型、水性型、エマルジョン型のコート剤を使用し、ロールコート法、グラビアコート法、キスコート法、その他のコート法を用いてコートすることができる。

絶縁性金属光沢層６ｍの厚みは、１０ｎｍ〜５０ｎｍ程度とする。５０ｎｍ以上とする場合は導電性となることが多い。密な金属層ではないので、７μｍのアルミニウム箔と比較して１／１０００から１／１００の使用量にできる利点がある。

蒸着方法は、一般に採用されている真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法のような物理気相成長法（ＰｈｙｓｉｃａｌＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ法；ＰＶＤ法）のほか、熱化学気相成長法、光化学気相成長法等の化学気相成長法（ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ法；ＣＶＤ法）、大気圧プラズマ法、等を用いることができる。

真空蒸着法による基材フィルムへの蒸着層の形成は、金属材料を原料として、これを真空チャンバー内で加熱蒸発させて基材フィルム上に薄膜を形成して蒸着層とすることができる。スパッタリング法による基材フィルムへの蒸着層の形成では、高周波スパッタリング法、マグネトロンスパッタリング法等の従来公知のスパッタリング法等を用いることができる。高周波スパッタリング法による基材フィルムへの蒸着層の形成は、金属材料をターゲット物質として電極表面に設置し、アルゴンガス等の不活性ガスをチャンバー内に導入し、チャンバー内の圧力を０．１〜５Ｐａ程度に維持し、上記電極に周波数が例えば、１３．５６ＭＨｚの高周波で数百ボルトの電圧を印加することにより、チャンバー内で放電を生じさせてターゲット物質のスパッタリングを行い、これにより基材フィルム上に薄膜を形成して蒸着層とすることができる。また、マグネトロンスパッタリング法による基材フィルム上への蒸着層の形成は、上記のスパッタリング法において、ターゲット物質を設置する電極に永久磁石または電磁石を設置して磁界を形成し、これにより放電の電子密度を高めスパッタリングの効率を向上させて蒸着層の薄膜を基材フィルム上に形成するものである。

イオンプレーティング法による基材フィルム上への蒸着層の形成は、金属材料を原料とし、これを真空チャンバー内で蒸発させてイオン化して基材フィルム上に衝突させて金属蒸着層とすることができる。ＰＶＤ法の場合も同様に行われるが、高真空中でターゲット（金属板等）に高エネルギーの原子を衝突させ、金属原子を吹き飛ばし、金属原子をプラスチックフィルムに付着させる方法が行われる。

以下は、一般に行われる真空蒸着法について、なお詳細に説明することとする。

図６は、巻取り式の真空蒸着装置の一例を示す概念的構成図である。図６において、真空蒸着装置４０は、真空チャンバー４２、このチャンバー内に配設された供給ロール４３ａ、巻取りロール４３ｂ、コーティングドラム４４と、仕切り板４９，４９で真空チャンバー４２と仕切られた蒸着チャンバー４５、この蒸着チャンバー４５に配設されたるつぼ４６、蒸着源５０、マスク４８，４８を備えている。この真空蒸着装置４０では、真空チャンバー４２の中で、供給ロール４３ａから繰り出す基材フィルム４１は、ガイドロール５２ａを介してコーティングドラム４４の周面を通って巻取りロール４３ｂに巻き取られる。蒸着チャンバー４５内では、るつぼ４６によって熱せられた蒸着源５０から金属原子が飛散する。この蒸発飛散した金属原子は上記の冷却したコーティングドラム４４上において、マスク４８，４８間に位置する基材フィルム４１上に付着して絶縁性金属光沢層６ｍを形成する。コーティングドラム４４は冷却されているので、金属蒸気は急速に冷却して成膜化される。絶縁性金属光沢層６ｍを形成した基材フィルム４１は、ガイドロール５２ｂを介して巻取りロール４３ｂに巻き取られる。

上記において、仕切り板４９，４９は、蒸着源５０のある蒸着チャンバー４５内の真空度を高めるため、供給ロール４３ａから供給される基材フィルム４１により真空度が低下しやすい真空チャンバー４２とを分離する隔壁となっている。従って、仕切り板４９，４９およびマスク４８，４８とコーティングドラム４４との間は極力狭い隙間になるようにされている。また、るつぼ４６は通過する基材フィルム４１の幅と略同一長さを有するようにされ、全幅方向に対して均一厚みの薄膜を形成できるようにされている。

