CN108975340A - 一种多晶硅副产物四氯化硅的提纯方法 - Google Patents

一种多晶硅副产物四氯化硅的提纯方法 Download PDF

Info

Publication number
CN108975340A
CN108975340A CN201811075032.2A CN201811075032A CN108975340A CN 108975340 A CN108975340 A CN 108975340A CN 201811075032 A CN201811075032 A CN 201811075032A CN 108975340 A CN108975340 A CN 108975340A
Authority
CN
China
Prior art keywords
exchange resin
ion exchange
amphoteric ion
silicon tetrachloride
polysilicon
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201811075032.2A
Other languages
English (en)
Inventor
冉祎
何鹏
魏强
罗轩
袁中华
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
SICHUAN YONGXIANG SILICON CO Ltd
Original Assignee
SICHUAN YONGXIANG SILICON CO Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by SICHUAN YONGXIANG SILICON CO Ltd filed Critical SICHUAN YONGXIANG SILICON CO Ltd
Priority to CN201811075032.2A priority Critical patent/CN108975340A/zh
Publication of CN108975340A publication Critical patent/CN108975340A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/08Compounds containing halogen
    • C01B33/107Halogenated silanes
    • C01B33/1071Tetrachloride, trichlorosilane or silicochloroform, dichlorosilane, monochlorosilane or mixtures thereof

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)

Abstract

本发明公开一种多晶硅副产物四氯化硅的提纯方法,包括:多晶硅副产物四氯化硅经两性离子交换树脂进行吸附,得到提纯后的四氯化硅;所述提纯方法采用两性离子交换树脂,可降低杂质含量,有效提高多晶硅副产物四氯化硅纯度,同时,两性离子交换树脂能够长时间稳定地使用,能够削减长期运转中的树脂使用量,能够削减使用后的树脂废弃费用,提纯方法简单,能耗低,成本低,利于四氯化硅再利用。

