JP4848758B2 - 絶縁性金属層付き非接触ｉｃタグ - Google Patents

Description

本発明は、絶縁性金属層付き非接触ＩＣタグに関する。詳しくは、金属光沢層を有しながら絶縁性であって通信性能の阻害または低下を生じない非接触ＩＣタグに関する。
本発明の絶縁性金属層付き非接触ＩＣタグは、通常の非接触ＩＣタグとして用いられるが、特に金属調の装飾効果が求められる用途に好適に利用できるものである。
本発明の技術分野は非接触ＩＣタグの製造や利用に関し、当該非接触ＩＣタグの主要な利用分野は、運送や流通、販売管理、工場工程管理、商品の配送や荷物の取り扱いの分野であり、具体的な用途としては荷札、ラベル、伝票、チケット類、となる。

非接触ＩＣタグは、情報を記録して保持し非接触で外部装置と交信して情報交換できるので、運送や物流等における認識媒体として、あるいは商品の品質管理、在庫管理等の識別媒体のように、各種目的に多用されるようになってきている。
しかし、従来、金属調の美麗な光沢を有する非接触ＩＣタグが需められる場合があっても、基材にアルミ箔のような金属材料を使用したり、通常の金属蒸着した材料を使用すると通信阻害が生じ実用性のある非接触ＩＣタグが得られないことが知られている。

これは、非接触ＩＣタグ送受信用の電磁波によって生成する交流磁界より金属層内に渦電流が発生し、この渦電流により送受信用の磁束に反発する磁束を生成し、それによって磁束が減衰し、送受信が困難になると考えられている。
または他の原因として、導体材料からなるアンテナまたはコイルと金属層との間でコンデンサを形成し、それによって生じる浮遊容量が、アンテナまたはコイルによるインダクタンスと固有のコンデンサによる共振周波数を変移させることも考えられる。

金属蒸着層を有する非接触ＩＣタグは、印刷では表現できない金属光沢感を持ち意匠性に優れることと、物品に使用した場合に非接触ＩＣタグの位置を明確にできるので、今後採用する要求が増大すると考えられる。そこで、金属蒸着層を使用しながら、かつ非接触ＩＣタグとリーダライタ間の通信阻害が生じない方策が求められる。

ところで、従来から特許文献１〜特許文献４のように、金属蒸着に海・島構造を利用した先行技術が存在している。海・島構造（島構造、島状、アイランド状ともいわれる）とは、蒸着金属を微小の孤立した島とする蒸着法であり、このものは蒸着面が絶縁性であることが知られている。しかし、これらの先行文献に、海・島構造の蒸着層を非接触ＩＣタグに利用することについて提案したものはない。なお、海・島構造の生成等について記載した技術文献として、非特許文献１、非特許文献２等がある。

特開昭６２−１７４１８９号公報 特開昭６３−１５７８５８号公報 特開昭６３−２４９６８８号公報 特許２７０３３７０号公報 「薄膜工学ハンドブック」（オーム社） 日本学術振興会薄膜第１３１委員会編集（昭和４７年発行） 第１章真空蒸着法（Ｉ−９３〜Ｉ−９５） 応用物理学選書３「薄膜」（培風館） ［吉田貞史著］１９９０年６月発行 第１章真空蒸着法（ページ１０〜１６、５０〜５１）

従来技術では、非接触ＩＣタグに使用するいずれかの基材に金属蒸着した場合には、通信特性の低下が生じるので金属調の光沢感を持たせることは実現できなかった。そこで、本発明では、金属蒸着に海・島構造といわれる絶縁性蒸着層を採用することで、上記問題を解決できることを着想し、鋭意研究の結果、本発明の完成に至ったものである。

上記課題を解決する本発明の要旨の第１は、非接触ＩＣタグ回路が形成されたベースフィルムのアンテナパターン側面に、ＳｎとＡｌの比が原子数において、１００：１〜１０の範囲である錫−アルミニウム（Ｓｎ−Ａｌ）合金からなる絶縁性金属蒸着層を有するプラスチックフィルムまたは紙基材が積層されていることを特徴とする絶縁性金属層付き非接触ＩＣタグ、にある。

上記課題を解決する本発明の要旨の第２は、非接触ＩＣタグ回路が形成されたベースフィルムのアンテナパターンとは反対側面に、ＳｎとＡｌの比が原子数において、１００：１〜１０の範囲である錫−アルミニウム（Ｓｎ−Ａｌ）合金からなる絶縁性金属蒸着層を有することを特徴とする絶縁性金属層付き非接触ＩＣタグ、にある。

上記課題を解決する本発明の要旨の第３は、非接触ＩＣタグ回路が形成されたベースフィルムのアンテナパターン側面がプラスチックフィルムまたは紙基材で被覆され、当該ベースフィルムの他方側面に粘着剤層を有する非接触ＩＣタグにおいて、前記プラスチックフィルムまたは紙基材の外面が、ＳｎとＡｌの比が原子数において、１００：１〜１０の範囲である錫−アルミニウム（Ｓｎ−Ａｌ）合金からなる絶縁性金属蒸着層を有するプラスチックフィルムまたは紙基材により、さらに被覆されていることを特徴とする絶縁性金属層付き非接触ＩＣタグ、にある。

上記課題を解決する本発明の要旨の第４は、ベースフィルムに形成されたアンテナパターンに非接触通信機能部、制御部およびメモリを備えるＩＣチップが結合され、さらに前記ベースフィルムのアンテナパターン側面に、ＳｎとＡｌの比が原子数において、１００：１〜１０の範囲である錫−アルミニウム（Ｓｎ−Ａｌ）合金からなる絶縁性金属蒸着層を有するフィルムまたは紙基材が積層されていることを特徴とする絶縁性金属層付き非接触ＩＣタグ、にある。

上記課題を解決する本発明の要旨の第５は、ベースフィルムに形成されたアンテナパターンに非接触通信機能部、制御部およびメモリを備えるＩＣチップが結合され、前記ベースフィルムのアンテナパターンとは反対側面に、ＳｎとＡｌの比が原子数において、１００：１〜１０の範囲である錫−アルミニウム（Ｓｎ−Ａｌ）合金からなる絶縁性金属蒸着層を有することを特徴とする絶縁性金属層付き非接触ＩＣタグ、にある。

上記課題を解決する本発明の要旨の第６は、ベースフィルムに形成されたアンテナパターンに非接触通信機能部、制御部およびメモリを備えるＩＣチップが結合され、前記ベースフィルムのアンテナパターン面がプラスチックフィルムまたは紙基材で被覆され、当該ベースフィルムの他方の面に粘着剤層を有する非接触ＩＣタグにおいて、前記プラスチックフィルムまたは紙基材の外面は、ＳｎとＡｌの比が原子数において、１００：１〜１０の範囲である錫−アルミニウム（Ｓｎ−Ａｌ）合金からなる絶縁性金属蒸着層を有するプラスチックフィルムまたは紙基材により、さらに被覆されていることを特徴とする絶縁性金属層付き非接触ＩＣタグ、にある。

上記において、絶縁性金属蒸着層の表面抵抗率が、１０¹⁰〜１０²⁵Ω／□の範囲であることが好ましい。表面抵抗率が、１０¹⁰Ω／□よりも小さい場合は通信阻害が生じ、１０²⁵Ω／□を超える場合は、金属光沢が失われ意匠性を損ねるからである。