るつぼ４６内の蒸着源５０は、高周波誘導加熱方式または抵抗加熱方式により、あるいはエレクトロンビーム（ＥＢ）加熱方式により加熱されて蒸気化し、その蒸気を基材フィルム４１上に蒸着させる。単一の金属による蒸着を行う場合は、るつぼ４６内に単一の金属からなる蒸着源５０を充填すればよい。錫（Ｓｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、鉛（Ｐｂ）、ビスマス（Ｂｉ）、等の単体金属の蒸着は、当該蒸着方法により海・島構造を形成できる。

基材フィルム４１上で二種以上の金属からなる合金を形成する場合は、図６の下側の楕円内に図示するように、二つのるつぼ４７ａ，４７ｂが並列したるつぼを使用し、それぞれに異なる種類の金属材料５１，５２を充填して多源蒸着法で蒸着すればよい。

異なる種類の金属材料５１，５２は、通常、加熱条件を異なる条件とすることが好ましい。同一のるつぼで、あるいは異なるるつぼでも同一条件で加熱する場合は、一方の金属だけが先に蒸発して、望まれる原子数比の合金膜を形成しなくなるからである。

るつぼ４７ａ，４７ｂから蒸発した金属の原子は、基材フィルム４１上で、当該二種の金属による合金を形成することになる。錫−鉛（Ｓｎ−Ｐｂ）、錫−アルミニウム（Ｓｎ−Ａｌ）、錫−珪素（Ｓｎ−Ｓｉ）合金等による蒸着膜は、このような蒸着方法により形成される。

蒸着膜が、錫−アルミニウム（Ｓｎ−Ａｌ）合金からなる場合は、蒸着膜中における金属組成は、錫（Ｓｎ）１００の原子数に対してアルミニウム（Ａｌ）が、１〜５０程度の原子数であることが好ましい。アルミニウム原子数比が、５０を超える場合は、海・島構造の絶縁性膜を形成し難く、１未満の場合はアルミニウム特有の金属光沢を持たせられなくなるからである。蒸着膜中の原子数比の測定は、Ｘ線光電子分光分析装置「ＥＳＣＡ」（ＥｌｅｃｔｒｏｎＳｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙＣｈｅｍｉｃａｌＡｎａｌｙｚｅｒ）を用いて分析することができる。

蒸着チャンバー４５内の真空度は、高度の真空度にするほど、蒸着される金属膜も密な構造になり、抵抗率も小さくなる。一般的には、蒸着チャンバー４５内は、１０^-2Ｐａ以下の真空度にすることが必要とされる。ただし、海・島構造の絶縁層を形成する蒸着では、必ずしも当該条件を満たす必要はない。蒸着膜厚は、基材フィルム４１の搬送速度や蒸着源の加熱条件、マスク４８，４８の間隔等によって制御される。

蒸着層の保護のため、絶縁性金属光沢層６ｍ表面にハードコート層を設けてもよい。また、蒸着後に隠蔽性を高めるためには、基材フィルム４１の絶縁性金属光沢層６ｍの反対側面に印刷インキによる白色隠蔽層や着色層を設ける。この目的のためには、隠蔽層として紙基材や白色フィルムをラミネートして用いてもよい。
［非接触ＩＣタグの製造工程］
本発明では、コイルオンチップ３を使用するので、一般の非接触ＩＣタグ自体を製造する工程を必要としないが、ブースタアンテナ２を形成する場合は、以下の工程を行う。

まず、ベースフィルム１１にブースタアンテナ２をフォトエッチング等の工程で製造する。フォトエッチングの場合は、ベースフィルム１１にアルミまたは銅箔をラミネートした基材を使用する。ブースタアンテナ２の線幅は、通常０．０５ｍｍから０．５ｍｍ程度の範囲とし、前記のようにコイルオンチップ３の周囲に比較的に接近して数ターン程度の第１コイル２１と、当該第１コイル２１と接続しそれよりは大サイズの第２コイル２２を形成する。ブースタアンテナ２の第１コイル２１の中心にコイルオンチップ３を接着剤等により固定する。第１コイルと第２コイルの他端間には容量パターン２３を形成する。ブースタアンテナ２とコイルオンチップ３間を接続する必要はない。
＜材質に関する実施形態＞
（１）ベースフィルム
透明または着色したプラスチックフィルムを幅広く各種のものを使用でき、以下に挙げる単独フィルムあるいはそれらの複合フィルムを使用できる。

ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ＰＥＴ−Ｇ（テレフタル酸−シクロヘキサンジメタノール−エチレングリコール共重合体）、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリカーボネート、ポリアミド、ポリイミド、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート、ポリスチレン系、ＡＢＳ、ポリアクリル酸エステル、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリウレタン、等である。ベースフィルムの膜厚としては、１２〜３００μｍ程度、より好ましくは、２０〜２００μｍ程度が望ましい。
（２）表面基材
ベースフィルムと同様に、上記した各種の材料を使用できる。表面基材４の膜厚としては８〜３００μｍ程度、より好ましくは、１０〜２００μｍ程度が望ましい。紙基材としては、上質紙、コート紙、クラフト紙、グラシン紙、合成紙、ラテックスやメラミン含浸紙、等を使用できる。
（３）接着剤、粘着剤
本明細書で接着剤という場合は、溶剤型や重合型、紫外線硬化型、エマルジョン型、熱溶融型等の各種のものをいい、いわゆる粘着剤型のものをも含むものとする。いずれであっても、双方の材料間を接着すれば目的を達成できるからである。

また、本明細書で粘着剤という場合は、徐々に粘度が顕著に上昇することなく、いつまでも中間的なタック状態を保つものをいうものとする。

接着剤、粘着剤の樹脂組成物としては、天然ゴム系、ニトリルゴム系、エポキシ樹脂系、酢酸ビニルエマルジョン系、アクリル系、アクリル酸エステル共重合体系、ポリビニルアルコール系、フェノール樹脂系、等の各種材料を使用できる。

ただし、コイルオンチップをベースフィルムに固定する際の接着剤は吸湿性の少ない樹脂材料、例えばエポキシ樹脂系を用いるのが好ましい。

以下、本発明の実施形態を実施例に基づき具体的に説明する。実施例中に使用する符号は、前述した各図面において用いた符号と同一のものとする。なお、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。

（金属蒸着層を有する表面基材の製造）
表面基材４として、予め、コロナ放電処理した厚さ２０μｍの２軸延伸ＰＥＴフィルムを使用した。まず、上記の２軸延伸ＰＥＴフィルムをＰＶＤ法真空蒸着装置４０の送り出しロールに装着し、次いで、これを繰り出し、その２軸延伸ＰＥＴフィルムのコロナ処理面上に、以下の蒸着条件により、錫（Ｓｎ）を海・島構造になるように、膜厚２０ｎｍの金属蒸着膜６ｍを形成した。蒸着チャンバー４５内の真空度を目標の真空度にするため、アルゴン（Ａｒ）ガスを蒸着チャンバーへ導入した。
（蒸着条件）
蒸着チャンバー内の真空度：７．２×１０^-4ｔｏｒｒ（９．６×１０^-2Ｐａ）
冷却ドラム温度：０°Ｃ
蒸着堆積速度：７ｎｍ／ｓｅｃ．
蒸着面：コロナ処理面
（冷却ドラムとは、コーティングドラム２４のことである。以下同様。）
（非接触ＩＣタグの製造）
非接触ＩＣタグのベースフィルム１１として、厚み３８μｍの透明２軸延伸ＰＥＴフィルムを使用した。コイルオンチップ３として、０．４ｍｍ角、２．４５ＧＨｚ帯用の「μチップ」（日立化成工業株式会社製）を使用し、エポキシ系接着剤で固定し、非接触ＩＣタグを完成した。なお、ブースタアンテナ２は形成しなかった。以下の実施例６までの各実施例、比較例もブースタアンテナ２を形成しないものである。

