CN108885993A - 基板处理装置、半导体装置的制造方法以及存储介质 - Google Patents

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Abstract

本发明的课题是提供使基板的冷却时间缩短的技术。解决方案具备：基板保持体，其由隔热部和基板保持部构成，该基板保持部设置在隔热部的上方并将多个基板保持为多层；处理室，其对保持于基板保持部的基板进行处理；移载室，其与处理室相邻，并将基板移载到基板保持部；第一气体供给部，其设置于移载室的一侧面，并向移载室内供给气体；第二气体供给部，其在保持于基板保持部的最下层的基板与隔热部之间的高度位置具有气体的吹出口，并朝向基板保持体供给气体；以及控制部，其构成为控制搬运机构、第一气体供给部以及第二气体供给部。

Description

基板处理装置、半导体装置的制造方法以及存储介质
技术领域
本发明涉及基板处理装置、半导体装置的制造方法以及存储介质。
背景技术
一般来说，在半导体装置的制造工序所使用的立式基板处理装置，与处理基板的处理室相邻地配设有移载室。在处理室内被处理后的基板在移载室内被降温到预定的温度。在移载室内设置有清洁单元，从清洁单元向移载室内供给气体(例如参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2005－197373号公报
发明内容
发明所要解决的课题
然而，在基于上述的现有技术的移载室的结构中，基板的冷却需要时间。
本发明的目的在于提供能够使基板的冷却时间缩短的技术。
用于解决课题的方案
根据本发明的一方案，提供了一种技术，具备：
基板保持体，其由隔热部和基板保持部构成，该基板保持部设置在上述隔热部的上方并将多个基板保持为多层；
处理室，其对保持于上述基板保持部的基板进行处理；
移载室，其与上述处理室相邻，并将上述基板移载到上述基板保持部；
第一气体供给部，其设置于上述移载室的一侧面，并向上述移载室内供给气体；
第二气体供给部，其在保持于上述基板保持部的最下层的上述基板与上述隔热部之间的高度位置具有气体的吹出口，并朝向上述基板保持体供给气体；以及
控制部，其构成为控制上述搬运机构、上述第一气体供给部以及上述第二气体供给部。
发明效果
根据本发明，能够使基板的冷却时间缩短。
附图说明
图1是表示本发明的一实施方式中优选使用的基板处理装置的概略结构例的纵向剖视图。
图2是表示本发明的一实施方式所涉及的移载室的概略结构例的纵向剖视图。
图3是表示本发明的一实施方式所涉及的移载室的概略结构例的横向剖视图。
图4(A)是表示从清洁单元以及第二气体供给部供给的气体的流速的图，(B)是表示从清洁单元以及第二气体供给部供给的气体的流量的图。
图5(A)是表示气体供给部的变形例的图，(B)是表示气体供给部的变形例的图，(C)是表示气体供给部的变形例的图，(D)是表示气体供给部的变形例的图。
图6是表示变形例4中的移载室的概略结构例的纵向剖视图。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的非限定性的例示性实施方式进行说明。在所有附图中，对相同或者对应的结构标注相同或者对应的参照附图标记，省略重复的说明。
在本实施方式中，基板处理装置构成为实施热处理等基板处理工序作为半导体装置(设备)的制造方法中的制造工序的一个工序的立式基板处理装置(以下，称为处理装置)2。如图1所示，处理装置2具有移载室4和配置在移载室4的上方的处理炉6。
处理炉6具备圆筒形状的反应管10和设置于反应管10的外周的作为第一加热单元(加热机构)的加热器12。反应管10例如由石英、SiC形成。在反应管10的内部形成有处理作为基板的晶圆W的处理室14。在反应管10设置有作为温度检测器的温度检测部16。温度检测部16沿着反应管10的内壁竖立设置。
在反应管10的下端开口部，圆筒形的歧管18经由O型环等密封部件连结，并支承反应管10的下端。歧管18例如由不锈钢等金属形成。歧管18的下端开口部被圆盘状的闸门20或者盖部22打开和关闭。盖部22例如由金属形成为圆盘状。在闸门20以及盖部22的上表面设置有O型环等密封部件，由此，反应管10的内部与外部空气被气密地密封。