Description

一种多晶硅副产物四氯化硅的提纯方法
技术领域
本发明涉及多晶硅生产技术领域,具体涉及一种多晶硅副产物四氯化硅的提纯方法。
背景技术
多晶硅是电子技术、信息技术和光伏发电技术的重要基础材料。改良西门子法的历史较长,生产工艺相对成熟,此工艺是以三氯氢硅为原料,在高温下用四氯化硅还原三氯氢硅来生产多晶硅,采用该法容易获得较高产量的多晶硅但采用该法生产多晶硅要产生大量的副产物四氯化硅,在正常的情况下,每生产1kg的多晶硅,要排放出10~15kg的四氯化硅。因此如何处理副产物四氯化硅已经成为多晶硅工业发展的一大瓶颈。
目前,对多晶硅副产物四氯化硅的处理主要有两条途径:一是将多晶硅副产物四氯化硅制成硅酸乙酯、有机硅等产品,但这些方法对四氯化硅的消化量太小,且往往在消耗废物的同时又产生新的环境污染;另一种途径是将多晶硅副产物四氯化硅氢化为三氯氢硅,返回到合成工序进行再利用,这种处理方式对四氯化硅的纯度要求高,现有的现有的四氯化硅提纯方法存在投资大、能耗高、工序复杂等缺点。
发明内容
有鉴于此,本申请提供了一种多晶硅副产物四氯化硅的提纯方法;采用两性离子交换树脂,可降低杂质含量,有效提高多晶硅副产物四氯化硅纯度,同时,两性离子交换树脂能够长时间稳定地使用,能够削减长期运转中的树脂使用量,能够削减使用后的树脂废弃费用,提纯方法简单,能耗低,成本低,利于四氯化硅再利用。
为解决以上技术问题,本发明提供的技术方案是一种多晶硅副产物四氯化硅的提纯方法,包括:多晶硅副产物四氯化硅经两性离子交换树脂进行吸附,得到提纯后的四氯化硅。
优选的,两性离子交换树脂为带有羧基和胺基的两性离子交换树脂。
优选的,所述两性离子交换树脂为两性离子交换树脂颗粒。
优选的,所述两性离子交换树脂颗粒直径平均值为0.60~0.80mm。
优选的,所述两性离子交换树脂颗粒均一系数包括≤1.5。
优选的,所述两性离子交换树脂颗粒中直径<0.315mm的两性离子交换树脂颗粒含量≤1.0%,所述两性离子交换树脂颗粒中直径>1.250mm的两性离子交换树脂颗粒含量≤2.0%。
优选的,所述两性离子交换树脂进行吸附过程,吸附时间≥30min。
优选的,所述两性离子交换树脂进行吸附过程,进料温度≤20℃。
优选的,所述两性离子交换树脂进行吸附过程,两性离子交换树脂工作温度≤100℃。
优选的,所述两性离子交换树脂进行吸附过程,流速为8~40BV/h。
优选的,所述两性离子交换树脂进行吸附过程,所述两性离子交换树脂床层高度≥600mm。
优选的,所述两性离子交换树脂弱碱基团换容量≥2.0mmol/g,全交换容量≥3.6mmol/ml。
优选的,所述两性离子交换树脂水份含量38~48wt%。
优选的,具体包括:多晶硅副产物四氯化硅经固定床反应器中的两性离子交换树脂进行吸附,得到提纯后的四氯化硅。
优选的,所述固定床反应器为装填所述两性离子交换树脂作催化剂的固定床反应器。
优选的,所述固定床反应器为立式固定床反应器。
本申请与现有技术相比,其详细说明如下:
本发明提供了一种多晶硅副产物四氯化硅,多晶硅副产物四氯化硅采用两性离子交换树脂进行吸附,吸附多晶硅副产物四氯化硅中杂质,进行交换反应后,可通过冲洗,回复到原有状态,容易实现再生,重复利用率高,利于多晶硅副产物四氯化硅提纯,提纯方法简单,能耗低,成本低,利于四氯化硅再利用。优选两性离子交换树脂为带有羧基和胺基的两性离子交换树脂,羧基为弱酸性基团,胺基为弱碱性基团,两种基团彼此接近,可以相互结合,不需要用酸、碱等再生剂,只需用大量的水淋洗,即可使树脂得到再生,恢复原有的交换能力,容易实现再生,重复利用率高,能够得到更高的杂质吸附能力,能够长时间稳定地使用,能够削减长期运转中的树脂使用量,能够削减使用后的树脂废弃费用,提纯方法简单,能耗低,成本低,利于四氯化硅再利用,。
本发明多晶硅副产物四氯化硅采用两性离子交换树脂进行吸附,两性离子交换树脂,同时含有酸性基团和碱性基团,去除多晶硅副产物四氯化硅中混杂的阳离子和阴离子,混杂的金属杂质,从而达到分离提纯的目的,四氯化硅中金属杂质去除65wt%以上,提纯后的四氯化硅中总金属杂质在3ppb以内。
进一步的,本发明筛选吸附过程的吸附条件,提高吸附能力,从而达到更好的分离提纯的目的,进一步提高提纯后的四氯化硅的纯度。
进一步的,本发明采用装填两性离子交换树脂作催化剂的固定床反应器作为提纯设备,降低了能量消耗,相对于采用脱重精馏塔,蒸汽消耗量减少10t/h以上。
具体实施方式
为了使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案,下面结合具体实施例对本发明作进一步的详细说明。
实施例1
一种多晶硅副产物四氯化硅提纯方法,包括:多晶硅副产物四氯化硅经固定床反应器中的两性离子交换树脂进行吸附,得到提纯后的四氯化硅。
其中,
四氯化硅中金属杂质去除65wt%以上,提纯后的四氯化硅中总金属杂质在3ppb以内。
上述两性离子交换树脂为带有羧基和胺基的两性离子交换树脂。所述两性离子交换树脂进行吸附过程,吸附时间≥30min,进料温度≤20℃,两性离子交换树脂工作温度≤100℃,流速为8~40BV/h,所述两性离子交换树脂床层高度≥600mm。所述两性离子交换树脂弱碱基团换容量≥2.0mmol/g,全交换容量≥3.6mmol/ml。所述两性离子交换树脂水份含量38-48wt%。上述两性离子交换树脂再生过程采用流速2BV的水淋洗,即可得到再生,恢复原有的交换能力。
所述两性离子交换树脂为两性离子交换树脂颗粒,所述两性离子交换树脂颗粒直径平均值为0.60~0.80mm,所述两性离子交换树脂颗粒均一系数包括≤1.5,所述两性离子交换树脂颗粒中直径<0.315mm的两性离子交换树脂颗粒含量≤1.0%,所述两性离子交换树脂颗粒中直径>1.250mm的两性离子交换树脂颗粒含量≤2.0%。
上述固定床反应器为装填所述两性离子交换树脂作催化剂的固定床反应器,所述装填所述两性离子交换树脂的方法为常规固定床装填树脂的方法。且所述固定床反应器为市售立式固定床反应器。
以上仅是本发明的优选实施方式,应当指出的是,上述优选实施方式不应视为对本发明的限制,本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明的精神和范围内,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种多晶硅副产物四氯化硅的提纯方法,其特征在于,包括:多晶硅副产物四氯化硅经两性离子交换树脂进行吸附,得到提纯后的四氯化硅。
2.根据权利要求1所述的提纯方法,其特征在于,两性离子交换树脂为带有羧基和胺基的两性离子交换树脂。
3.根据权利要求1所述的提纯方法,其特征在于,所述两性离子交换树脂为两性离子交换树脂颗粒。
4.根据权利要求3所述的提纯方法,其特征在于,所述两性离子交换树脂颗粒直径平均值为0.60~0.80mm。
5.据权利要求1所述的提纯方法,其特征在于,所述两性离子交换树脂进行吸附过程,进料温度≤20℃。
6.根据权利要求1所述的提纯方法,其特征在于,所述两性离子交换树脂进行吸附过程,吸附时间≥30min。
7.根据权利要求1所述的提纯方法,其特征在于,所述两性离子交换树脂进行吸附过程,流速为8~40BV/h。
8.根据权利要求1所述的提纯方法,其特征在于,所述两性离子交换树脂进行吸附过程,所述两性离子交换树脂床层高度≥600mm。
9.根据权利要求1所述的提纯方法,其特征在于,具体包括:多晶硅副产物四氯化硅经固定床反应器中的两性离子交换树脂进行吸附,得到提纯后的四氯化硅,。
10.根据权利要求9所述的提纯方法,其特征在于,所述固定床反应器为装填所述两性离子交换树脂作催化剂的固定床反应器。
CN201811075032.2A 2018-09-14 2018-09-14 一种多晶硅副产物四氯化硅的提纯方法 Pending CN108975340A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811075032.2A CN108975340A (zh) 2018-09-14 2018-09-14 一种多晶硅副产物四氯化硅的提纯方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811075032.2A CN108975340A (zh) 2018-09-14 2018-09-14 一种多晶硅副产物四氯化硅的提纯方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN108975340A true CN108975340A (zh) 2018-12-11

