CN102923715A - 一种回收多晶硅生产所产生的尾气的新工艺 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种回收多晶硅生产所产生的尾气的新工艺，所述尾气的组分包括H2、HCl、HSiCl3、SiCl4、H2SiCl2，所述新工艺包括以下步骤：将还原炉输出的温度为500~600℃的尾气经第一次冷却后输送到HCl转化器；在HCl转化器中HCl与HSiCl3、H2SiCl2反应完全生成相应的氯硅烷；将HCl转化器出来的尾气经第二次冷却后，尾气温度降至常温，再用SiCl4冷冻液进行喷淋，对H2与氯硅烷进行气液分离；将H2经过吸附柱进行吸附除杂后，进行回收处理；将氯硅烷液体经过精馏后，再将分离出的HSiCl3进行回收处理。本发明将HCl转化为氯硅烷后，避免了HCl的吸收和解析过程，简化了分离流程，即充分的回收了原料，又降低了蒸汽和电的消耗，降低了多晶硅的生产成本。
Description
技术领域
本发明属于化学工程领域，特别涉及一种回收多晶硅生产所产生的尾气的新工艺。
背景技术
多晶硅生产过程中还原炉尾气的主要成分包括H2、HCl、HSiCl3、SiCl4、H2SiCl2，这部分物料需要得到充分的回收利用。现在普遍采用的方法是，将还原尾气冷却，在进一步的冷冻进行气液分离，H2、HCl混合气经氯硅烷喷淋吸收HCl，为了HCl吸收充分混合气要进行压缩，经喷淋吸收处理的H2中HCl的含量在0.1%左右，需要再经过吸附柱进行变压吸附除去HCl；溶解有HCl的氯硅烷要经过解析塔解析，分离氯硅烷和HCl。在这过程中，氢气压缩机的电耗占尾气分离总电耗的1/3左右，而解析塔需要高品位的蒸汽也占到全厂总蒸汽的1/3左右。在还原尾气分离的过程中HCl的分离是非常重要的一个环节，能耗占尾气分离总能耗的1/2左右，如果将HCl通过化学反应将尾气中HCl的含量降低到0.1%以下，将会在很大程度上简化了尾气分离的流程，节约了能耗、降低了成本，除此之外，还节约了大量的设备投资，提高了工艺的可靠性。
例如申请号为CN200710121058.1，公开号为CN101376078的中国专利“回收处理生产多晶硅所产生的尾气的方法”，公开了一种回收处理生产多晶硅所产生的尾气的方法，所述尾气主要包括氢气、氯化氢、和二氯二氢硅，包括以下步骤：使尾气通过液态的四氯化硅，以便氯化氢和二氯二氢硅溶解于液态的四氯化硅中，从而将氢气与氯化氢和二氯二氢硅分离，由此回收氢气；对溶解了氯化氢和二氯二氢硅的四氯化硅升温和/或加压，使氯化氢和二氯二氢硅从液态四氯化硅中解吸出来；和通过控制解吸出来的气态的氯化氢和二氯二氢硅的压力和/或温度使二氯二氢硅变为液态而氯化氢保持为气态，从而分离并分别回收氯化氢与二氯二氢硅。此专利的方法在实际操作中存在着能耗高的缺点，而且整个尾气分离流程复杂，设备投资成本高。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术存在的上述问题，提出一种回收多晶硅生产所产生的尾气的新工艺。本发明通过将尾气中的HCl转化成氯硅烷，整个工序中减少了氢压机和吸收、解析塔装置这些设备，降低了尾气回收的电耗和蒸汽消耗，降低了多晶硅的生产成本。
本发明采用以下技术方案来实现：
一种回收多晶硅生产所产生的尾气的新工艺，所述尾气的组分包括H2、HCl、HSiCl3、SiCl4、H2SiCl2，其特征在于所述新工艺包括以下步骤：
冷却步骤：将还原炉输出的温度为500~600℃的尾气经第一次冷却后输送到HCl转化器；
反应步骤：在HCl转化器中HCl与HSiCl3、H2SiCl2反应完全生成相应的氯硅烷；
气液分离步骤：将HCl转化器出来的尾气经第二次冷却后，尾气温度降至常温，再用SiCl4冷冻液进行喷淋，对H2与氯硅烷进行气液分离；
H2纯化步骤：将H2经过吸附柱进行吸附除杂后，进行回收处理；