在盖部22上载置有隔热部24。隔热部24例如由石英形成。隔热部24在表面或者内部具有作为第二加热单元(加热机构)的盖加热器24a。盖加热器24a构成为对保持于处理室14的下方或后述的晶舟26的下部的基板进行加热。在隔热部24的上方设置有作为基板保持部的晶舟26。晶舟26由顶板26a、底板26c、以及设置在顶板26a与底板26c之间的多个柱26b构成。晶舟26通过多层地形成于柱26b的槽而载置晶圆W，从而垂直地以多层支承多个例如25～150个晶圆W。晶舟26例如由石英或SiC形成。由隔热部24和晶舟26构成了基板保持体27。在基板处理时，基板保持体27收纳于处理室14内。
隔热部24与贯通盖部22的旋转轴28连接。旋转轴28与设置于盖部22的下方的旋转机构30连接。通过利用旋转机构30使旋转轴28旋转，从而能够使隔热部24以及晶舟26旋转。
在移载室4内配置有基板移载机56、晶舟26、作为升降机构的晶舟升降机32。基板移载机56例如具有能够取出5个晶圆W的臂(镊子)56a。基板移载机56构成为通过利用未图示的驱动单元使臂56a上下旋转动作，从而能够使晶圆W在置于开盒器58的位置处的晶盒60与晶舟26之间搬运。晶舟升降机32通过使盖部22上下升降，而使晶舟26相对于反应管10搬入搬出。后面描述移载室4的结构的详细。
处理装置2具备将基板处理所使用的气体供给到处理室14内的气体供给机构34。气体供给机构34供给的气体根据被成膜的膜的种类适当地切换。气体供给机构34包括原料气体供给部(原料气体供给系统)、反应气体供给部(反应气体供给系统)以及惰性气体供给部(惰性气体供给系统)。
原料气体供给系统具备气体供给管36a，在气体供给管36a从上游方向依次设置有作为流量控制器(流量控制部)的质量流量控制器(MFC)38a以及作为开闭阀的阀40a。气体供给管36a与贯通歧管18的侧壁的喷嘴44a连接。喷嘴44a在反应管10内沿着上下方向竖立设置，形成有朝向保持于晶舟26的晶圆W开口的多个供给孔。通过喷嘴44a的供给孔相对于晶圆W供给原料气体。
以下，通过相同的结构，从反应气体供给系统经由供给管36a、MFC38a、阀40a以及喷嘴44a相对于晶圆W供给反应气体。从惰性气体供给系统经由供给管36b、MFC38b、阀40b以及喷嘴44a相对于晶圆W供给惰性气体。
在歧管18安装有排气管46。在排气管46经由作为检测处理室14内的压力的压力检测器(压力检测部)的压力传感器48以及作为压力调整器(压力调整部)的APC(AutoPressure Controller：自动压力控制器)阀40连接有作为真空排气装置的真空泵52。通过这样的结构，能够使处理室14内的压力成为与处理对应的处理压力。
接下来，使用图1～3对本实施方式所涉及的移载室4的结构进行说明。
如图2、3所示，移载室4通过天花板、地板以及包围四方的侧壁构成为平面多边形状，例如，构成为平面方形。在移载室4的一侧面设置有作为第一送风部(第一气体供给部)的清洁单元62。从清洁单元62向移载室4内供给作为清洁空气(清洁环境气体)的气体。另外，在位于移载室4的周围的空间形成有用于使气体循环的循环路径74。供给到移载室4内的气体从排气部72排出，并经由循环路径74从清洁单元62再次供给到移载室4内。在循环路径74的中途设置有未图示的散热器，气体通过散热器而被冷却。
清洁单元62配置为上部清洁单元62a和下部清洁单元62b上下相邻。上部清洁单元62a构成为朝向移载室4内，特别是晶舟26供给气体。下部清洁单元62b构成为朝向移载室4内，特别是隔热部24供给气体。以下，称为清洁单元62的情况包括表示清洁单元62a的情况、表示清洁单元62b的情况、或者表示这两方的情况。
清洁单元62从上游侧依次具有作为送风部的风扇64、作为缓冲室的缓冲区域66、过滤部68、以及气体供给口70。缓冲区域66是用于将气体从气体供给口70的整个面均匀地吹出的扩散空间。过滤部68构成为除去气体所包含的颗粒。风扇、缓冲区域、过滤部、气体供给口分别设置于清洁单元62a、62b。