上記ベースフィルム１１とコイルオンチップ３面に、前記により準備した表面基材４を金属蒸着膜６ｍ面が外面になるようにして透明なエポキシ系接着剤層５を介しラミネートした。最後にベースフィルム１１の背面（コイルオンチップ３とは反対側面）に、２０μｍの粘着剤層７を介して剥離紙８を積層する粘着剤加工を行い、大きさ、５４ｍｍ×８６ｍｍに断裁して絶縁性金属光沢層付き非接触ＩＣタグ１を完成した。

（金属蒸着層を有する表面基材の製造）
表面基材４として、予め、コロナ放電処理した厚さ１２μｍの２軸延伸ＰＥＴフィルムを使用した。まず、上記の２軸延伸ＰＥＴフィルムをＰＶＤ法真空蒸着装置４０の送り出しロールに装着し、次いで、これを繰り出し、その２軸延伸ＰＥＴフィルムのコロナ処理面上に、以下の蒸着条件により、錫（Ｓｎ）を海・島構造になるように、膜厚１０ｎｍの金属蒸着膜６ｍを形成した。蒸着チャンバー４５内の真空度を目標の真空度にするため、アルゴン（Ａｒ）ガスを蒸着チャンバーに導入した。
（蒸着条件）
蒸着チャンバー内の真空度：７．４×１０^-4ｔｏｒｒ（９．９×１０^-2Ｐａ）
冷却ドラム温度：０°Ｃ
蒸着堆積速度：７ｎｍ／ｓｅｃ．
蒸着面：コロナ処理面
（非接触ＩＣタグの製造）
コイルオンチップ３として実施例１と同一の「μチップ」を使用し、厚み３８μｍの透明２軸延伸ＰＥＴフィルムからなるベースフィルム１１にエポキシ系接着剤で固定し、非接触ＩＣタグを完成した。

（金属蒸着層を有する表面基材の製造）
表面基材４として、予め、コロナ放電処理した厚さ２０μｍの２軸延伸ＰＥＴフィルムを使用した。まず、上記の２軸延伸ＰＥＴフィルムをＰＶＤ法真空蒸着装置４０の送り出しロールに装着し、次いで、これを繰り出し、その２軸延伸ＰＥＴフィルムのコロナ処理面上に、以下の蒸着条件により、錫（Ｓｎ）を海・島構造になるように、膜厚１０ｎｍの金属蒸着膜６ｍを形成した。
（蒸着条件）
蒸着チャンバー内の真空度：２．６×１０^-4ｔｏｒｒ（３．５×１０^-2Ｐａ）
冷却ドラム温度：０°Ｃ
蒸着堆積速度：１ｎｍ／ｓｅｃ．
蒸着面：コロナ処理面
上記により準備した表面基材４の金属蒸着膜６ｍ面とは反対側の面に、グラビア印刷により酸化チタン顔料による白色隠蔽層９を印刷した。
（非接触ＩＣタグの製造）
コイルオンチップ３として実施例１と同一の「μチップ」を使用し、厚み３８μｍの透明２軸延伸ＰＥＴフィルムからなるベースフィルム１１にエポキシ系接着剤で固定し、非接触ＩＣタグを完成した。実施例１と同一条件にして、前記により準備した表面基材４を金属蒸着膜６ｍ面が外面になるようにしてエポキシ系接着剤５を介して、ベースフィルム１１とコイルオンチップ３面にラミネートした。

最後にベースフィルム１１の背面（コイルオンチップ３とは反対側面）に、２０μｍの粘着剤層７を介して剥離紙８を積層する粘着剤加工を行い、大きさ、５４ｍｍ×８６ｍｍに断裁して絶縁性金属光沢層付き非接触ＩＣタグ１を完成した。