与H2纯化步骤同时进行的HSiCl3分离步骤：将氯硅烷液体经过精馏后，再将分离出的HSiCl3进行回收处理。
所述冷却步骤中，经第一次冷却后进入HCl转化器的尾气温度为50~500℃。在此过程中，采用换热器直接降至反应所需的温度，无需外供热两加热，充分的利用为其热量，节约能源降低电耗。
所述反应步骤中，反应温度为50~500℃，压力为0.1MPa~2.0MPa。所述反应步骤中，采用固定床反应器、流化床反应器或移动床反应器作为HCl转化器。在此过程中，尾气中的HCl进行充分的反应，含量降低至0.1%（重量比）以下，大大的降低了，氯硅烷分离和H2纯化步骤地能量消耗。
所述反应步骤中，采用多个HCl转化器，并用串联方式或并联方式将多个HCl转化器连接，提高了系统的稳定型，确保尾气各组分含量稳定，同时便于催化剂的更换。
所述反应步骤中，在HCl转化器中添装有催化剂。
所述反应步骤中，添装的催化剂为分子筛催化剂、金属催化剂、高分子交联树脂催化剂、金属离子负载型催化剂中的一种。
所述H2纯化步骤中，H2吸附柱中装有吸附剂，吸附剂为活性炭、硅胶或MCM-41分子筛中的一种。通过吸附可以除掉H2中的少量HCl和其它杂质，保证H2质量，减少对多晶硅质量的影响。
所述H2纯化步骤中，将H2经过吸附柱进行吸附除杂后，输送给还原炉进行回收处理；所述与H2纯化步骤同时进行的HSiCl3分离步骤中，将氯硅烷液体经过精馏后，再将分离出的HSiCl3输送给还原炉进行回收处理。
本发明与现有技术相比，其优点在于：
1、本发明利用还原炉尾气自身的温度，不需要额外的添加热量，在HCl转化器中催化HCl与氯硅烷反应，降低了HCl吸收和解析过程中氢压机的电耗和解析塔的蒸汽消耗，降低了运行成本；除此之外，工艺流程简单，设备的投资降低了大约一半，减少了动设备的利用，使得工艺运行更加安全可靠。
2、本发明采用在冷却步骤中，经第一次冷却后进入HCl转化器的尾气温度为50~500℃；在此过程中，采用换热器直接降至反应所需的温度，无需外供热两加热，充分的利用为其热量，节约能源降低电耗。
3、本发明采用在反应步骤中，反应温度为50~500℃，压力为0.1MPa~2.0MPa；采用固定床反应器、流化床反应器或移动床反应器作为HCl转化器；在此过程中，尾气中的HCl进行充分的反应，含量降低至0.1%（重量比）以下，大大的降低了，氯硅烷分离和H2纯化步骤地能量消耗。
4、本发明采用在反应步骤中，采用多个HCl转化器，并用串联方式或并联方式将多个HCl转化器连接；提高了系统的稳定型，确保尾气各组分含量稳定，同时便于催化剂的更换。
5、本发明采用在H2纯化步骤中，H2吸附柱中装有吸附剂，吸附剂为活性炭、硅胶或MCM-41分子筛中的一种；通过吸附可以除掉H2中的少量HCl和其它杂质，保证H2质量，减少对多晶硅质量的影响。
6、采用本发明的工艺回收H2，质量高，对多晶硅产品质量影响小。
附图说明
图1为本发明的流程示意图。
具体实施方式
实施例1：
一种回收多晶硅生产所产生的尾气的新工艺，所述尾气的组分包括H2、HCl、HSiCl3、SiCl4、H2SiCl2，其特征在于所述新工艺包括以下步骤：
冷却步骤：将还原炉输出的温度为500~600℃的尾气经第一次冷却到300℃，输送到HCl转化器；
反应步骤：在HCl转化器中HCl与HSiCl3、H2SiCl2反应完全生成相应的氯硅烷；
气液分离步骤：将HCl转化器出来的尾气经第二次冷却后，尾气温度降至常温，再用SiCl4冷冻液进行喷淋，对H2与氯硅烷进行气液分离；
H2纯化步骤：将H2经过吸附柱进行吸附除杂后，进行回收处理；
与H2纯化步骤同时进行的HSiCl3分离步骤：将氯硅烷液体经过精馏后，再将分离出的HSiCl3进行回收处理。
本发明中，反应步骤进行前，尾气中HCl的含量在2%左右；反应步骤结束后，尾气中HCl含量小于0.1%。
实施例2：
一种回收多晶硅生产所产生的尾气的新工艺，所述尾气的组分包括H2、HCl、HSiCl3、SiCl4、H2SiCl2，所述新工艺包括以下步骤：