上記において、絶縁性金属蒸着層表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定した場合の中心線平均粗さＲａが、１０ｎｍを超え、１００ｎｍ以下であることが好ましい。１０ｎｍ以下では、他の材料との密着性や接着性が低下し、１００ｎｍを超える場合は、金属光沢が失われ意匠性を損ねるからである。

上記においてさらに、絶縁性金属蒸着層が海・島構造からなり、当該海・島構造の、島サイズが２０ｎｍ〜１μｍ、島間の間隔が１０ｎｍ〜５００ｎｍの範囲であることが好ましい。島サイズが１μｍより大きく、島間の間隔が１０ｎｍより小さいと通信阻害を生じ易く、逆に、島サイズが２０ｎｍより小さく、島間の間隔が５００ｎｍより大きい場合は、金属光沢が失われ意匠性を損ねるからである。

本発明の絶縁性金属層付き非接触ＩＣタグは、金属蒸着層を有するので金属光沢感の優れた独特の意匠性を有するが、当該金属蒸着層が絶縁性であるので、通信性能の阻害または低下を生じることがない。
本発明の絶縁性金属層付き非接触ＩＣタグは、表面に金属蒸着層を設けた場合、隠蔽性と光反射性を有し、物品表面に貼着して物品の意匠性を高め、非接触ＩＣタグの位置を明示できる。
金属蒸着層は、一般に薄層からなるので、アルミ箔を使用する場合よりも金属使用量の低減を図ることができ、しかも同等の金属光沢感や意匠効果が得られる。

本発明の絶縁性金属層付き非接触ＩＣタグに関し、以下図面を参照して説明する。
図１は、絶縁性金属層付き非接触ＩＣタグの第１の例を示す平面図、図２は、図１の断面図、図３は、同第２の例を示す断面図、図４は、同第３の例を示す断面図、図５は、同第４の例を示す断面図、図６は、絶縁性金属蒸着層の構造を説明する模式平面図、図７は、絶縁性金属蒸着層の模式断面図、図８は、巻取り式の真空蒸着装置の一例を示す概念的構成図である。

図１は、本発明の絶縁性金属層付き非接触ＩＣタグの第１の例を示す平面図である。
本発明の絶縁性金属層付き非接触ＩＣタグ１は、図１のようにベースフィルム１１面に導体アンテナパターン２を形成し、アンテナパターン２の両端部２ａ，２ｂにＩＣチップ３を装着している。アンテナパターン２は電磁誘導型のコイル状のものを図示しているが、パッチアンテナやダイポール型アンテナであっも良く形状には左右されない。
図１中、符号１０を付した部材はコイルの一端をベースフィルム１１の背面を通して端部２ａに導く導通部材である。ＩＣチップ３は、通常のように非接触通信機能部と制御部および情報記憶のためのメモリを備えるものである。これらおよび回路の浮遊容量等の容量素子により、所定の共振周波数を生じる非接触ＩＣタグ回路が形成されている。

図２は、図１の絶縁性金属層付き非接触ＩＣタグ（以下、単に「非接触ＩＣタグ」とも表現する。）１のＩＣチップ３部分を横断する断面図である。図２の例では、透明ベースフィルム１１のアンテナパターン２面側は、通常は接着剤層５ａを介して透明プラスチックフィルムからなる表面基材４により被覆されている。アンテナパターン２やＩＣチップ３が直接外面に露出しないようにするためである。図示の都合上、アンテナパターン２と接着剤層５ａの間は、隙間が空いているように見えるが実際は密着しているものである。 以上の構成は、通常の非接触ＩＣタグと同様のことである。

図１、図２の非接触ＩＣタグ１の特徴は、ベースフィルム１１のアンテナパターン２とは反対側面に、金属蒸着層６ｍを有する基材６が接着剤層５ｂを介して積層され、当該金属蒸着層６ｍが絶縁性であることにある。基材６の下面には、非接触ＩＣタグ１を物品に貼着するための粘着剤層７を有し、剥離紙８で保護されているのが通常である。

この場合、非接触ＩＣタグ１を表面から観察すると、ベースフィルム１１を介して、アンテナパターン２の背景に金属蒸着層６ｍを視認することができる。従って、ベースフィルム１１は透明である必要がある。また、表面基材４には一般には紙も使用するが、表面から観察できるようにする場合には、透明なプラスチックフィルムを使用しなければならない。接着剤層５ａ，５ｂも同様である。逆に、図２の非接触ＩＣタグ１を剥離紙８を剥離除去して粘着剤層７により、透明ガラス板等に貼着した場合は、基材６、粘着剤層７も透明であれば、透明ガラス板の被着体側から見れば、全面の金属蒸着層６ｍが見えることになる。

図３は、非接触ＩＣタグの第２の例を示す断面図である。図３の場合は、ベースフィルム１１のアンテナパターン２面側に、金属蒸着層６ｍを有する表面基材４が接着剤層５ａを介して積層されていて、当該金属蒸着層６ｍが絶縁性になっている。
図３の場合、金属蒸着層６ｍは、表面基材４の最表面にあるが、表面基材４のアンテナパターン２面側にあっても構わない。最表面の場合、表面基材４は不透明な紙であっても良いが、アンテナパターン２面側が金属蒸着層６ｍである場合、表面基材４は透明なプラスチックフィルムを使用しなければならない。表面から金属蒸着層６ｍを視認できるようにするためである。ベースフィルム１１の下面には、非接触ＩＣタグ１を物品に貼着するための粘着剤層７を有し、剥離紙８で保護されているのが通常である。

図３の平面図は省略しているが、外観からは金属蒸着層６ｍが全面に見え、内部の非接触ＩＣタグの回路は隠蔽されている。回路を透視した場合には図１と同様に現れる。
図３の例では、表面には金属蒸着層６ｍだけが図示されているが、装飾的な印刷図柄を金属蒸着層６ｍ上に併用できることは勿論のことである。この場合は、意匠性を一層高いものとすることができる。図１〜図３の例は、請求項１または請求項４記載の発明に該当することになる。

図４は、絶縁性金属層付き非接触ＩＣタグの第３の例を示す断面図である。
図４の場合、透明ベースフィルム１１のアンテナパターン２の反対側面に、金属蒸着層６ｍが直接形成され、当該金属蒸着層６ｍが絶縁性になっている特徴がある。この場合は、図２のように基材６を設ける必要はなく、コストの低減を図れる。
表面基材４は透明プラスチックフィルムを使用する。透明ベースフィルム１１の金属蒸着層６ｍの下面には、非接触ＩＣタグ１を物品に貼着するための粘着剤層７を有し、剥離紙８で保護されているのが通常である。
図４の場合の平面図は、図１と同様に現れる。図４の例は、請求項２または請求項５記載の発明に該当することになる。

図５は、絶縁性金属層付き非接触ＩＣタグの第４の例を示す断面図である。
図５の場合、表面基材４の面に接着剤層５ｃを介して、第２の表面基材９を積層している。そしてその第２の表面基材９に絶縁性の金属蒸着層６ｍが形成されている。図５では、第２の表面基材９の最外面に金属蒸着層６ｍが形成されているが、第２の表面基材９が透明であれば表面基材４側が金属蒸着層６ｍであってもよい。この第４の例の実施形態は、通常の非接触ＩＣタグが完成した後に、金属蒸着層６ｍを有する第２の表面基材９を貼着することにより完成する。この場合の平面外観は、図３の第２の例と同様に現れる。
図５の例は、請求項３または請求項６の発明に該当することになる。