在清洁单元62的对置侧的一侧面设置有侧面排气部72a和晶舟升降机32。从清洁单元62a向移载室4内供给的气体主要从侧面排气部72a排出，经由循环路径74从清洁单元62再次供给到移载室4内。由此，在移载室4内的上部区域(晶圆W区域)形成有水平方向(与晶圆W平行的方向)的气流(侧流)。
如图3所示，在移载室4的地板面隔着晶舟26设置有一对底面排气部72b。底面排气部72b沿着移载室4的一边形成为长方形。从清洁单元62b向移载室2内供给的气体主要从底面排气部72b排出，并经由循环路径74从清洁单元62再次供给到移载室4内。由此，在移载室4内的下部区域(隔热部24区域)形成有垂直方向的气流(降流)。
如图1、3所示，在与设置有清洁单元62的侧面对置的侧面以外的侧面设置有作为第二送风部(第二气体供给部)的输气管76。例如，输气管76设置于与设置有清洁单元62的侧面相邻的侧面。在本实施例中，输气管76设置于隔着晶舟26与移载室4内的移载机56对置的位置(移载室4的侧面与晶舟26之间的位置)。输气管76构成为朝向比载置于晶舟26的最下层的基板靠下的区域供给气体。优选输气管76构成为朝向晶舟26最下层的基板与隔热部24之间的区域供给气体。
如图2所示，输气管76在移载室4内沿着水平方向横向设置，形成有朝向基板保持体27开口的吹出口76a。经由输气管76的吹出口76a相对于移载室4内，特别是基板保持体27供给气体。作为气体，例如举出有惰性气体。输气管76与向移载室4内供给气体的移载室气体供给机构78连接。移载室气体供给机构78具备气体供给管36c，在气体供给管36c从上游方向依次设置有MFC38c以及阀40c。
输气管76设置为吹出口76a的高度位置成为保持于晶舟26的最下层的基板与隔热部24之间的高度位置。如图3所示，吹出口76a由多个开孔形成。在吹出口76a由偶数个开孔形成的情况下，隔着晶圆W的中心线在左右形成数目相同的开孔。在排出口76b由奇数个开孔形成的情况下，在晶圆W的中心线上形成一个开孔，在一个开孔的左右形成有数目相同的开孔。在本实施例中，吹出口76a例如形成有5个直径1mm以下的开孔。在俯视时，吹出口76a形成于晶圆W的直径范围内的区域。换言之，形成为吹出口76a的开口(形成)范围在晶圆W的直径范围内。通过这样的结构，能够使从吹出口76a供给的气体的主流的方向成为水平方向。由此，能够在晶舟26的最下层的基板与隔热部24之间的空间形成气体的障壁(气帘)，能够通过气帘划分作为晶舟26侧的上部环境气体(晶圆W区域的环境气体)和作为隔热部24侧的下部环境气体(隔热部24区域的环境气体)。
如图1所示，在旋转机构30、晶舟升降机32、移载机56、气体供给机构34(MFC38a～d以及阀40a～d)、APC阀50、清洁单元62、移载室气体供给机构78(MFC38e以及阀e)连接有控制这些部件的控制器100。控制器100例如由具备CPU的微处理器(计算机)构成，构成为控制处理装置2的动作。在控制器100连接有例如构成为触摸面板等的输入输出装置102。
在控制器100连接有作为存储介质的存储部104。在存储部104可读取地储存有控制处理装置2的动作的控制程序、用于根据处理条件使处理装置2的各结构部执行处理的程序(工序配方、清洁配方等配方)。
存储部104可以是内置于控制器100的存储装置(硬盘或闪存)，也可以是外部记录装置(磁带、软盘、硬盘等磁盘、CD、DVD等光盘、MO等光磁盘、USB存储器、存储卡等半导体存储器)。另外，也可以使用互联网、专用线路等通信单元向计算机提供程序。程序根据需要通过来自输入输出装置102的指示等从存储部104读出，并由控制器100执行根据读出的配方的处理，从而处理装置2在控制器100的控制下执行所希望的处理。
接下来，使用上述的处理装置2对在基板上形成膜的处理(成膜处理)进行说明。这里，对通过相对于晶圆W供给DCS(SiH2Cl2：二氯硅烷)气体作为原料气体、供给O2(氧)气体作为反应气体，而在晶圆14上形成硅氧化(SiO2)膜的例子进行说明。此外，在以下的说明中，构成处理装置2的各部的动作被控制器100控制。
(移载工序)