冷却步骤：将还原炉输出的温度为500~600℃的尾气经换热器进行第一次冷却至50℃后输送到固定床反应器；
反应步骤：在装有高分子交联树脂催化剂的固定床反应器中，HCl与HSiCl3、H2SiCl2反应完全生成相应的氯硅烷；反应温度为50℃，反应压力为2.0MPa压力，固定床反应器输出的尾气中HCl含量小于0.1%；
气液分离步骤：将固定床反应器输出的尾气经换热器进行第二次冷却至常温，再用SiCl4冷冻液进行喷淋，对H2与氯硅烷进行气液分离；
H2纯化步骤：将H2经过内装有吸附剂，吸附剂为活性炭、硅胶或MCM-41分子筛中的一种或几种组合的吸附柱进行吸附除杂后，输送给还原炉；
与H2纯化步骤同时进行的HSiCl3分离步骤：将氯硅烷液体经过精馏后，再将分离出的HSiCl3输送给还原炉。
本发明中，反应步骤进行前，尾气中HCl的含量在2%左右。
实施例3：
一种回收多晶硅生产所产生的尾气的新工艺，所述尾气的组分包括H2、HCl、HSiCl3、SiCl4、H2SiCl2，所述新工艺包括以下步骤：
冷却步骤：将还原炉输出的温度为500~600℃的尾气经换热器进行第一次冷却至100℃后输送到流化床反应器；
反应步骤：在装有铜分子筛催化剂的流化床反应器中，HCl与HSiCl3、H2SiCl2反应完全生成相应的氯硅烷；反应温度为100℃，反应压力为0.9 MPa压力，流化床反应器输出的尾气中HCl含量小于0.1%；
气液分离步骤：将流化床反应器输出的尾气经换热器进行第二次冷却至常温，再用SiCl4冷冻液进行喷淋，对H2与氯硅烷进行气液分离；
H2纯化步骤：将H2经过内装有吸附剂，吸附剂为活性炭、硅胶或MCM-41分子筛中的一种或几种组合的吸附柱进行吸附除杂后，输送给还原炉；
与H2纯化步骤同时进行的HSiCl3分离步骤：将氯硅烷液体经过精馏后，再将分离出的HSiCl3输送给还原炉。
本发明中，反应步骤进行前，尾气中HCl的含量在2%左右。
实施例4：
一种回收多晶硅生产所产生的尾气的新工艺，所述尾气的组分包括H2、HCl、HSiCl3、SiCl4、H2SiCl2，所述新工艺包括以下步骤：
冷却步骤：将还原炉输出的温度为500~600℃的尾气经换热器进行第一次冷却至200℃后输送到流化床反应器；
反应步骤：在装有金属离子负载型催化剂的流化床反应器中，HCl与HSiCl3、H2SiCl2反应完全生成相应的氯硅烷；反应温度为200℃，反应压力为0.1MPa压力，流化床反应器输出的尾气中HCl含量小于0.1%；
气液分离步骤：将流化床反应器输出的尾气经换热器进行第二次冷却至常温，再用SiCl4冷冻液进行喷淋，对H2与氯硅烷进行气液分离；
H2纯化步骤：将H2经过内装有吸附剂，吸附剂为活性炭、硅胶或MCM-41分子筛中的一种或几种组合的吸附柱进行吸附除杂后，输送给还原炉；
与H2纯化步骤同时进行的HSiCl3分离步骤：将氯硅烷液体经过精馏后，再将分离出的HSiCl3输送给还原炉。
本发明中，反应步骤进行前，尾气中HCl的含量在2%左右。
实施例5：
一种回收多晶硅生产所产生的尾气的新工艺，所述尾气的组分包括H2、HCl、HSiCl3、SiCl4、H2SiCl2，所述新工艺包括以下步骤：
冷却步骤：将还原炉输出的温度为500~600℃的尾气经换热器进行第一次冷却至260℃后输送到移动床反应器；
反应步骤：在装有镍基分子筛催化剂的移动床反应器中，HCl与HSiCl3、H2SiCl2反应完全生成相应的氯硅烷；反应温度为260℃，反应压力为1.2 MPa压力，移动床反应器输出的尾气中HCl含量小于0.1%；
气液分离步骤：将移动床反应器输出的尾气经换热器进行第二次冷却至常温，再用SiCl4冷冻液进行喷淋，对H2与氯硅烷进行气液分离；
H2纯化步骤：将H2经过内装有吸附剂，吸附剂为活性炭、硅胶或MCM-41分子筛中的一种或几种组合的吸附柱进行吸附除杂后，输送给还原炉；