図６は、絶縁性金属蒸着層の構造を説明する模式平面図、図７は、絶縁性金属蒸着層の模式断面図、である。絶縁性金属蒸着層は、一般には、海・島構造の金属蒸着層からなるといわれている。この従来から知られている海・島構造は、蒸着材料や蒸着条件等の選定により形成できるもので、金属蒸着層６ｍには微小な島６ａと島と島間を画する間隔６ｂからなる蒸着層が形成されている。海・島構造からなる蒸着層は、プラスチックや紙基材に直接蒸着しても形成でき、または一旦転写フィルムに蒸着してから必要な基材に転写しても形成できる。いずれの場合も、島サイズや形状等はある範囲のものではあるが、正しく一定のものではない。

このような島６ａのサイズ（平均差し渡し径）は、２０ｎｍ〜１μｍ、島間の間隔（平均間隔）６ｂは、１０ｎｍ〜５００ｎｍの範囲であることが好ましい。島サイズが２０ｎｍより小さいと金属光沢がなくなり十分な装飾効果が得られない。また、１μｍ以上では導電性になってしまい通信阻害を生じるからである。
ただし、島サイズや島間間隔といっても、正しく島と島の間に溝が形成されてはいないで、肉眼でも顕微鏡でも明瞭に識別できない場合もある。その場合には、図７の断面図で示すように、島６ａ部分は金属が密な状態で厚く積層されており、島間６ｂにも金属が粗な構造ではあるが積層されている状態にある。島と島の間の粗な構造部分は結晶粒界（グレインバウンダリー）となる部分であり、電気的にも抵抗値が大きくなっている。
島６ａ自体にも粗密があり抵抗値にもばらつきがあって、導電性ではない場合もある。従って、島間の間隔が明瞭でない場合は、島間の間隔６ｂとは島間の粗な構造部分（結晶粒界またはグレインバウンダリー）と解するのが適当である。

海・島構造は蒸着原子の核の生成や成長、島どうしの合体等複雑な条件が絡み合って成膜される。蒸着金属材料、蒸着速度等の蒸着条件の選定により島サイズや島間隔の設定は可能であるが、かなり複雑な制御が必要であり材料が限定される。
一般に融点の低い金属や貴金属は制御が比較的容易であり、錫（Ｓｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、鉛（Ｐｂ）、ビスマス（Ｂｉ）、の単体金属またはその群から選ばれた二種以上の金属からなる合金、または錫−アルミニウム（Ｓｎ−Ａｌ）、錫−珪素（Ｓｎ−Ｓｉ）が用いられるが、中でも錫（Ｓｎ）は特に容易である。錫−アルミニウムの蒸着は、錫とアルミニウムの単体金属を別個のるつぼに入れて蒸気化し、基材上で合金として蒸着させることができる。錫−珪素も同様である。
アルミニウムは金属光沢に優れるが、アルミニウム自体の単体金属は、表面エネルギーが高く基板上でマイグレーションが生じやすく、島状蒸着になり難い金属材料になる。

絶縁性金属蒸着層の表面抵抗率は、１０¹⁰〜１０²⁵Ω／□の範囲であることが好ましい。１０¹⁰Ω／□よりも小さい場合は導体に近くなり通信阻害が生じ、１０²⁵Ω／□より大きい場合は、金属光沢が失われ意匠性も損ねることになる。
表面抵抗率の調整は直接蒸着の場合は、蒸着速度や蒸着時間による膜厚で調整する。

絶縁性金属蒸着層表面の表面粗さは、一定の範囲のものであることが好ましい。具体的には、原子間力顕微鏡で測定した場合の中心線平均粗さＲａが、１０ｎｍ〜１００ｎｍの範囲、好ましくは、１０ｎｍ〜７０ｎｍの範囲であることが望ましい。金属蒸着層６ｍの平滑性を一定範囲にするためであり、１００ｎｍを超えると金属光沢が無くなって意匠性が低下し、１０ｎｍ未満では鏡面状態となりその表面に形成する層との密着性が低下するからである。

本発明においては、凹凸部分の形態の評価として、原子間力顕微鏡（以下「ＡＦＭ」という。）で測定した結果を基に、その表面粗さＲａを測定している。測定に供するＡＦＭは、Ｄｉｇｉｔａｌ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ製、セイコー電子株式会社製、Ｔｏｐｏｍｅｔｒｉｘ製等を使用できる。例えば、Ｄｉｇｉｔａｌ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ製のＮａｎｏ ＳｃｏｐｅIII を使用した場合は、タッピングモードで凹凸処理面を５００ｎｍ×５００ｎｍの面積を測定したＡＦＭ凹凸像についてフラット処理を行った後、粗さ解析を行って表面粗さＲａ（中心線平均粗さ）を求める。海・島構造の島サイズ（平均差し渡し径）と島間隔（平均島間隔）も同様にして測定できる。測定においては、摩耗や汚れのない状態のカンチレバーを使用し、著しい凹みや突起のない均一な凹凸領域を測定個所とした。

なお、タッピングモードとは、Ｑ．ＺｏｎｇらがＳｕｒｆａｃｅ Ｓｃｉｅｎｃｅ Ｌｅｔｔｅｒ，１９９３年Ｖｏｌ．２９０，Ｌ６８８−６９２に説明されている通りであり、ピエゾ加振器を用いて、先端に深針をつけたカンチレバーを共振周波数近傍（約５０〜５００ＭＨｚ）で加振させ、試料表面上を断続的に軽く触れながら操作する方法であって、検出される振幅の変化量を一定に維持するように、カンチレバーの位置を凹凸方向（Ｚ方向）に移動させ、このＺ方向への移動に基づいた信号と平面方向（ＸＹ方向）の信号とによって、３次元表面形状を測定する方法である。また、フラット処理とは、２次元データについて、基準面に対して１次、２次または３次元の関数で傾きの補正を処理することであり、この処理データを用いて粗さ解析を行い、以下の数１によって表面粗さＲａを算出した。数１において、Ｌｘ、Ｌｙは、表面のＸ方向、Ｙ方向の寸法であり、ｆ（ｘ，ｙ）は、中心面に対する平均ラフネス曲面である。なお、中心面とは、一般的な表面粗さ測定における粗さ曲線の中心線に相当する面であり、その面の上下の凸部と凹部の体積が等価となるように求めた平均値である。

なお、本願において、ＪＩＳ Ｂ ０６０１やその対応国際規格ＩＳＯ４６８等を用いて表面粗さを測定しなかったのは、本願で形成される絶縁性金属蒸着層表面の凹凸が極めて微細であり、従来の測定方法ではその凹凸を表す物性値が得られないことが明白であったためである。