（金属蒸着層を有する表面基材の製造）
表面基材４として、予め、コロナ放電処理した厚さ１２μｍの２軸延伸ＰＥＴフィルムを使用した。まず、上記の２軸延伸ＰＥＴフィルムをＰＶＤ法真空蒸着装置４０の送り出しロールに装着し、次いで、これを繰り出し、その２軸延伸ＰＥＴフィルムのコロナ処理面上に、以下の蒸着条件により、錫（Ｓｎ）およびアルミニウム（Ａｌ）を各々の蒸着元より蒸着し、蒸着層がＳｎ−Ａｌ合金からなる海・島構造になるように、膜厚１０ｎｍの金属蒸着膜６ｍを形成した。
（蒸着条件）
蒸着チャンバー内の真空度：４．２×１０^-4ｔｏｒｒ（５．６×１０^-2Ｐａ）
冷却ドラム温度：０°Ｃ
蒸着堆積速度：１５ｎｍ／ｓｅｃ．
蒸着面：コロナ処理面
上記により準備した表面基材４の金属蒸着膜６ｍ面とは反対側の面に、グラビア印刷により酸化チタン顔料による白色隠蔽層９を印刷した。
（非接触ＩＣタグの製造）
コイルオンチップ３として実施例１と同一の「μチップ」を使用し、厚み３８μｍの透明２軸延伸ＰＥＴフィルムからなるベースフィルム１１にエポキシ系接着剤で固定し、非接触ＩＣタグを完成した。実施例１と同一条件にして、前記により準備した表面基材４を金属蒸着膜６ｍ面が最表面になるようにしてエポキシ系接着剤５を介して、ベースフィルム１１とコイルオンチップ３面にラミネートした。

（金属蒸着層を有する基材の製造）
表面基材４として、予め、コロナ放電処理した厚さ１２μｍの２軸延伸ＰＥＴフィルムを使用した。まず、上記の２軸延伸ＰＥＴフィルムをＰＶＤ法真空蒸着装置４０の送り出しロールに装着し、次いで、これを繰り出し、その２軸延伸ＰＥＴフィルムのコロナ処理面上に、以下の蒸着条件により、錫（Ｓｎ）を海・島構造になるように、膜厚１０ｎｍの金属蒸着膜６ｍを形成した。
（蒸着条件）
蒸着チャンバー内の真空度：７．４×１０^-4ｔｏｒｒ（９．９×１０^-2Ｐａ）
冷却ドラム温度：０°Ｃ
蒸着堆積速度：７ｎｍ／ｓｅｃ．
蒸着面：コロナ処理面
（非接触ＩＣタグの製造）
コイルオンチップ３として実施例１と同一の「μチップ」を使用し、厚み３８μｍの透明２軸延伸ＰＥＴフィルムからなるベースフィルム１１にエポキシ系接着剤で固定し、非接触ＩＣタグを完成した。実施例１と同一条件にして、前記により準備した表面基材４を金属蒸着膜６ｍ面が最表面になるようにしてエポキシ系接着剤５を介して、ベースフィルム１１とコイルオンチップ３面にラミネートした。

（金属蒸着層を有する基材の製造）
表面基材４として、ポリウレタン系水性樹脂（大日本インキ化学工業株式会社製「ＭＥＴ−Ｗ−１６５Ｃ」）をコートした片面コート紙（６４ｇ／ｍ²）を使用した。この表面基材４をＰＶＤ法真空蒸着装置４０の送り出しロールに装着し、次いで、これを繰り出し、そのコート処理面上に、以下の蒸着条件により、錫（Ｓｎ）を、海・島構造になるように蒸着し、膜厚１０ｎｍの金属蒸着膜６ｍを形成した。
（蒸着条件）
蒸着チャンバー内の真空度：７．４×１０^-4ｔｏｒｒ（９．９×１０^-2Ｐａ）
冷却ドラム温度：０°Ｃ
蒸着堆積速度：７ｎｍ／ｓｅｃ．
蒸着面：アンダーコート面
（非接触ＩＣタグの製造）
コイルオンチップ３として実施例１と同一の「μチップ」を使用し、厚み３８μｍの透明２軸延伸ＰＥＴフィルムからなるベースフィルム１１にエポキシ系接着剤で固定し、非接触ＩＣタグを完成した。