与H2纯化步骤同时进行的HSiCl3分离步骤：将氯硅烷液体经过精馏后，再将分离出的HSiCl3输送给还原炉。
本发明中，反应步骤进行前，尾气中HCl的含量在2%左右。
实施例6：
一种回收多晶硅生产所产生的尾气的新工艺，所述尾气的组分包括H2、HCl、HSiCl3、SiCl4、H2SiCl2，所述新工艺包括以下步骤：
冷却步骤：将还原炉输出的温度为500~600℃的尾气经换热器进行第一次冷却至500℃后输送到固定床反应器；
反应步骤：在装有分子筛催化剂的固定床反应器中，HCl与HSiCl3、H2SiCl2反应完全生成相应的氯硅烷；反应温度为400℃，反应压力为0.7MPa压力，固定床反应器输出的尾气中HCl含量小于0.1%；
气液分离步骤：将固定床反应器输出的尾气经换热器进行第二次冷却至常温，再用SiCl4冷冻液进行喷淋，对H2与氯硅烷进行气液分离；
H2纯化步骤：将H2经过内装有吸附剂，吸附剂为活性炭、硅胶或MCM-41分子筛中的一种或几种组合的吸附柱进行吸附除杂后，输送给还原炉；
与H2纯化步骤同时进行的HSiCl3分离步骤：将氯硅烷液体经过精馏后，再将分离出的HSiCl3输送给还原炉。
本发明中，反应步骤进行前，尾气中HCl的含量在2%左右。
实施例7：
一种回收多晶硅生产所产生的尾气的新工艺，所述尾气的组分包括H2、HCl、HSiCl3、SiCl4、H2SiCl2，所述新工艺包括以下步骤：
冷却步骤：将还原炉输出的温度为500~600℃的尾气经换热器进行第一次冷却至400℃后输送到HCl转化器；
反应步骤：将固定床反应器、移动床反应器和流化床反应器3个转化器串联形成HCl转化器，在HCl转化器中添装的催化剂为分子筛催化剂、金属催化剂、高分子交联树脂催化剂、金属离子负载型催化剂中的一种或几种组合，HCl与HSiCl3、H2SiCl2反应完全生成相应的氯硅烷；3个转化器的反应温度依次为500℃、300℃、200℃，3个转化器的反应压力依次为0.7MPa、1.2MPa、0.9MPa，最后HCl转化器输出的尾气中HCl含量小于0.1%；
气液分离步骤：将HCl转化器输出的尾气经换热器进行第二次冷却至常温，再用SiCl4冷冻液进行喷淋，对H2与氯硅烷进行气液分离；
H2纯化步骤：将H2经过内装有吸附剂，吸附剂为活性炭、硅胶或MCM-41分子筛中的一种或几种组合的吸附柱进行吸附除杂后，输送给还原炉；
与H2纯化步骤同时进行的HSiCl3分离步骤：将氯硅烷液体经过精馏后，再将分离出的HSiCl3输送给还原炉。
本发明中，反应步骤进行前，尾气中HCl的含量在2%左右。
本发明不限于上述实施例，均在本发明的保护范围内。
Claims (10)
1.一种回收多晶硅生产所产生的尾气的新工艺，所述尾气的组分包括H2、HCl、HSiCl3、SiCl4、H2SiCl2，其特征在于所述新工艺包括以下步骤：
冷却步骤：将还原炉输出的温度为500~600℃的尾气经第一次冷却后输送到HCl转化器；
反应步骤：在HCl转化器中HCl与HSiCl3、H2SiCl2反应完全生成相应的氯硅烷；
气液分离步骤：将HCl转化器出来的尾气经第二次冷却后，尾气温度降至常温，再用SiCl4冷冻液进行喷淋，对H2与氯硅烷进行气液分离；
H2纯化步骤：将H2经过吸附柱进行吸附除杂后，进行回收处理；
与H2纯化步骤同时进行的HSiCl3分离步骤：将氯硅烷液体经过精馏后，再将分离出的HSiCl3进行回收处理。
2.根据权利要求1所述的一种回收多晶硅生产所产生的尾气的新工艺，其特征在于：所述冷却步骤中，经第一次冷却后进入HCl转化器的尾气温度为50~400℃。
3.根据权利要求1或2所述的一种回收多晶硅生产所产生的尾气的新工艺，其特征在于：所述冷却步骤与气液分离步骤中，分别采用换热器作为第一次冷却与第二次冷却的冷却设备。
4.根据权利要求1所述的一种回收多晶硅生产所产生的尾气的新工艺，其特征在于：所述反应步骤中，反应温度为50~500℃，压力为0.1MPa~2.0MPa。