次に、本発明の絶縁性金属層付き非接触ＩＣタグの製造工程について、金属蒸着層を有する基材の製造工程と、非接触ＩＣタグの製造工程と、に分けて説明する。

［金属蒸着層を有する基材の製造工程］
表面基材４や第２の表面基材９、基材６には、プラスチックフィルムや紙基材を使用する。ベースフィルム１１は絶縁性が必要であり、プラスチックフィルムが好ましく使用される。プラスチックフィルムに対する蒸着は容易に行われるが、紙基材に対する蒸着では、通常以下のような問題がある。
（１）紙に含まれている水分により蒸着時に真空度が上がらないため、コンデンサーペーパのように水分の少ない特殊紙を除いては紙に処理を施す必要があり、プラスチックフィルムのようにそのままでは蒸着できない。
（２）通常の紙の場合、蒸着する前に紙を乾燥する必要があるが長時間を要するので大幅なコストアップになる。また、乾燥すると、紙本来の性質が失われるので、蒸着後に水分量を調整する必要が生じる。
（３）紙表面は粗であり、蒸着粒子が紙層内に入り込んでしまうので、蒸着前に紙表面にアンダーコートを施す必要が生じる。

しかし、近年、蒸着装置や蒸着方法の進化、材料の改善に伴い、紙材料に対する直接蒸着もかなりの量が行われている。金属蒸着層をプラスチックフィルムに形成し、別室の蒸着室内で接着剤の付いた紙基材にインラインで転写する方法等も行われている。
紙に直接蒸着する場合は、基材の前処理→乾燥→真空蒸着→後処理→加湿→蒸着製品→印刷→裁断、の工程を行う。基材の前処理とは、目止めコートを行うことである。

各種のプラスチックフィルムについても、蒸着膜との密着性等を向上させるため、予め、所望の表面処理層を設けることが好ましい。上記の表面処理層としては、例えば、コロナ放電処理、オゾン処理、酸素ガスもしくは窒素ガス等を用いた低温プラズマ処理、グロー放電処理、化学薬品を用いて処理する酸化処理、を適用できる。上記の表面前処理は、別工程で実施してもよく、また、例えば、低温プラズマ処理やグロー放電処理等による表面前処理の場合は、蒸着膜を形成する前処理としてインライン処理により前処理で行うことができる。

上記の密着性を改善する方法として、その他、例えば、各種の樹脂フィルムの表面に、予め、プライマーコート剤層、アンダーコート剤層、アンカーコート剤層、接着剤層を任意に形成して表面処理層とすることもできる。
上記の前処理のコート剤層としては、例えば、ポリエステル系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリウレタン系樹脂、エポキシ系樹脂、フェノール系樹脂、（メタ）アクリル系樹脂、ポリ酢酸ビニル系樹脂、ポリエチレン、あるいはポリプロピレン等のポリオレフィン系樹脂あるいはその共重合体ないし変性樹脂、セルロース系樹脂、等をビヒクルの主成分とする樹脂組成物を使用することができる。

なお、上記の樹脂組成物には、密接着性を向上させるために、エポキシ系のシランカップリング剤、あるいは基材フィルムのブロッキング等を防止するために、ブロッキング防止剤、その他等の添加剤を任意に添加することができる。その添加量は、０．１質量％〜１０質量％程度が好ましいものである。
上記において、コート剤層の形成法としては、例えば、溶剤型、水性型、エマルジョン型のコート剤を使用し、ロールコート法、グラビアコート法、キスコート法、その他のコート法を用いてコートすることができる。

金属蒸着層６ｍの厚みは、１０ｎｍ〜５０ｎｍ程度とする。５０ｎｍ以上とする場合は導電性となることが多い。密な金属層ではないので、７μｍのアルミニウム箔と比較して１／１０００から１／１００の使用量にできる利点がある。
蒸着方法は、一般に採用されている真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法のような物理気相成長法（Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ法；ＰＶＤ法）のほか、熱化学気相成長法、光化学気相成長法等の化学気相成長法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ法；ＣＶＤ法）、大気圧プラズマ法、等を用いることができる。

真空蒸着法による基材フィルムへの蒸着層の形成は、金属材料を原料として、これを真空チャンバー内で加熱蒸発させて基材フィルム上に薄膜を形成して蒸着層とすることができる。スパッタリング法による基材フィルムへの蒸着層の形成では、高周波スパッタリング法、マグネトロンスパッタリング法等の従来公知のスパッタリング法等を用いることができる。高周波スパッタリング法による基材フィルムへの蒸着層の形成は、金属材料をターゲット物質として電極表面に設置し、アルゴンガス等の不活性ガスをチャンバー内に導入し、チャンバー内の圧力を０．１〜５Ｐａ程度に維持し、上記電極に周波数が例えば、１３．５６ＭＨｚの高周波で数百ボルトの電圧を印加することにより、チャンバー内で放電を生じさせてターゲット物質のスパッタリングを行い、これにより基材フィルム上に薄膜を形成して蒸着層とすることができる。また、マグネトロンスパッタリング法による基材フィルム上への蒸着層の形成は、上記のスパッタリング法において、ターゲット物質を設置する電極に永久磁石または電磁石を設置して磁界を形成し、これにより放電の電子密度を高めスパッタリングの効率を向上させて蒸着層の薄膜を基材フィルム上に形成するものである。

イオンプレーティング法による基材フィルム上への蒸着層の形成は、金属材料を原料とし、これを真空チャンバー内で蒸発させてイオン化して基材フィルム上に衝突させて金属蒸着層とすることができる。ＰＶＤ法の場合も同様に行われるが、高真空中でターゲット（金属板等）に高エネルギーの原子を衝突させ、金属原子を吹き飛ばし、金属原子をプラスチックフィルムに付着させる方法が行われる。

以下は、一般に行われる真空蒸着法について、なお詳細に説明することとする。
図８は、巻取り式の真空蒸着装置の一例を示す概念的構成図である。図８において、真空蒸着装置２０は、真空チャンバー２２、このチャンバー内に配設された供給ロール２３ａ、巻取りロール２３ｂ、コーティングドラム２４と、仕切り板２９，２９で真空チャンバー２２と仕切られた蒸着チャンバー２５、この蒸着チャンバー２５に配設されたるつぼ２６、蒸着源３０、マスク２８，２８を備えている。この真空蒸着装置２０では、真空チャンバー２２の中で、供給ロール２３ａから繰り出す基材フィルム２１は、ガイドロール３２ａを介してコーティングドラム２４の周面を通って巻取りロール２３ｂに巻き取られる。蒸着チャンバー２５内では、るつぼ２６によって熱せられた蒸着源３０から金属原子が飛散する。この蒸発飛散した金属原子は上記の冷却したコーティングドラム２４上において、マスク２８，２８間に位置する基材フィルム２１上に付着して金属蒸着層６ｍを形成する。コーティングドラム２４は冷却されているので、金属蒸気は急速に冷却して成膜化される。金属蒸着層６ｍを形成した基材フィルム２１は、ガイドロール３２ｂを介して巻取りロール２３ｂに巻き取られる。

上記において、仕切り板２９，２９は、蒸着源３０のある蒸着チャンバー２５内の真空度を高めるため、供給ロール２３ａから供給される基材フィルム２１により真空度が低下しやすい真空チャンバー２２とを分離する隔壁となっている。従って、仕切り板２９，２９およびマスク２８，２８とコーティングドラム２４との間は極力狭い隙間になるようにされている。また、るつぼ２６は通過する基材フィルム２１の幅と略同一長さを有するようにされ、全幅方向に対して均一厚みの薄膜を形成できるようにされている。