上記ベースフィルム１１とコイルオンチップ３面に、前記により準備した表面基材４を金属蒸着膜６ｍ面が外面になるようにしてエポキシ系接着剤５を介しラミネートした。

（金属蒸着層を有する表面基材の製造）
表面基材４として、予め、コロナ放電処理した厚さ２０μｍの２軸延伸ＰＥＴフィルムを使用した。まず、上記の２軸延伸ＰＥＴフィルムをＰＶＤ法真空蒸着装置４０の送り出しロールに装着し、次いで、これを繰り出し、その２軸延伸ＰＥＴフィルムのコロナ処理面上に、以下の蒸着条件により、錫（Ｓｎ）を海・島構造になるように、膜厚２０ｎｍの金属蒸着膜６ｍを形成した。蒸着チャンバー４５内の真空度を目標の真空度にするため、アルゴン（Ａｒ）ガスを蒸着チャンバーへ導入した。
（蒸着条件）
蒸着チャンバー内の真空度：７．２×１０^-4ｔｏｒｒ（９．６×１０^-2Ｐａ）
冷却ドラム温度：０°Ｃ
蒸着堆積速度：７ｎｍ／ｓｅｃ．
蒸着面：コロナ処理面
（冷却ドラムとは、コーティングドラム２４のことである。以下同様。）
（非接触ＩＣタグの製造）
非接触ＩＣタグのベースフィルム１１として、厚み３８μｍの透明２軸延伸ＰＥＴフィルムに２５μｍ厚のアルミニウム箔をドライラミネートした基材を使用し、これに感光性レジストを塗布した後、ブースタアンテナパターンを有するフォトマスクを露光した。現像後、フォトエッチングして、図１のようなブースタアンテナ２を完成した。

コイルオンチップ３として、２．５ｍｍ角、１３．５６ＧＨｚ帯用の「μチップ」（日立化成工業株式会社製）を使用し、ブースタアンテナ２の第１コイル中心部にエポキシ系接着剤で固定した。なお、ブースタアンテナ２の第１コイル２１は線幅０．１ｍｍの４〜５ターンとし、外形の一辺が、ほぼ５．０〜６．０ｍｍ程度の四角形の大きさとなるようにした。第２コイル２２は線幅０．２ｍｍの５〜６ターンとし、外形が２５ｍｍ〜３０ｍｍ程度になるようにした。第１コイル２１と第２コイル２２の他端間には、パターン２３ａ，２３ｂをベースフィルム１１の表裏に形成して容量パターン２３とした。

上記ベースフィルム１１とコイルオンチップ３面に、前記により準備した表面基材４を金属蒸着膜６ｍ面が外面になるようにして透明なエポキシ系接着剤層５を介しラミネートした。最後にベースフィルム１１の背面（コイルオンチップ３とは反対側面）に、２０μｍの粘着剤層７を介して剥離紙８を積層する粘着剤加工を行い、大きさ、５４ｍｍ×８６ｍｍに断裁して絶縁性金属光沢層付き非接触ＩＣタグ１を完成した。
（比較例１）
（金属蒸着層を有する表面基材の製造）
表面基材４として、予め、コロナ放電処理した厚さ１２μｍの２軸延伸ＰＥＴフィルムを使用した。まず、上記の２軸延伸ＰＥＴフィルムをＰＶＤ法真空蒸着装置４０の送り出しロールに装着し、次いで、これを繰り出し、その２軸延伸ＰＥＴフィルムのコロナ処理面上に、以下の蒸着条件により、錫（Ｓｎ）およびアルミニウム（Ａｌ）を各々の蒸着元より蒸着し、蒸着層がＳｎ−Ａｌ合金からなる海・島構造になるように、膜厚１０ｎｍの金属蒸着膜６ｍを形成した。
（蒸着条件）
蒸着チャンバー内の真空度：６．７×１０^-4ｔｏｒｒ（８．９×１０^-2Ｐａ）
冷却ドラム温度：０°Ｃ
蒸着堆積速度：１５ｎｍ／ｓｅｃ．
蒸着面：コロナ処理面
（非接触ＩＣタグの製造）
コイルオンチップ３として実施例１と同一の「μチップ」を使用し、厚み３８μｍの透明２軸延伸ＰＥＴフィルムからなるベースフィルム１１にエポキシ系接着剤で固定し、非接触ＩＣタグを完成した。