5.根据权利要求4所述的一种回收多晶硅生产所产生的尾气的新工艺，其特征在于：所述反应步骤中，采用固定床反应器、流化床反应器或移动床反应器作为HCl转化器。
6.根据权利要求5所述的一种回收多晶硅生产所产生的尾气的新工艺，其特征在于：所述反应步骤中，采用多个HCl转化器，并用串联方式将多个HCl转化器连接。
7.根据权利要求5或6所述的一种回收多晶硅生产所产生的尾气的新工艺，其特征在于：所述反应步骤中，在HCl转化器中添装有催化剂。
8.根据权利要求7所述的一种回收多晶硅生产所产生的尾气的新工艺，其特征在于：所述反应步骤中，添装的催化剂为分子筛催化剂、金属催化剂、高分子交联树脂催化剂、金属离子负载型催化剂中的一种。
9.根据权利要求1所述的一种回收多晶硅生产所产生的尾气的新工艺，其特征在于：所述H2纯化步骤中，H2吸附柱中装有吸附剂，吸附剂为活性炭、硅胶或MCM-41分子筛中的一种。
10.根据权利要求1所述的一种回收多晶硅生产所产生的尾气的新工艺，其特征在于：所述H2纯化步骤中，将H2经过吸附柱进行吸附除杂后，输送给还原炉进行回收处理；所述与H2纯化步骤同时进行的HSiCl3分离步骤中，将氯硅烷液体经过精馏后，再将分离出的HSiCl3输送给还原炉进行回收处理。
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Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN102923715A (zh) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104016352A (zh) * | 2014-06-12 | 2014-09-03 | 国电内蒙古晶阳能源有限公司 | 处理多晶硅尾气的方法和系统 |
| CN104906945A (zh) * | 2014-03-11 | 2015-09-16 | 江苏中能硅业科技发展有限公司 | 除去多晶硅生产尾气中卤化氢的方法 |
| CN105502408A (zh) * | 2015-11-27 | 2016-04-20 | 新疆大全新能源有限公司 | 还原尾气处理系统及方法 |
| CN105565323A (zh) * | 2014-10-15 | 2016-05-11 | 新特能源股份有限公司 | 一种多晶硅生产过程中的尾气回收工艺 |
| CN107658456A (zh) * | 2017-09-27 | 2018-02-02 | 杨小旭 | 利用硅片切割废料制备锂电池储能材料的方法及锂电池 |
| CN108534463A (zh) * | 2017-03-03 | 2018-09-14 | 新特能源股份有限公司 | 多晶硅还原尾气深度净化方法及系统 |
| CN110240165A (zh) * | 2018-03-07 | 2019-09-17 | 新特能源股份有限公司 | 多晶硅还原尾气中二氯二氢硅的回收方法和回收装置 |
| CN111268646A (zh) * | 2020-02-26 | 2020-06-12 | 江苏鑫华半导体材料科技有限公司 | 对多晶硅生产中循环氢进行纯化的方法及系统 |
| CN112661112A (zh) * | 2020-12-23 | 2021-04-16 | 浙江天采云集科技股份有限公司 | 一种基于有机硅与H2反应的SiC-CVD外延制程尾气FTrPSA提氢与循环再利用方法 |
| CN114620731A (zh) * | 2020-12-14 | 2022-06-14 | 新疆新特晶体硅高科技有限公司 | 一种多晶硅的还原尾气回收方法及其回收装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101327912A (zh) * | 2007-06-18 | 2008-12-24 | 中国恩菲工程技术有限公司 | 从生产多晶硅所产生的尾气中回收氢气的方法 |