るつぼ２６内の蒸着源３０は、高周波誘導加熱方式または抵抗加熱方式により、あるいはエレクトロンビーム（ＥＢ）加熱方式により加熱されて蒸気化し、その蒸気を基材フィルム２１上に蒸着させる。単一の金属による蒸着を行う場合は、るつぼ２６内に単一の金属からなる蒸着源３０を充填すればよい。錫（Ｓｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、鉛（Ｐｂ）、ビスマス（Ｂｉ）、等の単体金属の蒸着は、当該蒸着方法により海・島構造を形成できる。

基材フィルム２１上で二種以上の金属からなる合金を形成する場合は、図８の下側の楕円内に図示するように、二つのるつぼ２７ａ，２７ｂが並列したるつぼを使用し、それぞれに異なる種類の金属材料３１，３２を充填して多源蒸着法で蒸着すればよい。
異なる種類の金属材料３１，３２は、通常、加熱条件を異なる条件とすることが好ましい。同一のるつぼで、あるいは異なるるつぼでも同一条件で加熱する場合は、一方の金属だけが先に蒸発して、望まれる原子数比の合金膜を形成しなくなるからである。
るつぼ２７ａ，２７ｂから蒸発した金属の原子は、基材フィルム２１上で、当該二種の金属による合金を形成することになる。錫−鉛（Ｓｎ−Ｐｂ）、錫−アルミニウム（Ｓｎ−Ａｌ）、錫−珪素（Ｓｎ−Ｓｉ）合金等による蒸着膜は、このような蒸着方法により形成される。

蒸着膜が、錫−アルミニウム（Ｓｎ−Ａｌ）合金からなる場合は、蒸着膜中における金属組成は、錫（Ｓｎ）１００の原子数に対してアルミニウム（Ａｌ）が、１〜５０程度の原子数であることが好ましい。アルミニウム原子数比が、５０を超える場合は、海・島構造の絶縁性膜を形成し難く、１未満の場合はアルミニウム特有の金属光沢を持たせられなくなるからである。蒸着膜中の原子数比の測定は、Ｘ線光電子分光分析装置「ＥＳＣＡ」（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ａｎａｌｙｚｅｒ）を用いて分析することができる。

蒸着チャンバー２５内の真空度は、高度の真空度にするほど、蒸着される金属膜も密な構造になり、抵抗率も小さくなる。一般的には、蒸着チャンバー２５内は、１０^-2Ｐａ以下の真空度にすることが必要とされる。ただし、海・島構造の絶縁層を形成する蒸着では、必ずしも当該条件を満たす必要はない。蒸着膜厚は、基材フィルム２１の搬送速度や蒸着源の加熱条件、マスク２８，２８の間隔等によって制御される。
蒸着層の保護のため、金属蒸着層６ｍ表面にハードコート層を設けてもよい。

［非接触ＩＣタグの製造工程］
まず、透明なベースフィルム１１にアンテナパターン２をフォトエッチングや印刷等の工程で製造する。フォトエッチングの場合は、ベースフィルム１１にアルミまたは銅箔をラミネートした基材を使用する。アンテナパターンのコイル線幅は、通常０．２ｍｍから１．０ｍｍ程度の範囲とし、数ターンの捲線を形成する。次に当該アンテナパターン２の両端部２ａ，２ｂにＩＣチップ３を接合する。接合には異方導電性接着剤等を使用する。 ＩＣチップ３を接合したベースフィルム１１のアンテナパターン２面には、プラスチックフィルムまたは紙基材からなる表面基材４をラミネートする。

本発明の非接触ＩＣタグは、絶縁性金属蒸着層を形成する特徴があるが、この金属蒸着層６ｍは、いずれの基材に形成してもよい。例えば、図２の実施形態では、ベースフィルム１１の金属蒸着層６ｍを有する基材６をベースフィルム１１の下面に接着剤層５ｂにより接着し、最後に、基材６の被着体側となる面に剥離紙８に粘着剤層７を設けて貼り付けしている。また、図３の実施形態では、金属蒸着層６ｍを有する表面基材４をベースフィルム１１のアンテナパターン２面側に設けている。この場合は、剥離紙８と粘着剤層７はベースフィルム１１の下面に直接塗工することになる。また、図５の実施形態の場合は、通常のように製造し完成した非接触ＩＣタグの表面基材４面に、金属蒸着層６ｍを有する第２の表面基材９を接着剤層５ｃにより接着している。あるいは、図４の実施形態のように、ベースフィルム１１に金属蒸着層６ｍを持たせてもよい。

＜材質に関する実施形態＞
（１）ベースフィルム
透明なプラスチックフィルムを幅広く各種のものを使用でき、以下に挙げる単独フィルムあるいはそれらの複合フィルムを使用できる。
ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ＰＥＴ−Ｇ（テレフタル酸−シクロヘキサンジメタノール−エチレングリコール共重合体）、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリカーボネート、ポリアミド、ポリイミド、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート、ポリスチレン系、ＡＢＳ、ポリアクリル酸エステル、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリウレタン、等である。ベースフィルムの膜厚としては、１２〜３００μｍ程度、より好ましくは、２０〜２００μｍ程度が望ましい。

（２）表面基材
ベースフィルムと同様に、上記した各種の材料を使用できる。表面基材の膜厚としては８〜３００μｍ程度、より好ましくは、１０〜２００μｍ程度が望ましい。
（３）金属蒸着層を有する基材
プラスチックフィルムや紙基材を幅広く各種のものを使用できる。プラスチックフィルムとしては、ベースフィルムや表面基材と同様に、上記した各種の材料を使用できる。紙基材としては、以下のもの等を使用できる。
上質紙、コート紙、クラフト紙、グラシン紙、合成紙、ラテックスやメラミン含浸紙。

（４）接着剤、粘着剤
本明細書で接着剤という場合は、溶剤型や重合型、紫外線硬化型、エマルジョン型、熱溶融型等の各種のものをいい、いわゆる粘着剤型のものをも含むものとする。いずれであっても、双方の材料間を接着すれば目的を達成できるからである。
また、本明細書で粘着剤という場合は、徐々に粘度が顕著に上昇することなく、いつまでも中間的なタック状態を保つものをいうものとする。
接着剤、粘着剤の樹脂組成物としては、天然ゴム系、ニトリルゴム系、エポキシ樹脂系、酢酸ビニルエマルジョン系、アクリル系、アクリル酸エステル共重合体系、ポリビニルアルコール系、フェノール樹脂系、等の各種材料を使用できる。

以下、本発明の実施形態を実施例に基づき具体的に説明する。実施例中に使用する符号は、前述した各図面において用いた符号と同一のものとする。なお、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。

（金属蒸着層を有する基材の製造）
基材６として、予め、コロナ放電処理した厚さ２０μｍの２軸延伸ＰＥＴフィルムを使用した。まず、上記の２軸延伸ＰＥＴフィルムをＰＶＤ法真空蒸着装置２０の送り出しロールに装着し、次いで、これを繰り出し、その２軸延伸ＰＥＴフィルムのコロナ処理面上に、以下の蒸着条件により、錫（Ｓｎ）を海・島構造になるように、膜厚２０ｎｍの金属蒸着膜６ｍを形成した。蒸着チャンバー２５内の真空度を目標の真空度にするため、アルゴン（Ａｒ）ガスを蒸着チャンバーへ導入した。
（蒸着条件）
蒸着チャンバー内の真空度：７．２×１０^-4ｔｏｒｒ（９．６×１０^-2Ｐａ）
冷却ドラム温度：０°Ｃ
蒸着堆積速度：７ｎｍ／ｓｅｃ．
蒸着面：コロナ処理面
（冷却ドラムとは、コーティングドラム２４のことである。以下同様。）