通过移载机56，从晶盒60向晶舟26移载晶圆W(晶圆填装)。此时，如图4所示，通过清洁单元62以及输气管76向移载室50内供给气体。从清洁单元62以第一流速或者第一流量向移载室4内供给气体，从输气管76以小于第一流速的第二流速以及小于第一流量的第二流量向移载室4内供给气体。
第一流速例如是10～20cm/s，第一流量例如是6500～13000L/min。在第一流速小于10cm/s的情况、或者第一流量小于6500L/min的情况下，晶圆W的冷却需要时间、或者难以将移载室4内保持清洁。在第一流速大于20cm/s的情况、或者第一流量大于13000L/min的情况下，晶圆W振动、或者卷起颗粒。
第二流速例如是0～5cm/s，第二流量例如是0～3L/min。在第二流速大于5cm/s的情况、或者第一流量大于3L/min的情况下，卷起颗粒。
(搬入工序)
接下来，使关闭处理室14下部的晶圆搬入搬出口的闸门20退避到未图示的闸门收纳部，打开处理室14的晶圆搬入搬出口。接着，通过晶舟升降机32使盖部22上升，从移载室4内向处理室14内搬入基板保持体27(晶舟装载)。由此，盖部22成为经由密封部件密封歧管18的下端的状态。此时，在与移载工序相同的条件下，继续从清洁单元62以及输气管76向移载室4内供给气体。
(基板处理工序)
若基板保持体27被搬入处理室14内，则通过排气管46进行处理室14内的排气，使处理室14内的压力成为所希望的压力(真空度)。另外，通过加热器12对处理室14内进行加热，并且使旋转机构30动作来使晶舟26旋转。并且，通过气体供给机构34向处理室14内供给DCS气体和O2气体。由此，在晶圆W的表面形成有SiO2膜。若在晶圆W的表面上形成所希望的膜厚的SiO2膜，则气体供给机构34停止向处理室14内的DCS气体以及O2气体的供给，向处理室14内供给惰性气体。由此，在处理室14内用惰性气体置换，并且使处理室14内的压力恢复到常压。此时，在移载室4内，在与移载工序相同的条件下，继续从清洁单元62以及输气管76向移载室4内供给气体。此外，在基板处理工序中，也可以停止从输气管76供给气体。
(搬出工序)
若基板处理工序结束，则通过晶舟升降机32使盖部22下降来使歧管18的下端开口，并且，使基板保持体27从处理室14向移载室4内搬出(晶舟卸载)。然后，用闸门20关闭处理室14的晶圆搬入搬出口。此时，在与移载工序相同的条件下继续从清洁单元62以及输气管76向移载室4内供给气体。
(降温工序)
若基板保持体27向移载室4的搬出完成，则在移载室4内使晶圆W降温(冷却)直至晶圆W成为预定的温度。此时，从清洁单元62继续第一流速以及第一流量下的气体供给，从输气管76以大于第一流速的第三流速以及小于第一流量且大于第二流量的第三流量向基板保持体27供给气体。这里，预定的温度是指能够搬出晶圆W的温度，是镊子56a或者晶盒60的耐热温度以下的温度。
第三流速例如是20～40cm/s，第三流量例如是15～70L/min。在第三流速小于20cm/s的情况、或者第三流量小于15L/min的情况下，不能在晶舟26最下层的晶圆W与隔热部24之间的区域形成水平的气流。在第三流速大于40cm/s的情况、或者第三流量大于70L/min的情况下，晶圆W会发生振动。
(移载工序)
若晶圆W被降温到预定的温度以下，则通过移载机56，将晶圆W从晶舟26移载到晶盒60(晶圆卸装)。此时，从清洁单元62继续第一流速或者第一流量下的气体供给，从输气管76以小于第一流速的第四流速或者小于第三流量的第四流量向基板保持体27供给气体。
第四流速例如是5～20cm/s，第四流量例如是3～15L/min。在第四流速小于5cm/s的情况、或者第四流量小于3L/min的情况下，不能在晶舟26最下层的晶圆W与隔热部24之间的区域形成充分的气流。在第四流速大于20cm/s的情况、或者第四流量大于15L/min的情况下，晶圆W振动、或者卷起颗粒。
(本实施方式所涉及的效果)
根据本实施方式，起到以下列举的一个或者多个效果。
(a)通过对晶舟最下层的基板与隔热部之间的区域供给气体，形成气帘，能够使基板的冷却时间缩短。