| CN101357286A (zh) * | 2007-07-31 | 2009-02-04 | 中国恩菲工程技术有限公司 | 从生产多晶硅所产生的尾气中回收二氯二氢硅的方法 |
| CN101519205A (zh) * | 2008-02-29 | 2009-09-02 | 三菱麻铁里亚尔株式会社 | 三氯硅烷的制造方法及制造装置 |
-
2012
- 2012-11-20 CN CN2012104691813A patent/CN102923715A/zh active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101327912A (zh) * | 2007-06-18 | 2008-12-24 | 中国恩菲工程技术有限公司 | 从生产多晶硅所产生的尾气中回收氢气的方法 |
| CN101357286A (zh) * | 2007-07-31 | 2009-02-04 | 中国恩菲工程技术有限公司 | 从生产多晶硅所产生的尾气中回收二氯二氢硅的方法 |
| CN101519205A (zh) * | 2008-02-29 | 2009-09-02 | 三菱麻铁里亚尔株式会社 | 三氯硅烷的制造方法及制造装置 |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104906945A (zh) * | 2014-03-11 | 2015-09-16 | 江苏中能硅业科技发展有限公司 | 除去多晶硅生产尾气中卤化氢的方法 |
| CN104016352A (zh) * | 2014-06-12 | 2014-09-03 | 国电内蒙古晶阳能源有限公司 | 处理多晶硅尾气的方法和系统 |
| CN105565323A (zh) * | 2014-10-15 | 2016-05-11 | 新特能源股份有限公司 | 一种多晶硅生产过程中的尾气回收工艺 |
| CN105565323B (zh) * | 2014-10-15 | 2018-01-26 | 新特能源股份有限公司 | 一种多晶硅生产过程中的尾气回收工艺 |
| CN105502408A (zh) * | 2015-11-27 | 2016-04-20 | 新疆大全新能源有限公司 | 还原尾气处理系统及方法 |
| CN105502408B (zh) * | 2015-11-27 | 2017-07-11 | 新疆大全新能源有限公司 | 还原尾气处理系统及方法 |
| CN108534463A (zh) * | 2017-03-03 | 2018-09-14 | 新特能源股份有限公司 | 多晶硅还原尾气深度净化方法及系统 |
| CN107658456A (zh) * | 2017-09-27 | 2018-02-02 | 杨小旭 | 利用硅片切割废料制备锂电池储能材料的方法及锂电池 |
| CN107658456B (zh) * | 2017-09-27 | 2020-04-28 | 杨小旭 | 利用硅片切割废料制备锂电池储能材料的方法及锂电池 |
| CN110240165A (zh) * | 2018-03-07 | 2019-09-17 | 新特能源股份有限公司 | 多晶硅还原尾气中二氯二氢硅的回收方法和回收装置 |
| CN111268646A (zh) * | 2020-02-26 | 2020-06-12 | 江苏鑫华半导体材料科技有限公司 | 对多晶硅生产中循环氢进行纯化的方法及系统 |
| CN114620731A (zh) * | 2020-12-14 | 2022-06-14 | 新疆新特晶体硅高科技有限公司 | 一种多晶硅的还原尾气回收方法及其回收装置 |
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