（非接触ＩＣタグの製造）
非接触ＩＣタグのベースフィルム１１として、厚み３８μｍの透明２軸延伸ＰＥＴフィルムに２５μｍ厚のアルミニウム箔をドライラミネートした基材を使用し、これに感光性レジストを塗布した後、アンテナパターン２を有するフォトマスクを露光して感光させ、露光現像後、フォトエッチングして図１のようなアンテナパターン２を完成した。
ベースフィルム１１のアンテナコイル両端部２ａ，２ｂに、平面サイズが１．０ｍｍ角、厚み１５０μｍであるＩＣチップ３をフェイスダウンの状態で熱圧をかけて装着し、ベースフィルム１１を完成した。なお、アンテナパターン２は外形が、ほぼ４５ｍｍ×７６ｍｍの大きさとなるようにした。

上記ベースフィルム１１の非接触ＩＣタグ１のＩＣタグ回路形成面に、接着剤５ａを介し、厚み１２μｍの２軸延伸透明ＰＥＴフィルムを接着し、非接触ＩＣタグ回路とは反対側のベースフィルム１１面には、上記により準備した金属蒸着層を有する基材６を金属蒸着面６ｍがベースフィルム１１側になるようにして接着剤５ｂを介しラミネートした。
接着剤５ａ，５ｂには透明なポリエステル系接着剤を使用した。最後に基材６の背面に、１２μｍの粘着剤層７を介して剥離紙８を積層する粘着剤加工を行い、大きさ、５４ｍｍ×８６ｍｍに断裁して剥離紙付き非接触ＩＣタグ１を完成した。

（金属蒸着層を有する基材の製造）
表面基材４として、予め、コロナ放電処理した厚さ１２μｍの２軸延伸ＰＥＴフィルムを使用した。まず、上記の２軸延伸ＰＥＴフィルムをＰＶＤ法真空蒸着装置２０の送り出しロールに装着し、次いで、これを繰り出し、その２軸延伸ＰＥＴフィルムのコロナ処理面上に、以下の蒸着条件により、錫（Ｓｎ）を海・島構造になるように、膜厚１０ｎｍの金属蒸着膜６ｍを形成した。蒸着チャンバー２５内の真空度を目標の真空度にするため、アルゴン（Ａｒ）ガスを蒸着チャンバーに導入した。
（蒸着条件）
蒸着チャンバー内の真空度：７．４×１０^-4ｔｏｒｒ（９．９×１０^-2Ｐａ）
冷却ドラム温度：０°Ｃ
蒸着堆積速度：７ｎｍ／ｓｅｃ．
蒸着面：コロナ処理面

（非接触ＩＣタグの製造）
実施例１と同一条件で、アンテナパターン２を形成し、アンテナパターン２の両端に、同一のＩＣチップ３を装着して、ベースフィルム１１を完成した。
上記ベースフィルム１１の非接触ＩＣタグ１のＩＣタグ回路形成面に、上記により準備した金属蒸着層を有する表面基材４を金属蒸着面６ｍが最表面になるようにして接着剤５ａを介しラミネートした。非接触ＩＣタグ回路とは反対側のベースフィルム１１面には、厚み２０μｍのＰＥＴフィルムからなる基材６を接着剤５ｂを介しラミネートした。
接着剤５ａ，５ｂには透明なポリエステル系接着剤を使用した。最後に基材６の背面に、１２μｍの粘着剤層７を介して剥離紙８を積層する粘着剤加工を行い、大きさ５４ｍｍ×８６ｍｍに断裁して剥離紙付き非接触ＩＣタグ１を完成した。

（金属蒸着層を有する基材の製造）
表面基材４として、予め、コロナ放電処理した厚さ１２μｍの２軸延伸ＰＥＴフィルムを使用した。まず、上記の２軸延伸ＰＥＴフィルムをＰＶＤ法真空蒸着装置２０の送り出しロールに装着し、次いで、これを繰り出し、その２軸延伸ＰＥＴフィルムのコロナ処理面上に、以下の蒸着条件により、錫（Ｓｎ）を海・島構造になるように、膜厚１０ｎｍの金属蒸着膜６ｍを形成した。
（蒸着条件）
蒸着チャンバー内の真空度：２．６×１０^-4ｔｏｒｒ（３．５×１０^-2Ｐａ）
冷却ドラム温度：０°Ｃ
蒸着堆積速度：１ｎｍ／ｓｅｃ．
蒸着面：コロナ処理面

（非接触ＩＣタグの製造）
実施例２と同一条件にして、上記により準備した金属蒸着層を有する表面基材４を金属蒸着面６ｍが最表面になるようにして接着剤５a を介し非接触ＩＣタグ回路形成面にラミネートした。粘着剤層７、剥離紙８も同様にして形成し、大きさ５４ｍｍ×８６ｍｍに断裁して剥離紙付き非接触ＩＣタグ１を完成した。

（金属蒸着層を有する基材の製造）
表面基材４として、予め、コロナ放電処理した厚さ１２μｍの２軸延伸ＰＥＴフィルムを使用した。まず、上記の２軸延伸ＰＥＴフィルムをスパッタリング法蒸着装置に装着し、次いで、２軸延伸ＰＥＴフィルムのコロナ処理面の上に、以下の蒸着条件により、錫（Ｓｎ）を海・島構造になるように、膜厚１５ｎｍの金属蒸着膜６ｍを形成した。
（蒸着条件）
蒸着チャンバー内の真空度：９．２×１０^-4ｔｏｒｒ（１２．０×１０^-2Ｐａ）
冷却ドラム温度：４°Ｃ
蒸着堆積速度：０．２ｎｍ／ｓｅｃ．
蒸着面：コロナ処理面

（非接触ＩＣタグの製造）
実施例２と同一条件にして、上記により準備した金属蒸着層を有する表面基材４を金属蒸着面６ｍが最表面になるようにして接着剤５ａを介し非接触ＩＣタグ回路形成面にラミネートした。粘着剤層７、剥離紙８も同様にして形成し、大きさ５４ｍｍ×８６ｍｍに断裁して剥離紙付き非接触ＩＣタグ１を完成した。

（金属蒸着層を有する基材の製造）
表面基材４として、予め、コロナ放電処理した厚さ１２μｍの２軸延伸ＰＥＴフィルムを使用した。まず、上記の２軸延伸ＰＥＴフィルムをＰＶＤ法真空蒸着装置の送り出しロールに装着し、次いで、これを繰り出し、その２軸延伸ＰＥＴフィルムのコロナ処理面上に、以下の蒸着条件により、錫（Ｓｎ）およびアルミニウム（Ａｌ）を各々の蒸着源より蒸着し、蒸着層がＳｎ−Ａｌ合金からなる海・島構造になるように、膜厚２０ｎｍの金属蒸着膜６ｍを形成した。
（蒸着条件）
蒸着チャンバー内の真空度：６．７×１０^-4ｔｏｒｒ（８．９×１０^-2Ｐａ）
冷却ドラム温度：０°Ｃ
蒸着堆積速度：１５ｎｍ／ｓｅｃ．
蒸着面：コロナ処理面