上記ベースフィルム１１とコイルオンチップ３面に、前記により準備した表面基材４を金属蒸着膜６ｍ面が外面になるようにして透明なエポキシ系接着剤層５を介しラミネートした。最後にベースフィルム１１の背面（コイルオンチップ３とは反対側面）に、２０μｍの粘着剤層７を介して剥離紙８を積層する粘着剤加工を行い、大きさ、５４ｍｍ×８６ｍｍに断裁して絶縁性金属光沢層付き非接触ＩＣタグ１を完成した。
（比較例２）
（金属蒸着層を有する基材の製造）
表面基材４として、予め、コロナ放電処理した厚さ１２μｍの２軸延伸ＰＥＴフィルムを使用した。まず、上記の２軸延伸ＰＥＴフィルムをＰＶＤ法真空蒸着装置４０の送り出しロールに装着し、次いで、これを繰り出し、その２軸延伸ＰＥＴフィルムのコロナ処理面上に、以下の蒸着条件により、アルミニウム（Ａｌ）を膜厚４０ｎｍの通常の連続蒸着膜に形成した。
（蒸着条件）
蒸着チャンバー内の真空度：３．７×１０^-4ｔｏｒｒ（４．９×１０^-2Ｐａ）
冷却ドラム温度：０°Ｃ
蒸着堆積速度：２５ｎｍ／ｓｅｃ．
蒸着面：コロナ処理面
（非接触ＩＣタグの製造）
コイルオンチップ３として実施例１と同一の「μチップ」を使用し、厚み３８μｍの透明２軸延伸ＰＥＴフィルムからなるベースフィルム１１にエポキシ系接着剤で固定し、非接触ＩＣタグを完成した。

最後にベースフィルム１１の背面（コイルオンチップ３とは反対側面）に、２０μｍの粘着剤層７を介して剥離紙８を積層する粘着剤加工を行い、大きさ、５４ｍｍ×８６ｍｍに断裁して絶縁性金属光沢層付き非接触ＩＣタグ１を完成した。
（比較例３）
表面基材４として、予め、コロナ放電処理した厚さ１２μｍの２軸延伸ＰＥＴフィルムを使用した。まず、上記の２軸延伸ＰＥＴフィルムをＰＶＤ法真空蒸着装置４０の送り出しロールに装着し、次いで、これを繰り出し、その２軸延伸ＰＥＴフィルムのコロナ処理面上に、以下の蒸着条件により、錫（Ｓｎ）を膜厚２０ｎｍの通常の連続蒸着膜に形成した。
（蒸着条件）
蒸着チャンバー内の真空度：６．７×１０^-4ｔｏｒｒ（８．９×１０^-2Ｐａ）
冷却ドラム温度：０°Ｃ
蒸着堆積速度：３０ｎｍ／ｓｅｃ．
蒸着面：コロナ処理面
（非接触ＩＣタグの製造）
コイルオンチップ３として実施例１と同一の「μチップ」を使用し、厚み３８μｍの透明２軸延伸ＰＥＴフィルムからなるベースフィルム１１にエポキシ系接着剤で固定し、非接触ＩＣタグを完成した。

上記、実施例１から実施例７、および比較例１から比較例３の内容を整理すると表１のようになる。

上記実施例１から実施例７の金属蒸着膜については、ほぼ海・島構造と判定できる構造層が形成されているのが確認できた。当該海・島構造の島サイズ（平均差し渡し径）と島間隔（平均島間隔）、および表面粗さを原子間力顕微鏡（ＤｉｇｉｔａｌＩｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ製「ＮａｎｏＳｃｏｐｅIII 」）の画像から解析した結果を表２に示す。

比較例を含め金属蒸着膜６ｍ面の表面抵抗率（Ω／□）を抵抗率計（三菱化学株式会社製「ＭＣＰ−ＨＴ２６０」による）で測定した結果、および完成した実施例１〜６、および比較例１〜３の非接触ＩＣタグに対して、２ｍｍ離れた位置からの書き込み読み取り試験をミューチップリーダ（２．４５ＧＨｚ））を使用して行った結果を表２に示す。

なお、ＩＣタグ通信性能は、２ｍｍの通信距離で読み取りできたものを「良好」とし、読み取りできないものを「阻害」とした。実施例１のブースタアンテナ２を形成したものは、１５ｍｍの距離からの読み取りが可能であった。

実施例７は、１３．５６ＭＨｚ帯のコイルオンチップであり、書き込み読み取り試験は、ＩＣタグリーダライタ（株式会社ウェルトキャット製「ＲＣＴ−２００−０１」）を使用して行った。その結果、２ｃｍの距離から読み取りできることが確認できた。