Family

ID=64546236

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201811075032.2A Pending CN108975340A (zh) 2018-09-14 2018-09-14 一种多晶硅副产物四氯化硅的提纯方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN108975340A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109678161A (zh) * 2019-01-24 2019-04-26 唐山三孚硅业股份有限公司 生产光纤级四氯化硅的原料的处理方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101428804A (zh) * 2008-12-03 2009-05-13 孙永敏 用树脂去除氯硅烷类物料中硼磷离子的方法
KR101452354B1 (ko) * 2014-01-24 2014-10-22 한화케미칼 주식회사 폐가스의 정제방법 및 정제장치
CN104828827A (zh) * 2015-05-15 2015-08-12 国电内蒙古晶阳能源有限公司 提纯三氯氢硅的方法
CN105073638A (zh) * 2013-02-13 2015-11-18 信越化学工业株式会社 三氯硅烷的制造方法
CN108408729A (zh) * 2018-05-02 2018-08-17 西安蓝深环保科技有限公司 一种三氯氢硅中分离重金属的方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101428804A (zh) * 2008-12-03 2009-05-13 孙永敏 用树脂去除氯硅烷类物料中硼磷离子的方法
CN105073638A (zh) * 2013-02-13 2015-11-18 信越化学工业株式会社 三氯硅烷的制造方法
KR101452354B1 (ko) * 2014-01-24 2014-10-22 한화케미칼 주식회사 폐가스의 정제방법 및 정제장치
CN104828827A (zh) * 2015-05-15 2015-08-12 国电内蒙古晶阳能源有限公司 提纯三氯氢硅的方法
CN108408729A (zh) * 2018-05-02 2018-08-17 西安蓝深环保科技有限公司 一种三氯氢硅中分离重金属的方法

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
何领好等: "《功能高分子材料》", 31 August 2016 *
戚桓瑜: "《光伏材料制备与加工》", 30 April 2015 *
陈家镛: "《湿法冶金手册》", 30 September 2005 *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109678161A (zh) * 2019-01-24 2019-04-26 唐山三孚硅业股份有限公司 生产光纤级四氯化硅的原料的处理方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101327912B (zh) 从生产多晶硅所产生的尾气中回收氢气的方法
CN101838749B (zh) 一种含钒溶液离子交换提钒方法
CN101357764B (zh) 可回收循环利用尾气中的氯化氢的多晶硅生产方法
CN102058992B (zh) 去除氯硅烷体系中硼杂质的隔板吸附装置及方法
WO2020103799A1 (zh) 一种反应精馏去除三氯氢硅中甲基二氯硅烷的装置和方法
CN104017366A (zh) 硅橡胶裂解回收再生工艺
CN103058140B (zh) 多晶硅生产中副产物的回收系统以及回收方法
CN102030329B (zh) 一种多晶硅生产装置及工艺
CN108675911B (zh) 一种降低电石渣产生的电石乙炔生产工艺
CN101838064A (zh) 电解锰生产末端废水中锰离子的回收方法
CN101638233B (zh) 一种三氯氢硅合成尾气的干法回收方法
CN102923715A (zh) 一种回收多晶硅生产所产生的尾气的新工艺
CN105036081A (zh) 一种氯硅烷残液生产HCl气体的方法
CN103382032A (zh) 一种四氯化硅制备三氯氢硅的方法
CN103638688A (zh) 一种合成正丁基异氰酸酯热光反应尾气中光气的回收利用方法
CN101376499B (zh) 生产多晶硅的方法
CN108975340A (zh) 一种多晶硅副产物四氯化硅的提纯方法
CN102923716A (zh) 一种二氯二氢硅反歧化生产三氯氢硅工艺
CN203474472U (zh) 一种改良西门子法生产多晶硅的精馏纯化装置
CN101372336B (zh) 一种多晶硅生产方法
CN102079509B (zh) 四氟化硫生产工艺的自动化控制
CN101734667A (zh) 四氯化硅生产沉淀白炭黑的工艺
CN103539285B (zh) 一种n–甲基苯胺生产废水循环使用的处理方法
CN103303957B (zh) 一种利用电石渣和盐酸制取氯化钙的方法
CN113754167B (zh) 一种从焦化废水中回收氨的方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20181211