（非接触ＩＣタグの製造）
実施例２と同一条件にして、上記により準備した金属蒸着層を有する表面基材４を金属蒸着面６ｍが最表面になるようにして接着剤５ａを介し非接触ＩＣタグ回路形成面にラミネートした。粘着剤層７、剥離紙８も同様にして形成し、大きさ５４ｍｍ×８６ｍｍに断裁して剥離紙付き非接触ＩＣタグ１を完成した。

（金属蒸着層を有する基材の製造）
表面基材４として、予め、コロナ放電処理した厚さ１２μｍの２軸延伸ＰＥＴフィルムを使用した。まず、上記の２軸延伸ＰＥＴフィルムをＰＶＤ法真空蒸着装置２０の送り出しロールに装着し、次いで、これを繰り出し、その２軸延伸ＰＥＴフィルムのコロナ処理面上に、以下の蒸着条件により、錫（Ｓｎ）およびアルミニウム（Ａｌ）を各々の蒸着元より蒸着し、蒸着層がＳｎ−Ａｌ合金からなる海・島構造になるように、膜厚１０ｎｍの金属蒸着膜６ｍを形成した。
（蒸着条件）
蒸着チャンバー内の真空度：４．２×１０^-4ｔｏｒｒ（５．６×１０^-2Ｐａ）
冷却ドラム温度：０°Ｃ
蒸着堆積速度：１５ｎｍ／ｓｅｃ．
蒸着面：コロナ処理面

（非接触ＩＣタグの製造）
実施例２と同一条件にして、上記により準備した金属蒸着層を有する表面基材４を金属蒸着面６ｍが最表面になるようにして接着剤５ａを介し非接触ＩＣタグ回路形成面にラミネートした。粘着剤層７、剥離紙８も同様にして形成し、大きさ５４ｍｍ×８６ｍｍに断裁して剥離紙付き非接触ＩＣタグ１を完成した。

（金属蒸着層を有する基材の製造）
ベースフィルム１１として、予め、実施例１と同一条件にしてアンテナパターン２を形成済みの厚さ３８μｍの２軸延伸透明ＰＥＴフィルムを使用した。この基材をＰＶＤ法真空蒸着装置２０の送り出しロールに装着し、次いで、これを繰り出し、その２軸延伸ＰＥＴフィルムのアンテナパターン２形成面とは反対側面のコロナ処理面上に、以下の蒸着条件により、錫（Ｓｎ）を海・島構造になるように蒸着し、膜厚１０ｎｍの金属蒸着膜６ｍを形成した。
（蒸着条件）
蒸着チャンバー内の真空度：７．４×１０^-4ｔｏｒｒ（９．９×１０^-2Ｐａ）
冷却ドラム温度：０°Ｃ
蒸着堆積速度：７ｎｍ／ｓｅｃ．
蒸着面：コロナ処理面

（非接触ＩＣタグの製造）
ベースフィルム１１のアンテナコイル両端部２ａ，２ｂに、平面サイズが１．０ｍｍ角、厚み１５０μｍであるＩＣチップ３をフェイスダウンの状態で熱圧をかけて装着し、ベースフィルムを完成した。なお、アンテナパターン２は外形が、ほぼ４５ｍｍ×７６ｍｍの大きさとなるようにした。
上記ベースフィルム１１の非接触ＩＣタグ１の非接触ＩＣタグ回路形成面に、接着剤５ａを介し、厚み１２μｍの２軸延伸透明ＰＥＴフィルムからなる表面基材４を接着し、ＩＣタグ回路とは反対側のベースフィルム１１面には、厚み２０μｍのＰＥＴフィルムからなる基材６を接着剤５ｂを介しラミネートした。接着剤５ａ，５ｂには透明なポリエステル系接着剤を使用した。最後に基材６の背面に、１２μｍの粘着剤層７を介して剥離紙８を積層する粘着剤加工を行い、大きさ５４ｍｍ×８６ｍｍに断裁して剥離紙付き非接触ＩＣタグ１を完成した。

（金属蒸着層を有する基材の製造）
表面基材４として、ポリウレタン系水性樹脂（大日本インキ化学工業株式会社製「ＭＥＴ−Ｗ−１６５Ｃ」）をコートした片面コート紙（６４ｇ／ｍ² ）を使用した。この表面基材４をＰＶＤ法真空蒸着装置２０の送り出しロールに装着し、次いで、これを繰り出し、そのコート処理面上に、以下の蒸着条件により、錫（Ｓｎ）を、海・島構造になるように蒸着し、膜厚１０ｎｍの金属蒸着膜６ｍを形成した。
（蒸着条件）
蒸着チャンバー内の真空度：７．４×１０^-4ｔｏｒｒ（９．９×１０^-2Ｐａ）
冷却ドラム温度：０°Ｃ
蒸着堆積速度：７ｎｍ／ｓｅｃ．
蒸着面：アンダーコート面

（非接触ＩＣタグの製造）
実施例２と同一条件にして、上記により準備した金属蒸着層を有する表面基材４を金属蒸着面６ｍが最表面になるようにして接着剤５ａを介し非接触ＩＣタグ回路形成面にラミネートした。粘着剤層７、剥離紙８も同様にして形成し、大きさ５４ｍｍ×８６ｍｍに断裁して剥離紙付き非接触ＩＣタグ１を完成した。
（比較例１）

（金属蒸着層を有する基材の製造）
表面基材４として、予め、コロナ放電処理した厚さ１２μｍの２軸延伸ＰＥＴフィルムを使用した。まず、上記の２軸延伸ＰＥＴフィルムをＰＶＤ法真空蒸着装置２０の送り出しロールに装着し、次いで、これを繰り出し、その２軸延伸ＰＥＴフィルムのコロナ処理面上に、以下の蒸着条件により、アルミニウム（Ａｌ）を膜厚４０ｎｍの通常の連続蒸着膜に形成した。
（蒸着条件）
蒸着チャンバー内の真空度：３．７×１０^-4ｔｏｒｒ（４．９×１０^-2Ｐａ）
冷却ドラム温度：０°Ｃ
蒸着堆積速度：２５ｎｍ／ｓｅｃ．
蒸着面：コロナ処理面

（非接触ＩＣタグの製造）
実施例２と同一条件にして、上記により準備した金属蒸着層を有する表面基材４を金属蒸着面６ｍが最表面になるようにして接着剤５ａを介し非接触ＩＣタグ回路形成面にラミネートした。粘着剤層７、剥離紙８も同様にして形成し、大きさ５４ｍｍ×８６ｍｍに断裁して剥離紙付き非接触ＩＣタグ１を完成した。
（比較例２）

表面基材４として、予め、コロナ放電処理した厚さ１２μｍの２軸延伸ＰＥＴフィルムを使用した。まず、上記の２軸延伸ＰＥＴフィルムをＰＶＤ法真空蒸着装置２０の送り出しロールに装着し、次いで、これを繰り出し、その２軸延伸ＰＥＴフィルムのコロナ処理面上に、以下の蒸着条件により、錫（Ｓｎ）を膜厚２０ｎｍの通常の連続蒸着膜に形成した。
（蒸着条件）
蒸着チャンバー内の真空度：６．７×１０^-4ｔｏｒｒ（８．９×１０^-2Ｐａ）
冷却ドラム温度：０°Ｃ
蒸着堆積速度：３０ｎｍ／ｓｅｃ．
蒸着面：コロナ処理面