一般来说，基板容易比隔热部冷却。因此，在基板处理后的移载室内，基板周边(晶舟周边)的环境气体与隔热部周边的环境气体相比温度低，产生从隔热部朝向晶舟上方的上升气流。基板由于来自该隔热部的上升气流所包含的热而被加热，基板的冷却需要时间。特别是，越是晶舟下方的基板越容易受到来自隔热部的热的影响，即使晶舟上方的基板被冷却到能够移载的温度，晶舟下方的基板也未被充分地冷却。即，为了使晶舟下方的基板冷却，需要将隔热部也冷却到一定程度。因此，基板的冷却时间增加了使隔热部冷却的时间。
对此，根据本实施方式，通过向晶舟最下层的基板与隔热部之间的区域供给气体，能够沿水平方向推动来自隔热部的上升气流，能够抑制基板暴露在来自隔热部的高温环境气体。即，通过在晶舟最下层的基板与隔热部之间形成有气帘，能够将来自隔热部的热隔热。由此，即使隔热部未被冷却，也不受来自隔热部的热的影响，能够使基板冷却，所以能够缩短基板的冷却时间。
(b)通过处理工序使从输气管供给的气体的流量变化，从而能够提高成品率。
即使从输气管相对于搬运中的基板保持体供给气体，也由于是暂时地对隔热部供给气体，所以可以认为基板冷却效果不高。另外，通过相对于隔热部供给气体，有可能卷起颗粒。
对此，根据本实施方式，通过在基板保持体的搬运中停止从输气管的气体供给、或者以较少的流量供给，能够抑制来自隔热部的颗粒的产生，能够提高成品率。
(c)通过使吹出口的形状成为多个开孔形状，能够提高基板的冷却效率。
确认了为了切断来自隔热部的上升气流，确保晶舟最下层的基板与隔热部之间的气体的流速是有效的。通过使吹出口的形状成为多个开孔形状，能够提高气体供给部内的内压，能够增大流速。由此，能够抑制来自隔热部的上升气流到达基板，所以能够提高基板的冷却效率。
(d)通过使吹出口的开口范围成为晶圆的直径范围内，能够提高基板的冷却效率。
通过使吹出口的开口范围成为晶圆的直径范围内，从而能够至少在晶圆的直径范围形成气帘，所以能够抑制从隔热部对晶圆的热影响。另外，通过在晶圆的直径范围内形成气帘，从而容易在晶圆的中心部分(俯视中的隔热部的中心部分)形成气体的主流。由此，能够更有效地切断来自难以散热的中心部分(被盖加热器加热的部分)的热，能够提高基板的冷却效率。
(e)通过将输气管设置在清洁单元的对置位置以外的位置，能够使移载室内的气体的流动顺畅。
在将输气管设置在清洁单元的对置位置的情况下，来自输气管的气流与来自清洁单元的气流对置，所以移载室内的气流受到干扰，由此有可能在移载室内产生停滞、或者产生热对流。
对此，根据本实施方式，来自输气管的气流不与来自清洁单元的气流对置，所以能够顺畅地与来自清洁单元的气流(来自清洁单元的晶舟最下层的基板与隔热部之间的气流)合流，能够抑制干扰移载室内的气流。另外，因为对来自清洁单元的气流的干扰少，所以能够促进基板与隔热部之间的气帘形成。
(f)通过使晶圆区域成为侧流，使隔热部区域成为降流，能够容易在基板与隔热部之间的区域形成气帘。
晶舟最下层的基板与隔热部之间的区域成为侧流与降流的边界区域。因此，由输气管供给的气体不会较强地干扰任一方的流动，能够作为独立于晶圆区域的侧流、隔热部区域的降流的第三气体的流动，形成气帘。
本实施方式并不局限于上述的方式，能够如以下所示的变形例那样变更。
(变形例1)
例如，在上述的降温工序中，也可以旋转基板保持体27。由此，能够从基板保持体27的整周方向供给气体，所以能够进一步提高基板冷却效率，能够提高生产率。
(变形例2)
例如，也可以在移载室4内将气体供给部76设置在角部。另外，也可以设置于设置有清洁单元62的侧面。该情况下，优选气体供给部设置于清洁单元62a与清洁单元62b之间的高度位置。由此，能够使移载室4内的气体流动更顺畅，能够使生产性提高。
(变形例3)
例如，也可以将吹出口76a形成为横向长的狭缝状。另外，也可以如图5(A)所示，将吹出口76a形成为多个狭缝状。另外，也可以如图5(B)所示，组合狭缝状和圆形的开孔来形成吹出口76a。另外，也可以如图5(C)所示，将吹出口76a的多个开孔形成为在高度方向上彼此不同。另外，也可以如图5(D)所示，避开晶舟柱26B来形成吹出口76a。狭缝的宽度、长度或开孔的大小被适当地设定为能够确保预定的流速。通过这些结构，能够抑制在晶舟26最下层的晶圆W与隔热部24之间的区域产生气流的停滞，能够更容易形成气帘。