非接触ＩＣタグの通信性能は比較例１〜比較例３を除くほか、何れの実施例も「良好」であった。各実施例の表面粗さ（中心線平均粗さＲａ）は、１４ｎｍから１００ｎｍの範囲に入るのが確認できた。

なお、比較例１の通信性能が不良（「阻害」）であるのは、島サイズが大きく島間隔が小さいためと、アルミが入ることにより表面抵抗率が小さいことに起因するものと考えられる。また、実施例４と比較例１においては、錫（Ｓｎ）およびアルミニウム（Ａｌ）による多源蒸着を行っているが、生成したＳｎ−Ａｌ合金をＥＳＣＡ（英国、ＶＧＳｃｉｅｎｔｉｆｉｃ社製「ＬＡＢ２２０ｉ−ＸＬ」）で測定したところ、ＳｎとＡｌの比は原子数において、１００：１〜１０の範囲であった。

以上の説明および実施例においては、非接触ＩＣタグについてのみ記述しているが、同様の構成を備える非接触ＩＣカードや各種ゲームカードにも利用できることは当業者には自明のことであり、本発明の範囲から除外されるものではない。

絶縁性金属光沢層付き非接触ＩＣタグの第１の例を示す図である。同第２の例を示す断面図である。コイルオンチップの平面外観図の例である。絶縁性金属蒸着層の構造を説明する模式平面図である。絶縁性金属蒸着層の模式断面図である。巻取り式の真空蒸着装置の一例を示す概念的構成図である。

符号の説明

１絶縁性金属光沢層付き非接触ＩＣタグ
２ブースタアンテナ
３コイルオンチップ
４表面基材
５接着剤層
６ｍ金属光沢層、金属蒸着膜
７粘着剤層
８剥離紙
９隠蔽印刷層
１１ベースフィルム
２３容量パターン
４０真空蒸着装置
４１基材フィルム
４２真空チャンバー
４４コーティングドラム、冷却ドラム
４５蒸着チャンバー

Claims

半導体チップ上にコイルを形成した構造のコイルオンチップが、ベースフィルム面に固定されており、当該コイルオンチップおよびベースフィルム面には、外面に蒸着による絶縁性金属光沢層を有するプラスチックフィルムまたは紙基材からなる表面基材が積層されていることを特徴とする絶縁性金属光沢層付き非接触ＩＣタグ。
半導体チップ上にコイルを形成した構造のコイルオンチップが、ベースフィルム面に固定されており、当該コイルオンチップおよびベースフィルム面には、外面に蒸着による絶縁性金属光沢層を有し、内面に隠蔽印刷層を有するプラスチックフィルムまたは紙基材からなる表面基材が積層されていることを特徴とする絶縁性金属光沢層付き非接触ＩＣタグ。
ベースフィルムのコイルオンチップとは反対側の面に、剥離紙で保護された粘着剤層を有することを特徴とする請求項１または請求項２記載の絶縁性金属光沢層付き非接触ＩＣタグ。
前記絶縁性金属光沢層表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定した場合の中心線平均粗さＲａが、１４ｎｍ以上であって、１００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１または請求項２記載の絶縁性金属光沢層付き非接触ＩＣタグ。
絶縁性金属光沢層の表面抵抗率が、１０¹²〜１０²⁵Ω／□の範囲であることを特徴とする請求項１または請求項２記載の絶縁性金属光沢層付き非接触ＩＣタグ。
絶縁性金属光沢層が、錫−アルミニウム（Ｓｎ−Ａｌ）、または錫−珪素（Ｓｎ−Ｓｉ）からなる合金、の蒸着層であることを特徴とする請求項１または請求項２記載の絶縁性金属光沢層付き非接触ＩＣタグ。
絶縁性金属光沢層が海・島構造からなり、当該海・島構造の、島サイズが２０ｎｍ〜１μｍ、島間の間隔が２５ｎｍ〜５００ｎｍの範囲であることを特徴とする請求項１または請求項２記載の絶縁性金属光沢層付き非接触ＩＣタグ。
コイルオンチップの周囲に、ブースタアンテナを形成したことを特徴とする請求項１または請求項２記載の絶縁性金属光沢層付き非接触ＩＣタグ。