（非接触ＩＣタグの製造）
実施例２と同一条件にして、上記により準備した金属蒸着層を有する表面基材４を金属蒸着面６ｍが最表面になるようにして接着剤５ａを介し非接触ＩＣタグ回路形成面にラミネートした。粘着剤層７、剥離紙８も同様にして形成し、大きさ５４ｍｍ×８６ｍｍに断裁して剥離紙付き非接触ＩＣタグ１を完成した。

上記、実施例１から実施例８、および比較例１、比較例２の内容を整理すると表１のようになる。

上記実施例１から実施例８の金属蒸着膜については、ほぼ海・島構造と判定できる構造層が形成されているのが確認できた。当該海・島構造の島サイズ（平均差し渡し径）と島間隔（平均島間隔）、および表面粗さを原子間力顕微鏡（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ製「Ｎａｎｏ ＳｃｏｐｅIII 」）の画像から解析した結果、を表２に示す。 比較例を含め金属蒸着面６ｍの表面抵抗率（Ω／□）を抵抗率計（三菱化学株式会社製「ＭＣＰ−ＨＴ２６０」による）で測定した結果、および完成した非接触ＩＣタグに対して、５ｃｍ離れた位置からの書き込み読み取り試験をＩＣタグリーダライタ（株式会社ウェルトキャット製「ＲＣＴ−２００−０１」（１３．５６ＭＨｚ））を使用して行った結果、も表２に合わせて示す。なお、いずれの場合も金属蒸着層とＩＣタグリーダライタの間にアンテナパターン２が位置するようにして書き込み読み取り試験を行った。

実施例４が実施例３に比較して、表面抵抗率が低下するのは、膜厚が厚いことと、堆積速度が遅く緻密な膜が形成されていることに起因すると考えられる。また、実施例５が実施例１と比較して、表面抵抗率が低下するのは、アルミニウムが入ることにより表面抵抗率が低下するためと考えられる。
なお、実施例５、実施例６においては、錫（Ｓｎ）およびアルミニウム（Ａｌ）による多源蒸着を行っているが、生成したＳｎ−Ａｌ合金をＥＳＣＡ（英国、ＶＧ Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ社製「ＬＡＢ２２０ｉ−ＸＬ」）で測定したところ、ＳｎとＡｌの比は原子数において、いずれも１００：１〜１０の範囲であった。

絶縁性金属層付き非接触ＩＣタグの第１の例を示す平面図である。 図１の断面図である。 同第２の例を示す断面図である。 同第３の例を示す断面図である。 同第４の例を示す断面図である。 絶縁性金属蒸着層の構造を説明する模式平面図である。 絶縁性金属蒸着層の模式断面図である。 巻取り式の真空蒸着装置の一例を示す概念的構成図である。

符号の説明

１ 絶縁性金属層付き非接触ＩＣタグ
２ アンテナパターン
３ ＩＣチップ
４ 表面基材
５ａ，５ｂ，５ｃ 接着剤層
６ 金属蒸着層を有する基材、基材
６ｍ 金属蒸着層
７ 粘着剤層
８ 剥離紙
９ 第２の表面基材
１０ 導通部材
１１ ベースフィルム
２０ 真空蒸着装置
２１ 基材フィルム
２２ 真空チャンバー
２４ コーティングドラム、冷却ドラム
２５ 蒸着チャンバー

Claims (9)

1. 非接触ＩＣタグ回路が形成されたベースフィルムのアンテナパターン側面に、ＳｎとＡｌの比が原子数において、１００：１〜１０の範囲である錫−アルミニウム（Ｓｎ−Ａｌ）合金からなる絶縁性金属蒸着層を有するプラスチックフィルムまたは紙基材が積層されていることを特徴とする絶縁性金属層付き非接触ＩＣタグ。
2. 非接触ＩＣタグ回路が形成されたベースフィルムのアンテナパターンとは反対側面に、ＳｎとＡｌの比が原子数において、１００：１〜１０の範囲である錫−アルミニウム（Ｓｎ−Ａｌ）合金からなる絶縁性金属蒸着層を有することを特徴とする絶縁性金属層付き非接触ＩＣタグ。
3. 非接触ＩＣタグ回路が形成されたベースフィルムのアンテナパターン側面がプラスチックフィルムまたは紙基材で被覆され、当該ベースフィルムの他方側面に粘着剤層を有する非接触ＩＣタグにおいて、前記プラスチックフィルムまたは紙基材の外面が、ＳｎとＡｌの比が原子数において、１００：１〜１０の範囲である錫−アルミニウム（Ｓｎ−Ａｌ）合金からなる絶縁性金属蒸着層を有するプラスチックフィルムまたは紙基材により、さらに被覆されていることを特徴とする絶縁性金属層付き非接触ＩＣタグ。
4. ベースフィルムに形成されたアンテナパターンに非接触通信機能部、制御部およびメモリを備えるＩＣチップが結合され、さらに前記ベースフィルムのアンテナパターン側面に、ＳｎとＡｌの比が原子数において、１００：１〜１０の範囲である錫−アルミニウム（Ｓｎ−Ａｌ）合金からなる絶縁性金属蒸着層を有するフィルムまたは紙基材が積層されていることを特徴とする絶縁性金属層付き非接触ＩＣタグ。
5. ベースフィルムに形成されたアンテナパターンに非接触通信機能部、制御部およびメモリを備えるＩＣチップが結合され、前記ベースフィルムのアンテナパターンとは反対側面に、ＳｎとＡｌの比が原子数において、１００：１〜１０の範囲である錫−アルミニウム（Ｓｎ−Ａｌ）合金からなる絶縁性金属蒸着層を有することを特徴とする絶縁性金属層付き非接触ＩＣタグ。
6. ベースフィルムに形成されたアンテナパターンに非接触通信機能部、制御部およびメモリを備えるＩＣチップが結合され、前記ベースフィルムのアンテナパターン面がプラスチックフィルムまたは紙基材で被覆され、当該ベースフィルムの他方の面に粘着剤層を有する非接触ＩＣタグにおいて、前記プラスチックフィルムまたは紙基材の外面は、ＳｎとＡｌの比が原子数において、１００：１〜１０の範囲である錫−アルミニウム（Ｓｎ−Ａｌ）合金からなる絶縁性金属蒸着層を有するプラスチックフィルムまたは紙基材により、さらに被覆されていることを特徴とする絶縁性金属層付き非接触ＩＣタグ。
7. 絶縁性金属蒸着層の表面抵抗率が、１０¹⁰〜１０²⁵Ω／□の範囲であることを特徴とする請求項１ないし請求項６のいずれか１の請求項に記載の絶縁性金属層付き非接触ＩＣタグ。
8. 絶縁性金属蒸着層表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定した場合の中心線平均粗さＲａが、１０ｎｍを超え、１００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１ないし請求項６のいずれか１の請求項に記載の絶縁性金属層付き非接触ＩＣタグ。
9. 絶縁性金属蒸着層が海・島構造からなり、当該海・島構造の、島サイズが２０ｎｍ〜１μｍ、島間の間隔が１０ｎｍ〜５００ｎｍの範囲であることを特徴とする請求項１ないし請求項６のいずれか１の請求項に記載の絶縁性金属層付き非接触ＩＣタグ。

Images