(变形例4)
如图6所示，也可以在输气管76的上方设置作为第三送风部(第三气体供给部)的输气管80。输气管80设置为吹出口80a的高度位置在晶舟26的顶板26a的高度位置以上。优选吹出口80a的高度位置设置于与顶板26a的上表面大致相同的位置。输气管80的形状与输气管76的形状相同。输气管80与移载室气体供给机构78连接，以与输气管76相同的结构相对于移载室4内，特别是晶舟26的顶板26a供给气体。从输气管80供给的气体流量以及气体流速为从输气管76供给的气体流量以及气体流速以下即可。由于晶舟26容易比隔热部24冷却(热容量小)，所以即使是比从输气管76供给的气体流量以及气体流速小的气体流量以及气体流速也能够有效地冷却。通过这样的结构，能够使晶舟周边的环境气体冷却，能够使生产性提高。
在上述的实施方式中，对在晶圆W上堆积膜的例子进行了说明，但本发明并不局限于这样的方式。例如，也能够优选地应用于相对于晶圆W或在晶圆W上形成的膜等进行氧化处理、扩散处理、退火处理、蚀刻处理等处理的情况。
另外，上述的实施方式或变形例能够适当地组合使用。此时的处理条件能够成为例如与上述的实施方式或变形例相同的处理条件。另外，当然除了上述的方式以外，本发明也能够在不脱离其主旨的范围各种变形实施。
符号说明
2—基板处理装置；4—移载室；27—基板保持体；62—清洁单元；76—输气管。

Claims (20)

1.一种基板处理装置，其特征在于，具备：
基板保持体，其由隔热部和基板保持部构成，该基板保持部设置在上述隔热部的上方并将多个基板保持为多层；
处理室，其对保持于上述基板保持部的基板进行处理；
移载室，其与上述处理室相邻，并将上述基板移载到上述基板保持部；
第一气体供给部，其设置于上述移载室的一侧面，并向上述移载室内供给气体；
第二气体供给部，其在保持于上述基板保持部的最下层的上述基板与上述隔热部之间的高度位置具有气体的吹出口，并朝向上述基板保持体供给气体；以及
控制部，其构成为控制搬运机构、上述第一气体供给部以及上述第二气体供给部。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
上述第二气体供给部设置为向保持于上述基板保持部的最下层的上述基板与上述隔热部之间供给上述气体。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
上述第二气体供给部设置于与设置有上述第一气体供给部的一侧面不同的侧面。
4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，
上述第二气体供给部设置在上述移载室的角部。
5.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
上述吹出口由多个开孔形成。
6.根据权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于，
上述吹出口形成于上述基板的直径范围内的区域。
7.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
还具备第三气体供给部，该第三气体供给部在上述基板保持部的顶板以上的高度位置具有气体的吹出口，并向上述移载室内供给上述气体。
8.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
上述控制部构成为，以在从上述处理室向上述移载室搬运上述基板保持体的期间，以第一流速从上述第一气体供给部供给上述气体，并以比上述第一流速小的第二流速从上述第二气体供给部供给上述气体的方式，控制上述搬运机构、上述第一气体供给部以及上述第二气体供给部。
9.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
上述控制部构成为，以在上述移载室内使上述基板降温时，以第一流速从上述第一气体供给部供给上述气体，并以比上述第一流速大的第三流速从上述第二气体供给部供给上述气体的方式，控制上述搬运机构、上述第一气体供给部以及上述第二气体供给部。
10.根据权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于，
上述控制部构成为，以在从上述基板保持体移载上述基板时，以上述第一流速从上述第一气体供给部供给上述气体，并以比上述第一流速小的第四流速从上述第二气体供给部供给上述气体的方式，控制上述搬运机构、上述第一气体供给部以及上述第二气体供给部。
11.根据权利要求10所述的基板处理装置，其特征在于，
上述第四流速是上述第二流速以上的流速。
12.根据权利要求11所述的基板处理装置，其特征在于，
上述第二流速为零。
13.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
上述控制部构成为，以当上述基板保持体位于上述移载室内时，使从上述第一气体供给部向上述移载室供给的上述气体的流量成为比从上述第二气体供给部向上述移载室供给的上述气体的流量大的流量的方式，控制上述搬运机构、上述第一气体供给部以及上述第二气体供给部。
14.根据权利要求13所述的基板处理装置，其特征在于，
还具有使上述基板保持体旋转的旋转机构，
上述控制部构成为，以在上述移载室内使上述基板降温时，从上述第一气体供给部以及上述第二气体供给部向上述移载室供给上述气体，并且使上述基板保持体旋转的方式，控制上述旋转机构、上述第一气体供给部以及上述第二气体供给部。
15.根据权利要求13所述的基板处理装置，其特征在于，
上述控制部构成为，以在从上述处理室向上述移载室搬运上述基板保持体的期间，以第一流量从上述第一气体供给部供给上述气体，并以小于上述第一流量的第二流量从上述第二气体供给部供给上述气体的方式，控制上述搬运机构、上述第一气体供给部以及上述第二气体供给部。
16.根据权利要求15所述的基板处理装置，其特征在于，
上述控制部构成为，以在上述移载室内使上述基板降温时，以第一流量从上述第一气体供给部供给上述气体，并以小于上述第一流量且大于上述第二流量的第三流量从上述第二气体供给部供给上述气体的方式，控制上述搬运机构、上述第一气体供给部以及上述第二气体供给部。
17.根据权利要求16所述的基板处理装置，其特征在于，
上述控制部构成为，以在从上述基板保持体使上述基板移载时，以上述第一流量从上述第一气体供给部供给上述气体，并以小于上述第三流量且大于上述第二流量的第四流量从上述第二气体供给部供给上述气体的方式，控制上述搬运机构、上述第一气体供给部以及上述第二气体供给部。
18.根据权利要求17所述的基板处理装置，其特征在于，
上述第二流量和上述第四流量为相同的流量。
19.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具备：
从在一侧面具备供给气体的第一气体供给部的移载室向处理室内搬运基板保持体的工序，其中，该基板保持体由隔热部和基板保持部构成，该基板保持部设置在上述隔热部的上方并将多个基板保持为多层；
在上述处理室内处理上述基板的工序；
从上述处理室内向上述移载室搬出上述基板保持体的工序；以及
从第二气体供给部朝向保持于上述基板保持部的最下层的上述基板与上述隔热部之间供给气体的工序，其中，该第二气体供给部在保持于上述基板保持部的最下层的上述基板与上述隔热部之间的高度位置具有上述气体的吹出口。
20.一种存储介质，其特征在于，存储通过计算机使基板处理装置执行以下步骤的程序，即：
从在一侧面具备供给气体的第一气体供给部的移载室向处理室内搬运基板保持体的步骤，其中，该基板保持体由隔热部和基板保持部构成，该基板保持部设置在上述隔热部的上方并将多个基板保持为多层；
在上述处理室内处理上述基板的步骤；
从上述处理室内向上述移载室搬出上述基板保持体的步骤；以及
从第二气体供给部朝向保持于上述基板保持部的最下层的上述基板与上述隔热部之间供给气体的步骤，其中，该第二气体供给部在保持于上述基板保持部的最下层的上述基板与上述隔热部之间的高度位置具有上述气体的吹出口。
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